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International Rectifier ポータブル仕様のハイエンドパワーアンプ【LV-BRX】

半導体 … インターナショナル・レクティファイアー

HEXFET Power MOSFETs

Reference Design Kits

製品紹介

世界中で活躍!高性能 MOSFET

IR社のMOSFET

IR社は、これまで知的財産の創造(研究開発)や保護に膨大な投資を行ってきました。パワーMOSFETの基本的技術を確立しており、製品の市場競争力を高めることに貢献しています。HEXFETRパワーMOSFETはIR社の基本特許を利用した製品です。オン抵抗が小さいため導通損失が低く、ゲート電荷が小さいためスイッチング損失が低いので高速スイッチング動作が可能です。

様々なアプリケーション市場に対応するパワーMOSFET

  • 市場をリードする高性能MOSFET
  • グローバルなネットワークによる高い品質管理体制
  • 30V~250Vまでの幅広い製品群

主要製品

  • ディスクリート・パワーMOSFET
  • デュアル・パワーMOSFET
  • FETKY®
  • DirectFET®

詳細は商品一覧へ

複数の市場にわたって電源管理に貢献しています。

パワーMOSFETパッケージ一覧

面実装 標準パッケージ(省電力用)・大電力用 パッケージ

独自のパッケージ技術 DirectFET(R)

IR社が開発した小型金属パッケージDirectFET®は、パワーMOSFET®が発生する熱をパッケージの下部から放熱すると同時に、パッケージの上部からも放熱させるという画期的な「両面放熱」を実現しました。「熱」の問題を解決するとともに、両面放熱により、部品点数を削減、基板面積の縮小・製品の小型化に貢献します。

DirectFET MOSFET

PowlRaudio

PowlRaudioの特長

  • ヒートシンク不要
  • クラス最高の効率と音質
  • 部品点数の削減により設計が簡素化
  • 単電源・両電源対応

D級アンプモジュール PowlRaudio

マルツオリジナルD級オーディオアンプ- LV1.0

製品特長 (IRF6645)LV1-PWAM(パワーアンプ基板)

  • 定格出力は100W(@4Ω、1kHz、THD+N=0.05%、電源電圧±35V時)、効率は95%(定格出力時)とハイパワー/低損失を実現
  • 対応負荷は2~16Ω
  • THD+Nは0.01%以下(@4Ω、1kHz、50W出力時)、残留雑音は200μV以下(フィルタAES-17 A-weighted)と高性能を実現
  • PWMコントローラとMOSFETには、それぞれIRS2092とIRF6645を搭載
    特にMOSFETには、実装面積を大幅に削減するDirect-FET方式を採用

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LV1-PWAM

製品特長(IR4301) … LVX-PWAM-SET(パワーアンプ基板)

  • 最大出力160W+160W(4Ω負荷時、1kHz、THD=10%)
  • 過電流保護、温度上昇監視、電源低電圧監視の保護機能を搭載しています。
    保護状態からの自己復帰機能も搭載しています。
  • 出力LPFは2次、4次に対応(標準は2次)
  • 対応負荷は2~16Ω
  • 動作電源電圧範囲:±20V~±30V

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LVX-PWAM-SET