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MOSFET N-CH 25V 40A TSDSON-8 Transistor Polarity:N Channel Continuous Drain Current Id:40A Drain Source Voltage Vds:25V On Resistance Rds(on):0.005ohm Rds(on) Test Voltage Vgs:10V T

Description:The DEMO_5QR2280AZ_24W1 demostration board operates under a wide range input developed with offline SMPS application in mind. It features the new ICE5QR2280AZ PWM quasi-reso

超低静止電流の50mAアジャスタブルリニア電圧レギュレータの評価ボード 　IFX30081SJVは入力電圧が2.75V～42Vと広く、低ドロップアウト電圧で、わずか5µAという超低静止電流のリニア電圧レギュレータです。IFX30081SJVは、2％の精度と最大50mAまでの最大出力電流で出力電圧を調整できるので、バッテリ駆動システムやセンサ用電源に最適です。外部に必

在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。Description:Evaluation Board for 6EDL04I06PT - Full bridge 3 Phase gate driver ICwith LS-SOI technology to control power devices like MOS-tr

MEMSマイクロフォンIM69D120の評価用キット 　IM69D120フレックスボードは、インフィニオン社の超小型XENSIV™MEMSマイクロフォンIM69D120の評価/開発用ボードです。IM69D120は、デュアルバックプレートMEMS技術を使用したマイクロフォンと、低ノイズプリアンプ、シグマデルタ型A/Dコンバータを搭載しており、高音質のデータをデジタルで

Description:The 5kW Evaluation Board represents Infineon’s solution for an inverterstage of high power motor control applications such as forklifts or low speed cars. This reference des

Description:The 5kW Evaluation Board represents Infineon’s solution for an inverterstage of high power motor control applications such as forklifts or low speed cars. This reference des

Description:The 5kW Evaluation Board represents Infineon’s solution for an inverterstage of high power motor control applications such as forklifts or low speed cars. This reference des

在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。Description:This evaluation board is a complete power stage to drive 3-phase motor, powered by IRSM505-084DA2 CIPOS Micro. It is equipped wi

【仕様】シリーズiMOTIONタイプ電源管理機能モータコントローラ/ドライバ使用IC/パーツIRMCK099M供給内容ボード

モータコントローラT-T038の評価用ボードキット 　在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。EVAL-M1-101Tは、iMOTIONモジュラーアプリケーションデザインキット(MADK)プラットフォームの評価用制御ボードキットで、さまざまなインバータ制御システムのプロトタイプを作成できます。一般にセンサレスモータは

在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。Description:This evaluation board is a motor control board powered by XMC 1302.It includes an isolated J-Link interface by Segger. The Hardw

在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。Description:This Evaluation Kit is a compact and flexible 3-phase motor drive system solution platform with control card and power stage, po

在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。Description:This Evaluation Kit is a compact and flexible 3-phase motor drive system solution platform with control card and power stage, po

在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。Description:This E valuation Kit is a compact and flexible 3-phase motor drivesystem solution platform with controll card and power stage,po

在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。Description:This Evaluation Kit is a compact and flexible 3-phase motor drive system solution platform with controll card and power stage, p

インフィニオン社が提供するiMOTIONモジュラーアプリケーションデザインキット(MADK)プラットフォームのコントロールボードです。iMOTIONは、比較的小容量の永久磁石同期モーター用のドライバやインバータ回路を統合したソリューションです。本ボードには30ピンM3コネクタが装備されており、力率補正と単一モーターの制御を行うことができます。モーターを動作させるために

【仕様】・内容：HIGH AND LOW SIDE DRIVER・パッケージ：DIP14・動作電圧：・機能1：Voffset 600V(max)・機能2：Gate drive supply range 10 〜 20V・機能3：logic supply range3.3V 〜 20V・動作温度：-40℃〜+125℃

・パッケージ　：5x6mm PQFN22・動作電圧　：80V・用途　：D級オーディオアンプ・仕様1　：負荷時の最大出力 x チャンネル数 : 160W x 1 @ 4オーム・仕様2　：デポップ、差動入力・仕様3　：過電流保護・仕様4　：

Description:IR11688 D-Pak Daughter Card is designed to allow easy retrofit inexisting systems with minimal system changes.Parametrics:Configuration IR11688SFamilyDC-DC ConverterMounting

Description:IR11688 QFN Daughter Card is designed to allow easy retrofit in existing systems with minimal system changes.Parametrics:Configuration IR11688SFamilyDC-DC ConverterMountingS

IRF6623はDirectFETTMパッケージを採用し、MICRO-8のフットプリントと高さ0.7mmのパッケージにより最小のオン抵抗を実現したHEXFETパワーMOSFETです。DirectFETパッケージの両面冷却により電力の熱伝達を最大化し、従来製品よりも熱抵抗を80%改善しました。また、低抵抗と低電荷のバランスをとりながら、超低パッケージインダクタンスを実現

【仕様】・パッケージ：DirectFET SJ・構造：・VDSS：100V・ID：25A・Pc(Tc=25℃)：・VGS(OFF)：・Yfs(min)：・RDS(max)：35mΩ(Vgs=10V ID=5.7A)・Ciss：890pF(標準)　(Vds=25V　ｆ=1MHz)・Ton：9.2ns(標準)　(Vgs=10V　Id=3.4A)・コンプリ：・用途：・入数：

【仕様】・パッケージ：TO-220AB・構造：・VDSS：100V・ID：80A・Pc(Tc=25℃)：・VGS(OFF)：・Yfs(min)：・RDS(max)：15mΩ・Ciss：3830pF(標準)　(Vds=25V　ｆ=1MHz)・Ton：15ns(標準)　(Vgs=10V　Id=80A)・コンプリ：・用途：・入数：1個・備考：●スイッチング時間が速いので高速

極めて低いオン抵抗を実現した55V/19AのPチャネルパワーMOSFETです。約50Wまでのアプリケーションに適した低熱抵抗でコストパフォーマンスのよいパッケージで提供されます。●特長・100kHz以下のスイッチングアプリケーションに最適化・大電流に対応したパッケージ・ウェーブはんだ付けが可能・業界標準の表面実装パワーパッケージを採用●仕様ID(ドレイン電流) @25

●仕様FETタイプMOSFET Nチャンネル、酸化金属FET機能論理レベルゲートドレイン-ソース間電圧(Vdss)60V電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)195A(Tc)Id、Vgs印加時のRds On(最大)2.5mΩ＠170A、10VId印加時のVgs(th)(最大)4V＠250μAVgs印加時のゲート電荷(Qg)300nC＠10VVds印加時の入力容量(C

【仕様】・パッケージ：TO-220AB・構造：・VDSS：150V・ID：33A・Pc(Tc=25℃)：25W・VGS(OFF)：30V・Yfs(min)：・RDS(max)：560mΩ(Vgs=10V Id=20A)・Ciss：2020pF(標準)　(Vds=25V　ｆ=1MHz)・Ton：13ns(標準)　(Vgs=10V　Id=20A)・Gfs：14S(最小)　

【仕様】・パッケージ：TO-220AB・構造：・VDSS：200V・ID：38A・Pc(Tc=25℃)：・VGS(OFF)：・Yfs(min)：・RDS(max)：54mΩ・Ciss：2900pF(標準)　(Vds=25V　ｆ=1MHz)・Ton：16ns(標準)　(Vgs=10V　Id=26A)・Gfs：17S(最小)　(Vds=50V　Id=26A)・コンプリ：・

【仕様】・パッケージ：TO-220AB・構造：・VDSS：200V・ID：18A・Pc(Tc=25℃)：・VGS(OFF)：・Yfs(min)：・RDS(max)：100mΩ・Qg：18nC　(標準)・Td(on)：7.8ns　(標準)　（Vdd=100V　Id=11A　Rg=2.4Ω)・コンプリ：・用途：・入数：1個・備考：●全ゲート負荷が少ないので、スイッチング損

【仕様】・パッケージ：TO-220AB・構造：・VDSS：150V・ID：51A・Pc(Tc=25℃)：・VGS(OFF)：・Yfs(min)：・RDS(max)：32mΩ・Ciss：2770pF(標準)　(Vds=25V　ｆ=1MHz)・Ton：16ns(標準)　(Vgs=10V　Id=36A)・Gfs：19S(最小)　(Vds=50V　Id=36A)・コンプリ：・

StrongIRFET パワーMOSFETは、低RDS(on)で高電流用途向けに最適化されており、性能と耐久性を必要とする低周波アプリケーションに最適です。DCモーター、バッテリー管理システム、インバーター、DC/DCコンバーターなど、幅広いアプリケーションに対応しています。●特長・100kHz以下のスイッチングアプリケーションに最適・従来品に比べ、よりソフトなボディ

在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。【仕様】・パッケージ：TO-220 Full-Pak 5-Pin・構造：・VDSS：150V・ID：8.7A・Pc(Tc=25℃)：・VGS(OFF)：・Yfs(min)：・RDS(max)：95mΩ・Qg：13nC　(標準)・Tr：7ns　(標準)　（Vdd=75V　Id=5.

【仕様】・パッケージ：TO-220Full-Pak5PIN・構造：・VDSS：55V・ID：11A・Pc(Tc=25℃)：14W・VGS(OFF)：・Yfs(min)：・RDS(max)：60mΩ(Vgc=10V Id=7.7A)・Qg：8.9nC　(標準)・Tr：5.9ns　(標準)　（Vdd=28V　Id=7.7A　Rg=2.5Ω)・コンプリ：・用途：・入数：1個

在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。【仕様】・パッケージ：TO-220 Full-Pak 5-Pin ?・構造：・VDSS：100V・ID：11A・Pc(Tc=25℃)：・VGS(OFF)：・Yfs(min)：・RDS(max)：72.5mΩ・コンプリ：・用途：・入数：1個・備考：

【仕様】・パッケージ：TO-220Full-Pak・構造：・VDSS：・ID：14A・Pc(Tc=25℃)：29W・VGS(OFF)：・Yfs(min)：・RDS(max)：71mΩ(Vgs=10V Id=7.8A)・Qg：20nC　(最大)・Td(on)：4.7ns　(標準)　（Vdd=28V　Id=10A　Rg=24Ω)・コンプリ：・用途：・入数：1個・備考：●全

【仕様】・パッケージ：TO-220Full-Pak・構造：・VDSS：55V・ID：14A・Pc(Tc=25℃)：29W・VGS(OFF)：・Yfs(min)：・RDS(max)：70mΩ(Vgs=10V Id=7.8A)・Qg：20nC　(最大)・Td(on)：4.9ns　(標準)　（Vdd=28V　Id=10A　Rg=24Ω)・コンプリ：・用途：・入数：1個・備考

【仕様】・パッケージ：TO-220Full-Pak・構造：・VDSS：60V・ID：21A・Pc(Tc=25℃)：37W・VGS(OFF)：・Yfs(min)：・RDS(max)：42mΩ(Vgs=10V Id=11A)・Qg：34nC　(最大)・Td(on)：7ns　(標準)　（Vdd=28V　Id=16A　Rg=18Ω)・コンプリ：・用途：・入数：1個・備考：●全

55V/17AのHEXFET NチャネルパワーMOSFETです。実証済みのシリコンプロセスを利用することで、安定してDCモーターやインバータ、照明、負荷スイッチ、バッテリ駆動アプリケーションなどに使用できます。●特長・100kHz以下のスイッチングアプリケーションに最適・広いSOAを実現するプレーナーセル構造を採用・業界標準の表面実装型パワーパッケージを採用●仕様ID

●特長・特徴的なアバランシェ特性を持つ・スイッチング損失を低減する低ゲート-ドレイン電荷チャージ・設計を簡素化する実効出力容量・RoHS対応●仕様ID(25℃)18AMSL1実装表面実装Ptot110W(max)パッケージDPAK (TO-252) 極性NチャネルQG(10V)28nC(typ)Qgd14nCRDS(on)(10V)125mΩ(max)RthJC1.4

●特長・平面セル構造による広いSOA・JEDEC規格に準拠・100kHz未満でスイッチングするアプリケーション向けに最適化●仕様ID(25℃)－13A(max)MSL1実装表面実装Ptot最大110WパッケージDPAK(TO-252)極性PチャネルQG(10V)44nC(typ)Qgd23.3nCRDS(on)(10V)580mΩ(max)RthJC1.4K/W(ma

MOSFET N-CH 55V 75A TO-263ABTransistor Polarity:N ChannelContinuous Drain Current Id:75ADrain Source Voltage Vds:55VOn Resistance Rds(on):0.0065ohmRds(on) Test Voltage Vgs:10VThresh

・パッケージ　：I-Pak・構造　：・VDSS　：30V・ID　：160A・Pc(Tc=25℃)　：・VGS(OFF)　：・RDS(max)　：3.1ミリオーム @ 25A、10V・コンプリ　：・用途　：・入数　：1・備考　：

デジタルアンプのFETをコントロールするゲートドライバーです。　アナログ入力をPWM周波数モジューレーションしてFETのGateを駆動します。過電圧、減電圧、過電流など各種プロテクションが内蔵されています。　　【主な仕様】　Voffset ±100V、GateDriver Io+　1.0A　Io-　1.2A　、PWM周波数：MAX800KHz【仕様】・パッケージ：PD

【仕様】・パッケージ：SOIC 16・動作電圧：10V〜18VV・用途：D級オーディオアンプ・仕様1：・仕様2：・仕様3：・仕様4：・動作温度：

【仕様】・パッケージ：16-Lead SOIC・機能：HIGH AND LOW SIDE DRIVER・動作電圧：10V〜20V

在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。【仕様】・パッケージ：SOIC 8ピン・機能：・電源電圧範囲VDD：10V〜20V・ロジック入力レベルVIH：2.5V(min)・ロジック入力レベルVIL：0.8V(max)・出力抵抗(max)：・出力抵抗条件：・Rise Time(max)：130ns・Fall Time(ma

在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。【仕様】・パッケージ：SOIC 8ピン・機能：・電源電圧範囲VDD：10V〜20V・ロジック入力レベルVIH：2.5V(min)・ロジック入力レベルVIL：0.8V(max)・出力抵抗(max)：・出力抵抗条件：・Rise Time(max)：130nS・Fall Time(ma

偽造防止用のOPTIGA Trust B SLE95250の評価キット 　インフィニオン社のOPTIGAファミリは、組み込み機器向けに設計された情報の機密や認証を保護するソリューションで、OPTIGA Trust Bはオリジナル製品の信頼性や安全性を保護するために設計されています。OPTIGATM Trust B SLE95250評価キットにより、製品などの偽造防止