半導体 　[ メーカー:Alpha & Omega Semiconductor Inc 納期:売り切れ ]の検索結果

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：-・Vds印加

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：-・Vds印加

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：-・Vds印加

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：-・Vds印加

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：-・Vds印加

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：SRFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）、85A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.2ミリオーム @ 20A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.2V

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：-・Vds印加

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：-・Vds印加

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：-・Vds印加

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：-・Vds印加

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：-・Vds印加

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：19A（Ta）、50A（Tc）、26A（Ta）、82A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.2ミリオーム @ 20A、10V、2.8ミリオーム @

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：-・Vds印加

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：-・Vds印加

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：-・Vds印加

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：-・Vds印加

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・IGBTタイプ：-・構成：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：-・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：-・電力 - 最大：-・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：-・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・入力静電容量（Cies） @ Vce：-・入力：-・NTCサーミスタ：-・動作温度：-・取り付けタイ

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：12A（Ta）、50A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8ミリオーム @ 20A、10V・Id

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.3A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9オーム @ 650mA、10V・Id印加時のVgs（th）

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：14A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：380ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs（th）

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11A・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：650ミリオーム @ 5.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：aMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：290ミリオーム @ 7.5A、10V・Id印加時のV

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Ta）、51A（Tc）、30A（Ta）、85A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.2ミリオーム @ 2

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Ta）、51A（Tc）、26A（Ta）、83A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.2ミリオーム @ 2

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：aMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：39A・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：99ミリオーム @ 21A、10V・Id印加時のVgs（th）

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：12A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：520ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th）

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：AlphaSGT™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：57A（Ta）、 195A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：90ミリオーム @ 6A、 6V・Id印加時のVgs（th）（最大）

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：AlphaSGT™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：19.5A（Ta）、 46A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9ミ

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：AlphaSGT™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：57A（Ta）、 195A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：28A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @ 250µA・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：40A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.4ミリオーム @ 6A、 10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V @ 250µ

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：25V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A（Ta）、 60A（Tc）、 34A（Ta）、 60A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.6mOhm @

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：56A（Ta）、220A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.35ミリオーム

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・DigiKeyプログラム可能：-・駆動構成：ハイサイドとローサイド・チャンネルタイプ：3層・ドライバ数：6・ゲートタイプ：IGBT・電圧 - 供給：10V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：200mA、350mA・入力タイプ：非反転・ハイサイド電

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：AlphaIGBT™・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：650 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：300 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2V @ 15V、50A・電力 - 最大：312 W・スイッチングエネルギー：3.3

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：AlphaSGT™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：19.5A（Ta）、 69A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：AlphaSGT™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：40A（Ta）、 85A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.3ミリオーム @ 20A、10V・Id印加時のVgs（

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・機能：-・出力構成：-・トポロジ：-・出力タイプ：-・出力数：-・電圧 - 入力（最小）：-・電圧 - 入力（最大）：-・電圧 - 出力（最小/固定）：-・電圧 - 出力（最大）：-・電流 - 出力：-・周波数 - スイッチング：-・同期整流器：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：-・パ

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：EZBuck™・機能：ステップダウン・出力構成：ポジティブ・トポロジ：バック・出力タイプ：可変・出力数：1・電圧 - 入力（最小）：4.5V・電圧 - 入力（最大）：18V・電圧 - 出力（最小/固定）：0.8V・電圧 - 出力（最大）：15.3V・電流 - 出力：3A・周波数 - スイッチング：500kHz・同

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・機能：-・出力構成：-・トポロジ：-・出力タイプ：-・出力数：-・電圧 - 入力（最小）：-・電圧 - 入力（最大）：-・電圧 - 出力（最小/固定）：-・電圧 - 出力（最大）：-・電流 - 出力：-・周波数 - スイッチング：-・同期整流器：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：-・パ

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：EZBuck™・機能：ステップダウン・出力構成：ポジティブ・トポロジ：バック・出力タイプ：可変・出力数：1・電圧 - 入力（最小）：4.5V・電圧 - 入力（最大）：18V・電圧 - 出力（最小/固定）：0.8V・電圧 - 出力（最大）：15.3V・電流 - 出力：3A・周波数 - スイッチング：500kHz・同

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・機能：-・出力構成：-・トポロジ：-・出力タイプ：-・出力数：-・電圧 - 入力（最小）：-・電圧 - 入力（最大）：-・電圧 - 出力（最小/固定）：-・電圧 - 出力（最大）：-・電流 - 出力：-・周波数 - スイッチング：-・同期整流器：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：-・パ

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・タイプ：ツエナー・一方向チャンネル：-・双方向チャンネル：1・電圧 - 逆スタンドオフ（標準）：3.3V（最大）・電圧 - ブレークダウン（最小）：6V・電圧 - クランピング（最大）@ Ipp：7V（標準）・電流 - ピークパルス（10/1000μs）：9A（8/20µs）・電力 - ピークパルス：60W・パワーライン保護

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：13A（Ta）、16A（Tc）、15A（Ta）、18A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10.2ミリオーム @ 13A、10V、

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・タイプ：ステアリング（レールツーレール）・一方向チャンネル：4・双方向チャンネル：-・電圧 - 逆スタンドオフ（標準）：5V（最大）・電圧 - ブレークダウン（最小）：6V・電圧 - クランピング（最大）@ Ipp：6V・電流 - ピークパルス（10/1000μs）：10A（8/20µs）・電力 - ピークパルス：-・パワー

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.9A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：27ミリオーム @ 6.9A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.5V