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トランジスタ - FET、MOSFET - シングル|Honeywell Aerospaceの定格表 該当製品数: 4 件

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写真 型番 メーカー データシート BOMに追加 品質ランク 単価 (税抜) 単価 (税込) カートに追加 在庫数量 最少購入数 納期 パッケージ シリーズ FETタイプ 技術 ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） Id、Vgs印加時のRds On（最大） Id印加時のVgs（th）（最大） Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） Vgs（最大） Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） FET機能 電力散逸（最大） 動作温度 グレード 認定 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
HTNFET-D HTNFET-D Honeywell Aerospace データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
★ 確認する 1 個 売り切れ バルク HTMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 55 V - 5V 400ミリオーム @ 100mA、5V 2.4V @ 100µA 4.3 nC @ 5 V 10V 290 pF @ 28 V - 50W（Tj） -55°C～225°C（TJ） - - スルーホール 8-CDIP-EP 8-CDIP露出パッド
HTNFET-DC Honeywell Aerospace データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
★ 確認する 1 個 売り切れ バルク HTMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 55 V - 5V 400ミリオーム @ 100mA、5V 2.4V @ 100µA 4.3 nC @ 5 V 10V 290 pF @ 28 V - 50W（Tj） - - - スルーホール - 8-CDIP露出パッド
HTNFET-T HTNFET-T Honeywell Aerospace データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
★ 確認する 1 個 売り切れ バルク HTMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 55 V - 5V 400ミリオーム @ 100mA、5V 2.4V @ 100µA 4.3 nC @ 5 V 10V 290 pF @ 28 V - 50W（Tj） -55°C～225°C（TJ） - - スルーホール 4-パワータブ 4-SIP
HTNFET-TC Honeywell Aerospace データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
★ 確認する 1 個 売り切れ バルク HTMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 55 V - 5V 400ミリオーム @ 100mA、5V 2.4V @ 100µA 4.3 nC @ 5 V 10V 290 pF @ 28 V - 50W（Tj） - - - スルーホール -
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