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600V Nチャンネル・スーパージャンクションMOSFET●特長・高速スイッチングと低RDS(ON)・100％ Avalanche、Rgテスト済み●仕様ドレイン－ソース間電圧600Vゲート－ソース間電圧±30V連続ドレイン電流30.0Aゲートしきい値電圧4.0Vドレイン-ソース間オン抵抗120mΩ動作接合部温度範囲－55～＋150℃電力散逸33W入力静電容量1960

600V Nチャンネル・スーパージャンクションMOSFET●特長・高速スイッチングと低RDS(ON)・100％ Avalanche、Rgテスト済み●仕様ドレイン－ソース間電圧600Vゲート－ソース間電圧±30V連続ドレイン電流30.0Aゲートしきい値電圧4.0Vドレイン-ソース間オン抵抗120mΩ動作接合部温度範囲－55～＋150℃電力散逸235W入力静電容量196