1900070003では商品が見つかりませんでした。MOSFETで表示しています。
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619件中1~50件目
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商品説明
【仕様】ドライバ数 = 4動作供給電圧 Min = 5.5 V動作供給電圧 Max = 50 Vトポロジー = フルブリッジ実装タイプ = 表面実装出力数 = 4極性 = 非反転パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 28ブリッジタイプ = フルブリッジ寸法 = 9.7 x 4.4 x 1.1mm
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- メーカー名:
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東芝
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
提携先在庫数:160個(2024/09/17 9:00 現在) ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流100 mA最大ドレイン-ソース間電圧30 VパッケージタイプSOT-346実装タイプ表面実装ピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗4 Ωチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧1.5V最大パワー消費200 mWトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソ
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- メーカー名:
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東芝
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
提携先在庫数:110個(2024/09/17 9:00 現在) ●仕様チャンネルタイプP最大連続ドレイン電流330 mA最大ドレイン-ソース間電圧20 VパッケージタイプUFM実装タイプ表面実装ピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗3.6 Ωチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧1V最大パワー消費500 mWトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電
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1個以上
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¥434.00(税抜)
税込¥477.00
自社在庫数 :
個
- メーカー名:
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インフィニオン
- 型番:
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- 箱番号:
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2552-11
- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S1
商品説明
【仕様】・パッケージ:TO-220AB・構造:・VDSS:150V・ID:33A・Pc(Tc=25℃):25W・VGS(OFF):30V・Yfs(min):・RDS(max):560mΩ(Vgs=10V Id=20A)・Ciss:2020pF(標準) (Vds=25V f=1MHz)・Ton:13ns(標準) (Vgs=10V Id=20A)・Gfs:14S(最小)
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- メーカー名:
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東芝
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
提携先在庫数:125個(2024/09/17 9:00 現在) ●仕様チャンネルタイプP最大連続ドレイン電流10 A最大ドレイン-ソース間電圧30 VパッケージタイプSOP実装タイプ表面実装ピン数8最大ドレイン-ソース間抵抗17 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧2V最大パワー消費1.9 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-2
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- メーカー名:
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東芝
- 型番:
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- 納期:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
●仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = DPAK実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 90 Wトランジスタ構成 =
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商品説明
提携先在庫数:440個(2024/09/17 9:00 現在) ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流500 mA最大ドレイン-ソース間電圧60 VパッケージタイプTO-92実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗5 Ωチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧3V最低ゲートしきい値電圧0.8V最大パワー消費830 mWトランジスタ
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- メーカー名:
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インフィニオン
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
提携先在庫数:93個(2024/09/17 9:00 現在) ●仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲ
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1個以上
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¥524.00(税抜)
税込¥576.00
自社在庫数 :
個
- メーカー名:
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東芝
- 型番:
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- 箱番号:
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2552-04
- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S1
商品説明
スイッチング用のパワーMOS FETです。 【仕様】・パッケージ:TO-3P(N)・構造:Nch-MOS・VDSS:60V・ID:60A・Pc(Tc=25℃):150W・VGS(OFF):・Yfs(min):40s・RDS(max):15mΩ(Vgs=4V Id=30A)・Ciss:5400pF(標準) (Vds=10V f=1MHz)・Ton:60ns(標準) (V
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1個以上
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¥100.00(税抜)
税込¥110.00
自社在庫数 :
個
- メーカー名:
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VISHAY
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
MOSFET SI9945AEY-T1-E3 VISHAY製を販売します。【仕様】・FETタイプ:2Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン〜ソース間電圧(Vdss):60V・電流-25°Cでの連続ドレイン(Id):3.7A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):80ミリオーム @ 3.7A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):3V
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- メーカー名:
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インフィニオン
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S1
商品説明
HEXFETシリーズ NチャンネルパワーMOSFET●仕様チャンネルタイプNチャンネルドレイン-ソース間電圧30V連続ドレイン電流5Aドレイン-ソース間オン抵抗0.022ΩパッケージSOT-23実装表面実装Rds(on) テスト電圧4.5Vゲート-ソース間しきい値電圧800mV(max)消費電力1.3Wピン数3ピン動作温度+150℃(max)
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1個以上
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¥274.00(税抜)
税込¥301.00
自社在庫数 :
個
商品説明
【仕様】・パッケージ:TO-220Full-Pak・構造:・VDSS:55V・ID:14A・Pc(Tc=25℃):29W・VGS(OFF):・Yfs(min):・RDS(max):70mΩ(Vgs=10V Id=7.8A)・Qg:20nC (最大)・Td(on):4.9ns (標準) (Vdd=28V Id=10A Rg=24Ω)・コンプリ:・用途:・入数:1個・備考
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- メーカー名:
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Microchip
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流30 mA最大ドレイン-ソース間電圧500 VパッケージタイプTO-92実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗1 kΩチャンネルモードデプレッション型最大ゲートしきい値電圧3V最大パワー消費740 mWトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 Vトランジスタ素材Si幅4.19mm
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- メーカー名:
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東芝
- 型番:
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- 箱番号:
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2552-08
- 納期:
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- 品質ランク:
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M1
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- メーカー名:
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インフィニオン
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
提携先在庫数:3個(2024/09/17 9:00 現在) ●仕様チャンネルタイプP最大連続ドレイン電流11 A最大ドレイン-ソース間電圧55 VパッケージタイプIPAK (TO-251)実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗175 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧4V最低ゲートしきい値電圧2V最大パワー消費38 Wトラン
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- メーカー名:
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SparkFun
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S1
商品説明
If you've ever wondered how to control the headlight of a car from a microcontroller, a MOSFET is what you need. The IRF5305 is a very common MOSFET with very low on-resistance and a co
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- メーカー名:
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ROHM
- 型番:
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- 納期:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
提携先在庫数:6852個(2023/11/22 9:00 現在)
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- メーカー名:
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ROHM
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
●仕様極性NチャネルVDS30Vオン抵抗(Typ.)70mΩID2.5APD1Wジャンクション温度+150℃保存温度-55℃~+150℃
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1個以上
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¥154.00(税抜)
税込¥169.00
自社在庫数 :
個
- メーカー名:
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ROHM
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
●仕様極性PチャネルVDS-45Vオン抵抗(Typ.)50mΩID-16.0APD20W保存温度-55℃~+150℃
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- メーカー名:
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ROHM
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
提携先在庫数:6405個(2023/11/22 9:00 現在) TRANSISTOR MOSFET N CHANNEL Transistor Polarity:N Channel Continuous Drain Current Id:100mA Drain Source Voltage Vds:30V On Resistance Rds(on):5ohm Rds(
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- メーカー名:
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インフィニオン
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
提携先在庫数:5652個(2023/11/22 9:00 現在) 【仕様】シリーズSIPMOSFETタイプNチャンネル技術MOSFET(金属酸化物)ドレイン〜ソース間電圧(Vdss)600V電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)21mA(Ta)駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)4.5V、10VId印加時のVgs(th)(最大)2.6V @ 8μAVgs印加
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- メーカー名:
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イサハヤ
- 型番:
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- 箱番号:
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2540-01
- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S1
商品説明
●|yfs|が大きい (|yfs|=4mS[標準]) ●RDS(ON)が小さい (RDS(ON)=220Ω[標準]) 2SJ498は、小形樹脂封止形のPチャネル接合形電界効果トランジスタで、低周波電圧増幅、アナログスイッチ用として設計製造されております。とくに| yfs| 特性、RDS(ON)特性が優れており、オーディオ、ビデオ機器をはじめとする電子機器に最適です
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1個以上
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¥160.00(税抜)
税込¥176.00
自社在庫数 :
個
- メーカー名:
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インフィニオン
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
●特長・平面セル構造による広いSOA・JEDEC規格に準拠・100kHz未満でスイッチングするアプリケーション向けに最適化●仕様ID(25℃)-13A(max)MSL1実装表面実装Ptot最大110WパッケージDPAK(TO-252)極性PチャネルQG(10V)44nC(typ)Qgd23.3nCRDS(on)(10V)580mΩ(max)RthJC1.4K/W(ma
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1個以上
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¥384.00(税抜)
税込¥422.00
自社在庫数 :
個
商品説明
【仕様】・パッケージ:DIP-8・機能:インバーター・電源電圧範囲VDD:4.5V~30V・ロジック入力レベルVIH:2.4V(min)・ロジック入力レベルVIL:0.8V(max)・出力抵抗(max):10Ω・出力抵抗条件:VDD=30V Iout=10mA・Rise Time(max):40nS・Fall Time(max):50nS・Tr:25ns(標準)・用途
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- メーカー名:
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富士電機
- 型番:
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- 納期:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
提携先在庫数:124個(2023/11/22 9:00 現在) Vdss[V]600VId[A]38.1ARon[Ohm]0.0990ΩQg[C]65nCパッケージTO-247-P、TO-247-P2用途スイッチング
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1個以上
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¥186.00(税抜)
税込¥204.00
自社在庫数 :
個
- メーカー名:
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インフィニオン
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
極めて低いオン抵抗を実現した55V/19AのPチャネルパワーMOSFETです。約50Wまでのアプリケーションに適した低熱抵抗でコストパフォーマンスのよいパッケージで提供されます。●特長・100kHz以下のスイッチングアプリケーションに最適化・大電流に対応したパッケージ・ウェーブはんだ付けが可能・業界標準の表面実装パワーパッケージを採用●仕様ID(ドレイン電流) @25
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流300 mA最大ドレイン-ソース間電圧600 VパッケージタイプTO-92実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗11.5 Ωチャンネルモードエンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧2V最大パワー消費1 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-30 V, +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs4
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- メーカー名:
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東芝
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
提携先在庫数:14個(2024/09/17 9:00 現在) 【仕様】チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールトランジスタ
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1個以上
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¥584.00(税抜)
税込¥642.00
自社在庫数 :
個
- メーカー名:
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インフィニオン
- 型番:
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- 箱番号:
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2552-11
- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S1
商品説明
【仕様】・パッケージ:TO-220AB・構造:・VDSS:200V・ID:38A・Pc(Tc=25℃):・VGS(OFF):・Yfs(min):・RDS(max):54mΩ・Ciss:2900pF(標準) (Vds=25V f=1MHz)・Ton:16ns(標準) (Vgs=10V Id=26A)・Gfs:17S(最小) (Vds=50V Id=26A)・コンプリ:・
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- メーカー名:
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ROHM
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
●仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 70 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 4最大ドレイン-ソース間抵抗 = 39 m Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5.6V最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V最大パワー消費 = 262 Wト
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1個以上
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¥388.00(税抜)
税込¥426.00
自社在庫数 :
個
商品説明
●特長・高速パワースイッチング用・低オン抵抗 RDS(on):0.12Ω(typ)・低電圧駆動 (4V駆動)●仕様ドレイン-ソース電圧60Vゲート-ソース電圧±20Vドレイン電流5Aせん頭ドレイン電流20A逆ドレイン電流5Aアバランシェ電流5Aアバランシェエネルギー2.14mJ許容チャンネル損失20Wチャンネル温度150℃保存温度-55℃~+150℃
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商品説明
●仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 230 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = E-Line実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大パワー消費 = 700 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲー
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1個以上
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¥304.00(税抜)
税込¥334.00
自社在庫数 :
個
商品説明
極性NchVDS900VVGS±30VID±3APD30WVTHMin.2VVTHMax.4VRDS(ON)Typ.(VGS=4.5V)RDS(ON)Typ.(VGS=10V)4ΩCiss600pFCossCrss40pFQg(VGS=4.5V)Qg(VGS=10V)trr
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商品説明
【仕様】・パッケージ:TO-220AB・構造:・VDSS:100V・ID:36A・Pc(Tc=25℃):・VGS(OFF):・Yfs(min):・RDS(max):26.5mΩ・Ciss:1770pF(標準) (Vds=25V f=1MHz)・Ton:15ns(標準) (Vgs=10V Id=22A)・コンプリ:・用途:・入数:1個・備考:●スイッチング時間が速いので
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- メーカー名:
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東芝
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
提携先在庫数:35個(2024/09/17 9:00 現在) ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流42 A最大ドレイン-ソース間電圧120 VパッケージタイプTO-220SIS実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗9.4 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧4V最大パワー消費35 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-
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商品説明
●仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 280 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大パワー消費 = 700 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-
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1個以上
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¥369.00(税抜)
税込¥405.00
自社在庫数 :
個
- メーカー名:
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インフィニオン
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S1
商品説明
・パッケージ :I-Pak・構造 :・VDSS :30V・ID :160A・Pc(Tc=25℃) :・VGS(OFF) :・RDS(max) :3.1ミリオーム @ 25A、10V・コンプリ :・用途 :・入数 :1・備考 :
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- メーカー名:
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VISHAY
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
提携先在庫数:47個(2024/09/17 9:00 現在) ●仕様チャンネルタイプP最大連続ドレイン電流4 A最大ドレイン-ソース間電圧100 VパッケージタイプTO-220AB実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗1.2 Ωチャンネルモードエンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧2V最大パワー消費43 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース
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- メーカー名:
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ROHM
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S2
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1個以上
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¥394.00(税抜)
税込¥433.00
自社在庫数 :
個
商品説明
【仕様】・パッケージ:TO-220AB・構造:・VDSS:100V・ID:80A・Pc(Tc=25℃):・VGS(OFF):・Yfs(min):・RDS(max):15mΩ・Ciss:3830pF(標準) (Vds=25V f=1MHz)・Ton:15ns(標準) (Vgs=10V Id=80A)・コンプリ:・用途:・入数:1個・備考:●スイッチング時間が速いので高速
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1個以上
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¥564.00(税抜)
税込¥620.00
自社在庫数 :
個
- メーカー名:
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サンケン電気
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S1
商品説明
VCEO・VDSS・VCES60VIC・ID7AIC・ID(pulse)hFE(min)RDS(ON)max0.1ΩVCE(sat)max
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- メーカー名:
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東芝
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
提携先在庫数:965個(2024/09/17 9:00 現在) 【仕様】チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 40 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.5 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成
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- メーカー名:
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東芝
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
-
- 品質ランク:
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S2
商品説明
【仕様】チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワ
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1個以上
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¥172.00(税抜)
税込¥189.00
自社在庫数 :
個
- メーカー名:
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インフィニオン
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
55V/17AのHEXFET NチャネルパワーMOSFETです。実証済みのシリコンプロセスを利用することで、安定してDCモーターやインバータ、照明、負荷スイッチ、バッテリ駆動アプリケーションなどに使用できます。●特長・100kHz以下のスイッチングアプリケーションに最適・広いSOAを実現するプレーナーセル構造を採用・業界標準の表面実装型パワーパッケージを採用●仕様ID
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- メーカー名:
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東芝
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
提携先在庫数:50個(2024/09/17 9:00 現在) ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流50 mA最大ドレイン-ソース間電圧20 VパッケージタイプUSM実装タイプ表面実装ピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗40 Ωチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧1.5V最大パワー消費100 mWトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧
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1個以上
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¥924.00(税抜)
税込¥1,016.00
自社在庫数 :
個
- メーカー名:
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サンケン電気
- 型番:
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- 納期:
-
- 環境区分:
-
- 品質ランク:
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S1
商品説明
VCEO・VDSS・VCES200VIC・ID10AIC・ID(pulse)hFE(min)RDS(ON)max0.175ΩVCE(sat)max
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- メーカー名:
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東芝
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
-
- 品質ランク:
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S2
商品説明
●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流31 A最大ドレイン-ソース間電圧600 VパッケージタイプTO-247実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗88 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧3.7V最大パワー消費230 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-30 V, +30 V1チップ当たりのエレメント数
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- メーカー名:
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フェアチャイルド
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
MOSFET FDC6312P フェアチャイルド製を販売します。【仕様】・極性:Pチャンネル・VDSS:-20V・VGSS:±8V・ID:-2.3A・PD:0.96W・動作温度:-55°C〜150°C(TJ)・パッケージ:TSOT-23-6
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商品説明
提携先在庫数:2387個(2023/11/22 9:00 現在)
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- メーカー名:
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オンセミコンダクター
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
-
S2
商品説明
提携先在庫数:140個(2024/09/17 9:00 現在) ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流200 mA最大ドレイン-ソース間電圧60 VパッケージタイプTO-92実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗5 Ωチャンネルモードエンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧0.8V最大パワー消費400 mWトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソ
検索結果:
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2
- メーカー名:
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東芝
- 型番:
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- 納期:
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3
- メーカー名:
-
東芝
- 型番:
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- 納期:
-
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5
- メーカー名:
-
東芝
- 型番:
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- 納期:
-
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6
- メーカー名:
-
東芝
- 型番:
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- 納期:
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8
- メーカー名:
-
インフィニオン
- 型番:
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- 納期:
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9
- メーカー名:
-
東芝
- 型番:
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- 箱番号:
-
2552-04
- 納期:
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10
- メーカー名:
-
VISHAY
- 型番:
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- 納期:
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11
- メーカー名:
-
インフィニオン
- 型番:
-
- 納期:
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14
- メーカー名:
-
東芝
- 型番:
-
- 箱番号:
-
2552-08
- 納期:
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15
- メーカー名:
-
インフィニオン
- 型番:
-
- 納期:
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17
- メーカー名:
-
ROHM
- 型番:
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- 納期:
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18
- メーカー名:
-
ROHM
- 型番:
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- 納期:
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19
- メーカー名:
-
ROHM
- 型番:
-
- 納期:
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20
- メーカー名:
-
ROHM
- 型番:
-
- 納期:
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21
- メーカー名:
-
インフィニオン
- 型番:
-
- 納期:
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23
- メーカー名:
-
インフィニオン
- 型番:
-
- 納期:
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25
- メーカー名:
-
富士電機
- 型番:
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- 納期:
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26
- メーカー名:
-
インフィニオン
- 型番:
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- 納期:
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28
- メーカー名:
-
東芝
- 型番:
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- 納期:
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30
- メーカー名:
-
ROHM
- 型番:
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- 納期:
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35
- メーカー名:
-
東芝
- 型番:
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- 納期:
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37
- メーカー名:
-
インフィニオン
- 型番:
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- 納期:
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38
- メーカー名:
-
VISHAY
- 型番:
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- 納期:
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39
- メーカー名:
-
ROHM
- 型番:
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- 納期:
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41
- メーカー名:
-
サンケン電気
- 型番:
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- 納期:
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42
- メーカー名:
-
東芝
- 型番:
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- 納期:
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43
- メーカー名:
-
東芝
- 型番:
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- 納期:
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44
- メーカー名:
-
インフィニオン
- 型番:
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- 納期:
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45
- メーカー名:
-
東芝
- 型番:
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- 納期:
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46
- メーカー名:
-
サンケン電気
- 型番:
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- 納期:
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47
- メーカー名:
-
東芝
- 型番:
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- 納期:
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48
- メーカー名:
-
フェアチャイルド
- 型番:
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- 納期:
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