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【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:2EG-B・技術:磁気性カップリング・チャンネル数:2・電圧 - 絶縁:-・コモンモード過渡耐性(最小):-・伝搬遅延tpLH/tpHL(最大):-・パルス幅歪み(最大):-・立ち上がり/立ち下がり時間(標準):-・電流 - 出力高、低:-・電流 - ピーク出力:-・電圧 - 順方向(Vf)(標準):-・電流 - DC順方向(I
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【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:2EG-B・技術:磁気性カップリング・チャンネル数:2・電圧 - 絶縁:-・コモンモード過渡耐性(最小):-・伝搬遅延tpLH/tpHL(最大):-・パルス幅歪み(最大):-・立ち上がり/立ち下がり時間(標準):-・電流 - 出力高、低:-・電流 - ピーク出力:-・電圧 - 順方向(Vf)(標準):-・電流 - DC順方向(I
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商品説明
【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:2EG-B・技術:磁気性カップリング・チャンネル数:2・電圧 - 絶縁:-・コモンモード過渡耐性(最小):-・伝搬遅延tpLH/tpHL(最大):-・パルス幅歪み(最大):-・立ち上がり/立ち下がり時間(標準):-・電流 - 出力高、低:-・電流 - ピーク出力:-・電圧 - 順方向(Vf)(標準):-・電流 - DC順方向(I
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【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:2EG-B・技術:磁気性カップリング・チャンネル数:2・電圧 - 絶縁:-・コモンモード過渡耐性(最小):-・伝搬遅延tpLH/tpHL(最大):-・パルス幅歪み(最大):-・立ち上がり/立ち下がり時間(標準):-・電流 - 出力高、低:-・電流 - ピーク出力:-・電圧 - 順方向(Vf)(標準):-・電流 - DC順方向(I
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商品説明
【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・タイプ:カバー付き・出力数:1・電圧 - 入力:100~240VAC・電圧 - 出力1:36V・電圧 - 出力2:-・電圧 - 出力3:-・電圧 - 出力4:-・電流 - 出力(最大):2.2A・電力(ワット):-・用途:ITE(商用)・特長:調節可能出力・動作温度:-20°C~80°C(ディレーティングあり)・効率:90%
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商品説明
【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・タイプ:カバー付き・出力数:1・電圧 - 入力:100~240VAC・電圧 - 出力1:48V・電圧 - 出力2:-・電圧 - 出力3:-・電圧 - 出力4:-・電流 - 出力(最大):1.65A・電力(ワット):-・用途:ITE(商用)・特長:調節可能出力・動作温度:-20°C~80°C(ディレーティングあり)・効率:91
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商品説明
【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・タイプ:カバー付き・出力数:1・電圧 - 入力(最小):100V・電圧 - 入力(最大):-・電圧 - 出力1:12V・電圧 - 出力2:-・電圧 - 出力3:-・電圧 - 出力4:-・電流 - 出力(最大):5.5A・電力(ワット):-・電圧 - 絶縁:3.6 kV・用途:ITE(商用)・特長:調節可能出力・動作温度:-2
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商品説明
【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・タイプ:カバー付き・出力数:1・電圧 - 入力:100~240VAC・電圧 - 出力1:24V・電圧 - 出力2:-・電圧 - 出力3:-・電圧 - 出力4:-・電流 - 出力(最大):3.3A・電力(ワット):-・用途:ITE(商用)・特長:調節可能出力・動作温度:-20°C~80°C(ディレーティングあり)・効率:0.8
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商品説明
【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT・電圧 - 供給:13.5V~26.4V・論理電圧 - VIL、VIH:0.5V、3.3V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ)
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商品説明
【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT・電圧 - 供給:13.5V~26.4V・論理電圧 - VIL、VIH:0.5V、3.3V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ)
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商品説明
【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT・電圧 - 供給:13V~28V・論理電圧 - VIL、VIH:1.65V、3.85V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):43A、43A・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートスト
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商品説明
【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、SiC MOSFET・電圧 - 供給:13V~28V・論理電圧 - VIL、VIH:1.65V、3.85V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):43A、43A・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧
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商品説明
【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT・電圧 - 供給:13V~28V・論理電圧 - VIL、VIH:0.5V、13V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):43A、43A・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ
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商品説明
【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT・電圧 - 供給:13V~28V・論理電圧 - VIL、VIH:0.5V、3.3V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):43A、43A・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラッ
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商品説明
【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT・電圧 - 供給:13V~28V・論理電圧 - VIL、VIH:0.5V、3.3V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):43A、43A・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラッ
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商品説明
【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT・電圧 - 供給:13V~28V・論理電圧 - VIL、VIH:0.5V、3.3V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):43A、43A・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラッ
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商品説明
【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、SiC MOSFET・電圧 - 供給:13V~28V・論理電圧 - VIL、VIH:1.65V、3.85V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):43A、43A・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧
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商品説明
【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、SiC MOSFET・電圧 - 供給:13V~28V・論理電圧 - VIL、VIH:1.65V、3.85V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):43A、43A・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧
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【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、SiC MOSFET・電圧 - 供給:13V~28V・論理電圧 - VIL、VIH:1.65V、3.85V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):43A、43A・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧
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【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、SiC MOSFET・電圧 - 供給:13V~28V・論理電圧 - VIL、VIH:1.65V、3.85V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):43A、43A・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧
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【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:EPM・タイプ:絶縁モジュール・出力数:1・電圧 - 入力(最小):110V・電圧 - 入力(最大):450V・電圧 - 出力1:5V・電圧 - 出力2:-・電圧 - 出力3:-・電圧 - 出力4:-・電流 - 出力(最大):1A・電力(ワット):5 W・電圧 - 絶縁:3 kV・用途:ITE(商用)・特長:OCP、OTP、OV
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商品説明
【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:EPM・タイプ:絶縁モジュール・出力数:1・電圧 - 入力(最小):110V・電圧 - 入力(最大):450V・電圧 - 出力1:15V・電圧 - 出力2:-・電圧 - 出力3:-・電圧 - 出力4:-・電流 - 出力(最大):1A・電力(ワット):15 W・電圧 - 絶縁:3 kV・用途:ITE(商用)・特長:OCP、OTP、
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【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、SiC MOSFET・電圧 - 供給:5V・論理電圧 - VIL、VIH:-・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:-・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):-・立ち上がり
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商品説明
【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、SiC MOSFET・電圧 - 供給:5V・論理電圧 - VIL、VIH:-・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:-・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):-・立ち上がり
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【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT・電圧 - 供給:13V~28V・論理電圧 - VIL、VIH:-・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):-・立ち上がり/立ち下
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商品説明
【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT・電圧 - 供給:13V~28V・論理電圧 - VIL、VIH:-・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):-・立ち上がり/立ち下
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【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:4・ゲートタイプ:IGBT・電圧 - 供給:13V~28V・論理電圧 - VIL、VIH:-・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):1200 V・立ち上が
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【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT・電圧 - 供給:13V~28V・論理電圧 - VIL、VIH:-・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):1200 V・立ち上が
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【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT・電圧 - 供給:13V~28V・論理電圧 - VIL、VIH:-・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):-・立ち上がり/立ち下
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【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:4・ゲートタイプ:IGBT・電圧 - 供給:13V~28V・論理電圧 - VIL、VIH:-・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):1200 V・立ち上が
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【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:4・ゲートタイプ:IGBT・電圧 - 供給:13V~28V・論理電圧 - VIL、VIH:-・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):1200 V・立ち上が
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【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT・電圧 - 供給:13V~28V・論理電圧 - VIL、VIH:-・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):1200 V・立ち上が
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【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、SiC MOSFET・電圧 - 供給:5V・論理電圧 - VIL、VIH:-・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:-・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):-・立ち上がり
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【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、SiC MOSFET・電圧 - 供給:3V~5.5V・論理電圧 - VIL、VIH:-・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):
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【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、SiC MOSFET・電圧 - 供給:3V~5.5V・論理電圧 - VIL、VIH:-・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):
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【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、SiC MOSFET・電圧 - 供給:3V~5.5V・論理電圧 - VIL、VIH:-・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):
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【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、SiC MOSFET・電圧 - 供給:3V~5.5V・論理電圧 - VIL、VIH:-・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):
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【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:SiC MOSFET・電圧 - 供給:5V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:-・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):-・立ち上が
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【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:SiC MOSFET・電圧 - 供給:5V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:-・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):-・立ち上が
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【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:SiC MOSFET・電圧 - 供給:5V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、8V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:-・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):-・立ち上が
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【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:SiC MOSFET・電圧 - 供給:5V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:-・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):-・立ち上が
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商品説明
【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・タイプ:絶縁モジュール・出力数:2・電圧 - 入力(最小):13.5V・電圧 - 入力(最大):26.4V・電圧 - 出力1:18V・電圧 - 出力2:-4V・電圧 - 出力3:-・電圧 - 出力4:-・電流 - 出力(最大):160mA、160mA・電力(ワット):3.5 W・電圧 - 絶縁:5 kV・用途:産業用・特長:
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商品説明
【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・タイプ:絶縁モジュール・出力数:2・電圧 - 入力(最小):13.5V・電圧 - 入力(最大):26.4V・電圧 - 出力1:18V・電圧 - 出力2:-2V・電圧 - 出力3:-・電圧 - 出力4:-・電流 - 出力(最大):160mA、160mA・電力(ワット):3.2 W・電圧 - 絶縁:5 kV・用途:産業用・特長:
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商品説明
【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・タイプ:絶縁モジュール・出力数:2・電圧 - 入力(最小):13.5V・電圧 - 入力(最大):26.4V・電圧 - 出力1:15V・電圧 - 出力2:-15V・電圧 - 出力3:-・電圧 - 出力4:-・電流 - 出力(最大):110mA、 110mA・電力(ワット):3.3 W・電圧 - 絶縁:5 kV・用途:産業用・特
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商品説明
【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・タイプ:絶縁モジュール・出力数:2・電圧 - 入力(最小):13.5V・電圧 - 入力(最大):26.4V・電圧 - 出力1:15V・電圧 - 出力2:-10V・電圧 - 出力3:-・電圧 - 出力4:-・電流 - 出力(最大):160mA、160mA・電力(ワット):4 W・電圧 - 絶縁:5 kV・用途:産業用・特長:-
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商品説明
【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:EPM・タイプ:絶縁モジュール・出力数:1・電圧 - 入力(最小):110V・電圧 - 入力(最大):450V・電圧 - 出力1:15V・電圧 - 出力2:-・電圧 - 出力3:-・電圧 - 出力4:-・電流 - 出力(最大):500mA・電力(ワット):8 W・電圧 - 絶縁:3 kV・用途:家電製品、ITE(商用)・特長:O
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商品説明
【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT・電圧 - 供給:15V~24V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:-・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):-・立ち上がり
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商品説明
【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT・電圧 - 供給:15V~24V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:-・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):-・立ち上がり
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商品説明
【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給:15V~24V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:-・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ)
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商品説明
【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給:15V~24V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):-・入力タイプ:-・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ)
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1
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
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タムラ製作所
- 型番:
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48
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タムラ製作所
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49
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タムラ製作所
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50
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タムラ製作所
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