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トランジスタ - FET、MOSFET - シングルの定格表 該当製品数: 2 件

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写真 型番 メーカー データシート BOMに追加 品質ランク 単価 (税抜) 単価 (税込) カートに追加 在庫数量 最少購入数 納期 パッケージ シリーズ FETタイプ 技術 ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） Id、Vgs印加時のRds On（最大） Id印加時のVgs（th）（最大） Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） Vgs（最大） Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） FET機能 電力散逸（最大） 動作温度 グレード 認定 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
2N7000BU_T 2N7000BU_T オンセミコンダクター BOMに追加 S1(DigiKey)
★ 確認する 1 個 売り切れ バルク - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 200mA（Tc） 4.5V、10V 5オーム @ 500mA、10V 3V @ 1mA - ±20V 50 pF @ 25 V - 400mW（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - スルーホール TO-92-3 TO-226-3、TO-92-3標準本体（TO-226AA）
2N7000BU 2N7000BU オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥81.43 /個
1個以上 ￥89.57 /個
 ★ 確認する 1 個 確認する バルク - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 200mA（Tc） 4.5V、10V 5オーム @ 500mA、10V 3V @ 1mA - ±20V 50 pF @ 25 V - 400mW（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - スルーホール TO-92-3 TO-226-3、TO-92-3標準本体（TO-226AA）
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