650Vおよび1,200Vの第3世代シリコンカーバイドMOSFET

　東芝の第3世代の650Vおよび1200V SiC(シリコンカーバイド)MOSFETは、400Vおよび800VAC入力AC/DC電源、太陽光発電(PV)インバータ、および無停電電源(UPS)用の双方向DC/DCコンバータなどの高出力産業用アプリケーション向けに設計されています。

　これらのMOSFETは、デバイスの高電圧抵抗、高速スイッチング、低オン抵抗を可能にするSiCテクノロジーにより、消費電力の削減と電力密度の向上に役立ちます。東芝の第3世代チップ設計により、信頼性が向上します。650V製品は、4,850pF(標準)の入力容量(CISS)、128nC(標準)の低いゲート入力電荷(Qg)で、ドレイン～ソース間のオン抵抗(RDS(ON))はわずか15mΩ(標準)です。

　さらに、1,200V製品は、同様に6000pF(標準)の低い入力容量(CISS)、158nC(標準)のゲート入力電荷(Qg)で、ドレイン～ソース間のオン抵抗(RDS(ON))は15mΩ(標準)です。

　650Vと1,200Vの両方のSiC MOSFETは、業界標準の3リードTO-247パッケージで提供されます。

特長

• • ●低RON、RONQgd
    　　・RON*Qgdは、東芝の第2世代から第3世代にかけて80%削減
    　　・競争力のあるRON*Qgdとスイッチング性能
    ●低VF
    　　・超低VFを実現する内蔵ショットキーバリアダイオード技術
    　　・最新のセル設計による高い信頼性
    ●広いVGSS定格による設計の信頼性の向上と容易さ
    ●VGSS：－10V～25V(推奨：18V)
    ●低抵抗と高いゲートしきい値電圧(Vth)が誤って電源が入るなどの誤動作を防止
  • 
    応用
    
    ●動作時の低I_Q：標準2.4mA
  • ●出力電流精度±3%
  • ●同期
  • ●専用端子によるイネーブル
  • ●調整可能なソフトスタート時間
  • ●調整可能な電流制限
  • ●低ドロップアウト動作（最大12μs）
  • ●V_BIASは軽負荷時の効率を改善
  • ●自動復帰型サーマルシャットダウン