LP81：300V系GaN HEMT電源回路【電源回路編】

お客様に必要な電源回路を最適な回路方式よりご提案致します。二次電池及び電気二重層キャパシタを活用したハイブリッド電源、ワイヤレス給電、環境発電を活用した電源、ノイズを低減した絶縁電源をご提供致します

300V系GaN HEMT電源回路

　GaN HEMTを採用した300V系電源回路です。回路構成は、MCU→アイソレーション回路→ゲートドライブ回路→スイッチングデバイス(GaN HEMT)→負荷です。回路動作は事前にSPICE検証しました。

回路図

　特徴　

・ゲートドライバの信号生成は、FPGA、MCUから出力されます。
・ゲート信号は、アイソレーションを行い、ゲートドライバに入力されます。
・GaN HEMTの採用でSiデバイスと比較して、熱的に優れ、高速化、小型化可能です。
・全体回路の機能検証は、キーデバイスについてデバイスモデリングを実施しています。
・スイッチング動作については、SPICEシミュレーションにて損失も含め検証済みです。

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