半導体

超高輝度の白色LEDです。指向性は20°と鋭く正面に強く光を届かせる表示用に向いています。VFは3V以上あります。●仕様パッケージLED1発光色白ボディー色クリア標準電圧(typ)3.2V輝度(typ)15000mcd指向性20°ピーク波長(typ)条件IF20mA動作温度－25℃～＋80℃保存温度－40℃～＋100℃備考LEDの使い方を基礎から解説。点灯回路の設計例

【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：OTB・センシング方法：-・センシング距離：-・電圧 - 供給：10V～30V・応答時間：100ms・出力構成：PNP-NC/NO・光源：赤外線LED・接続方法：ケーブル・防塵防水：NEMA 1、3、4、4X、12、13 IEC IP66・ケーブル長：-・調整タイプ：-・動作温度：-20°C～50°C

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：RN5VD・DigiKeyプログラマブル：未検証・タイプ：電圧検知・モニタ電圧数：1・電圧 - 閾値：0.9V・出力：オープンドレインまたはオープンコレクタ・リセット：-・タイムアウトリセット：-・動作温度：-40°C～85°C・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：SC-74A、S

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：-・タイプ：電圧検知・モニタ電圧数：1・電圧 - 閾値：1.25V・出力：オープンドレインまたはオープンコレクタ・リセット：アクティブLow・タイムアウトリセット：1.6ms最小・動作温度：-40°C～85°C・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：

【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：D6T・センサのタイプ：デジタル、ローカル・センシング温度 - ローカル：0°C～200°C・センシング温度 - リモート：-・出力タイプ：I2C・電圧 - 供給：4.5V～5.5V・分解能：-・特長：-・精度 - 最高（最低）：±3°C（±5°C）・テスト条件：25°C・動作温度：-10°C～70°C・取り付けタイプ：ユーザ定

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：74ALS・論理タイプ：トランシーバ、反転・素子数：1・素子あたりのビット数：8・入力タイプ：-・出力タイプ：オープンコレクタ、プッシュプル・電流 - 出力高、低：-、24mA; 15mA、24mA・電圧 - 供給：4.5V～5.5V・動作温度：0°C～70°C（TA）・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：スルーホール・パ

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・タイプ：クロック/カレンダ・特長：うるう年・メモリサイズ：-・時間形式：HH：MM：SS（12/24時間）・日付形式：YY-MM-DD-dd・インターフェース：パラレル・電圧 - 供給：4.5V～5.5V・電圧 - 供給、バッテリ：-・電流 - タイムキーピング（最大）：

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：LDMOS・構成：デュアル・周波数：700MHz～1.3GHz・ゲイン：20.6dB・電圧 - テスト：50 V・定格電流（A）：10µA・雑音指数：-・電流 - テスト：-・電源 - 出力：650W・電圧 - 定格：105 V・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：シャーシマウント・パッケージ/ケー

【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：LPC84x・DigiKeyプログラマブル：未検証・コアプロセッサ：ARM® Cortex®-M0+・コアサイズ：32ビットシングルコア・速度：30MHz・接続性：I2C、SPI、UART/USART・ペリフェラル：電圧低下検出/リセット、DMA、POR、PWM、WDT・I/O数：42・プログラムメモリサイズ：64KB（64K

【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：MGW (30W)・タイプ：絶縁モジュール・出力数：2・電圧 - 入力（最小）：18V・電圧 - 入力（最大）：36V・電圧 - 出力1：15Vまたは30V・電圧 - 出力2：-15V・電圧 - 出力3：-・電圧 - 出力4：-・電流 - 出力（最大）：1A、1A・電力（ワット）：-・電圧 - 絶縁：1.5 kV・用途：ITE（商用

※この商品はロチェスターエレクトロニクス社取扱いの製造中止品(EOL品)となります▼その他のロチェスターエレクトロニクス社取扱いの製造中止品(EOL品)はこちらからご覧下さい。

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・チャンネル数：1・電圧 - 絶縁：5000Vrms・電流伝達率（最小）：50% @ 5mA・電流伝達率（最大）：600% @ 5mA・ターンオン/ターンオフ時間（標準）：-・立ち上がり/立ち下がり時間（標準）：4µs、3µs・入力タイプ：DC・出力タイプ：トランジスタ・電圧 - 出力（最大）：70V・電流 - 出力/チャン

【仕様】・パッケージ：バッグ・シリーズ：SR1010・DigiKeyプログラマブル：未検証・RFファミリ/標準：-・プロトコル：超広帯域（UWB）インパルス無線・変調：OOK・周波数：3.1GHz～5.8GHz・データレート：20.48Mbps・電源 - 出力：10dBm・感度：-75dBm・シリアルインターフェース：SPI・アンテナタイプ：統合、トレース・使用IC/

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・出力構成：ポジティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：40V・電圧 - 出力（最小/固定）：3.3V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：1V @ 100mA・電流 - 出力：150mA・電流 - 静止（Iq）：2.5 µA・電流 - 供給（最大）：25 µA

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：ZNR®・最大AC電圧：275 V・最大DC電圧：350 V・バリスタ電圧（最小）：387 V・バリスタ電圧（標準）：430 V・バリスタ電圧（最大）：473 V・電流 - サージ：25 kA・エネルギー：400J・回路数：1・静電容量 @ 周波数：2500 pF @ 1 kHz・動作温度：-40°C～85°C（TA）・特長：-

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・センサのタイプ：加加速度計、ジャイロスコープ、温度、6軸・出力タイプ：SPI・動作温度：-40°C～110°C・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：32-BSSOP・サプライヤデバイスパッケージ：32-SOIC・取り付けタイプ：面実装

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：40 V・電流 - 平均整流（Io）：2A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：560 mV @ 2 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：80 µA @ 4

提携先在庫数：452個（2024/9/19 9:00 現在)　IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 8SOIC●仕様タイプシンプルリセット/パワーオンリセットモニタ電圧数1電圧 - 閾値4.55V出力コンプリメンタリリセットアクティブHigh/アクティブLowタイムアウトリセット1μs最大伝搬遅延動作温度-40℃～85℃(TA)取り付けタイプ面実装パッケージ

【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：CQB150W (150W)・タイプ：絶縁モジュール・出力数：1・電圧 - 入力（最小）：9V・電圧 - 入力（最大）：36V・電圧 - 出力1：24V・電圧 - 出力2：-・電圧 - 出力3：-・電圧 - 出力4：-・電流 - 出力（最大）：6.3A・電力（ワット）：151 W・電圧 - 絶縁：2.25 kV・用途：ITE（商

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・アンプタイプ：J-FET・回路数：1・出力タイプ：-・スルーレート：28V/µs・ゲイン帯域幅積：22 MHz・帯域幅-3db：-・電流 - 入力バイアス：15 pA・電圧 - 入力オフセット：75 µV・電流 - 供給：4.8mA・電流 - 出力/チャンネル：30 mA・電圧 - スパン（最小）：8 V・電圧 - スパン

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：EDZV・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：5.1 V・許容誤差：±2%・電力 - 最大：150 mW・インピーダンス（最大）（Zzt）：80 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：2 µA @ 1.5 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：-・動作温度：-55°C～150°C・グレード：-・

【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：D400・色：RGB・分解能：1280 x 800・フレーム数/秒：90.0・シャッター：グローバル・レンズマウント：-・センサ：-・タイプ：CMOS・インターフェース：USB・ピクセルサイズ：-・取り付けタイプ：シャーシマウント・パッケージ/ケース：モジュール・サプライヤデバイスパッケージ：モジュール・サイズ/寸法：長さ4.882

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：Excelon™-Auto, F-RAM™・DigiKeyプログラマブル：未検証・メモリタイプ：不揮発性・メモリフォーマット：FRAM・技術：FRAM（強誘電体RAM）・メモリサイズ：8Mビット・メモリ構成：1M x 8・メモリインターフェース：SPI・クロック周波数：40 MHz・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ：-

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・波長：908nm・電圧 - 入力：11V・定格電流（A）：40A・電力（ワット）：145W・パッケージ/ケース：5-SMD、リードなし

【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：STM32L4・DigiKeyプログラマブル：未検証・コアプロセッサ：ARM® Cortex®-M4・コアサイズ：32ビットシングルコア・速度：80MHz・接続性：CANbus、I2C、IrDA、LINbus、MMC/SD、QSPI、SAI、SPI、SWPMI、UART/USART、USB・ペリフェラル：電圧低下検出/リセット、

白色LEDです。指向性は15°と鋭く正面に強く光を届かせる表示用に向いています。VFは3V以上あります。パッケージLED1発光色白ボディー色クリア標準電圧(typ)3.2V輝度(typ)8000mcd指向性15°ピーク波長(typ)測定条件(IF)20mA動作温度範囲保存温度備考LEDの使い方を基礎から解説。点灯回路の設計例や、接続時の注意点など、ご案内いたします。

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・出力構成：ハーフブリッジ（8）・用途：DCモータ、汎用・インターフェース：論理、 PWM、 SPI・負荷タイプ：誘導性、容量性、抵抗性・技術：MOSFET（金属酸化物）・Rds On（標準）：750ミリオーム LS、750ミリオーム HS・電流 - 出力/チャンネル：6A・電流 - ピーク出力：-・電圧 -

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：MP・機能：ステップダウン・出力構成：ポジティブ・トポロジ：バック・出力タイプ：可変・出力数：1・電圧 - 入力（最小）：4.5V・電圧 - 入力（最大）：60V・電圧 - 出力（最小/固定）：1V・電圧 - 出力（最大）：54V・電流 - 出力：1A・周波数 - スイッチング：400kHz～2.2MHz・同期整流

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：D400・色：RGB・分解能：1280 x 800・フレーム数/秒：90.0・シャッター：グローバル・レンズマウント：-・センサ：-・タイプ：CMOS・インターフェース：USB・ピクセルサイズ：-・取り付けタイプ：シャーシマウント・パッケージ/ケース：モジュール・サプライヤデバイスパッケージ：モジュール・サイズ/寸法：長さ4.8

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：70A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.7ミリオーム @ 70A、10V・I

・パッケージ　：・機能　：インバータ・動作電圧　：2V～6V

【仕様】・パッケージ：Axial・最大定格/VRRM：400V・最大定格/IFSM(50Hz)：1.0A・最大定格/IO：・VFM(max)：0.98V・VFM条件IFM：・熱抵抗Rth(j-a)(max)：・熱抵抗Rth(j-l)(max)：・端子間容量C(max)：・逆回復時間(MAX)：・Trr条件IFM：【お勧めポイント】・姉妹品：AM-01Z AM-01A

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：PIC® 18F・DigiKeyプログラマブル：検証済み・コアプロセッサ：PIC・コアサイズ：8ビット・速度：48MHz・接続性：I2C、SPI、UART/USART、USB・ペリフェラル：電圧低下検出/リセット、HLVD、POR、PWM、WDT・I/O数：24・プログラムメモリサイズ：32KB（16K x 16）・プログラム

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：ECONOLINE RH (1W)・タイプ：絶縁モジュール・出力数：2・電圧 - 入力（最小）：21.6V・電圧 - 入力（最大）：26.4V・電圧 - 出力1：9V・電圧 - 出力2：-9V・電圧 - 出力3：-・電圧 - 出力4：-・電流 - 出力（最大）：56mA、56mA・電力（ワット）：1 W・電圧 - 絶縁：3 k

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・タイプ：クラスD・出力タイプ：1チャネル（モノ）または2チャネル（ステレオ）・負荷時の最大出力 x チャンネル数：45W x 1 @ 4オーム、23W x 2 @ 8オーム・電圧 - 供給：1.62V～3.63V、4.5V～26.4V・特長：-・取り付けタイプ：面実装・動作温度：-25°C～85°C・グレード

提携先在庫数：20個（2024/09/17 9:00 現在）　●仕様実装タイプスルーホール実装出力デバイスNPNフォトトランジスタ最大順方向電圧1.3Vチャンネル数1ピン数4パッケージタイプDIP入力電流タイプAC標準上昇時間4μs最大入力電流±50 mA絶縁電圧5300 Vrms (最小)最大電流変換率600%標準降下時間3μs最小電流伝送率50%シリーズTLP62

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：59135・タイプ：リードスイッチ・出力タイプ：SPST-NO・アクチュエータ材料：磁石・終端スタイル：リード線・周波数：-・電圧 - 供給：-・感動値：8.89mm・開放値：29.21mm・動作温度：-40°C～105°C・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：フランジマウント

・パッケージ　：LM・内容　：LED用スペーサー・適合LED径　：頭径：Φ3、Φ5・色　：黒・タイプ　：3本足タイプ使用可能・ホルダーサイズ　：4mm・入数　：100・材質　：熱可塑性エラストマー（UL94V-0）・使用温度範囲　：-40〜+125℃・LEDの足は、両サイド・真ん中の穴、どちらに入れてもらっても使用できます。LEDの使い方を基礎から解説。点灯回路の設計

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVIII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：90A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.3ミリオーム

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・アクセサリタイプ：レーザー - ソケット・同時使用/関連製品：レーザダイオードモジュール

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：同期・ドライバ数：2・ゲートタイプ：NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給：10V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：290mA、600mA・入力タイプ：非反転・

【仕様】・パッケージ：バッグ・シリーズ：ZNR®・最大AC電圧：320 V・最大DC電圧：410 V・バリスタ電圧（最小）：459 V・バリスタ電圧（標準）：510 V・バリスタ電圧（最大）：561 V・電流 - サージ：6 kA・エネルギー：190J・回路数：1・静電容量 @ 周波数：350 pF @ 1 kHz・動作温度：-40°C～85°C（TA）・特長：-・グ

【仕様】取付ピッチ7.5mm±1.0mm最大定格/最大許容回路電圧AC300Vrms最大定格/DC385V最大定格/サージ電流耐量6000最大定格/エネルギー耐量125J最大定格/定格パルス電力0.6W最大制限電圧775V静電容量［参考値］400pFバリスタ電圧定格470V入数1個

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SmartBond™・DigiKeyプログラマブル：検証済み・RFファミリ/標準：Bluetooth・プロトコル：Bluetooth v5.1・変調：-・周波数：2.4GHz～2.4835GHz・データレート：-・電源 - 出力：2.2dBm・感度：-93dBm・シリアルインターフェース：ADC、GPIO、I2C

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・周波数：0Hz～1GHz・P1dB：19.2dBm・ゲイン：13.4dB・雑音指数：2.7dB・RFタイプ：セルラー・電圧 - 供給：4.3V～5.3V・電流 - 供給：80mA・テスト周波数：100MHz・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：TO-243AA・サプライヤデバイ

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・スイッチ回路：SP8T・マルチプレクサ/デマルチプレクサ回路：8：1・回路数：1・オン状態抵抗値（最大）：50オーム・チャンネル～チャンネル適合（ΔRon）：500ミリオーム・電圧 - 供給、シングル（V+）：10V～100V・電圧 - 供給、デュアル（V±）：±10V～50V・スイッチ時間（Ton、Toff

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：12000 V・電流 - 平均整流（Io）：20mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：40 V @ 10 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：150 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：130A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.7ミリオーム @ 81A、10V・Id印加

【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：STM32G4・DigiKeyプログラマブル：未検証・コアプロセッサ：ARM® Cortex®-M4F・コアサイズ：32ビットシングルコア・速度：170MHz・接続性：CANbus、I2C、IrDA、LINbus、QSPI、SPI、UART/USART・ペリフェラル：ブラウンアウト検出/リセット、DMA、I2S、POR、PWM、

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・ダイオード構成：1組直列接続・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：80 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：80mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.2 V @ 100 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：4 ns