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商品説明
単体のフォトトランジスターです。アンプやコンパレータ回路は集積されていません。回路次第でアナログ・デジタル両方に応用可能です。・パッケージ :・最大定格/逆電圧VR :・最大定格/光電流IL :10mA・最大定格/許容損失P :150mW・最大定格/動作温度 :-40〜+85℃・電気光学的特性/動作電圧 :・電気光学的特性/ピーク感度波長 :560nm(typ)・電気
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- メーカー名:
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東芝
- 型番:
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- 箱番号:
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2441-00
- 納期:
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- 環境区分:
-
- 品質ランク:
-
S1
商品説明
赤外発光ダイオード(LED)とシリコンフォトトランジスタを組み合わせた4pinDIPのフォトカプラ高絶縁耐圧 (交流5000 Vrm s (min)) ULダブルプロテクション認定品●仕様パッケージDIP4機能汎用回路数1回路出力トランジスタ絶縁耐圧Viso5000Vrms入力タイプDC変換効率(IC/IF)GBランク品:最小100%、最大300%(IF=5mA,VC
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1個以上
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¥180.00(税抜)
税込¥198.00
自社在庫数 :
個
- メーカー名:
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ROHM
- 型番:
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- 箱番号:
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2430-00
- 納期:
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- 環境区分:
-
- 品質ランク:
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S1
商品説明
【仕様】・パッケージ:リード・最大定格/入力/順電流IF:50mA・最大定格/入力/逆電圧VR:5V・最大定格/入力/許容損失Pd:80mW・最大定格/出力/コレクタエミッタ間電圧VCEO:30V・最大定格/出力/コレクタ電流Ic:30mA・最大定格/出力/コレクタ損失Pd:80mW・電気的光学的特性/入力順電圧VF(max):1.6V(IF=50mA)・電気的光学的
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商品説明
【仕様】分光感度波長940nm(750-1100)コレクタ・エミッタ間電圧30Vエミッタ・コレクタ間電圧5V
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商品説明
●仕様出力タイプNPNフォトトランジスタチャンネル数1チャンネル順電流(If)50mAコレクタ-エミッタ電圧35V(max)コレクタ電流50mA(max)絶縁電圧5000Vrmsコレクタ-エミッタ飽和電圧0.2V(max)順方向電圧(Vf)1.4V逆方向電圧(Vr)6V電力損失(Pd)200mW動作温度範囲-55℃~+110℃電流伝達率50%上昇/下降時間18μsサイ
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商品説明
【仕様】分光感度波長940nm(750-1100)コレクタ・エミッタ間電圧30Vエミッタ・コレクタ間電圧5V
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1個以上
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¥679.00(税抜)
税込¥746.00
自社在庫数 :
個
商品説明
赤色LED、近赤外線LEDと高感度フォトトランジスタを搭載した表面実装タイプのフォトリフレクタです。生体モニタのアプリケーションに適しています。 発光波長 λp 660±3nm(赤LED)、940±10nm(近赤外LED) 高出力 1000〜4300μA (赤LED)、145〜580μA (近赤外LED) リードレス小型・薄型COBP (1.9mm×2.6mm×0.8
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1個以上
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¥160.00(税抜)
税込¥176.00
自社在庫数 :
個
商品説明
電源電圧12Vのフォトインタラプタです。ロック付きコネクタを採用し、2点でねじ止め固定します。発光部と受光部のギャップは5mmで, スリットは0.5mmです。用途はアミューズメント機器や位置検出に適します。【仕様】・電源電圧:13V(max)・発光側直流順電流:50mA(max)・発光側直流逆電圧:5V(max)・受光側コレクタ-エミッタ間電圧:30V(max)・受光
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1個以上
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¥344.00(税抜)
税込¥378.00
自社在庫数 :
個
商品説明
【仕様】・パッケージ:DIP-4・動作電圧:+16V(max)・内容:フォトIC・機能1:フォトダイオード・プリアンプ内蔵・機能2:デジタル出力・機能3:LED駆動回路内蔵・動作温度:-25℃~+60℃
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商品説明
●仕様出力タイプNPNフォトトランジスタチャンネル数2チャンネル順電流(If)50mAコレクタ-エミッタ電圧35V(max)コレクタ電流50mA(max)絶縁電圧5000Vrmsコレクタ-エミッタ飽和電圧0.2V(max)順方向電圧(Vf)1.4V逆方向電圧(Vr)6V電力損失(Pd)200mW動作温度範囲-30℃~+100℃電流伝達率50%上昇/下降時間18μsサイ
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1個以上
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¥140.00(税抜)
税込¥154.00
自社在庫数 :
個
商品説明
●仕様出力タイプNPNフォトトランジスタチャンネル数4チャンネル順電流(If)50mAコレクタ-エミッタ電圧35V(max)コレクタ電流50mA(max)絶縁電圧5000Vrmsコレクタ-エミッタ飽和電圧0.2V(max)順方向電圧(Vf)1.4V逆方向電圧(Vr)6V電力損失(Pd)200mW動作温度範囲-30℃~+100℃電流伝達率50%上昇/下降時間18μsサイ
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1個以上
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¥694.00(税抜)
税込¥763.00
自社在庫数 :
個
- メーカー名:
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東芝
- 型番:
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- 箱番号:
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2438-00
- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
【仕様】・パッケージ:DIP8(W)・機能:・回路数:2回路・出力:フォトIC・最大直流順電流If:25mA・最大出力電圧Vo:-0.5V〜15V・出力許容損失Po:35mW・絶縁耐圧Viso:2500Vrms・動作温度Topr:-55℃〜100℃・If:25mA
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商品説明
受光素子●特長パラジウムめっきフレームを使用し、高い耐久性を実現したフォトトランジスタです。低温速硬化ダイボンドにより、チップ/フレーム/樹脂の高密着性を実現しています。また、フレームの酸化防止、不純物の析出低減による高いボンディング品質により、部材酸化による品質劣化がありません。高信頼性モールド樹脂、低圧でボイドレスのモールド、2重構造による劣化防止パッケージで、品
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商品説明
感度波長範囲700~1100nm最大感度波長850nm短絡電流35μA暗電流5nAレンズ色黒Luckylightの詳細や、新製品などについてはこちらへ
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商品説明
単体のフォトトランジスターです。アンプやコンパレータ回路は集積されていません。回路次第でアナログ・デジタル両方に応用可能です。【仕様】・パッケージ:面実装1.6mm×1.3mm×0.65mm・最大定格/逆電圧VR:20V(VCEO)・最大定格/光電流IL:10mA・最大定格/許容損失P:100mW・最大定格/動作温度:-40℃〜85℃・電気光学的特性/動作電圧:・電気
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1個以上
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¥264.00(税抜)
税込¥290.00
自社在庫数 :
個
商品説明
・パッケージ:表面実装用リードフォーミングタイプ ・VR:6V・IF:80mA・PD:120mW・IFP:1A・Vceo:40V・Veco:6V・Ic:160mA・Pc:160mW・絶縁耐圧:5000Vr.m.s・動作温度:-55~+100℃■ダウンロードDatasheet - Device
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商品説明
GaAs赤外LEDとシリコン・フォトトランジスタを組み合わせた光結合素子で、各種インタフェース回路、信号伝達回路に最適です ●操作周囲温度100℃対応 ●入出力間絶縁耐圧が高い ●コレクタ・エミッタ間電圧が高い ●電流伝達率が高い ●応答速度が速い ●鉛フリー対応品 ・パッケージ:表面実装・VR:6V・IF:40mA・PD:150mW・IFP:1A・Vceo:80V・
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1個以上
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¥724.00(税抜)
税込¥796.00
自社在庫数 :
個
商品説明
モーター制御用に適した光結合型デルタ-シグマ変調器光学的に絶縁されたデルタ-シグマ型変調器(モジュレータ)です。入力側には高精度なデルタ-シグマ型A/D変換回路を備えたICと高速応答で発光効率の高いGaAlAs発光ダイオードを使用し、出力側にはディジタル信号(MDAT、MCLK)を出力するICを使用しています。高いコモンモード過渡耐性と高い直線性を持ち、モータードライ
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1個以上
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¥269.00(税抜)
税込¥295.00
自社在庫数 :
個
商品説明
IPM駆動用高速フォトカプラRV1S9209Aは、入力側にはAlGaAs発光ダイオードを使用し、出力側にはフォトダイオードと信号処理回路、高速大電流回路をチップ上に構成した高速フォトカプラです。高耐ノイズ(高CMR)、高速スイッチングを実現し、インテリジェントパワーモジュール(IPM)の駆動用に最適です。●特長・沿面距離が長い:8.2mm(min)、LSSO5・トーテ
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1個以上
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¥264.00(税抜)
税込¥290.00
自社在庫数 :
個
商品説明
PS8502は、入力側の発光素子にGaAlAs発光ダイオードを使用し、出力側は、PNフォトダイオードと増幅用高速トランジスタを同一チップ上に構成した受光素子を用いた8ピンDIP高速フォトカプラです。高速アナログ出力タイプですので、高速インタフェース回路に最適です。【特長】沿面距離が長い 瞬時同相(高耐ノイズ)除去電圧が高い(CMH, CML = ±15 kV/μs
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1個以上
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¥209.00(税抜)
税込¥229.00
自社在庫数 :
個
商品説明
PS9009は、入力側にGaAlAs発光ダイオードを使用し、出力側にフォトダイオードと信号処理回路を同一チップ上に構成した受光ICを用いたトーテム・ポール出力(アクティブ・ハイ出力)の高速フォトカプラです。高耐ノイズ(高CMR)に加え、温度変化を考慮した伝達遅延時間のばらつきを規定しており、IPM (Intelligent Power Module) 駆動用に最適です
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1個以上
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¥804.00(税抜)
税込¥884.00
自社在庫数 :
個
商品説明
PS9905 は、入力側にGaAlAs 発光ダイオードを使用し、出力側にフォトダイオード、信号処理回路、高速大電流回路を同一チップ上に構成した受光IC を用いた高速フォトカプラです。高耐ノイズ (高CMR)、大電流、高速スイッチングを実現し、IGBT およびパワーMOS FET のゲート駆動用に最適です。【特長】沿面距離が長い (14.5 mm MIN.)出力ピーク電
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1個以上
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¥204.00(税抜)
税込¥224.00
自社在庫数 :
個
商品説明
PS9031は、入力側にGaAlAs 発光ダイオードを使用し、出力側にフォトダイオード、信号処理回路、高速大電流回路を同一チップ上に構成した受光ICを用いた高速フォトカプラです。高耐ノイズ(高CMR)、大電流、高速スイッチングを実現し、IGBT およびパワーMOSFET のゲート駆動用に最適です。【特長】沿面距離が長い (8 mm MIN.)出力ピーク電流 (2.5
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商品説明
薄型受光素子(厚さ2.0mm)●特長パラジウムめっきフレームを使用し、高い耐久性を実現したフォトトランジスタです。低温速硬化ダイボンドにより、チップ/フレーム/樹脂の高密着性を実現しています。また、フレームの酸化防止、不純物の析出低減による高いボンディング品質により、部材酸化による品質劣化がありません。高信頼性モールド樹脂、低圧でボイドレスのモールド、2重構造による劣
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1個以上
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¥324.00(税抜)
税込¥356.00
自社在庫数 :
個
商品説明
【仕様】・パッケージ:DIP-8・機能:超高速CMR・回路数:・出力:・最大直流順電流If:・最大出力電圧Vo:・出力許容損失Po:・絶縁耐圧Viso:・動作温度Topr:
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商品説明
RV1S2211Aは、GaAs発光ダイオードとNPNシリコンフォトトランジスタにより光学的に結合されたアイソレータです。DC入力/シングルトランジスタ出力タイプで、各種インターフェース回路、信号伝達回路などに適しています。沿面距離が長く、非常に小さなパッケージで、表面実装と高密度実装が必要な回路に適しています。●仕様・沿面距離が長い:8.2mm、LSSOP・高電流伝達
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- メーカー名:
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OSRAM
- 型番:
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- 箱番号:
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2430-00
- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S1
商品説明
CHIPLED シリコンNPNフォトトランジスタ●特長・パッケージ:黒色エポキシ・ESD:2kV acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(HBM、クラス2)・感度スペクトル範囲:770~1090nm・狭半角:±13°・超薄型側視型:1.6mm・同じパッケージのエミッタ:SFH 4045N●仕様・光電流VCE=5V;λ=950nm;Ee=0.1mW
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1個以上
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¥118.00(税抜)
税込¥129.00
自社在庫数 :
個
- メーカー名:
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東芝
- 型番:
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- 納期:
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- 環境区分:
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- 品質ランク:
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S2
商品説明
●特長・SO6パッケージの高耐ノイズ、高絶縁型フォトカプラ・標準DIPパッケージのフォトカプラに比べ小型、薄型・高密度な基板実装に最適・用途は、通信インターフェース、PLC、汎用電源など●仕様コレクタ-エミッタ間電圧80Vコレクタ電流0.05A順電流0.05A動作温度範囲-55℃~+110℃コレクタ-エミッタ間飽和電圧0.3V(max)絶縁耐圧3750Vrms (条件
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1個以上
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¥274.00(税抜)
税込¥301.00
自社在庫数 :
個
商品説明
【仕様】・パッケージ:SO5・機能:HCPL-4506/ミニフラット5ピン・回路数:・出力:・最大直流順電流If:・最大出力電圧Vo:・出力許容損失Po:・絶縁耐圧Viso:・動作温度Topr:
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1個以上
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¥188.00(税抜)
税込¥206.00
自社在庫数 :
個
商品説明
RV1S9213Aは、入力側にAlGaAs発光ダイオードを、出力側にフォトダイオードと信号処理回路を1つのチップに搭載した光学結合アイソレータです。RV1S9213Aは、動作温度範囲で高いコモンモード過渡耐性と低パルス幅歪みを実現しています。IPMドライブに適しています。沿面距離が長く、非常に小さなパッケージで、表面実装と高密度実装が必要なインターフェース回路に適して
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1個以上
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¥254.00(税抜)
税込¥279.00
自社在庫数 :
個
商品説明
PS8101は,入力側にAlGaAs発光ダイオードを使用し,出力側にPINフォトダイオードと増幅用高速トランジスタを同一チップ上に構成した受光素子を用いた高速フォトカプラです。高耐ノイズ(高CMR)に加え,小型・薄型タイプですので高密度実装を必要とされる高速インタフェース回路に最適です。【特長】瞬時同相除去電圧が高い(CMH, CML = 15 kV/μsMIN.)
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1個以上
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¥334.00(税抜)
税込¥367.00
自社在庫数 :
個
商品説明
PS9123は、入力側にGaAlAs発光ダイオードを使用し、出力側にフォトダイオードと信号処理回路を同一チップ上に構成した受光ICを用いたトーテム・ポール出力の高速フォトカプラです。高耐ノイズ (高CMR)に加え、小型・薄型タイプなので、高密度実装を必要とされる高速ロジック・インタフェース回路に最適です。【特長】瞬時同相除去電圧が高い(CMH, CML = ±20 k
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1個以上
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¥209.00(税抜)
税込¥229.00
自社在庫数 :
個
商品説明
PS9031は、入力側にGaAlAs 発光ダイオードを使用し、出力側にフォトダイオード、信号処理回路、高速大電流回路を同一チップ上に構成した受光ICを用いた高速フォトカプラです。高耐ノイズ(高CMR)、大電流、高速スイッチングを実現し、IGBT およびパワーMOSFET のゲート駆動用に最適です。【特長】沿面距離が長い (8 mm MIN.)出力ピーク電流 (2.5
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1個以上
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¥195.00(税抜)
税込¥214.00
自社在庫数 :
個
商品説明
PS9013は、入力側にGaAlAs発光ダイオードを使用し、出力側にフォトダイオードと信号処理回路を同一チップ上に構成した受光ICを用いた、オープン・コレクタ出力の高速フォトカプラです。高耐ノイズ(高CMR)に加え、温度変化を考慮した伝達遅延時間のばらつきを規定しており、IPM(Intelligent Power Module) 駆動用に最適です。【特長】沿面距離が長
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1個以上
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¥214.00(税抜)
税込¥235.00
自社在庫数 :
個
商品説明
PS9009は、入力側にGaAlAs発光ダイオードを使用し、出力側にフォトダイオードと信号処理回路を同一チップ上に構成した受光ICを用いたトーテム・ポール出力(アクティブ・ハイ出力)の高速フォトカプラです。高耐ノイズ(高CMR)に加え、温度変化を考慮した伝達遅延時間のばらつきを規定しており、IPM (Intelligent Power Module) 駆動用に最適です
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1個以上
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¥294.00(税抜)
税込¥323.00
自社在庫数 :
個
商品説明
入力側にGaAlAs発光ダイオードを使用し,出力側はPNフォトダイオードと増幅用高速トランジスタを同一チップ上に構成した受光素子を用いた8ピンDIP高速フォトカプラです。高速アナログ出力タイプですので,高速インターフェース回路に最適です。●主な特長○瞬時同相(高耐ノイズ)除去電圧が高い(CMH, CML = ±15 kV/μs min)○電源電圧が高い(VCC = 3
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1個以上
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¥192.00(税抜)
税込¥211.00
自社在庫数 :
個
商品説明
RV1S9213Aは、入力側にAlGaAs発光ダイオードを、出力側にフォトダイオードと信号処理回路を1つのチップに搭載した光学結合アイソレータです。RV1S9213Aは、動作温度範囲で高いコモンモード過渡耐性と低パルス幅歪みを実現しています。IPMドライブに適しています。沿面距離が長く、非常に小さなパッケージで、表面実装と高密度実装が必要なインターフェース回路に適して
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1個以上
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¥254.00(税抜)
税込¥279.00
自社在庫数 :
個
商品説明
IGBTやMOS FETのゲート駆動用高速フォトカプラRV1S9207Aは、入力側にはAlGaAs発光ダイオードを使用し、出力側にはフォトダイオードと信号処理回路、高速大電流回路をチップ上に構成した高速フォトカプラです。高耐ノイズ(高CMR)、高速スイッチングを実現し、IGBT やパワーMOS FET のゲート駆動用に最適です。●特長・沿面距離が長い:8.2mm(mi
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商品説明
RV1S2211Aは、GaAs発光ダイオードとNPNシリコンフォトトランジスタにより光学的に結合されたアイソレータです。DC入力/シングルトランジスタ出力タイプで、各種インターフェース回路、信号伝達回路などに適しています。沿面距離が長く、非常に小さなパッケージで、表面実装と高密度実装が必要な回路に適しています。●仕様・沿面距離が長い:8.2mm、LSSOP・高電流伝達
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1個以上
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¥1,799.00(税抜)
税込¥1,978.00
自社在庫数 :
個
商品説明
【仕様】・パッケージ:DIP8(B)・機能:HCPL-2400/2チャンネル・回路数:・出力:・最大直流順電流If:・最大出力電圧Vo:・出力許容損失Po:・絶縁耐圧Viso:・動作温度Topr:
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1個以上
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¥374.00(税抜)
税込¥411.00
自社在庫数 :
個
商品説明
【仕様】・パッケージ:SOP8・機能:HCPL-260L/ミニフラット8ピン・回路数:・出力:・最大直流順電流If:・最大出力電圧Vo:・出力許容損失Po:・絶縁耐圧Viso:・動作温度Topr:
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商品説明
・パッケージ:表面実装・VR:6V・IF:80mA・PD:150mW・IFP:1A・Vceo:40V・Veco:0.6V・Ic:30mA・Pc:150mW・絶縁耐圧:5000Vr.m.s・動作温度:-55~+100℃■ダウンロードDatasheet - Device
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1個以上
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¥554.00(税抜)
税込¥609.00
自社在庫数 :
個
商品説明
【仕様】・パッケージ:SO16・機能:2チャンネル・回路数:・出力:・最大直流順電流If:・最大出力電圧Vo:・出力許容損失Po:・絶縁耐圧Viso:・動作温度Topr:
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1個以上
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¥304.00(税抜)
税込¥334.00
自社在庫数 :
個
商品説明
PS9121は、入力側にGaAlAs発光ダイオードを使用し、出力側にフォトダイオードと信号処理回路を同一チップ上に構成した受光ICを用いたアクティブ・ロウ・タイプ高速フォトカプラです。高耐ノイズ(高CMR)に加え、小型・薄型タイプなので、高密度実装を必要とされる高速ロジック・インタフェース回路に最適です。【特長】低消費電力(VCC = 3.3 V)パルス幅ひずみが小さ
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1個以上
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¥289.00(税抜)
税込¥317.00
自社在庫数 :
個
商品説明
PS9324L2は、入力側にGaAlAs発光ダイオードを使用し、出力側にフォトダイオードと信号処理回路を同一チップ上に構成した受光ICを用いたアクティブ・ロウ・タイプの高速フォトカプラです。高耐ノイズ (高CMR)に加え、パルス幅ひずみが小さいので高速ロジック・インタフェース回路に最適です。PS9324L2は、長沿面表面実装用リード・フォーミング品です。【特長】瞬時同
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1個以上
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¥249.00(税抜)
税込¥273.00
自社在庫数 :
個
商品説明
PS9117Aは、入力側にAlGaAs発光ダイオードを使用し、出力側にフォトダイオードと信号処理回路を同一チップ上に構成した受光ICを用いたアクティブ・ロウ・タイプの高速フォトカプラです。高耐ノイズ(高CMR)に加え、小型・薄型タイプなので、高密度実装を必要とされる高速ロジック・インタフェース回路に最適です。【特長】パルス幅ひずみが小さい(|tPHL-tPLH| =
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1個以上
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¥144.00(税抜)
税込¥158.00
自社在庫数 :
個
商品説明
5ピンSO-5パッケージCMOS出力フォトカプラ RV1S9160Aは、入力側にAlGaAs LED、出力側にフォトダイオードで構成された、アクティブロー出力のフォトカプラです。最大15Mbpsの高速スイッチングが可能です。このデバイスは、高ノイズ耐性(CMR:50kV/μs)のロジックインターフェース回路で使用できます。Ta=125℃までの高温で動作し、3.3V
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1個以上
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¥156.00(税抜)
税込¥171.00
自社在庫数 :
個
商品説明
・パッケージ:SO-8・VR:5V・IF:20mA・Io:2mA・絶縁耐圧:3750Vr.m.s・動作温度:-40~+100℃■ダウンロードDatasheet - Device
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1個以上
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¥324.00(税抜)
税込¥356.00
自社在庫数 :
個
商品説明
【仕様】・パッケージ:DIP8(B)・機能:IPMドライブ用・回路数:・出力:・最大直流順電流If:・最大出力電圧Vo:・出力許容損失Po:・絶縁耐圧Viso:・動作温度Topr:
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1個以上
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¥142.00(税抜)
税込¥156.00
自社在庫数 :
個
商品説明
沿面距離8mmの5ピンLSO-5パッケージCMOS出力フォトカプラ RV1S9060Aは、入力側にAlGaAs LED、出力側にフォトダイオードで構成された、アクティブロー出力のフォトカプラです。最大15Mbpsの高速スイッチングが可能です。このデバイスは、高ノイズ耐性(CMR:50kV/μs)のロジックインターフェース回路で使用できます。Ta=125℃までの高温
検索結果:
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2
- メーカー名:
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東芝
- 型番:
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- 箱番号:
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2441-00
- 納期:
-
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12
- メーカー名:
-
東芝
- 型番:
-
- 箱番号:
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2438-00
- 納期:
-
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28
- メーカー名:
-
東芝
- 型番:
-
- 納期:
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