インフィニオン社のパワーMOSFETには、耐圧が12V～40V、45V～80V、85V～300VのPチャネルMOSFETやNチャネルMOSFET、500V～ 950VのCoolMOS™ NチャネルパワーMOSFET、－250V～600Vの小信号/小電力用MOSFET、60V～600VのNチャネルデプリーションモード MOSFET、20V～60Vの相補型MOSFET、650V ～1700VシリコンカーバイドMOSFETなどがあります。

　OptiMOS™やCoolMOS™は、オン抵抗を大幅に減少させるスーパージャンクション構造を採用したパワーMOSFETで、高周波スイッチング用途に適しています。また、StrongIRFET™は、コストと耐久性を重視して設計されたパワーMOSFETで、低周波スイッチングや大電流を必要とする用途に適しています。

　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)は、 入力をMOSFET構造にしたバイポーラトランジスタで、入力インピーダンスが高く、オン抵抗が低いためスイッチング速度が速いという特徴をもっています。 IGBTのスイッチンング速度はMOSFETより劣りますが、耐圧を大きくすることができます。

　インフィニオン社では、IGBT技術を採用したラインナップに、幅34mm/62mmモジュール、Easy/Econoファミリ、IHM/IHV Bシリーズ、PrimePACK™、XHP™パワーモジュールなどがあります。回路構成にはチョッパー、デュアル、PIM、4パック、6パック、12パック、3レベル、ブースター、シングルスイッチなどがあり、定格電流は6A～3600Aまで用意されています。

　インフィニオン社は、主に電力アプリケーションに適したダイオードやサイリスタを提供しています。

　スタンダードなサイリスタ/ダイオードに加え、10kWから10GWに対応したハイパワーダイオードやサイリスタ/ダイオードモジュール、CoolSiC™ダイオードなどのラインナップがあります。