半導体 　[ メーカー:%E3%82%AA%E3%83%B3%E3%82%BB%E3%83%9F%E3%82%B3%E3%83%B3%E3%83%80%E3%82%AF%E3%82%BF%E3%83%BC 納期:%E5%A3%B2%E3%82%8A%E5%88%87%E3%82%8C ]の検索結果

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・バッテリ化学反応：-・セル数：-・電流 - 充電：定数・プログラム可能な機能：-・フォールト保護：短絡回路・充電電流 - 最大：-・バッテリパック電圧：12V・電圧 - 供給（最大）：28V・インターフェース：USB・動作温度：-40°C～125°C（TJ）・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パ

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：74C・機能：セット（プリセット）およびリセット・タイプ：Dタイプ・出力タイプ：コンプリメンタリ・素子数：2・素子あたりのビット数：1・クロック周波数：8 MHz・V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延：110ns @ 10V、50pF・トリガタイプ：ポジティブエッジ・電流 - 出力高、低：8mA、8mA・電圧 - 供給：3V

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：1 NPN、1 PNP - プリバイアス（デュアル）・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50V・抵抗 - ベース（R1）：4.7キロオーム、47キロオーム・抵抗 - エミッタベース（R2）：10キロオーム、47キロオーム・Ic

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：600mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：15nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：120

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：60 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：-・電流 - コレクタ遮断（最大）：500nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：100 @ 1mA、1V・電力 - 最

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：4000B・論理タイプ：単安定・独立回路：2・シュミットトリガ入力：なし・伝搬遅延：90 ns・電流 - 出力高、低：8.8mA、8.8mA・電圧 - 供給：3 V ~ 18 V・動作温度：-55°C～125°C・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：スルーホール・パッケージ/ケース：16-DIP（0.300インチ、7.62

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・アンプタイプ：トランスコンダクタンス・回路数：2・出力タイプ：プッシュプル・スルーレート：50V/µs・ゲイン帯域幅積：2 MHz・帯域幅-3db：-・電流 - 入力バイアス：400 nA・電圧 - 入力オフセット：400 µV・電流 - 供給：2.6mA・電流 - 出力/チャンネル：500 µA・電圧 - スパン（最小）

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1.2 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：100 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 10mA、250mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：50

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：40 V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：500 mV @ 1 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：500 µA @

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・タイプ：汎用・素子数：2・出力タイプ：DTL、オープンコレクタ、オープンエミッタ、RTL、TTL・電圧 - 供給、シングル/デュアル（±）：5V～30V、±2.5V～15V・電圧 - 入力オフセット（最大）：8mV @ ±15V・電流 - 入力バイアス（最大）：1µA @ ±15V・電流 - 出力（標準）：25mA・電流

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：IntelliMAX™・スイッチタイプ：汎用・出力数：1・レシオ - 入力：出力：1：1・出力構成：ハイサイド・出力タイプ：Pチャンネル・インターフェース：オン/オフ・電圧 - 負荷：1.2V～5.5V・電圧 - 電源（Vcc/Vdd）：不要・電流 - 出力（最大）：1.5A・Rds On（標準）：30ミリオーム

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・アンプタイプ：汎用・回路数：4・出力タイプ：-・スルーレート：-・ゲイン帯域幅積：1 MHz・帯域幅-3db：-・電流 - 入力バイアス：90 nA・電圧 - 入力オフセット：2 mV・電流 - 供給：-・電流 - 出力/チャンネル：40 mA・電圧 - スパン（最小）：3 V・電圧 - スパン（最大）：32 V・動作温度

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・ダイオード構成：2独立・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：60 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：600 mV @ 1 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：10 ns・

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・用途：LCD TV/モニタ・電流 - 供給：-・電圧 - 供給：5V～24V・動作温度：-25°C～85°C・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：20-SSOP（0.173インチ、4.40mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：20-SSOP

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：30 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：600mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：15nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：40 @

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：300 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：600mV @ 2mA、20mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：100

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・タイプ：オーディオプロセッサ・インターフェース：I2C、PCM、SPI、UART・クロックレート：15.36MHz・不揮発メモリ：EEPROM（2ビット）・オンチップRAM：-・電圧 - I/O：-・電圧 - コア：1.25V・動作温度：0°C～50°C・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：-・パッケージ

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオーム @ 15A、10V・I

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・アンプタイプ：汎用・回路数：4・出力タイプ：-・スルーレート：-・ゲイン帯域幅積：1 MHz・帯域幅-3db：-・電流 - 入力バイアス：90 nA・電圧 - 入力オフセット：2 mV・電流 - 供給：-・電流 - 出力/チャンネル：40 mA・電圧 - スパン（最小）：3 V・電圧 - スパン（最大）：32 V・動作温度

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・トランジスタタイプ：2 NPN（デュアル）・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：45V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：650mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：15nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：200 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：40 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：400mV @ 5mA、50mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：100 @

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：100EP・機能：リセット・タイプ：JKタイプ・出力タイプ：差動・素子数：1・素子あたりのビット数：1・クロック周波数：3 GHz・V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延：-・トリガタイプ：ポジティブエッジ・電流 - 出力高、低：-・電圧 - 供給：-3V～-5.5V・電流 - 静止（Iq）：50 mA・入力静電容量：-・動作

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：10 V・許容誤差：±5%・電力 - 最大：500 mW・インピーダンス（最大）（Zzt）：15 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：100 nA @ 7.5 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.3 V @ 100 mA・動作温度：-65°C～200°C・グレード

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：2 NPN（デュアル）・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：45V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：650mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：15nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：28A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：52ミリオーム @ 14A、10V・Id印加時

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：2 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：400mV @ 50mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：140 @ 10

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP - ダーリントン・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：5 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：100 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：4V @ 20mA、5A・電流 - コレクタ遮断（最大）：500µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：1000 @

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：QFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.6オーム @ 1A、10V・Id印加時のVgs（t

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・センサのタイプ：デジタル、ローカル・センシング温度 - ローカル：-・センシング温度 - リモート：-・出力タイプ：I2C・電圧 - 供給：1.4V～2.75V・分解能：-・特長：-・精度 - 最高（最低）：-・テスト条件：-・動作温度：-40°C～125°C・取り付けタイプ：面実装・グレード：-・認定：-・

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：UniFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.15オーム @ 3A、10V・Id印加時のVg

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・アンプタイプ：汎用・回路数：4・出力タイプ：シングルエンド・スルーレート：13V/µs・ゲイン帯域幅積：4.5 MHz・帯域幅-3db：-・電流 - 入力バイアス：100 nA・電圧 - 入力オフセット：1 mV・電流 - 供給：1.9mA（x4チャンネル）・電流 - 出力/チャンネル：30 mA・電圧 - スパン（最小）

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：*・論理タイプ：-・回路数：-・入力数：-・特長：-・電圧 - 供給：-・電流 - 静止（最大）：-・電流 - 出力高、低：-・論理レベル - 低：-・論理レベル - 高：-・V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延：-・動作温度：-・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：-・サプライヤデバイスパッケージ：-・パ

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：74VHCT・論理タイプ：バッファ、非反転・素子数：1・素子あたりのビット数：8・入力タイプ：-・出力タイプ：3ステート・電流 - 出力高、低：8mA、8mA・電圧 - 供給：4.5V～5.5V・動作温度：-40°C～85°C（TA）・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：スルーホール・パッケージ/ケース：20-DIP（0.

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トライアックタイプ：ロジック - 高感度ゲート・電圧 - オフ状態：600 V・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：600 mA・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：2 V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz（Itsm）：8A @ 60Hz・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：5 mA・電流 -

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・出力構成：ポジティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：35V・電圧 - 出力（最小/固定）：12V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：2V @ 1A（標準）・電流 - 出力：1A・電流 - 静止（Iq）：6.5 mA・電流 - 供給（最大）：-・PSRR：60dB（1kH

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・出力構成：ネガティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：-35V・電圧 - 出力（最小/固定）：-15V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：1.1V @ 500mA・電流 - 出力：500mA・電流 - 静止（Iq）：6 mA・電流 - 供給（最大）：-・PSRR：59dB

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：12 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：800 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：2V @ 1.2A、6A・電流 - コレクタ遮断（最大）：10µA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：20 @ 800m

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：12 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：800 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：2V @ 1.2A、6A・電流 - コレクタ遮断（最大）：10µA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：10 @ 800m

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・タイプ：センサインタフェース・入力タイプ：電圧・出力タイプ：差動・電流 - 供給：125 mA・動作温度：-40°C～105°C・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：20-SOIC（0.295インチ、7.50mm幅）・サプライヤデバイスパッケージ：20-

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：300 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：180 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：450 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：1.4V @ 15V、40A・電力 - 最大：480 W・スイッチングエネルギー：-・入力タイプ：標準

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：65 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：650mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：15nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：110

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・ダイオード構成：1組直列接続・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：70 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：200mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.25 V @ 150 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：6

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・出力タイプ：トランジスタドライバ・機能：ステップアップ、ステップアップ/ステップダウン・出力構成：正、絶縁コンデンサ・トポロジ：昇圧、フライバック・出力数：1・出力フェーズ：1・電圧 - 電源（Vcc/Vdd）：10V～30V・周波数 - スイッチング：最大500kHz・デューティサイクル（最大）：48%・同期整流器：なし

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・出力タイプ：トランジスタドライバ・機能：ステップアップ/ステップダウン・出力構成：ポジティブ・トポロジ：プッシュプル・出力数：2・出力フェーズ：1・電圧 - 電源（Vcc/Vdd）：8V～35V・周波数 - スイッチング：100Hz～400kHz・デューティサイクル（最大）：49%・同期整流器：あり・クロック同期：あり・シ

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオーム @ 3.5A、10V・I

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：30 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：600mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：15nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：200

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：4000B・論理タイプ：バイナリカウンタ・方向：下・素子数：1・素子あたりのビット数：4・リセット：非同期・タイミング：-・カウント率：6.6 MHz・トリガタイプ：ポジティブ、ネガティブ・電圧 - 供給：3 V ~ 18 V・動作温度：-55°C～125°C・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：スルーホール・パッケージ/

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：Mosorb™・タイプ：ツエナー・一方向チャンネル：1・双方向チャンネル：-・電圧 - 逆スタンドオフ（標準）：7.02V・電圧 - ブレークダウン（最小）：7.79V・電圧 - クランピング（最大）@ Ipp：12.1V・電流 - ピークパルス（10/1000μs）：124A・電力 - ピークパルス：1500W（1.5kW）・

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・出力絶縁：-・内部スイッチ：なし・電圧 - ブレークダウン：-・トポロジ：-・電圧 - スタートアップ：16 V・電圧 - 電源（Vcc/Vdd）：10V～30V・デューティサイクル：96%・周波数 - スイッチング：最大500kHz・電力（ワット）：-・フォールト保護：電流制限・制御機能：周波数制御・動作温度：0°C～7

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・アンプタイプ：汎用・回路数：1・出力タイプ：-・スルーレート：0.5V/µs・ゲイン帯域幅積：-・帯域幅-3db：-・電流 - 入力バイアス：70 nA・電圧 - 入力オフセット：2 mV・電流 - 供給：1.8mA・電流 - 出力/チャンネル：-・電圧 - スパン（最小）：10 V・電圧 - スパン（最大）：36 V・動