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ディスクリート半導体製品（DigiKey）

検索結果 347,628件中1～50件目
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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【RB520SM-30T2R】DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2

    【RB520SM-30T2R】DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：30 V・電流 - 平均整流（Io）：200mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：580 mV @ 200 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA
    ￥57.15 税込￥62.86
  • 2

    【AFT05MS004NT1】RF MOSFET LDMOS 7.5V SOT89A

    【AFT05MS004NT1】RF MOSFET LDMOS 7.5V SOT89A
    メーカー名：
    NXP
    型番：
    出荷予定日：
    最小1,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：LDMOS・構成：-・周波数：520MHz・ゲイン：20.9dB・電圧 - テスト：7.5 V・定格電流（A）：-・雑音指数：-・電流 - テスト：100 mA・電源 - 出力：4.9W・電圧 - 定格：30 V・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：TO-243AA・サプ
    ￥187.60 税込￥206.36
  • 3

    【IMW120R350M1HXKSA1】SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3

    【IMW120R350M1HXKSA1】SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.7A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：455ミリオーム @ 2A、18V
    ￥1,183.57 税込￥1,301.92
  • 4

    【MCC95-14IO8B】SCR MODULE 1.4KV 180A TO-240AA

    【MCC95-14IO8B】SCR MODULE 1.4KV 180A TO-240AA
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・構造：直列接続 - 全SCR・SCR、ダイオードの数：2 SCRs・電圧 - オフ状態：1.4 kV・電流 - オン状態（It（AV））（最大）：116 A・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：180 A・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：2.5 V・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：150 mA・電流
    ￥6,257.48 税込￥6,883.22
  • 5

    【SMV1234-079LF】DIODE VARACTOR 15V 20MA SC-79

    【SMV1234-079LF】DIODE VARACTOR 15V 20MA SC-79
    メーカー名：
    Skyworks Solutions Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・Vr、F印加時の静電容量：2pF @ 6V、50MHz・静電容量比：3.4・静電容量比条件：C1/C6・電圧 - ピーク逆方向（最大）：15 V・ダイオードタイプ：シングル・Vr、F印加時のQ：-・動作温度：-55°C～125°C（TJ）・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：S
    ￥228.58 税込￥251.43
  • 6

    【TK6P60W,RVQ】MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK [digi-reel品] DigiReel商品

    【TK6P60W,RVQ】MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK [digi-reel品]
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：DTMOSIV・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.2A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：820ミリオーム @ 3.1A、1
    ￥700.00 税込￥770.00
  • 7

    【BUX87】TRANS NPN 450V 0.5A SOT-32-3

    【BUX87】TRANS NPN 450V 0.5A SOT-32-3
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：450 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1V @ 20mA、200mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：12 @ 40mA
    ￥372.86 税込￥410.14
  • 8

    【MRF174】RF MOSFET 28V 211-11

    【MRF174】RF MOSFET 28V 211-11
    メーカー名：
    MACOM Technology Solutions
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル・周波数：150MHz・ゲイン：11.8dB・電圧 - テスト：28 V・定格電流（A）：13A・雑音指数：3dB・電流 - テスト：2 A・電源 - 出力：125W・電圧 - 定格：65 V・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：-・パッケージ/ケース：211-11、ス
    ￥13,372.42 税込￥14,709.66
  • 9

    【MRF422】RF TRANS NPN 35V 211-11

    【MRF422】RF TRANS NPN 35V 211-11
    メーカー名：
    MACOM Technology Solutions
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：35V・周波数 - トランジション：-・雑音指数（fあたりの標準dB）：-・ゲイン：13dB・電力 - 最大：150W・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：15 @ 5A、5V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：20A・動作温度
    ￥23,537.50 税込￥25,891.25
  • 10

    【UMR12NTN】DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【UMR12NTN】DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・ダイオード構成：2組直列接続・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：80 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：100mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.2 V @ 100 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：-・電流
    ￥142.86 税込￥157.14
  • 11

    【BY269TR】DIODE AVAL 1600V 800MA SOD57

    【BY269TR】DIODE AVAL 1600V 800MA SOD57
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：アバランチ・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1600 V・電流 - 平均整流（Io）：800mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.25 V @ 400 mA・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：400 ns・電流 - Vr印加時の逆方向
    ￥121.43 税込￥133.57
  • 12

    【DTB123EKT146】TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3

    【DTB123EKT146】TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP - プリバイアス・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・抵抗器を含む：R1とR2・抵抗 - ベース（R1）：2.2 kOhms・抵抗 - エミッタベース（R2）：2.2 kOhms・Ic、Vce印加時のDC電流
    ￥124.29 税込￥136.71
  • 13

    【2SC2411KT146Q】TRANS NPN 32V 0.5A SMT3 [digi-reel品] DigiReel商品

    【2SC2411KT146Q】TRANS NPN 32V 0.5A SMT3 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：32 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：600mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：1µA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最
    ￥91.43 税込￥100.57
  • 14

    【ULQ2804A】TRANS 8NPN DARL 50V 500MA 18DIP

    【ULQ2804A】TRANS 8NPN DARL 50V 500MA 18DIP
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：8 NPNダーリントン・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.6V @ 500µA、350mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：1000
    ￥520.00 税込￥572.00
  • 15

    【IGB50N65S5ATMA1】IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3

    【IGB50N65S5ATMA1】IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TRENCHSTOP™ 5・IGBTタイプ：トレンチ型フィールドストップ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：650 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：80 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：200 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：1.7V @ 15V、50A・電力 -
    ￥854.17 税込￥939.58
  • 16

    【G2R1000MT33J】SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7

    【G2R1000MT33J】SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：G2R™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：3300 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.2オーム @ 2A、20V・Id印加時のVgs（t
    ￥3,281.18 税込￥3,609.29
  • 17

    【RB060MM-30TFTR】DIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDU

    【RB060MM-30TFTR】DIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDU
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：30 V・電流 - 平均整流（Io）：2A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：490 mV @ 2 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：50 µA @ 3
    ￥161.43 税込￥177.57
  • 18

    【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

    【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印
    ￥264.29 税込￥290.71
  • 19

    【STPS160H100TV】DIODE MOD SCHOTT 100V 80A ISOTOP

    【STPS160H100TV】DIODE MOD SCHOTT 100V 80A ISOTOP
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・ダイオード構成：2独立・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：100 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：80A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：800 mV @ 80 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印
    ￥4,109.42 税込￥4,520.36
  • 20

    【LXS301-23-0】DIODE SCHOTTKY 20V SOT23-3

    【LXS301-23-0】DIODE SCHOTTKY 20V SOT23-3
    メーカー名：
    Microchip
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：LSX・ダイオードタイプ：ショットキー - シングル・電圧 - ピーク逆方向（最大）：20V・電流 - 最大：1 A・Vr、F印加時の静電容量：1.4pF @ 0V、1MHz・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：250 mW・動作温度：-55°C～125°C・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：TO-236-3、
    ￥893.06 税込￥982.36
  • 21

    【FMB2227A】TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SUPERSOT6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【FMB2227A】TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SUPERSOT6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・トランジスタタイプ：1 NPN、1 PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：30V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.4V @ 30mA、300mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：30nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（
    ￥138.58 税込￥152.43
  • 22

    【BYT51D-TAP】DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SOD57

    【BYT51D-TAP】DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SOD57
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：アバランチ・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：200 V・電流 - 平均整流（Io）：1.5A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 1 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：4 µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA
    ￥161.43 税込￥177.57
  • 23

    【BT139-600E/DG,127】TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB

    【BT139-600E/DG,127】TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB
    メーカー名：
    WeEn Semiconductors Co. Ltd
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トライアックタイプ：ロジック - 高感度ゲート・電圧 - オフ状態：600 V・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：16 A・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：1.5 V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz（Itsm）：155A、170A・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：10 mA・電流
    ￥262.86 税込￥289.14
  • 24

    【BTA40-800B】TRIAC 800V 40A RD91

    【BTA40-800B】TRIAC 800V 40A RD91
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トライアックタイプ：標準・電圧 - オフ状態：800 V・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：40 A・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：1.3 V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz（Itsm）：400A、420A・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：50 mA・電流 - ホールド（Ih）（
    ￥1,837.65 税込￥2,021.41
  • 25

    【IRFI840GPBF】MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3

    【IRFI840GPBF】MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：850ミリオーム @ 2.8A、10V・Id印加時のVgs
    ￥464.29 税込￥510.71
  • 26

    【1N5626-TR】DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64

    【1N5626-TR】DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：アバランチ・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）：3A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1 V @ 3 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：7.5 µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA @
    ￥334.29 税込￥367.71
  • 27

    【GP10M-E3/54】DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL

    【GP10M-E3/54】DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SUPERECTIFIER®・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1000 V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.2 V @ 1 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：3 µs・電流 - Vr印加時の逆方
    ￥117.15 税込￥128.86
  • 28

    【UJ3D1202TS】DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A TO220

    【UJ3D1202TS】DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A TO220
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1200 V・電流 - 平均整流（Io）：2A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.6 V @ 5 A・速度：回復時間なし > 500mA（Io）・逆回復時間（trr）：0 ns・電流 - Vr印加時の逆方向
    ￥698.62 税込￥768.48
  • 29

    【RB080LAM-30TFTR】DIODE SCHOTTKY 30V 5A PMDTM [digi-reel品] DigiReel商品

    【RB080LAM-30TFTR】DIODE SCHOTTKY 30V 5A PMDTM [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：30 V・電流 - 平均整流（Io）：5A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：-・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：150 µA @ 30 V・Vr、F印加時
    ￥160.00 税込￥176.00
  • 30

    【LND150N3-G】MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

    【LND150N3-G】MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
    メーカー名：
    Microchip
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バッグ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル、デプレッションモード・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30mA（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：0V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1000オーム @ 500µA、0V・I
    ￥128.58 税込￥141.43
  • 31

    【IRF540SPBF】MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

    【IRF540SPBF】MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：28A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：77ミリオーム @ 17A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥354.29 税込￥389.71
  • 32

    【2SK2394-6-TB-E】JFET N-CH 50MA 3CP

    【2SK2394-6-TB-E】JFET N-CH 50MA 3CP
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：15 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：10 mA @ 5 V・電流ドレイン（Id） - 最大：50 mA・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：300 mV @
    ￥140.00 税込￥154.00
  • 33

    【UPA2736GR-E1-AX】MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP

    【UPA2736GR-E1-AX】MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
    メーカー名：
    ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：14A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7ミリオーム @ 14A、10V・Id
    ￥411.43 税込￥452.57
  • 34

    【ULQ2803A】TRANS 8NPN DARL 50V 500MA 18DIP

    【ULQ2803A】TRANS 8NPN DARL 50V 500MA 18DIP
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：8 NPNダーリントン・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.6V @ 500µA、350mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：1000
    ￥520.00 税込￥572.00
  • 35

    【RB521SM-40FHT2R】DIODE SCHOTTKY 40V 200MA EMD2 [digi-reel品] DigiReel商品

    【RB521SM-40FHT2R】DIODE SCHOTTKY 40V 200MA EMD2 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：40 V・電流 - 平均整流（Io）：200mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：540 mV @ 200 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：90 µA
    ￥82.86 税込￥91.14
  • 36

    【UF4SC120030K4S】1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CA

    【UF4SC120030K4S】1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CA
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（Cascode SiCJFET）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：53A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：12V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：39ミリオーム @ 20A、12V・I
    ￥3,396.48 税込￥3,736.12
  • 37

    【SUP60020E-GE3】MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB

    【SUP60020E-GE3】MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：TrenchFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：150A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：7.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4ミリオーム @ 30A、1
    ￥795.84 税込￥875.42
  • 38

    【DTC643TKT146】TRANS PREBIAS NPN 20V 0.6A SMT3

    【DTC643TKT146】TRANS PREBIAS NPN 20V 0.6A SMT3
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN - プリバイアス・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：600 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：20 V・抵抗器を含む：R1のみ・抵抗 - ベース（R1）：4.7 kOhms・抵抗 - エミッタベース（R2）：-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（
    ￥120.00 税込￥132.00
  • 39

    【2N4416A TO-72 4L ROHS】WIDEBAND, HIGH GAIN, SINGLE, N-

    【2N4416A TO-72 4L ROHS】WIDEBAND, HIGH GAIN, SINGLE, N-
    メーカー名：
    Linear Integrated Systems
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：2N4416A・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：35 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大
    ￥1,344.88 税込￥1,479.36
  • 40

    【BTA16-600CWRG】TRIAC ALTERNISTOR 600V 16A TO220

    【BTA16-600CWRG】TRIAC ALTERNISTOR 600V 16A TO220
    メーカー名：
    UMW
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トライアックタイプ：標準・電圧 - オフ状態：600 V・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：16 A・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：1.5 V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz（Itsm）：160A @ 50Hz・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：35 mA・電流 - ホールド（Ih
    ￥300.00 税込￥330.00
  • 41

    【SSM3K123TU,LF】MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM

    【SSM3K123TU,LF】MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSIII・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.2A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.5V、4V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 3A
    ￥115.72 税込￥127.29
  • 42

    【SSM6J422TU,LF】MOSFET P-CH 20V 4A UF6

    【SSM6J422TU,LF】MOSFET P-CH 20V 4A UF6
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVI・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：42.7ミリオーム @ 3
    ￥110.00 税込￥121.00
  • 43

    【BC33725BU】TRANS NPN 45V 0.8A TO-92-3

    【BC33725BU】TRANS NPN 45V 0.8A TO-92-3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：800 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：45 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：700mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：160 @ 10
    ￥64.29 税込￥70.71
  • 44

    【TK4R1A10PL,S4X】X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

    【TK4R1A10PL,S4X】X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：80A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.1ミリオーム @ 40A、10V・Id印加時の
    ￥569.45 税込￥626.39
  • 45

    【TP65H070G4PS】GANFET N-CH 650V 29A TO220

    【TP65H070G4PS】GANFET N-CH 650V 29A TO220
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 18A、10V・Id印
    ￥1,746.43 税込￥1,921.07
  • 46

    【FCH165N60E】MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3

    【FCH165N60E】MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperFET® II・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：23A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：165ミリオーム @ 11.5A、10
    ￥887.50 税込￥976.25
  • 47

    【MJE182G】TRANS NPN 80V 3A TO-126

    【MJE182G】TRANS NPN 80V 3A TO-126
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：3 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：80 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.7V @ 600mA、3A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：50 @ 100
    ￥264.29 税込￥290.71
  • 48

    【STN1NK60ZL】MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223

    【STN1NK60ZL】MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperMESH™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：15オーム @ 400m
    ￥198.58 税込￥218.43
  • 49

    【LSK389B SOIC 8L ROHS】JFET 2N-CH 40V 10MA 8SOIC

    【LSK389B SOIC 8L ROHS】JFET 2N-CH 40V 10MA 8SOIC
    メーカー名：
    Linear Integrated Systems
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：LSK389・FETタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：40 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：6 mA @ 10 V・電流ドレイン（Id） - 最大：10 mA・電圧 - Id印加時の遮断
    ￥1,958.83 税込￥2,154.71
  • 50

    【PMEG2015EH-QX】DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A SOD123F

    【PMEG2015EH-QX】DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A SOD123F
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：20 V・電流 - 平均整流（Io）：1.5A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：660 mV @ 1.5 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：70 µA
    ￥82.86 税込￥91.14
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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