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ディスクリート半導体製品（DigiKey）

検索結果 354,409件中1～50件目
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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【FSB50450AS】MODULE SPM 500V 1.5A SPM5Q [digi-reel品] DigiReel商品

    【FSB50450AS】MODULE SPM 500V 1.5A SPM5Q [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：Motion SPM® 5・タイプ：MOSFET・構成：3相・電流：1.5 A・電圧：500 V・電圧 - 絶縁：1500Vrms・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：23-PowerSMDモジュール、ガルウィング
    ￥1,620.49 税込￥1,782.53
  • 2

    【RBR2MM60CTFTR】DIODE SCHOTTKY 60V 2A PMDU

    【RBR2MM60CTFTR】DIODE SCHOTTKY 60V 2A PMDU
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：60 V・電流 - 平均整流（Io）：2A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：550 mV @ 2 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：120 µA @
    ￥104.29 税込￥114.71
  • 3

    【RQ5E030AJTCL】MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3 [digi-reel品] DigiReel商品

    【RQ5E030AJTCL】MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時のV
    ￥157.15 税込￥172.86
  • 4

    【SI5504BDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8

    【SI5504BDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A、3.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVg
    ￥332.86 税込￥366.14
  • 5

    【2SA2097(TE16L1,NQ)】TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD

    【2SA2097(TE16L1,NQ)】TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：5 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：270mV @ 53mA、1.6A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小
    ￥261.43 税込￥287.57
  • 6

    【EM 2BV1】DIODE STANDARD 800V 1.2A

    【EM 2BV1】DIODE STANDARD 800V 1.2A
    メーカー名：
    サンケン電気
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：800 V・電流 - 平均整流（Io）：1.2A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：920 mV @ 1.2 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 µA @
    ￥281.43 税込￥309.57
  • 7

    【NVMFS5113PLWFT1G】MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN

    【NVMFS5113PLWFT1G】MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A（Ta）、64A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 1
    ￥762.50 税込￥838.75
  • 8

    【RQ5L020SNTL】MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3

    【RQ5L020SNTL】MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：170ミリオーム @ 2A、10V・Id印加
    ￥170.00 税込￥187.00
  • 9

    【RQ5E030AJTCL】MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3

    【RQ5E030AJTCL】MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時の
    ￥27.15 税込￥29.86
  • 10

    【DMP45H4D9HK3-13】MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252

    【DMP45H4D9HK3-13】MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：450 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.7A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.9オーム @ 1.05A、10V・Id印
    ￥254.29 税込￥279.71
  • 11

    【FSB50250AS】MODULE SPM 500V 1.2A 23PWRSMD [digi-reel品] DigiReel商品

    【FSB50250AS】MODULE SPM 500V 1.2A 23PWRSMD [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：Motion SPM® 5・タイプ：MOSFET・構成：3相・電流：1.2 A・電圧：500 V・電圧 - 絶縁：1500Vrms・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：23-PowerSMDモジュール、ガルウィング
    ￥1,546.35 税込￥1,700.98
  • 12

    【S16-4148E3/TR7】DIODE ARRAY GP 75V 400MA 16-SOIC

    【S16-4148E3/TR7】DIODE ARRAY GP 75V 400MA 16-SOIC
    メーカー名：
    Microchip
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオード構成：8独立・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：75 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：400mA（DC）・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.2 V @ 100 mA・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：5
    ￥630.56 税込￥693.61
  • 13

    【GBUE2560-M3/P】BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4.9A GBU

    【GBUE2560-M3/P】BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4.9A GBU
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：標準・電圧 - ピーク逆方向（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）：4.9 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：920 mV @ 12.5 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 µA @ 600 V・動作温度：-55°C～175°C（TJ）・グレード：-・認定：-
    ￥987.68 税込￥1,086.44
  • 14

    【ZHCS400TA】DIODE SCHOTTKY 40V 400MA SOD323

    【ZHCS400TA】DIODE SCHOTTKY 40V 400MA SOD323
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：40 V・電流 - 平均整流（Io）：400mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：500 mV @ 400 mA・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：40
    ￥115.72 税込￥127.29
  • 15

    【RB218BM200FHTL】DIODE ARR SCHOTT 200V 20A TO-252

    【RB218BM200FHTL】DIODE ARR SCHOTT 200V 20A TO-252
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオード構成：1組共通カソード・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：200 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：20A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：880 mV @ 10 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr
    ￥485.72 税込￥534.29
  • 16

    【2SCR523MT2L】TRANS NPN 50V 0.1A VMT3 [digi-reel品] DigiReel商品

    【2SCR523MT2L】TRANS NPN 50V 0.1A VMT3 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：300mV @ 5mA、50mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最
    ￥58.58 税込￥64.43
  • 17

    【MA4P504-1072T】RF DIODE PIN 500V 7.5W

    【MA4P504-1072T】RF DIODE PIN 500V 7.5W
    メーカー名：
    MACOM Technology Solutions
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：PIN - シングル・電圧 - ピーク逆方向（最大）：500V・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：0.5pF @ 100V、1MHz・If、F印加時の抵抗：600ミリオーム @ 100mA、100MHz・電力散逸（最大）：7.5 W・動作温度：-65°C～175°C（TJ）・グレ
    ￥1,294.67 税込￥1,424.13
  • 18

    【IRFS7430TRL7PP】MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK

    【IRFS7430TRL7PP】MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®, StrongIRFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：240A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：
    ￥738.89 税込￥812.77
  • 19

    【KBPC5010T】BRIDGE RECT 1P 1KV 50A KBPC-T

    【KBPC5010T】BRIDGE RECT 1P 1KV 50A KBPC-T
    メーカー名：
    GeneSiC Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：標準・電圧 - ピーク逆方向（最大）：1 kV・電流 - 平均整流（Io）：50 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 25 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA @ 1000 V・動作温度：-55°C～150°C（TJ）・グレード：-・認定：-・取り付けタ
    ￥904.17 税込￥994.58
  • 20

    【PD3S130H-7】DIODE SCHOTTK 30V 1A POWERDI 323

    【PD3S130H-7】DIODE SCHOTTK 30V 1A POWERDI 323
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：30 V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：470 mV @ 1 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：100 µA @
    ￥108.58 税込￥119.43
  • 21

    【GP02-30-E3/54】DIODE STD 3000V 250MA DO204AL

    【GP02-30-E3/54】DIODE STD 3000V 250MA DO204AL
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SUPERECTIFIER®・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：3000 V・電流 - 平均整流（Io）：250mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：3 V @ 1 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：2 µs・電流 - Vr印加時の逆
    ￥137.15 税込￥150.86
  • 22

    【PN2222A PBFREE】TRANS NPN 40V 0.8A TO-92-3

    【PN2222A PBFREE】TRANS NPN 40V 0.8A TO-92-3
    メーカー名：
    Central Semiconductor Corp
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：800 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：40 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：10nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：100 @
    ￥98.58 税込￥108.43
  • 23

    【FSB50550AS】MODULE SPM 500V 2A SPM5Q [digi-reel品] DigiReel商品

    【FSB50550AS】MODULE SPM 500V 2A SPM5Q [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：Motion SPM® 5・タイプ：MOSFET・構成：3相・電流：2 A・電圧：500 V・電圧 - 絶縁：1500Vrms・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：23-PowerSMDモジュール、ガルウィング
    ￥1,775.30 税込￥1,952.83
  • 24

    【P2500X】DIODE AVALANCHE 1800V 25A P600

    【P2500X】DIODE AVALANCHE 1800V 25A P600
    メーカー名：
    Diotec Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：アバランチ・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1800 V・電流 - 平均整流（Io）：25A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 25 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：1.5 µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10
    ￥605.56 税込￥666.11
  • 25

    【VS-VSKCS408/060】DIODE MOD SCHOT 60V 200A ADDAPAK

    【VS-VSKCS408/060】DIODE MOD SCHOT 60V 200A ADDAPAK
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオード構成：1組共通カソード・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：60 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：200A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：740 mV @ 200 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流
    ￥9,434.49 税込￥10,377.93
  • 26

    【2SAR523MT2L】TRANS PNP 50V 0.1A VMT3 [digi-reel品] DigiReel商品

    【2SAR523MT2L】TRANS PNP 50V 0.1A VMT3 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：400mV @ 5mA、50mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最
    ￥58.58 税込￥64.43
  • 27

    【RB751CM-40T2R】DIODE SCHOTTKY 30V 30MAVMN2M

    【RB751CM-40T2R】DIODE SCHOTTKY 30V 30MAVMN2M
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：30 V・電流 - 平均整流（Io）：30mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：370 mV @ 1 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：500 nA
    ￥67.15 税込￥73.86
  • 28

    【TK33S10N1Z,LXHQ】MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

    【TK33S10N1Z,LXHQ】MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVIII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：33A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.7ミリオーム @ 16
    ￥327.15 税込￥359.86
  • 29

    【TJ15S06M3L(T6L1,NQ】MOSFET P-CH 60V 15A DPAK [digi-reel品] DigiReel商品

    【TJ15S06M3L(T6L1,NQ】MOSFET P-CH 60V 15A DPAK [digi-reel品]
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：U-MOSVI・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 7.5A、1
    ￥427.15 税込￥469.86
  • 30

    【1N6638】DIODE STANDARD 125V 300MA D5D

    【1N6638】DIODE STANDARD 125V 300MA D5D
    メーカー名：
    Microchip
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：125 V・電流 - 平均整流（Io）：300mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 200 mA・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：4.5 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：500 nA @ 1
    ￥1,240.00 税込￥1,364.00
  • 31

    【CSD15571Q2】MOSFET N-CH 20V 22A 6SON

    【CSD15571Q2】MOSFET N-CH 20V 22A 6SON
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：NexFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：22A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：15ミリオーム @ 5A、
    ￥152.86 税込￥168.14
  • 32

    【FS8205A】DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

    【FS8205A】DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
    メーカー名：
    EVVO Semi
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル、コモンドレイン・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：27ミリオーム @ 6A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.
    ￥74.29 税込￥81.71
  • 33

    【MPSA42】TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

    【MPSA42】TRANS NPN 300V 0.5A TO-92
    メーカー名：
    Diotec Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：300 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 2mA、20mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）
    ￥45.72 税込￥50.29
  • 34

    【RB080L-30TE25】DIODE SCHOTTKY 30V 5A PMDS

    【RB080L-30TE25】DIODE SCHOTTKY 30V 5A PMDS
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：30 V・電流 - 平均整流（Io）：5A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：510 mV @ 5 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：150 µA @
    ￥141.43 税込￥155.57
  • 35

    【PD3S160-7】DIODE SCHOTTK 60V 1A POWERDI 323

    【PD3S160-7】DIODE SCHOTTK 60V 1A POWERDI 323
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：60 V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：640 mV @ 1 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：50 µA @ 6
    ￥102.86 税込￥113.14
  • 36

    【MAC4DSMT4G】TRIAC SENS GATE 600V 4A TO252

    【MAC4DSMT4G】TRIAC SENS GATE 600V 4A TO252
    メーカー名：
    Littelfuse Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トライアックタイプ：ロジック - 高感度ゲート・電圧 - オフ状態：600 V・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：4 A・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：1.3 V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz（Itsm）：40A @ 60Hz・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：10
    ￥552.86 税込￥608.14
  • 37

    【1N5626-TR】DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64

    【1N5626-TR】DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：アバランチ・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）：3A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1 V @ 3 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：7.5 µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA @
    ￥341.43 税込￥375.57
  • 38

    【IMD10AMT1G】TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SC-74R

    【IMD10AMT1G】TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SC-74R
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：1 NPN、1 PNP - プリバイアス（デュアル）・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50V・抵抗 - ベース（R1）：13キロオーム、130オーム・抵抗 - エミッタベース（R2）：10キロオーム・Ic、Vce印加時のDC
    ￥121.43 税込￥133.57
  • 39

    【TTC004B,Q】TRANS NPN 160V 1.5A TO-126N

    【TTC004B,Q】TRANS NPN 160V 1.5A TO-126N
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1.5 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：160 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：14
    ￥195.72 税込￥215.29
  • 40

    【IRLZ44NPBF】MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB

    【IRLZ44NPBF】MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：47A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    ￥290.00 税込￥319.00
  • 41

    【MJE5731G】TRANS PNP 350V 1A TO-220

    【MJE5731G】TRANS PNP 350V 1A TO-220
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：350 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1V @ 200mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：1mA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：30 @ 300mA、10V・電
    ￥390.00 税込￥429.00
  • 42

    【SSM3J338R,LF】MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F

    【SSM3J338R,LF】MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVII・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、8V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17.6ミリオーム @ 6A
    ￥87.15 税込￥95.86
  • 43

    【BU508AW】TRANS NPN 700V 8A TO-247-3

    【BU508AW】TRANS NPN 700V 8A TO-247-3
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：700 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1V @ 1.6A、4.5A・電流 - コレクタ遮断（最大）：200µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：10 @ 100mA、5V
    ￥834.73 税込￥918.20
  • 44

    【RBR3MM60ATFTR】DIODE SCHOTTKY 60V 3A PMDU

    【RBR3MM60ATFTR】DIODE SCHOTTKY 60V 3A PMDU
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：60 V・電流 - 平均整流（Io）：3A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：660 mV @ 3 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：100 µA @
    ￥125.72 税込￥138.29
  • 45

    【NSR01F30MXT5G】DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 2X3DFN

    【NSR01F30MXT5G】DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 2X3DFN
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：30 V・電流 - 平均整流（Io）：100mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：600 mV @ 100 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：50 µ
    ￥74.29 税込￥81.71
  • 46

    【STD20NF20】MOSFET N-CH 200V 18A DPAK

    【STD20NF20】MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：STripFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：125ミリオーム @ 10A、
    ￥561.43 税込￥617.57
  • 47

    【2N5087 PBFREE】TRANS PNP 50V 0.05A TO-92-3

    【2N5087 PBFREE】TRANS PNP 50V 0.05A TO-92-3
    メーカー名：
    Central Semiconductor Corp
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：50 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：300mV @ 1mA、10mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：50nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：250 @
    ￥167.15 税込￥183.86
  • 48

    【FDS2582】MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC

    【FDS2582】MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.1A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：66ミリオーム
    ￥377.15 税込￥414.86
  • 49

    【TIP47G】TRANS NPN 250V 1A TO-220

    【TIP47G】TRANS NPN 250V 1A TO-220
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：250 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1V @ 200mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：1mA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：30 @ 300mA、10V・電
    ￥328.58 税込￥361.43
  • 50

    【RBE01VYM6AFHTR】DIODE SCHOTTKY 6V 100MA TUMD2M

    【RBE01VYM6AFHTR】DIODE SCHOTTKY 6V 100MA TUMD2M
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：6 V・電流 - 平均整流（Io）：100mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：200 mV @ 7.5 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：30 µA
    ￥185.72 税込￥204.29
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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