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ディスクリート半導体製品（DigiKey）

検索結果 292,745件中1～50件目
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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【SMV1234-079LF】DIODE VARACTOR 15V SINGLE SC-79

    【SMV1234-079LF】DIODE VARACTOR 15V SINGLE SC-79
    メーカー名：
    Skyworks Solutions Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SMV123x・Vr、F印加時の静電容量：2pF @ 6V、50MHz・静電容量比：3.4・静電容量比条件：C1/C6・電圧 - ピーク逆方向（最大）：15 V・ダイオードタイプ：シングル・Vr、F印加時のQ：-・動作温度：-55°C～125°C（TJ）・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ
    ￥1,764.29 税込￥1,940.71
  • 2

    【MRF300BN】RF MOSFET LDMOS 50V TO247

    【MRF300BN】RF MOSFET LDMOS 50V TO247
    メーカー名：
    NXP
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：LDMOS・構成：-・周波数：27MHz～250MHz・ゲイン：18.7dB・電圧 - テスト：50 V・定格電流（A）：-・雑音指数：-・電流 - テスト：-・電源 - 出力：300W・電圧 - 定格：-・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：スルーホール・パッケージ/ケース：TO-247-3・サプライヤデバイス
    ￥17,270.12 税込￥18,997.13
  • 3

    【BY269TR】DIODE AVAL 1600V 800MA SOD57

    【BY269TR】DIODE AVAL 1600V 800MA SOD57
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：アバランチ・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1600 V・電流 - 平均整流（Io）：800mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.25 V @ 400 mA・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：400 ns・電流 - Vr印加時の逆方向
    ￥576.39 税込￥634.02
  • 4

    【MRF300AN】RF MOSFET LDMOS 50V TO247

    【MRF300AN】RF MOSFET LDMOS 50V TO247
    メーカー名：
    NXP
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：LDMOS・構成：-・周波数：27MHz～250MHz・ゲイン：28dB・電圧 - テスト：50 V・定格電流（A）：-・雑音指数：-・電流 - テスト：-・電源 - 出力：300W・電圧 - 定格：-・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：スルーホール・パッケージ/ケース：TO-247-3・サプライヤデバイスパッ
    ￥17,443.68 税込￥19,188.04
  • 5

    【SSM3J355R,LF】MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F

    【SSM3J355R,LF】MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVII・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30.1ミリオーム @
    ￥114.29 税込￥125.71
  • 6

    【2PC4081R,135】TRANS NPN 50V 0.15A SOT-323 [digi-reel品] DigiReel商品

    【2PC4081R,135】TRANS NPN 50V 0.15A SOT-323 [digi-reel品]
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：150 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：400mV @ 5mA、50mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最
    ￥45.72 税込￥50.29
  • 7

    【1N5626-TR】DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64

    【1N5626-TR】DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：アバランチ・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）：3A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1 V @ 3 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：7.5 µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA @
    ￥851.39 税込￥936.52
  • 8

    【RJK005N03T146】MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3

    【RJK005N03T146】MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：580ミリオーム @ 500mA
    ￥21.84 税込￥24.02
  • 9

    【TK20N60W,S1VF】MOSFET N-CH 600V 20A TO247

    【TK20N60W,S1VF】MOSFET N-CH 600V 20A TO247
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：DTMOSIV・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：155ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時
    ￥1,754.77 税込￥1,930.24
  • 10

    【BSC025N08LS5ATMA1】MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7

    【BSC025N08LS5ATMA1】MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.5ミリオーム
    ￥634.73 税込￥698.20
  • 11

    【SSM3K15AFU,LF】MOSFET N-CH 30V 100MA USM

    【SSM3K15AFU,LF】MOSFET N-CH 30V 100MA USM
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSIII・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.6オーム @ 10
    ￥52.86 税込￥58.14
  • 12

    【RS6L120BHTB1】NCH 60V 150A, HSOP8, POWER MOSFE

    【RS6L120BHTB1】NCH 60V 150A, HSOP8, POWER MOSFE
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：120A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.7ミリオーム @ 90A、10V・I
    ￥872.23 税込￥959.45
  • 13

    【FDS6679AZ】MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

    【FDS6679AZ】MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：PowerTrench®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：13A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.3ミリオーム
    ￥380.00 税込￥418.00
  • 14

    【IPB65R065C7ATMA2】MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3

    【IPB65R065C7ATMA2】MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：CoolMOS™ C7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：33A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 17.
    ￥1,727.39 税込￥1,900.12
  • 15

    【SARS01V0】DIODE STANDARD 800V 1.2A AXIAL

    【SARS01V0】DIODE STANDARD 800V 1.2A AXIAL
    メーカー名：
    サンケン電気
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：800 V・電流 - 平均整流（Io）：1.2A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：920 mV @ 1.2 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：18 µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 µ
    ￥311.43 税込￥342.57
  • 16

    【UMWIRLML6344TR】MOSFET N-CH 30V 5A SOT23

    【UMWIRLML6344TR】MOSFET N-CH 30V 5A SOT23
    メーカー名：
    UMW
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：*・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：29ミリオーム @ 5A、4.5V・I
    ￥111.43 税込￥122.57
  • 17

    【GB01SLT12-214】DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB

    【GB01SLT12-214】DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB
    メーカー名：
    Navitas Semiconductor Inc.
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SiC Schottky MPS™・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1200 V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.8 V @ 1 A・速度：ゼロ回復時間 > 500mA（Io）・逆回復時間（t
    ￥1,087.68 税込￥1,196.44
  • 18

    【DMP6110SFDF-13】MOSFET P-CH 60V 4.2A 6UDFN

    【DMP6110SFDF-13】MOSFET P-CH 60V 4.2A 6UDFN
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.2A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：110ミリオーム @ 4.5A、10
    ￥201.43 税込￥221.57
  • 19

    【IXYP60N65A5】IGBT PT 650V 134A TO-220

    【IXYP60N65A5】IGBT PT 650V 134A TO-220
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™, GenX5™・IGBTタイプ：PT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：650 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：134 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：260 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：1.35V @ 15V、36A・電力 - 最大：395 W・スイッチングエネル
    ￥1,471.61 税込￥1,618.77
  • 20

    【TIP102G】TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220

    【TIP102G】TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN - ダーリントン・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：100 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：2.5V @ 80mA、8A・電流 - コレクタ遮断（最大）：50µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：1000
    ￥498.58 税込￥548.43
  • 21

    【UDZVFHTE-174.7B】DIODE ZENER 4.65V 200MW UMD2

    【UDZVFHTE-174.7B】DIODE ZENER 4.65V 200MW UMD2
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：4.65 V・許容誤差：±2.15%・電力 - 最大：200 mW・インピーダンス（最大）（Zzt）：100 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：2 µA @ 1 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：-・動作温度：150°C（TJ）・グレード：自動車・
    ￥71.43 税込￥78.57
  • 22

    【TC6320TG-G】MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC

    【TC6320TG-G】MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
    メーカー名：
    Microchip
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7オーム @ 1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V @ 1mA・Vgs印加時の
    ￥430.00 税込￥473.00
  • 23

    【RQ6C050UNTR】MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6

    【RQ6C050UNTR】MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 5A、4.5V・I
    ￥197.15 税込￥216.86
  • 24

    【2N2219 PBFREE】TRANS NPN 30V 0.8A TO-39

    【2N2219 PBFREE】TRANS NPN 30V 0.8A TO-39
    メーカー名：
    Central Semiconductor Corp
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：800 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：30 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.6V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：10nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：100
    ￥777.78 税込￥855.55
  • 25

    【VS-25TTS08STRL-M3】SCR 800V 25A TO-263AB (D2PAK)

    【VS-25TTS08STRL-M3】SCR 800V 25A TO-263AB (D2PAK)
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・電圧 - オフ状態：800 V・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：2 V・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：45 mA・電圧 - オン状態（Vtm）（最大）：1.25 V・電流 - オン状態（It（AV））（最大）：16 A・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：25 A・電流 - ホ
    ￥1,169.87 税込￥1,286.85
  • 26

    【DTC143XKAT146】TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3

    【DTC143XKAT146】TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN - プリバイアス・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・抵抗器を含む：R1とR2・抵抗 - ベース（R1）：4.7 kOhms・抵抗 - エミッタベース（R2）：10 kOhms・Ic、Vce印加時のDC電流ゲ
    ￥57.15 税込￥62.86
  • 27

    【RFN2LB6STBR1】600V 2A 16NS, DO-214AA(SMB), SUP

    【RFN2LB6STBR1】600V 2A 16NS, DO-214AA(SMB), SUP
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）：2A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.65 V @ 2 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：35 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA @ 6
    ￥301.43 税込￥331.57
  • 28

    【DTA023YUBTL】TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F

    【DTA023YUBTL】TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：DTA023Y・トランジスタタイプ：PNP - プリバイアス・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・抵抗器を含む：R1のみ・抵抗 - ベース（R1）：2.2 kOhms・抵抗 - エミッタベース（R2）：-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン
    ￥61.43 税込￥67.57
  • 29

    【DTA014TUBTL】TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F

    【DTA014TUBTL】TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：DTA014T・トランジスタタイプ：PNP - プリバイアス・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・抵抗器を含む：R1のみ・抵抗 - ベース（R1）：10 kOhms・抵抗 - エミッタベース（R2）：-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（
    ￥61.43 税込￥67.57
  • 30

    【2SAR573D3TL1】TRANS PNP 50V 3A TO-252 [digi-reel品] DigiReel商品

    【2SAR573D3TL1】TRANS PNP 50V 3A TO-252 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：3 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：400mV @ 50mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：1µA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：180
    ￥325.72 税込￥358.29
  • 31

    【LSK389C SOIC 8L】LOW NOISE, MONOLITHIC DUAL, N-CH

    【LSK389C SOIC 8L】LOW NOISE, MONOLITHIC DUAL, N-CH
    メーカー名：
    Linear Integrated Systems
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：LSK389・FETタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：40 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：10 mA @ 10 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ
    ￥2,091.77 税込￥2,300.94
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    【DTA123JEBTL】TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F [digi-reel品] DigiReel商品

    【DTA123JEBTL】TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP - プリバイアス・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・抵抗器を含む：R1とR2・抵抗 - ベース（R1）：2.2 kOhms・抵抗 - エミッタベース（R2）：47 kOhms・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイ
    ￥57.15 税込￥62.86
  • 33

    【BSP170PH6327XTSA1】MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4

    【BSP170PH6327XTSA1】MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SIPMOS®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.9A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：300ミリオーム @ 1.9A、1
    ￥287.15 税込￥315.86
  • 34

    【MCU80N03A-TP】MOSFET N-CH 30V 80A DPAK [digi-reel品] DigiReel商品

    【MCU80N03A-TP】MOSFET N-CH 30V 80A DPAK [digi-reel品]
    メーカー名：
    MCC (Micro Commercial Components)
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：80A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.5ミリオーム @ 20A、10V・I
    ￥261.43 税込￥287.57
  • 35

    【DMG3402L-7】MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

    【DMG3402L-7】MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：52ミリオーム @ 4A、10V・Id印
    ￥121.43 税込￥133.57
  • 36

    【DTC113ZU3T106】TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3

    【DTC113ZU3T106】TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN - プリバイアス・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・抵抗器を含む：R1とR2・抵抗 - ベース（R1）：1 kOhms・抵抗 - エミッタベース（R2）：10 kOhms・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン
    ￥47.15 税込￥51.86
  • 37

    【2SC2712-GR,LF】TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI [digi-reel品] DigiReel商品

    【2SC2712-GR,LF】TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI [digi-reel品]
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：150 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：250mV @ 10mA、100mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）
    ￥50.00 税込￥55.00
  • 38

    【SCT4026DRC15】750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

    【SCT4026DRC15】750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：750 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：56A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：34ミリオーム @ 29A、18V・Id印加時のVgs（th
    ￥4,068.24 税込￥4,475.06
  • 39

    【HER208GH】DIODE STANDARD 1000V 2A DO204AC

    【HER208GH】DIODE STANDARD 1000V 2A DO204AC
    メーカー名：
    Taiwan Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1000 V・電流 - 平均整流（Io）：2A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.7 V @ 2 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：75 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA @ 1
    ￥125.72 税込￥138.29
  • 40

    【IRFP9140NPBF】MOSFET P-CH 100V 23A TO247AC

    【IRFP9140NPBF】MOSFET P-CH 100V 23A TO247AC
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：23A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：117ミリオーム @ 13A、10V・Id印加時
    ￥701.39 税込￥771.52
  • 41

    【NRVHPM260T3G】DIODE STANDARD 600V 2A POWERMITE

    【NRVHPM260T3G】DIODE STANDARD 600V 2A POWERMITE
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：POWERMITE®・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）：2A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：3.8 V @ 2 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：30 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：
    ￥215.72 税込￥237.29
  • 42

    【IRF730APBF】MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB

    【IRF730APBF】MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：400 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1オーム @ 3.3A、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥655.56 税込￥721.11
  • 43

    【IPI086N10N3GXKSA1】MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3

    【IPI086N10N3GXKSA1】MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：80A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8.6ミリオーム @ 73A、10V・I
    ￥558.34 税込￥614.17
  • 44

    【TIP32C】TRANS PNP 100V 3A TO-220

    【TIP32C】TRANS PNP 100V 3A TO-220
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：・電流 - コレクタ遮断（最大）：・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：・電力 - 最大：・周波数 - トランジション：・動作温度：・グレード：・認定：・取り
    ￥248.58 税込￥273.43
  • 45

    【DTC143EU3T106】TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 [digi-reel品] DigiReel商品

    【DTC143EU3T106】TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN - プリバイアス・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・抵抗器を含む：R1とR2・抵抗 - ベース（R1）：4.7 kOhms・抵抗 - エミッタベース（R2）：4.7 kOhms・Ic、Vce印加時のDC電流ゲ
    ￥47.15 税込￥51.86
  • 46

    【SQ3418EV-T1_GE3】MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP

    【SQ3418EV-T1_GE3】MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 5
    ￥268.58 税込￥295.43
  • 47

    【BYV26EGP-E3/73】DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO204AC

    【BYV26EGP-E3/73】DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO204AC
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SUPERECTIFIER®・技術：アバランチ・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1000 V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：2.5 V @ 1 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：75 ns・電流 - Vr印加
    ￥94.29 税込￥103.71
  • 48

    【JFE2140DR】JFET 2N-CH 40V 50MA 8SOIC

    【JFE2140DR】JFET 2N-CH 40V 50MA 8SOIC
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：2 Nチャンネル（デュアル）・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：40 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：50 mA・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：1.5 V @
    ￥1,087.68 税込￥1,196.44
  • 49

    【RB511VM-30TE-17】DIODE SCHOTTKY 30V 100MA UMD2

    【RB511VM-30TE-17】DIODE SCHOTTKY 30V 100MA UMD2
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：30 V・電流 - 平均整流（Io）：100mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：370 mV @ 10 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：7 µA
    ￥61.43 税込￥67.57
  • 50

    【SI4103DY-T1-GE3】MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO

    【SI4103DY-T1-GE3】MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET® Gen III・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：14A（Ta）、16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds O
    ￥330.00 税込￥363.00
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