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ディスクリート半導体製品（DigiKey）

検索結果 286,065件中1～50件目
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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【TZ600N16KOFHPSA1】SCR MODULE 1.6KV 1050A MODULE

    【TZ600N16KOFHPSA1】SCR MODULE 1.6KV 1050A MODULE
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・構造：直列接続 - 全SCR・SCR、ダイオードの数：1 SCR・電圧 - オフ状態：1.6 kV・電流 - オン状態（It（AV））（最大）：669 A・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：1050 A・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：2.2 V・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：250 mA・
    ￥40,223.66 税込￥44,246.02
  • 2

    【TK065U65Z,RQ】DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ

    【TK065U65Z,RQ】DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：DTMOSVI・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：38A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 19A、10V
    ￥2,134.12 税込￥2,347.53
  • 3

    【IAUT260N10S5N019ATMA1】MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF

    【IAUT260N10S5N019ATMA1】MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：260A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.9ミリオーム @
    ￥1,284.62 税込￥1,413.08
  • 4

    【DTA143ZEBTL】TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F

    【DTA143ZEBTL】TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP - プリバイアス・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・抵抗器を含む：R1とR2・抵抗 - ベース（R1）：4.7 kOhms・抵抗 - エミッタベース（R2）：47 kOhms・Ic、Vce印加時のDC電流ゲ
    ￥9.39 税込￥10.32
  • 5

    【CRS10I40A(TE85L,QM】DIODE STANDARD 40V 1A SFLAT

    【CRS10I40A(TE85L,QM】DIODE STANDARD 40V 1A SFLAT
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：40 V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：490 mV @ 700 mA・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：60 µA @ 40
    ￥157.15 税込￥172.86
  • 6

    【STPSC20065GY-TR】DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK

    【STPSC20065GY-TR】DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：ECOPACK®2・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：650 V・電流 - 平均整流（Io）：20A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.45 V @ 20 A・速度：ゼロ回復時間 > 500mA（Io）・逆回復時間（trr）：0
    ￥1,514.64 税込￥1,666.10
  • 7

    【IXYH30N450HV】IGBT PT 4500V 60A TO-247HV

    【IXYH30N450HV】IGBT PT 4500V 60A TO-247HV
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：XPT™・IGBTタイプ：PT・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：4500 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：60 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：200 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：3.9V @ 15V、30A・電力 - 最大：430 W・スイッチングエネルギー：-・入力タイ
    ￥15,673.57 税込￥17,240.92
  • 8

    【NT9001HDAE4S-ES】DIODE FOR 1W CLASS RECTIFIER

    【NT9001HDAE4S-ES】DIODE FOR 1W CLASS RECTIFIER
    メーカー名：
    日清紡マイクロデバイス(新日本無線・JRC)
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：逆並列・電圧 - ピーク逆方向（最大）：20V・電流 - 最大：600 mA・Vr、F印加時の静電容量：0.4pF @ 2V、100MHz・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：920 mW・動作温度：150°C（TJ）・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：4-XFDFN露出パ
    ￥1,461.73 税込￥1,607.90
  • 9

    【CMPP6028 TR PBFREE】PROGRAMMABLE UJT SOT-23

    【CMPP6028 TR PBFREE】PROGRAMMABLE UJT SOT-23
    メーカー名：
    Central Semiconductor Corp
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・電圧：40V・電力散逸（最大）：167 mW・電圧 - 出力：6V・電圧 - オフセット（Vt）：600 mV・電流 - ゲートアノード間リーケージ（Igao）：10 nA・電流 - 谷（Iv）：25 µA・電流 - ピーク：150 nA・パッケージ/ケース：TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
    ￥945.84 税込￥1,040.42
  • 10

    【FDPF33N25T】MOSFET N-CH 250V 33A TO220F

    【FDPF33N25T】MOSFET N-CH 250V 33A TO220F
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：UniFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：33A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：94ミリオーム @ 16.5A、10V・Id印加
    ￥786.12 税込￥864.73
  • 11

    【BYT51D-TR】DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SOD57

    【BYT51D-TR】DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SOD57
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：アバランチ・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：200 V・電流 - 平均整流（Io）：1.5A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 1 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：4 µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA
    ￥573.62 税込￥630.98
  • 12

    【BLP5LA55SGXY】RF MOSFET LDMOS 15V TO270

    【BLP5LA55SGXY】RF MOSFET LDMOS 15V TO270
    メーカー名：
    Ampleon USA Inc.
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：LDMOS・構成：Nチャンネル・周波数：520MHz・ゲイン：19.6dB・電圧 - テスト：15 V・定格電流（A）：1.4µA・雑音指数：-・電流 - テスト：893 mA・電源 - 出力：55W・電圧 - 定格：30 V・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：TO-2
    ￥5,180.00 税込￥5,698.00
  • 13

    【SPD15P10PGATMA1】MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

    【SPD15P10PGATMA1】MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SIPMOS®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：240ミリオーム @ 10.6A、
    ￥645.84 税込￥710.42
  • 14

    【RBR3LAM40CTR】DIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDTM

    【RBR3LAM40CTR】DIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDTM
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：40 V・電流 - 平均整流（Io）：3A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：550 mV @ 3 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：100 µA @
    ￥174.29 税込￥191.71
  • 15

    【NTD24N06LT4G】MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

    【NTD24N06LT4G】MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：24A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：45ミリオーム @ 10A、5V・Id印加時のVg
    ￥611.12 税込￥672.23
  • 16

    【NT9000HDAE4S-ES】DIODE FOR 1W CLASS RECTIFIER

    【NT9000HDAE4S-ES】DIODE FOR 1W CLASS RECTIFIER
    メーカー名：
    日清紡マイクロデバイス(新日本無線・JRC)
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：逆並列・電圧 - ピーク逆方向（最大）：20V・電流 - 最大：300 mA・Vr、F印加時の静電容量：0.2pF @ 2V、100MHz・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：920 mW・動作温度：150°C（TJ）・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：4-XFDFN露出パ
    ￥1,461.73 税込￥1,607.90
  • 17

    【RBR3MM60ATFTR】DIODE SCHOTTKY 60V 3A PMDU

    【RBR3MM60ATFTR】DIODE SCHOTTKY 60V 3A PMDU
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：60 V・電流 - 平均整流（Io）：3A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：660 mV @ 3 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：100 µA @
    ￥26.86 税込￥29.54
  • 18

    【GP2T080A120H】SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L

    【GP2T080A120H】SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：35A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 20A、20V・Id印加時のVgs（
    ￥1,757.15 税込￥1,932.86
  • 19

    【FJP5555TU】TRANS NPN 400V 5A TO-220-3

    【FJP5555TU】TRANS NPN 400V 5A TO-220-3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：5 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：400 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.5V @ 1A、3.5A・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：20 @ 800mA、3V・電力
    ￥400.00 税込￥440.00
  • 20

    【FP50R12KT3BOSA1】IGBT MOD 1200V 75A 280W MOD

    【FP50R12KT3BOSA1】IGBT MOD 1200V 75A 280W MOD
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・IGBTタイプ：-・構成：3相インバータ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：1200 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：75 A・電力 - 最大：280 W・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2.15V @ 15V、50A・電流 - コレクタ遮断（最大）：5 mA・入力静電容量（Cies） @
    ￥18,991.96 税込￥20,891.15
  • 21

    【1N4004-E3/73】DIODE STANDARD 400V 1A DO204AL

    【1N4004-E3/73】DIODE STANDARD 400V 1A DO204AL
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：400 V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 1 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA @ 400 V・
    ￥135.72 税込￥149.29
  • 22

    【MA4P1250NM-1072T】RF DIODE PIN 100V 6W

    【MA4P1250NM-1072T】RF DIODE PIN 100V 6W
    メーカー名：
    MACOM Technology Solutions
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：PIN - シングル・電圧 - ピーク逆方向（最大）：100V・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：1.2pF @ 50V、1MHz・If、F印加時の抵抗：750ミリオーム @ 50mA、100MHz・電力散逸（最大）：6 W・動作温度：-55°C～175°C（TJ）・グレード：-
    ￥2,723.53 税込￥2,995.88
  • 23

    【STL115N10F7AG】MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT

    【STL115N10F7AG】MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：STripFET™ F7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：107A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6ミリオーム @ 53
    ￥858.34 税込￥944.17
  • 24

    【BSC320N20NS3GATMA1】MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【BSC320N20NS3GATMA1】MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：36A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 36A、10V
    ￥891.67 税込￥980.83
  • 25

    【SI2301CDS-T1-E3】MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

    【SI2301CDS-T1-E3】MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.1A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：112ミリオーム
    ￥184.29 税込￥202.71
  • 26

    【DTA023YUBTL】TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F

    【DTA023YUBTL】TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：DTA023Y・トランジスタタイプ：PNP - プリバイアス・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・抵抗器を含む：R1のみ・抵抗 - ベース（R1）：2.2 kOhms・抵抗 - エミッタベース（R2）：-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン
    ￥62.86 税込￥69.14
  • 27

    【IPP015N04NF2SAKMA1】TRENCH PG-TO220-3

    【IPP015N04NF2SAKMA1】TRENCH PG-TO220-3
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：*・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgsでのゲートチャージ（Q
    ￥802.78 税込￥883.05
  • 28

    【MJ15022G】TRANS NPN 200V 16A TO204

    【MJ15022G】TRANS NPN 200V 16A TO204
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：16 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：200 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：4V @ 3.2A、16A・電流 - コレクタ遮断（最大）：500µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：15 @ 8A、4V・電力
    ￥2,014.12 税込￥2,215.53
  • 29

    【UF5403-E3/54】DIODE STANDARD 300V 3A DO201AD

    【UF5403-E3/54】DIODE STANDARD 300V 3A DO201AD
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：300 V・電流 - 平均整流（Io）：3A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1 V @ 3 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：50 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 µA @ 300
    ￥361.43 税込￥397.57
  • 30

    【SK520AFLQ-TP】DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO221AC

    【SK520AFLQ-TP】DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO221AC
    メーカー名：
    MCC (Micro Commercial Components)
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：200 V・電流 - 平均整流（Io）：5A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：900 mV @ 5 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA @ 2
    ￥212.86 税込￥234.14
  • 31

    【RN2402,LXHF】TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI

    【RN2402,LXHF】TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP - プリバイアス・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・抵抗器を含む：R1とR2・抵抗 - ベース（R1）：10 kOhms・抵抗 - エミッタベース（R2）：10 kOhms・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイ
    ￥84.29 税込￥92.71
  • 32

    【BAT43-TAP】DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO204AH

    【BAT43-TAP】DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO204AH
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：30 V・電流 - 平均整流（Io）：200mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：450 mV @ 15 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：5 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：50
    ￥121.43 税込￥133.57
  • 33

    【IGC033S101XTMA1】GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN

    【IGC033S101XTMA1】GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：CoolGaN™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：21A（Ta）、76A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.3ミリオーム
    ￥1,069.87 税込￥1,176.85
  • 34

    【TPH14006NH,L1Q】MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV

    【TPH14006NH,L1Q】MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVIII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：14A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @
    ￥391.43 税込￥430.57
  • 35

    【SCT4013DRC15】750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

    【SCT4013DRC15】750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：750 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：105A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16.9ミリオーム @ 58A、18V・Id印加時のVgs
    ￥7,601.15 税込￥8,361.26
  • 36

    【D2SB60】BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A GBL

    【D2SB60】BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A GBL
    メーカー名：
    Taiwan Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：標準・電圧 - ピーク逆方向（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）：2 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 15 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 µA @ 600 V・動作温度：-55°C～150°C（TJ）・グレード：-・認定：-・取り付け
    ￥291.43 税込￥320.57
  • 37

    【RMPG06G-E3/73】DIODE STANDARD 400V 1A MPG06

    【RMPG06G-E3/73】DIODE STANDARD 400V 1A MPG06
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：400 V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.3 V @ 1 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：150 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA @ 4
    ￥291.43 税込￥320.57
  • 38

    【VS-30CTQ060STRL-M3】DIODE ARR SCHOTT 60V 15A TO263AB

    【VS-30CTQ060STRL-M3】DIODE ARR SCHOTT 60V 15A TO263AB
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオード構成：1組共通カソード・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：60 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：15A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：620 mV @ 15 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）
    ￥875.00 税込￥962.50
  • 39

    【SD101A-TAP】DIODE SCHOTTKY 60V 30MA DO204AH

    【SD101A-TAP】DIODE SCHOTTKY 60V 30MA DO204AH
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SD101・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：60 V・電流 - 平均整流（Io）：30mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1 V @ 15 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：200 n
    ￥97.15 税込￥106.86
  • 40

    【MJE15032G】TRANS NPN 250V 8A TO-220

    【MJE15032G】TRANS NPN 250V 8A TO-220
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：250 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：10µA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：10 @ 2
    ￥733.34 税込￥806.67
  • 41

    【MA4P7438-287T】RF DIODE PIN 200V 250MW SOT-23

    【MA4P7438-287T】RF DIODE PIN 200V 250MW SOT-23
    メーカー名：
    MACOM Technology Solutions
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SMPP・ダイオードタイプ：PIN - シングル・電圧 - ピーク逆方向（最大）：200V・電流 - 最大：150 mA・Vr、F印加時の静電容量：0.35pF @ 20V、1MHz・If、F印加時の抵抗：10オーム @ 10mA、100MHz・電力散逸（最大）：250 mW・動作温度：175°C（TJ）・グレー
    ￥551.43 税込￥606.57
  • 42

    【DTC123JMT2L】TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 [digi-reel品] DigiReel商品

    【DTC123JMT2L】TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN - プリバイアス・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・抵抗器を含む：R1とR2・抵抗 - ベース（R1）：2.2 kOhms・抵抗 - エミッタベース（R2）：47 kOhms・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイ
    ￥77.15 税込￥84.86
  • 43

    【TK9J90E,S1E】MOSFET N-CH 900V 9A TO3P

    【TK9J90E,S1E】MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：900 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.3オーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥1,016.44 税込￥1,118.08
  • 44

    【ISL9V3040D3ST】IGBT 430V 21A TO-252AA [digi-reel品] DigiReel商品

    【ISL9V3040D3ST】IGBT 430V 21A TO-252AA [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：EcoSPARK®・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：430 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：21 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：-・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：1.6V @ 4V、6A・電力 - 最大：150 W・スイッチングエネルギー：-・入
    ￥743.06 税込￥817.36
  • 45

    【IKW30N65H5XKSA1】IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3

    【IKW30N65H5XKSA1】IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：TRENCHSTOP™・IGBTタイプ：トレンチ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：650 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：55 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：90 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：2.1V @ 15V、30A・電力 - 最大：188 W・スイッチングエネルギー
    ￥1,032.88 税込￥1,136.16
  • 46

    【NV6044C】GANFET DISCRETE 650V 260MOHM DPA

    【NV6044C】GANFET DISCRETE 650V 260MOHM DPA
    メーカー名：
    Navitas Semiconductor Inc.
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：GaNFast™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：700 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6.8V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：364ミリオーム @ 2.5A
    ￥908.34 税込￥999.17
  • 47

    【SB540-E3/54】DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO201AD

    【SB540-E3/54】DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO201AD
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：40 V・電流 - 平均整流（Io）：5A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：480 mV @ 5 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：500 µA @
    ￥332.86 税込￥366.14
  • 48

    【2SA1162-GR,LF】TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI

    【2SA1162-GR,LF】TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：150 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：300mV @ 10mA、100mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE
    ￥45.72 税込￥50.29
  • 49

    【BZX84B6V8LYT116】DIODE ZENER 6.8V 250MW SOT23

    【BZX84B6V8LYT116】DIODE ZENER 6.8V 250MW SOT23
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：6.8 V・許容誤差：±2.06%・電力 - 最大：250 mW・インピーダンス（最大）（Zzt）：15 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：2 µA @ 4 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：-・動作温度：150°C・グレード：-・認定：-・取り付
    ￥90.00 税込￥99.00
  • 50

    【MJE15033G】TRANS PNP 250V 8A TO-220

    【MJE15033G】TRANS PNP 250V 8A TO-220
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：250 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：10µA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：10 @ 2
    ￥748.62 税込￥823.48
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