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ディスクリート半導体製品（DigiKey）

検索結果 291,736件中1～50件目
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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【NXH010P120MNF1PG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

    【NXH010P120MNF1PG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（
    ￥23,263.64 税込￥25,590.00
  • 2

    【NXH010P120MNF1PTG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

    【NXH010P120MNF1PTG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（
    ￥23,263.64 税込￥25,590.00
  • 3

    【IAUMN10S5N017GAUMA1】MOSFET_(75V 120V(

    【IAUMN10S5N017GAUMA1】MOSFET_(75V 120V(
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.7ミリオーム @
    ￥948.62 税込￥1,043.48
  • 4

    【TW045N120C,S1F】G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO

    【TW045N120C,S1F】G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：40A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：59ミリオーム @ 20A、18V・Id印加時のVgs（t
    ￥5,304.60 税込￥5,835.06
  • 5

    【NZX30B,133】DIODE ZENER 29.9V 500MW ALF2

    【NZX30B,133】DIODE ZENER 29.9V 500MW ALF2
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：NZX・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：29.9 V・許容誤差：±2%・電力 - 最大：500 mW・インピーダンス（最大）（Zzt）：100 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：50 nA @ 21 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.5 V @ 200 mA・動作温度：-55°C
    ￥41.43 税込￥45.57
  • 6

    【NVMFS3D0P04M8LT1G】MV8 P INITIAL PROGRAM

    【NVMFS3D0P04M8LT1G】MV8 P INITIAL PROGRAM
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：28A（Ta）、183A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.7ミリオーム @
    ￥823.62 税込￥905.98
  • 7

    【DSEI2X101-06A】DIODE MODULE GP 600V 96A SOT227B

    【DSEI2X101-06A】DIODE MODULE GP 600V 96A SOT227B
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・ダイオード構成：2独立・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：96A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.25 V @ 100 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：50 ns・電流 - Vr
    ￥6,556.33 税込￥7,211.96
  • 8

    【BAT41】DIODE SCHOTTKY 100V 100MA DO35

    【BAT41】DIODE SCHOTTKY 100V 100MA DO35
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    最小4,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：100 V・電流 - 平均整流（Io）：100mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：450 mV @ 1 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：100 n
    ￥5.50 税込￥6.05
  • 9

    【TPH1R403NL,L1Q】MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP

    【TPH1R403NL,L1Q】MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVIII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：60A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.4ミリオーム
    ￥490.00 税込￥539.00
  • 10

    【VS-QA250FA20】DIODE MOD SCHOT 200V 250A SOT227

    【VS-QA250FA20】DIODE MOD SCHOT 200V 250A SOT227
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・ダイオード構成：2独立・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：200 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：250A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.2 V @ 200 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：54 ns・電流
    ￥5,220.69 税込￥5,742.75
  • 11

    【SSM6J808R,LF】SSM6J808R PチャンネルMOSFET(digi-reel品) DigiReel商品

    【SSM6J808R,LF】SSM6J808R PチャンネルMOSFET(digi-reel品)
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：35ミリオーム @ 2.5A、10V・Id印加
    ￥214.29 税込￥235.71
  • 12

    【IKCM30F60GDXKMA1】IGBT IPM 600V 30A 24-PWRDIP MOD

    【IKCM30F60GDXKMA1】IGBT IPM 600V 30A 24-PWRDIP MOD
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CIPOS™・タイプ：IGBT・構成：3相・電流：30 A・電圧：600 V・電圧 - 絶縁：2000Vrms・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：スルーホール・パッケージ/ケース：24-PowerDIPモジュール（1.028インチ、26.10mm）
    ￥3,532.95 税込￥3,886.24
  • 13

    【NJVMJD243T4G】TRANS NPN 100V 4A DPAK

    【NJVMJD243T4G】TRANS NPN 100V 4A DPAK
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：4 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：100 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：600mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小
    ￥282.86 税込￥311.14
  • 14

    【DMN1017UCP3-7】MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3

    【DMN1017UCP3-7】MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、3.3V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 5A、3.3V
    ￥202.86 税込￥223.14
  • 15

    【NJVMJD253T4G】TRANS PNP 100V 4A DPAK

    【NJVMJD253T4G】TRANS PNP 100V 4A DPAK
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：-・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：4 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：100 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：600mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：
    ￥294.29 税込￥323.71
  • 16

    【NZX5V6B,133】DIODE ZENER 5.45V 500MW ALF2

    【NZX5V6B,133】DIODE ZENER 5.45V 500MW ALF2
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：NZX・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：5.45 V・許容誤差：±2%・電力 - 最大：500 mW・インピーダンス（最大）（Zzt）：40 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA @ 2 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.5 V @ 200 mA・動作温度：-55°C～17
    ￥40.00 税込￥44.00
  • 17

    【UMH11N-TP】TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363

    【UMH11N-TP】TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
    メーカー名：
    MCC (Micro Commercial Components)
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：2 NPN - プリバイアス（デュアル）・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：50mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50V・抵抗 - ベース（R1）：10キロオーム・抵抗 - エミッタベース（R2）：10キロオーム・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）
    ￥84.29 税込￥92.71
  • 18

    【IKZA75N65EH7XKSA1】TRENCHSTOP IGBT(650V/80A)

    【IKZA75N65EH7XKSA1】TRENCHSTOP IGBT(650V/80A)
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：TRENCHSTOP™・IGBTタイプ：トレンチ型フィールドストップ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：650 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：80 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：300 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：1.65V @ 15V、75A・電力 - 最大：338 W
    ￥1,470.38 税込￥1,617.41
  • 19

    【V10P10-M3/86A】DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A

    【V10P10-M3/86A】DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：eSMP®, TMBS®・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：100 V・電流 - 平均整流（Io）：10A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：680 mV @ 10 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆
    ￥195.72 税込￥215.29
  • 20

    【BSS138BWAHZGT106】NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI

    【BSS138BWAHZGT106】NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：380mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：680ミリオーム @ 380mA、
    ￥121.43 税込￥133.57
  • 21

    【UJ3N065025K3S】JFET N-CH 650V 85A TO247-3

    【UJ3N065025K3S】JFET N-CH 650V 85A TO247-3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：650 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：85 A・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）
    ￥3,935.30 税込￥4,328.83
  • 22

    【RD3L03BBGTL1】NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE

    【RD3L03BBGTL1】NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：35A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：11.3ミリオーム @ 35A、10V
    ￥544.29 税込￥598.71
  • 23

    【BAT46】DIODE SCHOTTKY 100V 150MA DO35

    【BAT46】DIODE SCHOTTKY 100V 150MA DO35
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    最小4,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：100 V・電流 - 平均整流（Io）：150mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：450 mV @ 10 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA
    ￥4.39 税込￥4.82
  • 24

    【TK5R3A06PL,S4X】X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

    【TK5R3A06PL,S4X】X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：56A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.3ミリオーム @ 28A、10V・Id印加時のV
    ￥497.15 税込￥546.86
  • 25

    【YQ1MM10ATFTR】TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 1A,

    【YQ1MM10ATFTR】TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 1A,
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：100 V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：620 mV @ 1 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 µA @
    ￥154.29 税込￥169.71
  • 26

    【1N5404-E3/54】DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD

    【1N5404-E3/54】DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：400 V・電流 - 平均整流（Io）：3A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.2 V @ 3 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA @ 400 V・
    ￥72.86 税込￥80.14
  • 27

    【JANS1N5806US】DIODE STANDARD 150V 1A D5A

    【JANS1N5806US】DIODE STANDARD 150V 1A D5A
    メーカー名：
    Microchip
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：150 V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：875 mV @ 1 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：25 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA @ 150 V・Vr、
    ￥3,417.65 税込￥3,759.41
  • 28

    【RD3L07BATTL1】PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3

    【RD3L07BATTL1】PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：70A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12.7ミリオーム @ 70A、10V
    ￥702.78 税込￥773.05
  • 29

    【NSVRB751V40T1G】DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD323

    【NSVRB751V40T1G】DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD323
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：30 V・電流 - 平均整流（Io）：30mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：370 mV @ 1 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：500 nA
    ￥55.72 税込￥61.29
  • 30

    【C3M0075120K】車載用SiC NチャンネルパワーMOSFET(1200V/30A)

    【C3M0075120K】車載用SiC NチャンネルパワーMOSFET(1200V/30A)
    メーカー名：
    Wolfspeed
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：C3M™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：90ミリオーム @ 20A、15V・Id印加時のVg
    ￥1,871.77 税込￥2,058.94
  • 31

    【VB60100C-E3/4W】DIODE ARR SCHOT 100V 30A TO263AB

    【VB60100C-E3/4W】DIODE ARR SCHOT 100V 30A TO263AB
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：TMBS®・ダイオード構成：1組共通カソード・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：100 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：30A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：790 mV @ 30 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-
    ￥398.58 税込￥438.43
  • 32

    【SCT3080KLHRC11】SICFET N-CH 1200V 31A TO247N

    【SCT3080KLHRC11】SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：31A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：104ミリオーム @ 10A、18V・Id印加時のVgs（
    ￥5,241.18 税込￥5,765.29
  • 33

    【DTH3006D】DIODE STANDARD 600V 30A TO220AC

    【DTH3006D】DIODE STANDARD 600V 30A TO220AC
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）：30A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：2.4 V @ 30 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：45 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：100 µA @ 600 V
    ￥365.72 税込￥402.29
  • 34

    【FDMC7200】MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33

    【FDMC7200】MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23.5ミリオーム @ 6A、10V・Id印加
    ￥250.00 税込￥275.00
  • 35

    【TIP102G】TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220

    【TIP102G】TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN - ダーリントン・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：100 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：2.5V @ 80mA、8A・電流 - コレクタ遮断（最大）：50µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：1000
    ￥490.00 税込￥539.00
  • 36

    【IRFB4615PBF】MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB

    【IRFB4615PBF】MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：35A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：39ミリオーム @ 21A、10V・Id印加時の
    ￥487.15 税込￥535.86
  • 37

    【HN4C51J(TE85L,F)】TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV

    【HN4C51J(TE85L,F)】TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：2 NPN（デュアル）コモンベース・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：120V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：300mV @ 1mA、10mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時の
    ￥141.43 税込￥155.57
  • 38

    【TIP107G】TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220

    【TIP107G】TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP - ダーリントン・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：100 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：2.5V @ 80mA、8A・電流 - コレクタ遮断（最大）：50µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：1000
    ￥384.29 税込￥422.71
  • 39

    【IPP600N25N3GXKSA1】MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3

    【IPP600N25N3GXKSA1】MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：25A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 25A、10V・Id印加時
    ￥776.39 税込￥854.02
  • 40

    【CMOD3003 TR PBFREE】DIODE STANDARD 180V 200MA SOD523

    【CMOD3003 TR PBFREE】DIODE STANDARD 180V 200MA SOD523
    メーカー名：
    Central Semiconductor Corp
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：180 V・電流 - 平均整流（Io）：200mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 200 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 nA @
    ￥168.58 税込￥185.43
  • 41

    【RF071L4STFTE25】DIODE STANDARD 400V 1A PMDS

    【RF071L4STFTE25】DIODE STANDARD 400V 1A PMDS
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：400 V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.25 V @ 700 mA・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：25 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 µA
    ￥128.58 税込￥141.43
  • 42

    【STPS30H100CW】DIODE ARR SCHOT 100V 15A TO247-3

    【STPS30H100CW】DIODE ARR SCHOT 100V 15A TO247-3
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・ダイオード構成：1組共通カソード・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：100 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：15A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：800 mV @ 15 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流
    ￥566.67 税込￥623.33
  • 43

    【SSM6N40TU,LF】MOSFET 2N-CH 30V 1.6A UF6

    【SSM6N40TU,LF】MOSFET 2N-CH 30V 1.6A UF6
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、4V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：122ミリオーム @ 1A、10V・Id印加時の
    ￥140.00 税込￥154.00
  • 44

    【1N5920BRLG】DIODE ZENER 6.2V 3W AXIAL

    【1N5920BRLG】DIODE ZENER 6.2V 3W AXIAL
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：6.2 V・許容誤差：±5%・電力 - 最大：3 W・インピーダンス（最大）（Zzt）：2 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA @ 4 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.5 V @ 200 mA・動作温度：-65°C～200°C・グレー
    ￥91.43 税込￥100.57
  • 45

    【C4D02120A】SiCショットキーダイオード(1200V/10A)

    【C4D02120A】SiCショットキーダイオード(1200V/10A)
    メーカー名：
    Wolfspeed
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：Z-Rec®・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1200 V・電流 - 平均整流（Io）：10A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.8 V @ 2 A・速度：回復時間なし > 500mA（Io）・逆回復時間（trr）：0 ns・電流 - Vr印
    ￥644.45 税込￥708.89
  • 46

    【RD3L04BBKHRBTL】NCH 60V 40A, TO-252 (DPAK), POWE

    【RD3L04BBKHRBTL】NCH 60V 40A, TO-252 (DPAK), POWE
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：40A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.5ミリオーム @ 40A、10V
    ￥445.72 税込￥490.29
  • 47

    【SSM3K361R,LF】MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F

    【SSM3K361R,LF】MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVIII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：69ミリオーム
    ￥177.15 税込￥194.86
  • 48

    【VS-UFB130FA20】DIODE MODULE GP 200V 65A SOT-227

    【VS-UFB130FA20】DIODE MODULE GP 200V 65A SOT-227
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・ダイオード構成：2独立・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：200 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：65A（DC）・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.13 V @ 60 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：42 ns・電流 -
    ￥5,028.24 税込￥5,531.06
  • 49

    【BSC0909NSATMA1】MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON

    【BSC0909NSATMA1】MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：34 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：12A（Ta）、44A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.2ミ
    ￥205.72 税込￥226.29
  • 50

    【S-102T】DIODE CUR REG 100V 1.3MA 500MW

    【S-102T】DIODE CUR REG 100V 1.3MA 500MW
    メーカー名：
    SEMITEC
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：S・アノード/カソード間電圧 （Vak）（最大）：100V・レギュレータ電流（最大）：1.3mA・電圧 - 制限（最大）：1.7V・電力 - 最大：500mW・用途：電池充電器・動作温度：-40°C～150°C・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：2-SMD、フラットリード・サプラ
    ￥498.58 税込￥548.43
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