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ディスクリート半導体製品(DigiKey)

検索結果 343,367件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
  • メーカー名:
    NXP
    型番:
    出荷予定日:
    最小1,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:LDMOS・構成:-・周波数:520MHz・ゲイン:20.9dB・電圧 - テスト:7.5 V・定格電流(A):-・雑音指数:-・電流 - テスト:100 mA・電源 - 出力:4.9W・電圧 - 定格:30 V・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:TO-243AA・サプ
    196.87 税込¥216.55
  • メーカー名:
    Skyworks Solutions Inc
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・Vr、F印加時の静電容量:2pF @ 6V、50MHz・静電容量比:3.4・静電容量比条件:C1/C6・電圧 - ピーク逆方向(最大):15 V・ダイオードタイプ:シングル・Vr、F印加時のQ:-・動作温度:-55°C~125°C(TJ)・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:S
    240.00 税込¥264.00
  • メーカー名:
    MACOM Technology Solutions
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル・周波数:150MHz・ゲイン:11.8dB・電圧 - テスト:28 V・定格電流(A):13A・雑音指数:3dB・電流 - テスト:2 A・電源 - 出力:125W・電圧 - 定格:65 V・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:-・パッケージ/ケース:211-11、ス
    14,032.19 税込¥15,435.40
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:アバランチ・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):1600 V・電流 - 平均整流(Io):800mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.25 V @ 400 mA・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):400 ns・電流 - Vr印加時の逆方向
    102.86 税込¥113.14
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP - プリバイアス・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50 V・Resistors Included:R1とR2・抵抗 - ベース(R1):2.2 kOhms・抵抗 - エミッタベース(R2):2.2 kOhms・Ic
    130.00 税込¥143.00
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:DTMOSIV・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):820ミリオーム @ 3.1A、1
    734.73 税込¥808.20
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):450 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1V @ 20mA、200mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):12 @ 40mA
    391.43 税込¥430.57
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):700 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):40A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):58ミリオーム @ 5.5A、6V・Id印加時
    1,917.65 税込¥2,109.41
  • メーカー名:
    MACOM Technology Solutions
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):35V・周波数 - トランジション:-・雑音指数(fあたりの標準dB):-・ゲイン:13dB・電力 - 最大:150W・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):15 @ 5A、5V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):20A・動作温度
    24,700.00 税込¥27,170.00
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:2 NPN(デュアル)・電流 - コレクタ(Ic)(最大):150mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:250mV @ 10mA、100mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲ
    74.29 税込¥81.71
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):32 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:600mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):1µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最
    95.72 税込¥105.29
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TRENCHSTOP™ 5・IGBTタイプ:トレンチ型フィールドストップ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):650 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):80 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):200 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:1.7V @ 15V、50A・電力 -
    895.84 税込¥985.42
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30 V・電流 - 平均整流(Io):2A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):490 mV @ 2 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:50 µA @ 3
    172.86 税込¥190.14
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):15 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):10 mA @ 5 V・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):300 mV @
    147.15 税込¥161.86
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSIX-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):120A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.9ミリオーム @ 6
    551.43 税込¥606.57
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・ダイオード構成:2独立・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):80A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):800 mV @ 80 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印
    4,311.77 税込¥4,742.94
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・トランジスタタイプ:1 NPN、1 PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):30V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.4V @ 30mA、300mA・電流 - コレクタ遮断(最大):30nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(
    145.72 税込¥160.29
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):195A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.4ミリオーム @ 1
    858.34 税込¥944.17
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):80A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4.1ミリオーム @ 40A、10V・Id印加時の
    598.62 税込¥658.48
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トライアックタイプ:標準・電圧 - オフ状態:800 V・電流 - オン状態(It(RMS))(最大):40 A・電圧 - ゲートトリガ(Vgt)(最大):1.3 V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz(Itsm):400A、420A・電流 - ゲートトリガ(Igt)(最大):50 mA・電流 - ホールド(Ih)(
    1,928.24 税込¥2,121.06
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):800 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):45 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:700mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):160 @ 10
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SUPERECTIFIER®・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):1000 V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 1 A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):3 µs・電流 - Vr印加時の逆方
    122.86 税込¥135.14
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・技術:SiC(Silicon Carbide)Schottky・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):1200 V・電流 - 平均整流(Io):2A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.6 V @ 5 A・速度:回復時間なし > 500mA(Io)・逆回復時間(trr):0 ns・電流 - Vr印加時の逆方向
    733.34 税込¥806.67
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30 V・電流 - 平均整流(Io):5A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:150 µA @ 30 V・Vr、F印加時
    167.15 税込¥183.86
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:CoolGaN™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):21A(Ta)、76A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.3ミリオーム
    474.29 税込¥521.71
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):19A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):200ミリオーム @ 11A、10V・Id印加
    558.58 税込¥614.43
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):28A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):77ミリオーム @ 17A、10V・Id印加時のVgs(th
    371.43 税込¥408.57
  • メーカー名:
    Microchip
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):150 V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):875 mV @ 1 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):25 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:1 µA @ 150 V・Vr、
    1,221.34 税込¥1,343.47
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):40 V・電流 - 平均整流(Io):200mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):540 mV @ 200 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:90 µA
    87.15 税込¥95.86
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(Cascode SiCJFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):53A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):12V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):39ミリオーム @ 20A、12V・I
    3,647.06 税込¥4,011.76
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:TrenchFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):150A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):7.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.4ミリオーム @ 30A、1
    834.73 税込¥918.20
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):1000 V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.1 V @ 1 A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA @ 1000 V・Vr、F印
    28.58 税込¥31.43
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30 V・電流 - 平均整流(Io):2A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):750 mV @ 2 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:600 nA @
    142.86 税込¥157.14
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):15 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):26ミリオーム @ 1.5A、5V・I
    447.15 税込¥491.86
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):14A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):400ミリオーム @ 8.4A、10V・Id印加時のVgs(
    848.62 税込¥933.48
  • メーカー名:
    GeneSiC Semiconductor
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:G2R™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):3300 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):20V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.2オーム @ 2A、20V・Id印加時のVgs(t
    3,442.36 税込¥3,786.59
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 18A、10V・Id印
    1,810.59 税込¥1,991.64
  • メーカー名:
    Linear Integrated Systems
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:2N4416A・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):35 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):-・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):-・Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大
    1,359.26 税込¥1,495.18
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):65ミリオーム @ 3
    94.29 税込¥103.71
  • メーカー名:
    Comchip Technology
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):400 V・電流 - 平均整流(Io):6A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.1 V @ 6 A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 400 V・
  • メーカー名:
    UMW
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トライアックタイプ:標準・電圧 - オフ状態:600 V・電流 - オン状態(It(RMS))(最大):16 A・電圧 - ゲートトリガ(Vgt)(最大):1.5 V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz(Itsm):160A @ 50Hz・電流 - ゲートトリガ(Igt)(最大):35 mA・電流 - ホールド(Ih
    315.72 税込¥347.29
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:アバランチ・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):800 V・電流 - 平均整流(Io):2A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.15 V @ 2.5 A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):4 µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:1 µA
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 12A、10V・Id印加時のVgs(t
    572.23 税込¥629.45
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperFET® II・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):23A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):165ミリオーム @ 11.5A、10
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):45ミリオーム @ 4
    110.00 税込¥121.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):3 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):80 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.7V @ 600mA、3A・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):50 @ 100
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperMESH™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):300mA(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):15オーム @ 400m
    208.58 税込¥229.43
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:KDZVTF・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):9.65 V・許容誤差:±6.04%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:20 µA @ 6 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・動作温度:150°C(TJ)・グレード:自動車・認定:AE
    100.00 税込¥110.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8オーム @ 10mA、4V・Id印
    71.43 税込¥78.57
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):80 V・電流 - 平均整流(Io):100mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 100 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):4 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500 nA
    32.86 税込¥36.14
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