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ディスクリート半導体製品(DigiKey)

検索結果 347,628件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30 V・電流 - 平均整流(Io):200mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):580 mV @ 200 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:1 µA
    57.15 税込¥62.86
  • メーカー名:
    NXP
    型番:
    出荷予定日:
    最小1,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:LDMOS・構成:-・周波数:520MHz・ゲイン:20.9dB・電圧 - テスト:7.5 V・定格電流(A):-・雑音指数:-・電流 - テスト:100 mA・電源 - 出力:4.9W・電圧 - 定格:30 V・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:TO-243AA・サプ
    187.60 税込¥206.36
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolSiC™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.7A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):455ミリオーム @ 2A、18V
    1,183.57 税込¥1,301.92
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:-・構造:直列接続 - 全SCR・SCR、ダイオードの数:2 SCRs・電圧 - オフ状態:1.4 kV・電流 - オン状態(It(AV))(最大):116 A・電流 - オン状態(It(RMS))(最大):180 A・電圧 - ゲートトリガ(Vgt)(最大):2.5 V・電流 - ゲートトリガ(Igt)(最大):150 mA・電流
    6,257.48 税込¥6,883.22
  • メーカー名:
    Skyworks Solutions Inc
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・Vr、F印加時の静電容量:2pF @ 6V、50MHz・静電容量比:3.4・静電容量比条件:C1/C6・電圧 - ピーク逆方向(最大):15 V・ダイオードタイプ:シングル・Vr、F印加時のQ:-・動作温度:-55°C~125°C(TJ)・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:S
    228.58 税込¥251.43
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:DTMOSIV・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):820ミリオーム @ 3.1A、1
    700.00 税込¥770.00
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):450 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1V @ 20mA、200mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):12 @ 40mA
    372.86 税込¥410.14
  • メーカー名:
    MACOM Technology Solutions
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル・周波数:150MHz・ゲイン:11.8dB・電圧 - テスト:28 V・定格電流(A):13A・雑音指数:3dB・電流 - テスト:2 A・電源 - 出力:125W・電圧 - 定格:65 V・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:-・パッケージ/ケース:211-11、ス
    13,372.42 税込¥14,709.66
  • メーカー名:
    MACOM Technology Solutions
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):35V・周波数 - トランジション:-・雑音指数(fあたりの標準dB):-・ゲイン:13dB・電力 - 最大:150W・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):15 @ 5A、5V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):20A・動作温度
    23,537.50 税込¥25,891.25
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・ダイオード構成:2組直列接続・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):80 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):100mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 100 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):-・電流
    142.86 税込¥157.14
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:アバランチ・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):1600 V・電流 - 平均整流(Io):800mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.25 V @ 400 mA・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):400 ns・電流 - Vr印加時の逆方向
    121.43 税込¥133.57
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP - プリバイアス・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50 V・抵抗器を含む:R1とR2・抵抗 - ベース(R1):2.2 kOhms・抵抗 - エミッタベース(R2):2.2 kOhms・Ic、Vce印加時のDC電流
    124.29 税込¥136.71
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):32 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:600mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):1µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最
    91.43 税込¥100.57
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:8 NPNダーリントン・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.6V @ 500µA、350mA・電流 - コレクタ遮断(最大):-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):1000
    520.00 税込¥572.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TRENCHSTOP™ 5・IGBTタイプ:トレンチ型フィールドストップ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):650 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):80 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):200 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:1.7V @ 15V、50A・電力 -
    854.17 税込¥939.58
  • メーカー名:
    GeneSiC Semiconductor
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:G2R™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):3300 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):20V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.2オーム @ 2A、20V・Id印加時のVgs(t
    3,281.18 税込¥3,609.29
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30 V・電流 - 平均整流(Io):2A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):490 mV @ 2 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:50 µA @ 3
    161.43 税込¥177.57
  • メーカー名:
    NEXPERIA
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchMOS™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):42A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印
    264.29 税込¥290.71
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・ダイオード構成:2独立・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):80A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):800 mV @ 80 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印
    4,109.42 税込¥4,520.36
  • メーカー名:
    Microchip
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:LSX・ダイオードタイプ:ショットキー - シングル・電圧 - ピーク逆方向(最大):20V・電流 - 最大:1 A・Vr、F印加時の静電容量:1.4pF @ 0V、1MHz・If、F印加時の抵抗:-・電力散逸(最大):250 mW・動作温度:-55°C~125°C・グレード:-・認定:-・パッケージ/ケース:TO-236-3、
    893.06 税込¥982.36
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・トランジスタタイプ:1 NPN、1 PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):30V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.4V @ 30mA、300mA・電流 - コレクタ遮断(最大):30nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(
    138.58 税込¥152.43
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:アバランチ・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):200 V・電流 - 平均整流(Io):1.5A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.1 V @ 1 A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):4 µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:1 µA
    161.43 税込¥177.57
  • メーカー名:
    WeEn Semiconductors Co. Ltd
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トライアックタイプ:ロジック - 高感度ゲート・電圧 - オフ状態:600 V・電流 - オン状態(It(RMS))(最大):16 A・電圧 - ゲートトリガ(Vgt)(最大):1.5 V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz(Itsm):155A、170A・電流 - ゲートトリガ(Igt)(最大):10 mA・電流
    262.86 税込¥289.14
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トライアックタイプ:標準・電圧 - オフ状態:800 V・電流 - オン状態(It(RMS))(最大):40 A・電圧 - ゲートトリガ(Vgt)(最大):1.3 V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz(Itsm):400A、420A・電流 - ゲートトリガ(Igt)(最大):50 mA・電流 - ホールド(Ih)(
    1,837.65 税込¥2,021.41
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):850ミリオーム @ 2.8A、10V・Id印加時のVgs
    464.29 税込¥510.71
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:アバランチ・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):600 V・電流 - 平均整流(Io):3A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1 V @ 3 A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):7.5 µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:1 µA @
    334.29 税込¥367.71
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SUPERECTIFIER®・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):1000 V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 1 A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):3 µs・電流 - Vr印加時の逆方
    117.15 税込¥128.86
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・技術:SiC(Silicon Carbide)Schottky・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):1200 V・電流 - 平均整流(Io):2A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.6 V @ 5 A・速度:回復時間なし > 500mA(Io)・逆回復時間(trr):0 ns・電流 - Vr印加時の逆方向
    698.62 税込¥768.48
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30 V・電流 - 平均整流(Io):5A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:150 µA @ 30 V・Vr、F印加時
    160.00 税込¥176.00
  • メーカー名:
    Microchip
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バッグ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル、デプレッションモード・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30mA(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):0V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1000オーム @ 500µA、0V・I
    128.58 税込¥141.43
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):28A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):77ミリオーム @ 17A、10V・Id印加時のVgs(th
    354.29 税込¥389.71
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):15 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):10 mA @ 5 V・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):300 mV @
    140.00 税込¥154.00
  • メーカー名:
    ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):14A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7ミリオーム @ 14A、10V・Id
    411.43 税込¥452.57
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:8 NPNダーリントン・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.6V @ 500µA、350mA・電流 - コレクタ遮断(最大):-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):1000
    520.00 税込¥572.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):40 V・電流 - 平均整流(Io):200mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):540 mV @ 200 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:90 µA
    82.86 税込¥91.14
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(Cascode SiCJFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):53A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):12V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):39ミリオーム @ 20A、12V・I
    3,396.48 税込¥3,736.12
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:TrenchFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):150A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):7.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.4ミリオーム @ 30A、1
    795.84 税込¥875.42
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN - プリバイアス・電流 - コレクタ(Ic)(最大):600 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):20 V・抵抗器を含む:R1のみ・抵抗 - ベース(R1):4.7 kOhms・抵抗 - エミッタベース(R2):-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(
    120.00 税込¥132.00
  • メーカー名:
    Linear Integrated Systems
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:2N4416A・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):35 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):-・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):-・Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大
    1,344.88 税込¥1,479.36
  • メーカー名:
    UMW
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トライアックタイプ:標準・電圧 - オフ状態:600 V・電流 - オン状態(It(RMS))(最大):16 A・電圧 - ゲートトリガ(Vgt)(最大):1.5 V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz(Itsm):160A @ 50Hz・電流 - ゲートトリガ(Igt)(最大):35 mA・電流 - ホールド(Ih
    300.00 税込¥330.00
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSIII・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.5V、4V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):28ミリオーム @ 3A
    115.72 税込¥127.29
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVI・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):42.7ミリオーム @ 3
    110.00 税込¥121.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):800 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):45 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:700mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):160 @ 10
    64.29 税込¥70.71
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):80A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4.1ミリオーム @ 40A、10V・Id印加時の
    569.45 税込¥626.39
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 18A、10V・Id印
    1,746.43 税込¥1,921.07
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperFET® II・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):23A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):165ミリオーム @ 11.5A、10
    887.50 税込¥976.25
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):3 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):80 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.7V @ 600mA、3A・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):50 @ 100
    264.29 税込¥290.71
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperMESH™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):300mA(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):15オーム @ 400m
    198.58 税込¥218.43
  • メーカー名:
    Linear Integrated Systems
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:LSK389・FETタイプ:2 Nチャンネル(デュアル)・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):6 mA @ 10 V・電流ドレイン(Id) - 最大:10 mA・電圧 - Id印加時の遮断
    1,958.83 税込¥2,154.71
  • メーカー名:
    NEXPERIA
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):20 V・電流 - 平均整流(Io):1.5A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):660 mV @ 1.5 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:70 µA
    82.86 税込¥91.14
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