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ディスクリート半導体製品（DigiKey）

検索結果 353,006件中1～50件目
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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【RB520SM-30T2R】DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2

    【RB520SM-30T2R】DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：30 V・電流 - 平均整流（Io）：200mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：580 mV @ 200 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA
    ￥57.15 税込￥62.86
  • 2

    【RQ5E030AJTCL】MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3 [digi-reel品] DigiReel商品

    【RQ5E030AJTCL】MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時のV
    ￥112.86 税込￥124.14
  • 3

    【MCC95-14IO8B】SCR MODULE 1.4KV 180A TO-240AA

    【MCC95-14IO8B】SCR MODULE 1.4KV 180A TO-240AA
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・構造：直列接続 - 全SCR・SCR、ダイオードの数：2 SCRs・電圧 - オフ状態：1.4 kV・電流 - オン状態（It（AV））（最大）：116 A・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：180 A・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：2.5 V・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：150 mA・電流
    ￥6,257.48 税込￥6,883.22
  • 4

    【RQ5E030AJTCL】MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3

    【RQ5E030AJTCL】MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時の
    ￥26.57 税込￥29.22
  • 5

    【IMW120R350M1HXKSA1】SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3

    【IMW120R350M1HXKSA1】SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.7A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：455ミリオーム @ 2A、18V
    ￥1,183.57 税込￥1,301.92
  • 6

    【DMP45H4D9HK3-13】MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252

    【DMP45H4D9HK3-13】MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：450 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.7A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.9オーム @ 1.05A、10V・Id印
    ￥245.72 税込￥270.29
  • 7

    【SMV1234-079LF】DIODE VARACTOR 15V 20MA SC-79

    【SMV1234-079LF】DIODE VARACTOR 15V 20MA SC-79
    メーカー名：
    Skyworks Solutions Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・Vr、F印加時の静電容量：2pF @ 6V、50MHz・静電容量比：3.4・静電容量比条件：C1/C6・電圧 - ピーク逆方向（最大）：15 V・ダイオードタイプ：シングル・Vr、F印加時のQ：-・動作温度：-55°C～125°C（TJ）・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：S
    ￥228.58 税込￥251.43
  • 8

    【MRF422】RF TRANS NPN 35V 211-11

    【MRF422】RF TRANS NPN 35V 211-11
    メーカー名：
    MACOM Technology Solutions
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：35V・周波数 - トランジション：-・雑音指数（fあたりの標準dB）：-・ゲイン：13dB・電力 - 最大：150W・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：15 @ 5A、5V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：20A・動作温度
    ￥23,537.50 税込￥25,891.25
  • 9

    【MRF174】RF MOSFET 28V 211-11

    【MRF174】RF MOSFET 28V 211-11
    メーカー名：
    MACOM Technology Solutions
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル・周波数：150MHz・ゲイン：11.8dB・電圧 - テスト：28 V・定格電流（A）：13A・雑音指数：3dB・電流 - テスト：2 A・電源 - 出力：125W・電圧 - 定格：65 V・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：-・パッケージ/ケース：211-11、ス
    ￥13,372.42 税込￥14,709.66
  • 10

    【TK33S10N1Z,LXHQ】MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

    【TK33S10N1Z,LXHQ】MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVIII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：33A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.7ミリオーム @ 16
    ￥312.86 税込￥344.14
  • 11

    【UMR12NTN】DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【UMR12NTN】DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・ダイオード構成：2組直列接続・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：80 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：100mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.2 V @ 100 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：-・電流
    ￥142.86 税込￥157.14
  • 12

    【DTB123EKT146】TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3

    【DTB123EKT146】TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP - プリバイアス・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・抵抗器を含む：R1とR2・抵抗 - ベース（R1）：2.2 kOhms・抵抗 - エミッタベース（R2）：2.2 kOhms・Ic、Vce印加時のDC電流
    ￥124.29 税込￥136.71
  • 13

    【2SC2411KT146Q】TRANS NPN 32V 0.5A SMT3 [digi-reel品] DigiReel商品

    【2SC2411KT146Q】TRANS NPN 32V 0.5A SMT3 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：32 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：600mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：1µA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最
    ￥91.43 税込￥100.57
  • 14

    【ULQ2804A】TRANS 8NPN DARL 50V 500MA 18DIP

    【ULQ2804A】TRANS 8NPN DARL 50V 500MA 18DIP
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：8 NPNダーリントン・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.6V @ 500µA、350mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：1000
    ￥520.00 税込￥572.00
  • 15

    【IGB50N65S5ATMA1】IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3

    【IGB50N65S5ATMA1】IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TRENCHSTOP™ 5・IGBTタイプ：トレンチ型フィールドストップ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：650 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：80 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：200 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：1.7V @ 15V、50A・電力 -
    ￥854.17 税込￥939.58
  • 16

    【ZHCS400TA】DIODE SCHOTTKY 40V 400MA SOD323

    【ZHCS400TA】DIODE SCHOTTKY 40V 400MA SOD323
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：40 V・電流 - 平均整流（Io）：400mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：500 mV @ 400 mA・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：40
    ￥111.43 税込￥122.57
  • 17

    【RB060MM-30TFTR】DIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDU

    【RB060MM-30TFTR】DIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDU
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：30 V・電流 - 平均整流（Io）：2A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：490 mV @ 2 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：50 µA @ 3
    ￥147.15 税込￥161.86
  • 18

    【VS-VSKCS408/060】DIODE MOD SCHOT 60V 200A ADDAPAK

    【VS-VSKCS408/060】DIODE MOD SCHOT 60V 200A ADDAPAK
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・ダイオード構成：1組共通カソード・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：60 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：200A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：740 mV @ 200 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流
    ￥9,233.34 税込￥10,156.67
  • 19

    【STPS160H100TV】DIODE MOD SCHOTT 100V 80A ISOTOP

    【STPS160H100TV】DIODE MOD SCHOTT 100V 80A ISOTOP
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・ダイオード構成：2独立・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：100 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：80A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：800 mV @ 80 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印
    ￥4,109.42 税込￥4,520.36
  • 20

    【LXS301-23-0】DIODE SCHOTTKY 20V SOT23-3

    【LXS301-23-0】DIODE SCHOTTKY 20V SOT23-3
    メーカー名：
    Microchip
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：LSX・ダイオードタイプ：ショットキー - シングル・電圧 - ピーク逆方向（最大）：20V・電流 - 最大：1 A・Vr、F印加時の静電容量：1.4pF @ 0V、1MHz・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：250 mW・動作温度：-55°C～125°C・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：TO-236-3、
    ￥893.06 税込￥982.36
  • 21

    【FMB2227A】TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SUPERSOT6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【FMB2227A】TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SUPERSOT6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・トランジスタタイプ：1 NPN、1 PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：30V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.4V @ 30mA、300mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：30nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（
    ￥138.58 税込￥152.43
  • 22

    【SH8KC6TB1】MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP

    【SH8KC6TB1】MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 6.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2
    ￥262.86 税込￥289.14
  • 23

    【TJ15S06M3L(T6L1,NQ】MOSFET P-CH 60V 15A DPAK [digi-reel品] DigiReel商品

    【TJ15S06M3L(T6L1,NQ】MOSFET P-CH 60V 15A DPAK [digi-reel品]
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：U-MOSVI・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 7.5A、1
    ￥398.58 税込￥438.43
  • 24

    【CSD15571Q2】MOSFET N-CH 20V 22A 6SON

    【CSD15571Q2】MOSFET N-CH 20V 22A 6SON
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：NexFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：22A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：15ミリオーム @ 5A、
    ￥148.58 税込￥163.43
  • 25

    【SARS01V0】DIODE STANDARD 800V 1.2A AXIAL

    【SARS01V0】DIODE STANDARD 800V 1.2A AXIAL
    メーカー名：
    サンケン電気
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：800 V・電流 - 平均整流（Io）：1.2A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：920 mV @ 1.2 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：18 µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 µ
    ￥258.58 税込￥284.43
  • 26

    【1N6638】DIODE STANDARD 125V 300MA D5D

    【1N6638】DIODE STANDARD 125V 300MA D5D
    メーカー名：
    Microchip
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：125 V・電流 - 平均整流（Io）：300mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 200 mA・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：4.5 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：500 nA @ 1
    ￥1,213.34 税込￥1,334.67
  • 27

    【BC183_J35Z】TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3

    【BC183_J35Z】TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：30 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：600mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：15nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：40 @
    ￥7.70 税込￥8.47
  • 28

    【BYT51D-TAP】DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SOD57

    【BYT51D-TAP】DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SOD57
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：アバランチ・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：200 V・電流 - 平均整流（Io）：1.5A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 1 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：4 µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA
    ￥161.43 税込￥177.57
  • 29

    【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

    【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印
    ￥231.43 税込￥254.57
  • 30

    【BT139-600E/DG,127】TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB

    【BT139-600E/DG,127】TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB
    メーカー名：
    WeEn Semiconductors Co. Ltd
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トライアックタイプ：ロジック - 高感度ゲート・電圧 - オフ状態：600 V・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：16 A・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：1.5 V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz（Itsm）：155A、170A・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：10 mA・電流
    ￥328.58 税込￥361.43
  • 31

    【IRFI840GPBF】MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3

    【IRFI840GPBF】MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：850ミリオーム @ 2.8A、10V・Id印加時のVgs
    ￥454.29 税込￥499.71
  • 32

    【1N5626-TR】DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64

    【1N5626-TR】DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：アバランチ・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）：3A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1 V @ 3 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：7.5 µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA @
    ￥334.29 税込￥367.71
  • 33

    【RB080LAM-30TFTR】DIODE SCHOTTKY 30V 5A PMDTM [digi-reel品] DigiReel商品

    【RB080LAM-30TFTR】DIODE SCHOTTKY 30V 5A PMDTM [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：30 V・電流 - 平均整流（Io）：5A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：-・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：150 µA @ 30 V・Vr、F印加時
    ￥160.00 税込￥176.00
  • 34

    【IRF540SPBF】MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

    【IRF540SPBF】MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：28A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：77ミリオーム @ 17A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥360.00 税込￥396.00
  • 35

    【RBR3MM60ATFTR】DIODE SCHOTTKY 60V 3A PMDU

    【RBR3MM60ATFTR】DIODE SCHOTTKY 60V 3A PMDU
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：60 V・電流 - 平均整流（Io）：3A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：660 mV @ 3 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：100 µA @
    ￥124.29 税込￥136.71
  • 36

    【FDS2582】MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC

    【FDS2582】MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.1A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：66ミリオーム
    ￥351.43 税込￥386.57
  • 37

    【MCR08BT1G】SCR 200V 800MA SOT223

    【MCR08BT1G】SCR 200V 800MA SOT223
    メーカー名：
    Littelfuse Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・電圧 - オフ状態：200 V・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：800 mV・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：200 µA・電圧 - オン状態（Vtm）（最大）：1.7 V・電流 - オン状態（It（AV））（最大）：-・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：800 mA・電流 -
    ￥241.43 税込￥265.57
  • 38

    【ULQ2803A】TRANS 8NPN DARL 50V 500MA 18DIP

    【ULQ2803A】TRANS 8NPN DARL 50V 500MA 18DIP
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：8 NPNダーリントン・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.6V @ 500µA、350mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：1000
    ￥520.00 税込￥572.00
  • 39

    【RB521SM-40FHT2R】DIODE SCHOTTKY 40V 200MA EMD2 [digi-reel品] DigiReel商品

    【RB521SM-40FHT2R】DIODE SCHOTTKY 40V 200MA EMD2 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：40 V・電流 - 平均整流（Io）：200mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：540 mV @ 200 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：90 µA
    ￥82.86 税込￥91.14
  • 40

    【UF4SC120030K4S】1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CA

    【UF4SC120030K4S】1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CA
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（Cascode SiCJFET）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：53A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：12V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：39ミリオーム @ 20A、12V・I
    ￥3,396.48 税込￥3,736.12
  • 41

    【SDM2A40CSP-7B】DIODE SCHOTTKY 40V 2A X3WLB16082 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SDM2A40CSP-7B】DIODE SCHOTTKY 40V 2A X3WLB16082 [digi-reel品]
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：40 V・電流 - 平均整流（Io）：2A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：470 mV @ 1 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：14 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：100 µA
    ￥104.29 税込￥114.71
  • 42

    【SUP60020E-GE3】MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB

    【SUP60020E-GE3】MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：TrenchFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：150A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：7.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4ミリオーム @ 30A、1
    ￥804.17 税込￥884.58
  • 43

    【DTC643TKT146】TRANS PREBIAS NPN 20V 0.6A SMT3

    【DTC643TKT146】TRANS PREBIAS NPN 20V 0.6A SMT3
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN - プリバイアス・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：600 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：20 V・抵抗器を含む：R1のみ・抵抗 - ベース（R1）：4.7 kOhms・抵抗 - エミッタベース（R2）：-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（
    ￥120.00 税込￥132.00
  • 44

    【RB521VM-40FHTE-17】DIODE SCHOTTKY 40V 200MA UMD2

    【RB521VM-40FHTE-17】DIODE SCHOTTKY 40V 200MA UMD2
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：40 V・電流 - 平均整流（Io）：200mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：540 mV @ 200 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：90 µ
    ￥57.15 税込￥62.86
  • 45

    【UJ3D1202TS】DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A TO220

    【UJ3D1202TS】DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A TO220
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1200 V・電流 - 平均整流（Io）：2A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.6 V @ 5 A・速度：回復時間なし > 500mA（Io）・逆回復時間（trr）：0 ns・電流 - Vr印加時の逆方向
    ￥698.62 税込￥768.48
  • 46

    【PU6BB】DIODE STANDARD 100V 6A DO214AA

    【PU6BB】DIODE STANDARD 100V 6A DO214AA
    メーカー名：
    Taiwan Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：100 V・電流 - 平均整流（Io）：6A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：940 mV @ 6 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：25 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：2 µA @ 1
    ￥190.00 税込￥209.00
  • 47

    【2N4416A TO-72 4L ROHS】WIDEBAND, HIGH GAIN, SINGLE, N-

    【2N4416A TO-72 4L ROHS】WIDEBAND, HIGH GAIN, SINGLE, N-
    メーカー名：
    Linear Integrated Systems
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：2N4416A・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：35 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：-・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大
    ￥1,344.88 税込￥1,479.36
  • 48

    【2SK2394-6-TB-E】JFET N-CH 50MA 3CP

    【2SK2394-6-TB-E】JFET N-CH 50MA 3CP
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：15 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：10 mA @ 5 V・電流ドレイン（Id） - 最大：50 mA・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：300 mV @
    ￥140.00 税込￥154.00
  • 49

    【1N5062TR】DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57

    【1N5062TR】DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：アバランチ・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：800 V・電流 - 平均整流（Io）：2A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.15 V @ 2.5 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：4 µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA
    ￥91.43 税込￥100.57
  • 50

    【TK4R1A10PL,S4X】X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

    【TK4R1A10PL,S4X】X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：80A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.1ミリオーム @ 40A、10V・Id印加時の
    ￥581.95 税込￥640.14
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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