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ディスクリート半導体製品（DigiKey）

検索結果 265,837件中1～50件目
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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【PBSS306NZ,135】TRANS NPN 100V 5.1A SOT-223

    【PBSS306NZ,135】TRANS NPN 100V 5.1A SOT-223
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    最小4,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：5.1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：100 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：300mV @ 255mA、5.1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE
    ￥52.09 税込￥57.29
  • 2

    【MRFX1K80HR5】RF MOSFET LDMOS 65V NI1230

    【MRFX1K80HR5】RF MOSFET LDMOS 65V NI1230
    メーカー名：
    NXP
    型番：
    出荷予定日：
    最小50個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：LDMOS・構成：デュアル・周波数：1.8MHz～470MHz・ゲイン：24dB・電圧 - テスト：65 V・定格電流（A）：10µA・雑音指数：-・電流 - テスト：200 mA・電源 - 出力：1800W・電圧 - 定格：182 V・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：シャーシマウント・パッケー
    ￥53,048.83 税込￥58,353.71
  • 3

    【NSF080120L3A0Q】SiC NチャンネルパワーMOSFET(1200V)

    【NSF080120L3A0Q】SiC NチャンネルパワーMOSFET(1200V)
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：35A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：120ミリオーム @ 20A、15V・Id印加時の
    ￥1,964.71 税込￥2,161.18
  • 4

    【IXBH32N300】IGBT 3000V 80A TO-247AD

    【IXBH32N300】IGBT 3000V 80A TO-247AD
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：BIMOSFET™・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：3000 V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：80 A・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：280 A・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：3.2V @ 15V、32A・電力 - 最大：400 W・スイッチングエネルギー：-・
    ￥13,128.74 税込￥14,441.61
  • 5

    【IAUT260N10S5N019ATMA1】MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF

    【IAUT260N10S5N019ATMA1】MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：260A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.9ミリオーム @
    ￥1,016.44 税込￥1,118.08
  • 6

    【2SD1782KT146Q】TRANS NPN 80V 0.5A SMT3

    【2SD1782KT146Q】TRANS NPN 80V 0.5A SMT3
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：80 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：500nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE
    ￥120.00 税込￥132.00
  • 7

    【TPH5200FNH,L1Q】MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP

    【TPH5200FNH,L1Q】MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVIII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：26A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：52ミリオーム @ 13A
    ￥747.23 税込￥821.95
  • 8

    【1SS133M】DIODE STANDARD 90V 150MA DO34

    【1SS133M】DIODE STANDARD 90V 150MA DO34
    メーカー名：
    Taiwan Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小5,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：90 V・電流 - 平均整流（Io）：150mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.2 V @ 150 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：4 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：500 nA
    ￥3.77 税込￥4.14
  • 9

    【TPH14006NH,L1Q】MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV [digi-reel品] DigiReel商品

    【TPH14006NH,L1Q】MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV [digi-reel品]
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：U-MOSVIII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：14A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @
    ￥374.29 税込￥411.71
  • 10

    【1N4004-E3/73】DIODE STANDARD 400V 1A DO204AL

    【1N4004-E3/73】DIODE STANDARD 400V 1A DO204AL
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：400 V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 1 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA @ 400 V・
    ￥94.29 税込￥103.71
  • 11

    【IMZA65R015M2HXKSA1】SILICON CARBIDE MOSFET

    【IMZA65R015M2HXKSA1】SILICON CARBIDE MOSFET
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolSiC™ Gen 2・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：103A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.2ミリオーム @
    ￥3,089.42 税込￥3,398.36
  • 12

    【SIDR626LEP-T1-RE3】N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET

    【SIDR626LEP-T1-RE3】N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET® Gen IV・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：48.7A（Ta）、218A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds
    ￥754.17 税込￥829.58
  • 13

    【NDS332P】MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3 [digi-reel品] DigiReel商品

    【NDS332P】MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3 [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.7V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：300ミリオーム @ 1.1A、4.5V
    ￥128.58 税込￥141.43
  • 14

    【GP02-30-E3/54】DIODE STD 3000V 250MA DO204AL

    【GP02-30-E3/54】DIODE STD 3000V 250MA DO204AL
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SUPERECTIFIER®・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：3000 V・電流 - 平均整流（Io）：250mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：3 V @ 1 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：2 µs・電流 - Vr印加時の逆
    ￥91.43 税込￥100.57
  • 15

    【VRF150】RF MOSFET 50V M174

    【VRF150】RF MOSFET 50V M174
    メーカー名：
    Microchip
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル・周波数：150MHz・ゲイン：11dB・電圧 - テスト：50 V・定格電流（A）：1mA・雑音指数：-・電流 - テスト：250 mA・電源 - 出力：150W・電圧 - 定格：170 V・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：-・パッケージ/ケース：M174・サプライヤ
    ￥12,427.59 税込￥13,670.34
  • 16

    【EPC2088】TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE

    【EPC2088】TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
    メーカー名：
    EPC
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：eGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：60A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.2ミリオーム @ 25A、5V・Id印加時のVgs（th）（
    ￥1,128.77 税込￥1,241.64
  • 17

    【C3M0021120K】NチャンネルSiC MOSFET(1200V/100A)

    【C3M0021120K】NチャンネルSiC MOSFET(1200V/100A)
    メーカー名：
    Wolfspeed
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：C3M™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28.8ミリオーム @ 50A、15V・Id印加時
    ￥5,285.06 税込￥5,813.56
  • 18

    【RBR3LAM60BTR】DIODE SCHOTTKY 60V 3A PMDTM [digi-reel品] DigiReel商品

    【RBR3LAM60BTR】DIODE SCHOTTKY 60V 3A PMDTM [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：60 V・電流 - 平均整流（Io）：3A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：560 mV @ 3 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：150 µA @ 6
    ￥80.00 税込￥88.00
  • 19

    【EPC2050】TRANS GAN BUMPED DIE

    【EPC2050】TRANS GAN BUMPED DIE
    メーカー名：
    EPC
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：eGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：350 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.3A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 6A、5V・I
    ￥1,362.83 税込￥1,499.11
  • 20

    【SDM2A40CSP-7B】DIODE SCHOTTKY 40V 2A X3WLB16082 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SDM2A40CSP-7B】DIODE SCHOTTKY 40V 2A X3WLB16082 [digi-reel品]
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：40 V・電流 - 平均整流（Io）：2A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：470 mV @ 1 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：14 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：100 µA
    ￥110.00 税込￥121.00
  • 21

    【IRFP260NPBF】MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC

    【IRFP260NPBF】MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40ミリオーム @ 28A、10V・Id印加時の
    ￥1,110.96 税込￥1,222.05
  • 22

    【SS1FL3-M3/H】DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO219AB

    【SS1FL3-M3/H】DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO219AB
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：eSMP®・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：30 V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：480 mV @ 1 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：200 µ
    ￥78.58 税込￥86.43
  • 23

    【STPS24045TV】DIODE MOD SCHOTT 45V 120A ISOTOP

    【STPS24045TV】DIODE MOD SCHOTT 45V 120A ISOTOP
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・ダイオード構成：2独立・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：45 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：120A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：670 mV @ 120 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr
    ￥4,810.59 税込￥5,291.64
  • 24

    【XP161A1355PR-G】MOSFET N-CH 20V 4A SOT89

    【XP161A1355PR-G】MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
    メーカー名：
    Torex Semiconductor Ltd
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 2A、4.5V・I
    ￥214.29 税込￥235.71
  • 25

    【TP0604N3-G】MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3

    【TP0604N3-G】MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3
    メーカー名：
    Microchip
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バッグ・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：430mA（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2オーム @ 1A、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥397.15 税込￥436.86
  • 26

    【NSV40200LT1G】TRANS PNP 40V 2A SOT23-3

    【NSV40200LT1G】TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：2 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：40 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：170mV @ 200mA、2A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）
    ￥140.00 税込￥154.00
  • 27

    【BSZ100N06LS3GATMA1】MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON

    【BSZ100N06LS3GATMA1】MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11A（Ta）、20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10ミリ
    ￥322.86 税込￥355.14
  • 28

    【KDZVTR36B】DIODE ZENER 38V 1W PMDU

    【KDZVTR36B】DIODE ZENER 38V 1W PMDU
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：KDZV・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：38 V・許容誤差：-・電力 - 最大：1 W・インピーダンス（最大）（Zzt）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 µA @ 27 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：-・動作温度：150°C・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パ
    ￥94.29 税込￥103.71
  • 29

    【TPH6400ENH,L1Q】MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【TPH6400ENH,L1Q】MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：U-MOSVIII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：13A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：64ミリオーム @ 6.5A
    ￥520.00 税込￥572.00
  • 30

    【MA4E20541-1141T】RF DIODE SCHOTTKY 3V SOD-323

    【MA4E20541-1141T】RF DIODE SCHOTTKY 3V SOD-323
    メーカー名：
    MACOM Technology Solutions
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：ショットキー - シングル・電圧 - ピーク逆方向（最大）：3V・電流 - 最大：20 mA・Vr、F印加時の静電容量：0.3pF @ 0V、1MHz・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-65°C～125°C（TJ）・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：SC-
    ￥411.43 税込￥452.57
  • 31

    【MA4E2200B1-287T】RF DIODE SCHOTTKY 1.5V SOT-23-3

    【MA4E2200B1-287T】RF DIODE SCHOTTKY 1.5V SOT-23-3
    メーカー名：
    MACOM Technology Solutions
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：ショットキー - 1ペア直列接続・電圧 - ピーク逆方向（最大）：1.5V・電流 - 最大：-・Vr、F印加時の静電容量：-・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：-65°C～125°C（TJ）・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：TO-236-3、SC-59、S
    ￥337.15 税込￥370.86
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    【RB021VAM90TR】DIODE SCHOTTKY 90V 200MA TUMD2M

    【RB021VAM90TR】DIODE SCHOTTKY 90V 200MA TUMD2M
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：90 V・電流 - 平均整流（Io）：200mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：490 mV @ 200 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：900
    ￥67.15 税込￥73.86
  • 33

    【1N4005G】DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL

    【1N4005G】DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
    メーカー名：
    Good-Ark Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 1 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：1 µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA @ 600
    ￥51.43 税込￥56.57
  • 34

    【1SMA5939BT3G】DIODE ZENER 39V 1.5W SMA

    【1SMA5939BT3G】DIODE ZENER 39V 1.5W SMA
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：1SMA59xxBT3G・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：39 V・許容誤差：±5%・電力 - 最大：1.5 W・インピーダンス（最大）（Zzt）：45 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：500 nA @ 29.7 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.2 V @ 200 mA・動作
    ￥84.29 税込￥92.71
  • 35

    【US6M2TR】MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6

    【US6M2TR】MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.5A、1A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：240ミリオーム @ 1.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：
    ￥241.43 税込￥265.57
  • 36

    【2CL75】DIODE STANDARD 16000V 5MA AXIAL

    【2CL75】DIODE STANDARD 16000V 5MA AXIAL
    メーカー名：
    Diotec Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：16000 V・電流 - 平均整流（Io）：5mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：60 V @ 10 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：80 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：2 µA @
    ￥171.43 税込￥188.57
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    【PDZVTFTR27B】DIODE ZENER 28.9V 1W PMDTM [digi-reel品] DigiReel商品

    【PDZVTFTR27B】DIODE ZENER 28.9V 1W PMDTM [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：PDZVTF・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：28.9 V・許容誤差：±7.04%・電力 - 最大：1 W・インピーダンス（最大）（Zzt）：16 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 µA @ 21 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：-・動作温度：150°C（TJ）・グレード：自動
    ￥97.15 税込￥106.86
  • 38

    【IRLML6402TRPBF】MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

    【IRLML6402TRPBF】MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.7A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 3
    ￥95.72 税込￥105.29
  • 39

    【1SS133M R0G】DIODE STANDARD 90V 150MA DO34

    【1SS133M R0G】DIODE STANDARD 90V 150MA DO34
    メーカー名：
    Taiwan Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：90 V・電流 - 平均整流（Io）：150mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.2 V @ 150 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：4 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：500 nA
    ￥22.86 税込￥25.14
  • 40

    【BTA40-800B】TRIAC 800V 40A RD91

    【BTA40-800B】TRIAC 800V 40A RD91
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トライアックタイプ：標準・電圧 - オフ状態：800 V・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：40 A・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：1.3 V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz（Itsm）：400A、420A・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：50 mA・電流 - ホールド（Ih）（
    ￥1,978.83 税込￥2,176.71
  • 41

    【TN0106N3-G】MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3

    【TN0106N3-G】MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
    メーカー名：
    Microchip
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バッグ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：350mA（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVg
    ￥242.86 税込￥267.14
  • 42

    【BM63577S-VA】IGBT IPM 600V 30A 25-PWRDIP MOD

    【BM63577S-VA】IGBT IPM 600V 30A 25-PWRDIP MOD
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・タイプ：IGBT・構成：3相インバータ・電流：30 A・電圧：600 V・電圧 - 絶縁：1500Vrms・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：スルーホール・パッケージ/ケース：25-PowerDIPモジュール（1.134インチ、28.80mm）
    ￥5,411.50 税込￥5,952.65
  • 43

    【BZX79-B9V1,143】DIODE ZENER 9.1V 400MW ALF2

    【BZX79-B9V1,143】DIODE ZENER 9.1V 400MW ALF2
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：9.1 V・許容誤差：±2%・電力 - 最大：400 mW・インピーダンス（最大）（Zzt）：15 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：500 nA @ 6 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：900 mV @ 10 mA・動作温度：-65°C～200
    ￥50.00 税込￥55.00
  • 44

    【RB588VAM100TR】100V, 0.7A, SOD-323HE, SCHOTTKY

    【RB588VAM100TR】100V, 0.7A, SOD-323HE, SCHOTTKY
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：100 V・電流 - 平均整流（Io）：700mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：850 mV @ 700 mA・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：15
    ￥94.29 税込￥103.71
  • 45

    【TTC011B,Q】TRANS NPN 230V 1A TO-126N

    【TTC011B,Q】TRANS NPN 230V 1A TO-126N
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：230 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.5V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：200nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：100 @
    ￥244.29 税込￥268.71
  • 46

    【EPC2306】TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN

    【EPC2306】TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN
    メーカー名：
    EPC
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：48A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.8ミリオーム @ 25A、5V・Id印加時
    ￥1,101.37 税込￥1,211.50
  • 47

    【GBPC1504】BRIDGE RECT 1PHASE 400V 15A GBPC

    【GBPC1504】BRIDGE RECT 1PHASE 400V 15A GBPC
    メーカー名：
    Taiwan Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：GBPC15・ダイオードタイプ：単相・技術：標準・電圧 - ピーク逆方向（最大）：400 V・電流 - 平均整流（Io）：15 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 7.5 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA @ 400 V・動作温度：-55°C～150°C（TJ）・グレード：-・認定：-
    ￥967.13 税込￥1,063.84
  • 48

    【STPS80H100TV】DIODE MOD SCHOTT 100V 40A ISOTOP

    【STPS80H100TV】DIODE MOD SCHOTT 100V 40A ISOTOP
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・ダイオード構成：2独立・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：100 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：40A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：780 mV @ 40 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印
    ￥3,503.53 税込￥3,853.88
  • 49

    【BD442G】TRANS PNP 80V 4A TO-126

    【BD442G】TRANS PNP 80V 4A TO-126
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：4 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：80 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：800mV @ 300mA、3A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100µA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：40 @ 50
    ￥347.15 税込￥381.86
  • 50

    【15SQ100】DIODE SCHOTTKY 100V 15A R-6

    【15SQ100】DIODE SCHOTTKY 100V 15A R-6
    メーカー名：
    SMC Diode Solutions
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：100 V・電流 - 平均整流（Io）：15A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：830 mV @ 15 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：500 µA
    ￥268.58 税込￥295.43
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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