半導体 　[ メーカー:Central Semiconductor Corp ]の検索結果

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：ショットキー・電圧 - ピーク逆方向（最大）：40 V・電流 - 平均整流（Io）：1 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：500 mV @ 1 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：200 µA @ 40 V・動作温度：-55°C～125°C（TJ）・グレード：-

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：ショットキー・電圧 - ピーク逆方向（最大）：40 V・電流 - 平均整流（Io）：2 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：500 mV @ 2 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：50 µA @ 40 V・動作温度：-50°C～125°C（TJ）・グレード：-・

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：150 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：250mV @ 10mA、100mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：70

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：50 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：25 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：350mV @ 100µA、1mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：50nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：150 @

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：40 V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：500 mV @ 1 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：500 µA @

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：40 V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：500 mV @ 1 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：500 µA @

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：50 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：300mV @ 1mA、10mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：50nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：250 @

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：200 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：15 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 10mA、100mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：400nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：40 @ 10m

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：200 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：45 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：300mV @ 5mA、50mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：50nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：500 @

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：13 V・許容誤差：±5%・電力 - 最大：5 W・インピーダンス（最大）（Zzt）：2.5 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA @ 9.9 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.2 V @ 1 A・動作温度：-65°C～200°C・グレー

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：24 V・許容誤差：±5%・電力 - 最大：1.5 W・インピーダンス（最大）（Zzt）：19 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA @ 18.2 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.5 V @ 200 mA・動作温度：-65°C～150°

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：125mV @ 1mA、10mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：30nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：250 @ 2mA、5

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：50 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：45 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：200mV @ 500µA、10mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：2nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：600 @

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：2 NPN（デュアル）・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：600mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：160V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：200mV @ 5mA、50mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：50nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：ショットキー・電圧 - ピーク逆方向（最大）：40 V・電流 - 平均整流（Io）：1 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：500 mV @ 1 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：200 µA @ 40 V・動作温度：-55°C～125°C（TJ）・グレード：-・

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：200 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：15 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 10mA、100mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：400nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：40

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：4 NPN（クワッド）・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：40V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.6V @ 30mA、300mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：50nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：2 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：40 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 200mA、2A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：75 @ 1A

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：800 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：30 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.6V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：10nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：100

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：25 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：-・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：-・電力 - 最大：-・周波数 - トランジショ

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：800 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：40 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：10nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：100 @

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：ショットキー・電圧 - ピーク逆方向（最大）：40 V・電流 - 平均整流（Io）：2 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：500 mV @ 2 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：100 µA @ 40 V・動作温度：-55°C～125°C（TJ）・グレード：-・

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：75 V・電流 - 平均整流（Io）：50mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1 V @ 5 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：500 µA @ 50 V・Vr、F印加時の

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：ショットキー・電圧 - ピーク逆方向（最大）：100 V・電流 - 平均整流（Io）：1 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：850 mV @ 1 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：200 µA @ 100 V・動作温度：-55°C～125°C（TJ）・グレード：

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：標準・電圧 - ピーク逆方向（最大）：1 kV・電流 - 平均整流（Io）：4 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1 V @ 4 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA @ 1000 V・動作温度：-55°C～175°C（TJ）・グレード：-・認定：-・取り

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：ショットキー・電圧 - ピーク逆方向（最大）：40 V・電流 - 平均整流（Io）：2 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：520 mV @ 2 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：200 µA @ 40 V・動作温度：-55°C～125°C（TJ）・グレード：-

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：30 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：2 mA @ 15 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：1 V @ 10 nA・

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：40 V・電流 - 平均整流（Io）：200mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1 V @ 200 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：5 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：500

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・ダイオードタイプ：単相・技術：標準・電圧 - ピーク逆方向（最大）：100 V・電流 - 平均整流（Io）：1 A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 1 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10 µA @ 100 V・動作温度：-65°C～150°C（TJ）・グレード：-・認定：-・取り付けタ

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：800 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：30 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.6V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：10nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：100

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：100 V・電流 - 平均整流（Io）：100mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：900 mV @ 100 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：100 nA @ 50

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1000 V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1 V @ 1 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA @ 1000

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：25 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：250mV @ 1mA、10mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：100 @ 10mA

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：50 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：30 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 1mA、10mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：50nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：300 @

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：600 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：60 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.6V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：10nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：120

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：45 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：900mV @ 15mA、150mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：50nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：50 @ 1

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 8A、6V・Id印加時のVg

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 8A、6V・Id印加時のV

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 8A、6V・Id印加時のV

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：60A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7mOhm @ 20A, 5V・Id印加時のVg

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：60A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7mOhm @ 20A, 5V・Id印加時のV

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：60A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7mOhm @ 20A, 5V・Id印加時のV

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：700 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：140ミリオーム @ 5A、6V・Id印加時のVg

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：700 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：140ミリオーム @ 5A、6V・Id印加時のV

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：700 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：140ミリオーム @ 5A、6V・Id印加時のV

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.9ミリオーム @ 30A、5V・Id印加時

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.9ミリオーム @ 30A、5V・Id印加

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.9ミリオーム @ 30A、5V・Id印加

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.3A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：600ミリオーム @ 2.1A、10V・Id印加時のVgs

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：390ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th