半導体 　[ メーカー:ST%E3%83%9E%E3%82%A4%E3%82%AF%E3%83%AD%E3%82%A8%E3%83%AC%E3%82%AF%E3%83%88%E3%83%AD%E3%83%8B%E3%82%AF%E3%82%B9 納期:%E5%A3%B2%E3%82%8A%E5%88%87%E3%82%8C ]の検索結果

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・アンプタイプ：CMOS・回路数：4・出力タイプ：-・スルーレート：5.5V/µs・ゲイン帯域幅積：3.5 MHz・帯域幅-3db：-・電流 - 入力バイアス：1 pA・電圧 - 入力オフセット：1.1 mV・電流 - 供給：1mA・電流 - 出力/チャンネル：45 mA・電圧 - スパン（最小）：3 V・電圧 - スパン（

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・周波数：1575MHz・P1dB：-・ゲイン：18dB・雑音指数：1.15dB・RFタイプ：GPS・電圧 - 供給：2.4V～3V・電流 - 供給：8.5mA・テスト周波数：1.575GHz・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：SOT-563、SOT-666・サプライヤデバイス

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・タイプ：クラスAB・出力タイプ：1チャネル（モノ）・負荷時の最大出力 x チャンネル数：35W x 1 @ 4オーム・電圧 - 供給：9V～50V、±4.5V～25V・特長：短絡および加熱保護・取り付けタイプ：スルーホール・動作温度：-40°C～150°C（TJ）・グレード：-・認定：-・サプライヤデバイスパッケージ：5-

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：Snubberless™・トライアックタイプ：オルタニスタ - スナバレス・電圧 - オフ状態：600 V・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：25 A・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：1.3 V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz（Itsm）：250A、260A・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最

【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・タイプ：超音波パルサー・用途：超音波画像・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：56-VFLGA・サプライヤデバイスパッケージ：56-TFLGA（8x8）・グレード：-・認定：

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・タイプ：クラスD・出力タイプ：1チャネル（モノ）または2チャネル（ステレオ）・負荷時の最大出力 x チャンネル数：220W x 1 @ 3オーム; 160W x 2 @ 4オーム・電圧 - 供給：14V～36V・特長：差動入力、ミュート、短絡および過熱保護、スタンバイ・取り付けタイプ：面実装・動作温度：0°C～70°C（T

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：OMNIFET™, VIPower™・スイッチタイプ：汎用・出力数：1・レシオ - 入力：出力：1：1・出力構成：ローサイド・出力タイプ：Nチャンネル・インターフェース：オン/オフ・電圧 - 負荷：55V（最大）・電圧 - 電源（Vcc/Vdd）：不要・電流 - 出力（最大）：14A・Rds On（標準）：50ミリオーム（最大

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：OMNIFET™, VIPower™・スイッチタイプ：汎用・出力数：1・レシオ - 入力：出力：1：1・出力構成：ローサイド・出力タイプ：Nチャンネル・インターフェース：オン/オフ・電圧 - 負荷：55V（最大）・電圧 - 電源（Vcc/Vdd）：不要・電流 - 出力（最大）：14A・Rds On（標準）：100ミリオーム（最

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：VIPower™・スイッチタイプ：汎用・出力数：4・レシオ - 入力：出力：1：1・出力構成：ハイサイド・出力タイプ：Nチャンネル・インターフェース：オン/オフ・電圧 - 負荷：5.5V～36V・電圧 - 電源（Vcc/Vdd）：不要・電流 - 出力（最大）：14A・Rds On（標準）：60ミリオーム（最大）・入力タイプ：非

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・出力構成：ポジティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：40V・電圧 - 出力（最小/固定）：20V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：2V @ 1A（標準）・電流 - 出力：1.5A・電流 - 静止（Iq）：8 mA・電流 - 供給（最大）：-・PSRR：52dB（120

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・タイプ：クラスAB・出力タイプ：1チャネル（モノ）または2チャネル（ステレオ）・負荷時の最大出力 x チャンネル数：3.2W x 1 @ 8オーム; 1.7W x 2 @ 4オーム・電圧 - 供給：3V～15V・特長：-・取り付けタイプ：スルーホール・動作温度：-40°C～150°C（TJ）・グレード：-・認定：-・サプラ

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：4000B・論理タイプ：バイナリカウンタ・方向：下・素子数：1・素子あたりのビット数：8・リセット：非同期・タイミング：同期・カウント率：4.8 MHz・トリガタイプ：ポジティブエッジ・電圧 - 供給：3 V ~ 20 V・動作温度：-55°C～125°C・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：スルーホール・パッケージ/ケー

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・メモリタイプ：不揮発性・メモリフォーマット：EEPROM・技術：EEPROM・メモリサイズ：1Mビット・メモリ構成：128K x 8・メモリインターフェース：I2C・クロック周波数：1 MHz・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ：5ms・アクセス時間：500 ns・電圧 - 供給

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・タイプ：クラスAB・出力タイプ：1チャネル（モノ）・負荷時の最大出力 x チャンネル数：100W x 1 @ 8オーム・電圧 - 供給：±12V～45V・特長：デポップ、ミュート、短絡および熱保護、スタンバイ・取り付けタイプ：スルーホール・動作温度：0°C～70°C（TA）・グレード：-・認定：-・サプライヤデバイスパッケー

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・タイプ：555タイプ、タイマ/発振器（シングル）・カウント：-・周波数：2.7MHz・電圧 - 供給：2V～16V・電流 - 供給：65 µA・動作温度：0°C～70°C・パッケージ/ケース：8-DIP（0.300インチ、7.62mm）・サプライヤデバイスパッケージ：8-DIP・取り付けタイプ：スルーホール・グレード：-・

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：74HC・機能：セット（プリセット）およびリセット・タイプ：JKタイプ・出力タイプ：コンプリメンタリ・素子数：2・素子あたりのビット数：1・クロック周波数：80 MHz・V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延：21ns @ 6V、50pF・トリガタイプ：ネガティブエッジ・電流 - 出力高、低：5.2mA、5.2mA・電圧 -

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・タイプ：クラスAB・出力タイプ：1チャネル（モノ）・負荷時の最大出力 x チャンネル数：18W x 1 @ 4オーム・電圧 - 供給：12V～36V、±6V～18V・特長：短絡および加熱保護・取り付けタイプ：スルーホール・動作温度：-40°C～150°C（TJ）・グレード：-・認定：-・サプライヤデバイスパッケージ：5-P

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：4000B・トランスレータタイプ：電圧レベル・チャンネルタイプ：単方向性・回路数：4・回路あたりのチャンネル：1・電圧 - VCCA：3 V ~ 20 V・電圧 - VCCB：3 V ~ 20 V・入力信号：-・出力信号：-・出力タイプ：3ステート、反転・データレート：-・動作温度：-55°C～125°C（TA）・グレード：-

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・タイプ：クラスAB・出力タイプ：1チャネル（モノ）・負荷時の最大出力 x チャンネル数：18W x 1 @ 4オーム・電圧 - 供給：12V～44V、±6V～22V・特長：短絡および加熱保護・取り付けタイプ：スルーホール・動作温度：-40°C～150°C（TJ）・グレード：-・認定：-・サプライヤデバイスパッケージ：5-P

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・タイプ：クラスAB・出力タイプ：1チャネル（モノ）・負荷時の最大出力 x チャンネル数：18W x 1 @ 4オーム・電圧 - 供給：12V～44V、±6V～22V・特長：短絡および加熱保護・取り付けタイプ：スルーホール・動作温度：-40°C～150°C（TJ）・グレード：-・認定：-・サプライヤデバイスパッケージ：5-P

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：74HC・タイプ：優先度エンコーダ・回路：1 x 8：3・独立回路：1・電流 - 出力高、低：5.2mA、5.2mA・電源：単電源・電圧 - 供給：2V～6V・動作温度：-55°C～125°C・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：スルーホール・パッケージ/ケース：16-DIP（0.300インチ、7.62mm）・サプライヤデ

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・出力構成：ハーフブリッジ（4）・用途：DCモータ、リレー、ソレノイド、ステッピングモータ・インターフェース：論理・負荷タイプ：誘導性・技術：バイポーラ・Rds On（標準）：-・電流 - 出力/チャンネル：-・電流 - ピーク出力：2A・電圧 - 供給：4.5V～7V・電圧 - 負荷：4.8V～46V・動作温度：-40°C

【仕様】・パッケージ：-・シリーズ：*・センサのタイプ：-・出力タイプ：-・動作温度：-・グレード：-・認定：

【仕様】・パッケージ：-・シリーズ：*・IGBTタイプ：-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：-・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：-・電流 - パルス形コレクタ（Icm）：-・Vce（on）（最大） @ Vge、Ic：-・電力 - 最大：-・スイッチングエネルギー：-・入力タイプ：-・ゲート充電：-・25°CでのTd（オン/オフ）：-・テスト条件：

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：100 V・電流 - 平均整流（Io）：2A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：860 mV @ 2 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA @ 10

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：-・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：-・電流 - 平均整流（Io）：-・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：-・速度：-・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：-・Vr、F印加時の静電容量：-・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイス

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：-・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：-・電流 - 平均整流（Io）：-・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：-・速度：-・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：-・Vr、F印加時の静電容量：-・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイス

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：-・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：-・電流 - 平均整流（Io）：-・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：-・速度：-・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：-・Vr、F印加時の静電容量：-・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイス

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：-・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：-・電流 - 平均整流（Io）：-・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：-・速度：-・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：-・Vr、F印加時の静電容量：-・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイス

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・アンプタイプ：汎用・回路数：1・出力タイプ：レール ツー レール・スルーレート：0.5V/µs・ゲイン帯域幅積：1.3 MHz・帯域幅-3db：-・電流 - 入力バイアス：1 pA・電圧 - 入力オフセット：2 mV・電流 - 供給：30µA・電流 - 出力/チャンネル：74 mA・電圧 - スパン（最小）：1

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：X・電圧 - オフ状態：400 V・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：800 mV・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：200 µA・電圧 - オン状態（Vtm）（最大）：1.95 V・電流 - オン状態（It（AV））（最大）：500 mA・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：800 mA・電流 - ホ

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・アンプタイプ：汎用・回路数：1・出力タイプ：レール ツー レール・スルーレート：0.14V/µs・ゲイン帯域幅積：420 kHz・帯域幅-3db：-・電流 - 入力バイアス：1 pA・電圧 - 入力オフセット：4 mV・電流 - 供給：29µA・電流 - 出力/チャンネル：74 mA・電圧 - スパン（最小）

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・モータタイプ - ステッピング：バイポーラ・モータタイプ - AC、DC：ブラシ付きDC・機能：ドライバ - 完全統合型、制御およびパワー段・出力構成：ハーフブリッジ（2）・インターフェース：SPI・技術：CMOS・ステップ分解能：-・用途：汎用・電流 - 出力：8.6A・電圧 - 供給：4.5V～5.5V・電圧 - 負荷

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・スイッチタイプ：ラッチドライバ・出力数：8・レシオ - 入力：出力：1：8・出力構成：ローサイド・出力タイプ：Nチャンネル・インターフェース：SPI・電圧 - 負荷：45V（最大）・電圧 - 電源（Vcc/Vdd）：4.5V～5.5V・電流 - 出力（最大）：1A・Rds On（標準）：750ミリオーム（最大）・入力タイプ

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・出力構成：ポジティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：5.5V・電圧 - 出力（最小/固定）：2.8V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：0.11V @ 100mA・電流 - 出力：150mA・電流 - 静止（Iq）：50 µA・電流 - 供給（最大）：70

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・出力構成：ポジティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：5.5V・電圧 - 出力（最小/固定）：3V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：0.11V @ 100mA・電流 - 出力：150mA・電流 - 静止（Iq）：50 µA・電流 - 供給（最大）：70 µA

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・出力構成：ポジティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：5.5V・電圧 - 出力（最小/固定）：3V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：0.11V @ 100mA・電流 - 出力：150mA・電流 - 静止（Iq）：50 µA・電流 - 供給（最大）：70 µ

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・出力構成：ポジティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：5.5V・電圧 - 出力（最小/固定）：3V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：0.11V @ 100mA・電流 - 出力：150mA・電流 - 静止（Iq）：50 µA・電流 - 供給（最大）：70 µ

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・機能：-・周波数：-・RFタイプ：-・副次属性：-・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・機能：バイアスネットワーク・周波数：-・RFタイプ：2G、3G、4G、CDMA、LTE・副次属性：SIMおよびスマートカードインタフェース・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：-・パッケージ/ケース：-・サプライヤデバイスパッケージ：

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：SPC58・DigiKeyプログラマブル：-・コアプロセッサ：e200z4・コアサイズ：32ビット・速度：160MHz・接続性：CANbus、I2C、LINbus、SPI、UART/USART・ペリフェラル：DMA、POR、温度センサ、WDT・I/O数：-・プログラムメモリサイズ：2MB（2M x 8）・プログラムメモリタイプ：

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・センシング距離：-・出力タイプ：-・電圧 - 供給：-・電流 - 供給：-・電圧 - 距離あたりの出力差（標準）：-・電圧 - 距離あたりの出力（標準）：-・動作温度：

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：400 V・電流 - 平均整流（Io）：10A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.7 V @ 10 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：140 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1 µA @ 400 V・V

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：700 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.4オーム @ 1.75A、10V・Id印加時のVgs（th

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：SLLIMM - 2nd・タイプ：IGBT・構成：3相インバータ・電流：35 A・電圧：600 V・電圧 - 絶縁：1600Vrms・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：スルーホール・パッケージ/ケース：26-PowerDIPモジュール（1.146インチ、29.10mm）

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：SLLIMM - 2nd・タイプ：IGBT・構成：3相インバータ・電流：12 A・電圧：600 V・電圧 - 絶縁：1600Vrms・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：スルーホール・パッケージ/ケース：26-PowerDIPモジュール（1.146インチ、29.10mm）

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：SLLIMM - 2nd・タイプ：IGBT・構成：3相インバータ・電流：20 A・電圧：600 V・電圧 - 絶縁：1600Vrms・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：スルーホール・パッケージ/ケース：26-PowerDIPモジュール（1.146インチ、29.10mm）

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：33 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：80A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：11ミリオーム @ 40A、10V・Id印加時のVgs（th）

【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：ST7・DigiKeyプログラマブル：未検証・コアプロセッサ：ST7・コアサイズ：8ビット・速度：8MHz・接続性：SCI、SPI・ペリフェラル：LVD、POR、PWM、WDT・I/O数：24・プログラムメモリサイズ：32KB（32K x 8）・プログラムメモリタイプ：フラッシュ・EEPROMサイズ：-・RAMサイズ：1K x

【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：ST7・DigiKeyプログラマブル：未検証・コアプロセッサ：ST7・コアサイズ：8ビット・速度：8MHz・接続性：CANbus、LINSCI、SPI・ペリフェラル：LVD、POR、PWM、WDT・I/O数：48・プログラムメモリサイズ：60KB（60K x 8）・プログラムメモリタイプ：フラッシュ・EEPROMサイズ：-・RA