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【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):8V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):560ミリオーム @ 3.4
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【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):900 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):34A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):63ミリオーム @ 22A、10V・Id印
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【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperGaN™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):46.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):41ミリオーム @ 3
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【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):46.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):12V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):41ミリオーム @ 30A、10V・I
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【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 8.5A、10V・I
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【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):8V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):560ミリオーム @ 3.4
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【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):560ミリオーム @ 3A、
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【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 10A、
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【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 18A、10V・Id印
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【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・主目的:DC/DCコンバータ・出力とタイプ:1、非絶縁・電源 - 出力:1 kW・電圧 - 出力:-・電流 - 出力:10A・電圧 - 入力:-・レギュレータトポロジ:昇圧、降圧、ハーフブリッジ・周波数 - スイッチング:-・ボードタイプ:完備・供給内容:ボード、電源・使用IC/部品:TPH3206PS
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【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):18.9A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):110ミリオーム @ 12A、10V・
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【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):18.9A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):110ミリオーム @ 12
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【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):18.9A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):110ミリオーム @ 1
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【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):18.9A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):110ミリオーム @ 1
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【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 18A、1
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【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 18A、
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【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 18A、
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【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、10V・Id印加時
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【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):34A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):60ミリオーム @ 22A、10V・Id印加
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【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、10V・Id印加
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【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、10V・Id印加
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【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):34A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):60ミリオーム @ 22A、10V・Id印加時
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【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):34A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):60ミリオーム @ 22A、10V・Id印加
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【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):46.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):41ミリオーム @ 30
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【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):35A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):60ミリオーム @ 22A、10V・Id印
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【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):46.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):41ミリオーム @ 30A
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【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):46.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):41ミリオーム @ 30
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商品説明
【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):312ミリオーム @ 6.5A
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【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):312ミリオーム @ 6.5
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【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):312ミリオーム @ 6.5
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【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):560ミリオーム @ 3A、6
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【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):560ミリオーム @ 3A、
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商品説明
【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9.2A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):312ミリオーム @ 6.5A
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【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9.2A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):312ミリオーム @ 6.5
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商品説明
【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9.2A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):312ミリオーム @ 6.5
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商品説明
【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、1
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、
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商品説明
【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、
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商品説明
【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):8V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):560ミリオーム @ 3.4A、8V・Id印
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商品説明
【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):13A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 8.5A、10V・Id印
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):13A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 8.5A、10V・Id
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商品説明
【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、1
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、
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商品説明
【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、
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商品説明
【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 10A、6
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商品説明
【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 10A、
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商品説明
【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:-・主目的:DC/ACインバータ・出力とタイプ:1、非絶縁・電源 - 出力:3 kW・電圧 - 出力:-・電流 - 出力:-・電圧 - 入力:400V・レギュレータトポロジ:フルブリッジ・周波数 - スイッチング:50kHz・ボードタイプ:完備・供給内容:ボード・使用IC/部品:TP65H050G4WS
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商品説明
【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):8V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):312ミリオーム @ 5A、8V・Id印加時のVgs(th
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商品説明
【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):8V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):312ミリオーム @ 5A、8V・Id印加時の
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商品説明
【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):8V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):312ミリオーム @ 5A、8V・Id印加時
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