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トランジスタ - FET、MOSFET - シングル|インフィニオンの定格表該当製品数: 8,465 / 8,465 件

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シリーズ

FETタイプ

技術

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

Id印加時のVgs（th）（最大）

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

Vgsでのゲートチャージ（Qg）（最大）に結合された電圧

Vgs（最大）

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

Vdsでの入力静電容量（Ciss）（最大）に結合された電圧

FET機能

電力散逸（最大）

動作温度

グレード

認定

取り付けタイプ

絞り込み項目メーカー納期

表示件数 : 1 2 3 4 5 .. 全 4,000 件中 1 ～ 100 件目

写真	型番	メーカー	品質ランク	単価 (税抜)	単価 (税込)		在庫数量	最少購入数	納期	パッケージ	シリーズ	FETタイプ	技術	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	Vgsでのゲートチャージ（Qg）（最大）に結合された電圧	Vgs（最大）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	Vdsでの入力静電容量（Ciss）（最大）に結合された電圧	FET機能	電力散逸（最大）	動作温度	グレード	認定	取り付けタイプ
	IAUT260N10S5N019ATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥1,197.27 /個	1個以上￥1,316.99 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ 5	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	260A（Tc）	6V、10V	1.9ミリオーム @ 100A、10V	3.8V @ 210µA	166 nC @ 10 V	±20V	11830 pF @ 50 V	-	300W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-HSOF-8-1	8-PowerSFN
	IMZA65R015M2HXKSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥3,142.36 /個	1個以上￥3,456.59 /個	★	確認する		確認する	チューブ	CoolSiC™ Gen 2	Nチャンネル	SiCFET（炭化ケイ素）	650 V	103A（Tc）	15V、20V	13.2ミリオーム @ 64.2A、20V	5.6V @ 13mA	79 nC @ 18 V	+23V、-7V	2792 pF @ 400 V	-	341W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	PG-TO247-4-8	TO-247-4
	IRFP260NPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥1,075.35 /個	1個以上￥1,182.88 /個	★	確認する		確認する	チューブ	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	200 V	50A（Tc）	10V	40ミリオーム @ 28A、10V	4V @ 250µA	234 nC @ 10 V	±20V	4057 pF @ 25 V	-	300W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-247AC	TO-247-3
	BSZ100N06LS3GATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥371.43 /個	1個以上￥408.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	11A（Ta）、20A（Tc）	4.5V、10V	10ミリオーム @ 20A、10V	2.2V @ 23µA	45 nC @ 10 V	±20V	3500 pF @ 30 V	-	2.1W（Ta）、50W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PG-TSDSON-8	8-PowerVDFN
	BSC0909NSATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥201.43 /個	1個以上￥221.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	34 V	12A（Ta）、44A（Tc）	4.5V、10V	9.2ミリオーム @ 20A、10V	2V @ 250µA	15 nC @ 10 V	±20V	1110 pF @ 15 V	-	2.5W（Ta）、27W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PG-TDSON-8-5	8-PowerTDFN
	IRF540ZPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥387.15 /個	1個以上￥425.86 /個	★	確認する		確認する	チューブ	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	36A（Tc）	10V	26.5ミリオーム @ 22A、10V	4V @ 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1770 pF @ 25 V	-	92W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220AB	TO-220-3
	IRLZ44NPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥408.58 /個	1個以上￥449.43 /個	★	確認する		確認する	チューブ	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	55 V	47A（Tc）	4V、10V	22ミリオーム @ 25A、10V	2V @ 250µA	48 nC @ 5 V	±16V	1700 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta）、110W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220AB	TO-220-3
	IRLML6402TRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥95.72 /個	1個以上￥105.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	20 V	3.7A（Ta）	2.5V、4.5V	65ミリオーム @ 3.7A、4.5V	1.2V @ 250µA	12 nC @ 5 V	±12V	633 pF @ 10 V	-	1.3W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	Micro3™/SOT-23	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
	IRFB4310ZPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥769.45 /個	1個以上￥846.39 /個	★	確認する		確認する	チューブ	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	120A（Tc）	10V	6ミリオーム @ 75A、10V	4V @ 150µA	170 nC @ 10 V	±20V	6860 pF @ 50 V	-	250W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220AB	TO-220-3
	ISS55EP06LMXTSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥55.72 /個	1個以上￥61.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	180mA（Ta）	4.5V、10V	5.5オーム @ 180mA、10V	2V @ 11µA	0.59 nC @ 10 V	±20V	18 pF @ 30 V	-	400mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PG-SOT23-3-5	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
	IGT65R025D2ATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥2,252.95 /個	1個以上￥2,478.24 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	CoolGaN™ G5	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	70A（Tc）	-	-	1.6V @ 6.1mA	11 nC @ 3 V	-10V	780 pF @ 400 V	-	236W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PG-HSOF-8	8-PowerSFN
	AIMBG120R040M1XTMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥2,536.48 /個	1個以上￥2,790.12 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	CoolSiC™	Nチャンネル	SiCFET（炭化ケイ素）	1200 V	54A（Tc）	18V、20V	50ミリオーム @ 20A、20V	5.1V @ 6.4mA	43 nC @ 20 V	+25V、-10V	1264 pF @ 800 V	-	268W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-TO263-7	TO-263-8、D2PAK（7リード + タブ）、TO-263CA
	GS61008PMRXUSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥1,764.71 /個	1個以上￥1,941.18 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	100 V	90A（Tc）	6V	9.5ミリオーム @ 27A、6V	2.6V @ 7mA	8 nC @ 6 V	+7V、-10V	600 pF @ 50 V	-	-	-55°C～150°C	-	-	面実装	-	5-SMD、リードなし
	AIMBG120R040M1XTMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥2,536.48 /個	1個以上￥2,790.12 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	CoolSiC™	Nチャンネル	SiCFET（炭化ケイ素）	1200 V	54A（Tc）	18V、20V	50ミリオーム @ 20A、20V	5.1V @ 6.4mA	43 nC @ 20 V	+25V、-10V	1264 pF @ 800 V	-	268W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-TO263-7	TO-263-8、D2PAK（7リード + タブ）、TO-263CA
	AIMBG120R040M1XTMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1000個以上￥1,154.59 /個	1000個以上￥1,270.04 /個	★	確認する	1,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	CoolSiC™	Nチャンネル	SiCFET（炭化ケイ素）	1200 V	54A（Tc）	18V、20V	50ミリオーム @ 20A、20V	5.1V @ 6.4mA	43 nC @ 20 V	+25V、-10V	1264 pF @ 800 V	-	268W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-TO263-7	TO-263-8、D2PAK（7リード + タブ）、TO-263CA
	IPB015N04LGATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1000個以上￥373.85 /個	1000個以上￥411.23 /個	★	確認する	1,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40 V	120A（Tc）	4.5V、10V	1.5ミリオーム @ 100A、10V	2V @ 200µA	346 nC @ 10 V	±20V	28000 pF @ 25 V	-	250W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PG-TO263-3	TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
	IPB015N04LGATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥1,219.18 /個	1個以上￥1,341.09 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40 V	120A（Tc）	4.5V、10V	1.5ミリオーム @ 100A、10V	2V @ 200µA	346 nC @ 10 V	±20V	28000 pF @ 25 V	-	250W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PG-TO263-3	TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
	IPP069N20NM6AKSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥1,470.74 /個	1個以上￥1,617.81 /個	★	確認する		確認する	チューブ	OptiMOS™ 6	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	200 V	15.3A（Ta）、136A（Tc）	10V、15V	6.3ミリオーム @ 100A、15V	4.5V @ 258µA	110 nC @ 10 V	±20V	7400 pF @ 100 V	-	3.8W（Ta）、300W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	PG-TO220-3-1	TO-220-3
	IRFP4468PBFXKMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥1,212.00 /個	1個以上￥1,333.20 /個	★	確認する		確認する	チューブ	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	290A（Tc）	10V	2.6ミリオーム @ 180A、10V	4V @ 250µA	540 nC @ 10 V	±20V	19860 pF @ 50 V	-	520W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-247AC	TO-247-3
	GS66508TTRXUMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥3,924.71 /個	1個以上￥4,317.18 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	650 V	30A（Tc）	6V	63ミリオーム @ 9A、6V	2.6V @ 7mA	5.8 nC @ 6 V	+7V、-10V	260 pF @ 400 V	-	-	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	ダイ	ダイ
	IGLT65R055B2AUMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥2,097.65 /個	1個以上￥2,307.41 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	CoolGaN™	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	21.8A（Tc）	-	-	1.6V @ 3mA	5.4 nC @ 3 V	-10V	346 pF @ 400 V	-	135W（Tc）	-40°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PG-HDSOP-16-9	16-PowerSOPモジュール
	BSZ160N10NS3GATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥474.29 /個	1個以上￥521.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	8A（Ta）、40A（Tc）	6V、10V	16ミリオーム @ 20A、10V	3.5V @ 12µA	25 nC @ 10 V	±20V	1700 pF @ 50 V	-	2.1W（Ta）、63W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PG-TSDSON-8	8-PowerTDFN
	IMBG65R007M2HXTMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥5,198.86 /個	1個以上￥5,718.74 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	CoolSiC™ Gen 2	Nチャンネル	SiCFET（炭化ケイ素）	650 V	238A（Tc）	15V、20V	8.5ミリオーム @ 146.3A、18V	5.6V @ 2.97mA	179 nC @ 18 V	+23V、-7V	6359 pF @ 400 V	-	789W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PG-TO263-7-12	TO-263-8、D2PAK（7リード + タブ）、TO-263CA
	IMZA65R083M1HXKSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥1,374.08 /個	1個以上￥1,511.48 /個	★	確認する		確認する	チューブ	CoolSiC™	Nチャンネル	SiCFET（炭化ケイ素）	650 V	26A（Tc）	18V	111ミリオーム @ 11.2A、18V	5.7V @ 3.3mA	19 nC @ 18 V	+20V、-2V	624 pF @ 400 V	-	104W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	PG-TO247-4-3	TO-247-4
	IRFP4468PBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥1,212.00 /個	1個以上￥1,333.20 /個	★	確認する		確認する	チューブ	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	195A（Tc）	10V	2.6ミリオーム @ 180A、10V	4V @ 250µA	540 nC @ 10 V	±20V	19860 pF @ 50 V	-	520W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-247AC	TO-247-3
	IPD80R2K7C3AATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥445.72 /個	1個以上￥490.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	CoolMOS™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	800 V	2A（Tc）	10V	2.7オーム @ 1.2A、10V	3.9V @ 250µA	1.5 nC @ 10 V	±20V	290 pF @ 100 V	-	42W（Tc）	-40°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
	GS66516TMRXUSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥6,417.25 /個	1個以上￥7,058.97 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	60A（Tc）	6V	32ミリオーム @ 18A、6V	1.3V @ 14mA	12.1 nC @ 6 V	+7V、-10V	520 pF @ 400 V	-	-	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	-	4-SMD、リードなし
	IMZA120R007M1HXKSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥8,512.65 /個	1個以上￥9,363.91 /個	★	確認する		確認する	チューブ	CoolSiC™	Nチャンネル	SiCFET（炭化ケイ素）	1200 V	225A（Tc）	15V、18V	9.9ミリオーム @ 108A、18V	5.2V @ 47mA	289 nC @ 18 V	+20V、-5V	9170 pF @ 800 V	-	750W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	PG-TO247-4-8	TO-247-4
	GS61004BMRXUSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥1,219.18 /個	1個以上￥1,341.09 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	100 V	45A（Tc）	6V	20ミリオーム @ 13.5A、6V	1.3V @ 7mA	6.2 nC @ 6 V	+7V、-10V	295 pF @ 50 V	-	-	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	-	3-SMD、リードなし
	IRFZ44NPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥322.86 /個	1個以上￥355.14 /個	★	確認する		確認する	チューブ	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	55 V	49A（Tc）	10V	17.5ミリオーム @ 25A、10V	4V @ 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1470 pF @ 25 V	-	94W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220AB	TO-220-3
	IGT65R025D2ATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥2,252.95 /個	1個以上￥2,478.24 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	CoolGaN™ G5	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	70A（Tc）	-	-	1.6V @ 6.1mA	11 nC @ 3 V	-10V	780 pF @ 400 V	-	236W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PG-HSOF-8	8-PowerSFN
	IGT65R025D2ATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	2000個以上￥989.79 /個	2000個以上￥1,088.76 /個	★	確認する	2,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	CoolGaN™ G5	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	70A（Tc）	-	-	1.6V @ 6.1mA	11 nC @ 3 V	-10V	780 pF @ 400 V	-	236W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PG-HSOF-8	8-PowerSFN
	IPD80R2K7C3AATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥445.72 /個	1個以上￥490.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	CoolMOS™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	800 V	2A（Tc）	10V	2.7オーム @ 1.2A、10V	3.9V @ 250µA	1.5 nC @ 10 V	±20V	290 pF @ 100 V	-	42W（Tc）	-40°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
	IPD90P04P405ATMA2	インフィニオン	A(DigiKey)	2500個以上￥136.41 /個	2500個以上￥150.05 /個	★	確認する	2,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™ P2	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40 V	90A（Tc）	10V	4.7ミリオーム @ 90A、10V	4V @ 250µA	154 nC @ 10 V	±20V	10300 pF @ 25 V	-	125W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-TO252-3-313	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
	IRFR3910TRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥374.29 /個	1個以上￥411.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	16A（Tc）	10V	115ミリオーム @ 10A、10V	4V @ 250µA	44 nC @ 10 V	±20V	640 pF @ 25 V	-	79W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
	IGOT65R025D2AUMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥2,322.36 /個	1個以上￥2,554.59 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	CoolGaN™	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	61A（Tc）	-	-	1.6V @ 6.1mA	11 nC @ 3 V	-10V	780 pF @ 400 V	-	184W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PG-DSO-20-91	20-BFSOP（幅0.295インチ、7.50mm）
	IPA60R170CFD7XKSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥736.12 /個	1個以上￥809.73 /個	★	確認する		確認する	チューブ	CoolMOS™ CFD7	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	650 V	8A（Tc）	10V	170ミリオーム @ 6A、10V	4.5V @ 300µA	28 nC @ 10 V	±20V	1199 pF @ 400 V	-	26W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	PG-TO220-FP	TO-220-3フルパッッケージ
	IMW120R045M1XKSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥2,530.59 /個	1個以上￥2,783.64 /個	★	確認する		確認する	チューブ	CoolSiC™	Nチャンネル	SiCFET（炭化ケイ素）	1200 V	52A（Tc）	15V	59ミリオーム @ 20A、15V	5.7V @ 10mA	52 nC @ 15 V	+20V、-10V	1900 pF @ 800 V	-	228W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	PG-TO247-3-41	TO-247-3
	GS66516TTRXUMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	3000個以上￥3,882.47 /個	3000個以上￥4,270.71 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	60A（Tc）	6V	32ミリオーム @ 18A、6V	1.3V @ 14mA	12.1 nC @ 6 V	+7V、-10V	520 pF @ 400 V	-	-	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	-	4-SMD、リードなし
	IMW65R027M1HXKSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥2,405.89 /個	1個以上￥2,646.47 /個	★	確認する		確認する	チューブ	CoolSIC™ M1	Nチャンネル	SiCFET（炭化ケイ素）	650 V	47A（Tc）	18V	34ミリオーム @ 38.3A、18V	5.7V @ 11mA	62 nC @ 18 V	+23V、-5V	2131 pF @ 400 V	-	189W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	PG-TO247-3-41	TO-247-3
	IAUCN04S7L004ATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥783.34 /個	1個以上￥861.67 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 7	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40 V	-	10V	-	-	190 nC @ 10 V	-	-	-	-	-55°C～175°C	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-TDSON-8-53	8-PowerTDFN
	IRLML6344TRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥112.86 /個	1個以上￥124.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30 V	5A（Ta）	2.5V、4.5V	29ミリオーム @ 5A、4.5V	1.1V @ 10µA	6.8 nC @ 4.5 V	±12V	650 pF @ 25 V	-	1.3W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	Micro3™/SOT-23	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
	ISZ056N03LF2SATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥231.43 /個	1個以上￥254.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	StrongIRFET™ 2	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30 V	16A（Ta）、72A（Tc）	4.5V、10V	5.6ミリオーム @ 20A、10V	2.35V @ 30µA	11 nC @ 4.5 V	±20V	1012 pF @ 15 V	-	3W（Ta）、52W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PG-TSDSON-8 FL	8-PowerTDFN
	ISZ056N03LF2SATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥231.43 /個	1個以上￥254.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	StrongIRFET™ 2	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30 V	16A（Ta）、72A（Tc）	4.5V、10V	5.6ミリオーム @ 20A、10V	2.35V @ 30µA	11 nC @ 4.5 V	±20V	1012 pF @ 15 V	-	3W（Ta）、52W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PG-TSDSON-8 FL	8-PowerTDFN
	IRF100P218AKMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥1,476.83 /個	1個以上￥1,624.51 /個	★	確認する		確認する	チューブ	StrongIRFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	209A（Tc）	6V、10V	1.28ミリオーム @ 100A、10V	3.8V @ 278µA	412 nC @ 10 V	±20V	24000 pF @ 50 V	-	3.8W（Ta）、556W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	PG-TO247-3	TO-247-3
	GS66516TTRXUMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥6,417.25 /個	1個以上￥7,058.97 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	60A（Tc）	6V	32ミリオーム @ 18A、6V	1.3V @ 14mA	12.1 nC @ 6 V	+7V、-10V	520 pF @ 400 V	-	-	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	-	4-SMD、リードなし
	IGT65R045D2ATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥1,569.52 /個	1個以上￥1,726.47 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	CoolGaN™ G5	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	38A（Tc）	-	-	1.6V @ 3.3mA	6 nC @ 3 V	-10V	430 pF @ 400 V	-	131W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PG-HSOF-8	8-PowerSFN
	IRFS3806TRLPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥442.86 /個	1個以上￥487.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	43A（Tc）	10V	15.8ミリオーム @ 25A、10V	4V @ 50µA	30 nC @ 10 V	±20V	1150 pF @ 50 V	-	71W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	D2PAK	TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
	IAUCN04S7N004ATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥783.34 /個	1個以上￥861.67 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 7	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40 V	175A	7V、10V	0.44ミリオーム @ 88A、10V	3V @ 130µA	169 nC @ 10 V	±20V	11310 pF @ 20 V	-	219W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-TDSON-8-53	8-PowerTDFN
	IRFR3710ZTRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥525.72 /個	1個以上￥578.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	42A（Tc）	10V	18ミリオーム @ 33A、10V	4V @ 250µA	100 nC @ 10 V	±20V	2930 pF @ 25 V	-	140W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
	ISC031N08NM6SCATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	4000個以上￥299.03 /個	4000個以上￥328.93 /個	★	確認する	4,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™ 6	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	80 V	21A（Ta）、145A（Tc）	8V、10V	3.1ミリオーム @ 50A、10V	3.5V @ 65µA	44 nC @ 10 V	±20V	3100 pF @ 40 V	-	3W（Ta）、150W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PG-WSON-8-2	8-PowerWDFN
	IPA030N10NF2SXKSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥961.65 /個	1個以上￥1,057.81 /個	★	確認する		確認する	チューブ	StrongIRFET™ 2	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	83A（Tc）	6V、10V	3ミリオーム @ 50A、10V	3.8V @ 169µA	154 nC @ 10 V	±20V	7300 pF @ 50 V	-	41W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	PG-TO220フルパッッケージ	TO-220-3フルパッッケージ
	AIMDQ75R016M1HXUMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥3,672.95 /個	1個以上￥4,040.24 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	CoolSiC™	Nチャンネル	SiCFET（炭化ケイ素）	750 V	98A（Tc）	0V、18V	22ミリオーム @ 41.5A、18V	5.6V @ 14.9mA	80 nC @ 18 V	+23V、-5V	2869 pF @ 500 V	-	384W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-HDSOP-22	22-PowerBSOPモジュール
	IAUCN04S7L004ATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥783.34 /個	1個以上￥861.67 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ 7	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40 V	-	10V	-	-	190 nC @ 10 V	-	-	-	-	-55°C～175°C	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-TDSON-8-53	8-PowerTDFN
	IRFR220NTRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥282.86 /個	1個以上￥311.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	200 V	5A（Tc）	10V	600ミリオーム @ 2.9A、10V	4V @ 250µA	23 nC @ 10 V	±20V	300 pF @ 25 V	-	43W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
	ISK057N04LM6ATSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥250.00 /個	1個以上￥275.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 6	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40 V	15A（Ta）、64A（Tc）	4.5V、10V	5.75ミリオーム @ 20A、10V	2.3V @ 250µA	12 nC @ 10 V	±20V	870 pF @ 20 V	-	2.1W（Ta）、39.1W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PG-VSON-6-1	6-PowerVDFN
	IAUCN08S7L110ATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥344.29 /個	1個以上￥378.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 7	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	80 V	50A（Tj）	4.5V、10V	11ミリオーム @ 20A、10V	2V @ 14µA	19.3 nC @ 10 V	±16V	1056 pF @ 40 V	-	58W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-TDSON-8-34	8-PowerTDFN
	IPTG063N15NM5ATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥1,190.42 /個	1個以上￥1,309.46 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 5	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	150 V	16.2A（Ta）、122A（Tc）	8V、10V	6.3ミリオーム @ 50A、10V	4.6V @ 163µA	63 nC @ 10 V	±20V	4800 pF @ 75 V	-	3.8W（Ta）、214W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PG-HSOG-8	8-PowerSMD、ガルウィング
	IAUCN04S7N004ATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥783.34 /個	1個以上￥861.67 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ 7	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40 V	175A	7V、10V	0.44ミリオーム @ 88A、10V	3V @ 130µA	169 nC @ 10 V	±20V	11310 pF @ 20 V	-	219W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-TDSON-8-53	8-PowerTDFN
	IPD80R1K2P7ATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥360.00 /個	1個以上￥396.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	CoolMOS™ P7	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	800 V	4.5A（Tc）	10V	1.2オーム @ 1.7A、10V	3.5V @ 80µA	11 nC @ 10 V	±20V	300 pF @ 500 V	-	37W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PG-TO252-3	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
	IAUCN08S7L013ATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥952.78 /個	1個以上￥1,048.05 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 7	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	80 V	293A（Tj）	4.5V、10V	1.26ミリオーム @ 88A、10V	2V @ 131µA	156 nC @ 10 V	±16V	9554 pF @ 40 V	-	219W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-TDSON-8-53	8-PowerTDFN
	IAUCN04S7L028ATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥310.00 /個	1個以上￥341.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 7	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40 V	100A	10V	-	-	-	-	-	-	-	-55°C～175°C	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-TDSON-8-33	8-PowerTDFN
	IAUCN04S7L028ATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥310.00 /個	1個以上￥341.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ 7	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40 V	100A	10V	-	-	-	-	-	-	-	-55°C～175°C	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-TDSON-8-33	8-PowerTDFN
	IAUCN04S7L028ATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	5000個以上￥54.77 /個	5000個以上￥60.24 /個	★	確認する	5,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™ 7	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40 V	100A	10V	-	-	-	-	-	-	-	-55°C～175°C	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-TDSON-8-33	8-PowerTDFN
	ISC018N08NM6SCATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	4000個以上￥367.01 /個	4000個以上￥403.71 /個	★	確認する	4,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™ 6	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	80 V	27A（Ta）、230A（Tc）	8V、10V	1.8ミリオーム @ 50A、10V	3.5V @ 114µA	76 nC @ 10 V	±20V	5400 pF @ 40 V	-	3W（Ta）、217W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PG-WSON-8-2	8-PowerWDFN
	IPP110N20N3GXKSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥1,093.16 /個	1個以上￥1,202.47 /個	★	確認する		確認する	チューブ	OptiMOS™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	200 V	88A（Tc）	10V	11ミリオーム @ 88A、10V	4V @ 270µA	87 nC @ 10 V	±20V	7100 pF @ 100 V	-	300W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	PG-TO220-3	TO-220-3
	IRL540NLPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	600個以上￥175.62 /個	600個以上￥193.18 /個	★	確認する	600 個	確認する	チューブ	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	36A（Tc）	4V、10V	44ミリオーム @ 18A、10V	2V @ 250µA	74 nC @ 5 V	±16V	1800 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta）、140W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-262	TO-262-3長リード、I2PAK、TO-262AA
	IAUZN10S7N078ATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥495.72 /個	1個以上￥545.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 7	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	76A（Tj）	7V、10V	7.8ミリオーム @ 30A、10V	3.2V @ 33µA	28.9 nC @ 10 V	±20V	1839 pF @ 50 V	-	94W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-TSDSON-8-39	8-PowerTDFN
	IPTC025N15NM6ATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥1,515.86 /個	1個以上￥1,667.44 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 6	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	150 V	26A（Ta）、264A（Tc）	8V、15V	2.4ミリオーム @ 120A、15V	4V @ 275µA	137 nC @ 10 V	±20V	9800 pF @ 75 V	-	3.8W（Ta）、395W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PG-HDSOP-16-2	16-PowerSOPモジュール
	IRF9540NSTRLPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥534.29 /個	1個以上￥587.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	23A（Tc）	10V	117ミリオーム @ 14A、10V	4V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	1450 pF @ 25 V	-	3.1W（Ta）、110W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	D2PAK	TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
	IRFI3205PBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥768.06 /個	1個以上￥844.86 /個	★	確認する		確認する	チューブ	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	55 V	64A（Tc）	10V	8ミリオーム @ 34A、10V	4V @ 250µA	170 nC @ 10 V	±20V	4000 pF @ 25 V	-	63W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220ABフルパッッケージ	TO-220-3フルパッッケージ
	IRFP250NPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥836.12 /個	1個以上￥919.73 /個	★	確認する		確認する	チューブ	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	200 V	30A（Tc）	10V	75ミリオーム @ 18A、10V	4V @ 250µA	123 nC @ 10 V	±20V	2159 pF @ 25 V	-	214W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-247AC	TO-247-3
	IRFS7730TRL7PP	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥983.57 /個	1個以上￥1,081.92 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	StrongIRFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	75 V	240A（Tc）	6V、10V	2ミリオーム @ 100A、10V	3.7V @ 250µA	428 nC @ 10 V	±20V	13970 pF @ 25 V	-	375W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	D2PAK（7-Lead）	TO-263-7、D2PAK（6リード + タブ）
	BSP318SH6327XTSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥252.86 /個	1個以上￥278.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	SIPMOS®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	2.6A（Tj）	4.5V、10V	90ミリオーム @ 2.6A、10V	2V @ 20µA	20 nC @ 10 V	±20V	380 pF @ 25 V	-	1.8W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-SOT223-4	TO-261-4、TO-261AA
	IPD85P04P407ATMA2	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥480.00 /個	1個以上￥528.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ P2	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40 V	85A（Tc）	-	7.3ミリオーム @ 85A、10V	4V @ 150µA	89 nC @ 10 V	±20V	6085 pF @ 25 V	-	88W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-TO252-3-313	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
	IRFU9024NPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥314.29 /個	1個以上￥345.71 /個	★	確認する		確認する	チューブ	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	55 V	11A（Tc）	10V	175ミリオーム @ 6.6A、10V	4V @ 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	38W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	IPAK（TO-251AA）	TO-251-3短いリード、IPAK、TO-251AA
	IAUC41N06S5L100ATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥298.58 /個	1個以上￥328.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	41A（Tj）	-	10ミリオーム @ 20A、10V	2.2V @ 13µA	16.4 nC @ 10 V	±16V	1205 pF @ 30 V	-	42W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-TDSON-8-33	8-PowerTDFN
	IMLT65R026M2HXTMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥2,101.18 /個	1個以上￥2,311.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	CoolSiC™	Nチャンネル	SiCFET（炭化ケイ素）	650 V	82A（Tc）	15V、20V	24ミリオーム @ 34.5A、20V	5.6V @ 7mA	42 nC @ 18 V	+23V、-7V	1499 pF @ 400 V	-	365W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PG-HDSOP-16-6	16-PowerSOPモジュール
	IMLT65R033M2HXTMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥1,798.83 /個	1個以上￥1,978.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	CoolSiC™	Nチャンネル	SiCFET（炭化ケイ素）	650 V	68A（Tc）	15V、20V	30ミリオーム @ 27.9A、20V	5.6V @ 5.7mA	34 nC @ 18 V	+23V、-7V	1213 pF @ 400 V	-	312W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PG-HDSOP-16-6	16-PowerSOPモジュール
	IGC090S20S1XTMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥1,147.95 /個	1個以上￥1,262.74 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	CoolGaN™	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	200 V	12A（Ta）、46A（Tc）	5V	9ミリオーム @ 10A、5V	2.9V @ 5mA	8.5 nC @ 5 V	±6.5V	800 pF @ 100 V	-	3.3W（Ta）、45W（Tc）	-40°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PG-TSON-6-2	6-PowerTDFN
	IRLU3410PBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥358.58 /個	1個以上￥394.43 /個	★	確認する		確認する	チューブ	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	17A（Tc）	4V、10V	105ミリオーム @ 10A、10V	2V @ 250µA	34 nC @ 5 V	±16V	800 pF @ 25 V	-	79W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	IPAK（TO-251AA）	TO-251-3短いリード、IPAK、TO-251AA
	IPD35N10S3L26ATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥507.15 /個	1個以上￥557.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	35A（Tc）	4.5V、10V	24ミリオーム @ 35A、10V	2.4V @ 39µA	39 nC @ 10 V	±20V	2700 pF @ 25 V	-	71W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-TO252-3-11	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
	IRLR120NTRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥302.86 /個	1個以上￥333.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	10A（Tc）	4V、10V	185ミリオーム @ 6A、10V	2V @ 250µA	20 nC @ 5 V	±16V	440 pF @ 25 V	-	48W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
	IRFR3710ZTRLPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	3000個以上￥114.27 /個	3000個以上￥125.69 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	42A（Tc）	10V	18ミリオーム @ 33A、10V	4V @ 250µA	100 nC @ 10 V	±20V	2930 pF @ 25 V	-	140W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
	IRFR3710ZTRLPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥530.00 /個	1個以上￥583.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	42A（Tc）	10V	18ミリオーム @ 33A、10V	4V @ 250µA	100 nC @ 10 V	±20V	2930 pF @ 25 V	-	140W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
	GS66508TMRXUSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥3,924.71 /個	1個以上￥4,317.18 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	650 V	30A（Tc）	6V	63ミリオーム @ 9A、6V	2.6V @ 7mA	5.8 nC @ 6 V	+7V、-10V	260 pF @ 400 V	-	-	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	ダイ	ダイ
	GS66508TMRXUSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥3,924.71 /個	1個以上￥4,317.18 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	650 V	30A（Tc）	6V	63ミリオーム @ 9A、6V	2.6V @ 7mA	5.8 nC @ 6 V	+7V、-10V	260 pF @ 400 V	-	-	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	ダイ	ダイ
	IQE031N08LM6CGSCATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥755.56 /個	1個以上￥831.11 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 6	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	80 V	18A（Ta）、127A（Tc）	4.5V、10V	3.15ミリオーム @ 20A、10V	2.3V @ 50.8µA	68 nC @ 10 V	±20V	4600 pF @ 40 V	-	2.5W（Ta）、125W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PG-WHTFN-9	9-PowerWDFN
	IPDD60R180CM8XTMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1700個以上￥139.33 /個	1700個以上￥153.26 /個	★	確認する	1,700 個	確認する	テープ＆リール（TR）	CoolMOS™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	600 V	21A（Tj）	10V	180ミリオーム @ 5.6A、10V	4.7V @ 140µA	17 nC @ 10 V	±20V	743 pF @ 400 V	-	169W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PG-HDSOP-10-1	10-PowerSOPモジュール
	IRLML2502TRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥120.00 /個	1個以上￥132.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	20 V	4.2A（Ta）	2.5V、4.5V	45ミリオーム @ 4.2A、4.5V	1.2V @ 250µA	12 nC @ 5 V	±12V	740 pF @ 15 V	-	1.25W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	Micro3™/SOT-23	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
	IQD016N08NM5SCATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥1,242.67 /個	1個以上￥1,366.93 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 5	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	80 V	31A（Ta）、323A（Tc）	6V、10V	1.57ミリオーム @ 50A、10V	3.8V @ 159µA	133 nC @ 10 V	±20V	9200 pF @ 40 V	-	3W（Ta）、333W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PG-WHSON-8-U02	8-PowerWDFN
	IQD016N08NM5SCATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	5000個以上￥381.64 /個	5000個以上￥419.80 /個	★	確認する	5,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™ 5	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	80 V	31A（Ta）、323A（Tc）	6V、10V	1.57ミリオーム @ 50A、10V	3.8V @ 159µA	133 nC @ 10 V	±20V	9200 pF @ 40 V	-	3W（Ta）、333W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PG-WHSON-8-U02	8-PowerWDFN
	BSZ130N03MSGATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥230.00 /個	1個以上￥253.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30 V	9A（Ta）、35A（Tc）	4.5V、10V	11.5ミリオーム @ 20A、10V	2V @ 250µA	17 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 15 V	-	2.1W（Ta）、25W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PG-TSDSON-8	8-PowerTDFN
	IGB110S101XTMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥515.72 /個	1個以上￥567.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	CoolGaN™	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	100 V	9A（Ta）、23A（Tc）	5V	11ミリオーム @ 10A、5V	2.9V @ 3mA	4.4 nC @ 5 V	±6.5V	340 pF @ 50 V	-	2.5W（Ta）、15W（Tc）	-40°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PG-VSON-4-3	4-PowerVDFN
	IRFR3710ZTRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥525.72 /個	1個以上￥578.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	42A（Tc）	10V	18ミリオーム @ 33A、10V	4V @ 250µA	100 nC @ 10 V	±20V	2930 pF @ 25 V	-	140W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
	IRLML2246TRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥90.00 /個	1個以上￥99.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	20 V	2.6A（Ta）	2.5V、4.5V	135ミリオーム @ 2.6A、4.5V	1.1V @ 10µA	2.9 nC @ 4.5 V	±12V	220 pF @ 16 V	-	1.3W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	Micro3™/SOT-23	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
	IMCQ120R007M2HXTMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥6,659.78 /個	1個以上￥7,325.75 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	CoolSiC™	Nチャンネル	SiCFET（炭化ケイ素）	1200 V	257A（Tc）	15V、18V	7.5ミリオーム @ 93A、18V	5.1V @ 29.1mA	197.2 nC @ 18 V	+23V、-7V	8440 pF @ 800 V	-	1172W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PG-HDSOP-22	22-PowerBSOPモジュール
	IAUT150N10S5N035ATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥854.17 /個	1個以上￥939.58 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 5	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	150A（Tc）	6V、10V	3.5ミリオーム @ 75A、10V	3.8V @ 110µA	87 nC @ 10 V	±20V	6110 pF @ 50 V	-	166W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-HSOF-8-1	8-PowerSFN
	IPP200N15N3GXKSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥731.95 /個	1個以上￥805.14 /個	★	確認する		確認する	チューブ	OptiMOS™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	150 V	50A（Tc）	8V、10V	20ミリオーム @ 50A、10V	4V @ 90µA	31 nC @ 10 V	±20V	1820 pF @ 75 V	-	150W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	PG-TO220-3	TO-220-3
	IAUT300N10S5N014ATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥1,291.03 /個	1個以上￥1,420.13 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	360A（Tj）	6V、10V	1.4ミリオーム @ 100A、10V	3.8V @ 275µA	216 nC @ 10 V	±20V	16011 pF @ 50 V	-	375W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-HSOF-8-1	8-PowerSFN
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【IAUT260N10S5N019ATMA1】MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：260A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.9ミリオーム @

￥1,197.27 税込￥1,316.99
2

【IMZA65R015M2HXKSA1】SILICON CARBIDE MOSFET

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolSiC™ Gen 2・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：103A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.2ミリオーム @

￥3,142.36 税込￥3,456.59
3

【IRFP260NPBF】MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40ミリオーム @ 28A、10V・Id印加時の

￥1,075.35 税込￥1,182.88
4

【BSZ100N06LS3GATMA1】MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11A（Ta）、20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10ミリ

￥371.43 税込￥408.57
5

【BSC0909NSATMA1】MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：34 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：12A（Ta）、44A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.2ミ

￥201.43 税込￥221.57
6

【IRF540ZPBF】MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：36A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：26.5ミリオーム @ 22A、10V・Id印加

￥387.15 税込￥425.86
7

【IRLZ44NPBF】MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：47A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 25A、10V・Id印加

￥408.58 税込￥449.43
8

【IRLML6402TRPBF】MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.7A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 3

￥95.72 税込￥105.29
9

【IRFB4310ZPBF】MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：120A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6ミリオーム @ 75A、10V・Id印加時の

￥769.45 税込￥846.39
10

【ISS55EP06LMXTSA1】MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：180mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.5オーム @ 1

￥55.72 税込￥61.29
11

【IGT65R025D2ATMA1】IGT65R025D2ATMA1

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：CoolGaN™ G5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：70A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th

￥2,252.95 税込￥2,478.24
12

【AIMBG120R040M1XTMA1】SICFET N-CH 1200V 54A TO-263 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：54A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V、20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 20

￥2,536.48 税込￥2,790.12
13

【GS61008PMRXUSA1】GS61008P-MR

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：90A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.5ミリオーム @ 27A、6V・Id印加時

￥1,764.71 税込￥1,941.18
14

【AIMBG120R040M1XTMA1】SICFET N-CH 1200V 54A TO-263

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：54A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V、20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 2

￥2,536.48 税込￥2,790.12
15

【AIMBG120R040M1XTMA1】SICFET N-CH 1200V 54A TO-263

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：54A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V、20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 2

￥1,154.59 税込￥1,270.04
16

【IPB015N04LGATMA1】MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

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最小1,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：120A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5ミリオーム @

￥373.85 税込￥411.23
17

【IPB015N04LGATMA1】MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：120A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5ミリオーム @

￥1,219.18 税込￥1,341.09
18

【IPP069N20NM6AKSA1】OptiMOS 6 パワーMOSFET(200V/15.3A)

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：OptiMOS™ 6・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15.3A（Ta）、136A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V、15V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6.3ミリオ

￥1,470.74 税込￥1,617.81
19

【IRFP4468PBFXKMA1】TRENCH >=100V PG-TO247-3

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：290A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.6ミリオーム @ 180A、10V・Id印

￥1,212.00 税込￥1,333.20
20

【GS66508TTRXUMA1】GS66508T-TR

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：63ミリオーム @ 9A、6V・Id印加時のVg

￥3,924.71 税込￥4,317.18
21

【IGLT65R055B2AUMA1】HV GAN DISCRETES

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：CoolGaN™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：21.8A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）

￥2,097.65 税込￥2,307.41
22

【BSZ160N10NS3GATMA1】MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Ta）、40A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16ミリオー

￥474.29 税込￥521.71
23

【IMBG65R007M2HXTMA1】SICFET N-CH 650V 238A TO263-7 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：CoolSiC™ Gen 2・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：238A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8.5ミリオ

￥5,198.86 税込￥5,718.74
24

【IMZA65R083M1HXKSA1】SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：26A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：111ミリオーム @ 11.2A、18V・Id

￥1,374.08 税込￥1,511.48
25

【IRFP4468PBF】MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：195A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.6ミリオーム @ 180A、10V・Id印

￥1,212.00 税込￥1,333.20
26

【IPD80R2K7C3AATMA1】MOSFET N-CH TO252-3

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：CoolMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：800 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.7オーム @ 1.2A、10V

￥445.72 税込￥490.29
27

【GS66516TMRXUSA1】GS66516T-MR

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：60A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 18A、6V・Id印加時の

￥6,417.25 税込￥7,058.97
28

【IMZA120R007M1HXKSA1】SIC DISCRETE

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：225A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.9ミリオーム @ 108A、1

￥8,512.65 税込￥9,363.91
29

【GS61004BMRXUSA1】GS61004B-MR

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：45A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 13.5A、6V・Id印加

￥1,219.18 税込￥1,341.09
30

【IRFZ44NPBF】MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：49A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17.5ミリオーム @ 25A、10V・Id印加時

￥322.86 税込￥355.14
31

【IGT65R025D2ATMA1】IGT65R025D2ATMA1 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：CoolGaN™ G5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：70A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）

￥2,252.95 税込￥2,478.24
32

【IGT65R025D2ATMA1】IGT65R025D2ATMA1

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最小2,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：CoolGaN™ G5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：70A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th

￥989.79 税込￥1,088.76
33

【IPD80R2K7C3AATMA1】MOSFET N-CH TO252-3 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：CoolMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：800 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.7オーム @ 1.2A、10V・

￥445.72 税込￥490.29
34

【IPD90P04P405ATMA2】MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3

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最小2,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™ P2・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：90A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.7ミリオーム @ 90A

￥136.41 税込￥150.05
35

【IRFR3910TRPBF】MOSFET N-CH 100V 16A DPAK

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：115ミリオーム @ 10A、10

￥374.29 税込￥411.71
36

【IGOT65R025D2AUMA1】IGOT65R025D2AUMA1

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：CoolGaN™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：61A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最

￥2,322.36 税込￥2,554.59
37

【IPA60R170CFD7XKSA1】MOSFET N-CH 650V 8A TO220

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolMOS™ CFD7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：170ミリオーム @ 6A、10V・I

￥736.12 税込￥809.73
38

【IMW120R045M1XKSA1】SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：52A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：59ミリオーム @ 20A、15V・Id印加

￥2,530.59 税込￥2,783.64
39

【GS66516TTRXUMA1】GS66516T-TR

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：60A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 18A、6V・Id印加時の

￥3,882.47 税込￥4,270.71
40

【IMW65R027M1HXKSA1】MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolSIC™ M1・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：47A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：34ミリオーム @ 38.3A、18V・

￥2,405.89 税込￥2,646.47
41

【IAUCN04S7L004ATMA1】MOSFET_(20V 40V) [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・

￥783.34 税込￥861.67
42

【IRLML6344TRPBF】MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：29ミリオーム @ 5A、

￥112.86 税込￥124.14
43

【ISZ056N03LF2SATMA1】ISZ056N03LF2SATMA1 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：StrongIRFET™ 2・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Ta）、72A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）

￥231.43 税込￥254.57
44

【ISZ056N03LF2SATMA1】ISZ056N03LF2SATMA1

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：StrongIRFET™ 2・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Ta）、72A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大

￥231.43 税込￥254.57
45

【IRF100P218AKMA1】MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：StrongIRFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：209A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.28ミリオーム @ 100

￥1,476.83 税込￥1,624.51
46

【GS66516TTRXUMA1】GS66516T-TR [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：60A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 18A、6V・Id印加時のV

￥6,417.25 税込￥7,058.97
47

【IGT65R045D2ATMA1】IGT65R045D2ATMA1

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：CoolGaN™ G5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：38A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th

￥1,569.52 税込￥1,726.47
48

【IRFS3806TRLPBF】MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：43A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：15.8ミリオーム @ 25A、10V

￥442.86 税込￥487.14
49

【IAUCN04S7N004ATMA1】MOSFET_(20V 40V) [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：175A・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：7V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：0.44ミリオーム @ 88A、

￥783.34 税込￥861.67
50

【IRFR3710ZTRPBF】MOSFET N-CH 100V 42A DPAK [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18ミリオーム @ 33A、10V・

￥525.72 税込￥578.29
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【ISC031N08NM6SCATMA1】TRENCH 40<-<100V

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最小4,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™ 6・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：21A（Ta）、145A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.1

￥299.03 税込￥328.93
52

【IPA030N10NF2SXKSA1】TRENCH >=100V PG-TO220-3

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：StrongIRFET™ 2・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：83A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3ミリオーム @ 50A、1

￥961.65 税込￥1,057.81
53

【AIMDQ75R016M1HXUMA1】SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：750 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：98A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：0V、18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 41.

￥3,672.95 税込￥4,040.24
54

【IAUCN04S7L004ATMA1】MOSFET_(20V 40V)

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-

￥783.34 税込￥861.67
55

【IRFR220NTRPBF】MOSFET N-CH 200V 5A DPAK

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：600ミリオーム @ 2.9A、10

￥282.86 税込￥311.14
56

【ISK057N04LM6ATSA1】MOSFET N-CH 40V 64A 6VSON [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 6・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Ta）、64A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.7

￥250.00 税込￥275.00
57

【IAUCN08S7L110ATMA1】IAUCN08S7L110ATMA1 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：11ミリオーム @ 2

￥344.29 税込￥378.71
58

【IPTG063N15NM5ATMA1】TRENCH >=100V [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16.2A（Ta）、122A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6

￥1,190.42 税込￥1,309.46
59

【IAUCN04S7N004ATMA1】MOSFET_(20V 40V)

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：175A・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：7V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：0.44ミリオーム @ 88A

￥783.34 税込￥861.67
60

【IPD80R1K2P7ATMA1】MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：CoolMOS™ P7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：800 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.2オーム @ 1.7A

￥360.00 税込￥396.00
61

【IAUCN08S7L013ATMA1】MOSFET_(75V 120V( [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：293A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.26ミリオーム

￥952.78 税込￥1,048.05
62

【IAUCN04S7L028ATMA1】MOSFET_(20V 40V) [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100A・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥310.00 税込￥341.00
63

【IAUCN04S7L028ATMA1】MOSFET_(20V 40V)

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100A・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大

￥310.00 税込￥341.00
64

【IAUCN04S7L028ATMA1】MOSFET_(20V 40V)

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最小5,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™ 7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100A・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大

￥54.77 税込￥60.24
65

【ISC018N08NM6SCATMA1】TRENCH 40<-<100V

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最小4,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™ 6・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：27A（Ta）、230A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.8

￥367.01 税込￥403.71
66

【IPP110N20N3GXKSA1】MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：88A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：11ミリオーム @ 88A、10V・Id印加時

￥1,093.16 税込￥1,202.47
67

【IRL540NLPBF】MOSFET N-CH 100V 36A TO262

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最小600個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：36A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：44ミリオーム @ 18A、10V・Id印

￥175.62 税込￥193.18
68

【IAUZN10S7N078ATMA1】MOSFET_(75V 120V( [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：76A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：7V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.8ミリオーム @ 3

￥495.72 税込￥545.29
69

【IPTC025N15NM6ATMA1】TRENCH >=100V [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 6・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：26A（Ta）、264A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V、15V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4

￥1,515.86 税込￥1,667.44
70

【IRF9540NSTRLPBF】MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：23A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：117ミリオーム @ 14A、10V

￥534.29 税込￥587.71
71

【IRFI3205PBF】MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB FP

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：64A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8ミリオーム @ 34A、10V・Id印加時のVg

￥768.06 税込￥844.86
72

【IRFP250NPBF】MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 18A、10V・Id印加時の

￥836.12 税込￥919.73
73

【IRFS7730TRL7PP】MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：StrongIRFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：75 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：240A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2ミリオーム @ 1

￥983.57 税込￥1,081.92
74

【BSP318SH6327XTSA1】MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：SIPMOS®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.6A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：90ミリオーム @ 2.

￥252.86 税込￥278.14
75

【IPD85P04P407ATMA2】MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ P2・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：85A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.3ミリオーム @ 85A、1

￥480.00 税込￥528.00
76

【IRFU9024NPBF】MOSFET P-CH 55V 11A IPAK

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：175ミリオーム @ 6.6A、10V・Id印加時

￥314.29 税込￥345.71
77

【IAUC41N06S5L100ATMA1】MOSFET N-CH 60V 41A TDSON-8-33 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：41A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10ミリオーム @ 20A、10V・Id

￥298.58 税込￥328.43
78

【IMLT65R026M2HXTMA1】SILICON CARBIDE MOSFET

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：82A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：24ミリオーム @ 34

￥2,101.18 税込￥2,311.29
79

【IMLT65R033M2HXTMA1】SILICON CARBIDE MOSFET

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：68A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 27

￥1,798.83 税込￥1,978.71
80

【IGC090S20S1XTMA1】200 V G3 IN PQFN 3X5, 6.7 M,DSC

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：CoolGaN™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：12A（Ta）、46A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9ミリオーム @

￥1,147.95 税込￥1,262.74
81

【IRLU3410PBF】MOSFET N-CH 100V 17A IPAK

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：105ミリオーム @ 10A、10V・Id

￥358.58 税込￥394.43
82

【IPD35N10S3L26ATMA1】MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：35A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：24ミリオーム @ 35

￥507.15 税込￥557.86
83

【IRLR120NTRPBF】MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：185ミリオーム @ 6A、

￥302.86 税込￥333.14
84

【IRFR3710ZTRLPBF】MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18ミリオーム @ 33A、10V

￥114.27 税込￥125.69
85

【IRFR3710ZTRLPBF】MOSFET N-CH 100V 42A DPAK [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18ミリオーム @ 33A、10V・

￥530.00 税込￥583.00
86

【GS66508TMRXUSA1】GS66508T-MR [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：63ミリオーム @ 9A、6V・Id印加時のVgs

￥3,924.71 税込￥4,317.18
87

【GS66508TMRXUSA1】GS66508T-MR

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：63ミリオーム @ 9A、6V・Id印加時のVg

￥3,924.71 税込￥4,317.18
88

【IQE031N08LM6CGSCATMA1】TRENCH 40<-<100V [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 6・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18A（Ta）、127A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.

￥755.56 税込￥831.11
89

【IPDD60R180CM8XTMA1】IPDD60R180CM8XTMA1

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最小1,700個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：CoolMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：21A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 5.6A、

￥139.33 税込￥153.26
90

【IRLML2502TRPBF】MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.2A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：45ミリオーム @ 4

￥120.00 税込￥132.00
91

【IQD016N08NM5SCATMA1】OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：31A（Ta）、323A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.57

￥1,242.67 税込￥1,366.93
92

【IQD016N08NM5SCATMA1】OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150

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最小5,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™ 5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：31A（Ta）、323A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5

￥381.64 税込￥419.80
93

【BSZ130N03MSGATMA1】MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Ta）、35A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：11.5ミリ

￥230.00 税込￥253.00
94

【IGB110S101XTMA1】MV GAN DISCRETES [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：CoolGaN™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Ta）、23A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：11ミリオーム @

￥515.72 税込￥567.29
95

【IRFR3710ZTRPBF】MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18ミリオーム @ 33A、10V

￥525.72 税込￥578.29
96

【IRLML2246TRPBF】MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.6A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：135ミリオーム @ 2

￥90.00 税込￥99.00
97

【IMCQ120R007M2HXTMA1】SIC DISCRETE

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：257A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5ミリオーム @

￥6,659.78 税込￥7,325.75
98

【IAUT150N10S5N035ATMA1】MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：150A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.5ミリオーム @

￥854.17 税込￥939.58
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【IPP200N15N3GXKSA1】MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 50A、10V・Id

￥731.95 税込￥805.14
100

【IAUT300N10S5N014ATMA1】MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：360A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.4ミリオーム @ 10

￥1,291.03 税込￥1,420.13

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トランジスタ - FET、MOSFET - シングル|インフィニオンの定格表 該当製品数: 8,465 / 8,465 件

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