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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ|インフィニオンの定格表 該当製品数: 882 / 882

定格表の使い方
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882 件中 1100 件目
写真 型番 メーカー データシート BOMに追加 品質ランク 単価 (税抜) 単価 (税込) カートに追加 在庫数量 最少購入数 納期 パッケージ シリーズ 技術 構成 FET機能 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力 - 最大 動作温度 グレード 認定 取り付けタイプ パッケージ/ケース サプライヤデバイスパッケージ
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
2500個以上 ¥41.62 /個
2500個以上 ¥45.78 /個
確認する 2,500 確認する テープ&リール(TR) OptiMOS™ MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 30V 6A 22ミリオーム @ 7.7A、10V 2.1V @ 250µA 10nC @ 10V 800pF @ 15V 1.4W -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥254.29 /個
1個以上 ¥279.71 /個
確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 30V 6A 22ミリオーム @ 7.7A、10V 2.1V @ 250µA 10nC @ 10V 800pF @ 15V 1.4W -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥274.29 /個
1個以上 ¥301.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) HEXFET® MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - 30V 4A、3A 50ミリオーム @ 2.4A、10V 1V @ 250µA 25nC @ 4.5V 520pF @ 15V 1.4W -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SO
IMT65R50M2HXUMA1 IMT65R50M2HXUMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,393.83 /個
1個以上 ¥1,533.21 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - - - - - - - - - - - - - - - -
FF2000UXTR33T2M1BPSA1 FF2000UXTR33T2M1BPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,249,485.11 /個
1個以上 ¥1,374,433.62 /個
確認する 確認する CoolSiC™ シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 3300V(3.3kV) 925A(Tc) 2.4ミリオーム @ 1kA、15V 5.55V @ 900mA 5000nC @ 15V 203000pF @ 1.8kV - -40°C~175°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール AG-XHP2K33
FF3MR20KM1HPHPSA1 FF3MR20KM1HPHPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥107,774.47 /個
1個以上 ¥118,551.91 /個
確認する 確認する トレイ C, CoolSiC™ シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 2000V(2kV) 325A(Tc) 4ミリオーム @ 400A、18V 5.15V @ 224mA 1560nC @ 18V 48200pF @ 1200V - -40°C~175°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール AG-62MMHB
FF2600UXTR33T2M1BPSA1 FF2600UXTR33T2M1BPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥971,310.64 /個
1個以上 ¥1,068,441.70 /個
確認する 確認する CoolSiC™ シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 3300V(3.3kV) 720A(Tc) 3.1ミリオーム @ 750A、15V 5.55V @ 675mA 3750nC @ 15V 152000pF @ 1.8kV - -40°C~175°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール AG-XHP2K33
ISG0614N06NM5HSCATMA1 ISG0614N06NM5HSCATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
3000個以上 ¥313.60 /個
3000個以上 ¥344.96 /個
確認する 3,000 確認する テープ&リール(TR) OptiMOS™ 5 MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 60V 31A(Ta)、233A(Tc) 1.6ミリオーム @ 50A、10V 3.3V @ 86µA 102nC @ 10V 6400pF @ 30V 3W(Ta)、167W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 10-PowerWDFN PG-WHITFN-10-1
FS17MR12W2M1HB11ABPSA2 FS17MR12W2M1HB11ABPSA2 インフィニオン BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥21,194.26 /個
1個以上 ¥23,313.68 /個
確認する 確認する トレイ EasyPACK™ - - - - - - - - - - - - - - -
FF06MR12A04MA2AKSA1 FF06MR12A04MA2AKSA1 インフィニオン BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥37,159.14 /個
1個以上 ¥40,875.05 /個
確認する 確認する チューブ HybridPACK™ シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 1200V(1.2kV) 190A 5.56mOhm @ 190A, 18V 4.55V @ 60mA 420nC @ 18V 10100pF @ 850V 20mW -40°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 スルーホール 11-PowerDIP Module (2.091", 53.10mm) PG-MDIP-11-1
F411MR12W3M1HB11BPSA1 F411MR12W3M1HB11BPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥24,196.60 /個
1個以上 ¥26,616.26 /個
確認する 確認する トレイ - - - - - - - - - - - - - - - -
FF1MR12MM1HPB11BPSA1 FF1MR12MM1HPB11BPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥91,905.32 /個
1個以上 ¥101,095.85 /個
確認する 確認する EconoDUAL™3 シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 1200V(1.2kV) 470A(Tj) 1.91ミリオーム @ 500A、18V 5.15V @ 224mA 1600nC @ 18V 48400pF @ 800V - -40°C~175°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール AG-ECONOD
FS01MR12A8MA2BHPSA1 FS01MR12A8MA2BHPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥224,550.00 /個
1個以上 ¥247,005.00 /個
確認する 確認する トレイ HybridPACK™ シリコンカーバイド(SiC) 6 Nチャネル - 1200V(1.2kV) 500A(Tj) 1.87ミリオーム @ 18V、500A 4.55V @ 240mA - 1900pF @ 750V - -40°C~175°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール
FF1MR12MM1HWB11BPSA1 FF1MR12MM1HWB11BPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥92,426.60 /個
1個以上 ¥101,669.26 /個
確認する 確認する トレイ - - - - - - - - - - - - - - - -
F46MR20W3M1HB11BPSA1 F46MR20W3M1HB11BPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥75,658.52 /個
1個以上 ¥83,224.37 /個
確認する 確認する トレイ EasyPACK™ シリコンカーバイド(SiC) 4 Nチャンネル - 2000V(2kV) 135A(Tj) 8.1ミリオーム @ 160A、18V 5.15V @ 112mA 780nC @ 3V 24100pF @ 1.2kV - -40°C~175°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール
FF5MR20KM1HSHPSA1 FF5MR20KM1HSHPSA1 インフィニオン BOMに追加 S1(DigiKey)
10個以上 ¥54,110.43 /個
10個以上 ¥59,521.47 /個
確認する 10 確認する トレイ - - - - - - - - - - - - - - - -
DF419MR20W3M1HFH94BPSA1 DF419MR20W3M1HFH94BPSA1 インフィニオン BOMに追加 S1(DigiKey)
8個以上 ¥43,630.06 /個
8個以上 ¥47,993.06 /個
確認する 8 確認する トレイ - - - - - - - - - - - - - - - -
F3L3MR12W3M1HH11BPSA1 F3L3MR12W3M1HH11BPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥44,262.77 /個
1個以上 ¥48,689.04 /個
確認する 確認する トレイ - - - - - - - - - - - - - - - -
FF8MR12W1M1HC58BPSA1 FF8MR12W1M1HC58BPSA1 インフィニオン BOMに追加 S1(DigiKey)
24個以上 ¥20,179.26 /個
24個以上 ¥22,197.18 /個
確認する 24 確認する トレイ - - - - - - - - - - - - - - - -
F3L340R12W3H7H11BPSA1 F3L340R12W3H7H11BPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥21,833.34 /個
1個以上 ¥24,016.67 /個
確認する 確認する トレイ - - - - - - - - - - - - - - - -
DF17MR12W1M1HFB86BPSA1 DF17MR12W1M1HFB86BPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥12,348.28 /個
1個以上 ¥13,583.10 /個
確認する 確認する トレイ EasyPACK™ シリコンカーバイド(SiC) 3 Nチャンネル - 1200V(1.2kV) 50A(Tj) 24ミリオーム @ 50A、18V 5.15V @ 20mA 74nC @ 18V 4400pF @ 800V - -40°C~175°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール
F899MR07W1D7B11ABPSA1 F899MR07W1D7B11ABPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥8,028.74 /個
1個以上 ¥8,831.61 /個
確認する 確認する トレイ EasyPACK™ MOSFET(金属酸化物) - - 650V - - - 48nC @ 10V - - -40°C~150°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール
ISA150233C03LMDSXTMA1 ISA150233C03LMDSXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
4000個以上 ¥42.72 /個
4000個以上 ¥46.99 /個
確認する 4,000 確認する テープ&リール(TR) OptiMOS™ 3 MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - 30V 7.6A(Ta)、10.2A(Tc)、6.6A(Ta)、8.8A(Tc) 15ミリオーム @ 10.2A、10V、23.3ミリオーム @ 8.8A、10V 2.7V @ 1mA 19nC @ 10V、32nC @ 10V 1300pF @ 15V、2300pF @ 15V 1.4W(Ta)、2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-920
FF3MR20W3M1HH11BPSA1 FF3MR20W3M1HH11BPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥68,706.39 /個
1個以上 ¥75,577.02 /個
確認する 確認する トレイ - - - - - - - - - - - - - - - -
F410MR20W3M1HB11BPSA1 F410MR20W3M1HB11BPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥53,463.83 /個
1個以上 ¥58,810.21 /個
確認する 確認する トレイ EasyPACK™ シリコンカーバイド(SiC) 4 Nチャンネル - 2000V(2kV) 95A(Tj) 13.3ミリオーム @ 120A、18V 5.15V @ 68mA 470nC @ 3V 14500pF @ 1200V - -40°C~175°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール
FF1MR12MM1HB11BPSA1 FF1MR12MM1HB11BPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥90,860.64 /個
1個以上 ¥99,946.70 /個
確認する 確認する トレイ EconoDUAL™3 シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 1200V(1.2kV) 420A(Tc) 1.91ミリオーム @ 500A、18V 5.15V @ 224mA 1600nC @ 18V 48400pF @ 800V - -40°C~175°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール AG-ECONOD
IMT65R50M2HXUMA1 IMT65R50M2HXUMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,393.83 /個
1個以上 ¥1,533.21 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - - - - - - - - - - - - - - - -
IMT65R50M2HXUMA1 IMT65R50M2HXUMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
2000個以上 ¥695.47 /個
2000個以上 ¥765.01 /個
確認する 2,000 確認する テープ&リール(TR) - - - - - - - - - - - - - - - -
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥39,172.05 /個
1個以上 ¥43,089.25 /個
確認する 確認する トレイ EasyPACK™ シリコンカーバイド(SiC) 4 Nチャンネル - 2000V(2kV) 155A(Tj) 8.7ミリオーム @ 100A、18V 5.15V @ 112mA 297nC @ 18V 24100pF @ 1.2kV - -40°C~175°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール
FF6MR20W2M1HB70BPSA1 FF6MR20W2M1HB70BPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥47,211.71 /個
1個以上 ¥51,932.88 /個
確認する 確認する トレイ EasyPACK™ シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 2000V(2kV) 160A(Tj) 8.1ミリオーム @ 160A、18V 5.15V @ 112mA 780nC @ 3V 24100pF @ 1.2kV - -40°C~175°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール
ISA150233C03LMDSXTMA ISA150233C03LMDSXTMA インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥385.72 /個
1個以上 ¥424.29 /個
確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ 3 MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - 30V 7.6A(Ta)、10.2A(Tc)、6.6A(Ta)、8.8A(Tc) 15ミリオーム @ 10.2A、10V、23.3ミリオーム @ 8.8A、10V 2.7V @ 1mA 19nC @ 10V、32nC @ 10V 1300pF @ 15V、2300pF @ 15V 1.4W(Ta)、2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-920
ISA150233C03LMDSXTMA ISA150233C03LMDSXTMA インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥385.72 /個
1個以上 ¥424.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ 3 MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - 30V 7.6A(Ta)、10.2A(Tc)、6.6A(Ta)、8.8A(Tc) 15ミリオーム @ 10.2A、10V、23.3ミリオーム @ 8.8A、10V 2.7V @ 1mA 19nC @ 10V、32nC @ 10V 1300pF @ 15V、2300pF @ 15V 1.4W(Ta)、2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-920
ISA150233C03LMDSXTMA ISA150233C03LMDSXTMA インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
4000個以上 ¥73.59 /個
4000個以上 ¥80.94 /個
確認する 4,000 確認する テープ&リール(TR) OptiMOS™ 3 MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - 30V 7.6A(Ta)、10.2A(Tc)、6.6A(Ta)、8.8A(Tc) 15ミリオーム @ 10.2A、10V、23.3ミリオーム @ 8.8A、10V 2.7V @ 1mA 19nC @ 10V、32nC @ 10V 1300pF @ 15V、2300pF @ 15V 1.4W(Ta)、2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-920
ISA170170N04LMDSXTMA1 ISA170170N04LMDSXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥211.43 /個
1個以上 ¥232.57 /個
確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ 3 MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 40V 7.2A(Ta)、9.6A(Tc) 17ミリオーム @ 9.6A、10V 2.7V @ 1mA 19.5nC @ 10V 1100pF @ 20V 1.4W(Ta)、2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-920
ISA170170N04LMDSXTMA1 ISA170170N04LMDSXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥211.43 /個
1個以上 ¥232.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ 3 MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 40V 7.2A(Ta)、9.6A(Tc) 17ミリオーム @ 9.6A、10V 2.7V @ 1mA 19.5nC @ 10V 1100pF @ 20V 1.4W(Ta)、2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-920
ISA170170N04LMDSXTMA1 ISA170170N04LMDSXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
4000個以上 ¥36.14 /個
4000個以上 ¥39.75 /個
確認する 4,000 確認する テープ&リール(TR) OptiMOS™ 3 MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 40V 7.2A(Ta)、9.6A(Tc) 17ミリオーム @ 9.6A、10V 2.7V @ 1mA 19.5nC @ 10V 1100pF @ 20V 1.4W(Ta)、2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-920
ISA170230C04LMDSXTMA1 ISA170230C04LMDSXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥331.43 /個
1個以上 ¥364.57 /個
確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ 3 MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - 40V 7.2A(Ta)、9.6A(Tc)、6.6A(Ta)、8.8A(Tc) 17ミリオーム @ 9.6A、10V、23ミリオーム @ 8.8A、10V 2.7V @ 1mA 19.5nC @ 10V、19nC @ 10V 1100pF @ 20V、2500pF @ 20V 1.4W(Ta)、2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-920
ISA170230C04LMDSXTMA1 ISA170230C04LMDSXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥331.43 /個
1個以上 ¥364.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ 3 MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - 40V 7.2A(Ta)、9.6A(Tc)、6.6A(Ta)、8.8A(Tc) 17ミリオーム @ 9.6A、10V、23ミリオーム @ 8.8A、10V 2.7V @ 1mA 19.5nC @ 10V、19nC @ 10V 1100pF @ 20V、2500pF @ 20V 1.4W(Ta)、2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-920
ISA170230C04LMDSXTMA1 ISA170230C04LMDSXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
4000個以上 ¥61.78 /個
4000個以上 ¥67.95 /個
確認する 4,000 確認する テープ&リール(TR) OptiMOS™ 3 MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - 40V 7.2A(Ta)、9.6A(Tc)、6.6A(Ta)、8.8A(Tc) 17ミリオーム @ 9.6A、10V、23ミリオーム @ 8.8A、10V 2.7V @ 1mA 19.5nC @ 10V、19nC @ 10V 1100pF @ 20V、2500pF @ 20V 1.4W(Ta)、2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-920
ISA220280C03LMDSXTMA1 ISA220280C03LMDSXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥192.86 /個
1個以上 ¥212.14 /個
確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ 3 MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - 30V 6.3A(Ta)、8.4A(Tc)、6.1A(Ta)、8.1A(Tc) 22ミリオーム @ 8.4A、10V、28ミリオーム @ 8.1A、10V 2.7V @ 1mA 13.4nC @ 10V 1400pF @ 15V 1.4W(Ta)、2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-920
ISA220280C03LMDSXTMA1 ISA220280C03LMDSXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥192.86 /個
1個以上 ¥212.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ 3 MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - 30V 6.3A(Ta)、8.4A(Tc)、6.1A(Ta)、8.1A(Tc) 22ミリオーム @ 8.4A、10V、28ミリオーム @ 8.1A、10V 2.7V @ 1mA 13.4nC @ 10V 1400pF @ 15V 1.4W(Ta)、2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-920
ISA220280C03LMDSXTMA1 ISA220280C03LMDSXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
4000個以上 ¥32.53 /個
4000個以上 ¥35.78 /個
確認する 4,000 確認する テープ&リール(TR) OptiMOS™ 3 MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - 30V 6.3A(Ta)、8.4A(Tc)、6.1A(Ta)、8.1A(Tc) 22ミリオーム @ 8.4A、10V、28ミリオーム @ 8.1A、10V 2.7V @ 1mA 13.4nC @ 10V 1400pF @ 15V 1.4W(Ta)、2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-920
ISA250250N04LMDSXTMA1 ISA250250N04LMDSXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥184.29 /個
1個以上 ¥202.71 /個
確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ 3 MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 40V 5.9A(Ta)、7.9A(Tc) 25ミリオーム @ 7.9A、10V 2.7V @ 1mA 11.9nC @ 10V 720pF @ 20V 1.4W(Ta)、2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-920
ISA250250N04LMDSXTMA1 ISA250250N04LMDSXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥184.29 /個
1個以上 ¥202.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ 3 MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 40V 5.9A(Ta)、7.9A(Tc) 25ミリオーム @ 7.9A、10V 2.7V @ 1mA 11.9nC @ 10V 720pF @ 20V 1.4W(Ta)、2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-920
ISA250250N04LMDSXTMA1 ISA250250N04LMDSXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
4000個以上 ¥30.68 /個
4000個以上 ¥33.74 /個
確認する 4,000 確認する テープ&リール(TR) OptiMOS™ 3 MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 40V 5.9A(Ta)、7.9A(Tc) 25ミリオーム @ 7.9A、10V 2.7V @ 1mA 11.9nC @ 10V 720pF @ 20V 1.4W(Ta)、2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-920
ISA250300C04LMDSXTMA1 ISA250300C04LMDSXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥192.86 /個
1個以上 ¥212.14 /個
確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ 3 MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - 40V 5.9A(Ta)、7.9A(Tc)、5.8A(Ta)、7.8A(Tc) 25ミリオーム @ 7.9A、10V、30ミリオーム @ 7.8A、10V 2.7V @ 1mA 11.9nC @ 10V 1600pF @ 20V 1.4W(Ta)、2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-920
ISA250300C04LMDSXTMA1 ISA250300C04LMDSXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥192.86 /個
1個以上 ¥212.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ 3 MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - 40V 5.9A(Ta)、7.9A(Tc)、5.8A(Ta)、7.8A(Tc) 25ミリオーム @ 7.9A、10V、30ミリオーム @ 7.8A、10V 2.7V @ 1mA 11.9nC @ 10V 1600pF @ 20V 1.4W(Ta)、2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-920
ISA250300C04LMDSXTMA1 ISA250300C04LMDSXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
4000個以上 ¥32.53 /個
4000個以上 ¥35.78 /個
確認する 4,000 確認する テープ&リール(TR) OptiMOS™ 3 MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - 40V 5.9A(Ta)、7.9A(Tc)、5.8A(Ta)、7.8A(Tc) 25ミリオーム @ 7.9A、10V、30ミリオーム @ 7.8A、10V 2.7V @ 1mA 11.9nC @ 10V 1600pF @ 20V 1.4W(Ta)、2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-920
IAUTN08S5N012LATMA1 IAUTN08S5N012LATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,228.00 /個
1個以上 ¥1,350.80 /個
確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ 5 MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル、コモンドレイン、コモンソース - 80V 300A(Tj) 1.15ミリオーム @ 100A、10V 3.3V @ 275µA 24nC @ 10V 15340pF @ 40V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 8-PowerSFN PG-HSOF-8-2
IAUTN08S5N012LATMA1 IAUTN08S5N012LATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,228.00 /個
1個以上 ¥1,350.80 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ 5 MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル、コモンドレイン、コモンソース - 80V 300A(Tj) 1.15ミリオーム @ 100A、10V 3.3V @ 275µA 24nC @ 10V 15340pF @ 40V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 8-PowerSFN PG-HSOF-8-2
FS03MR12A7MA2BHPSA1 FS03MR12A7MA2BHPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥211,026.60 /個
1個以上 ¥232,129.26 /個
確認する 確認する HybridPACK™ シリコンカーバイド(SiC) 6 Nチャネル - 1200V(1.2kV) 310A 2.54ミリオーム @ 310A、18V 4.55V @ 120mA 870nC @ 18V 25900pF @ 750V - -40°C~175°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール
IAUTN08S5N012LATMA1 IAUTN08S5N012LATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
2000個以上 ¥457.96 /個
2000個以上 ¥503.75 /個
確認する 2,000 確認する テープ&リール(TR) OptiMOS™ 5 MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル、コモンドレイン、コモンソース - 80V 300A(Tj) 1.15ミリオーム @ 100A、10V 3.3V @ 275µA 24nC @ 10V 15340pF @ 40V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 8-PowerSFN PG-HSOF-8-2
FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥278,281.92 /個
1個以上 ¥306,110.11 /個
確認する 確認する HybridPACK™ シリコンカーバイド(SiC) 6 Nチャネル - 750V 620A(Tj) 1.69ミリオーム @ 620A、18V 4.55V @ 200mA 1480nC @ 18V 43000pF @ 470V - -40°C~175°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール
FF7MR12W1M1HB17BPSA1 FF7MR12W1M1HB17BPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥23,459.10 /個
1個以上 ¥25,805.01 /個
確認する 確認する トレイ CoolSiC™ シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 1200V(1.2kV) 105A(Tj) 5.8ミリオーム @ 120A、18V 5.15V @ 56mA 400nC @ 18V 12100pF @ 800V 20mW -40°C~175°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール AG-EASY1B
FF17MR12W1M1HB17BPSA1 FF17MR12W1M1HB17BPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥12,395.41 /個
1個以上 ¥13,634.95 /個
確認する 確認する トレイ CoolSiC™ シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 1200V(1.2kV) 50A(Tj) 16.2ミリオーム @ 50A、18V 5.15V @ 20mA 149nC @ 18V 4400pF @ 800V 20mW -40°C~175°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール AG-EASY1B
IAUCN10S5L094DATMA1 IAUCN10S5L094DATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥438.58 /個
1個以上 ¥482.43 /個
確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ 5 MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 100V 66A(Tj) 9.4ミリオーム @ 30A、10V 2.2V @ 35µA 30nC @ 10V 2180pF @ 50V 96W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 8-PowerTDFN PG-TDSON-8-60
IAUCN10S5L094DATMA1 IAUCN10S5L094DATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥438.58 /個
1個以上 ¥482.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ 5 MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 100V 66A(Tj) 9.4ミリオーム @ 30A、10V 2.2V @ 35µA 30nC @ 10V 2180pF @ 50V 96W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 8-PowerTDFN PG-TDSON-8-60
IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥308.58 /個
1個以上 ¥339.43 /個
確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ 5 MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 100V 23A(Tj) 28ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 10µA 10nC @ 10V 690pF @ 10V 38W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 8-PowerTDFN PG-TDSON-8-61
IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥308.58 /個
1個以上 ¥339.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ 5 MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 100V 23A(Tj) 28ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 10µA 10nC @ 10V 690pF @ 10V 38W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 8-PowerTDFN PG-TDSON-8-61
IQE220N15NM5SCATMA1 IQE220N15NM5SCATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥704.17 /個
1個以上 ¥774.58 /個
確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 150V - - - - - - - - - 面実装 8-PowerWDFN PG-WHSON-8-1
IQE220N15NM5SCATMA1 IQE220N15NM5SCATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥704.17 /個
1個以上 ¥774.58 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 150V - - - - - - - - - 面実装 8-PowerWDFN PG-WHSON-8-1
IQE008N03LM5CGSCATMA1 IQE008N03LM5CGSCATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥583.34 /個
1個以上 ¥641.67 /個
確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 30V - - - - - - - - - 面実装 9-PowerWDFN PG-WHTFN-9
IQE008N03LM5CGSCATMA1 IQE008N03LM5CGSCATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥583.34 /個
1個以上 ¥641.67 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 30V - - - - - - - - - 面実装 9-PowerWDFN PG-WHTFN-9
IQE008N03LM5SCATMA1 IQE008N03LM5SCATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥623.62 /個
1個以上 ¥685.98 /個
確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 30V - - - - - - - - - 面実装 8-PowerWDFN PG-WHSON-8
IQE008N03LM5SCATMA1 IQE008N03LM5SCATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥623.62 /個
1個以上 ¥685.98 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 30V - - - - - - - - - 面実装 8-PowerWDFN PG-WHSON-8
ISG0613N04NM6HSCATMA1 ISG0613N04NM6HSCATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥965.76 /個
1個以上 ¥1,062.33 /個
確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ 6 MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 40V 42A(Ta)、299A(Tc) 0.88ミリオーム @ 50A、10V 2.8V @ 780µA 104nC @ 10V 6200pF @ 20V 3W(Ta)、167W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 10-PowerWDFN PG-WHITFN-10-1
ISG0613N04NM6HSCATMA1 ISG0613N04NM6HSCATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥965.76 /個
1個以上 ¥1,062.33 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ 6 MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 40V 42A(Ta)、299A(Tc) 0.88ミリオーム @ 50A、10V 2.8V @ 780µA 104nC @ 10V 6200pF @ 20V 3W(Ta)、167W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 10-PowerWDFN PG-WHITFN-10-1
ISG0613N04NM6HSCATMA1 ISG0613N04NM6HSCATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
3000個以上 ¥268.66 /個
3000個以上 ¥295.52 /個
確認する 3,000 確認する テープ&リール(TR) OptiMOS™ 6 MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 40V 42A(Ta)、299A(Tc) 0.88ミリオーム @ 50A、10V 2.8V @ 780µA 104nC @ 10V 6200pF @ 20V 3W(Ta)、167W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 10-PowerWDFN PG-WHITFN-10-1
ISG0614N06NM5HATMA1 ISG0614N06NM5HATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
3000個以上 ¥284.85 /個
3000個以上 ¥313.33 /個
確認する 3,000 確認する テープ&リール(TR) OptiMOS™ 5 MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 60V 31A(Ta)、233A(Tc) 1.6ミリオーム @ 50A、10V 3.3V @ 86µA 102nC @ 10V 6400pF @ 30V 3W(Ta)、167W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 10-PowerVDFN PG-VITFN-10-1
ISG0613N04NM6HATMA1 ISG0613N04NM6HATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
3000個以上 ¥248.97 /個
3000個以上 ¥273.86 /個
確認する 3,000 確認する テープ&リール(TR) OptiMOS™ 6 MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 40V 42A(Ta)、299A(Tc) 0.88ミリオーム @ 50A、10V 2.8V @ 780µA 104nC @ 10V 6200pF @ 20V 3W(Ta)、167W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 10-PowerVDFN PG-VITFN-10-1
ISG0614N06NM5HSCATMA1 ISG0614N06NM5HSCATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,082.20 /個
1個以上 ¥1,190.42 /個
確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ 5 MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 60V 31A(Ta)、233A(Tc) 1.6ミリオーム @ 50A、10V 3.3V @ 86µA 102nC @ 10V 6400pF @ 30V 3W(Ta)、167W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 10-PowerWDFN PG-WHITFN-10-1
ISG0614N06NM5HSCATMA1 ISG0614N06NM5HSCATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,082.20 /個
1個以上 ¥1,190.42 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ 5 MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 60V 31A(Ta)、233A(Tc) 1.6ミリオーム @ 50A、10V 3.3V @ 86µA 102nC @ 10V 6400pF @ 30V 3W(Ta)、167W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 10-PowerWDFN PG-WHITFN-10-1
ISG0613N04NM6HATMA1 ISG0613N04NM6HATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥925.00 /個
1個以上 ¥1,017.50 /個
確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ 6 MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 40V 42A(Ta)、299A(Tc) 0.88ミリオーム @ 50A、10V 2.8V @ 780µA 104nC @ 10V 6200pF @ 20V 3W(Ta)、167W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 10-PowerVDFN PG-VITFN-10-1
ISG0614N06NM5HATMA1 ISG0614N06NM5HATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,008.22 /個
1個以上 ¥1,109.04 /個
確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ 5 MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 60V 31A(Ta)、233A(Tc) 1.6ミリオーム @ 50A、10V 3.3V @ 86µA 102nC @ 10V 6400pF @ 30V 3W(Ta)、167W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 10-PowerVDFN PG-VITFN-10-1
ISG0613N04NM6HATMA1 ISG0613N04NM6HATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥925.00 /個
1個以上 ¥1,017.50 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ 6 MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 40V 42A(Ta)、299A(Tc) 0.88ミリオーム @ 50A、10V 2.8V @ 780µA 104nC @ 10V 6200pF @ 20V 3W(Ta)、167W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 10-PowerVDFN PG-VITFN-10-1
ISG0614N06NM5HATMA1 ISG0614N06NM5HATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,008.22 /個
1個以上 ¥1,109.04 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ 5 MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 60V 31A(Ta)、233A(Tc) 1.6ミリオーム @ 50A、10V 3.3V @ 86µA 102nC @ 10V 6400pF @ 30V 3W(Ta)、167W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 10-PowerVDFN PG-VITFN-10-1
ISG0616N10NM5HSCATMA1 ISG0616N10NM5HSCATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,160.28 /個
1個以上 ¥1,276.30 /個
確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ 5 MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 100V 19A(Ta)、139A(Tc) 4ミリオーム @ 50A、10V 3.8V @ 85µA 78nC @ 10V 4800pF @ 50V 3W(Ta)、167W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 10-PowerWDFN PG-WHITFN-10-1
ISG0616N10NM5HSCATMA1 ISG0616N10NM5HSCATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,160.28 /個
1個以上 ¥1,276.30 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ 5 MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 100V 19A(Ta)、139A(Tc) 4ミリオーム @ 50A、10V 3.8V @ 85µA 78nC @ 10V 4800pF @ 50V 3W(Ta)、167W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 10-PowerWDFN PG-WHITFN-10-1
ISG0616N10NM5HSCATMA1 ISG0616N10NM5HSCATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
3000個以上 ¥343.90 /個
3000個以上 ¥378.29 /個
確認する 3,000 確認する テープ&リール(TR) OptiMOS™ 5 MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 100V 19A(Ta)、139A(Tc) 4ミリオーム @ 50A、10V 3.8V @ 85µA 78nC @ 10V 4800pF @ 50V 3W(Ta)、167W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 10-PowerWDFN PG-WHITFN-10-1
FF3MR12KM1HPHPSA1 FF3MR12KM1HPHPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥62,511.71 /個
1個以上 ¥68,762.88 /個
確認する 確認する CoolSiC™ シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 1200V(1.2kV) 220A 4.44ミリオーム @ 280A、18V 5.1V @ 112mA 800nC @ 18V 24200pF @ 800V - -40°C~175°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール AG-62MMHB
FF3MR12KM1HHPSA1 FF3MR12KM1HHPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥61,648.94 /個
1個以上 ¥67,813.83 /個
確認する 確認する CoolSiC™ シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 1200V(1.2kV) 190A(Tc) 4.44ミリオーム @ 280A、18V 5.1V @ 112mA 800nC @ 18V 24200pF @ 800V - -40°C~175°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール AG-62MMHB
IRF7328TRPBFXTMA1 IRF7328TRPBFXTMA1 インフィニオン BOMに追加 S1(DigiKey)
4000個以上 ¥76.56 /個
4000個以上 ¥84.21 /個
確認する 4,000 確認する テープ&リール(TR) HEXFET® MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - 30V 8A(Ta) 21ミリオーム @ 8A、10V 2.5V @ 250µA 78nC @ 10V 2675pF @ 25V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-902
ITD50N04S4L07ATMA1 ITD50N04S4L07ATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
2500個以上 ¥87.68 /個
2500個以上 ¥96.44 /個
確認する 2,500 確認する テープ&リール(TR) OptiMOS™ MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル、コモンドレイン 論理レベルゲート 40V 50A(Tc) 7.2ミリオーム @ 50A、10V 2.2V @ 18µA 33nC @ 10V 2480pF @ 25V 46W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q100 面実装 TO-252-5、DPAK(4リード + タブ)、TO-252AD
IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
5000個以上 ¥95.03 /個
5000個以上 ¥104.53 /個
確認する 5,000 確認する テープ&リール(TR) OptiMOS™ 5 MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 100V 23A(Tj) 28ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 10µA 10nC @ 10V 690pF @ 10V 38W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 8-PowerTDFN PG-TDSON-8-61
IAUCN10S5L094DATMA1 IAUCN10S5L094DATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
5000個以上 ¥143.64 /個
5000個以上 ¥158.00 /個
確認する 5,000 確認する テープ&リール(TR) OptiMOS™ 5 MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 100V 66A(Tj) 9.4ミリオーム @ 30A、10V 2.2V @ 35µA 30nC @ 10V 2180pF @ 50V 96W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 8-PowerTDFN PG-TDSON-8-60
FS02MR12A8MA2BBPSA1 FS02MR12A8MA2BBPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥138,063.83 /個
1個以上 ¥151,870.21 /個
確認する 確認する トレイ HybridPACK™ シリコンカーバイド(SiC) 6 Nチャネル - 1200V(1.2kV) 390A(Tj) 1.9ミリオーム @ 390A、18V 4.55V @ 160mA 1.19µC @ 18V 34500pF @ 750V - -40°C~175°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール
FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥33,831.82 /個
1個以上 ¥37,215.00 /個
確認する 確認する トレイ - シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 1200V(1.2kV) 170A 4ミリオーム @ 200A、18V 5.15V @ 80mA 594nC @ 18V 17600pF @ 800V 20mW -40°C~175°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール AG-EASY2B
IQE220N15NM5SCATMA1 IQE220N15NM5SCATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
6000個以上 ¥174.98 /個
6000個以上 ¥192.47 /個
確認する 6,000 確認する テープ&リール(TR) OptiMOS™ MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 150V - - - - - - - - - 面実装 8-PowerWDFN PG-WHSON-8-1
IQE008N03LM5CGSCATMA1 IQE008N03LM5CGSCATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
6000個以上 ¥147.85 /個
6000個以上 ¥162.63 /個
確認する 6,000 確認する テープ&リール(TR) OptiMOS™ MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 30V - - - - - - - - - 面実装 9-PowerWDFN PG-WHTFN-9
IQE008N03LM5SCATMA1 IQE008N03LM5SCATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
6000個以上 ¥147.85 /個
6000個以上 ¥162.63 /個
確認する 6,000 確認する テープ&リール(TR) OptiMOS™ MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 30V - - - - - - - - - 面実装 8-PowerWDFN PG-WHSON-8
IRF8910TRPBFXTMA1 IRF8910TRPBFXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ Digi-Reel® HEXFET® MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 20V 10A(Ta) 13.4ミリオーム @ 10A、10V 2.55V @ 250µA 11nC @ 4.5V 960pF @ 10V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-902
IRF8910TRPBFXTMA1 IRF8910TRPBFXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ カット テープ(CT) HEXFET® MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 20V 10A(Ta) 13.4ミリオーム @ 10A、10V 2.55V @ 250µA 11nC @ 4.5V 960pF @ 10V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-902
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥240.00 /個
1個以上 ¥264.00 /個
確認する 確認する Digi-Reel® HEXFET® MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 50V 3A(Ta) 130ミリオーム @ 3A、10V 3V @ 250µA 30nC @ 10V 290pF @ 25V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-902
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥240.00 /個
1個以上 ¥264.00 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) HEXFET® MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 50V 3A(Ta) 130ミリオーム @ 3A、10V 3V @ 250µA 30nC @ 10V 290pF @ 25V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-902
IRF7303TRPBFXTMA1 IRF7303TRPBFXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥295.72 /個
1個以上 ¥325.29 /個
確認する 確認する Digi-Reel® HEXFET® MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 30V 4.9A(Ta) 50ミリオーム @ 2.4A、10V 1V @ 250µA 25nC @ 10V 520pF @ 25V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-902
IRF7303TRPBFXTMA1 IRF7303TRPBFXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥295.72 /個
1個以上 ¥325.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) HEXFET® MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 30V 4.9A(Ta) 50ミリオーム @ 2.4A、10V 1V @ 250µA 25nC @ 10V 520pF @ 25V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-902
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥252.86 /個
1個以上 ¥278.14 /個
確認する 確認する Digi-Reel® HEXFET® MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 30V 6.5A(Ta) 29ミリオーム @ 5.8A、10V 1V @ 250µA 33nC @ 10V 650pF @ 25V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-902
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥252.86 /個
1個以上 ¥278.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) HEXFET® MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 30V 6.5A(Ta) 29ミリオーム @ 5.8A、10V 1V @ 250µA 33nC @ 10V 650pF @ 25V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-902
IPG20N04S408BATMA1 IPG20N04S408BATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥451.43 /個
1個以上 ¥496.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ T2 MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 40V 20A(Tc) 7.6ミリオーム @ 17A、10V 4V @ 30µA 36nC @ 10V 2940pF @ 25V 65W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装、濡れ性フランク 8-PowerVDFN PG-TDSON-8-10
IPG20N04S409AATMA1 IPG20N04S409AATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥398.58 /個
1個以上 ¥438.43 /個
確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 40V 20A(Tc) 8.6ミリオーム @ 17A、10V 4V @ 22µA 28nC @ 10V 2250pF @ 25V 54W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 8-PowerVDFN PG-TDSON-8-4
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  • BSO220N03MDGXUMA1
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    最小2,500個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 7.7A、10V・Id印加時のVgs(t
    41.62 税込¥45.78
  • BSO220N03MDGXUMA1
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 7.7A、10V・Id印加時のVgs(th
    254.29 税込¥279.71
  • IRF7309TRPBF
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A、3A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):50ミリオーム @ 2.4A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):1V
    274.29 税込¥301.71
  • IMT65R50M2HXUMA1
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:-・構成:-・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大):-・電
    1,393.83 税込¥1,533.21
  • FF2000UXTR33T2M1BPSA1
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    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:CoolSiC™・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):3300V(3.3kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):925A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.4ミリオーム @ 1kA、15V・Id印加時のVgs
    1,249,485.11 税込¥1,374,433.62
  • FF3MR20KM1HPHPSA1
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:C, CoolSiC™・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):2000V(2kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):325A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4ミリオーム @ 400A、18V・Id印加時のV
    107,774.47 税込¥118,551.91
  • FF2600UXTR33T2M1BPSA1
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    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:CoolSiC™・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):3300V(3.3kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):720A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.1ミリオーム @ 750A、15V・Id印加時のVg
    971,310.64 税込¥1,068,441.70
  • ISG0614N06NM5HSCATMA1
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    最小3,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™ 5・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):31A(Ta)、233A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.6ミリオーム @ 50A、10V
    313.60 税込¥344.96
  • FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:EasyPACK™・技術:-・構成:-・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大):-・電
    21,194.26 税込¥23,313.68
  • FF06MR12A04MA2AKSA1
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HybridPACK™・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200V(1.2kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):190A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5.56mOhm @ 190A, 18V・Id印加時
    37,159.14 税込¥40,875.05
  • F411MR12W3M1HB11BPSA1
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・技術:-・構成:-・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大):-・電力 - 最大:-
    24,196.60 税込¥26,616.26
  • FF1MR12MM1HPB11BPSA1
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:EconoDUAL™3・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200V(1.2kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):470A(Tj)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.91ミリオーム @ 500A、18V・Id印加
    91,905.32 税込¥101,095.85
  • FS01MR12A8MA2BHPSA1
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:HybridPACK™・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:6 Nチャネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200V(1.2kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):500A(Tj)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.87ミリオーム @ 18V、500A・Id印加時のVgs(th
    224,550.00 税込¥247,005.00
  • FF1MR12MM1HWB11BPSA1
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・技術:-・構成:-・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大):-・電力 - 最大:-
    92,426.60 税込¥101,669.26
  • F46MR20W3M1HB11BPSA1
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:EasyPACK™・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:4 Nチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):2000V(2kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):135A(Tj)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8.1ミリオーム @ 160A、18V・Id印加時のVgs(th)(最大
    75,658.52 税込¥83,224.37
  • FF5MR20KM1HSHPSA1
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    最小10個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・技術:-・構成:-・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大):-・電力 - 最大:-
    54,110.43 税込¥59,521.47
  • DF419MR20W3M1HFH94BPSA1
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    最小8個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・技術:-・構成:-・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大):-・電力 - 最大:-
    43,630.06 税込¥47,993.06
  • F3L3MR12W3M1HH11BPSA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・技術:-・構成:-・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大):-・電力 - 最大:-
    44,262.77 税込¥48,689.04
  • FF8MR12W1M1HC58BPSA1
    インフィニオン
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    最小24個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・技術:-・構成:-・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大):-・電力 - 最大:-
    20,179.26 税込¥22,197.18
  • F3L340R12W3H7H11BPSA1
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・技術:-・構成:-・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大):-・電力 - 最大:-
    21,833.34 税込¥24,016.67
  • DF17MR12W1M1HFB86BPSA1
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:EasyPACK™・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:3 Nチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200V(1.2kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):50A(Tj)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):24ミリオーム @ 50A、18V・Id印加時のVgs(th)(最大)
    12,348.28 税込¥13,583.10
  • F899MR07W1D7B11ABPSA1
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:EasyPACK™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:-・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):48nC @ 10V・Vds
    8,028.74 税込¥8,831.61
  • ISA150233C03LMDSXTMA1
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    最小4,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™ 3・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7.6A(Ta)、10.2A(Tc)、6.6A(Ta)、8.8A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):15ミリオ
    42.72 税込¥46.99
  • FF3MR20W3M1HH11BPSA1
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・技術:-・構成:-・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大):-・電力 - 最大:-
    68,706.39 税込¥75,577.02
  • F410MR20W3M1HB11BPSA1
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:EasyPACK™・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:4 Nチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):2000V(2kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):95A(Tj)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):13.3ミリオーム @ 120A、18V・Id印加時のVgs(th)(最大
    53,463.83 税込¥58,810.21
  • FF1MR12MM1HB11BPSA1
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:EconoDUAL™3・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200V(1.2kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):420A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.91ミリオーム @ 500A、18V・Id
    90,860.64 税込¥99,946.70
  • IMT65R50M2HXUMA1
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:-・構成:-・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大):-・電力
    1,393.83 税込¥1,533.21
  • IMT65R50M2HXUMA1
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    最小2,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:-・構成:-・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大):-・電
    695.47 税込¥765.01
  • F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:EasyPACK™・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:4 Nチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):2000V(2kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):155A(Tj)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8.7ミリオーム @ 100A、18V・Id印加時のVgs(th)(最大
    39,172.05 税込¥43,089.25
  • FF6MR20W2M1HB70BPSA1
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:EasyPACK™・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):2000V(2kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):160A(Tj)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8.1ミリオーム @ 160A、18V・Id印加時のV
    47,211.71 税込¥51,932.88
  • ISA150233C03LMDSXTMA
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ 3・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7.6A(Ta)、10.2A(Tc)、6.6A(Ta)、8.8A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):15ミリオー
    385.72 税込¥424.29
  • ISA150233C03LMDSXTMA
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 3・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7.6A(Ta)、10.2A(Tc)、6.6A(Ta)、8.8A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):15ミリオ
    385.72 税込¥424.29
  • ISA150233C03LMDSXTMA
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    最小4,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™ 3・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7.6A(Ta)、10.2A(Tc)、6.6A(Ta)、8.8A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):15ミリオ
    73.59 税込¥80.94
  • ISA170170N04LMDSXTMA1
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ 3・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7.2A(Ta)、9.6A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):17ミリオーム @ 9.6A
    211.43 税込¥232.57
  • ISA170170N04LMDSXTMA1
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 3・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7.2A(Ta)、9.6A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):17ミリオーム @ 9.6
    211.43 税込¥232.57
  • ISA170170N04LMDSXTMA1
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™ 3・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7.2A(Ta)、9.6A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):17ミリオーム @ 9.6
    36.14 税込¥39.75
  • ISA170230C04LMDSXTMA1
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ 3・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7.2A(Ta)、9.6A(Tc)、6.6A(Ta)、8.8A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):17ミリオーム
    331.43 税込¥364.57
  • ISA170230C04LMDSXTMA1
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 3・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7.2A(Ta)、9.6A(Tc)、6.6A(Ta)、8.8A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):17ミリオー
    331.43 税込¥364.57
  • ISA170230C04LMDSXTMA1
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    最小4,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™ 3・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7.2A(Ta)、9.6A(Tc)、6.6A(Ta)、8.8A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):17ミリオー
    61.78 税込¥67.95
  • ISA220280C03LMDSXTMA1
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ 3・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.3A(Ta)、8.4A(Tc)、6.1A(Ta)、8.1A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム
    192.86 税込¥212.14
  • ISA220280C03LMDSXTMA1
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 3・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.3A(Ta)、8.4A(Tc)、6.1A(Ta)、8.1A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオー
    192.86 税込¥212.14
  • ISA220280C03LMDSXTMA1
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    最小4,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™ 3・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.3A(Ta)、8.4A(Tc)、6.1A(Ta)、8.1A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオー
    32.53 税込¥35.78
  • ISA250250N04LMDSXTMA1
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ 3・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.9A(Ta)、7.9A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):25ミリオーム @ 7.9A
    184.29 税込¥202.71
  • ISA250250N04LMDSXTMA1
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 3・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.9A(Ta)、7.9A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):25ミリオーム @ 7.9
    184.29 税込¥202.71
  • ISA250250N04LMDSXTMA1
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    最小4,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™ 3・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.9A(Ta)、7.9A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):25ミリオーム @ 7.9
    30.68 税込¥33.74
  • ISA250300C04LMDSXTMA1
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ 3・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.9A(Ta)、7.9A(Tc)、5.8A(Ta)、7.8A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):25ミリオーム
    192.86 税込¥212.14
  • ISA250300C04LMDSXTMA1
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 3・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.9A(Ta)、7.9A(Tc)、5.8A(Ta)、7.8A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):25ミリオー
    192.86 税込¥212.14
  • ISA250300C04LMDSXTMA1
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    最小4,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™ 3・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.9A(Ta)、7.9A(Tc)、5.8A(Ta)、7.8A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):25ミリオー
    32.53 税込¥35.78
  • IAUTN08S5N012LATMA1
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ 5・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル、コモンドレイン、コモンソース・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):300A(Tj)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.15ミリオーム @ 100A、10V・
    1,228.00 税込¥1,350.80
  • IAUTN08S5N012LATMA1
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 5・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル、コモンドレイン、コモンソース・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):300A(Tj)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.15ミリオーム @ 100A、10V
    1,228.00 税込¥1,350.80
  • FS03MR12A7MA2BHPSA1
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    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:HybridPACK™・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:6 Nチャネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200V(1.2kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):310A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.54ミリオーム @ 310A、18V・Id印加時のVgs(th)(最大):
    211,026.60 税込¥232,129.26
  • IAUTN08S5N012LATMA1
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    最小2,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™ 5・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル、コモンドレイン、コモンソース・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):300A(Tj)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.15ミリオーム @ 100A、10V
    457.96 税込¥503.75
  • FS01MR08A8MA2LBCHPSA1
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    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:HybridPACK™・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:6 Nチャネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):750V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):620A(Tj)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.69ミリオーム @ 620A、18V・Id印加時のVgs(th)(最大):4.55
    278,281.92 税込¥306,110.11
  • FF7MR12W1M1HB17BPSA1
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:CoolSiC™・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200V(1.2kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):105A(Tj)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5.8ミリオーム @ 120A、18V・Id印加時の
    23,459.10 税込¥25,805.01
  • FF17MR12W1M1HB17BPSA1
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:CoolSiC™・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200V(1.2kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):50A(Tj)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):16.2ミリオーム @ 50A、18V・Id印加時のV
    12,395.41 税込¥13,634.95
  • IAUCN10S5L094DATMA1
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ 5・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):66A(Tj)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9.4ミリオーム @ 30A、10V・Id印加時のVgs(t
    438.58 税込¥482.43
  • IAUCN10S5L094DATMA1
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 5・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):66A(Tj)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9.4ミリオーム @ 30A、10V・Id印加時のVgs(
    438.58 税込¥482.43
  • IAUCN10S5L280DATMA1
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ 5・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):23A(Tj)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):28ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs(th
    308.58 税込¥339.43
  • IAUCN10S5L280DATMA1
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 5・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):23A(Tj)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):28ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs(t
    308.58 税込¥339.43
  • IQE220N15NM5SCATMA1
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):150V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(
    704.17 税込¥774.58
  • IQE220N15NM5SCATMA1
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):150V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷
    704.17 税込¥774.58
  • IQE008N03LM5CGSCATMA1
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Q
    583.34 税込¥641.67
  • IQE008N03LM5CGSCATMA1
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(
    583.34 税込¥641.67
  • IQE008N03LM5SCATMA1
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Q
    623.62 税込¥685.98
  • IQE008N03LM5SCATMA1
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(
    623.62 税込¥685.98
  • ISG0613N04NM6HSCATMA1
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ 6・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):42A(Ta)、299A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):0.88ミリオーム @ 50A、10V
    965.76 税込¥1,062.33
  • ISG0613N04NM6HSCATMA1
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 6・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):42A(Ta)、299A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):0.88ミリオーム @ 50A、10
    965.76 税込¥1,062.33
  • ISG0613N04NM6HSCATMA1
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™ 6・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):42A(Ta)、299A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):0.88ミリオーム @ 50A、10
    268.66 税込¥295.52
  • ISG0614N06NM5HATMA1
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™ 5・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):31A(Ta)、233A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.6ミリオーム @ 50A、10V
    284.85 税込¥313.33
  • ISG0613N04NM6HATMA1
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™ 6・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):42A(Ta)、299A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):0.88ミリオーム @ 50A、10
    248.97 税込¥273.86
  • ISG0614N06NM5HSCATMA1
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ 5・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):31A(Ta)、233A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.6ミリオーム @ 50A、10V・
    1,082.20 税込¥1,190.42
  • ISG0614N06NM5HSCATMA1
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 5・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):31A(Ta)、233A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.6ミリオーム @ 50A、10V
    1,082.20 税込¥1,190.42
  • ISG0613N04NM6HATMA1
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ 6・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):42A(Ta)、299A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):0.88ミリオーム @ 50A、10V
    925.00 税込¥1,017.50
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ 5・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):31A(Ta)、233A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.6ミリオーム @ 50A、10V・
    1,008.22 税込¥1,109.04
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 6・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):42A(Ta)、299A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):0.88ミリオーム @ 50A、10
    925.00 税込¥1,017.50
  • ISG0614N06NM5HATMA1
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 5・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):31A(Ta)、233A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.6ミリオーム @ 50A、10V
    1,008.22 税込¥1,109.04
  • ISG0616N10NM5HSCATMA1
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ 5・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):19A(Ta)、139A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4ミリオーム @ 50A、10V・I
    1,160.28 税込¥1,276.30
  • ISG0616N10NM5HSCATMA1
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 5・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):19A(Ta)、139A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4ミリオーム @ 50A、10V・
    1,160.28 税込¥1,276.30
  • ISG0616N10NM5HSCATMA1
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™ 5・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):19A(Ta)、139A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4ミリオーム @ 50A、10V・
    343.90 税込¥378.29
  • FF3MR12KM1HPHPSA1
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    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:CoolSiC™・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200V(1.2kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):220A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4.44ミリオーム @ 280A、18V・Id印加時のVgs(t
    62,511.71 税込¥68,762.88
  • FF3MR12KM1HHPSA1
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    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:CoolSiC™・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200V(1.2kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):190A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4.44ミリオーム @ 280A、18V・Id印加時のV
    61,648.94 税込¥67,813.83
  • IRF7328TRPBFXTMA1
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    最小4,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:HEXFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):21ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):
    76.56 税込¥84.21
  • ITD50N04S4L07ATMA1
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    最小2,500個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル、コモンドレイン・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):50A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7.2ミリオーム @ 50A、10V・Id印加
    87.68 税込¥96.44
  • IAUCN10S5L280DATMA1
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    最小5,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™ 5・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):23A(Tj)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):28ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs(t
    95.03 税込¥104.53
  • IAUCN10S5L094DATMA1
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™ 5・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):66A(Tj)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9.4ミリオーム @ 30A、10V・Id印加時のVgs(
    143.64 税込¥158.00
  • FS02MR12A8MA2BBPSA1
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:HybridPACK™・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:6 Nチャネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200V(1.2kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):390A(Tj)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.9ミリオーム @ 390A、18V・Id印加時のVgs(th)
    138,063.83 税込¥151,870.21
  • FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200V(1.2kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):170A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4ミリオーム @ 200A、18V・Id印加時のVgs(th)(最大):5
    33,831.82 税込¥37,215.00
  • IQE220N15NM5SCATMA1
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):150V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷
    174.98 税込¥192.47
  • IQE008N03LM5CGSCATMA1
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(
    147.85 税込¥162.63
  • IQE008N03LM5SCATMA1
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(
    147.85 税込¥162.63
  • IRF8910TRPBFXTMA1
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    売り切れ
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:HEXFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):10A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):13.4ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs(th)(
  • IRF8910TRPBFXTMA1
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):10A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):13.4ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs(th)
  • IRF7103TRPBFXTMA1
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:HEXFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):130ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大)
    240.00 税込¥264.00
  • IRF7103TRPBFXTMA1
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):130ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大
    240.00 税込¥264.00
  • IRF7303TRPBFXTMA1
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:HEXFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.9A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):50ミリオーム @ 2.4A、10V・Id印加時のVgs(th)(
    295.72 税込¥325.29
  • IRF7303TRPBFXTMA1
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.9A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):50ミリオーム @ 2.4A、10V・Id印加時のVgs(th)
    295.72 税込¥325.29
  • IRF7313TRPBFXTMA1
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:HEXFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):29ミリオーム @ 5.8A、10V・Id印加時のVgs(th)(
    252.86 税込¥278.14
  • IRF7313TRPBFXTMA1
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):29ミリオーム @ 5.8A、10V・Id印加時のVgs(th)
    252.86 税込¥278.14
  • IPG20N04S408BATMA1
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ T2・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7.6ミリオーム @ 17A、10V・Id印加時のVgs(
    451.43 税込¥496.57
  • IPG20N04S409AATMA1
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8.6ミリオーム @ 17A、10V・Id印加時のVgs(th)(
    398.58 税込¥438.43
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