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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ|インフィニオンの定格表該当製品数: 882 / 882 件

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FET機能

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

Id印加時のVgs（th）（最大）

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

電力 - 最大

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グレード

認定

取り付けタイプ

パッケージ/ケース

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写真	型番	メーカー	品質ランク	単価 (税抜)	単価 (税込)		在庫数量	最少購入数	納期	パッケージ	シリーズ	技術	構成	FET機能	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	電力 - 最大	動作温度	グレード	認定	取り付けタイプ	パッケージ/ケース	サプライヤデバイスパッケージ
	BSO220N03MDGXUMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	2500個以上￥41.62 /個	2500個以上￥45.78 /個	★	確認する	2,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	6A	22ミリオーム @ 7.7A、10V	2.1V @ 250µA	10nC @ 10V	800pF @ 15V	1.4W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8
	BSO220N03MDGXUMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥254.29 /個	1個以上￥279.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	6A	22ミリオーム @ 7.7A、10V	2.1V @ 250µA	10nC @ 10V	800pF @ 15V	1.4W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8
	IRF7309TRPBF	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥274.29 /個	1個以上￥301.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	4A、3A	50ミリオーム @ 2.4A、10V	1V @ 250µA	25nC @ 4.5V	520pF @ 15V	1.4W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	IMT65R50M2HXUMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥1,393.83 /個	1個以上￥1,533.21 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	FF2000UXTR33T2M1BPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥1,249,485.11 /個	1個以上￥1,374,433.62 /個	★	確認する		確認する	箱	CoolSiC™	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	3300V（3.3kV）	925A（Tc）	2.4ミリオーム @ 1kA、15V	5.55V @ 900mA	5000nC @ 15V	203000pF @ 1.8kV	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-XHP2K33
	FF3MR20KM1HPHPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥107,774.47 /個	1個以上￥118,551.91 /個	★	確認する		確認する	トレイ	C, CoolSiC™	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	2000V（2kV）	325A（Tc）	4ミリオーム @ 400A、18V	5.15V @ 224mA	1560nC @ 18V	48200pF @ 1200V	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-62MMHB
	FF2600UXTR33T2M1BPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥971,310.64 /個	1個以上￥1,068,441.70 /個	★	確認する		確認する	箱	CoolSiC™	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	3300V（3.3kV）	720A（Tc）	3.1ミリオーム @ 750A、15V	5.55V @ 675mA	3750nC @ 15V	152000pF @ 1.8kV	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-XHP2K33
	ISG0614N06NM5HSCATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	3000個以上￥313.60 /個	3000個以上￥344.96 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™ 5	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	60V	31A（Ta）、233A（Tc）	1.6ミリオーム @ 50A、10V	3.3V @ 86µA	102nC @ 10V	6400pF @ 30V	3W（Ta）、167W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	10-PowerWDFN	PG-WHITFN-10-1
	FS17MR12W2M1HB11ABPSA2	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥21,194.26 /個	1個以上￥23,313.68 /個	★	確認する		確認する	トレイ	EasyPACK™	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	FF06MR12A04MA2AKSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥37,159.14 /個	1個以上￥40,875.05 /個	★	確認する		確認する	チューブ	HybridPACK™	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	190A	5.56mOhm @ 190A, 18V	4.55V @ 60mA	420nC @ 18V	10100pF @ 850V	20mW	-40°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	スルーホール	11-PowerDIP Module (2.091", 53.10mm)	PG-MDIP-11-1
	F411MR12W3M1HB11BPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥24,196.60 /個	1個以上￥26,616.26 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	FF1MR12MM1HPB11BPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥91,905.32 /個	1個以上￥101,095.85 /個	★	確認する		確認する	箱	EconoDUAL™3	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	470A（Tj）	1.91ミリオーム @ 500A、18V	5.15V @ 224mA	1600nC @ 18V	48400pF @ 800V	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-ECONOD
	FS01MR12A8MA2BHPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥224,550.00 /個	1個以上￥247,005.00 /個	★	確認する		確認する	トレイ	HybridPACK™	シリコンカーバイド（SiC）	6 Nチャネル	-	1200V（1.2kV）	500A（Tj）	1.87ミリオーム @ 18V、500A	4.55V @ 240mA	-	1900pF @ 750V	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	FF1MR12MM1HWB11BPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥92,426.60 /個	1個以上￥101,669.26 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	F46MR20W3M1HB11BPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥75,658.52 /個	1個以上￥83,224.37 /個	★	確認する		確認する	トレイ	EasyPACK™	シリコンカーバイド（SiC）	4 Nチャンネル	-	2000V（2kV）	135A（Tj）	8.1ミリオーム @ 160A、18V	5.15V @ 112mA	780nC @ 3V	24100pF @ 1.2kV	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	FF5MR20KM1HSHPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	10個以上￥54,110.43 /個	10個以上￥59,521.47 /個	★	確認する	10 個	確認する	トレイ	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	DF419MR20W3M1HFH94BPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	8個以上￥43,630.06 /個	8個以上￥47,993.06 /個	★	確認する	8 個	確認する	トレイ	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	F3L3MR12W3M1HH11BPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥44,262.77 /個	1個以上￥48,689.04 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	FF8MR12W1M1HC58BPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	24個以上￥20,179.26 /個	24個以上￥22,197.18 /個	★	確認する	24 個	確認する	トレイ	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	F3L340R12W3H7H11BPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥21,833.34 /個	1個以上￥24,016.67 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	DF17MR12W1M1HFB86BPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥12,348.28 /個	1個以上￥13,583.10 /個	★	確認する		確認する	トレイ	EasyPACK™	シリコンカーバイド（SiC）	3 Nチャンネル	-	1200V（1.2kV）	50A（Tj）	24ミリオーム @ 50A、18V	5.15V @ 20mA	74nC @ 18V	4400pF @ 800V	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	F899MR07W1D7B11ABPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥8,028.74 /個	1個以上￥8,831.61 /個	★	確認する		確認する	トレイ	EasyPACK™	MOSFET（金属酸化物）	-	-	650V	-	-	-	48nC @ 10V	-	-	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	ISA150233C03LMDSXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	4000個以上￥42.72 /個	4000個以上￥46.99 /個	★	確認する	4,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™ 3	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	7.6A（Ta）、10.2A（Tc）、6.6A（Ta）、8.8A（Tc）	15ミリオーム @ 10.2A、10V、23.3ミリオーム @ 8.8A、10V	2.7V @ 1mA	19nC @ 10V、32nC @ 10V	1300pF @ 15V、2300pF @ 15V	1.4W（Ta）、2.5W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-920
	FF3MR20W3M1HH11BPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥68,706.39 /個	1個以上￥75,577.02 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	F410MR20W3M1HB11BPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥53,463.83 /個	1個以上￥58,810.21 /個	★	確認する		確認する	トレイ	EasyPACK™	シリコンカーバイド（SiC）	4 Nチャンネル	-	2000V（2kV）	95A（Tj）	13.3ミリオーム @ 120A、18V	5.15V @ 68mA	470nC @ 3V	14500pF @ 1200V	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	FF1MR12MM1HB11BPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥90,860.64 /個	1個以上￥99,946.70 /個	★	確認する		確認する	トレイ	EconoDUAL™3	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	420A（Tc）	1.91ミリオーム @ 500A、18V	5.15V @ 224mA	1600nC @ 18V	48400pF @ 800V	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-ECONOD
	IMT65R50M2HXUMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥1,393.83 /個	1個以上￥1,533.21 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	IMT65R50M2HXUMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	2000個以上￥695.47 /個	2000個以上￥765.01 /個	★	確認する	2,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	F3L6MR20W2M1HB70BPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥39,172.05 /個	1個以上￥43,089.25 /個	★	確認する		確認する	トレイ	EasyPACK™	シリコンカーバイド（SiC）	4 Nチャンネル	-	2000V（2kV）	155A（Tj）	8.7ミリオーム @ 100A、18V	5.15V @ 112mA	297nC @ 18V	24100pF @ 1.2kV	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	FF6MR20W2M1HB70BPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥47,211.71 /個	1個以上￥51,932.88 /個	★	確認する		確認する	トレイ	EasyPACK™	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	2000V（2kV）	160A（Tj）	8.1ミリオーム @ 160A、18V	5.15V @ 112mA	780nC @ 3V	24100pF @ 1.2kV	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	ISA150233C03LMDSXTMA	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥385.72 /個	1個以上￥424.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 3	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	7.6A（Ta）、10.2A（Tc）、6.6A（Ta）、8.8A（Tc）	15ミリオーム @ 10.2A、10V、23.3ミリオーム @ 8.8A、10V	2.7V @ 1mA	19nC @ 10V、32nC @ 10V	1300pF @ 15V、2300pF @ 15V	1.4W（Ta）、2.5W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-920
	ISA150233C03LMDSXTMA	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥385.72 /個	1個以上￥424.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ 3	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	7.6A（Ta）、10.2A（Tc）、6.6A（Ta）、8.8A（Tc）	15ミリオーム @ 10.2A、10V、23.3ミリオーム @ 8.8A、10V	2.7V @ 1mA	19nC @ 10V、32nC @ 10V	1300pF @ 15V、2300pF @ 15V	1.4W（Ta）、2.5W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-920
	ISA150233C03LMDSXTMA	インフィニオン	S1(DigiKey)	4000個以上￥73.59 /個	4000個以上￥80.94 /個	★	確認する	4,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™ 3	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	7.6A（Ta）、10.2A（Tc）、6.6A（Ta）、8.8A（Tc）	15ミリオーム @ 10.2A、10V、23.3ミリオーム @ 8.8A、10V	2.7V @ 1mA	19nC @ 10V、32nC @ 10V	1300pF @ 15V、2300pF @ 15V	1.4W（Ta）、2.5W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-920
	ISA170170N04LMDSXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥211.43 /個	1個以上￥232.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 3	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	40V	7.2A（Ta）、9.6A（Tc）	17ミリオーム @ 9.6A、10V	2.7V @ 1mA	19.5nC @ 10V	1100pF @ 20V	1.4W（Ta）、2.5W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-920
	ISA170170N04LMDSXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥211.43 /個	1個以上￥232.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ 3	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	40V	7.2A（Ta）、9.6A（Tc）	17ミリオーム @ 9.6A、10V	2.7V @ 1mA	19.5nC @ 10V	1100pF @ 20V	1.4W（Ta）、2.5W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-920
	ISA170170N04LMDSXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	4000個以上￥36.14 /個	4000個以上￥39.75 /個	★	確認する	4,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™ 3	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	40V	7.2A（Ta）、9.6A（Tc）	17ミリオーム @ 9.6A、10V	2.7V @ 1mA	19.5nC @ 10V	1100pF @ 20V	1.4W（Ta）、2.5W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-920
	ISA170230C04LMDSXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥331.43 /個	1個以上￥364.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 3	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	40V	7.2A（Ta）、9.6A（Tc）、6.6A（Ta）、8.8A（Tc）	17ミリオーム @ 9.6A、10V、23ミリオーム @ 8.8A、10V	2.7V @ 1mA	19.5nC @ 10V、19nC @ 10V	1100pF @ 20V、2500pF @ 20V	1.4W（Ta）、2.5W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-920
	ISA170230C04LMDSXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥331.43 /個	1個以上￥364.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ 3	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	40V	7.2A（Ta）、9.6A（Tc）、6.6A（Ta）、8.8A（Tc）	17ミリオーム @ 9.6A、10V、23ミリオーム @ 8.8A、10V	2.7V @ 1mA	19.5nC @ 10V、19nC @ 10V	1100pF @ 20V、2500pF @ 20V	1.4W（Ta）、2.5W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-920
	ISA170230C04LMDSXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	4000個以上￥61.78 /個	4000個以上￥67.95 /個	★	確認する	4,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™ 3	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	40V	7.2A（Ta）、9.6A（Tc）、6.6A（Ta）、8.8A（Tc）	17ミリオーム @ 9.6A、10V、23ミリオーム @ 8.8A、10V	2.7V @ 1mA	19.5nC @ 10V、19nC @ 10V	1100pF @ 20V、2500pF @ 20V	1.4W（Ta）、2.5W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-920
	ISA220280C03LMDSXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥192.86 /個	1個以上￥212.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 3	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	6.3A（Ta）、8.4A（Tc）、6.1A（Ta）、8.1A（Tc）	22ミリオーム @ 8.4A、10V、28ミリオーム @ 8.1A、10V	2.7V @ 1mA	13.4nC @ 10V	1400pF @ 15V	1.4W（Ta）、2.5W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-920
	ISA220280C03LMDSXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥192.86 /個	1個以上￥212.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ 3	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	6.3A（Ta）、8.4A（Tc）、6.1A（Ta）、8.1A（Tc）	22ミリオーム @ 8.4A、10V、28ミリオーム @ 8.1A、10V	2.7V @ 1mA	13.4nC @ 10V	1400pF @ 15V	1.4W（Ta）、2.5W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-920
	ISA220280C03LMDSXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	4000個以上￥32.53 /個	4000個以上￥35.78 /個	★	確認する	4,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™ 3	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	6.3A（Ta）、8.4A（Tc）、6.1A（Ta）、8.1A（Tc）	22ミリオーム @ 8.4A、10V、28ミリオーム @ 8.1A、10V	2.7V @ 1mA	13.4nC @ 10V	1400pF @ 15V	1.4W（Ta）、2.5W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-920
	ISA250250N04LMDSXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥184.29 /個	1個以上￥202.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 3	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	40V	5.9A（Ta）、7.9A（Tc）	25ミリオーム @ 7.9A、10V	2.7V @ 1mA	11.9nC @ 10V	720pF @ 20V	1.4W（Ta）、2.5W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-920
	ISA250250N04LMDSXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥184.29 /個	1個以上￥202.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ 3	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	40V	5.9A（Ta）、7.9A（Tc）	25ミリオーム @ 7.9A、10V	2.7V @ 1mA	11.9nC @ 10V	720pF @ 20V	1.4W（Ta）、2.5W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-920
	ISA250250N04LMDSXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	4000個以上￥30.68 /個	4000個以上￥33.74 /個	★	確認する	4,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™ 3	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	40V	5.9A（Ta）、7.9A（Tc）	25ミリオーム @ 7.9A、10V	2.7V @ 1mA	11.9nC @ 10V	720pF @ 20V	1.4W（Ta）、2.5W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-920
	ISA250300C04LMDSXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥192.86 /個	1個以上￥212.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 3	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	40V	5.9A（Ta）、7.9A（Tc）、5.8A（Ta）、7.8A（Tc）	25ミリオーム @ 7.9A、10V、30ミリオーム @ 7.8A、10V	2.7V @ 1mA	11.9nC @ 10V	1600pF @ 20V	1.4W（Ta）、2.5W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-920
	ISA250300C04LMDSXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥192.86 /個	1個以上￥212.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ 3	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	40V	5.9A（Ta）、7.9A（Tc）、5.8A（Ta）、7.8A（Tc）	25ミリオーム @ 7.9A、10V、30ミリオーム @ 7.8A、10V	2.7V @ 1mA	11.9nC @ 10V	1600pF @ 20V	1.4W（Ta）、2.5W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-920
	ISA250300C04LMDSXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	4000個以上￥32.53 /個	4000個以上￥35.78 /個	★	確認する	4,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™ 3	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	40V	5.9A（Ta）、7.9A（Tc）、5.8A（Ta）、7.8A（Tc）	25ミリオーム @ 7.9A、10V、30ミリオーム @ 7.8A、10V	2.7V @ 1mA	11.9nC @ 10V	1600pF @ 20V	1.4W（Ta）、2.5W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-920
	IAUTN08S5N012LATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥1,228.00 /個	1個以上￥1,350.80 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 5	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル、コモンドレイン、コモンソース	-	80V	300A（Tj）	1.15ミリオーム @ 100A、10V	3.3V @ 275µA	24nC @ 10V	15340pF @ 40V	375W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-PowerSFN	PG-HSOF-8-2
	IAUTN08S5N012LATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥1,228.00 /個	1個以上￥1,350.80 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ 5	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル、コモンドレイン、コモンソース	-	80V	300A（Tj）	1.15ミリオーム @ 100A、10V	3.3V @ 275µA	24nC @ 10V	15340pF @ 40V	375W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-PowerSFN	PG-HSOF-8-2
	FS03MR12A7MA2BHPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥211,026.60 /個	1個以上￥232,129.26 /個	★	確認する		確認する	箱	HybridPACK™	シリコンカーバイド（SiC）	6 Nチャネル	-	1200V（1.2kV）	310A	2.54ミリオーム @ 310A、18V	4.55V @ 120mA	870nC @ 18V	25900pF @ 750V	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	IAUTN08S5N012LATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	2000個以上￥457.96 /個	2000個以上￥503.75 /個	★	確認する	2,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™ 5	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル、コモンドレイン、コモンソース	-	80V	300A（Tj）	1.15ミリオーム @ 100A、10V	3.3V @ 275µA	24nC @ 10V	15340pF @ 40V	375W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-PowerSFN	PG-HSOF-8-2
	FS01MR08A8MA2LBCHPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥278,281.92 /個	1個以上￥306,110.11 /個	★	確認する		確認する	箱	HybridPACK™	シリコンカーバイド（SiC）	6 Nチャネル	-	750V	620A（Tj）	1.69ミリオーム @ 620A、18V	4.55V @ 200mA	1480nC @ 18V	43000pF @ 470V	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	FF7MR12W1M1HB17BPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥23,459.10 /個	1個以上￥25,805.01 /個	★	確認する		確認する	トレイ	CoolSiC™	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	105A（Tj）	5.8ミリオーム @ 120A、18V	5.15V @ 56mA	400nC @ 18V	12100pF @ 800V	20mW	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-EASY1B
	FF17MR12W1M1HB17BPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥12,395.41 /個	1個以上￥13,634.95 /個	★	確認する		確認する	トレイ	CoolSiC™	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	50A（Tj）	16.2ミリオーム @ 50A、18V	5.15V @ 20mA	149nC @ 18V	4400pF @ 800V	20mW	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-EASY1B
	IAUCN10S5L094DATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥438.58 /個	1個以上￥482.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 5	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	100V	66A（Tj）	9.4ミリオーム @ 30A、10V	2.2V @ 35µA	30nC @ 10V	2180pF @ 50V	96W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-PowerTDFN	PG-TDSON-8-60
	IAUCN10S5L094DATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥438.58 /個	1個以上￥482.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ 5	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	100V	66A（Tj）	9.4ミリオーム @ 30A、10V	2.2V @ 35µA	30nC @ 10V	2180pF @ 50V	96W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-PowerTDFN	PG-TDSON-8-60
	IAUCN10S5L280DATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥308.58 /個	1個以上￥339.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 5	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	100V	23A（Tj）	28ミリオーム @ 10A、10V	2.2V @ 10µA	10nC @ 10V	690pF @ 10V	38W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-PowerTDFN	PG-TDSON-8-61
	IAUCN10S5L280DATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥308.58 /個	1個以上￥339.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ 5	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	100V	23A（Tj）	28ミリオーム @ 10A、10V	2.2V @ 10µA	10nC @ 10V	690pF @ 10V	38W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-PowerTDFN	PG-TDSON-8-61
	IQE220N15NM5SCATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥704.17 /個	1個以上￥774.58 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	150V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	面実装	8-PowerWDFN	PG-WHSON-8-1
	IQE220N15NM5SCATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥704.17 /個	1個以上￥774.58 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	150V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	面実装	8-PowerWDFN	PG-WHSON-8-1
	IQE008N03LM5CGSCATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥583.34 /個	1個以上￥641.67 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	30V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	面実装	9-PowerWDFN	PG-WHTFN-9
	IQE008N03LM5CGSCATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥583.34 /個	1個以上￥641.67 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	30V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	面実装	9-PowerWDFN	PG-WHTFN-9
	IQE008N03LM5SCATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥623.62 /個	1個以上￥685.98 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	30V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	面実装	8-PowerWDFN	PG-WHSON-8
	IQE008N03LM5SCATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥623.62 /個	1個以上￥685.98 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	30V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	面実装	8-PowerWDFN	PG-WHSON-8
	ISG0613N04NM6HSCATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥965.76 /個	1個以上￥1,062.33 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 6	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	40V	42A（Ta）、299A（Tc）	0.88ミリオーム @ 50A、10V	2.8V @ 780µA	104nC @ 10V	6200pF @ 20V	3W（Ta）、167W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	10-PowerWDFN	PG-WHITFN-10-1
	ISG0613N04NM6HSCATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥965.76 /個	1個以上￥1,062.33 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ 6	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	40V	42A（Ta）、299A（Tc）	0.88ミリオーム @ 50A、10V	2.8V @ 780µA	104nC @ 10V	6200pF @ 20V	3W（Ta）、167W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	10-PowerWDFN	PG-WHITFN-10-1
	ISG0613N04NM6HSCATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	3000個以上￥268.66 /個	3000個以上￥295.52 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™ 6	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	40V	42A（Ta）、299A（Tc）	0.88ミリオーム @ 50A、10V	2.8V @ 780µA	104nC @ 10V	6200pF @ 20V	3W（Ta）、167W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	10-PowerWDFN	PG-WHITFN-10-1
	ISG0614N06NM5HATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	3000個以上￥284.85 /個	3000個以上￥313.33 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™ 5	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	60V	31A（Ta）、233A（Tc）	1.6ミリオーム @ 50A、10V	3.3V @ 86µA	102nC @ 10V	6400pF @ 30V	3W（Ta）、167W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	10-PowerVDFN	PG-VITFN-10-1
	ISG0613N04NM6HATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	3000個以上￥248.97 /個	3000個以上￥273.86 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™ 6	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	40V	42A（Ta）、299A（Tc）	0.88ミリオーム @ 50A、10V	2.8V @ 780µA	104nC @ 10V	6200pF @ 20V	3W（Ta）、167W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	10-PowerVDFN	PG-VITFN-10-1
	ISG0614N06NM5HSCATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥1,082.20 /個	1個以上￥1,190.42 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 5	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	60V	31A（Ta）、233A（Tc）	1.6ミリオーム @ 50A、10V	3.3V @ 86µA	102nC @ 10V	6400pF @ 30V	3W（Ta）、167W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	10-PowerWDFN	PG-WHITFN-10-1
	ISG0614N06NM5HSCATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥1,082.20 /個	1個以上￥1,190.42 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ 5	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	60V	31A（Ta）、233A（Tc）	1.6ミリオーム @ 50A、10V	3.3V @ 86µA	102nC @ 10V	6400pF @ 30V	3W（Ta）、167W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	10-PowerWDFN	PG-WHITFN-10-1
	ISG0613N04NM6HATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥925.00 /個	1個以上￥1,017.50 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 6	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	40V	42A（Ta）、299A（Tc）	0.88ミリオーム @ 50A、10V	2.8V @ 780µA	104nC @ 10V	6200pF @ 20V	3W（Ta）、167W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	10-PowerVDFN	PG-VITFN-10-1
	ISG0614N06NM5HATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥1,008.22 /個	1個以上￥1,109.04 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 5	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	60V	31A（Ta）、233A（Tc）	1.6ミリオーム @ 50A、10V	3.3V @ 86µA	102nC @ 10V	6400pF @ 30V	3W（Ta）、167W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	10-PowerVDFN	PG-VITFN-10-1
	ISG0613N04NM6HATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥925.00 /個	1個以上￥1,017.50 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ 6	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	40V	42A（Ta）、299A（Tc）	0.88ミリオーム @ 50A、10V	2.8V @ 780µA	104nC @ 10V	6200pF @ 20V	3W（Ta）、167W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	10-PowerVDFN	PG-VITFN-10-1
	ISG0614N06NM5HATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥1,008.22 /個	1個以上￥1,109.04 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ 5	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	60V	31A（Ta）、233A（Tc）	1.6ミリオーム @ 50A、10V	3.3V @ 86µA	102nC @ 10V	6400pF @ 30V	3W（Ta）、167W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	10-PowerVDFN	PG-VITFN-10-1
	ISG0616N10NM5HSCATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥1,160.28 /個	1個以上￥1,276.30 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 5	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	100V	19A（Ta）、139A（Tc）	4ミリオーム @ 50A、10V	3.8V @ 85µA	78nC @ 10V	4800pF @ 50V	3W（Ta）、167W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	10-PowerWDFN	PG-WHITFN-10-1
	ISG0616N10NM5HSCATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥1,160.28 /個	1個以上￥1,276.30 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ 5	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	100V	19A（Ta）、139A（Tc）	4ミリオーム @ 50A、10V	3.8V @ 85µA	78nC @ 10V	4800pF @ 50V	3W（Ta）、167W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	10-PowerWDFN	PG-WHITFN-10-1
	ISG0616N10NM5HSCATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	3000個以上￥343.90 /個	3000個以上￥378.29 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™ 5	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	100V	19A（Ta）、139A（Tc）	4ミリオーム @ 50A、10V	3.8V @ 85µA	78nC @ 10V	4800pF @ 50V	3W（Ta）、167W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	10-PowerWDFN	PG-WHITFN-10-1
	FF3MR12KM1HPHPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥62,511.71 /個	1個以上￥68,762.88 /個	★	確認する		確認する	箱	CoolSiC™	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	220A	4.44ミリオーム @ 280A、18V	5.1V @ 112mA	800nC @ 18V	24200pF @ 800V	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-62MMHB
	FF3MR12KM1HHPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥61,648.94 /個	1個以上￥67,813.83 /個	★	確認する		確認する	箱	CoolSiC™	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	190A（Tc）	4.44ミリオーム @ 280A、18V	5.1V @ 112mA	800nC @ 18V	24200pF @ 800V	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-62MMHB
	IRF7328TRPBFXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	4000個以上￥76.56 /個	4000個以上￥84.21 /個	★	確認する	4,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	30V	8A（Ta）	21ミリオーム @ 8A、10V	2.5V @ 250µA	78nC @ 10V	2675pF @ 25V	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-902
	ITD50N04S4L07ATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	2500個以上￥87.68 /個	2500個以上￥96.44 /個	★	確認する	2,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル、コモンドレイン	論理レベルゲート	40V	50A（Tc）	7.2ミリオーム @ 50A、10V	2.2V @ 18µA	33nC @ 10V	2480pF @ 25V	46W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q100	面実装	TO-252-5、DPAK（4リード + タブ）、TO-252AD
	IAUCN10S5L280DATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	5000個以上￥95.03 /個	5000個以上￥104.53 /個	★	確認する	5,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™ 5	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	100V	23A（Tj）	28ミリオーム @ 10A、10V	2.2V @ 10µA	10nC @ 10V	690pF @ 10V	38W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-PowerTDFN	PG-TDSON-8-61
	IAUCN10S5L094DATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	5000個以上￥143.64 /個	5000個以上￥158.00 /個	★	確認する	5,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™ 5	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	100V	66A（Tj）	9.4ミリオーム @ 30A、10V	2.2V @ 35µA	30nC @ 10V	2180pF @ 50V	96W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-PowerTDFN	PG-TDSON-8-60
	FS02MR12A8MA2BBPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥138,063.83 /個	1個以上￥151,870.21 /個	★	確認する		確認する	トレイ	HybridPACK™	シリコンカーバイド（SiC）	6 Nチャネル	-	1200V（1.2kV）	390A（Tj）	1.9ミリオーム @ 390A、18V	4.55V @ 160mA	1.19µC @ 18V	34500pF @ 750V	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	FF4MR12W2M1HPB11BPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥33,831.82 /個	1個以上￥37,215.00 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	170A	4ミリオーム @ 200A、18V	5.15V @ 80mA	594nC @ 18V	17600pF @ 800V	20mW	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-EASY2B
	IQE220N15NM5SCATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	6000個以上￥174.98 /個	6000個以上￥192.47 /個	★	確認する	6,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	150V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	面実装	8-PowerWDFN	PG-WHSON-8-1
	IQE008N03LM5CGSCATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	6000個以上￥147.85 /個	6000個以上￥162.63 /個	★	確認する	6,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	30V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	面実装	9-PowerWDFN	PG-WHTFN-9
	IQE008N03LM5SCATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	6000個以上￥147.85 /個	6000個以上￥162.63 /個	★	確認する	6,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	30V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	面実装	8-PowerWDFN	PG-WHSON-8
	IRF8910TRPBFXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	Digi-Reel®	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	20V	10A（Ta）	13.4ミリオーム @ 10A、10V	2.55V @ 250µA	11nC @ 4.5V	960pF @ 10V	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-902
	IRF8910TRPBFXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	カットテープ（CT）	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	20V	10A（Ta）	13.4ミリオーム @ 10A、10V	2.55V @ 250µA	11nC @ 4.5V	960pF @ 10V	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-902
	IRF7103TRPBFXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥240.00 /個	1個以上￥264.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	50V	3A（Ta）	130ミリオーム @ 3A、10V	3V @ 250µA	30nC @ 10V	290pF @ 25V	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-902
	IRF7103TRPBFXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥240.00 /個	1個以上￥264.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	50V	3A（Ta）	130ミリオーム @ 3A、10V	3V @ 250µA	30nC @ 10V	290pF @ 25V	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-902
	IRF7303TRPBFXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥295.72 /個	1個以上￥325.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	4.9A（Ta）	50ミリオーム @ 2.4A、10V	1V @ 250µA	25nC @ 10V	520pF @ 25V	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-902
	IRF7303TRPBFXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥295.72 /個	1個以上￥325.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	4.9A（Ta）	50ミリオーム @ 2.4A、10V	1V @ 250µA	25nC @ 10V	520pF @ 25V	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-902
	IRF7313TRPBFXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥252.86 /個	1個以上￥278.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	6.5A（Ta）	29ミリオーム @ 5.8A、10V	1V @ 250µA	33nC @ 10V	650pF @ 25V	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-902
	IRF7313TRPBFXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥252.86 /個	1個以上￥278.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	6.5A（Ta）	29ミリオーム @ 5.8A、10V	1V @ 250µA	33nC @ 10V	650pF @ 25V	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-902
	IPG20N04S408BATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥451.43 /個	1個以上￥496.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ T2	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	20A（Tc）	7.6ミリオーム @ 17A、10V	4V @ 30µA	36nC @ 10V	2940pF @ 25V	65W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装、濡れ性フランク	8-PowerVDFN	PG-TDSON-8-10
	IPG20N04S409AATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥398.58 /個	1個以上￥438.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	20A（Tc）	8.6ミリオーム @ 17A、10V	4V @ 22µA	28nC @ 10V	2250pF @ 25V	54W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-PowerVDFN	PG-TDSON-8-4
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【BSO220N03MDGXUMA1】MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO

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最小2,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 7.7A、10V・Id印加時のVgs（t

￥41.62 税込￥45.78
2

【BSO220N03MDGXUMA1】MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 7.7A、10V・Id印加時のVgs（th

￥254.29 税込￥279.71
3

【IRF7309TRPBF】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A、3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 2.4A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V

￥274.29 税込￥301.71
4

【IMT65R50M2HXUMA1】IMT65R50M2HXUMA1

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電

￥1,393.83 税込￥1,533.21
5

【FF2000UXTR33T2M1BPSA1】MOSFET 2N-CH 3300V 9AG-XHP2K33

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：CoolSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：3300V（3.3kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：925A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4ミリオーム @ 1kA、15V・Id印加時のVgs

￥1,249,485.11 税込￥1,374,433.62
6

【FF3MR20KM1HPHPSA1】MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：C, CoolSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：2000V（2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：325A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4ミリオーム @ 400A、18V・Id印加時のV

￥107,774.47 税込￥118,551.91
7

【FF2600UXTR33T2M1BPSA1】MOSFET 2N-CH 3300V AG-XHP2K33

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：CoolSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：3300V（3.3kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：720A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.1ミリオーム @ 750A、15V・Id印加時のVg

￥971,310.64 税込￥1,068,441.70
8

【ISG0614N06NM5HSCATMA1】MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™ 5・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：31A（Ta）、233A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6ミリオーム @ 50A、10V

￥313.60 税込￥344.96
9

【FS17MR12W2M1HB11ABPSA2】FS17MR12W2M1HB11ABPSA2

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：EasyPACK™・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電

￥21,194.26 税込￥23,313.68
10

【FF06MR12A04MA2AKSA1】HYBRIDPACK DSC S MODULE WITH SIC

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HybridPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：190A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.56mOhm @ 190A, 18V・Id印加時

￥37,159.14 税込￥40,875.05
11

【F411MR12W3M1HB11BPSA1】F411MR12W3M1HB11BPSA1

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-

￥24,196.60 税込￥26,616.26
12

【FF1MR12MM1HPB11BPSA1】FF1MR12MM1HPB11BPSA1

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：EconoDUAL™3・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：470A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.91ミリオーム @ 500A、18V・Id印加

￥91,905.32 税込￥101,095.85
13

【FS01MR12A8MA2BHPSA1】FS01MR12A8MA2BHPSA1

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：HybridPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.87ミリオーム @ 18V、500A・Id印加時のVgs（th

￥224,550.00 税込￥247,005.00
14

【FF1MR12MM1HWB11BPSA1】MEDIUM POWER ECONO

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-

￥92,426.60 税込￥101,669.26
15

【F46MR20W3M1HB11BPSA1】EASY STANDARD PLUS

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：EasyPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4 Nチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：2000V（2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：135A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8.1ミリオーム @ 160A、18V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥75,658.52 税込￥83,224.37
16

【FF5MR20KM1HSHPSA1】MEDIUM POWER 62MM

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-

￥54,110.43 税込￥59,521.47
17

【DF419MR20W3M1HFH94BPSA1】EASY STANDARD PLUS

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最小8個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-

￥43,630.06 税込￥47,993.06
18

【F3L3MR12W3M1HH11BPSA1】EASY STANDARD PLUS

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-

￥44,262.77 税込￥48,689.04
19

【FF8MR12W1M1HC58BPSA1】EASY STANDARD

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最小24個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-

￥20,179.26 税込￥22,197.18
20

【F3L340R12W3H7H11BPSA1】EASY STANDARD PLUS

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-

￥21,833.34 税込￥24,016.67
21

【DF17MR12W1M1HFB86BPSA1】EASY STANDARD

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：EasyPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：3 Nチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：24ミリオーム @ 50A、18V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥12,348.28 税込￥13,583.10
22

【F899MR07W1D7B11ABPSA1】EASY STANDARD EV AUX

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：EasyPACK™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：48nC @ 10V・Vds

￥8,028.74 税込￥8,831.61
23

【ISA150233C03LMDSXTMA1】TRENCH <= 40V

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最小4,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.6A（Ta）、10.2A（Tc）、6.6A（Ta）、8.8A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：15ミリオ

￥42.72 税込￥46.99
24

【FF3MR20W3M1HH11BPSA1】EASY STANDARD PLUS

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-

￥68,706.39 税込￥75,577.02
25

【F410MR20W3M1HB11BPSA1】EASY STANDARD PLUS

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：EasyPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4 Nチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：2000V（2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：95A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.3ミリオーム @ 120A、18V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥53,463.83 税込￥58,810.21
26

【FF1MR12MM1HB11BPSA1】FF1MR12MM1HB11BPSA1

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：EconoDUAL™3・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：420A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.91ミリオーム @ 500A、18V・Id

￥90,860.64 税込￥99,946.70
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【IMT65R50M2HXUMA1】IMT65R50M2HXUMA1 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力

￥1,393.83 税込￥1,533.21
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【IMT65R50M2HXUMA1】IMT65R50M2HXUMA1

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最小2,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電

￥695.47 税込￥765.01
29

【F3L6MR20W2M1HB70BPSA1】F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：EasyPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4 Nチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：2000V（2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：155A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8.7ミリオーム @ 100A、18V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥39,172.05 税込￥43,089.25
30

【FF6MR20W2M1HB70BPSA1】FF6MR20W2M1HB70BPSA1

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：EasyPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：2000V（2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：160A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8.1ミリオーム @ 160A、18V・Id印加時のV

￥47,211.71 税込￥51,932.88
31

【ISA150233C03LMDSXTMA】ISA150233C03LMDSXTMA [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.6A（Ta）、10.2A（Tc）、6.6A（Ta）、8.8A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：15ミリオー

￥385.72 税込￥424.29
32

【ISA150233C03LMDSXTMA】ISA150233C03LMDSXTMA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.6A（Ta）、10.2A（Tc）、6.6A（Ta）、8.8A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：15ミリオ

￥385.72 税込￥424.29
33

【ISA150233C03LMDSXTMA】ISA150233C03LMDSXTMA

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最小4,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.6A（Ta）、10.2A（Tc）、6.6A（Ta）、8.8A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：15ミリオ

￥73.59 税込￥80.94
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【ISA170170N04LMDSXTMA1】ISA170170N04LMDSXTMA1 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.2A（Ta）、9.6A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 9.6A

￥211.43 税込￥232.57
35

【ISA170170N04LMDSXTMA1】ISA170170N04LMDSXTMA1

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.2A（Ta）、9.6A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 9.6

￥211.43 税込￥232.57
36

【ISA170170N04LMDSXTMA1】ISA170170N04LMDSXTMA1

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.2A（Ta）、9.6A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 9.6

￥36.14 税込￥39.75
37

【ISA170230C04LMDSXTMA1】ISA170230C04LMDSXTMA1 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.2A（Ta）、9.6A（Tc）、6.6A（Ta）、8.8A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム

￥331.43 税込￥364.57
38

【ISA170230C04LMDSXTMA1】ISA170230C04LMDSXTMA1

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.2A（Ta）、9.6A（Tc）、6.6A（Ta）、8.8A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオー

￥331.43 税込￥364.57
39

【ISA170230C04LMDSXTMA1】ISA170230C04LMDSXTMA1

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.2A（Ta）、9.6A（Tc）、6.6A（Ta）、8.8A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオー

￥61.78 税込￥67.95
40

【ISA220280C03LMDSXTMA1】ISA220280C03LMDSXTMA1 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.3A（Ta）、8.4A（Tc）、6.1A（Ta）、8.1A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム

￥192.86 税込￥212.14
41

【ISA220280C03LMDSXTMA1】ISA220280C03LMDSXTMA1

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.3A（Ta）、8.4A（Tc）、6.1A（Ta）、8.1A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオー

￥192.86 税込￥212.14
42

【ISA220280C03LMDSXTMA1】ISA220280C03LMDSXTMA1

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最小4,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.3A（Ta）、8.4A（Tc）、6.1A（Ta）、8.1A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオー

￥32.53 税込￥35.78
43

【ISA250250N04LMDSXTMA1】ISA250250N04LMDSXTMA1 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.9A（Ta）、7.9A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオーム @ 7.9A

￥184.29 税込￥202.71
44

【ISA250250N04LMDSXTMA1】ISA250250N04LMDSXTMA1

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.9A（Ta）、7.9A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオーム @ 7.9

￥184.29 税込￥202.71
45

【ISA250250N04LMDSXTMA1】ISA250250N04LMDSXTMA1

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最小4,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.9A（Ta）、7.9A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオーム @ 7.9

￥30.68 税込￥33.74
46

【ISA250300C04LMDSXTMA1】ISA250300C04LMDSXTMA1 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.9A（Ta）、7.9A（Tc）、5.8A（Ta）、7.8A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオーム

￥192.86 税込￥212.14
47

【ISA250300C04LMDSXTMA1】ISA250300C04LMDSXTMA1

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.9A（Ta）、7.9A（Tc）、5.8A（Ta）、7.8A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオー

￥192.86 税込￥212.14
48

【ISA250300C04LMDSXTMA1】ISA250300C04LMDSXTMA1

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最小4,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.9A（Ta）、7.9A（Tc）、5.8A（Ta）、7.8A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオー

￥32.53 税込￥35.78
49

【IAUTN08S5N012LATMA1】MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 5・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル、コモンドレイン、コモンソース・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.15ミリオーム @ 100A、10V・

￥1,228.00 税込￥1,350.80
50

【IAUTN08S5N012LATMA1】MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 5・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル、コモンドレイン、コモンソース・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.15ミリオーム @ 100A、10V

￥1,228.00 税込￥1,350.80
51

【FS03MR12A7MA2BHPSA1】MOSFET 6N-CH 1200V 310A

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：HybridPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：310A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.54ミリオーム @ 310A、18V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥211,026.60 税込￥232,129.26
52

【IAUTN08S5N012LATMA1】MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™ 5・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル、コモンドレイン、コモンソース・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.15ミリオーム @ 100A、10V

￥457.96 税込￥503.75
53

【FS01MR08A8MA2LBCHPSA1】MOSFET 6N-CH 750V 620A

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：HybridPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：750V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：620A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.69ミリオーム @ 620A、18V・Id印加時のVgs（th）（最大）：4.55

￥278,281.92 税込￥306,110.11
54

【FF7MR12W1M1HB17BPSA1】MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1B

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：CoolSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：105A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.8ミリオーム @ 120A、18V・Id印加時の

￥23,459.10 税込￥25,805.01
55

【FF17MR12W1M1HB17BPSA1】MOSFET 2N-CH 1200V 50A AG-EASY1B

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：CoolSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16.2ミリオーム @ 50A、18V・Id印加時のV

￥12,395.41 税込￥13,634.95
56

【IAUCN10S5L094DATMA1】MOSFET 2N-CH 100V 66A 8TDSON [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 5・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：66A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.4ミリオーム @ 30A、10V・Id印加時のVgs（t

￥438.58 税込￥482.43
57

【IAUCN10S5L094DATMA1】MOSFET 2N-CH 100V 66A 8TDSON

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 5・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：66A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.4ミリオーム @ 30A、10V・Id印加時のVgs（

￥438.58 税込￥482.43
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【IAUCN10S5L280DATMA1】MOSFET 2N-CH 100V 23A 8TDSON [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 5・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：23A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（th

￥308.58 税込￥339.43
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【IAUCN10S5L280DATMA1】MOSFET 2N-CH 100V 23A 8TDSON

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 5・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：23A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（t

￥308.58 税込￥339.43
60

【IQE220N15NM5SCATMA1】MOSFET 2N-CH 150V 8WHSON [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（

￥704.17 税込￥774.58
61

【IQE220N15NM5SCATMA1】MOSFET 2N-CH 150V 8WHSON

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷

￥704.17 税込￥774.58
62

【IQE008N03LM5CGSCATMA1】MOSFET 2N-CH 30V 9WHTFN [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Q

￥583.34 税込￥641.67
63

【IQE008N03LM5CGSCATMA1】MOSFET 2N-CH 30V 9WHTFN

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（

￥583.34 税込￥641.67
64

【IQE008N03LM5SCATMA1】MOSFET 2N-CH 30V 8WHSON [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Q

￥623.62 税込￥685.98
65

【IQE008N03LM5SCATMA1】MOSFET 2N-CH 30V 8WHSON

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（

￥623.62 税込￥685.98
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【ISG0613N04NM6HSCATMA1】MOSFET 2N-CH 40V 42A 10WHITFN [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 6・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）、299A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：0.88ミリオーム @ 50A、10V

￥965.76 税込￥1,062.33
67

【ISG0613N04NM6HSCATMA1】MOSFET 2N-CH 40V 42A 10WHITFN

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 6・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）、299A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：0.88ミリオーム @ 50A、10

￥965.76 税込￥1,062.33
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【ISG0613N04NM6HSCATMA1】MOSFET 2N-CH 40V 42A 10WHITFN

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™ 6・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）、299A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：0.88ミリオーム @ 50A、10

￥268.66 税込￥295.52
69

【ISG0614N06NM5HATMA1】MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™ 5・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：31A（Ta）、233A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6ミリオーム @ 50A、10V

￥284.85 税込￥313.33
70

【ISG0613N04NM6HATMA1】MOSFET 2N-CH 40V 42A 10VITFN

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™ 6・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）、299A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：0.88ミリオーム @ 50A、10

￥248.97 税込￥273.86
71

【ISG0614N06NM5HSCATMA1】MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 5・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：31A（Ta）、233A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6ミリオーム @ 50A、10V・

￥1,082.20 税込￥1,190.42
72

【ISG0614N06NM5HSCATMA1】MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 5・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：31A（Ta）、233A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6ミリオーム @ 50A、10V

￥1,082.20 税込￥1,190.42
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【ISG0613N04NM6HATMA1】MOSFET 2N-CH 40V 42A 10VITFN [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 6・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）、299A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：0.88ミリオーム @ 50A、10V

￥925.00 税込￥1,017.50
74

【ISG0614N06NM5HATMA1】MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 5・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：31A（Ta）、233A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6ミリオーム @ 50A、10V・

￥1,008.22 税込￥1,109.04
75

【ISG0613N04NM6HATMA1】MOSFET 2N-CH 40V 42A 10VITFN

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 6・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）、299A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：0.88ミリオーム @ 50A、10

￥925.00 税込￥1,017.50
76

【ISG0614N06NM5HATMA1】MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 5・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：31A（Ta）、233A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6ミリオーム @ 50A、10V

￥1,008.22 税込￥1,109.04
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【ISG0616N10NM5HSCATMA1】MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 5・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：19A（Ta）、139A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4ミリオーム @ 50A、10V・I

￥1,160.28 税込￥1,276.30
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【ISG0616N10NM5HSCATMA1】MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 5・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：19A（Ta）、139A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4ミリオーム @ 50A、10V・

￥1,160.28 税込￥1,276.30
79

【ISG0616N10NM5HSCATMA1】MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™ 5・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：19A（Ta）、139A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4ミリオーム @ 50A、10V・

￥343.90 税込￥378.29
80

【FF3MR12KM1HPHPSA1】MOSFET 2N-CH 1200V 220A AG62MMHB

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：CoolSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：220A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.44ミリオーム @ 280A、18V・Id印加時のVgs（t

￥62,511.71 税込￥68,762.88
81

【FF3MR12KM1HHPSA1】MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：CoolSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：190A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.44ミリオーム @ 280A、18V・Id印加時のV

￥61,648.94 税込￥67,813.83
82

【IRF7328TRPBFXTMA1】MOSFET 2P-CH 30V 8A 8DSO-902

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最小4,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：21ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥76.56 税込￥84.21
83

【ITD50N04S4L07ATMA1】MOSFET 2N-CH 40V 50A TO252-5

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最小2,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル、コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.2ミリオーム @ 50A、10V・Id印加

￥87.68 税込￥96.44
84

【IAUCN10S5L280DATMA1】MOSFET 2N-CH 100V 23A 8TDSON

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最小5,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™ 5・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：23A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（t

￥95.03 税込￥104.53
85

【IAUCN10S5L094DATMA1】MOSFET 2N-CH 100V 66A 8TDSON

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最小5,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™ 5・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：66A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.4ミリオーム @ 30A、10V・Id印加時のVgs（

￥143.64 税込￥158.00
86

【FS02MR12A8MA2BBPSA1】MOSFET 6N-CH 1200V 390A

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：HybridPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：390A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.9ミリオーム @ 390A、18V・Id印加時のVgs（th）

￥138,063.83 税込￥151,870.21
87

【FF4MR12W2M1HPB11BPSA1】MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2B

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：170A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4ミリオーム @ 200A、18V・Id印加時のVgs（th）（最大）：5

￥33,831.82 税込￥37,215.00
88

【IQE220N15NM5SCATMA1】MOSFET 2N-CH 150V 8WHSON

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最小6,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷

￥174.98 税込￥192.47
89

【IQE008N03LM5CGSCATMA1】MOSFET 2N-CH 30V 9WHTFN

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（

￥147.85 税込￥162.63
90

【IQE008N03LM5SCATMA1】MOSFET 2N-CH 30V 8WHSON

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（

￥147.85 税込￥162.63
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【IRF8910TRPBFXTMA1】MOSFET 2N-CH 20V 10A 8DSO-902 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.4ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（th）（
92

【IRF8910TRPBFXTMA1】MOSFET 2N-CH 20V 10A 8DSO-902

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.4ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（th）
93

【IRF7103TRPBFXTMA1】MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：130ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥240.00 税込￥264.00
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【IRF7103TRPBFXTMA1】MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：130ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥240.00 税込￥264.00
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【IRF7303TRPBFXTMA1】MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.9A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 2.4A、10V・Id印加時のVgs（th）（

￥295.72 税込￥325.29
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【IRF7303TRPBFXTMA1】MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.9A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 2.4A、10V・Id印加時のVgs（th）

￥295.72 税込￥325.29
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【IRF7313TRPBFXTMA1】MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：29ミリオーム @ 5.8A、10V・Id印加時のVgs（th）（

￥252.86 税込￥278.14
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【IRF7313TRPBFXTMA1】MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：29ミリオーム @ 5.8A、10V・Id印加時のVgs（th）

￥252.86 税込￥278.14
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【IPG20N04S408BATMA1】MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ T2・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.6ミリオーム @ 17A、10V・Id印加時のVgs（

￥451.43 税込￥496.57
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【IPG20N04S409AATMA1】MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8.6ミリオーム @ 17A、10V・Id印加時のVgs（th）（

￥398.58 税込￥438.43

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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ|インフィニオンの定格表 該当製品数: 882 / 882 件

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