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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ|Qorvo US Inc.の定格表 該当製品数: 4 件

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写真 型番 メーカー データシート BOMに追加 品質ランク 単価 (税抜) 単価 (税込) カートに追加 在庫数量 最少購入数 納期 パッケージ シリーズ 技術 構成 FET機能 ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） Id、Vgs印加時のRds On（最大） Id印加時のVgs（th）（最大） Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 電力 - 最大 動作温度 グレード 認定 取り付けタイプ パッケージ/ケース サプライヤデバイスパッケージ
UFB15C12E1BC3N Qorvo US Inc. データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥20,544.83 /個
1個以上 ￥22,599.31 /個
 ★ 確認する 1 個 確認する バルク - SiCFET（炭化ケイ素） 4 P-チャンネル（フルブリッジ） シリコンカーバイド（SiC） 1200V（1.2kV） 24A（Tj） 90ミリオーム @ 15A、12V 6V @ 10mA 46nC @ 15V 1445pF @ 800V 96W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - シャーシマウント モジュール モジュール
UFB25SC12E1BC3N Qorvo US Inc. データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥23,025.00 /個
1個以上 ￥25,327.50 /個
 ★ 確認する 1 個 確認する バルク - SiCFET（炭化ケイ素） 4 P-チャンネル（フルブリッジ） シリコンカーバイド（SiC） 1200V（1.2kV） 36A（Tj） 45ミリオーム @ 25A、12V 6V @ 10mA 42.5nC @ 15V 1450pF @ 800V 114W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - シャーシマウント モジュール モジュール
UHB100SC12E1BC3N Qorvo US Inc. BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥29,730.69 /個
1個以上 ￥32,703.75 /個
 ★ 確認する 1 個 確認する バルク - SiCFET（炭化ケイ素） 2 Pチャンネル（ハーフブリッジ） シリコンカーバイド（SiC） 1200V（1.2kV） 100A（Tc） 12ミリオーム @ 70A、12V 6V @ 40mA 170nC @ 15V 5859pF @ 800V 417W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - シャーシマウント モジュール モジュール
UHB50SC12E1BC3N Qorvo US Inc. BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥23,025.00 /個
1個以上 ￥25,327.50 /個
 ★ 確認する 1 個 確認する バルク - SiCFET（炭化ケイ素） 2 Pチャンネル（ハーフブリッジ） シリコンカーバイド（SiC） 1200V（1.2kV） 69A（Tj） 24ミリオーム @ 50A、12V 6V @ 20mA 85nC @ 15V 2930pF @ 800V 208W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - シャーシマウント モジュール モジュール
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