トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ|Tagore Technologyの定格表 該当製品数: 3

定格表の使い方
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写真 型番 メーカー データシート BOMに追加 品質ランク 単価 (税抜) 単価 (税込) カートに追加 在庫数量 最少購入数 納期 パッケージ シリーズ 技術 構成 FET機能 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力 - 最大 動作温度 グレード 認定 取り付けタイプ パッケージ/ケース サプライヤデバイスパッケージ
TP44110HB TP44110HB Tagore Technology データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,364.20 /個
1個以上 ¥1,500.62 /個
確認する 1 確認する トレイ - GaNFET(窒化ガリウム) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 650V 19A(Tc) 118ミリオーム @ 500mA、6V 2.5V @ 11mA 3nC @ 6V 110pF @ 400V - -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 30-PowerWFQFN 30-QFN(8x10)
TP44220HB TP44220HB Tagore Technology データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥905.56 /個
1個以上 ¥996.11 /個
確認する 1 確認する トレイ - GaNFET(窒化ガリウム) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 650V 10A(Tc) 236ミリオーム @ 500mA、6V 2.5V @ 5.5mA 1.5nC @ 6V 55pF @ 400V - -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 30-PowerWFQFN 30-QFN(8x10)
TP44440HB TP44440HB Tagore Technology データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥698.62 /個
1個以上 ¥768.48 /個
確認する 1 確認する トレイ - GaNFET(窒化ガリウム) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 650V 6.5A(Tc) 472ミリオーム @ 500mA、6V 2.5V @ 2.8mA 0.75nC @ 6V 28pF @ 400V - -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 30-PowerWFQFN 30-QFN(8x10)
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DigiReelの説明
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