トランジスタ - FET、MOSFET - シングル|MaxLinear Inc.の定格表 該当製品数: 2 / 2

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写真 型番 メーカー データシート BOMに追加 品質ランク 単価 (税抜) 単価 (税込) カートに追加 在庫数量 最少購入数 納期 パッケージ シリーズ FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 グレード 認定 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
XR46000ESETR XR46000ESETR MaxLinear Inc. データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 1 売り切れ テープ&リール(TR) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 1.5A(Tc) 10V 8オーム @ 750mA、 10V 4V @ 250µA 7.5 nC @ 10 V ±30V 170 pF @ 25 V - 20W(Tc) 150°C(TJ) - - 面実装 SOT-223-3 TO-261-4、TO-261AA
XR46000ESE XR46000ESE MaxLinear Inc. データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 1 売り切れ バルク - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 1.5A(Tc) 10V 8オーム @ 750mA、 10V 4V @ 250µA 7.5 nC @ 10 V ±30V 170 pF @ 25 V - 20W(Tc) 150°C(TJ) - - 面実装 SOT-223-3 TO-261-4、TO-261AA
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