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トランジスタ - FET、MOSFET - シングル|MaxLinear Inc.の定格表 該当製品数: 2 / 2 件

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写真 型番 メーカー データシート BOMに追加 品質ランク 単価 (税抜) 単価 (税込) カートに追加 在庫数量 最少購入数 納期 パッケージ シリーズ FETタイプ 技術 ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） Id、Vgs印加時のRds On（最大） Id印加時のVgs（th）（最大） Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） Vgs（最大） Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） FET機能 電力散逸（最大） 動作温度 グレード 認定 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
XR46000ESETR XR46000ESETR MaxLinear Inc. データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
★ 確認する 1 個 売り切れ テープ＆リール（TR） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600 V 1.5A（Tc） 10V 8オーム @ 750mA、 10V 4V @ 250µA 7.5 nC @ 10 V ±30V 170 pF @ 25 V - 20W（Tc） 150°C（TJ） - - 面実装 SOT-223-3 TO-261-4、TO-261AA
XR46000ESE XR46000ESE MaxLinear Inc. データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
★ 確認する 1 個 売り切れ バルク - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600 V 1.5A（Tc） 10V 8オーム @ 750mA、 10V 4V @ 250µA 7.5 nC @ 10 V ±30V 170 pF @ 25 V - 20W（Tc） 150°C（TJ） - - 面実装 SOT-223-3 TO-261-4、TO-261AA
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