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高信頼性/高速スイッチング/低損失の半導体自動テスト装置にSSRを使用する方法 (DigiKey社【アプリケーションラボ】技術解説記事のご紹介)

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No. 1879 2024. 6. 18
高信頼性/高速スイッチング/低損失の半導体自動テスト装置にSSRを使用する方法
(DigiKey社【アプリケーションラボ】技術解説記事のご紹介)
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携帯型超小型恒温槽の製作 【LP10:駆動回路編】
高信頼性/高速スイッチング/低損失の半導体自動テスト装置にSSRを使用する方法
(DigiKey社【アプリケーションラボ】技術解説記事のご紹介)
 「アプリケーションラボ」は、DigiKey社のご協力をいただいて、DigiKey社が公開している新製品や技術情報を日本語でご紹介するWebページです。基礎技術から最新技術まで有益な情報を公開していますので、是非ご活用ください。

 今回は、半導体テスト装置などで必要とされる高速の信号切り替えに対応できるPhotoMOSリレーの活用法について解説した記事をご紹介します。

高信頼性/高速スイッチング/低損失の半導体自動テスト装置にSSRを使用する方法

 産業用途において、電源や信号のオン/オフ、チャンネルの切り替えなどを行うリレーは非常に重要な部品です。このリレーには、主にメカニカルリレーソリッドステートリレー(SSR)が使用されています。

 SSRは半導体で構成されているため機械的接点がなく、メカニカルリレーよりも接点信頼性が高く、寿命、動作音、動作速度、パッケージサイズなどにおいて優れています。ただし、メカニカルリレーは定格値を多少超えても壊れませんが、SSRは一瞬でも定格値を超えると破損します。また、半導体なので微小の漏れ電流が発生します。

 SSRの分類に、出力素子にMOSFETを採用したPhotoMOSリレーがあります。MOSFETを採用することで、トライアックやトランジスタを用いたSSRよりも微小のアナログ信号の制御に適しています。なお、PhotoMOSリレーはパナソニック社の登録商標なので、他社ではフォトリレーやMOSFETリレーと呼んでいます。

 PhotoMOSリレーは、高周波AC/DC電流の信号を最小限の損失で素早くスイッチングすることができるため、大量生産された半導体をテストする自動テスト装置などに使用することができます。

 パナソニック社のPhotoMOSリレーは、用途によって下記のタイプに分けられています。

GU(General Use)タイプ: 汎用
GE(General Use and Economic)タイプ: 汎用、高耐電圧、低価格
HF(High Functioned)タイプ: 低オン抵抗
RF(Radio Frequency)タイプ: 低オン抵抗、低出力間容量
HS(High Sensitivity)タイプ: 高感度
HE(High Functioned and Economic)タイプ: 低オン抵抗、低価格
パワー(Power)タイプ: パワー、スリム形状
PD(Power DIP)タイプ: パワー、フラット形状
CC(Capacitor Coupled)タイプ: 低オン抵抗、低出力間容量

 用途は、GU、GE、HSは汎用でアミューズメント機器などに使用され、RFとCCは計測機や通信機器、医療機器などの精密機器に使用されます。また、HFとHEはOA機器や搬送機械に、パワーとPDは工作機械やロボットに使用されます。


容量カップリング(左)と光学カップリング(右)

 PhotoMOSリレーは、基本的にLEDと受光素子のカップリングで絶縁する構造ですが、CCタイプは発振回路と絶縁コンデンサによる容量カップリングを採用しています。そのため非常に小型化することが可能になり、1.95×1.8×0.8mmというサイズを実現しています。許容損失もわずか1.2mWです。

 【アプリケーションラボ】では、パナソニック社のPhotoMOSリレーを紹介し、半導体の自動テスト装置においてPhotoMOSリレーが適している理由を詳しく解説しています。小型で摩耗のないPhotoMOSリレーを採用することで、自動テスト装置の信号密度と測定速度を向上させることができ、メンテナンスの回数も減らすことができます。

 ここで解説されているデバイスは、マルツオンラインのウェブサイトで購入できますので、是非参考にしてください。


AQY2C1R6PX
PhotoMOSリレー(CCタイプ)【AQY2C1R6PX】
・単価:¥2,514 (税込)
・接点構成:SPST-NO(1a)
・定格負荷:30V/750mA
・耐電圧:200Vrms
・許容損失:1.2mW
・動作温度範囲:-40℃~+105℃
・サイズ:1.95×1.8×0.8mm(TSON)


AQY221R6TW
PhotoMOSリレー(RFタイプ)【AQY221R6TW】
・単価:¥2,620 (税込)
・接点構成:SPST-NO(1a)
・定格負荷:30V/800mA
・耐電圧:200Vrms
・許容損失:75mW
・動作温度範囲:-40℃~+85℃
・サイズ:2.1×1.8×2.9mm(VSSOP-4)


AQV214EHAX
PhotoMOSリレー(GEタイプ)【AQV214EHAX】
・単価:¥555 (税込)
・接点構成:SPST-NO(1a)
・定格負荷:400V/120mA
・耐電圧:5000Vrms
・許容損失:75mW
・動作温度範囲:-40℃~+85℃
・サイズ:8.8×6.4×3.6mm(6ピンDIP)

【マルツの技術情報】
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携帯型超小型恒温槽の製作 【LP10:駆動回路編】

携帯可能なバッテリー駆動で動作するペルチェ素子にて温度制御が 出来る回路基板を製作致しました。恒温槽は溶液に影響度合が 少ないリン青銅板を採用し、4X6X3mm の恒温槽を製作しました。

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