デジタルトランジスタ

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    ・パッケージ:SC-59・タイプ:PNP・R1:10KΩ・R2:10KΩ・VCEO:-50V・VEBO:-40V~+10V・Ic:-50mA・Pc(Ta=25℃):200mW・直流電流増幅率(min):GI:30(Io=-5mA)・コンプリ:・VI(off)(max):-0.5V・Vcc=-5V・Io=-100μA・VI(on)(min):-3V・Vo=-0.3V.・Io=-10mA・備考:チップ●トランジション周波数が大きいので増幅用として使用できます。●パッケージがコンパクトなので、小型の設計に適しています。●DTA114ESATP(Pd=300mW)と同等品です。●トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
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    【仕様】・パッケージ:SC-72・タイプ:PNP・R1:2.2KΩ・R2:47KΩ・VCEO:-50V・VEBO:-12V~+5V・Ic:-100mA・Pc(Ta=25℃):300mW・直流電流増幅率(min):GI:80(Io=-10mA)・コンプリ:・VI(off)(max):-0.5V・Vcc=-5V・Ic=-100μA・VI(on)(min):-1.1V・Vo=-0.3V.・Ic=-5mA・備考:リード●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTA123JKAT146(Pc=200mW)と同等品です。●トランジスタの中にリーク吸収形の抵抗(IN側)を内蔵。
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    【仕様】・パッケージ:SC-59・タイプ:PNP・R1:22KΩ・R2:22KΩ・VCEO:-50V・VEBO:-40V~+10V・Ic:-30mA・Pc(Ta=25℃):200mW・直流電流増幅率(min):GI:56(Io=-5mA)・コンプリ:・VI(off)(max):-0.5V・Vcc=-5V・Ic=-100μA・VI(on)(min):-3V・Vo=-0.2V.・Ic=-5mA・備考:チップ●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTA124ESATP(Pc=300mW)と同等品です。●トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
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    ¥40(税抜)
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    【仕様】・パッケージ:SC-59・タイプ:PNP・R1:22KΩ・R2:47KΩ・VCEO:-50V・VEBO:-40V~+10V・Ic:-50mA・Pc(Ta=25℃):200mW・直流電流増幅率(min):GI:68(Io=-5mA)・コンプリ:・VI(off)(max):-0.4V・Vcc=-5V・Ic=-100μA・VI(on)(min):-2.5V・Vo=-0.3V.・Ic=-2mA・備考:チップ● バイアス用の抵抗を内蔵しているので、入力抵抗なしでインバータ用に使用できます。● DTA124XSATP(Pc=300mW)と同等品です。● トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。● トランジスタの中にリーク吸収形の抵抗(IN側)を内蔵。
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    【仕様】・パッケージ:SC-72・タイプ:PNP・R1:22KΩ・R2:47KΩ・VCEO:-50V・VEBO:-40V~+10V・Ic:-50mA・Pc(Ta=25℃):300mW・直流電流増幅率(min):GI:68(Io=-5mA)・コンプリ:・VI(off)(max):-0.4V・Vcc=-5V・Ic=-100μA・VI(on)(min):-2.5V・Vo=-0.3V.・Ic=-2mA・備考:リード● トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。● DTA124XKAT146(Pc=200mW)と同等品です。● トランジスタの中にリーク吸収形の抵抗(IN側)を内蔵。
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    ・パッケージ:SC-59・タイプ:PNP・R1:4.7KΩ・R2:4.7KΩ・VCEO:-50V・VEBO:-30V~+10V・Ic:-100mA・Pc(Ta=25℃):200mW・直流電流増幅率(min):GI:30(Io=-10mA)・コンプリ:・VI(off)(max):-0.5V・Vcc=-5V・Io=-100μA・VI(on)(min):-3V・Vo=-0.3V.・Io=-20mA・備考:チップ● トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。● DTA143ESATP(Pc=300mW)と同等品です。●トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
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    【仕様】・パッケージ:SC-59・タイプ:PNP・R1:4.7KΩ・R2:・VCEO:-50V・VEBO:-5V・Ic:-100mA・Pc(Ta=25℃):200mW・直流電流増幅率(min):hFE:100(Ic=-1mA)・コンプリ:・VI(off)(max):・VI(on)(min):・備考:チップ●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTA143TSATP(Pc=300mW)と同等品です。●トランジスタの中にバイアス用の抵抗(ベース側)を内蔵。
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    【仕様】・パッケージ:SC-72・タイプ:PNP・R1:4.7KΩ・R2:・VCEO:-50V・VEBO:-5V・Ic:-100mA・Pc(Ta=25℃):300mW・直流電流増幅率(min):hFE:100(Ic=-1mA)・コンプリ:・VI(off)(max):・VI(on)(min):・備考:リード●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTA143TKAT146(Pc=200mW)と同等品です。●トランジスタの中にバイアス用の抵抗(ベース側)を内蔵。
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    【仕様】・パッケージ:SC-59・タイプ:PNP・R1:4.7KΩ・R2:47KΩ・VCEO:-50V・VEBO:-30V~+5V・Ic:-100mA・Pc(Ta=25℃):200mW・直流電流増幅率(min):GI:80(Io=-10mA)・コンプリ:・VI(off)(max):-0.5V・Vcc=-5V・Ic=-100μA・VI(on)(min):-1.3V・Vo=-0.3V.・Ic=-5mA・備考:チップ●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTA143ZSATP(Pc=300mW)と同等品です。●トランジスタの中にリーク吸収形の抵抗(IN側)を内蔵。
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    【仕様】・パッケージ:SC-72・タイプ:PNP・R1:4.7KΩ・R2:47KΩ・VCEO:-50V・VEBO:-30V~+5V・Ic:-100mA・Pc(Ta=25℃):300mW・直流電流増幅率(min):GI:80(Io=-10mA)・コンプリ:・VI(off)(max):-0.5V・Vcc=-5V・Ic=-100μA・VI(on)(min):-1.3V・Vo=-0.3V.・Ic=-5mA・備考:リード●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTA143ZKAT146(Pc=200mW)と同等品です。●トランジスタの中にリーク吸収形の抵抗(IN側)を内蔵。
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    【仕様】・パッケージ:SC-59・タイプ:PNP・R1:47KΩ・R2:47KΩ・VCEO:-50V・VEBO:-40V~+10V・Ic:-30mA・Pc(Ta=25℃):200mW・直流電流増幅率(min):GI:68(Io=-5mA)・コンプリ:・VI(off)(max):-0.5V・Vcc=-5V・Ic=-100μA・VI(on)(min):-3V・Vo=-0.3V.・Ic=-2mA・備考:チップ●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTA144ESATP(Pc=300mW)と同等品です。●トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
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    【仕様】・パッケージ:SC-72・タイプ:PNP・R1:47KΩ・R2:47KΩ・VCEO:-50V・VEBO:-40V~+10V・Ic:-30mA・Pc(Ta=25℃):300mW・直流電流増幅率(min):GI:68(Io=-5mA)・コンプリ:・VI(off)(max):-0.5V・Vcc=-5V・Ic=-100μA・VI(on)(min):-3V・Vo=-0.3V.・Ic=-2mA・備考:リード●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTA144EKAT146(Pc=200mW)と同等品です。●トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
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    【仕様】・パッケージ:SC-59・タイプ:PNP・R1:10KΩ・R2:・VCEO:-50V・VEBO:-5V・Ic:-100mA・Pc(Ta=25℃):200mW・直流電流増幅率(min):hFE:100(Ic=-1mA)・コンプリ:・VI(off)(max):・VI(on)(min):・備考:チップ●DTA114TSATP(Pc=300mW)と同等品です。●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●トランジスタの中にバイアス用の抵抗(ベース側)を内蔵。
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    【仕様】・パッケージ:SC-72・タイプ:PNP・R1:10KΩ・R2:・VCEO:-50V・VEBO:-5V・Ic:・Pc(Ta=25℃):300mW・直流電流増幅率(min):hFE:100(Ic=-1mA)・コンプリ:・VI(off)(max):・VI(on)(min):・備考:リード●DTA114TKAT146(Pc=200mW)と同等品です。●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●トランジスタの中にバイアス用の抵抗(ベース側)を内蔵。
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    【仕様】・パッケージ:SC-59・タイプ:PNP・R1:10KΩ・R2:47KΩ・VCEO:-50V・VEBO:-40V~+6V・Ic:-70mA・Pc(Ta=25℃):200mW・直流電流増幅率(min):GI:68(Io=-5mA)・コンプリ:・VI(off)(max):-0.3V・Vcc=-5V・Ic=-100μA・VI(on)(min):-1.4V・Vo=-0.3V.・Ic=-1mA・備考:チップ●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTA114YSATP(Pc=300mW)と同等品です。●トランジスタの中にバイアス用のリーク吸収形の抵抗(IN側)を内蔵。
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    【仕様】・パッケージ:SC-72・タイプ:PNP・R1:10KΩ・R2:47KΩ・VCEO:-50V・VEBO:-40V~+6V・Ic:-70mA・Pc(Ta=25℃):300mW・直流電流増幅率(min):GI:68(Io=-5mA)・コンプリ:・VI(off)(max):-0.3V・Vcc=-5V・Ic=-100μA・VI(on)(min):-1.4V・Vo=-0.3V.・Ic=-1mA・備考:リード●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTA114YKAT146(Pc=200mW)と同等品です。●リーク吸収形の抵抗内蔵。
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    ・パッケージ:SC-59・タイプ:PNP・R1:2.2KΩ・R2:2.2KΩ・VCEO:-50V・VEBO:-12V~+10V・Ic:-100mA・Pc(Ta=25℃):200mW・直流電流増幅率(min):GI:20(Io=-20mA)・コンプリ:・VI(off)(max):-0.5V・Vcc=-5V・Io=-100μA・VI(on)(min):-3V・Vo=-0.3V.・Io=-20mA・備考:チップ●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTA123ESATP(Pc=300mW)と同等品です。●トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
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    【仕様】・パッケージ:SC-72・タイプ:PNP・R1:2.2KΩ・R2:2.2KΩ・VCEO:-50V・VEBO:-12V~+10V・Ic:-100mA・Pc(Ta=25℃):300mW・直流電流増幅率(min):GI:20(Io=-20mA)・コンプリ:・VI(off)(max):-0.5V・Vcc=-5V・Ic=-100μA・VI(on)(min):-3V・Vo=-0.3V.・Ic=-20mA・備考:リード●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTA123EKAT146(Pc=200mW)と同等品です。●トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
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    【仕様】・パッケージ:SC-59・タイプ:PNP・R1:2.2KΩ・R2:47KΩ・VCEO:-50V・VEBO:-12V~+5V・Ic:-100mA・Pc(Ta=25℃):200mW・直流電流増幅率(min):GI:80(Io=-10mA)・コンプリ:・VI(off)(max):-0.5V・Vcc=-5V・Ic=-100μA・VI(on)(min):-1.1V・Vo=-0.3V.・Ic=-5mA・備考:チップ●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTA123JSATP(Pc=300mW)と同等品です。●トランジスタの中にリーク吸収形の抵抗(IN側)を内蔵。
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    【仕様】・パッケージ:SC-59・タイプ:NPN・R1:10KΩ・R2:10KΩ・VCEO:50V・VEBO:-10V~+40V・Ic:50mA・Pc(Ta=25℃):200mW・直流電流増幅率(min):GI:30(Io=5mA)・コンプリ:・VI(off)(max):0.5V・Vcc=5V・Ic=100μA・VI(on)(min):3V・Vo=0.3V.・Ic=10mA・備考:チップ●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTC114ESATP(Pc=300mW)と同等品です。●トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
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    【仕様】・パッケージ:SC-59・タイプ:NPN・R1:22KΩ・R2:22KΩ・VCEO:50V・VEBO:-10V~+40V・Ic:30mA・Pc(Ta=25℃):200mW・直流電流増幅率(min):GI:56(Io=5mA)・コンプリ:・VI(off)(max):0.5V・Vcc=5V・Ic=100μA・VI(on)(min):3V・Vo=0.2V.・Ic=5mA・備考:チップ●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTC124ESATP(Pc=300mW)と同等品です。●トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
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    【仕様】・パッケージ:SC-59・タイプ:NPN・R1:22KΩ・R2:47KΩ・VCEO:50V・VEBO:-10V~+40V・Ic:50mA・Pc(Ta=25℃):200mW・直流電流増幅率(min):GI:68(Io=5mA)・コンプリ:・VI(off)(max):0.4V・Vcc=5V・Ic=100μA・VI(on)(min):2.5V・Vo=0.3V.・Ic=2mA・備考:チップ●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTC124XSATP(Pc=300mW)と同等品です。●トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
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    【仕様】・パッケージ:SC-72・タイプ:NPN・R1:22KΩ・R2:47KΩ・VCEO:50V・VEBO:-10V~+40V・Ic:50mA・Pc(Ta=25℃):300mW・直流電流増幅率(min):GI:68(Io=5mA)・コンプリ:・VI(off)(max):0.4V・Vcc=5V・Ic=100μA・VI(on)(min):2.5V・Vo=0.3V.・Ic=2mA・備考:リード●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTC124XKAT146(Pc=200mW)と同等品です。●トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
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    【仕様】・パッケージ:SC-59・タイプ:NPN・R1:4.7KΩ・R2:4.7KΩ・VCEO:50V・VEBO:-10V~+30V・Ic:100mA・Pc(Ta=25℃):200mW・直流電流増幅率(min):GI:30(Ic=10mA)・コンプリ:・VI(off)(max):0.5V・Vcc=5V・Ic=100μA・VI(on)(min):3V・Vo=0.3V.・Ic=20mA・備考:チップ●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTC143ESATP(Pc=300mW)と同等品です。●トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
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    【仕様】・パッケージ:SC-59・タイプ:NPN・R1:4.7KΩ・R2:・VCEO:50V・VEBO:5V・Ic:100mA・Pc(Ta=25℃):200mW・直流電流増幅率(min):hFE:100(Ic=1mA)・コンプリ:・VI(off)(max):・VI(on)(min):・備考:チップ●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTC143TSATP(Pc=300mW)と同等品です。●トランジスタの中にバイアス用の抵抗(ベース側)を内蔵。
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    【仕様】・パッケージ:SC-59・タイプ:NPN・R1:4.7KΩ・R2:47KΩ・VCEO:50V・VEBO:-5V~+30V・Ic:100mA・Pc(Ta=25℃):200mW・直流電流増幅率(min):GI:80(Io=10mA)・コンプリ:・VI(off)(max):0.5V・Vcc=5V・Ic=100μA・VI(on)(min):1.3V・Vo=0.3V.・Ic=5mA・備考:チップ●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTC143ZSATP(Pc=300mW)と同等品です。●トランジスタの中にリーク吸収形の抵抗(IN側)を内蔵。
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    【仕様】・パッケージ:SC-59・タイプ:NPN・R1:47KΩ・R2:47KΩ・VCEO:50V・VEBO:-10V~+40V・Ic:30mA・Pc(Ta=25℃):200mW・直流電流増幅率(min):GI:68(Ic=5mA)・コンプリ:・VI(off)(max):0.5V・Vcc=5V・Ic=100μA・VI(on)(min):3V・Vo=0.3V.・Ic=2mA・備考:チップ●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTC144ESATP(Pc=300mW)と同等品です。●トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
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    【仕様】・パッケージ:SC-59・タイプ:NPN・R1:47KΩ・R2:22KΩ・VCEO:50V・VEBO:-10V~+40V・Ic:30mA・Pc(Ta=25℃):200mW・直流電流増幅率(min):GI:56(Io=5mA)・コンプリ:・VI(off)(max):0.8V・Vcc=5V・Ic=100μA・VI(on)(min):4V・Vo=0.3V.・Ic=2mA・備考:チップ●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTC144WSATP(Pc=300mW)と同等品です。●トランジスタの中にリーク吸収形の抵抗(IN側)を内蔵。
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    ROHM
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    【仕様】・パッケージ:SC-72・タイプ:NPN・R1:47KΩ・R2:22KΩ・VCEO:50V・VEBO:-10V~+40V・Ic:30mA・Pc(Ta=25℃):300mW・直流電流増幅率(min):GI:56(Io=5mA)・コンプリ:・VI(off)(max):0.8V・Vcc=5V・Ic=100μA・VI(on)(min):4V・Vo=0.3V.・Ic=2mA・備考:リード●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTC144WKAT146(Pc=200mW)と同等品です。●トランジスタの中にリーク吸収形の抵抗(IN側)を内蔵。
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:SC-59・タイプ:NPN・R1:6.8KΩ・R2:6.8KΩ・VCEO:20V・VEBO:-10V~+10V・Ic:600mA・Pc(Ta=25℃):200mW・直流電流増幅率(min):GI:70(Ic=50mA)・コンプリ:・VI(off)(max):0.5V・Vcc=5V・Ic=100μA・VI(on)(min):2V・Vo=0.3V.・Ic=10mA・備考:チップ.MUTE●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTC363ESATP(Pc=300mW)と同等品です。●トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
  • 1個
    ¥100(税抜)
    メーカー名:
    ROHM
    型番:
    箱番号:
    納期:
    環境区分:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:SC-72・タイプ:NPN・R1:6.8KΩ・R2:6.8KΩ・VCEO:20V・VEBO:-10V~+10V・Ic:600mA・Pc(Ta=25℃):300mW・直流電流増幅率(min):GI:70(Ic=50mA)・コンプリ:・VI(off)(max):0.5V・Vcc=5V・Ic=100μA・VI(on)(min):2V・Vo=0.3V.・Ic=10mA・備考:リード.MUTE●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTC363EKAT146(Pc=200mW)と同等品です。●トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
  • 1個
    ¥30(税抜)
    メーカー名:
    ROHM
    型番:
    箱番号:
    納期:
    環境区分:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:SC-59・タイプ:NPN・R1:10KΩ・R2:・VCEO:50V・VEBO:5V・Ic:100mA・Pc(Ta=25℃):200mW・直流電流増幅率(min):hFE:100(Ic=1mA)・コンプリ:・VI(off)(max):・VI(on)(min):・備考:チップ●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTC114TSATP(Pc=300mW)と同等品です。●トランジスタの中にバイアス用の抵抗(ベース側)を内蔵。
  • 1個
    ¥30(税抜)
    メーカー名:
    ROHM
    型番:
    箱番号:
    納期:
    環境区分:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:SC-59・タイプ:NPN・R1:10KΩ・R2:47KΩ・VCEO:50V・VEBO:-6V~+40V・Ic:70mA・Pc(Ta=25℃):200mW・直流電流増幅率(min):GI:68(Io=5mA)・コンプリ:・VI(off)(max):0.3V・Vcc=5V・Ic=100μA・VI(on)(min):1.4V・Vo=0.3V.・Ic=1mA・備考:チップ●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTC114YSATP(Pc=300mW)と同等品です。●トランジスタの中にリーク吸収形の抵抗(IN側)を内蔵。
  • 1個
    ¥60(税抜)
    メーカー名:
    ROHM
    型番:
    箱番号:
    納期:
    環境区分:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:SC-59・タイプ:NPN・R1:2.2KΩ・R2:2.2KΩ・VCEO:50V・VEBO:-10V~+12V・Ic:100mA・Pc(Ta=25℃):200mW・直流電流増幅率(min):GI:20(Io=20mA)・コンプリ:・VI(off)(max):0.5V・Vcc=5V・Ic=100μA・VI(on)(min):3V・Vo=0.3V.・Ic=20mA・備考:チップ●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTC123ESATP(Pc=300mW)と同等品です。●トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
  • 1個
    ¥30(税抜)
    メーカー名:
    ROHM
    型番:
    箱番号:
    納期:
    環境区分:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:SC-59・タイプ:NPN・R1:2.2KΩ・R2:47KΩ・VCEO:50V・VEBO:-5V~+12V・Ic:100mA・Pc(Ta=25℃):200mW・直流電流増幅率(min):GI:80(Io=10mA)・コンプリ:・VI(off)(max):0.5V・Vcc=5V・Ic=100μA・VI(on)(min):1.1V・Vo=0.3V.・Ic=5mA・備考:チップ●トランジション周波数と寄生効果がほとんどないので、ドライバ回路に適しています。●DTC123JSATP(Pc=300mW)と同等品です。●トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
  • 1個
    ¥70(税抜)
    メーカー名:
    ROHM
    型番:
    納期:
    環境区分:
    商品説明
    ・パッケージ :・タイプ :PNP・R1 :1KΩ・R2 :10KΩ・VCEO :50V・VEBO :・Ic :100mA・Pc(Ta=25℃) :・直流電流増幅率(min) :hFE:33(Ic=-5mA)・コンプリ :・VI(off)(max) :・VI(on)(min) :・備考 :チップ● トランジション周波数が大きいので増幅用として使用できます。● パッケージがコンパクトなので、小型の設計に適しています。● トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
  • 1セット
    ¥16,900(税抜)
    メーカー名:
    ROHM
    型番:
    納期:
    環境区分:
    商品説明
    ・パッケージ :・タイプ :PNP・R1 :1KΩ・R2 :10KΩ・VCEO :50V・VEBO :・Ic :100mA・Pc(Ta=25℃) :・直流電流増幅率(min) :hFE:33(Ic=-5mA)・コンプリ :・VI(off)(max) :・VI(on)(min) :・備考 :チップ● トランジション周波数が大きいので増幅用として使用できます。● パッケージがコンパクトなので、小型の設計に適しています。● トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
  • 1個
    ¥66(税抜)
    メーカー名:
    ROHM
    型番:
    納期:
    環境区分:
    商品説明
    ・パッケージ :・タイプ :PNP・R1 :100KΩ・R2 :100KΩ・VCEO :50V・VEBO :・Ic :100mA・Pc(Ta=25℃) :・直流電流増幅率(min) :hFE:82(Ic=-5mA)・コンプリ :・VI(off)(max) :・VI(on)(min) :・備考 :チップ● トランジション周波数が大きいので増幅用として使用できます。● パッケージがコンパクトなので、小型の設計に適しています。● トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
  • 1個
    ¥70(税抜)
    メーカー名:
    ROHM
    型番:
    納期:
    環境区分:
    商品説明
    ・パッケージ :・タイプ :PNP・R1 :2.2KΩ・R2 :10KΩ・VCEO :50V・VEBO :・Ic :100mA・Pc(Ta=25℃) :・直流電流増幅率(min) :hFE:33(Ic=-10mA)・コンプリ :・VI(off)(max) :・VI(on)(min) :・備考 :チップ● トランジション周波数が大きいので増幅用として使用できます。● パッケージがコンパクトなので、小型の設計に適しています。● トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
  • 1個
    ¥70(税抜)
    メーカー名:
    ROHM
    型番:
    納期:
    環境区分:
    商品説明
    ・パッケージ :・タイプ :PNP・R1 :22KΩ・R2 :・VCEO :50V・VEBO :・Ic :100mA・Pc(Ta=25℃) :・直流電流増幅率(min) :hFE:100(Ic=-1mA)・コンプリ :・VI(off)(max) :・VI(on)(min) :・備考 :チップ● トランジション周波数が大きいので増幅用として使用できます。● パッケージがコンパクトなので、小型の設計に適しています。● 飽和電圧が低いのでスイッチング回路用として使用できます。● トランジスタの中にバイアス用の入力抵抗を内蔵。
  • 1個
    ¥70(税抜)
    メーカー名:
    ROHM
    型番:
    納期:
    環境区分:
    商品説明
    ・パッケージ :・タイプ :PNP・R1 :4.7KΩ・R2 :10KΩ・VCEO :50V・VEBO :・Ic :100mA・Pc(Ta=25℃) :・直流電流増幅率(min) :hFE:30(Ic=-10mA)・コンプリ :・VI(off)(max) :・VI(on)(min) :・備考 :チップ● トランジション周波数が大きいので増幅用として使用できます。● パッケージがコンパクトなので、小型の設計に適しています。● トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
  • 1セット
    ¥16,900(税抜)
    メーカー名:
    ROHM
    型番:
    納期:
    環境区分:
    商品説明
    ・パッケージ :・タイプ :PNP・R1 :4.7KΩ・R2 :10KΩ・VCEO :50V・VEBO :・Ic :100mA・Pc(Ta=25℃) :・直流電流増幅率(min) :hFE:30(Ic=-10mA)・コンプリ :・VI(off)(max) :・VI(on)(min) :・備考 :チップ● トランジション周波数が大きいので増幅用として使用できます。● パッケージがコンパクトなので、小型の設計に適しています。● トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
  • 1個
    ¥70(税抜)
    メーカー名:
    ROHM
    型番:
    納期:
    環境区分:
    商品説明
    ・パッケージ :・タイプ :PNP・R1 :47KΩ・R2 :22KΩ・VCEO :50V・VEBO :・Ic :100mA・Pc(Ta=25℃) :・直流電流増幅率(min) :hFE:56(Ic=-5mA)・コンプリ :・VI(off)(max) :・VI(on)(min) :・備考 :チップ● トランジション周波数が大きいので増幅用として使用できます。● パッケージがコンパクトなので、小型の設計に適しています。● トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
  • 1個
    ¥100(税抜)
    メーカー名:
    ROHM
    型番:
    納期:
    環境区分:
    商品説明
    ・パッケージ :・タイプ :PNP・R1 :1KΩ・R2 :1KΩ・VCEO :50V・VEBO :・Ic :500mA・Pc(Ta=25℃) :・直流電流増幅率(min) :hFE:33(Ic=-50mA)・コンプリ :・VI(off)(max) :・VI(on)(min) :・備考 :チップ
  • 1個
    ¥100(税抜)
    メーカー名:
    ROHM
    型番:
    納期:
    環境区分:
    商品説明
    ・パッケージ :・タイプ :PNP・R1 :1KΩ・R2 :10KΩ・VCEO :50V・VEBO :・Ic :500mA・Pc(Ta=25℃) :・直流電流増幅率(min) :hFE:56(Ic=-50mA)・コンプリ :・VI(off)(max) :・VI(on)(min) :・備考 :チップ
  • 1個
    ¥80(税抜)
    メーカー名:
    ROHM
    型番:
    納期:
    環境区分:
    商品説明
    ・パッケージ :・タイプ :PNP・R1 :10KΩ・R2 :10KΩ・VCEO :50V・VEBO :・Ic :500mA・Pc(Ta=25℃) :・直流電流増幅率(min) :hFE:56(Ic=-50mA)・コンプリ :・VI(off)(max) :・VI(on)(min) :・備考 :チップ
  • 1セット
    ¥68,550(税抜)
    メーカー名:
    ROHM
    型番:
    納期:
    環境区分:
    商品説明
    ・パッケージ :・タイプ :PNP・R1 :10KΩ・R2 :・VCEO :50V・VEBO :・Ic :500mA・Pc(Ta=25℃) :・直流電流増幅率(min) :hFE:56(Ic=-50mA)・コンプリ :・VI(off)(max) :・VI(on)(min) :・備考 :チップ● コレクタ飽和電圧が低いので、スイッチング回路に適しています。● パッケージがコンパクトなので、小型の設計に適しています。● トランジション周波数が大きいので、周波数増幅用として適しています。● トランジスタの中にバイアス用の入力抵抗を内蔵。
  • 1個
    ¥80(税抜)
    メーカー名:
    ROHM
    型番:
    納期:
    環境区分:
    商品説明
    ・パッケージ :・タイプ :PNP・R1 :2.2KΩ・R2 :2.2KΩ・VCEO :50V・VEBO :・Ic :500mA・Pc(Ta=25℃) :・直流電流増幅率(min) :hFE:39(Ic=-50mA)・コンプリ :・VI(off)(max) :・VI(on)(min) :・備考 :チップ● トランジション周波数が大きいので増幅用として使用できます。● パッケージがコンパクトなので、小型の設計に適しています。● トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
  • 1個
    ¥100(税抜)
    メーカー名:
    ROHM
    型番:
    納期:
    環境区分:
    商品説明
    ・パッケージ :・タイプ :PNP・R1 :2.2KΩ・R2 :・VCEO :40V・VEBO :・Ic :500mA・Pc(Ta=25℃) :・直流電流増幅率(min) :hFE:100(Ic=-50mA)・コンプリ :・VI(off)(max) :・VI(on)(min) :・備考 :チップ
  • 1個
    ¥80(税抜)
    メーカー名:
    ROHM
    型番:
    納期:
    環境区分:
    商品説明
    ・パッケージ :・タイプ :PNP・R1 :2.2KΩ・R2 :10KΩ・VCEO :50V・VEBO :・Ic :500mA・Pc(Ta=25℃) :・直流電流増幅率(min) :hFE:56(Ic=-50mA)・コンプリ :・VI(off)(max) :・VI(on)(min) :・備考 :チップ● トランジション周波数が大きいので増幅用として使用できます。● パッケージがコンパクトなので、小型の設計に適しています。● トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
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