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ディスクリート半導体製品(DigiKey)

検索結果 355,723件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
  • メーカー名:
    NXP
    型番:
    出荷予定日:
    最小50個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:LDMOS・構成:デュアル・周波数:1.8MHz~470MHz・ゲイン:24dB・電圧 - テスト:65 V・定格電流(A):10µA・雑音指数:-・電流 - テスト:200 mA・電源 - 出力:1800W・電圧 - 定格:182 V・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:シャーシマウント・パッケー
    166,869.37 税込¥183,556.30
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):80 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:500mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):500nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE
    115.72 税込¥127.29
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVIII-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):26A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):52ミリオーム @ 13A
    712.50 税込¥783.75
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:U-MOSVIII-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):14A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):14ミリオーム @
    342.86 税込¥377.14
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:Motion SPM® 5・タイプ:MOSFET・構成:3相・電流:1.5 A・電圧:500 V・電圧 - 絶縁:1500Vrms・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:23-PowerSMDモジュール、ガルウィング
    1,646.99 税込¥1,811.68
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A、3.7A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):65ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVg
    338.58 税込¥372.43
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.7V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):300ミリオーム @ 1.1A、4.5V
    122.86 税込¥135.14
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):60 V・電流 - 平均整流(Io):2A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):550 mV @ 2 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:120 µA @
    105.72 税込¥116.29
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・ダイオード構成:2独立・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):40A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):780 mV @ 40 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印
    3,381.18 税込¥3,719.29
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):10A(Ta)、64A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):14ミリオーム @ 1
    775.00 税込¥852.50
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):170ミリオーム @ 2A、10V・Id印加
    172.86 税込¥190.14
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・IGBTタイプ:トレンチ型フィールドストップ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):1200 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):30 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):60 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:2.6V @ 15V、15A・電力 - 最大:259 W・スイッチングエネルギ
    979.46 税込¥1,077.40
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):60 V・電流 - 平均整流(Io):3A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):560 mV @ 3 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:150 µA @ 6
    77.15 税込¥84.86
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):350 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.3A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 6A、5V・I
    1,337.18 税込¥1,470.89
  • メーカー名:
    Diodes Incorporated
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):40 V・電流 - 平均整流(Io):2A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):470 mV @ 1 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):14 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:100 µA
    108.58 税込¥119.43
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:Motion SPM® 5・タイプ:MOSFET・構成:3相・電流:1.2 A・電圧:500 V・電圧 - 絶縁:1500Vrms・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:23-PowerSMDモジュール、ガルウィング
    1,573.18 税込¥1,730.49
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:U-MOSVIII-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):13A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):64ミリオーム @ 6.5A
    497.15 税込¥546.86
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):600 V・電流 - 平均整流(Io):5A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.3 V @ 5 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):95 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 60
    84.29 税込¥92.71
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・タイプ:IGBT・構成:3相インバータ・電流:30 A・電圧:600 V・電圧 - 絶縁:1500Vrms・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:スルーホール・パッケージ/ケース:25-PowerDIPモジュール(1.134インチ、28.80mm)
    5,313.80 税込¥5,845.18
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):60A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.2ミリオーム @ 25A、5V・Id印加時のVgs(th)(
    1,108.22 税込¥1,219.04
  • メーカー名:
    Microchip
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオード構成:8独立・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):75 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):400mA(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 100 mA・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):5
    641.67 税込¥705.83
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・ダイオードタイプ:単相・技術:標準・電圧 - ピーク逆方向(最大):600 V・電流 - 平均整流(Io):4.9 A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):920 mV @ 12.5 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA @ 600 V・動作温度:-55°C~175°C(TJ)・グレード:-・認定:-
    1,015.07 税込¥1,116.57
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1.5 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):160 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:500mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):14
    200.00 税込¥220.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオード構成:1組共通カソード・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):200 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):20A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):880 mV @ 10 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr
    494.29 税込¥543.71
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:300mV @ 5mA、50mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最
    60.00 税込¥66.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):10 V・許容誤差:-・電力 - 最大:200 mW・インピーダンス(最大)(Zzt):30 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:100 nA @ 7 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・動作温度:-55°C~150°C・グレード:-・認定:-・取り
    32.86 税込¥36.14
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®, StrongIRFET™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):240A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):
    751.39 税込¥826.52
  • メーカー名:
    Diodes Incorporated
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30 V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):470 mV @ 1 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:100 µA @
    111.43 税込¥122.57
  • メーカー名:
    Central Semiconductor Corp
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):800 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):40 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):10nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):100 @
    100.00 税込¥110.00
  • メーカー名:
    Good-Ark Semiconductor
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):600 V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.1 V @ 1 A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):1 µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 600
    51.43 税込¥56.57
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:単相・技術:ショットキー・電圧 - ピーク逆方向(最大):30 V・電流 - 平均整流(Io):2 A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):650 mV @ 2 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:20 µA @ 30 V・動作温度:125°C(TJ)・グレード:-・認定:-・取
    244.29 税込¥268.71
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.8A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 1.6A、4.
    80.00 税込¥88.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30 V・電流 - 平均整流(Io):30mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):370 mV @ 1 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500 nA
    68.58 税込¥75.43
  • メーカー名:
    Diotec Semiconductor
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):300 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:500mV @ 2mA、20mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)
    47.15 税込¥51.86
  • メーカー名:
    Diodes Incorporated
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):40 V・電流 - 平均整流(Io):400mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):500 mV @ 400 mA・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:40
    117.15 税込¥128.86
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):13.6A(Ta)、49A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):
    292.86 税込¥322.14
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SUPERECTIFIER®・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):3000 V・電流 - 平均整流(Io):250mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):3 V @ 1 A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):2 µs・電流 - Vr印加時の逆
    95.72 税込¥105.29
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:400mV @ 5mA、50mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最
    60.00 税込¥66.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):65A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):24ミリオーム @ 46A、10V・Id印加時の
    656.95 税込¥722.64
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:Motion SPM® 5・タイプ:MOSFET・構成:3相・電流:2 A・電圧:500 V・電圧 - 絶縁:1500Vrms・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:23-PowerSMDモジュール、ガルウィング
    1,805.89 税込¥1,986.47
  • メーカー名:
    GeneSiC Semiconductor
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・ダイオードタイプ:単相・技術:標準・電圧 - ピーク逆方向(最大):1 kV・電流 - 平均整流(Io):50 A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.1 V @ 25 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 1000 V・動作温度:-55°C~150°C(TJ)・グレード:-・認定:-・取り付けタ
    919.45 税込¥1,011.39
  • メーカー名:
    サンケン電気
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):800 V・電流 - 平均整流(Io):1.2A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):920 mV @ 1.2 A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA @
    285.72 税込¥314.29
  • メーカー名:
    PANJIT
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):40 V・電流 - 平均整流(Io):5A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):550 mV @ 5 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:100 µA @ 4
    174.29 税込¥191.71
  • メーカー名:
    Diodes Incorporated
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):60 V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):640 mV @ 1 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:50 µA @ 6
    104.29 税込¥114.71
  • メーカー名:
    Littelfuse Inc
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トライアックタイプ:ロジック - 高感度ゲート・電圧 - オフ状態:600 V・電流 - オン状態(It(RMS))(最大):4 A・電圧 - ゲートトリガ(Vgt)(最大):1.3 V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz(Itsm):40A @ 60Hz・電流 - ゲートトリガ(Igt)(最大):10
    562.86 税込¥619.14
  • メーカー名:
    XSemi Corporation
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:XP65SL190D・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):190ミリオーム @ 6.2A、10V・I
    856.95 税込¥942.64
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):40 V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):550 mV @ 700 mA・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:50 µA
    95.72 税込¥105.29
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:2 PNP - プリバイアス(デュアル)・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V・抵抗 - ベース(R1):10キロオーム・抵抗 - エミッタベース(R2):10キロオーム・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小
    92.86 税込¥102.14
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・IGBTタイプ:トレンチ型フィールドストップ・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):600 V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):80 A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):160 A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:2V @ 15V、40A・電力 - 最大:283 W・スイッチングエネルギー:
    1,119.18 税込¥1,231.09
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):160 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.5V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):1µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小)
    135.72 税込¥149.29
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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