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すべてのジャンル 　[ メーカー:オンセミコンダクター 納期:売り切れ ]の検索結果

検索結果 26,462件中1～50件目
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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【2N6715】TRANS NPN 40V 2A TO-92-3

    【2N6715】TRANS NPN 40V 2A TO-92-3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：-・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：2 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：40 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：50 @ 1A、1V・電力 - 最大：
  • 2

    【2SC3332S-AA】TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP

    【2SC3332S-AA】TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：700 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：160 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：400mV @ 2mA、20mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）
  • 3

    【LM324M】IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOP

    【LM324M】IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOP
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・アンプタイプ：標準（汎用）・回路数：4・出力タイプ：-・スルーレート：-・ゲイン帯域幅積：-・帯域幅-3db：-・電流 - 入力バイアス：40 nA・電圧 - 入力オフセット：1.5 mV・電流 - 供給：1mA・電流 - 出力/チャンネル：40 mA・電圧 - スパン（最小）：3 V・電圧 - スパン（最大）：32 V・
  • 4

    【MM74HC373SJ】IC D-TYPE TRANSP 8:8 20-SOP

    【MM74HC373SJ】IC D-TYPE TRANSP 8:8 20-SOP
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：74HC・論理タイプ：Dタイプトランスペアレントラッチ・回路：8：8・出力タイプ：3ステート・電圧 - 供給：2V～6V・独立回路：1・遅延時間 - 伝搬：19ns・電流 - 出力高、低：7.8mA、7.8mA・動作温度：-40°C～85°C・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：20-SOIC（
  • 5

    【2SC5551AF-TD-E】RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP

    【2SC5551AF-TD-E】RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：30V・周波数 - トランジション：3.5GHz・雑音指数（fあたりの標準dB）：-・ゲイン：-・電力 - 最大：1.3W・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：135 @ 50mA、5V・電流 - コレクタ（Ic）
  • 6

    【MBR340】DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL

    【MBR340】DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：40 V・電流 - 平均整流（Io）：3A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：600 mV @ 3 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：600 µA @ 40 V・Vr、
  • 7

    【2SK715W】JFET N-CH 50MA 3SPA

    【2SK715W】JFET N-CH 50MA 3SPA
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：15 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：14.5 mA @ 5 V・電流ドレイン（Id） - 最大：50 mA・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：600 mV @ 100 µ
  • 8

    【FSA2269UMX】IC SWITCH DUAL SPDT 10UMLP

    【FSA2269UMX】IC SWITCH DUAL SPDT 10UMLP
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・用途：オーディオ・マルチプレクサ/デマルチプレクサ回路：2：1・スイッチ回路：SPDT・チャンネル数：2・オン状態抵抗値（最大）：300ミリオーム（標準）・電圧 - 供給、シングル（V+）：1.65V～4.5V・電圧 - 供給、デュアル（V±）：-・帯域幅-3db：50MHz・特長：ブレークビフォメーク・動作
  • 9

    【MC33178PG】IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DIP

    【MC33178PG】IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DIP
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・アンプタイプ：標準（汎用）・回路数：2・出力タイプ：-・スルーレート：2V/µs・ゲイン帯域幅積：5 MHz・帯域幅-3db：-・電流 - 入力バイアス：100 nA・電圧 - 入力オフセット：150 µV・電流 - 供給：-・電流 - 出力/チャンネル：100 mA・電圧 - スパン（最小）：4 V・電圧 - スパン（最
  • 10

    【2SK715V】JFET N-CH 50MA 3SPA

    【2SK715V】JFET N-CH 50MA 3SPA
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：15 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：10 mA @ 5 V・電流ドレイン（Id） - 最大：50 mA・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：600 mV @ 100 µA・
  • 11

    【2SK715W-AC】JFET N-CH 50MA 3SPA

    【2SK715W-AC】JFET N-CH 50MA 3SPA
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：15 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：14.5 mA @ 5 V・電流ドレイン（Id） - 最大：50 mA・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：600 mV
  • 12

    【BC239CTA】TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3

    【BC239CTA】TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱入りテープ（TB）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：25 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：600mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：15nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：380
  • 13

    【1N5397】DIODE STANDARD 600V 1.5A DO15

    【1N5397】DIODE STANDARD 600V 1.5A DO15
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：600 V・電流 - 平均整流（Io）：1.5A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.4 V @ 1.5 A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA @ 60
  • 14

    【MC33178P】IC OPAMP DUAL LP LOW NOISE 8DIP

    【MC33178P】IC OPAMP DUAL LP LOW NOISE 8DIP
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・アンプタイプ：標準（汎用）・回路数：2・出力タイプ：-・スルーレート：2V/µs・ゲイン帯域幅積：5 MHz・帯域幅-3db：-・電流 - 入力バイアス：100 nA・電圧 - 入力オフセット：150 µV・電流 - 供給：-・電流 - 出力/チャンネル：100 mA・電圧 - スパン（最小）：4 V・電圧 - スパン（最
  • 15

    【FDPF5N50T】MOSFET N-CH 500V 5A TO220F

    【FDPF5N50T】MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：UniFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.4オーム @ 2.5A、10V・Id印加時のV
  • 16

    【2SC3503CSTU】TRANS NPN 300V 0.1A TO-126-3

    【2SC3503CSTU】TRANS NPN 300V 0.1A TO-126-3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：300 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：600mV @ 2mA、20mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：40
  • 17

    【2SC4488T-AN】TRANS NPN 100V 1A 3-NMP

    【2SC4488T-AN】TRANS NPN 100V 1A 3-NMP
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：100 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：400mV @ 40mA、400mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（
  • 18

    【LM350T】IC REG LINEAR POS ADJ 3A TO220-3

    【LM350T】IC REG LINEAR POS ADJ 3A TO220-3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・出力構成：ポジティブ・出力タイプ：可変・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：35V・電圧 - 出力（最小/固定）：1.2V・電圧 - 出力（最大）：33V・電圧ドロップアウト（最大）：-・電流 - 出力：3A・電流 - 静止（Iq）：-・電流 - 供給（最大）：-・PSRR：80dB（120Hz）・制御機能：-・保
  • 19

    【MJE15031】TRANS PNP 150V 8A TO-220

    【MJE15031】TRANS PNP 150V 8A TO-220
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：150 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：20 @ 4A、2V・
  • 20

    【2N6034】TRANS PNP DARL 40V 4A TO-126

    【2N6034】TRANS PNP DARL 40V 4A TO-126
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP - ダーリントン・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：4 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：40 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：3V @ 40mA、4A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：750 @ 2A
  • 21

    【2N2222】TRANS NPN 30V 0.8A TO-18

    【2N2222】TRANS NPN 30V 0.8A TO-18
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：-・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：800 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：30 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.6V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：100 @ 150mA、10V
  • 22

    【2SC2812N6-TB-E】TRANS NPN 50V 0.15A 3-CP

    【2SC2812N6-TB-E】TRANS NPN 50V 0.15A 3-CP
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：150 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 5mA、50mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（
  • 23

    【NDP7061】MOSFET N-CH 60V 64A TO220-3

    【NDP7061】MOSFET N-CH 60V 64A TO220-3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：64A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16ミリオーム @ 35A、10V・Id印加時のVgs（th）
  • 24

    【NZ23C5V6ALT1G】TVS DIODE 1VWM 8VC SOT233

    【NZ23C5V6ALT1G】TVS DIODE 1VWM 8VC SOT233
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・タイプ：ツエナー・一方向チャンネル：2・双方向チャンネル：-・電圧 - 逆スタンドオフ（標準）：1V・電圧 - ブレークダウン（最小）：5.2V・電圧 - クランピング（最大）@ Ipp：8V・電流 - ピークパルス（10/1000μs）：3A（8/20µs）・電力 - ピークパルス：24W・パワーライン保護
  • 25

    【2SC536NG-NPA-AT】TRANS NPN 50V 0.15A TO92

    【2SC536NG-NPA-AT】TRANS NPN 50V 0.15A TO92
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：150 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：300mV @ 10mA、100mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE
  • 26

    【NCP4686DSN12T1G】IC REG LINEAR 1.2V 400MA SOT23-5

    【NCP4686DSN12T1G】IC REG LINEAR 1.2V 400MA SOT23-5
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・出力構成：ポジティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：3.6V・電圧 - 出力（最小/固定）：1.2V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：0.38V @ 400mA・電流 - 出力：400mA・電流 - 静止（Iq）：75 µA・電流 - 供給（最大）：-・
  • 27

    【RFP30N06LE】MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3

    【RFP30N06LE】MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：47ミリオーム @ 30A、5V・Id印加時のVgs（th）（最
  • 28

    【FAN1110B-F085】IGNITION GATE DRIVER IC IGNITION

    【FAN1110B-F085】IGNITION GATE DRIVER IC IGNITION
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：-・駆動構成：ハイサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT・電圧 - 供給：4V～28V・論理電圧 - VIL、VIH：2.1V、1.7V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：12A、12A・入力タイプ：反転、非反転・ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラッ
  • 29

    【MC3423P1G】TVS DEVICE MIXED 8-PDIP

    【MC3423P1G】TVS DEVICE MIXED 8-PDIP
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・電圧 - クランピング：-・技術：ミックスド テクノロジー・回路数：2・用途：汎用・グレード：-・認定：-・取り付けタイプ：スルーホール・パッケージ/ケース：8-DIP（0.300インチ、7.62mm）・サプライヤデバイスパッケージ：8-PDIP
  • 30

    【KSC2073TU】TRANS NPN 150V 1.5A TO-220-3

    【KSC2073TU】TRANS NPN 150V 1.5A TO-220-3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1.5 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：150 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：10µA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：40 @
  • 31

    【MC14093BCPG】IC GATE NAND 4CH 2-INP 14DIP

    【MC14093BCPG】IC GATE NAND 4CH 2-INP 14DIP
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：4000B・論理タイプ：NANDゲート・回路数：4・入力数：2・特長：-・電圧 - 供給：3V～18V・電流 - 静止（最大）：1 µA・電流 - 出力高、低：8.8mA、8.8mA・論理レベル - 低：0.9V～4V・論理レベル - 高：3.6V～10.8V・V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延：80ns @ 15V、50
  • 32

    【TIP29C】TRANS NPN 100V 1A TO-220

    【TIP29C】TRANS NPN 100V 1A TO-220
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：100 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：700mV @ 125mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：300µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：15 @ 1A、4V・
  • 33

    【2SC2812N6-CPA-TB-E】TRANS NPN 50V 0.15A 3-CP

    【2SC2812N6-CPA-TB-E】TRANS NPN 50V 0.15A 3-CP
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：150 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 5mA、50mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（
  • 34

    【TIP126】TRANS PNP DARL 80V 5A TO-220-3

    【TIP126】TRANS PNP DARL 80V 5A TO-220-3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP - ダーリントン・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：5 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：80 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：4V @ 20mA、5A・電流 - コレクタ遮断（最大）：2mA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：1000 @ 3A、
  • 35

    【NCP115ASN150T1G】IC REG LINEAR 1.5V 300MA 5-TSOP

    【NCP115ASN150T1G】IC REG LINEAR 1.5V 300MA 5-TSOP
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・出力構成：ポジティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：5.5V・電圧 - 出力（最小/固定）：1.5V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：-・電流 - 出力：300mA・電流 - 静止（Iq）：95 µA・電流 - 供給（最大）：-・PSRR：-・制御機能：イネーブル・保護
  • 36

    【PF5102】JFET N-CH 40V TO92-3

    【PF5102】JFET N-CH 40V TO92-3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：40 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：4 mA @ 15 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：700 mV @ 1 nA・Vds印加時
  • 37

    【MC33078P】IC OPAMP DUAL LOW NOISE 8DIP

    【MC33078P】IC OPAMP DUAL LOW NOISE 8DIP
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・アンプタイプ：標準（汎用）・回路数：2・出力タイプ：-・スルーレート：7V/µs・ゲイン帯域幅積：16 MHz・帯域幅-3db：-・電流 - 入力バイアス：300 nA・電圧 - 入力オフセット：150 µV・電流 - 供給：4.1mA・電流 - 出力/チャンネル：37 mA・電圧 - スパン（最小）：10 V・電圧 -
  • 38

    【NSS60101DMR6T1G】TRANS 2NPN 60V 1A SC-74

    【NSS60101DMR6T1G】TRANS 2NPN 60V 1A SC-74
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：2 NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：60V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：250mV @ 50mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：250 @ 10
  • 39

    【FDS6576】MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC

    【FDS6576】MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム
  • 40

    【FDMC8884】MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP

    【FDMC8884】MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：PowerTrench®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Ta）、15A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1
  • 41

    【2SA733P】TRANS PNP 50V 0.5A TO-92-3

    【2SA733P】TRANS PNP 50V 0.5A TO-92-3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：300mV @ 10mA、100mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：20
  • 42

    【STK433-890N-E】IC AMP CLASS AB QUAD 80W 23SIP

    【STK433-890N-E】IC AMP CLASS AB QUAD 80W 23SIP
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・タイプ：クラスAB・出力タイプ：4チャンネル（クワッド）・負荷時の最大出力 x チャンネル数：80W x 4 @ 6オーム・電圧 - 供給：-・特長：-・取り付けタイプ：スルーホール・動作温度：-・グレード：-・認定：-・サプライヤデバイスパッケージ：23-SIP・パッケージ/ケース：23-SIP
  • 43

    【MJD47】TRANS NPN 250V 1A DPAK

    【MJD47】TRANS NPN 250V 1A DPAK
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：250 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1V @ 200mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：200µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：30 @ 300mA、10V
  • 44

    【MC10H210MEL】IC GATE OR 2CH 3-INP 16SOEIAJ

    【MC10H210MEL】IC GATE OR 2CH 3-INP 16SOEIAJ
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：10H・論理タイプ：ORゲート・回路数：2・入力数：3・特長：3出力・電圧 - 供給：-4.94V～-5.46V・電流 - 静止（最大）：-・電流 - 出力高、低：50mA、50mA・論理レベル - 低：-1.48V・論理レベル - 高：-1.13V・V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延：1.55ns @ -5
  • 45

    【MJE13003G】TRANS NPN 400V 1.5A TO-126

    【MJE13003G】TRANS NPN 400V 1.5A TO-126
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：SWITCHMODE™・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1.5 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：400 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：3V @ 500mA、1.5A・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：8 @ 5
  • 46

    【J201】JFET N-CH 40V TO92-3

    【J201】JFET N-CH 40V TO92-3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：40 V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：200 µA @ 20 V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：300 mV @ 10 nA・
  • 47

    【FDS6576】MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC

    【FDS6576】MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：PowerTrench®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム
  • 48

    【KSP06TA】TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3

    【KSP06TA】TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：80 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：250mV @ 10mA、100mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：
  • 49

    【LE25U40CQH-AH】IC FLASH 4MBIT SPI 40MHZ 8VDFN

    【LE25U40CQH-AH】IC FLASH 4MBIT SPI 40MHZ 8VDFN
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・メモリタイプ：不揮発性・メモリフォーマット：フラッシュ・技術：フラッシュ・メモリサイズ：4Mビット・メモリ構成：512K x 8・メモリインターフェース：SPI・クロック周波数：40 MHz・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ：5ms・アクセス時間：-・電圧 - 供
  • 50

    【BZX55C3V3】DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

    【BZX55C3V3】DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：3.3 V・許容誤差：±6%・電力 - 最大：500 mW・インピーダンス（最大）（Zzt）：85 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：2 µA @ 1 V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.3 V @ 100 mA・動作温度：-65°C～200°C・グレード：-・
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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