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すべてのジャンル  [ メーカー:オンセミコンダクター 納期:売り切れ ]の検索結果

検索結果 26,793件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・モード:臨界導通(CRM)・周波数 - スイッチング:-・電流 - スタートアップ:250 µA・電圧 - 供給:12V~28V・動作温度:0°C~85°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)・サプライヤデバイスパッケージ:8-
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:1 NPN、1 PNP(コモンベース)・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:430mV @ 10mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時の
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:JFET・構成:Nチャンネル・周波数:450MHz・ゲイン:12dB・電圧 - テスト:10 V・定格電流(A):60mA・雑音指数:3dB・電流 - テスト:10 mA・電源 - 出力:-・電圧 - 定格:25 V・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:TO-236-3、
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io):200mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1 V @ 10 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):4 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 7
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:74ACT・論理タイプ:バイナリカウンタ・方向:上・素子数:1・素子あたりのビット数:4・リセット:同期・タイミング:同期・カウント率:140 MHz・トリガタイプ:ポジティブエッジ・電圧 - 供給:4.5 V ~ 5.5 V・動作温度:-40°C~85°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:スルーホール・パッケージ/ケ
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):4 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):100 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:400mV @ 200mA、2A・電流 - コレクタ遮断(最大):1µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):70 @ 500
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:PowerTrench®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):60A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9ミリオーム @ 30A、10
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:74VHC・論理タイプ:バイナリカウンタ・方向:上・素子数:1・素子あたりのビット数:4・リセット:非同期・タイミング:同期・カウント率:125 MHz・トリガタイプ:ポジティブエッジ・電圧 - 供給:2 V ~ 5.5 V・動作温度:-40°C~85°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:1
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・アンプタイプ:標準(汎用)・回路数:2・出力タイプ:-・スルーレート:-・ゲイン帯域幅積:1 MHz・帯域幅-3db:-・電流 - 入力バイアス:45 nA・電圧 - 入力オフセット:7 mV・電流 - 供給:1.5mA(x2チャンネル)・電流 - 出力/チャンネル:40 mA・電圧 - スパン(最小):3 V・電圧 -
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・ダイオードタイプ:単相・技術:標準・電圧 - ピーク逆方向(最大):600 V・電流 - 平均整流(Io):1.5 A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1 V @ 1 A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 600 V・動作温度:-55°C~150°C(TJ)・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1.5 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):80 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:500mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):40
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:4000B・論理タイプ:BCDカウンタ・方向:上・素子数:1・素子あたりのビット数:4・リセット:非同期・タイミング:同期・カウント率:7 MHz・トリガタイプ:ネガティブエッジ・電圧 - 供給:-・動作温度:-55°C~125°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:スルーホール・パッケージ/ケース:16-DIP(0.3
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・テーパ:リニア・構成:レオスタット・回路数:1・タップの数:128・抵抗(オーム):50k・インターフェース:I2C・メモリタイプ:揮発性・電圧 - 供給:2.5V~5.5V・特長:-・許容誤差:±20%・温度係数(標準):±300ppm/°C・取り付けタイプ:面実装・グ
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):25V・周波数 - トランジション:650MHz・雑音指数(fあたりの標準dB):-・ゲイン:-・電力 - 最大:350mW・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):60 @ 4mA、10V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):-・動
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):15V・周波数 - トランジション:1.5GHz・雑音指数(fあたりの標準dB):-・ゲイン:14dB~26dB・電力 - 最大:350mW・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):20 @ 8mA、10V・電流 - コレクタ(Ic)
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:QFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):800 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.55オーム @ 4A、10V・Id印加時のVgs(
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・テーパ:リニア・構成:レオスタット・回路数:-・タップの数:128・抵抗(オーム):10k・インターフェース:I2C・メモリタイプ:揮発性・電圧 - 供給:2.7V~5.5V・特長:-・許容誤差:±20%・温度係数(標準):-・取り付けタイプ:面実装・グレード:-・認定:
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・アンプタイプ:J-FET・回路数:2・出力タイプ:-・スルーレート:13V/µs・ゲイン帯域幅積:4 MHz・帯域幅-3db:-・電流 - 入力バイアス:50 pA・電圧 - 入力オフセット:5 mV・電流 - 供給:3.6mA・電流 - 出力/チャンネル:-・電圧 - スパン(最小):36 V・電圧 - スパン(最大):
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・アンプタイプ:標準(汎用)・回路数:2・出力タイプ:シングルエンド・スルーレート:7V/µs・ゲイン帯域幅積:15 MHz・帯域幅-3db:-・電流 - 入力バイアス:300 nA・電圧 - 入力オフセット:300 mV・電流 - 供給:2mA(x2チャンネル)・電流 - 出力/チャンネル:29 mA・電圧 - スパン(最小
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:74VHCU・論理タイプ:インバータ・回路数:6・入力数:6・特長:-・電圧 - 供給:2V~5.5V・電流 - 静止(最大):2 µA・電流 - 出力高、低:8mA、8mA・論理レベル - 低:0.3V・論理レベル - 高:1.7V・V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延:7ns @ 5V、50pF・動作温度:-
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:74HC・論理タイプ:Dタイプトランスペアレントラッチ・回路:8:8・出力タイプ:3ステート・電圧 - 供給:2V~6V・独立回路:1・遅延時間 - 伝搬:19ns・電流 - 出力高、低:7.8mA、7.8mA・動作温度:-40°C~85°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:20-SOIC(
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgsでのゲートチャージ(Qg
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:4000B・論理タイプ:インバータ・回路数:6・入力数:1・特長:-・電圧 - 供給:3V~18V・電流 - 静止(最大):1 µA・電流 - 出力高、低:8.8mA、8.8mA・論理レベル - 低:1V~2.5V・論理レベル - 高:4V~12.5V・V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延:55ns @ 15V、50pF・動
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・スイッチ回路:SPST-NO・マルチプレクサ/デマルチプレクサ回路:1:1・回路数:1・オン状態抵抗値(最大):40オーム・チャンネル~チャンネル適合(ΔRon):-・電圧 - 供給、シングル(V+):2V~5.5V・電圧 - 供給、デュアル(V±):-・スイッチ時間(Ton、Toff)(最大):-・帯域幅-3db:180M
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・アンプタイプ:標準(汎用)・回路数:2・出力タイプ:-・スルーレート:2V/µs・ゲイン帯域幅積:5 MHz・帯域幅-3db:-・電流 - 入力バイアス:100 nA・電圧 - 入力オフセット:150 µV・電流 - 供給:-・電流 - 出力/チャンネル:100 mA・電圧 - スパン(最小):4 V・電圧 - スパン(最
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:100EL・タイプ:ファンアウトバッファ(分配)、マルチプレクサ・回路数:1・レシオ - 入力:出力:2:4・差動 - 入力:出力:あり/あり・入力:ECL、PECL・出力:ECL、PECL・周波数 - 最大:1.25 GHz・電圧 - 供給:4.2V~5.7V・動作温度:-40°C~85°C・取り付けタイプ:面実
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:74VHC・論理タイプ:バイナリカウンタ・方向:上・素子数:2・素子あたりのビット数:4・リセット:非同期・タイミング:-・カウント率:115 MHz・トリガタイプ:ネガティブエッジ・電圧 - 供給:2 V ~ 5.5 V・動作温度:-40°C~85°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・RFタイプ:CATV・周波数:50MHz~150MHz・ミキサ数:1・ゲイン:25dB・雑音指数:-・副次属性:ダウンコンバータ・電流 - 供給:105mA・電圧 - 供給:4.5V~5.5V・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:28-LSOP(幅0.220インチ、5.60mm)+2ヒートタブ・サプライヤデバイスパッ
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・アンプタイプ:標準(汎用)・回路数:4・出力タイプ:-・スルーレート:-・ゲイン帯域幅積:-・帯域幅-3db:-・電流 - 入力バイアス:40 nA・電圧 - 入力オフセット:1.5 mV・電流 - 供給:1mA・電流 - 出力/チャンネル:40 mA・電圧 - スパン(最小):3 V・電圧 - スパン(最大):32 V・
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:-・タイプ:電源管理・機能:モータコントローラ/ドライバ・組み込み製品:-・使用IC/部品:LV8760T・主要属性:-・副次属性:-・内訳:ボード
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・ダイオード構成:1組共通カソード・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):8A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):800 mV @ 3 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・アンプタイプ:標準(汎用)・回路数:2・出力タイプ:-・スルーレート:7V/µs・ゲイン帯域幅積:16 MHz・帯域幅-3db:-・電流 - 入力バイアス:300 nA・電圧 - 入力オフセット:150 µV・電流 - 供給:4.1mA・電流 - 出力/チャンネル:37 mA・電圧 - スパン(最小):10 V・電圧 -
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・アンプタイプ:標準(汎用)・回路数:2・出力タイプ:-・スルーレート:2V/µs・ゲイン帯域幅積:5 MHz・帯域幅-3db:-・電流 - 入力バイアス:100 nA・電圧 - 入力オフセット:150 µV・電流 - 供給:-・電流 - 出力/チャンネル:100 mA・電圧 - スパン(最小):4 V・電圧 - スパン(最
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・用途:オーディオ・マルチプレクサ/デマルチプレクサ回路:2:1・スイッチ回路:SPDT・チャンネル数:2・オン状態抵抗値(最大):300ミリオーム(標準)・電圧 - 供給、シングル(V+):1.65V~4.5V・電圧 - 供給、デュアル(V±):-・帯域幅-3db:50MHz・特長:ブレークビフォメーク・動作
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):45 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:650mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断(最大):15nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):110
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・タイプ:ツエナー・一方向チャンネル:2・双方向チャンネル:-・電圧 - 逆スタンドオフ(標準):1V・電圧 - ブレークダウン(最小):5.2V・電圧 - クランピング(最大)@ Ipp:8V・電流 - ピークパルス(10/1000μs):3A(8/20µs)・電力 - ピークパルス:24W・パワーライン保護
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:箱入りテープ(TB)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):25 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:600mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断(最大):15nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):380
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:QFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):400ミリオーム @ 3.5A、10V・
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):700 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):160 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:400mV @ 2mA、20mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):40 V・電流 - 平均整流(Io):3A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):600 mV @ 3 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:600 µA @ 40 V・Vr、
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP - ダーリントン・電流 - コレクタ(Ic)(最大):4 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):40 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:3V @ 40mA、4A・電流 - コレクタ遮断(最大):100µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):750 @ 2A
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):156ミリオーム @ 1A、10V・Id
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:PowerTrench®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):11A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):13ミリオーム
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):150 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:500mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断(最大):100µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):20 @ 4A、2V・
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:QFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.8A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.7オーム @ 1.4A、10V・Id印加時のV
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:-・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):2 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):40 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:500mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断(最大):-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):50 @ 1A、1V・電力 - 最大:
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:-・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):800 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):30 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.6V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):100 @ 150mA、10V
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP - ダーリントン・電流 - コレクタ(Ic)(最大):5 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):80 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:4V @ 20mA、5A・電流 - コレクタ遮断(最大):2mA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):1000 @ 3A、
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・アンプタイプ:標準(汎用)・回路数:1・出力タイプ:-・スルーレート:0.5V/µs・ゲイン帯域幅積:1.5 MHz・帯域幅-3db:-・電流 - 入力バイアス:80 nA・電圧 - 入力オフセット:2 mV・電流 - 供給:1.5mA・電流 - 出力/チャンネル:25 mA・電圧 - スパン(最小):10
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・出力構成:ポジティブ・出力タイプ:固定・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):5.5V・電圧 - 出力(最小/固定):1.5V・電圧 - 出力(最大):-・電圧ドロップアウト(最大):-・電流 - 出力:300mA・電流 - 静止(Iq):95 µA・電流 - 供給(最大):-・PSRR:-・制御機能:イネーブル・保護
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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