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ディスクリート半導体製品(DigiKey)  [ メーカー:オンセミコンダクター ]の検索結果

検索結果 38,390件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:Motion SPM® 5・タイプ:MOSFET・構成:3相・電流:1.5 A・電圧:500 V・電圧 - 絶縁:1500Vrms・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:23-PowerSMDモジュール、ガルウィング
    1,646.99 税込¥1,811.68
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):10A(Ta)、64A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):14ミリオーム @ 1
    809.73 税込¥890.70
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:Motion SPM® 5・タイプ:MOSFET・構成:3相・電流:1.2 A・電圧:500 V・電圧 - 絶縁:1500Vrms・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:23-PowerSMDモジュール、ガルウィング
    1,573.18 税込¥1,730.49
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:Motion SPM® 5・タイプ:MOSFET・構成:3相・電流:2 A・電圧:500 V・電圧 - 絶縁:1500Vrms・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:23-PowerSMDモジュール、ガルウィング
    1,805.89 税込¥1,986.47
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):30 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:650mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断(最大):15nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(
    60.00 税込¥66.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):350 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1V @ 200mA、1A・電流 - コレクタ遮断(最大):1mA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):30 @ 300mA、10V・電
    397.15 税込¥436.86
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):250 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:500mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断(最大):10µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):10 @ 2
    465.72 税込¥512.29
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30 V・電流 - 平均整流(Io):100mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):600 mV @ 100 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:50 µ
    80.00 税込¥88.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):250 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1V @ 200mA、1A・電流 - コレクタ遮断(最大):1mA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):30 @ 300mA、10V・電
    334.29 税込¥367.71
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):20 V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):450 mV @ 1 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:100 µA @
    32.86 税込¥36.14
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):20 mA @ 5 V・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1.8 V
    130.00 税込¥143.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):300ミリオーム @ 2.5A、10V
    234.29 税込¥257.71
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:*・トランジスタタイプ:-・電流 - コレクタ(Ic)(最大):-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):-・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:-・電流 - コレクタ遮断(最大):-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):-・電力 - 最大:-・周波数 - トランジション:-・動作温
    72.86 税込¥80.14
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:*・トランジスタタイプ:-・電流 - コレクタ(Ic)(最大):-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):-・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:-・電流 - コレクタ遮断(最大):-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):-・電力 - 最大:-・周波数 - トランジション:-・動作温
    72.86 税込¥80.14
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):2 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):60 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:500mV @ 200mA、2A・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):75 @ 1A
    155.72 税込¥171.29
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):75ミリオーム @ 2.2A、10V
    155.72 税込¥171.29
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):60 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:250mV @ 10mA、100mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):
    41.43 税込¥45.57
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:1 NPN、1 PNP - プリバイアス(デュアル)・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V・抵抗 - ベース(R1):13キロオーム、130オーム・抵抗 - エミッタベース(R2):10キロオーム・Ic、Vce印加時のDC
    124.29 税込¥136.71
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):30 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:600mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断(最大):15nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(
    64.29 税込¥70.71
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):16 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):250 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:4V @ 3.2A、16A・電流 - コレクタ遮断(最大):100µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):25 @ 8A、5V・電力
    1,294.67 税込¥1,424.13
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):15 V・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):10 mA @ 5 V・電流ドレイン(Id) - 最大:50 mA・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):300 mV @
    148.58 税込¥163.43
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):91 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:3 W・インピーダンス(最大)(Zzt):200 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:1 µA @ 69.2 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.5 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~200°C
    68.58 税込¥75.43
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30 V・電流 - 平均整流(Io):3A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):500 mV @ 3 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:2 mA @ 30
    148.58 税込¥163.43
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):3 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):100 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.2V @ 375mA、3A・電流 - コレクタ遮断(最大):300µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):10 @ 3A、4V・電
    228.58 税込¥251.43
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):35 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @ 1 µ
    91.43 税込¥100.57
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):12 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:3 W・インピーダンス(最大)(Zzt):6.5 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:1 µA @ 9.1 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.5 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~200°C・グレード:-・認
    92.86 税込¥102.14
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):350 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1V @ 5mA、50mA・電流 - コレクタ遮断(最大):50nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):20 @ 50
    77.15 税込¥84.86
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30 V・電流 - 平均整流(Io):30mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):370 mV @ 1 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500 nA
    32.86 税込¥36.14
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):8 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):250 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:500mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断(最大):10µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):10 @ 2
    465.72 税込¥512.29
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):45 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:600mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断(最大):15nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(
    60.00 税込¥66.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:BZX84BxxxLT1G・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):5.1 V・許容誤差:±2%・電力 - 最大:250 mW・インピーダンス(最大)(Zzt):60 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:2 µA @ 2 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):900 mV @ 10 mA・動作温度
    27.15 税込¥29.86
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):100 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:5 W・インピーダンス(最大)(Zzt):90 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500 nA @ 76 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 1 A・動作温度:-65°C~200°C・グレ
    112.86 税込¥124.14
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io):200mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1 V @ 10 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):4 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 7
    22.86 税込¥25.14
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):36 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:5 W・インピーダンス(最大)(Zzt):11 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500 nA @ 27.4 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 1 A・動作温度:-65°C~200°C・グレード:-・認定
    88.58 税込¥97.43
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):300 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:500mV @ 2mA、20mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):40
    95.72 税込¥105.29
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):160 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.5V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):1µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小)
    135.72 税込¥149.29
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):160 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.5V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):1µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小)
    152.86 税込¥168.14
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):27 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):35 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 20.6 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・動作温度:-65°C~200°C・グレード:-・認定:-・取
    32.86 税込¥36.14
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1.5 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):25 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:500mV @ 80mA、800mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):160
    81.43 税込¥89.57
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):45 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:600mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断(最大):15nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):200
    84.29 税込¥92.71
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):35 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500 mV @ 1 µA・Vds印加時
    95.72 税込¥105.29
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):13 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):10 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 9.9 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・動作温度:-65°C~200°C・グレード:-・認定:-・取り
    35.72 税込¥39.29
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):3 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):60 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:135mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断(最大):1µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):3
    274.29 税込¥301.71
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):1.8 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:500 mW・インピーダンス(最大)(Zzt):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:7.5 µA @ 1 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):900 mV @ 10 mA・動作温度:-55°C~150°C・グレー
    24.29 税込¥26.71
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):5.6 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):5 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA @ 2 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・動作温度:-65°C~200°C・グレード:-・認定:-・取り付
    35.72 税込¥39.29
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:MMSZ52xxxT1G・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):47 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:500 mW・インピーダンス(最大)(Zzt):105 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:100 nA @ 36 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):900 mV @ 10 mA・動作
    22.86 税込¥25.14
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):15 V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:3 W・インピーダンス(最大)(Zzt):9 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:1 µA @ 11.4 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.5 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~200°C・グ
    48.58 税込¥53.43
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVg
    111.43 税込¥122.57
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):80 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:250mV @ 10mA、100mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):100 @ 10
    97.15 税込¥106.86
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):50 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):120 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:300mV @ 1mA、10mA・電流 - コレクタ遮断(最大):1µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):300
    72.86 税込¥80.14
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