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すべてのジャンル  [ メーカー:STマイクロエレクトロニクス 納期:売り切れ ]の検索結果

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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN - ダーリントン・電流 - コレクタ(Ic)(最大):15 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):400 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.8V @ 250mA、10A・電流 - コレクタ遮断(最大):100µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):3
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・センサのタイプ:アナログ、ローカル・センシング温度 - ローカル:-55°C~130°C・センシング温度 - リモート:-・出力タイプ:アナログ電圧・電圧 - 供給:2.7V~5.5V・分解能:11.77mV/°C・特長:シャットダウンモード・精度 - 最高(最低):±1.5°C(±2.5°C)・テスト条件:
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・タイプ:標準(汎用)・素子数:2・出力タイプ:オープンコレクタ、オープンエミッタ、TTL・電圧 - 供給、シングル/デュアル(±):5V~30V、±2.5V~15V・電圧 - 入力オフセット(最大):8mV @ ±15V・電流 - 入力バイアス(最大):1µA @ ±15V・電流 - 出力(標準):-・電流 - 静止(最大
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN - ダーリントン・電流 - コレクタ(Ic)(最大):15 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):350 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:2V @ 300mA、12A・電流 - コレクタ遮断(最大):100µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):300
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):4 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):80 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.2V @ 1A、4A・電流 - コレクタ遮断(最大):1mA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):20 @ 1.5A、2V・電力 -
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):3 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):60 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1V @ 200mA、2A・電流 - コレクタ遮断(最大):100µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):100 @ 500
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:EPROM・技術:EPROM - OTP・メモリサイズ:256Kビット・メモリ構成:32K x 8・メモリインターフェース:パラレル・クロック周波数:-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-・アクセス時間:150 ns・電圧 - 供給
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・スイッチ回路:SPST-NO・マルチプレクサ/デマルチプレクサ回路:1:1・回路数:2・オン状態抵抗値(最大):10オーム・チャンネル~チャンネル適合(ΔRon):-・電圧 - 供給、シングル(V+):2V~5.5V・電圧 - 供給、デュアル(V±):-・スイッチ時間(Ton、Toff)(最大):4ns、7.
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:VIPER™・電流 - 出力/チャンネル:1.05A、700mAまたは350mA・出力とタイプ:1絶縁出力・電圧 - 出力:28V・特長:-・電圧 - 入力:90~264 VAC・内訳:ボード・使用IC/部品:VIPer22A
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・スイッチタイプ:汎用・出力数:1・レシオ - 入力:出力:1:1・出力構成:ローサイド・出力タイプ:-・インターフェース:オン/オフ・電圧 - 負荷:6V~40V・電圧 - 電源(Vcc/Vdd):不要・電流 - 出力(最大):8A・Rds On(標準):-・入力タイプ:非反転・特長:ステータスフラッグ・フォールト保護:過
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:STM32G4・DigiKeyプログラマブル:未検証・コアプロセッサ:ARM® Cortex®-M4F・コアサイズ:32ビット・速度:170MHz・接続性:CANbus、I2C、IrDA、LINbus、QSPI、SPI、UART/USART・ペリフェラル:ブラウンアウト検出/リセット、DMA、I2S、POR、PWM、WDT・I/
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:EPROM・技術:EPROM - UV・メモリサイズ:256Kビット・メモリ構成:32K x 8・メモリインターフェース:パラレル・クロック周波数:-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-・アクセス時間:45 ns・電圧 - 供給:4
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:EPROM・技術:EPROM - OTP・メモリサイズ:256Kビット・メモリ構成:32K x 8・メモリインターフェース:パラレル・クロック周波数:-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-・アクセス時間:90 ns・電圧 - 供給:
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:EPROM・技術:EPROM - OTP・メモリサイズ:256Kビット・メモリ構成:32K x 8・メモリインターフェース:パラレル・クロック周波数:-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-・アクセス時間:100 ns・
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・タイプ:555タイプ、タイマ/発振器(デュアル)・カウント:-・周波数:2.7MHz・電圧 - 供給:2V~16V・電流 - 供給:130 µA・動作温度:-40°C~125°C・パッケージ/ケース:14-DIP(0.300インチ、7.62mm)・サプライヤデバイスパッケージ:14-DIP・取り付けタイプ:スルーホール・グ
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:EPROM・技術:EPROM - UV・メモリサイズ:256Kビット・メモリ構成:32K x 8・メモリインターフェース:パラレル・クロック周波数:-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-・アクセス時間:70 ns・電圧 - 供給:4
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:EPROM・技術:EPROM - OTP・メモリサイズ:1Mビット・メモリ構成:128K x 8・メモリインターフェース:パラレル・クロック周波数:-・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-・アクセス時間:35 ns・電圧 - 供給:4
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgsでのゲー
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgsでのゲー
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・タイプ:周囲、IR・波長:-・近接検出:なし・出力タイプ:I2C・電圧 - 供給:1.65V~1.95V・動作温度:-30°C~85°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:6-BGA、WLCSP・サプライヤデバイスパッケージ:6-WLCSP(1.83x1)
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・タイプ:IGBT・構成:3相インバータ・電流:50 A・電圧:650 V・電圧 - 絶縁:2500Vrms・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:スルーホール・パッケージ/ケース:30-PowerDIPモジュール
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:-・メモリタイプ:不揮発性・メモリフォーマット:EEPROM・技術:EEPROM・メモリサイズ:128Kビット・メモリ構成:16K x 8・メモリインターフェース:I2C・クロック周波数:1 MHz・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:5ms・アクセス時間:450 ns・電
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:-・シリーズ:ECOPACK®・モータタイプ - ステッピング:バイポーラ・モータタイプ - AC、DC:ブラシ付きDC・機能:ドライバ - 完全統合型、制御およびパワー段・出力構成:ハーフブリッジ・インターフェース:-・技術:NMOS・ステップ分解能:-・用途:汎用・電流 - 出力:10A・電圧 - 供給:7V~15V・電圧 - 負荷:7V~7
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・タイプ:-・一方向チャンネル:-・双方向チャンネル:-・電圧 - 逆スタンドオフ(標準):-・電圧 - ブレークダウン(最小):-・電圧 - クランピング(最大)@ Ipp:-・電流 - ピークパルス(10/1000μs):-・電力 - ピークパルス:-・パワーライン保護:-・用途:-・静電容量 @ 周波数:
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・タイプ:-・一方向チャンネル:-・双方向チャンネル:-・電圧 - 逆スタンドオフ(標準):-・電圧 - ブレークダウン(最小):-・電圧 - クランピング(最大)@ Ipp:-・電流 - ピークパルス(10/1000μs):-・電力 - ピークパルス:-・パワーライン保護:-・用途:-・静電容量 @ 周波数:
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・タイプ:-・一方向チャンネル:-・双方向チャンネル:-・電圧 - 逆スタンドオフ(標準):-・電圧 - ブレークダウン(最小):-・電圧 - クランピング(最大)@ Ipp:-・電流 - ピークパルス(10/1000μs):-・電力 - ピークパルス:-・パワーライン保護:-・用途:-・静電容量 @ 周波数:
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・ダイオード構成:-・技術:-・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):-・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):-・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・速度:-・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:-・動作温度 - ジャンクション:-・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:-
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・ダイオード構成:-・技術:-・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):-・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):-・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・速度:-・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:-・動作温度 - ジャンクション:-・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:-
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・ダイオード構成:-・技術:-・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):-・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):-・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・速度:-・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:-・動作温度 - ジャンクション:-・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:-
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:ECOPACK®・電圧 - オフ状態:800 V・電圧 - ゲートトリガ(Vgt)(最大):800 mV・電流 - ゲートトリガ(Igt)(最大):100 µA・電圧 - オン状態(Vtm)(最大):1.6 V・電流 - オン状態(It(AV))(最大):800 mA・電流 - オン状態(It(RMS))(最大):1.25 A・
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・技術:-・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):-・電流 - 平均整流(Io):-・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・速度:-・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:-・Vr、F印加時の静電容量:-・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:-・パッケージ/ケース:-・サプライヤデバイス
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・技術:-・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):-・電流 - 平均整流(Io):-・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・速度:-・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:-・Vr、F印加時の静電容量:-・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:-・パッケージ/ケース:-・サプライヤデバイス
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:-・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):-・電流 - 平均整流(Io):-・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・速度:-・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:-・Vr、F印加時の静電容量:-・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:-・パッケージ/ケース:-・サプ
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:-・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):-・電流 - 平均整流(Io):-・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・速度:-・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:-・Vr、F印加時の静電容量:-・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:-・パッケージ/ケース:-・サプ
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:-・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):-・電流 - 平均整流(Io):-・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・速度:-・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:-・Vr、F印加時の静電容量:-・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:-・パッケージ/ケース:-・サプ
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・技術:-・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):-・電流 - 平均整流(Io):-・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・速度:-・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:-・Vr、F印加時の静電容量:-・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:-・パッケージ/ケース:-・サプライヤデバイス
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:-・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):-・電流 - 平均整流(Io):-・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・速度:-・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:-・Vr、F印加時の静電容量:-・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:-・パッケージ/ケース:-・サプ
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:-・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):-・電流 - 平均整流(Io):-・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・速度:-・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:-・Vr、F印加時の静電容量:-・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:-・パッケージ/ケース:-・サプ
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・技術:-・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):-・電流 - 平均整流(Io):-・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・速度:-・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:-・Vr、F印加時の静電容量:-・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:-・パッケージ/ケース:-・サプライヤデバイス
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・技術:-・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):-・電流 - 平均整流(Io):-・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・速度:-・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:-・Vr、F印加時の静電容量:-・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:-・パッケージ/ケース:-・サプライヤデバイス
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:-・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):-・電流 - 平均整流(Io):-・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・速度:-・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:-・Vr、F印加時の静電容量:-・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:-・パッケージ/ケース:-・サプ
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:-・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):-・電流 - 平均整流(Io):-・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・速度:-・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:-・Vr、F印加時の静電容量:-・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:-・パッケージ/ケース:-・サプ
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・技術:-・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):-・電流 - 平均整流(Io):-・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・速度:-・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:-・Vr、F印加時の静電容量:-・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:-・パッケージ/ケース:-・サプライヤデバイス
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:-・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):-・電流 - 平均整流(Io):-・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・速度:-・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:-・Vr、F印加時の静電容量:-・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:-・パッケージ/ケース:-・サプ
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:-・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):-・電流 - 平均整流(Io):-・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・速度:-・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:-・Vr、F印加時の静電容量:-・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:-・パッケージ/ケース:-・サプ
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・技術:-・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):-・電流 - 平均整流(Io):-・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・速度:-・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:-・Vr、F印加時の静電容量:-・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:-・パッケージ/ケース:-・サプライヤデバイス
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・タイプ:-・一方向チャンネル:-・双方向チャンネル:-・電圧 - 逆スタンドオフ(標準):-・電圧 - ブレークダウン(最小):-・電圧 - クランピング(最大)@ Ipp:-・電流 - ピークパルス(10/1000μs):-・電力 - ピークパルス:-・パワーライン保護:-・用途:-・静電容量 @ 周波数:
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・タイプ:-・一方向チャンネル:-・双方向チャンネル:-・電圧 - 逆スタンドオフ(標準):-・電圧 - ブレークダウン(最小):-・電圧 - クランピング(最大)@ Ipp:-・電流 - ピークパルス(10/1000μs):-・電力 - ピークパルス:-・パワーライン保護:-・用途:-・静電容量 @ 周波数:
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    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・タイプ:-・一方向チャンネル:-・双方向チャンネル:-・電圧 - 逆スタンドオフ(標準):-・電圧 - ブレークダウン(最小):-・電圧 - クランピング(最大)@ Ipp:-・電流 - ピークパルス(10/1000μs):-・電力 - ピークパルス:-・パワーライン保護:-・用途:-・静電容量 @ 周波数:
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・タイプ:-・一方向チャンネル:-・双方向チャンネル:-・電圧 - 逆スタンドオフ(標準):-・電圧 - ブレークダウン(最小):-・電圧 - クランピング(最大)@ Ipp:-・電流 - ピークパルス(10/1000μs):-・電力 - ピークパルス:-・パワーライン保護:-・用途:-・静電容量 @ 周波数:
DigiReelの説明
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