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半導体 　[ メーカー:SemiQ ]の検索結果

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  • 1

    【GSXD100A015S1-D3】DIODE MOD SCHOT 150V 100A SOT227

    【GSXD100A015S1-D3】DIODE MOD SCHOT 150V 100A SOT227
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
    最小65個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・ダイオード構成：2独立・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：150 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：100A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：880 mV @ 100 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - V
    ￥4,054.80 税込￥4,460.28
  • 2

    【GCMS008C120S1-E1】GEN3 1200V 8M SIC MOSFET & SBD

    【GCMS008C120S1-E1】GEN3 1200V 8M SIC MOSFET & SBD
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：QSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：189A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 100A、18V・Id印加時
    ￥7,375.87 税込￥8,113.45
  • 3

    【GCMS016C120S1-E1】GEN3 1200V 16M SIC MOSFET & SBD

    【GCMS016C120S1-E1】GEN3 1200V 16M SIC MOSFET & SBD
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：QSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：103A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23ミリオーム @ 50A、18V・Id印加時の
    ￥5,637.94 税込￥6,201.73
  • 4

    【GCMS040C120S1-E1】GEN3 1200V 40M SIC MOSFET & SBD

    【GCMS040C120S1-E1】GEN3 1200V 40M SIC MOSFET & SBD
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：QSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：53A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：52ミリオーム @ 20A、18V・Id印加時のV
    ￥4,482.36 税込￥4,930.59
  • 5

    【GCMS080C120S1-E1】GEN3 1200V 80M SIC MOSFET & SBD

    【GCMS080C120S1-E1】GEN3 1200V 80M SIC MOSFET & SBD
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：QSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：28A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 10A、18V・Id印加時の
    ￥4,010.59 税込￥4,411.64
  • 6

    【GCMX020A120B2T1P】1200V 20 SIC MOSFET SIX-PACK MOD

    【GCMX020A120B2T1P】1200V 20 SIC MOSFET SIX-PACK MOD
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：QSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6Nチャンネル（3相ブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオーム @ 40A、18V・Id印加時のVgs（th）（
    ￥12,637.94 税込￥13,901.73
  • 7

    【GCMX040A120B2T1P】1200V 40 SIC MOSFET SIX-PACK MOD

    【GCMX040A120B2T1P】1200V 40 SIC MOSFET SIX-PACK MOD
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：QSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 N-Channel（Phase Leg）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：52ミリオーム @ 20A、18V・Id印加時のV
    ￥8,762.07 税込￥9,638.27
  • 8

    【GCMX080A120B2T1P】1200V 80 SIC MOSFET SIX-PACK MOD

    【GCMX080A120B2T1P】1200V 80 SIC MOSFET SIX-PACK MOD
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：QSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 N-Channel（Phase Leg）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 10A、18V・Id印加時の
    ￥6,570.12 税込￥7,227.13
  • 9

    【GCMX008C120S1-E1】GEN3 1200V 8M SIC MOSFET MODULE,

    【GCMX008C120S1-E1】GEN3 1200V 8M SIC MOSFET MODULE,
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：QSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：188A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 100A、18V・Id印加時
    ￥5,822.99 税込￥6,405.28
  • 10

    【GCMX016C120S1-E1】GEN3 1200V 16M SIC MOSFET MODULE

    【GCMX016C120S1-E1】GEN3 1200V 16M SIC MOSFET MODULE
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：QSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：103A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23ミリオーム @ 50A、18V・Id印加時の
    ￥4,885.89 税込￥5,374.47
  • 11

    【GCMX040C120S1-E1】GEN3 1200V 40M SIC MOSFET MODULE

    【GCMX040C120S1-E1】GEN3 1200V 40M SIC MOSFET MODULE
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：QSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：53A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：52ミリオーム @ 20A、18V・Id印加時のV
    ￥4,095.30 税込￥4,504.83
  • 12

    【GCMX080C120S1-E1】GEN3 1200V 80M SIC MOSFET MODULE

    【GCMX080C120S1-E1】GEN3 1200V 80M SIC MOSFET MODULE
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：QSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：28A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 10A、18V・Id印加時の
    ￥3,831.77 税込￥4,214.94
  • 13

    【GCMX003A120S3B1-N】1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE

    【GCMX003A120S3B1-N】1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：QSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：625A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.5ミリオーム @ 300A、20V・Id印加時のVgs（t
    ￥39,136.56 税込￥43,050.21
  • 14

    【GCMX005A120S3B1-N】1200V, 5M SIC MOSFET HALF BRIDGE

    【GCMX005A120S3B1-N】1200V, 5M SIC MOSFET HALF BRIDGE
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：QSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：424A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7ミリオーム @ 200A、20V・Id印加時のVgs（th）
    ￥33,669.32 税込￥37,036.25
  • 15

    【GCMX010A120B3H1P】1200V, 10M SIC MOSFET FULL BRIDG

    【GCMX010A120B3H1P】1200V, 10M SIC MOSFET FULL BRIDG
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：QSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4個のNチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：201A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（th
    ￥23,539.78 税込￥25,893.75
  • 16

    【GCMX020A120B2H2P】1200V, 20M SIC MOSFET FULL BRIDG

    【GCMX020A120B2H2P】1200V, 20M SIC MOSFET FULL BRIDG
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：QSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4個のNチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：102A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 50A、20V・Id印加時のVgs（th）
    ￥14,709.20 税込￥16,180.12
  • 17

    【GCMX040A120B2B1P】1200V, 40M SIC MOSFET HALF BRIDG

    【GCMX040A120B2B1P】1200V, 40M SIC MOSFET HALF BRIDG
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：QSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：56A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：52ミリオーム @ 40A、20V・Id印加時のVgs（th）（
    ￥9,093.11 税込￥10,002.42
  • 18

    【GCMX040A120B2H2P】1200V, 40M SIC MOSFET FULL BRIDG

    【GCMX040A120B2H2P】1200V, 40M SIC MOSFET FULL BRIDG
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：QSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4個のNチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：56A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：52ミリオーム @ 40A、20V・Id印加時のVgs（th）（
    ￥9,093.11 税込￥10,002.42
  • 19

    【GCMX080A120B2H2P】1200V, 80M SIC MOSFET FULL BRIDG

    【GCMX080A120B2H2P】1200V, 80M SIC MOSFET FULL BRIDG
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：QSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4個のNチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：27A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 20A、20V・Id印加時のVgs（th）
    ￥8,016.10 税込￥8,817.71
  • 20

    【GHXS100B170S-D3】1700V, 100A SIC DUAL DIODE MODUL

    【GHXS100B170S-D3】1700V, 100A SIC DUAL DIODE MODUL
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：QSiC™・ダイオード構成：2独立・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1700 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：214A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.65 V @ 100 A・速度：回復時間なし > 500mA（Io）
    ￥10,404.60 税込￥11,445.06
  • 21

    【GHXS050B170S-D3】1700V, 50A SIC DUAL DIODE MODULE

    【GHXS050B170S-D3】1700V, 50A SIC DUAL DIODE MODULE
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：QSiC™・ダイオード構成：2独立・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1700 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：110A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.65 V @ 50 A・速度：回復時間なし > 500mA（Io）・
    ￥7,267.82 税込￥7,994.60
  • 22

    【GP3D050B170B】1700V, 50A SIC DIODE, TO-247-2L

    【GP3D050B170B】1700V, 50A SIC DIODE, TO-247-2L
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：QSiC™・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1700 V・電流 - 平均整流（Io）：151A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.65 V @ 50 A・速度：回復時間なし > 500mA（Io）・逆回復時間（trr）：0 ns・電流 - V
    ￥2,872.95 税込￥3,160.24
  • 23

    【GCMS010B120S1-E1】1700V, 15M SIC MOSFET MODULE, SO

    【GCMS010B120S1-E1】1700V, 15M SIC MOSFET MODULE, SO
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：QSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：204A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A
    ￥9,620.69 税込￥10,582.75
  • 24

    【GP3T016A120H】GEN3 1200V, 16M SIC MOSFET, TO-2

    【GP3T016A120H】GEN3 1200V, 16M SIC MOSFET, TO-2
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：QSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：132A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23ミリオーム @ 50A、
    ￥2,308.24 税込￥2,539.06
  • 25

    【GP3T020A120H】GEN3 1200V, 20M SIC MOSFET, TO-2

    【GP3T020A120H】GEN3 1200V, 20M SIC MOSFET, TO-2
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：QSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオーム @ 40A、
    ￥2,109.42 税込￥2,320.36
  • 26

    【GP3T040A120H】GEN3 1200V, 40M SIC MOSFET, TO-2

    【GP3T040A120H】GEN3 1200V, 40M SIC MOSFET, TO-2
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：QSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：62A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：52ミリオーム @ 20A、1
    ￥1,475.31 税込￥1,622.84
  • 27

    【GP3T080A120H】GEN3 1200V, 80M SIC MOSFET, TO-2

    【GP3T080A120H】GEN3 1200V, 80M SIC MOSFET, TO-2
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：QSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：32A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 10A、
    ￥1,197.27 税込￥1,316.99
  • 28

    【GCMX010B120S1-E1】1200V, 10M SIC MOSFET MODULE, SO

    【GCMX010B120S1-E1】1200V, 10M SIC MOSFET MODULE, SO
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：QSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：204A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A
    ￥7,712.65 税込￥8,483.91
  • 29

    【GCMX030A170S1-E1】SIC MOSFET MOD

    【GCMX030A170S1-E1】SIC MOSFET MOD
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1700 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：66A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：38ミリオーム @ 50A、20V・I
    ￥6,690.81 税込￥7,359.89
  • 30

    【GP2T030A170H】SIC MOSFET

    【GP2T030A170H】SIC MOSFET
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1700 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：83A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：36ミリオーム @ 60A、20V・I
    ￥5,063.53 税込￥5,569.88
  • 31

    【GCMX015A170S1-E1】SIC MOSFET MOD

    【GCMX015A170S1-E1】SIC MOSFET MOD
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1700 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：123A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 100A、20V
    ￥9,940.23 税込￥10,934.25
  • 32

    【GCMX005A170S3B1-N】SIC MOSFET MOD

    【GCMX005A170S3B1-N】SIC MOSFET MOD
    メーカー名：
    SemiQ
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    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：QSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1700V（1.7kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：397A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7ミリオーム @ 200A、20V・Id印加時のVgs（th）
    ￥51,514.90 税込￥56,666.39
  • 33

    【GCMX005A120S7B1】MOSFET 2N-CH 1200V 348A

    【GCMX005A120S7B1】MOSFET 2N-CH 1200V 348A
    メーカー名：
    SemiQ
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    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：348A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7ミリオーム @ 200A、20V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥28,823.87 税込￥31,706.25
  • 34

    【GCMX005A120B3B1P】MOSFET 4N-CH 1200V 383A

    【GCMX005A120B3B1P】MOSFET 4N-CH 1200V 383A
    メーカー名：
    SemiQ
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    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4Nチャンネル（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：383A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7ミリオーム @ 200A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥23,011.37 税込￥25,312.50
  • 35

    【GCMX010A120B3B1P】MOSFET 2N-CH 1200V 173A

    【GCMX010A120B3B1P】MOSFET 2N-CH 1200V 173A
    メーカー名：
    SemiQ
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    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：173A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（th）（
    ￥17,747.13 税込￥19,521.84
  • 36

    【GCMX020A120B3H1P】MOSFET 4N-CH 1200V 93A

    【GCMX020A120B3H1P】MOSFET 4N-CH 1200V 93A
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4個のNチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：93A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 50A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥15,249.43 税込￥16,774.37
  • 37

    【GCMX020A120B2H1P】MOSFET 4N-CH 1200V 102A

    【GCMX020A120B2H1P】MOSFET 4N-CH 1200V 102A
    メーカー名：
    SemiQ
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    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4個のNチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：102A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 50A、20V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥14,567.82 税込￥16,024.60
  • 38

    【GCMX010A120B2B1P】MOSFET 2N-CH 1200V 214A

    【GCMX010A120B2B1P】MOSFET 2N-CH 1200V 214A
    メーカー名：
    SemiQ
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    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：214A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（th）（
    ￥14,658.63 税込￥16,124.49
  • 39

    【GCMX040A120B3H1P】MOSFET 4N-CH 1200V 53A

    【GCMX040A120B3H1P】MOSFET 4N-CH 1200V 53A
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    SemiQ
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    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4個のNチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：53A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：52ミリオーム @ 40A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥10,709.20 税込￥11,780.12
  • 40

    【GCMX020A120B2B1P】MOSFET 2N-CH 1200V 102A

    【GCMX020A120B2B1P】MOSFET 2N-CH 1200V 102A
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：102A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 50A、20V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥10,402.30 税込￥11,442.53
  • 41

    【GCMX040A120B2H1P】MOSFET 4N-CH 1200V 56A

    【GCMX040A120B2H1P】MOSFET 4N-CH 1200V 56A
    メーカー名：
    SemiQ
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    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4個のNチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：56A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：52ミリオーム @ 40A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥10,098.86 税込￥11,108.74
  • 42

    【GCMX080A120B2H1P】MOSFET 4N-CH 1200V 27A

    【GCMX080A120B2H1P】MOSFET 4N-CH 1200V 27A
    メーカー名：
    SemiQ
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    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4個のNチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：27A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 20A、20V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥7,642.53 税込￥8,406.78
  • 43

    【GCMS020B120S1-E1】SIC 1200V 20M MOSFET & 50A SBD S

    【GCMS020B120S1-E1】SIC 1200V 20M MOSFET & 50A SBD S
    メーカー名：
    SemiQ
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：113A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 50A、20V・Id印加時のVgs（
    ￥6,658.63 税込￥7,324.49
  • 44

    【GCMX020B120S1-E1】SIC 1200V 20M MOSFET SOT-227

    【GCMX020B120S1-E1】SIC 1200V 20M MOSFET SOT-227
    メーカー名：
    SemiQ
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：113A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 50A、20V・Id印加時のVgs（
    ￥5,572.42 税込￥6,129.66
  • 45

    【GCMS040B120S1-E1】SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S

    【GCMS040B120S1-E1】SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S
    メーカー名：
    SemiQ
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    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：57A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：52ミリオーム @ 40A、20V・Id印加時のVgs（t
    ￥5,290.81 税込￥5,819.89
  • 46

    【GCMX040B120S1-E1】SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227

    【GCMX040B120S1-E1】SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
    メーカー名：
    SemiQ
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：57A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：52ミリオーム @ 40A、20V・Id印加時のVgs（t
    ￥4,227.06 税込￥4,649.76
  • 47

    【GP2T040A120U】SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L

    【GP2T040A120U】SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L
    メーカー名：
    SemiQ
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    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：63A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：52ミリオーム @ 40A、20V・Id印加時のVgs（t
    ￥2,012.95 税込￥2,214.24
  • 48

    【GP2T040A120H】SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L

    【GP2T040A120H】SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L
    メーカー名：
    SemiQ
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    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：63A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：52ミリオーム @ 40A、20V・Id印加時のVgs（t
    ￥2,084.71 税込￥2,293.18
  • 49

    【GP2T080A120H】SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L

    【GP2T080A120H】SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：35A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 20A、20V・Id印加時のVgs（
    ￥1,441.98 税込￥1,586.17
  • 50

    【GP3D050A065B】DIODE SIL CARB 650V 135A TO247-2

    【GP3D050A065B】DIODE SIL CARB 650V 135A TO247-2
    メーカー名：
    SemiQ
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    最小30個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：Amp+™・技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：650 V・電流 - 平均整流（Io）：135A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.6 V @ 50 A・速度：回復時間なし > 500mA（Io）・逆回復時間（trr）：0 ns・電流 - Vr印
    ￥770.38 税込￥847.41
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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