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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 147件
  • 1

    【TP65H030G4PRS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLT PA

    【TP65H030G4PRS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLT PA
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小1,300個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）
    ￥754.55 税込￥830.00
  • 2

    【TP65H030G4PWS】650V 30M SUPERGAN FET IN TO-247-

    【TP65H030G4PWS】650V 30M SUPERGAN FET IN TO-247-
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：-・Vds印
    ￥1,852.95 税込￥2,038.24
  • 3

    【TDINV3000W050B-KIT】EVAL BOARD FOR TP65H050G4WS

    【TDINV3000W050B-KIT】EVAL BOARD FOR TP65H050G4WS
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・主目的：DC/ACインバータ・出力とタイプ：1非絶縁出力・電源 - 出力：3kW・電圧 - 出力：-・電流 - 出力：-・電圧 - 入力：400V・レギュレータトポロジ：フルブリッジ・周波数 - スイッチング：50kHz・内訳：ボード・使用IC/部品：TP65H050G4WS
    ￥134,581.92 税込￥148,040.11
  • 4

    【TP65H030G4PRS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLT PA [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H030G4PRS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLT PA [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：
    ￥1,816.48 税込￥1,998.12
  • 5

    【TP65H030G4PRS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLT PA

    【TP65H030G4PRS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLT PA
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）
    ￥1,816.48 税込￥1,998.12
  • 6

    【TP65H030G4PQS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLL PA [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H030G4PQS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLL PA [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：
    ￥1,803.53 税込￥1,983.88
  • 7

    【TP65H030G4PQS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLL PA

    【TP65H030G4PQS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLL PA
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）
    ￥1,803.53 税込￥1,983.88
  • 8

    【TP65H030G4PQS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLL PA

    【TP65H030G4PQS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLL PA
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小400個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）
    ￥748.37 税込￥823.20
  • 9

    【TP65H150G4PS】GAN FET N-CH 650V TO-220

    【TP65H150G4PS】GAN FET N-CH 650V TO-220
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 8.5A、10V・I
    ￥1,515.86 税込￥1,667.44
  • 10

    【TP65H100G4PS】Hi Volt FETs

    【TP65H100G4PS】Hi Volt FETs
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：110ミリオーム @ 12A、10V・
    ￥1,486.59 税込￥1,635.24
  • 11

    【TP65H100G4LSGB-TR】Hi Volt FETs [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H100G4LSGB-TR】Hi Volt FETs [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：110ミリオーム @ 12
    ￥1,347.44 税込￥1,482.18
  • 12

    【TP65H100G4LSGB-TR】Hi Volt FETs

    【TP65H100G4LSGB-TR】Hi Volt FETs
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：110ミリオーム @ 1
    ￥1,347.44 税込￥1,482.18
  • 13

    【TP65H100G4LSGB-TR】Hi Volt FETs

    【TP65H100G4LSGB-TR】Hi Volt FETs
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：110ミリオーム @ 1
    ￥474.17 税込￥521.58
  • 14

    【TP65H070G4RS-TR】650 V 29 A GAN FET [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H070G4RS-TR】650 V 29 A GAN FET [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 18A、1
    ￥1,823.53 税込￥2,005.88
  • 15

    【TP65H070G4RS-TR】650 V 29 A GAN FET

    【TP65H070G4RS-TR】650 V 29 A GAN FET
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 18A、
    ￥1,823.53 税込￥2,005.88
  • 16

    【TP65H070G4RS-TR】650 V 29 A GAN FET

    【TP65H070G4RS-TR】650 V 29 A GAN FET
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 18A、
    ￥758.67 税込￥834.53
  • 17

    【TP65H070G4QS-TR】650 V 29 A GAN FET [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H070G4QS-TR】650 V 29 A GAN FET [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、10V・Id印加時
    ￥1,785.89 税込￥1,964.47
  • 18

    【TP65H050G4QS-TR】650 V 34 A GAN FET

    【TP65H050G4QS-TR】650 V 34 A GAN FET
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：34A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 22A、10V・Id印加
    ￥954.53 税込￥1,049.98
  • 19

    【TP65H070G4QS-TR】650 V 29 A GAN FET

    【TP65H070G4QS-TR】650 V 29 A GAN FET
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、10V・Id印加
    ￥1,785.89 税込￥1,964.47
  • 20

    【TP65H070G4QS-TR】650 V 29 A GAN FET

    【TP65H070G4QS-TR】650 V 29 A GAN FET
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、10V・Id印加
    ￥738.06 税込￥811.86
  • 21

    【TP65H050G4QS-TR】650 V 34 A GAN FET [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H050G4QS-TR】650 V 34 A GAN FET [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：34A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 22A、10V・Id印加時
    ￥2,174.12 税込￥2,391.53
  • 22

    【TP65H050G4QS-TR】650 V 34 A GAN FET

    【TP65H050G4QS-TR】650 V 34 A GAN FET
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：34A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 22A、10V・Id印加
    ￥2,174.12 税込￥2,391.53
  • 23

    【TP65H035G4QS】650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG

    【TP65H035G4QS】650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：46.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：41ミリオーム @ 30
    ￥1,711.13 税込￥1,882.24
  • 24

    【TP65H050G4YS】650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE

    【TP65H050G4YS】650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：35A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 22A、10V・Id印
    ￥2,549.42 税込￥2,804.36
  • 25

    【TP65H035G4QS】650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H035G4QS】650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：46.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：41ミリオーム @ 30A
    ￥3,412.95 税込￥3,754.24
  • 26

    【TP65H035G4QS】650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG

    【TP65H035G4QS】650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：46.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：41ミリオーム @ 30
    ￥3,412.95 税込￥3,754.24
  • 27

    【TP65H300G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H300G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 6.5A
    ￥900.00 税込￥990.00
  • 28

    【TP65H300G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8

    【TP65H300G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 6.5
    ￥900.00 税込￥990.00
  • 29

    【TP65H300G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8

    【TP65H300G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 6.5
    ￥237.35 税込￥261.08
  • 30

    【TP65H480G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H480G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：560ミリオーム @ 3A、6
    ￥740.28 税込￥814.30
  • 31

    【TP65H480G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6

    【TP65H480G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：560ミリオーム @ 3A、
    ￥740.28 税込￥814.30
  • 32

    【TP65H480G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6

    【TP65H480G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
    メーカー名：
    Transphorm
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    最小4,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：560ミリオーム @ 3A、
    ￥202.04 税込￥222.24
  • 33

    【TP65H300G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H300G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9.2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 6.5A
    ￥927.78 税込￥1,020.55
  • 34

    【TP65H300G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6

    【TP65H300G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
    メーカー名：
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9.2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 6.5
    ￥927.78 税込￥1,020.55
  • 35

    【TP65H300G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6

    【TP65H300G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小4,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9.2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 6.5
    ￥249.06 税込￥273.96
  • 36

    【TP65H070G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H070G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、1
    ￥1,942.36 税込￥2,136.59
  • 37

    【TP65H070G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8

    【TP65H070G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、
    ￥1,942.36 税込￥2,136.59
  • 38

    【TP65H070G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8

    【TP65H070G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、
    ￥824.65 税込￥907.11
  • 39

    【TP65H480G4JSG】MOSFET 650V, 480mOhm

    【TP65H480G4JSG】MOSFET 650V, 480mOhm
    メーカー名：
    Transphorm
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    最小4,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：560ミリオーム @ 3.4A、8V・Id印
    ￥228.84 税込￥251.72
  • 40

    【TP65H150G4LSG】GAN FET N-CH 650V PQFN [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H150G4LSG】GAN FET N-CH 650V PQFN [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：13A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 8.5A、10V・Id印
    ￥1,073.98 税込￥1,181.37
  • 41

    【TP65H150G4LSG】GAN FET N-CH 650V PQFN

    【TP65H150G4LSG】GAN FET N-CH 650V PQFN
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：13A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 8.5A、10V・Id
    ￥1,073.98 税込￥1,181.37
  • 42

    【TP65H070G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H070G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、1
    ￥1,971.77 税込￥2,168.94
  • 43

    【TP65H070G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8

    【TP65H070G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、
    ￥1,971.77 税込￥2,168.94
  • 44

    【TP65H070G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8

    【TP65H070G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、
    ￥925.66 税込￥1,018.22
  • 45

    【TP65H070G4PS】GANFET N-CH 650V 29A TO220

    【TP65H070G4PS】GANFET N-CH 650V 29A TO220
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 18A、10V・Id印
    ￥1,792.95 税込￥1,972.24
  • 46

    【TP65H150BG4JSG-TR】GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H150BG4JSG-TR】GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 10A、6
    ￥1,069.87 税込￥1,176.85
  • 47

    【TP65H150BG4JSG-TR】GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6

    【TP65H150BG4JSG-TR】GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 10A、
    ￥1,069.87 税込￥1,176.85
  • 48

    【TP65H150BG4JSG-TR】GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6

    【TP65H150BG4JSG-TR】GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小4,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 10A、
    ￥305.12 税込￥335.63
  • 49

    【TP65H300G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN

    【TP65H300G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 5A、8V・Id印加時
  • 50

    【TP65H300G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H300G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 5A、8V・Id印加時の
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