半導体 　[ メーカー:ST%E3%83%9E%E3%82%A4%E3%82%AF%E3%83%AD%E3%82%A8%E3%83%AC%E3%82%AF%E3%83%88%E3%83%AD%E3%83%8B%E3%82%AF%E3%82%B9 ]の検索結果

【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：STM32L4・DigiKeyプログラマブル：未検証・コアプロセッサ：ARM® Cortex®-M4・コアサイズ：32ビットシングルコア・速度：80MHz・接続性：CANbus、I2C、IrDA、LINbus、MMC/SD、QSPI、SAI、SPI、SWPMI、UART/USART、USB・ペリフェラル：電圧低下検出/リセット、

【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：STM32G4・DigiKeyプログラマブル：未検証・コアプロセッサ：ARM® Cortex®-M4F・コアサイズ：32ビットシングルコア・速度：170MHz・接続性：CANbus、I2C、IrDA、LINbus、QSPI、SPI、UART/USART・ペリフェラル：ブラウンアウト検出/リセット、DMA、I2S、POR、PWM、

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：iNEMO・センサのタイプ：加加速度計、ジャイロスコープ、温度、6軸・出力タイプ：I2C、SPI・動作温度：-40°C～85°C・グレード：-・認定：-・パッケージ/ケース：14-VFLGAモジュール・サプライヤデバイスパッケージ：14-LGA（2.5x3）・取り付けタイプ：面実装

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・プロトコル：USB・機能：制御装置・インターフェース：I2C・標準：USB 2.0・電圧 - 供給：4.1V～22V・電流 - 供給：-・動作温度：-40°C～105°C・パッケージ/ケース：24-VFQFN露出パッド・サプライヤデバイスパッケージ：24-QFN（4x4）

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：MDmesh™ K5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2オーム @ 2.5A、10V・Id印加時

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・ダイオード構成：2独立・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：170 V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：100A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：830 mV @ 100 A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - V

【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：STM32G4・DigiKeyプログラマブル：未検証・コアプロセッサ：ARM® Cortex®-M4・コアサイズ：32ビットシングルコア・速度：170MHz・接続性：CANbus、I2C、IrDA、LINbus、QSPI、SAI、SPI、UART/USART、USB・ペリフェラル：ブラウンアウト検出/リセット、DMA、I2S、P

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：STM32F4・DigiKeyプログラマブル：未検証・コアプロセッサ：ARM® Cortex®-M4・コアサイズ：32ビットシングルコア・速度：168MHz・接続性：CANbus、I2C、IrDA、LINbus、SPI、UART/USART、USB OTG・ペリフェラル：ブラウンアウト検出/リセット、DMA、I2

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・出力絶縁：絶縁型・内部スイッチ：あり・電圧 - ブレークダウン：900V・トポロジ：フライバック・電圧 - スタートアップ：13 V・電圧 - 電源（Vcc/Vdd）：11.5V～23V・デューティサイクル：-・周波数 - スイッチング：最大166kHz・電力（ワット）：-・フォールト保護：電流制限、短絡回路・

提携先在庫数：31個（2024/09/17 9:00 現在）　●仕様モータタイプブラシ付きDCトポロジーフルブリッジ最大IGBTコレクタ電流4A最大コレクタ- エミッタ間電圧48 V実装タイプスルーホールパッケージタイプMULTIWATT V動作供給電圧 Max48 Vピン数11動作供給電圧 Min12 V長さ19.6mm幅5mm動作温度 Min-40 ℃高さ10.7

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：USBY・タイプ：ステアリング（レールツーレール）・一方向チャンネル：2・双方向チャンネル：-・電圧 - 逆スタンドオフ（標準）：5.25V・電圧 - ブレークダウン（最小）：6V・電圧 - クランピング（最大）@ Ipp：17V・電流 - ピークパルス（10/1000μs）：5A（8/20µs）・電力 - ピーク

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：STSPIN L64・モータタイプ - ステッピング：バイポーラ・モータタイプ - AC、DC：-・機能：ドライバ - 完全統合型、制御およびパワー段・出力構成：ハーフブリッジ（4）・インターフェース：SPI・技術：DMOS・ステップ分解能：1～1/128・用途：汎用・電流 - 出力：3A・電圧 - 供給：3.3

【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：STM32G4・DigiKeyプログラマブル：未検証・コアプロセッサ：ARM® Cortex®-M4F・コアサイズ：32ビットシングルコア・速度：170MHz・接続性：CANbus、I2C、IrDA、LINbus、SPI、UART/USART・ペリフェラル：ブラウンアウト検出/リセット、DMA、I2S、POR、PWM、WDT・I

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：未検証・RFファミリ/標準：802.15.4、Bluetooth・プロトコル：Bluetooth v5.0、スレッド、Zigbee®・変調：-・周波数：2.4GHz・データレート：2Mbps・電源 - 出力：6dBm・感度：-100dBm・シリアルインターフェース：ADC、I2C

提携先在庫数：6個（2024/09/17 9:00 現在）　●仕様メモリサイズ = 1Mbitインターフェースタイプ = シリアル-I2Cパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 128 x 8ビット動作供給電圧 Min = 1.8 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 1.7 → 5.5V寸法 = 5 x

【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：STM32L4・DigiKeyプログラマブル：未検証・コアプロセッサ：ARM® Cortex®-M4・コアサイズ：32ビットシングルコア・速度：80MHz・接続性：CANbus、I2C、IrDA、LINbus、MMC/SD、QSPI、SAI、SPI、SWPMI、UART/USART、USB OTG・ペリフェラル：電圧低下検出/リ

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・出力構成：ポジティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：35V・電圧 - 出力（最小/固定）：9V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：2V @ 1A（標準）・電流 - 出力：1.5A・電流 - 静止（Iq）：6 mA・電流 - 供給（最大）：-・PSRR：61

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・DigiKeyプログラマブル：検証済み・メモリタイプ：不揮発性・メモリフォーマット：EEPROM・技術：EEPROM・メモリサイズ：16Kビット・メモリ構成：2K x 8・メモリインターフェース：I2C・クロック周波数：400 kHz・書き込みサイクル時間 - ワード、ページ：5ms・アクセス時間：900 n

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperMESH™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：520 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.4A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @ 2.2A、10V・Id

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・出力構成：ポジティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：18V・電圧 - 出力（最小/固定）：3.3V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：0.6V @ 1.2A・電流 - 出力：1.2A・電流 - 静止（Iq）：500 µA・電流 - 供給（最大）：-・PSR

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：USB・タイプ：ステアリング（レールツーレール）・一方向チャンネル：2・双方向チャンネル：-・電圧 - 逆スタンドオフ（標準）：5.25V・電圧 - ブレークダウン（最小）：6V・電圧 - クランピング（最大）@ Ipp：17V・電流 - ピークパルス（10/1000μs）：5A（8/20µs）・電力 - ピーク

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トライアックタイプ：標準・電圧 - オフ状態：600 V・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：25 A・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：1.3 V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz（Itsm）：250A、260A・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：50 mA・電流 - ホールド（Ih）（

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP - ダーリントン・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：5 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：100 V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：4V @ 20mA、5A・電流 - コレクタ遮断（最大）：500µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：1000 @

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：STM32L0・DigiKeyプログラマブル：検証済み・コアプロセッサ：ARM® Cortex®-M0+・コアサイズ：32ビットシングルコア・速度：32MHz・接続性：I2C、IrDA、SPI、UART/USART、USB・ペリフェラル：電圧低下検出/リセット、DMA、POR、PWM、WDT・I/O数：27・プロ

提携先在庫数：10個（2024/09/17 9:00 現在）　●仕様実装タイプスルーホールパッケージタイプDO-201AD最大連続 順方向電流5Aピーク逆繰返し電圧600Vダイオード構成シングル整流タイプスイッチングダイオードタイプ整流器ピン数2最大順方向降下電圧1.3V1チップ当たりのエレメント数1ダイオードテクノロジーシリコンジャンクションピーク逆回復時間95ns

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：STM32C0・DigiKeyプログラマブル：未検証・コアプロセッサ：ARM® Cortex®-M0+・コアサイズ：32ビット・速度：48MHz・接続性：I2C、IrDA、LINbus、SPI、UART/USART・ペリフェラル：電圧低下検出/リセット、POR、PWM、温度センサー、WDT・I/O数：6・プログラムメモリサイズ

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperMESH™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：800 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.8オーム @ 2.6A、10V・Id

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・出力構成：ポジティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：15V・電圧 - 出力（最小/固定）：3.3V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：1.2V @ 800mA・電流 - 出力：800mA・電流 - 静止（Iq）：10 mA・電流 - 供給（最大）：-・PSRR：75dB

●仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 32.5V最小ブレークダウン電圧 = 17.1V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201最大逆スタンドオフ電圧 = 15.3Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 308A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃寸法 =

【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：STM32C0・DigiKeyプログラマブル：未検証・コアプロセッサ：ARM® Cortex®-M0+・コアサイズ：32ビット・速度：48MHz・接続性：I2C、IrDA、LINbus、SPI、UART/USART・ペリフェラル：電圧低下検出/リセット、POR、PWM、温度センサー、WDT・I/O数：18・プログラムメモリサイズ

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・出力構成：ポジティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：35V・電圧 - 出力（最小/固定）：15V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：2V @ 1A（標準）・電流 - 出力：1.5A・電流 - 静止（Iq）：6 mA・電流 - 供給（最大）：-・PSRR：58dB（120

提携先在庫数：1060個（2024/09/17 9:00 現在）　●仕様実装タイプスルーホールパッケージタイプDO-35最大連続 順方向電流200mAピーク逆繰返し電圧30Vダイオード構成シングル整流タイプショットキーダイオードダイオードタイプショットキーピン数2最大順方向降下電圧450mV1チップ当たりのエレメント数1ダイオードテクノロジーショットキーバリアピーク逆

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・アンプタイプ：J-FET・回路数：2・出力タイプ：-・スルーレート：16V/µs・ゲイン帯域幅積：4 MHz・帯域幅-3db：-・電流 - 入力バイアス：20 pA・電圧 - 入力オフセット：3 mV・電流 - 供給：1.4mA・電流 - 出力/チャンネル：40 mA・電圧 - スパン（最小）：6 V・電圧

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・出力構成：ネガティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：-35V・電圧 - 出力（最小/固定）：-5V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：1.4V @ 1A（標準）・電流 - 出力：1.5A・電流 - 静止（Iq）：3 mA・電流 - 供給（最大）：-・PSR

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・周波数：-・感度：-・データレート（最大）：-・変調またはプロトコル：BeiDou、Galileo、GLONASS、GNSS、GPS・用途：GPS・電流 - 受信：-・データインターフェース：GPIO、I2C、UART・メモリサイズ：-・アンテナコネクタ：含まれていません・特長：-・電圧 - 供給：1.8V～

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：STM32F0・DigiKeyプログラマブル：未検証・コアプロセッサ：ARM® Cortex®-M0・コアサイズ：32ビットシングルコア・速度：48MHz・接続性：I2C、SPI、UART/USART・ペリフェラル：DMA、POR、PWM、WDT・I/O数：15・プログラムメモリサイズ：16KB（16K x 8）・プログラムメ

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：100 V・電流 - 平均整流（Io）：150mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：450 mV @ 10 mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5 µA

【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・センサのタイプ：アナログ、ローカル・センシング温度 - ローカル：-40°C～125°C・センシング温度 - リモート：-・出力タイプ：アナログ電圧・電圧 - 供給：-・分解能：10mV/°K・特長：-・精度 - 最高（最低）：±1.5°C・テスト条件：-40°C～125°C・動作温度：-40°C～125°C・取り付けタイプ

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・出力構成：ポジティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：35V・電圧 - 出力（最小/固定）：12V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：2V @ 1A（標準）・電流 - 出力：1.5A・電流 - 静止（Iq）：8 mA・電流 - 供給（最大）：-・PSRR：55dB（120

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：MDmesh™ II Plus・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：13A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：280ミリオーム @ 6.5A、

提携先在庫数：570個（2024/09/17 9:00 現在）　●仕様実装タイプスルーホールパッケージタイプDO-35最大連続 順方向電流350mAピーク逆繰返し電圧40Vダイオード構成シングル整流タイプショットキーダイオードダイオードタイプショットキーピン数2最大順方向降下電圧900mV1チップ当たりのエレメント数1ダイオードテクノロジーショットキー直径2mmピーク

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・出力構成：ポジティブ・出力タイプ：固定・レギュレータ数：1・電圧 - 入力（最大）：35V・電圧 - 出力（最小/固定）：5V・電圧 - 出力（最大）：-・電圧ドロップアウト（最大）：2V @ 1A（標準）・電流 - 出力：1.5A・電流 - 静止（Iq）：6 mA・電流 - 供給（最大）：-・PSRR：68dB（120H

L79シリーズの－15V出力 3端子負レギュレータ適切なヒートシンクを使用すると、1.5Aを超える出力電流を供給することができます。●特長・出力電流：最大1.5A・出力電圧：－15V・熱過負荷保護回路、短絡保護回路、出力SOA保護回路を内蔵・出力許容誤差：4％(＠25℃)

●特長・出力電流 最大1.5A・熱過負荷保護機能・短絡保護機能・出力遷移SOA保護機能●仕様パッケージ/ケースTO-220出力電圧12V出力電流1.5A入力電圧最大値35V動作温度0℃～＋125℃※【NJM7812FA】同等品

L79シリーズの－12V出力 3端子負レギュレータ適切なヒートシンクを使用すると、1.5Aを超える出力電流を供給することができます。●特長・出力電流：最大1.5A・出力電圧：－12V・熱過負荷保護回路、短絡保護回路、出力SOA保護回路を内蔵・出力許容誤差：4％(＠25℃)

【仕様】パッケージDO-35ブレークオーバー電圧最小28V　最大36Vブレークオーバー電圧シメントリー3V動的ブレークオーバー電圧5V出力電圧5Vブレークオーバー電流50μA上昇時間2μs漏電流10μA最大定格IP0.30A

●特長・出力電流 最大1.5A・熱過負荷保護機能・短絡保護機能・出力遷移SOA保護機能●仕様パッケージ/ケースTO-220出力電圧24V出力電流1.5A入力電圧最大値40V動作温度0℃～＋125℃※【NJM7824FA】同等品

正電圧可変型の3端子レギュレーター2本の固定抵抗または1個のポテンショメータ(可変抵抗器)で出力電圧を設定できる3端子レギュレーターです。電流制限機能、熱暴走保護機能、安全領域保護機能をチップに内蔵しています。【ご注意】※使用する際は、入出力に一個ずつのバイパスコンデンサと適宜放熱器が必要です。※このICの放熱タブは絶縁する必要があります。●仕様入力電圧1.2V〜40

●特長・出力電流 最大1.5A・熱過負荷保護機能・短絡保護機能・出力遷移SOA保護機能●仕様パッケージ/ケースTO-220出力電圧5V出力電流1.5A入力電圧最大値35V動作温度0℃～＋125℃※【NJM7805FA】同等品

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：Snubberless™・トライアックタイプ：オルタニスタ - スナバレス・電圧 - オフ状態：800 V・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：25 A・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：1.3 V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz（Itsm）：250A、260A・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最