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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

検索結果 10,476件中1～50件目
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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【SI5504BDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8

    【SI5504BDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A、3.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVg
    ￥332.86 税込￥366.14
  • 2

    【SH8KC6TB1】MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP

    【SH8KC6TB1】MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 6.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2
    ￥268.58 税込￥295.43
  • 3

    【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

    【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印
    ￥244.29 税込￥268.71
  • 4

    【IAUC60N04S6L030HATMA1】MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON

    【IAUC60N04S6L030HATMA1】MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 6・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：60A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3ミリオーム @ 30A、10V・Id印
    ￥235.72 税込￥259.29
  • 5

    【PMDPB55XPAX】MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON

    【PMDPB55XPAX】MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Ta）、9.3A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：66ミリオーム @ 3.6A、4.5V・Id印加時のVgs（
    ￥172.86 税込￥190.14
  • 6

    【DMHC3025LSD-13】MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO

    【DMHC3025LSD-13】MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nおよび2 Pチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、4.2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm
    ￥282.86 税込￥311.14
  • 7

    【2N7002DW】60V 115MA 7.5@10V,500MA 200MW 2.

    【2N7002DW】60V 115MA 7.5@10V,500MA 200MW 2.
    メーカー名：
    -
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：
    ￥37.15 税込￥40.86
  • 8

    【SI4554DY-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

    【SI4554DY-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：24ミリオーム @ 6.8A、10V・Id印加時のVgs（th）（
    ￥254.29 税込￥279.71
  • 9

    【TPC8408,LQ(S】MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【TPC8408,LQ(S】MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.1A、5.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥228.58 税込￥251.43
  • 10

    【FS8205A】DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

    【FS8205A】DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
    メーカー名：
    EVVO Semi
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル、コモンドレイン・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：27ミリオーム @ 6A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.
    ￥74.29 税込￥81.71
  • 11

    【CSD87501LT】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

    【CSD87501LT】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @
    ￥235.72 税込￥259.29
  • 12

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @
    ￥177.15 税込￥194.86
  • 13

    【TC6215TG-G】MOSFET N/P-CH 150V 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

    【TC6215TG-G】MOSFET N/P-CH 150V 8SOIC [digi-reel品]
    メーカー名：
    Microchip
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4オーム @ 2A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V @ 1mA・Vgs印加時のゲ
    ￥402.86 税込￥443.14
  • 14

    【AOCA33102E】MOSFET 2N-CH 12V 50A 14DFN

    【AOCA33102E】MOSFET 2N-CH 12V 50A 14DFN
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    最小8,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル、コモンドレイン・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.4ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：
    ￥102.86 税込￥113.14
  • 15

    【BSO220N03MDGXUMA1】MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO

    【BSO220N03MDGXUMA1】MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 7.7A、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥41.62 税込￥45.78
  • 16

    【SI5504BDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SI5504BDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A、3.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVgs
    ￥332.86 税込￥366.14
  • 17

    【DMT47M2LDVQ-13】MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333 [digi-reel品] DigiReel商品

    【DMT47M2LDVQ-13】MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333 [digi-reel品]
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11.9A（Ta）、30.2A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10.8ミリオーム @ 20A、10V・Id印加時のVg
    ￥365.72 税込￥402.29
  • 18

    【CSD87381PT】MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB

    【CSD87381PT】MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16.3ミリオーム @ 8A、8V・Id印加時のVgs
    ￥222.86 税込￥245.14
  • 19

    【M1P45M12W2-1LA】MOSFET 6N-CH 1200V ACEPACK DMT

    【M1P45M12W2-1LA】MOSFET 6N-CH 1200V ACEPACK DMT
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：ECOPACK®・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 N-Channel（Phase Leg）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60.5ミリオーム @ 20A、18V・I
    ￥9,872.42 税込￥10,859.66
  • 20

    【FDS9926A】MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC

    【FDS9926A】MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6.5A、4.5V・Id印加
    ￥240.00 税込￥264.00
  • 21

    【BSO220N03MDGXUMA1】MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO [digi-reel品] DigiReel商品

    【BSO220N03MDGXUMA1】MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO [digi-reel品]
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 7.7A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥254.29 税込￥279.71
  • 22

    【SQJB44EP-T1_JE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40V (D

    【SQJB44EP-T1_JE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40V (D
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.2ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥431.43 税込￥474.57
  • 23

    【CAB400M12XM3】1200V SiCハーフブリッジモジュール

    【CAB400M12XM3】1200V SiCハーフブリッジモジュール
    メーカー名：
    Wolfspeed
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：395A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.3ミリオーム @ 400A、15V・Id印加時のVgs（th）（最大）：
    ￥108,920.22 税込￥119,812.24
  • 24

    【DMG1024UV-7】MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563

    【DMG1024UV-7】MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.38A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：450ミリオーム @ 600mA、4.5V・Id印加時のVgs（th
    ￥117.15 税込￥128.86
  • 25

    【SSM6L35FU(TE85L,F)】MOSFET N/P-CH 20V 0.18A US6

    【SSM6L35FU(TE85L,F)】MOSFET N/P-CH 20V 0.18A US6
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：180mA、100mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3オーム @ 50mA、4V・Id印加時のVg
    ￥98.58 税込￥108.43
  • 26

    【TPC8407,LQ(S】MOSFET N/P-CH 30V 9A/7.4A 8SOP

    【TPC8407,LQ(S】MOSFET N/P-CH 30V 9A/7.4A 8SOP
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A、7.4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）
  • 27

    【QH8KB6TCR】MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【QH8KB6TCR】MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17.7ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V
    ￥357.15 税込￥392.86
  • 28

    【IMT65R50M2HXUMA1】IMT65R50M2HXUMA1

    【IMT65R50M2HXUMA1】IMT65R50M2HXUMA1
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電
    ￥1,418.52 税込￥1,560.37
  • 29

    【AW2K21AR】30V 20A, DUAL NCH+NCH, WLCSP2020 [digi-reel品] DigiReel商品

    【AW2K21AR】30V 20A, DUAL NCH+NCH, WLCSP2020 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2個のNチャンネル、コモンソース・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3ミリオーム @ 20A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V
    ￥631.95 税込￥695.14
  • 30

    【IRF7309TRPBF】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO

    【IRF7309TRPBF】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A、3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 2.4A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V
    ￥278.58 税込￥306.43
  • 31

    【HT8KE6TB1】MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT

    【HT8KE6TB1】MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）、13A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：57ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（
    ￥472.86 税込￥520.14
  • 32

    【CSD87351ZQ5D】MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON [digi-reel品] DigiReel商品

    【CSD87351ZQ5D】MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON [digi-reel品]
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：32A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.1V @ 2
    ￥415.72 税込￥457.29
  • 33

    【SSM6L807R,LF】MOSFET N/P-CH 30V 4A 6TSOPF

    【SSM6L807R,LF】MOSFET N/P-CH 30V 4A 6TSOPF
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：39.1ミリオーム @ 2A、 4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @
    ￥172.86 税込￥190.14
  • 34

    【SH8M4TB1】MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【SH8M4TB1】MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A、7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V
    ￥563.89 税込￥620.27
  • 35

    【SH8M4TB1】MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP

    【SH8M4TB1】MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A、7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5
    ￥563.89 税込￥620.27
  • 36

    【HAT3015R-EL-E】NCH/PCH POWER MOSFET 200V 0.5A 2

    【HAT3015R-EL-E】NCH/PCH POWER MOSFET 200V 0.5A 2
    メーカー名：
    ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA（Ta）、250mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.2オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥489.32 税込￥538.25
  • 37

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR [digi-reel品] DigiReel商品

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR [digi-reel品]
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @ 2
    ￥177.15 税込￥194.86
  • 38

    【NX5020UNBKSX】NX5020UNBKS/SOT363/SC-88

    【NX5020UNBKSX】NX5020UNBKS/SOT363/SC-88
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA (Ta), 480mA (Tc)・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.8Ohm @ 300mA, 10V・Id印加
    ￥61.43 税込￥67.57
  • 39

    【WI62195】MOSFET 2N-CH 750V 9A 14PQFN

    【WI62195】MOSFET 2N-CH 750V 9A 14PQFN
    メーカー名：
    -
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：WiseGan™・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：750V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：250ミリオーム @ 2A、6V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1
    ￥1,361.73 税込￥1,497.90
  • 40

    【AO6602L】MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP

    【AO6602L】MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネルコンプリメンタリ・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥29.80 税込￥32.78
  • 41

    【FDS6990A】MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

    【FDS6990A】MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18ミリオーム @ 7.5A、10V・Id印加時
  • 42

    【CSD88539ND】MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

    【CSD88539ND】MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC [digi-reel品]
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3.6
    ￥248.58 税込￥273.43
  • 43

    【NDS9936】MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC

    【NDS9936】MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V
    ￥67.75 税込￥74.52
  • 44

    【SLA5086】MOSFET 5P-CH 60V 5A 12SIP

    【SLA5086】MOSFET 5P-CH 60V 5A 12SIP
    メーカー名：
    サンケン電気
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：5Pチャンネル、コモンソース・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：220ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V @ 250
    ￥1,446.92 税込￥1,591.61
  • 45

    【SH8KB6TB1】MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP

    【SH8KB6TB1】MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19.4ミリオーム @ 8.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）
    ￥310.00 税込￥341.00
  • 46

    【FBG30N04CSH】MOSFET 2N-CH 300V 4A 4SMD

    【FBG30N04CSH】MOSFET 2N-CH 300V 4A 4SMD
    メーカー名：
    EPC
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：eGaN®・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：300V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：404ミリオーム @ 4A、5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.8V @
    ￥63,624.47 税込￥69,986.91
  • 47

    【BSS138DW-7-F】MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363 [digi-reel品] DigiReel商品

    【BSS138DW-7-F】MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363 [digi-reel品]
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.5オーム @ 220mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥131.43 税込￥144.57
  • 48

    【G180C06Y】MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4

    【G180C06Y】MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
    メーカー名：
    Goford Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル、コモンドレイン・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）、60A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 20A、10V、23ミリオーム @
    ￥307.15 税込￥337.86
  • 49

    【FDC6420C】MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【FDC6420C】MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A、2.2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時のVg
    ￥218.58 税込￥240.43
  • 50

    【SH8KC6TB1】MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【SH8KC6TB1】MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 6.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.
    ￥268.58 税込￥295.43
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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