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すべてのジャンル  [ メーカー:オンセミコンダクター 納期:売り切れ ]の検索結果

検索結果 32,213件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SWITCHMODE™・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):600 V・電流 - 平均整流(Io):8A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.5 V @ 8 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):60 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・アンプタイプ:標準・回路数:4・出力タイプ:-・スルーレート:7V/µs・ゲイン帯域幅積:16 MHz・帯域幅-3db:-・電流 - 入力バイアス:300 nA・電圧 - 入力オフセット:150 µV・電流 - 供給:8.4mA・電流 - 出力/チャンネル:37 mA・電圧 - スパン(最小):10 V・電圧 - スパン(
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:箱入りテープ(TB)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):40 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):900 µA @ 20 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):800 mV @ 10
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:箱入りテープ(TB)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):20V・周波数 - トランジション:600MHz・雑音指数(fあたりの標準dB):-・ゲイン:-・電力 - 最大:350mW・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):60 @ 5mA、10V・電流 - コレクタ(Ic)(
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・アンプタイプ:標準・回路数:2・出力タイプ:-・スルーレート:2V/µs・ゲイン帯域幅積:5 MHz・帯域幅-3db:-・電流 - 入力バイアス:100 nA・電圧 - 入力オフセット:150 µV・電流 - 供給:-・電流 - 出力/チャンネル:100 mA・電圧 - スパン(最小):4 V・電圧 - スパン(最大):3
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・用途:過電圧保護コントローラ、電流制限・電圧 - 入力:1.2V~28V・電圧 - 供給:1.2V~28V・電流 - 供給:42 µA・動作温度:-40°C~85°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:8-VFDFN露出パッド・サプライヤ
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・出力タイプ:トランジスタドライバ・機能:ステップダウン・出力構成:ポジティブ・トポロジ:バック・出力数:1・出力フェーズ:1・電圧 - 電源(Vcc/Vdd):3.1V~40V・周波数 - スイッチング:100kHz~500kHz・デューティサイクル(最大):93%・同期整流器:なし・クロック同期:あり・シリ
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:4000B・論理タイプ:インバータ・回路数:6・入力数:1・特長:シュミットトリガ・電圧 - 供給:3V~18V・電流 - 静止(最大):1 µA・電流 - 出力高、低:8.8mA、8.8mA・論理レベル - 低:1.6V~4.6V・論理レベル - 高:3.4V~10.5V・V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:QFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):160A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7ミリオーム @ 80A、10V・Id印加時のVgs
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SWITCHMODE™・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io):15A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.05 V @ 15 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):35 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・チャンネル数:1・電圧 - 絶縁:5300Vrms・電流伝達率(最小):-・電流伝達率(最大):-・ターンオン/ターンオフ時間(標準):25µs、25µs(最大)・立ち上がり/立ち下がり時間(標準):-・入力タイプ:DC・出力タイプ:MOSFET・電圧 - 出力(最大):15V・電流 - 出力/チャンネル:-・電圧 - 順
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:箱入りテープ(TB)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN - プリバイアス・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50 V・抵抗器を含む:R1とR2・抵抗 - ベース(R1):10 kOhms・抵抗 - エミッタベース(R2):10 kOhms・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:74VHC・機能:マスターリセット・タイプ:Dタイプ・出力タイプ:コンプリメンタリ・素子数:1・素子あたりのビット数:4・クロック周波数:115 MHz・V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延:9.3ns @ 5V、50pF・トリガタイプ:ポジティブエッジ・電流 - 出力高、低:8mA、8mA・電圧 - 供給:2
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・タイプ:シンプルリセット/パワーオンリセット・モニタ電圧数:1・電圧 - 閾値:2.71V・出力:オープンドレインまたはオープンコレクタ・リセット:アクティブLow・タイムアウトリセット:-・動作温度:0°C~70°C(TA)・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:スル
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・チャンネル数:2・電圧 - 絶縁:2500Vrms・電流伝達率(最小):500% @ 1.6mA・電流伝達率(最大):-・ターンオン/ターンオフ時間(標準):3µs、22µs・立ち上がり/立ち下がり時間(標準):-・入力タイプ:DC・出力タイプ:ダーリントン・電圧 - 出力(最大):18V・電流 - 出力/チャンネル:60m
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・機能:ステップダウン・出力構成:ポジティブ・トポロジ:バック・出力タイプ:可変・出力数:1・電圧 - 入力(最小):4.75V・電圧 - 入力(最大):16V・電圧 - 出力(最小/固定):0.6V・電圧 - 出力(最大):14V・電流 - 出力:2A・周波数 - スイッチング:370kHz・同期整流器:なし
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN - ダーリントン・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):100 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.5V @ 100µA、100mA・電流 - コレクタ遮断(最大):500nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・タイプ:マルチプレクサ/デマルチプレクサ・回路:2 x 4:1・独立回路:1・電流 - 出力高、低:-・電源:単電源・電圧 - 供給:4V~5.5V・動作温度:-40°C~85°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:16-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)・サプライヤ
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・DigiKeyプログラマブル:未検証・用途:過電圧保護コントローラ、電流制限・電圧 - 入力:1.2V~28V・電圧 - 供給:1.2V~28V・電流 - 供給:42 µA・動作温度:-40°C~85°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:8-VFDFN露出パッド・サプライヤ
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):50 V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):700 mV @ 1 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500 µA @
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    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・タイプ:リニア・トポロジ:-・内部スイッチ:あり・出力数:1・電圧 - 供給(最小):3V・電圧 - 供給(最大):5.5V・電圧 - 出力:25V・電流 - 出力/チャンネル:1A・周波数:-・調光:PWM・用途:照明・動作温度:-40°C~85°C(TA)・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パ
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):20 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:600mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):14
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:-・シリーズ:OPTOLOGIC®・センシング距離:0.124インチ(3.15mm)・センシング方法:透過光・出力構成:トーテムポール、バッファ・取り付けタイプ:シャーシマウント・電流 - 供給:5 mA・電圧 - 供給:4V~16V・応答時間:70ns・動作温度:-40°C~85°C・パッケージ/ケース:モジュール、PCピン、スロット型
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):45 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:500mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):40 @
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):600 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):30 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.6V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):10µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):8.2 V・許容誤差:±6%・電力 - 最大:1 W・インピーダンス(最大)(Zzt):5 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:1 µA @ 5 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2 V @ 200 mA・動作温度:-65°C~200°C・グレード:-・認定:-
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):6 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):40 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.5V @ 600mA、6A・電流 - コレクタ遮断(最大):700µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):15 @ 3A、4V・電力
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):46ミリオーム @ 15A、5V・Id印加時のVgs(th)(最
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:箱入りテープ(TB)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):45 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:600mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断(最大):15nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP - プリバイアス・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50 V・抵抗器を含む:R1とR2・抵抗 - ベース(R1):10 kOhms・抵抗 - エミッタベース(R2):10 kOhms・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイ
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):25 V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2 mA @ 15 V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):1 V @ 10 nA・
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:QFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):360ミリオーム @ 4.75A、10V・Id印加
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:100EP・論理タイプ:差動レシーバ/ドライバ・電源電圧:3V~5.5V・ビット数:-・動作温度:-40°C~85°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)・サプライヤデバイスパッケージ:8-SOIC
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):600 V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.1 V @ 1 A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA @ 600 V
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:UltraFET™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):75A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7ミリオーム @ 75A、10V・Id印加時の
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:*・機能:-・バッテリ化学反応:-・セル数:-・フォールト保護:-・インターフェース:-・動作温度:-・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:-・パッケージ/ケース:-・サプライヤデバイスパッケージ:
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:7SZ・論理タイプ:インバータ・回路数:1・入力数:1・特長:-・電圧 - 供給:1.65V~5.5V・電流 - 静止(最大):2 µA・電流 - 出力高、低:32mA、32mA・論理レベル - 低:-・論理レベル - 高:-・V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延:4.3ns @ 5V、50pF・動作温度:-40
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):45 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:700mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断(最大):50nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):200
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):30 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:650mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断(最大):15nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):110
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):30 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:600mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断(最大):15nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):110
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):80ミリオーム @ 15A、10V・Id印加時のVgs(th)(
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30 V・電流 - 平均整流(Io):3A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):500 mV @ 3 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500 µA @
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・機能:ハードウェアモニタ・センサのタイプ:内蔵・センシング温度:-40°C~125°C、外部センサー・精度:±3°Cローカル(最大)、±12°Cリモート(最大)・トポロジ:ADC、コンパレータ、ファン制御、マルチプレクサ、レジスタバンク・出力タイプ:I2C/SMBus・出力アラーム:なし・出力ファン:あり・電圧 - 供給:2
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100 mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):30 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:600mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断(最大):15nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):40 @
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・チャンネル数:2・入力 - サイド1/サイド2:2/0・電圧 - 絶縁:2500Vrms・コモンモード過渡耐性(最小):10kV/µs(標準)・入力タイプ:DC・出力タイプ:オープンコレクタ・電流 - 出力/チャンネル:50 mA・データレート:10Mbps・伝搬遅延tpLH/tpHL(最大):75ns、75ns・立ち上が
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:PowerTrench®, SyncFET™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):11.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・出力構成:ポジティブ・出力タイプ:固定・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):6V・電圧 - 出力(最小/固定):1.5V・電圧 - 出力(最大):-・電圧ドロップアウト(最大):0.8V @ 80mA・電流 - 出力:80mA・電流 - 静止(Iq):1 µA・電流 - 供給(最大):6 µA・PSR
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:4000B・論理タイプ:カウンタ、10進・方向:上・素子数:1・素子あたりのビット数:10・リセット:非同期・タイミング:同期・カウント率:16 MHz・トリガタイプ:ポジティブ、ネガティブ・電圧 - 供給:3 V ~ 18 V・動作温度:-55°C~125°C(TA)・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・電圧:40V・電力散逸(最大):300 mW・電圧 - 出力:11V・電圧 - オフセット(Vt):1.6 V・電流 - ゲートアノード間リーケージ(Igao):10 nA・電流 - 谷(Iv):50 µA・電流 - ピーク:2 µA・パッケージ/ケース:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・出力構成:ポジティブ・出力タイプ:固定・レギュレータ数:1・電圧 - 入力(最大):35V・電圧 - 出力(最小/固定):6V・電圧 - 出力(最大):-・電圧ドロップアウト(最大):2V @ 1A(標準)・電流 - 出力:1A・電流 - 静止(Iq):8 mA・電流 - 供給(最大):-・PSRR:73dB(120Hz)
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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