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    NEXPERIA
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:TrenchMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):120A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.2ミリオーム @ 25A、10V・Id
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:74HC・論理タイプ:単安定・独立回路:2・シュミットトリガ入力:なし・伝搬遅延:65 ns・電流 - 出力高、低:5.2mA、5.2mA・電圧 - 供給:2 V ~ 6 V・動作温度:-40°C~125°C・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:16-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)
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    【仕様】・パッケージ:-・シリーズ:-・トランジスタタイプ:-・電流 - コレクタ(Ic)(最大):-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):-・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:-・電流 - コレクタ遮断(最大):-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):-・電力 - 最大:-・周波数 - トランジション:-・動作温度:-・グレード:-
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    【仕様】・パッケージ:-・シリーズ:BZT52H-Q・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):6.8 V・許容誤差:±1.03%・電力 - 最大:375 mW・インピーダンス(最大)(Zzt):8 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:2 µA @ 4 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):900 mV @ 10 mA・動作温度:150°C(TJ)・グレ
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    NEXPERIA
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:BZT52H-Q・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):6.8 V・許容誤差:±1.03%・電力 - 最大:375 mW・インピーダンス(最大)(Zzt):8 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:2 µA @ 4 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):900 mV @ 10 mA・動作温度:150
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    【仕様】・パッケージ:-・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):17.96 V・許容誤差:±2%・電力 - 最大:320 mW・インピーダンス(最大)(Zzt):20 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:50 µA @ 13 V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.1 V @ 100 mA・動作温度:150°C(TJ)・グレード:自動
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    【仕様】・パッケージ:-・シリーズ:-・ダイオード構成:1組直列接続・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):200 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):225mA(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.25 V @ 200 mA・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):50 ns・
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・ダイオード構成:1組直列接続・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):200 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):225mA(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.25 V @ 200 mA・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(tr
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    【仕様】・パッケージ:-・シリーズ:-・トランジスタタイプ:1 NPN、1 PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):65V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:300mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断(最大):15nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・トランジスタタイプ:1 NPN、1 PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):65V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:300mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断(最大):15nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(
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    【仕様】・パッケージ:-・シリーズ:-・トランジスタタイプ:2 NPN(デュアル)・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):65V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:300mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断(最大):15nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):
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    【仕様】・パッケージ:-・シリーズ:-・タイプ:ツエナー・一方向チャンネル:1・双方向チャンネル:-・電圧 - 逆スタンドオフ(標準):36V(最大)・電圧 - ブレークダウン(最小):40V・電圧 - クランピング(最大)@ Ipp:58.1V・電流 - ピークパルス(10/1000μs):6.9A・電力 - ピークパルス:400W・パワーライン保護:なし・用途:-
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    【仕様】・パッケージ:-・シリーズ:PESDxL2BT・タイプ:ツエナー・一方向チャンネル:-・双方向チャンネル:2・電圧 - 逆スタンドオフ(標準):3.3V(最大)・電圧 - ブレークダウン(最小):5.8V・電圧 - クランピング(最大)@ Ipp:26V・電流 - ピークパルス(10/1000μs):15A(8/20µs)・電力 - ピークパルス:350W・パ
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    【仕様】・パッケージ:-・シリーズ:-・タイプ:ツエナー・一方向チャンネル:2・双方向チャンネル:-・電圧 - 逆スタンドオフ(標準):36V(最大)・電圧 - ブレークダウン(最小):40V・電圧 - クランピング(最大)@ Ipp:60V・電流 - ピークパルス(10/1000μs):2.5A(8/20µs)・電力 - ピークパルス:160W・パワーライン保護:な
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・タイプ:ツエナー・一方向チャンネル:2・双方向チャンネル:-・電圧 - 逆スタンドオフ(標準):36V(最大)・電圧 - ブレークダウン(最小):40V・電圧 - クランピング(最大)@ Ipp:60V・電流 - ピークパルス(10/1000μs):2.5A(8/20µs)・電力 - ピークパルス:160W・パ
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    【仕様】・パッケージ:-・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):24A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):31.7ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):2.05
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):24A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):31.7ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs(th)
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    【仕様】・パッケージ:-・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):950 mV @ 1 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):35 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5 µA @ 100 V・Vr、F印
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    【仕様】・パッケージ:-・シリーズ:-・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):200 V・電流 - 平均整流(Io):3A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):950 mV @ 3 A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):35 ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10 µA @ 200 V・Vr、F
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):5.3 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):12 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:240mV @ 40mA、4A・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):5.3 A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):12 V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:200mV @ 265mA、5.3A・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:*・技術:-・構成:-・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大):-・電力
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:*・技術:-・構成:-・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大):-・電
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:*・技術:-・構成:-・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大):-・電
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):38.7A・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):38.7A・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):38.7A・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):63.1A・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):63.1A・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):63.1A・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):41.1A・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):39.4A・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):39.4A・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):39.4A・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):22.7A・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加
  • メーカー名:
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):22.7A・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印
  • メーカー名:
    NEXPERIA
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):22.7A・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印
  • メーカー名:
    NEXPERIA
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):41.1A・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加
  • メーカー名:
    NEXPERIA
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):41.1A・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印
  • メーカー名:
    NEXPERIA
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):67.3A・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加
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    NEXPERIA
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):67.3A・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印
  • メーカー名:
    NEXPERIA
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):67.3A・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印
  • メーカー名:
    NEXPERIA
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・ダイオード構成:3独立・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):200mA(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.25 V @ 150 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):4
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオード構成:3独立・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):200mA(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.25 V @ 150 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):
  • メーカー名:
    NEXPERIA
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・ダイオード構成:3独立・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):200mA(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.25 V @ 150 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):
  • メーカー名:
    NEXPERIA
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:BAV99・ダイオード構成:2組直列接続・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):200mA(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.25 V @ 150 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時
  • メーカー名:
    NEXPERIA
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:BAV99・ダイオード構成:2組直列接続・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):200mA(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.25 V @ 150 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間
  • メーカー名:
    NEXPERIA
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:BAV99・ダイオード構成:2組直列接続・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):200mA(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.25 V @ 150 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時
  • メーカー名:
    NEXPERIA
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・ダイオード構成:3独立・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):200mA(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.25 V @ 150 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):
  • メーカー名:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・ダイオード構成:3独立・技術:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100 V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):200mA(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.25 V @ 150 mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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DigiReelの説明
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