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すべてのジャンル  [ メーカー:Transphorm 納期:売り切れ ]の検索結果

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検索結果: 132 件 / 全 32
  • メーカー名:
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):8V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 10A、 8V・Id印加時のVgs(th
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):8V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 11A、8V・Id印加時のVgs(th)
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):15A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs(
  • メーカー名:
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:TP65H070L・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):25A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:TP65H070L・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):25A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A
  • メーカー名:
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・主目的:DC/ACコンバータ・出力とタイプ:1非絶縁出力・電源 - 出力:3kW・電圧 - 出力:-・電流 - 出力:22A・電圧 - 入力:-・レギュレータトポロジ:-・周波数 - スイッチング:50kHz・内訳:ボード、電源・使用IC/部品:TP65H050WS
  • メーカー名:
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):27A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):72ミリオーム @ 17A、8V・Id印加
  • メーカー名:
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):130ミリオーム @ 13A、8V・Id印
  • メーカー名:
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):130ミリオーム @ 13A、8V・Id印加時のVgs(t
  • メーカー名:
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):130ミリオーム @ 13A、8V・Id印加時のVgs(t
  • メーカー名:
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):50A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):41ミリオーム @ 32A、8V・Id印加時のVgs(th
  • メーカー名:
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 11A、8V・Id印加時のVgs(t
  • メーカー名:
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 11A、8V・Id印加時のVgs(t
  • メーカー名:
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):36A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):60ミリオーム @ 22A、8V・Id印加時のVgs(th
  • メーカー名:
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):350ミリオーム @ 5.5A、8V・Id印加時のVgs(t
  • メーカー名:
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):350ミリオーム @ 5.5A、8V・Id印加時のVgs(t
  • メーカー名:
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):350ミリオーム @ 5.5A、8V・Id印加時のVgs(t
  • メーカー名:
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):350ミリオーム @ 5.5A、8V・Id印加時のVgs(t
  • メーカー名:
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):70A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):34ミリオーム @ 30A、8V・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加
  • メーカー名:
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・主目的:DC/ACコンバータ・出力とタイプ:1絶縁出力・電源 - 出力:1kW・電圧 - 出力:-・電流 - 出力:10A・電圧 - 入力:-・レギュレータトポロジ:反転・周波数 - スイッチング:100kHz・内訳:ボード、電源・使用IC/部品:TPH3206PS
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・主目的:DC/DCコンバータ・出力とタイプ:1非絶縁出力・電源 - 出力:1kW・電圧 - 出力:-・電流 - 出力:10A・電圧 - 入力:-・レギュレータトポロジ:昇圧、降圧、ハーフブリッジ・周波数 - スイッチング:-・内訳:ボード、電源・使用IC/部品:TPH3206PS
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・主目的:DC/DCコンバータ・出力とタイプ:1非絶縁出力・電源 - 出力:2.5kW・電圧 - 出力:-・電流 - 出力:16.5A・電圧 - 入力:-・レギュレータトポロジ:昇圧、降圧、ハーフブリッジ・周波数 - スイッチング:-・内訳:ボード、電源・使用IC/部品:TPH3212PS
  • メーカー名:
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):130ミリオーム @ 14A、8V・Id印加時のVgs(t
  • メーカー名:
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):900 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):15A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):205ミリオーム @ 10A、10V・Id
  • メーカー名:
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・主目的:DC/ACコンバータ・出力とタイプ:1絶縁出力・電源 - 出力:3.5kW・電圧 - 出力:-・電流 - 出力:-・電圧 - 入力:750V・レギュレータトポロジ:-・周波数 - スイッチング:100kHz・内訳:ボード・使用IC/部品:TP90H180PS
  • メーカー名:
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・主目的:AC/DC、一次側およびPFC・出力とタイプ:1非絶縁出力・電源 - 出力:4kW・電圧 - 出力:390V・電流 - 出力:15A・電圧 - 入力:90~265 VAC・レギュレータトポロジ:-・周波数 - スイッチング:66kHz・内訳:ボード、電源・使用IC/部品:TP65H035WS
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):130ミリオーム @ 13A、8V・Id印加時のVgs(t
  • メーカー名:
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・主目的:AC/DC、一次側およびPFC・出力とタイプ:1絶縁出力・電源 - 出力:250W・電圧 - 出力:12V・電流 - 出力:20A・電圧 - 入力:90~265 VAC・レギュレータトポロジ:-・周波数 - スイッチング:200kHz・内訳:ボード・使用IC/部品:TPH3202PS
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・主目的:DC/ACコンバータ・出力とタイプ:1絶縁出力・電源 - 出力:1kW・電圧 - 出力:-・電流 - 出力:10A・電圧 - 入力:-・レギュレータトポロジ:反転・周波数 - スイッチング:100kHz・内訳:ボード、電源・使用IC/部品:TPH3206PSB
  • メーカー名:
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 10A、 8V・Id印加時のVgs(
  • メーカー名:
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 10A、 8V・Id印加時のVgs(
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 10A、 8V・Id印加時のVgs(
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