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検索結果： 1 ～ 32 件 / 全 32件
  • 1

    【TPH3206LSGB】GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN

    【TPH3206LSGB】GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 10A、 8V・Id印加時のVgs（th
  • 2

    【TPH3206LDG-TR】GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN

    【TPH3206LDG-TR】GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 11A、8V・Id印加時のVgs（th）
  • 3

    【TP65H150LSG】GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN

    【TP65H150LSG】GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（
  • 4

    【TP65H070LSG】GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN

    【TP65H070LSG】GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：TP65H070L・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：25A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A
  • 5

    【TP65H070LDG】GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN

    【TP65H070LDG】GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：TP65H070L・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：25A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A
  • 6

    【TDINV3000W050-KIT】EVAL BOARD FOR TP65H050WS

    【TDINV3000W050-KIT】EVAL BOARD FOR TP65H050WS
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・主目的：DC/ACコンバータ・出力とタイプ：1非絶縁出力・電源 - 出力：3kW・電圧 - 出力：-・電流 - 出力：22A・電圧 - 入力：-・レギュレータトポロジ：-・周波数 - スイッチング：50kHz・内訳：ボード、電源・使用IC/部品：TP65H050WS
  • 7

    【TPH3212PS】GANFET N-CH 650V 27A TO220AB

    【TPH3212PS】GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：27A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：72ミリオーム @ 17A、8V・Id印加
  • 8

    【TPH3208PS】GANFET N-CH 650V 20A TO220AB

    【TPH3208PS】GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：130ミリオーム @ 13A、8V・Id印
  • 9

    【TPH3208LS】GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN

    【TPH3208LS】GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：130ミリオーム @ 13A、8V・Id印加時のVgs（t
  • 10

    【TPH3208LD】GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN

    【TPH3208LD】GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：130ミリオーム @ 13A、8V・Id印加時のVgs（t
  • 11

    【TPH3207WS】GANFET N-CH 650V 50A TO247-3

    【TPH3207WS】GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：41ミリオーム @ 32A、8V・Id印加時のVgs（th
  • 12

    【TPH3206LDGB】GANFET N-CH 650V 16A PQFN

    【TPH3206LDGB】GANFET N-CH 650V 16A PQFN
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 11A、8V・Id印加時のVgs（t
  • 13

    【TPH3206LD】GANFET N-CH 600V 17A PQFN

    【TPH3206LD】GANFET N-CH 600V 17A PQFN
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 11A、8V・Id印加時のVgs（t
  • 14

    【TPH3205WSB】GANFET N-CH 650V 36A TO247-3

    【TPH3205WSB】GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：36A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 22A、8V・Id印加時のVgs（th
  • 15

    【TPH3202PS】GANFET N-CH 600V 9A TO220AB

    【TPH3202PS】GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：350ミリオーム @ 5.5A、8V・Id印加時のVgs（t
  • 16

    【TPH3202PD】GANFET N-CH 600V 9A TO220AB

    【TPH3202PD】GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：350ミリオーム @ 5.5A、8V・Id印加時のVgs（t
  • 17

    【TPH3202LS】GANFET N-CH 600V 9A 3PQFN

    【TPH3202LS】GANFET N-CH 600V 9A 3PQFN
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：350ミリオーム @ 5.5A、8V・Id印加時のVgs（t
  • 18

    【TPH3202LD】GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN

    【TPH3202LD】GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：350ミリオーム @ 5.5A、8V・Id印加時のVgs（t
  • 19

    【TPD3215M】MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE

    【TPD3215M】MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：70A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：34ミリオーム @ 30A、8V・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加
  • 20

    【TDPV1000E0C1-KIT】EVAL BOARD FOR TPH3206PS

    【TDPV1000E0C1-KIT】EVAL BOARD FOR TPH3206PS
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・主目的：DC/ACコンバータ・出力とタイプ：1絶縁出力・電源 - 出力：1kW・電圧 - 出力：-・電流 - 出力：10A・電圧 - 入力：-・レギュレータトポロジ：反転・周波数 - スイッチング：100kHz・内訳：ボード、電源・使用IC/部品：TPH3206PS
  • 21

    【TDPS1000E0E10-KIT】EVAL BOARD FOR TPH3206PS

    【TDPS1000E0E10-KIT】EVAL BOARD FOR TPH3206PS
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・主目的：DC/DCコンバータ・出力とタイプ：1非絶縁出力・電源 - 出力：1kW・電圧 - 出力：-・電流 - 出力：10A・電圧 - 入力：-・レギュレータトポロジ：昇圧、降圧、ハーフブリッジ・周波数 - スイッチング：-・内訳：ボード、電源・使用IC/部品：TPH3206PS
  • 22

    【TDHBG2500P100-KIT】EVAL BOARD FOR TPH3212PS

    【TDHBG2500P100-KIT】EVAL BOARD FOR TPH3212PS
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・主目的：DC/DCコンバータ・出力とタイプ：1非絶縁出力・電源 - 出力：2.5kW・電圧 - 出力：-・電流 - 出力：16.5A・電圧 - 入力：-・レギュレータトポロジ：昇圧、降圧、ハーフブリッジ・周波数 - スイッチング：-・内訳：ボード、電源・使用IC/部品：TPH3212PS
  • 23

    【TPH3208LSG】GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN

    【TPH3208LSG】GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：130ミリオーム @ 14A、8V・Id印加時のVgs（t
  • 24

    【TP90H180PS】GANFET N-CH 900V 15A TO220AB

    【TP90H180PS】GANFET N-CH 900V 15A TO220AB
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：900 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：205ミリオーム @ 10A、10V・Id
  • 25

    【TDINV3500P100-KIT】EVAL BOARD FOR TP90H180PS

    【TDINV3500P100-KIT】EVAL BOARD FOR TP90H180PS
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・主目的：DC/ACコンバータ・出力とタイプ：1絶縁出力・電源 - 出力：3.5kW・電圧 - 出力：-・電流 - 出力：-・電圧 - 入力：750V・レギュレータトポロジ：-・周波数 - スイッチング：100kHz・内訳：ボード・使用IC/部品：TP90H180PS
  • 26

    【TDTTP4000W066B-KIT】EVAL BOARD FOR TP65H035WS

    【TDTTP4000W066B-KIT】EVAL BOARD FOR TP65H035WS
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・主目的：AC/DC、一次側およびPFC・出力とタイプ：1非絶縁出力・電源 - 出力：4kW・電圧 - 出力：390V・電流 - 出力：15A・電圧 - 入力：90～265 VAC・レギュレータトポロジ：-・周波数 - スイッチング：66kHz・内訳：ボード、電源・使用IC/部品：TP65H035WS
  • 27

    【TPH3208PD】GANFET N-CH 650V 20A TO220AB

    【TPH3208PD】GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：130ミリオーム @ 13A、8V・Id印加時のVgs（t
  • 28

    【TDAIO250P200-KIT】EVAL BOARD FOR TPH3202PS

    【TDAIO250P200-KIT】EVAL BOARD FOR TPH3202PS
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・主目的：AC/DC、一次側およびPFC・出力とタイプ：1絶縁出力・電源 - 出力：250W・電圧 - 出力：12V・電流 - 出力：20A・電圧 - 入力：90～265 VAC・レギュレータトポロジ：-・周波数 - スイッチング：200kHz・内訳：ボード・使用IC/部品：TPH3202PS
  • 29

    【TDINV1000P100-KIT】EVAL BOARD FOR TPH3206PSB

    【TDINV1000P100-KIT】EVAL BOARD FOR TPH3206PSB
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・主目的：DC/ACコンバータ・出力とタイプ：1絶縁出力・電源 - 出力：1kW・電圧 - 出力：-・電流 - 出力：10A・電圧 - 入力：-・レギュレータトポロジ：反転・周波数 - スイッチング：100kHz・内訳：ボード、電源・使用IC/部品：TPH3206PSB
  • 30

    【TPH3206PSB】GANFET N-CH 650V 16A TO220AB

    【TPH3206PSB】GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 10A、 8V・Id印加時のVgs（
  • 31

    【TPH3206LSB】GANFET N-CH 650V 16A PQFN

    【TPH3206LSB】GANFET N-CH 650V 16A PQFN
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 10A、 8V・Id印加時のVgs（
  • 32

    【TPH3206LDB】GANFET N-CH 650V 16A PQFN

    【TPH3206LDB】GANFET N-CH 650V 16A PQFN
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 10A、 8V・Id印加時のVgs（
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