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	【410-394-1】Analog Discovery Pro ADP3250 数量： 1 計：¥ 170,121 (税込)

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トランジスタ - FET、MOSFET - シングル|Transphormの定格表該当製品数: 101 / 101 件

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Id、Vgs印加時のRds On（最大）

Id印加時のVgs（th）（最大）

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

Vgs（最大）

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写真	型番	メーカー	品質ランク	単価 (税抜)	単価 (税込)		在庫数量	最少購入数	納期	パッケージ	シリーズ	FETタイプ	技術	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	Vgs（最大）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	FET機能	電力散逸（最大）	動作温度	グレード	認定	取り付けタイプ	サプライヤデバイスパッケージ	パッケージ/ケース
	TP65H070G4PS	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥1,754.77 /個	1個以上￥1,930.24 /個	★	確認する		確認する	チューブ	SuperGaN®	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	29A（Tc）	10V	85ミリオーム @ 18A、10V	4.7V @ 700µA	9 nC @ 10 V	±20V	638 pF @ 400 V	-	96W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220AB	TO-220-3
	TP65H050G4WS	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥2,816.48 /個	1個以上￥3,098.12 /個	★	確認する		確認する	チューブ	SuperGaN®	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	34A（Tc）	10V	60ミリオーム @ 22A、10V	4.8V @ 700µA	24 nC @ 10 V	±20V	1000 pF @ 400 V	-	119W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-247-3	TO-247-3
	TPH3206PS	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥1,864.71 /個	1個以上￥2,051.18 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	600 V	17A（Tc）	10V	180ミリオーム @ 11A、8V	2.6V @ 500µA	9.3 nC @ 4.5 V	±18V	760 pF @ 480 V	-	96W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220AB	TO-220-3
	TP65H150G4PS	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥1,465.86 /個	1個以上￥1,612.44 /個	★	確認する		確認する	チューブ	SuperGaN®	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	16A（Tc）	10V	180ミリオーム @ 8.5A、10V	4.8V @ 500µA	8 nC @ 10 V	±20V	598 pF @ 400 V	-	83W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220AB	TO-220-3
	TP65H015G5WS	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥5,557.48 /個	1個以上￥6,113.22 /個	★	確認する		確認する	チューブ	SuperGaN™	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	93A（Tc）	10V	18ミリオーム @ 60A、10V	4.8V @ 2mA	100 nC @ 10 V	±20V	5218 pF @ 400 V	-	266W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-247-3	TO-247-3
	TP65H030G4PWS	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥1,791.77 /個	1個以上￥1,970.94 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	TP65H030G4PRS-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥1,777.39 /個	1個以上￥1,955.12 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	TP65H030G4PRS-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥1,777.39 /個	1個以上￥1,955.12 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	TP65H030G4PRS-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	1300個以上￥729.66 /個	1300個以上￥802.62 /個	★	確認する	1,300 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	TP65H030G4PQS-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥1,765.48 /個	1個以上￥1,942.02 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	TP65H030G4PQS-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥1,765.48 /個	1個以上￥1,942.02 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	TP65H030G4PQS-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	400個以上￥723.68 /個	400個以上￥796.04 /個	★	確認する	400 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	TP65H100G4PS	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥1,454.33 /個	1個以上￥1,599.76 /個	★	確認する		確認する	チューブ	SuperGaN®	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	18.9A（Tc）	10V	110ミリオーム @ 12A、10V	4.1V @ 1.8mA	14.4 nC @ 10 V	±20V	818 pF @ 400 V	-	65.8W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220AB	TO-220-3
	TP65H100G4LSGB-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥1,347.44 /個	1個以上￥1,482.18 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	SuperGaN®	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	18.9A（Tc）	10V	110ミリオーム @ 12A、10V	4.1V @ 1.8mA	14.4 nC @ 10 V	±20V	818 pF @ 400 V	-	65.8W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PQFN（8x8）	8-VDFN露出パッド
	TP65H100G4LSGB-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥1,347.44 /個	1個以上￥1,482.18 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	SuperGaN®	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	18.9A（Tc）	10V	110ミリオーム @ 12A、10V	4.1V @ 1.8mA	14.4 nC @ 10 V	±20V	818 pF @ 400 V	-	65.8W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PQFN（8x8）	8-VDFN露出パッド
	TP65H100G4LSGB-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	3000個以上￥458.53 /個	3000個以上￥504.38 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	SuperGaN®	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	18.9A（Tc）	10V	110ミリオーム @ 12A、10V	4.1V @ 1.8mA	14.4 nC @ 10 V	±20V	818 pF @ 400 V	-	65.8W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PQFN（8x8）	8-VDFN露出パッド
	TP65H070G4RS-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥1,784.53 /個	1個以上￥1,962.98 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	SuperGaN®	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	29A（Tc）	10V	85ミリオーム @ 18A、10V	4.8V @ 700µA	9 nC @ 10 V	±20V	638 pF @ 400 V	-	96W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	TOLT	16-PowerSOPモジュール
	TP65H070G4RS-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥1,784.53 /個	1個以上￥1,962.98 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	SuperGaN®	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	29A（Tc）	10V	85ミリオーム @ 18A、10V	4.8V @ 700µA	9 nC @ 10 V	±20V	638 pF @ 400 V	-	96W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	TOLT	16-PowerSOPモジュール
	TP65H070G4RS-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	2000個以上￥733.65 /個	2000個以上￥807.01 /個	★	確認する	2,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	SuperGaN®	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	29A（Tc）	10V	85ミリオーム @ 18A、10V	4.8V @ 700µA	9 nC @ 10 V	±20V	638 pF @ 400 V	-	96W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	TOLT	16-PowerSOPモジュール
	TP65H070G4QS-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥1,747.62 /個	1個以上￥1,922.38 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	29A（Tc）	10V	85ミリオーム @ 16A、10V	4.8V @ 700µA	8.4 nC @ 10 V	±20V	600 pF @ 400 V	-	96W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	TOLL	8-PowerSFN
	TP65H050G4QS-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	2000個以上￥923.04 /個	2000個以上￥1,015.34 /個	★	確認する	2,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	34A（Tc）	10V	60ミリオーム @ 22A、10V	4.8V @ 700µA	24 nC @ 10 V	±20V	1000 pF @ 400 V	-	119W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	TOLL	8-PowerSFN
	TP65H070G4QS-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥1,747.62 /個	1個以上￥1,922.38 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	29A（Tc）	10V	85ミリオーム @ 16A、10V	4.8V @ 700µA	8.4 nC @ 10 V	±20V	600 pF @ 400 V	-	96W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	TOLL	8-PowerSFN
	TP65H070G4QS-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	2000個以上￥713.72 /個	2000個以上￥785.09 /個	★	確認する	2,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	29A（Tc）	10V	85ミリオーム @ 16A、10V	4.8V @ 700µA	8.4 nC @ 10 V	±20V	600 pF @ 400 V	-	96W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	TOLL	8-PowerSFN
	TP65H050G4QS-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥2,102.36 /個	1個以上￥2,312.59 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	34A（Tc）	10V	60ミリオーム @ 22A、10V	4.8V @ 700µA	24 nC @ 10 V	±20V	1000 pF @ 400 V	-	119W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	TOLL	8-PowerSFN
	TP65H050G4QS-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥2,102.36 /個	1個以上￥2,312.59 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	34A（Tc）	10V	60ミリオーム @ 22A、10V	4.8V @ 700µA	24 nC @ 10 V	±20V	1000 pF @ 400 V	-	119W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	TOLL	8-PowerSFN
	TP65H035G4QS	Transphorm	S1(DigiKey)	2000個以上￥1,654.70 /個	2000個以上￥1,820.17 /個	★	確認する	2,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	SuperGaN®	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	46.5A（Tc）	10V	41ミリオーム @ 30A、10V	4.8V @ 1mA	22 nC @ 10 V	±20V	1500 pF @ 400 V	-	156W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	TOLL	8-PowerSFN
	TP65H050G4YS	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥2,816.48 /個	1個以上￥3,098.12 /個	★	確認する		確認する	チューブ	SuperGaN®	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	35A（Tc）	10V	60ミリオーム @ 22A、10V	4.8V @ 700µA	24 nC @ 10 V	±20V	1000 pF @ 400 V	-	132W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-247-4L	TO-247-4
	TP65H035G4QS	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥3,300.00 /個	1個以上￥3,630.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	SuperGaN®	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	46.5A（Tc）	10V	41ミリオーム @ 30A、10V	4.8V @ 1mA	22 nC @ 10 V	±20V	1500 pF @ 400 V	-	156W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	TOLL	8-PowerSFN
	TP65H035G4QS	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥3,300.00 /個	1個以上￥3,630.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	SuperGaN®	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	46.5A（Tc）	10V	41ミリオーム @ 30A、10V	4.8V @ 1mA	22 nC @ 10 V	±20V	1500 pF @ 400 V	-	156W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	TOLL	8-PowerSFN
	TP65H300G4LSGB-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥870.84 /個	1個以上￥957.92 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	SuperGaN®	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	6.5A（Tc）	6V	312ミリオーム @ 6.5A、6V	2.8V @ 500µA	8.8 nC @ 10 V	±12V	730 pF @ 400 V	-	21W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PQFN（8x8）	8-VDFN露出パッド
	TP65H300G4LSGB-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥870.84 /個	1個以上￥957.92 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	SuperGaN®	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	6.5A（Tc）	6V	312ミリオーム @ 6.5A、6V	2.8V @ 500µA	8.8 nC @ 10 V	±12V	730 pF @ 400 V	-	21W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PQFN（8x8）	8-VDFN露出パッド
	TP65H300G4LSGB-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	3000個以上￥229.52 /個	3000個以上￥252.47 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	SuperGaN®	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	6.5A（Tc）	6V	312ミリオーム @ 6.5A、6V	2.8V @ 500µA	8.8 nC @ 10 V	±12V	730 pF @ 400 V	-	21W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PQFN（8x8）	8-VDFN露出パッド
	TP65H480G4JSGB-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥772.23 /個	1個以上￥849.45 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	SuperGaN®	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	3.6A（Tc）	6V	560ミリオーム @ 3A、6V	2.8V @ 500µA	5 nC @ 10 V	±10V	414 pF @ 400 V	-	13.2W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PQFN（5x6）	8-PowerTDFN
	TP65H480G4JSGB-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥772.23 /個	1個以上￥849.45 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	SuperGaN®	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	3.6A（Tc）	6V	560ミリオーム @ 3A、6V	2.8V @ 500µA	5 nC @ 10 V	±10V	414 pF @ 400 V	-	13.2W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PQFN（5x6）	8-PowerTDFN
	TP65H480G4JSGB-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	4000個以上￥195.38 /個	4000個以上￥214.91 /個	★	確認する	4,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	SuperGaN®	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	3.6A（Tc）	6V	560ミリオーム @ 3A、6V	2.8V @ 500µA	5 nC @ 10 V	±10V	414 pF @ 400 V	-	13.2W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PQFN（5x6）	8-PowerTDFN
	TP65H300G4JSGB-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥897.23 /個	1個以上￥986.95 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	SuperGaN®	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	9.2A（Tc）	6V	312ミリオーム @ 6.5A、6V	2.8V @ 500µA	3.5 nC @ 10 V	±10V	400 pF @ 400 V	-	41.6W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PQFN（5x6）	8-PowerTDFN
	TP65H300G4JSGB-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥897.23 /個	1個以上￥986.95 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	SuperGaN®	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	9.2A（Tc）	6V	312ミリオーム @ 6.5A、6V	2.8V @ 500µA	3.5 nC @ 10 V	±10V	400 pF @ 400 V	-	41.6W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PQFN（5x6）	8-PowerTDFN
	TP65H300G4JSGB-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	4000個以上￥240.85 /個	4000個以上￥264.93 /個	★	確認する	4,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	SuperGaN®	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	9.2A（Tc）	6V	312ミリオーム @ 6.5A、6V	2.8V @ 500µA	3.5 nC @ 10 V	±10V	400 pF @ 400 V	-	41.6W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PQFN（5x6）	8-PowerTDFN
	TP65H070G4LSG-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥1,878.83 /個	1個以上￥2,066.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	SuperGaN®	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	29A（Tc）	10V	85ミリオーム @ 16A、10V	4.8V @ 700µA	8.4 nC @ 10 V	±20V	600 pF @ 400 V	-	96W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	3-PQFN（8x8）	3-PowerTDFN
	TP65H070G4LSG-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥1,878.83 /個	1個以上￥2,066.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	SuperGaN®	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	29A（Tc）	10V	85ミリオーム @ 16A、10V	4.8V @ 700µA	8.4 nC @ 10 V	±20V	600 pF @ 400 V	-	96W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	3-PQFN（8x8）	3-PowerTDFN
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	TP65H070LSG-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥1,843.53 /個	1個以上￥2,027.88 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TP65H070L	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	25A（Tc）	10V	85ミリオーム @ 16A、10V	4.8V @ 700µA	9.3 nC @ 10 V	±20V	600 pF @ 400 V	-	96W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	3-PQFN（8x8）	3-PowerDFN
	TP65H070LSG-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥1,843.53 /個	1個以上￥2,027.88 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TP65H070L	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	25A（Tc）	10V	85ミリオーム @ 16A、10V	4.8V @ 700µA	9.3 nC @ 10 V	±20V	600 pF @ 400 V	-	96W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	3-PQFN（8x8）	3-PowerDFN
	TP65H070LSG-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	500個以上￥1,186.20 /個	500個以上￥1,304.82 /個	★	確認する	500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	TP65H070L	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	25A（Tc）	10V	85ミリオーム @ 16A、10V	4.8V @ 700µA	9.3 nC @ 10 V	±20V	600 pF @ 400 V	-	96W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	3-PQFN（8x8）	3-PowerDFN
	TP65H480G4JSG-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	4000個以上￥221.29 /個	4000個以上￥243.41 /個	★	確認する	4,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	Nチャンネル	GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）	650 V	3.6A（Tc）	8V	560ミリオーム @ 3.4A、8V	2.8V @ 500µA	9 nC @ 8 V	±18V	760 pF @ 400 V	-	13.2W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	3-PQFN（5x6）	3-PowerTDFN
	TP65H480G4JSG-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥862.50 /個	1個以上￥948.75 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	Nチャンネル	GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）	650 V	3.6A（Tc）	8V	560ミリオーム @ 3.4A、8V	2.8V @ 500µA	9 nC @ 8 V	±18V	760 pF @ 400 V	-	13.2W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	3-PQFN（5x6）	3-PowerTDFN
	TP65H480G4JSG-TR	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥862.50 /個	1個以上￥948.75 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Nチャンネル	GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）	650 V	3.6A（Tc）	8V	560ミリオーム @ 3.4A、8V	2.8V @ 500µA	9 nC @ 8 V	±18V	760 pF @ 400 V	-	13.2W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	3-PQFN（5x6）	3-PowerTDFN
	TP90H050WS	Transphorm	S1(DigiKey)	450個以上￥1,624.79 /個	450個以上￥1,787.26 /個	★	確認する	450 個	確認する	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）	900 V	34A（Tc）	10V	63ミリオーム @ 22A、10V	4.4V @ 700µA	17.5 nC @ 10 V	±20V	980 pF @ 600 V	-	119W（Tc）	-55°C～150°C	-	-	スルーホール	TO-247-3	TO-247-3
	TP65H035G4WS	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥3,349.42 /個	1個以上￥3,684.36 /個	★	確認する		確認する	チューブ	SuperGaN™	Nチャンネル	GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）	650 V	46.5A（Tc）	10V	41ミリオーム @ 30A、10V	4.8V @ 1mA	22 nC @ 0 V	±20V	1500 pF @ 400 V	-	156W（Tc）	-55°C～150°C	-	-	スルーホール	TO-247-3	TO-247-3
	TPH3206LSGB	Transphorm	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	トレイ	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	16A（Tc）	8V	180ミリオーム @ 10A、 8V	2.6V @ 500µA	6.2 nC @ 4.5 V	±18V	720 pF @ 480 V	-	81W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	3-PQFN（8x8）	3-PowerDFN
	TPH3206LDG-TR	Transphorm	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	トレイ	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	600 V	17A（Tc）	8V	180ミリオーム @ 11A、8V	2.6V @ 500µA	9.3 nC @ 4.5 V	±18V	760 pF @ 480 V	-	96W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	3-PQFN（8x8）	3-PowerDFN
	TP65H150LSG	Transphorm	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	15A（Tc）	10V	180ミリオーム @ 10A、10V	4.8V @ 500µA	7.1 nC @ 10 V	±20V	576 pF @ 400 V	-	69W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	3-PQFN（8x8）	3-PowerDFN
	TP65H050WSQA	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥3,511.77 /個	1個以上￥3,862.94 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）	650 V	36A（Tc）	10V	60ミリオーム @ 25A、10V	4.8V @ 700µA	24 nC @ 10 V	±20V	1000 pF @ 400 V	-	150W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	スルーホール	TO-247-3	TO-247-3
	TP65H070LSG	Transphorm	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	TP65H070L	Nチャンネル	GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）	650 V	25A（Tc）	10V	85ミリオーム @ 16A、10V	4.8V @ 700µA	9.3 nC @ 10 V	±20V	600 pF @ 400 V	-	96W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	3-PQFN（8x8）	3-PowerDFN
	TP65H070LDG	Transphorm	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	TP65H070L	Nチャンネル	GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）	650 V	25A（Tc）	10V	85ミリオーム @ 16A、10V	4.8V @ 700µA	9.3 nC @ 10 V	±20V	600 pF @ 400 V	-	96W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	3-PQFN（8x8）	3-PowerDFN
	TP65H035WSQA	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥4,095.30 /個	1個以上￥4,504.83 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）	650 V	47.2A（Tc）	10V	41ミリオーム @ 32A、10V	4.5V @ 1mA	24 nC @ 10 V	±20V	1500 pF @ 400 V	-	187W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	スルーホール	TO-247-3	TO-247-3
	TP65H050WS	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥2,670.59 /個	1個以上￥2,937.64 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）	650 V	34A（Tc）	12V	60ミリオーム @ 22A、10V	4.8V @ 700µA	24 nC @ 10 V	±20V	1000 pF @ 400 V	-	119W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-247-3	TO-247-3
	TP65H035WS	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥3,892.95 /個	1個以上￥4,282.24 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）	650 V	46.5A（Tc）	12V	41ミリオーム @ 30A、10V	4.8V @ 1mA	36 nC @ 10 V	±20V	1500 pF @ 400 V	-	156W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-247-3	TO-247-3
	TPH3212PS	Transphorm	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）	650 V	27A（Tc）	10V	72ミリオーム @ 17A、8V	2.6V @ 400uA	14 nC @ 8 V	±18V	1130 pF @ 400 V	-	104W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220AB	TO-220-3
	TPH3208PS	Transphorm	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）	650 V	20A（Tc）	10V	130ミリオーム @ 13A、8V	2.6V @ 300µA	14 nC @ 8 V	±18V	760 pF @ 400 V	-	96W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220AB	TO-220-3
	TPH3208LS	Transphorm	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	20A（Tc）	10V	130ミリオーム @ 13A、8V	2.6V @ 300µA	14 nC @ 8 V	±18V	760 pF @ 400 V	-	96W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	3-PQFN（8x8）	3-PowerDFN
	TPH3208LDG	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥2,070.59 /個	1個以上￥2,277.64 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	20A（Tc）	10V	130ミリオーム @ 13A、8V	2.6V @ 300µA	14 nC @ 8 V	±18V	760 pF @ 400 V	-	96W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	3-PQFN（8x8）	3-PowerDFN
	TPH3208LD	Transphorm	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	20A（Tc）	10V	130ミリオーム @ 13A、8V	2.6V @ 300µA	14 nC @ 8 V	±18V	760 pF @ 400 V	-	96W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	4-PQFN（8x8）	4-PowerDFN
	TPH3207WS	Transphorm	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	50A（Tc）	10V	41ミリオーム @ 32A、8V	2.65V @ 700µA	42 nC @ 8 V	±18V	2197 pF @ 400 V	-	178W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-247-3	TO-247-3
	TPH3206PD	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥1,985.89 /個	1個以上￥2,184.47 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	600 V	17A（Tc）	10V	180ミリオーム @ 11A、8V	2.6V @ 500µA	9.3 nC @ 4.5 V	±18V	760 pF @ 480 V	-	96W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220AB	TO-220-3
	TPH3206LS	Transphorm	S1(DigiKey)	240個以上￥909.09 /個	240個以上￥999.99 /個	★	確認する	240 個	確認する	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	600 V	17A（Tc）	10V	180ミリオーム @ 11A、8V	2.6V @ 500µA	9.3 nC @ 4.5 V	±18V	760 pF @ 480 V	-	96W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	3-PQFN（8x8）	3-PowerDFN
	TPH3206LDGB	Transphorm	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	16A（Tc）	10V	180ミリオーム @ 11A、8V	2.6V @ 500µA	9.3 nC @ 4.5 V	±18V	760 pF @ 480 V	-	81W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	3-PQFN（8x8）	3-PowerDFN
	TPH3206LD	Transphorm	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	600 V	17A（Tc）	10V	180ミリオーム @ 11A、8V	2.6V @ 500µA	9.3 nC @ 4.5 V	±18V	760 pF @ 480 V	-	96W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	4-PQFN（8x8）	4-PowerDFN
	TPH3205WSB	Transphorm	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	36A（Tc）	10V	60ミリオーム @ 22A、8V	2.6V @ 700µA	42 nC @ 8 V	±18V	2200 pF @ 400 V	-	125W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-247-3	TO-247-3
	TPH3202PS	Transphorm	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	600 V	9A（Tc）	10V	350ミリオーム @ 5.5A、8V	2.5V @ 250µA	9.3 nC @ 4.5 V	±18V	760 pF @ 480 V	-	65W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220AB	TO-220-3
	TPH3202PD	Transphorm	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	600 V	9A（Tc）	10V	350ミリオーム @ 5.5A、8V	2.5V @ 250µA	9.3 nC @ 4.5 V	±18V	760 pF @ 480 V	-	65W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220AB	TO-220-3
	TPH3202LS	Transphorm	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	600 V	9A（Tc）	10V	350ミリオーム @ 5.5A、8V	2.5V @ 250µA	9.3 nC @ 4.5 V	±18V	760 pF @ 480 V	-	65W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	3-PQFN（8x8）	3-PowerDFN
	TPH3202LD	Transphorm	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	600 V	9A（Tc）	10V	350ミリオーム @ 5.5A、8V	2.5V @ 250µA	9.3 nC @ 4.5 V	±18V	760 pF @ 480 V	-	65W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	4-PQFN（8x8）	4-PowerDFN
	TPH3208LSG	Transphorm	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	20A（Tc）	10V	130ミリオーム @ 14A、8V	2.6V @ 300µA	42 nC @ 8 V	±18V	760 pF @ 400 V	-	96W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	3-PQFN（8x8）	3-PowerDFN
	TP90H180PS	Transphorm	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）	900 V	15A（Tc）	10V	205ミリオーム @ 10A、10V	2.6V @ 500µA	10 nC @ 8 V	±18V	780 pF @ 600 V	-	78W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220AB	TO-220-3
	TPH3208PD	Transphorm	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	20A（Tc）	10V	130ミリオーム @ 13A、8V	2.6V @ 300µA	14 nC @ 8 V	±18V	760 pF @ 400 V	-	96W（Tc）	-55°C～150°C	-	-	スルーホール	TO-220AB	TO-220-3
	TPH3206PSB	Transphorm	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	16A（Tc）	10V	180ミリオーム @ 10A、 8V	2.6V @ 500µA	6.2 nC @ 4.5 V	±18V	720 pF @ 480 V	-	81W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220AB	TO-220-3
	TPH3206LSB	Transphorm	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	16A（Tc）	10V	180ミリオーム @ 10A、 8V	2.6V @ 500µA	6.2 nC @ 4.5 V	±18V	720 pF @ 480 V	-	81W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	3-PQFN（8x8）	3-PowerDFN
	TPH3206LDB	Transphorm	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	-	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	16A（Tc）	10V	180ミリオーム @ 10A、 8V	2.6V @ 500µA	6.2 nC @ 4.5 V	±18V	720 pF @ 480 V	-	81W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	4-PQFN（8x8）	4-PowerDFN
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1 ～ 100 件 / 全 101 件

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【TP65H070G4PS】GANFET N-CH 650V 29A TO220

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 18A、10V・Id印

￥1,754.77 税込￥1,930.24
2

【TP65H050G4WS】650 V 34 A GAN FET

Transphorm

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：34A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 22A、10V・Id印

￥2,816.48 税込￥3,098.12
3

【TPH3206PS】GANFET N-CH 600V 17A TO220AB

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 11A、8V・Id印加時のVgs（t

￥1,864.71 税込￥2,051.18
4

【TP65H150G4PS】GAN FET N-CH 650V TO-220

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 8.5A、10V・I

￥1,465.86 税込￥1,612.44
5

【TP65H015G5WS】650 V 95 A GAN FET

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperGaN™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：93A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18ミリオーム @ 60A、10V・Id印

￥5,557.48 税込￥6,113.22
6

【TP65H030G4PWS】650V 30M SUPERGAN FET IN TO-247-

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：-・Vds印

￥1,791.77 税込￥1,970.94
7

【TP65H030G4PRS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLT PA [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：

￥1,777.39 税込￥1,955.12
8

【TP65H030G4PRS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLT PA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）

￥1,777.39 税込￥1,955.12
9

【TP65H030G4PRS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLT PA

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最小1,300個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）

￥729.66 税込￥802.62
10

【TP65H030G4PQS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLL PA [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：

￥1,765.48 税込￥1,942.02
11

【TP65H030G4PQS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLL PA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）

￥1,765.48 税込￥1,942.02
12

【TP65H030G4PQS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLL PA

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最小400個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）

￥723.68 税込￥796.04
13

【TP65H100G4PS】Hi Volt FETs

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：110ミリオーム @ 12A、10V・

￥1,454.33 税込￥1,599.76
14

【TP65H100G4LSGB-TR】Hi Volt FETs [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：110ミリオーム @ 12

￥1,347.44 税込￥1,482.18
15

【TP65H100G4LSGB-TR】Hi Volt FETs

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：110ミリオーム @ 1

￥1,347.44 税込￥1,482.18
16

【TP65H100G4LSGB-TR】Hi Volt FETs

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：110ミリオーム @ 1

￥458.53 税込￥504.38
17

【TP65H070G4RS-TR】650 V 29 A GAN FET [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 18A、1

￥1,784.53 税込￥1,962.98
18

【TP65H070G4RS-TR】650 V 29 A GAN FET

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 18A、

￥1,784.53 税込￥1,962.98
19

【TP65H070G4RS-TR】650 V 29 A GAN FET

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最小2,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 18A、

￥733.65 税込￥807.01
20

【TP65H070G4QS-TR】650 V 29 A GAN FET [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、10V・Id印加時

￥1,747.62 税込￥1,922.38
21

【TP65H050G4QS-TR】650 V 34 A GAN FET

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：34A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 22A、10V・Id印加

￥923.04 税込￥1,015.34
22

【TP65H070G4QS-TR】650 V 29 A GAN FET

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、10V・Id印加

￥1,747.62 税込￥1,922.38
23

【TP65H070G4QS-TR】650 V 29 A GAN FET

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、10V・Id印加

￥713.72 税込￥785.09
24

【TP65H050G4QS-TR】650 V 34 A GAN FET [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：34A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 22A、10V・Id印加時

￥2,102.36 税込￥2,312.59
25

【TP65H050G4QS-TR】650 V 34 A GAN FET

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：34A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 22A、10V・Id印加

￥2,102.36 税込￥2,312.59
26

【TP65H035G4QS】650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：46.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：41ミリオーム @ 30

￥1,654.70 税込￥1,820.17
27

【TP65H050G4YS】650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：35A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 22A、10V・Id印

￥2,816.48 税込￥3,098.12
28

【TP65H035G4QS】650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：46.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：41ミリオーム @ 30A

￥3,300.00 税込￥3,630.00
29

【TP65H035G4QS】650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：46.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：41ミリオーム @ 30

￥3,300.00 税込￥3,630.00
30

【TP65H300G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 6.5A

￥870.84 税込￥957.92
31

【TP65H300G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 6.5

￥870.84 税込￥957.92
32

【TP65H300G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 6.5

￥229.52 税込￥252.47
33

【TP65H480G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：560ミリオーム @ 3A、6

￥772.23 税込￥849.45
34

【TP65H480G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：560ミリオーム @ 3A、

￥772.23 税込￥849.45
35

【TP65H480G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：560ミリオーム @ 3A、

￥195.38 税込￥214.91
36

【TP65H300G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9.2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 6.5A

￥897.23 税込￥986.95
37

【TP65H300G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9.2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 6.5

￥897.23 税込￥986.95
38

【TP65H300G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9.2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 6.5

￥240.85 税込￥264.93
39

【TP65H070G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、1

￥1,878.83 税込￥2,066.71
40

【TP65H070G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、

￥1,878.83 税込￥2,066.71
41

【TP65H070G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、

￥797.45 税込￥877.19
42

【TP65H480G4JSG】MOSFET 650V, 480mOhm

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：560ミリオーム @ 3.4A、8V・Id印

￥221.29 税込￥243.41
43

【TP65H150G4LSG】GAN FET N-CH 650V PQFN [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：13A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 8.5A、10V・Id印

￥1,057.54 税込￥1,163.29
44

【TP65H150G4LSG】GAN FET N-CH 650V PQFN

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：13A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 8.5A、10V・Id

￥1,057.54 税込￥1,163.29
45

【TP65H070G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、1

￥2,052.95 税込￥2,258.24
46

【TP65H070G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、

￥2,052.95 税込￥2,258.24
47

【TP65H070G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、

￥895.13 税込￥984.64
48

【TP65H150BG4JSG-TR】GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 10A、6

￥1,035.62 税込￥1,139.18
49

【TP65H150BG4JSG-TR】GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 10A、

￥1,035.62 税込￥1,139.18
50

【TP65H150BG4JSG-TR】GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6

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最小4,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 10A、

￥295.06 税込￥324.56
51

【TP65H300G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 5A、8V・Id印加時

￥263.92 税込￥290.31
52

【TP65H300G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 5A、8V・Id印加時の

￥961.65 税込￥1,057.81
53

【TP65H300G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 5A、8V・Id印加時

￥961.65 税込￥1,057.81
54

【TP65H070LDG-TR】650 V 25 A GAN FET [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TP65H070L・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：25A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、1

￥2,548.24 税込￥2,803.06
55

【TP65H070LDG-TR】650 V 25 A GAN FET

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TP65H070L・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：25A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、

￥2,548.24 税込￥2,803.06
56

【TP65H070LDG-TR】650 V 25 A GAN FET

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TP65H070L・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：25A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、

￥1,186.20 税込￥1,304.82
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【TP65H150G4LSG】GAN FET N-CH 650V PQFN

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：13A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 8.5A、10V・Id

￥405.89 税込￥446.47
58

【TP65H050G4BS】650 V 34 A GAN FET

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：34A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 22A、10V・Id印

￥2,536.48 税込￥2,790.12
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【TP65H150G4LSG-TR】650 V 13 A GAN FET [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：13A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 8.5A、10V・Id印

￥1,197.27 税込￥1,316.99
60

【TP65H150G4LSG-TR】650 V 13 A GAN FET

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：13A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 8.5A、10V・Id

￥1,197.27 税込￥1,316.99
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【TP65H150G4LSG-TR】650 V 13 A GAN FET

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：13A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 8.5A、10V・Id

￥358.85 税込￥394.73
62

【TP65H035G4WSQA】650 V 46.5 GAN FET

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：47.2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：41ミリオーム @ 30A、10V・Id印加時のVgs

￥3,548.24 税込￥3,903.06
63

【TP65H070LSG-TR】GANFET N-CH 650V 25A PQFN88 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TP65H070L・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：25A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、1

￥1,843.53 税込￥2,027.88
64

【TP65H070LSG-TR】GANFET N-CH 650V 25A PQFN88

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TP65H070L・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：25A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、

￥1,843.53 税込￥2,027.88
65

【TP65H070LSG-TR】GANFET N-CH 650V 25A PQFN88

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最小500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TP65H070L・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：25A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、

￥1,186.20 税込￥1,304.82
66

【TP65H480G4JSG-TR】GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN

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最小4,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：560ミリオーム @ 3.4

￥221.29 税込￥243.41
67

【TP65H480G4JSG-TR】GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：560ミリオーム @ 3.4A

￥862.50 税込￥948.75
68

【TP65H480G4JSG-TR】GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：560ミリオーム @ 3.4

￥862.50 税込￥948.75
69

【TP90H050WS】GANFET N-CH 900V 34A TO247-3

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最小450個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：900 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：34A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：63ミリオーム @ 22A、10V・Id印

￥1,624.79 税込￥1,787.26
70

【TP65H035G4WS】GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperGaN™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：46.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：41ミリオーム @ 3

￥3,349.42 税込￥3,684.36
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【TPH3206LSGB】GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 10A、 8V・Id印加時のVgs（th
72

【TPH3206LDG-TR】GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 11A、8V・Id印加時のVgs（th）
73

【TP65H150LSG】GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（
74

【TP65H050WSQA】GANFET N-CH 650V 36A TO247-3

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：36A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 25A、10V・Id印

￥3,511.77 税込￥3,862.94
75

【TP65H070LSG】GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：TP65H070L・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：25A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A
76

【TP65H070LDG】GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：TP65H070L・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：25A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A
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【TP65H035WSQA】GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：47.2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：41ミリオーム @ 32A、10V・I

￥4,095.30 税込￥4,504.83
78

【TP65H050WS】GANFET N-CH 650V 34A TO247-3

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：34A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：12V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 22A、10V・Id印

￥2,670.59 税込￥2,937.64
79

【TP65H035WS】GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：46.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：12V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：41ミリオーム @ 30A、10V・I

￥3,892.95 税込￥4,282.24
80

【TPH3212PS】GANFET N-CH 650V 27A TO220AB

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：27A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：72ミリオーム @ 17A、8V・Id印加
81

【TPH3208PS】GANFET N-CH 650V 20A TO220AB

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：130ミリオーム @ 13A、8V・Id印
82

【TPH3208LS】GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：130ミリオーム @ 13A、8V・Id印加時のVgs（t
83

【TPH3208LDG】GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：130ミリオーム @ 13A、8V・Id印加時のVgs（t

￥2,070.59 税込￥2,277.64
84

【TPH3208LD】GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：130ミリオーム @ 13A、8V・Id印加時のVgs（t
85

【TPH3207WS】GANFET N-CH 650V 50A TO247-3

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：41ミリオーム @ 32A、8V・Id印加時のVgs（th
86

【TPH3206PD】GANFET N-CH 600V 17A TO220AB

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 11A、8V・Id印加時のVgs（t

￥1,985.89 税込￥2,184.47
87

【TPH3206LS】GANFET N-CH 600V 17A PQFN

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 11A、8V・Id印加時のVgs（t

￥909.09 税込￥999.99
88

【TPH3206LDGB】GANFET N-CH 650V 16A PQFN

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 11A、8V・Id印加時のVgs（t
89

【TPH3206LD】GANFET N-CH 600V 17A PQFN

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 11A、8V・Id印加時のVgs（t
90

【TPH3205WSB】GANFET N-CH 650V 36A TO247-3

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：36A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 22A、8V・Id印加時のVgs（th
91

【TPH3202PS】GANFET N-CH 600V 9A TO220AB

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：350ミリオーム @ 5.5A、8V・Id印加時のVgs（t
92

【TPH3202PD】GANFET N-CH 600V 9A TO220AB

Transphorm

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：350ミリオーム @ 5.5A、8V・Id印加時のVgs（t
93

【TPH3202LS】GANFET N-CH 600V 9A 3PQFN

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：350ミリオーム @ 5.5A、8V・Id印加時のVgs（t
94

【TPH3202LD】GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：350ミリオーム @ 5.5A、8V・Id印加時のVgs（t
95

【TPH3208LSG】GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：130ミリオーム @ 14A、8V・Id印加時のVgs（t
96

【TP90H180PS】GANFET N-CH 900V 15A TO220AB

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：900 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：205ミリオーム @ 10A、10V・Id
97

【TPH3208PD】GANFET N-CH 650V 20A TO220AB

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：130ミリオーム @ 13A、8V・Id印加時のVgs（t
98

【TPH3206PSB】GANFET N-CH 650V 16A TO220AB

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 10A、 8V・Id印加時のVgs（
99

【TPH3206LSB】GANFET N-CH 650V 16A PQFN

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 10A、 8V・Id印加時のVgs（
100

【TPH3206LDB】GANFET N-CH 650V 16A PQFN

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 10A、 8V・Id印加時のVgs（

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