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    商品画像 【410-394-1】Analog Discovery Pro ADP3250
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トランジスタ - FET、MOSFET - シングル|Transphormの定格表 該当製品数: 101 / 101

定格表の使い方
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101 件中 1100 件目
写真 型番 メーカー データシート BOMに追加 品質ランク 単価 (税抜) 単価 (税込) カートに追加 在庫数量 最少購入数 納期 パッケージ シリーズ FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 グレード 認定 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
TP65H070G4PS TP65H070G4PS Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,754.77 /個
1個以上 ¥1,930.24 /個
確認する 確認する チューブ SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 29A(Tc) 10V 85ミリオーム @ 18A、10V 4.7V @ 700µA 9 nC @ 10 V ±20V 638 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
TP65H050G4WS TP65H050G4WS Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥2,816.48 /個
1個以上 ¥3,098.12 /個
確認する 確認する チューブ SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 34A(Tc) 10V 60ミリオーム @ 22A、10V 4.8V @ 700µA 24 nC @ 10 V ±20V 1000 pF @ 400 V - 119W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-247-3 TO-247-3
TPH3206PS TPH3206PS Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,864.71 /個
1個以上 ¥2,051.18 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 600 V 17A(Tc) 10V 180ミリオーム @ 11A、8V 2.6V @ 500µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 96W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
TP65H150G4PS TP65H150G4PS Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,465.86 /個
1個以上 ¥1,612.44 /個
確認する 確認する チューブ SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 16A(Tc) 10V 180ミリオーム @ 8.5A、10V 4.8V @ 500µA 8 nC @ 10 V ±20V 598 pF @ 400 V - 83W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
TP65H015G5WS TP65H015G5WS Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥5,557.48 /個
1個以上 ¥6,113.22 /個
確認する 確認する チューブ SuperGaN™ Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 93A(Tc) 10V 18ミリオーム @ 60A、10V 4.8V @ 2mA 100 nC @ 10 V ±20V 5218 pF @ 400 V - 266W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-247-3 TO-247-3
TP65H030G4PWS TP65H030G4PWS Transphorm BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,791.77 /個
1個以上 ¥1,970.94 /個
確認する 確認する チューブ - - - - - - - - - - - - - - - - - -
TP65H030G4PRS-TR TP65H030G4PRS-TR Transphorm BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,777.39 /個
1個以上 ¥1,955.12 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - - - - - - - - - - - - - - - - - -
TP65H030G4PRS-TR TP65H030G4PRS-TR Transphorm BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,777.39 /個
1個以上 ¥1,955.12 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - - - - - - - - - - - - - - - - - -
TP65H030G4PRS-TR TP65H030G4PRS-TR Transphorm BOMに追加 S1(DigiKey)
1300個以上 ¥729.66 /個
1300個以上 ¥802.62 /個
確認する 1,300 確認する テープ&リール(TR) - - - - - - - - - - - - - - - - - -
TP65H030G4PQS-TR TP65H030G4PQS-TR Transphorm BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,765.48 /個
1個以上 ¥1,942.02 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - - - - - - - - - - - - - - - - - -
TP65H030G4PQS-TR TP65H030G4PQS-TR Transphorm BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,765.48 /個
1個以上 ¥1,942.02 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - - - - - - - - - - - - - - - - - -
TP65H030G4PQS-TR TP65H030G4PQS-TR Transphorm BOMに追加 S1(DigiKey)
400個以上 ¥723.68 /個
400個以上 ¥796.04 /個
確認する 400 確認する テープ&リール(TR) - - - - - - - - - - - - - - - - - -
TP65H100G4PS TP65H100G4PS Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,454.33 /個
1個以上 ¥1,599.76 /個
確認する 確認する チューブ SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 18.9A(Tc) 10V 110ミリオーム @ 12A、10V 4.1V @ 1.8mA 14.4 nC @ 10 V ±20V 818 pF @ 400 V - 65.8W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
TP65H100G4LSGB-TR TP65H100G4LSGB-TR Transphorm BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,347.44 /個
1個以上 ¥1,482.18 /個
確認する 確認する Digi-Reel® SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 18.9A(Tc) 10V 110ミリオーム @ 12A、10V 4.1V @ 1.8mA 14.4 nC @ 10 V ±20V 818 pF @ 400 V - 65.8W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-PQFN(8x8) 8-VDFN露出パッド
TP65H100G4LSGB-TR TP65H100G4LSGB-TR Transphorm BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,347.44 /個
1個以上 ¥1,482.18 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 18.9A(Tc) 10V 110ミリオーム @ 12A、10V 4.1V @ 1.8mA 14.4 nC @ 10 V ±20V 818 pF @ 400 V - 65.8W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-PQFN(8x8) 8-VDFN露出パッド
TP65H100G4LSGB-TR TP65H100G4LSGB-TR Transphorm BOMに追加 S1(DigiKey)
3000個以上 ¥458.53 /個
3000個以上 ¥504.38 /個
確認する 3,000 確認する テープ&リール(TR) SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 18.9A(Tc) 10V 110ミリオーム @ 12A、10V 4.1V @ 1.8mA 14.4 nC @ 10 V ±20V 818 pF @ 400 V - 65.8W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-PQFN(8x8) 8-VDFN露出パッド
TP65H070G4RS-TR TP65H070G4RS-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,784.53 /個
1個以上 ¥1,962.98 /個
確認する 確認する Digi-Reel® SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 29A(Tc) 10V 85ミリオーム @ 18A、10V 4.8V @ 700µA 9 nC @ 10 V ±20V 638 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 TOLT 16-PowerSOPモジュール
TP65H070G4RS-TR TP65H070G4RS-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,784.53 /個
1個以上 ¥1,962.98 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 29A(Tc) 10V 85ミリオーム @ 18A、10V 4.8V @ 700µA 9 nC @ 10 V ±20V 638 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 TOLT 16-PowerSOPモジュール
TP65H070G4RS-TR TP65H070G4RS-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
2000個以上 ¥733.65 /個
2000個以上 ¥807.01 /個
確認する 2,000 確認する テープ&リール(TR) SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 29A(Tc) 10V 85ミリオーム @ 18A、10V 4.8V @ 700µA 9 nC @ 10 V ±20V 638 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 TOLT 16-PowerSOPモジュール
TP65H070G4QS-TR TP65H070G4QS-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,747.62 /個
1個以上 ¥1,922.38 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 29A(Tc) 10V 85ミリオーム @ 16A、10V 4.8V @ 700µA 8.4 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 TOLL 8-PowerSFN
TP65H050G4QS-TR TP65H050G4QS-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
2000個以上 ¥923.04 /個
2000個以上 ¥1,015.34 /個
確認する 2,000 確認する テープ&リール(TR) - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 34A(Tc) 10V 60ミリオーム @ 22A、10V 4.8V @ 700µA 24 nC @ 10 V ±20V 1000 pF @ 400 V - 119W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 TOLL 8-PowerSFN
TP65H070G4QS-TR TP65H070G4QS-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,747.62 /個
1個以上 ¥1,922.38 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 29A(Tc) 10V 85ミリオーム @ 16A、10V 4.8V @ 700µA 8.4 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 TOLL 8-PowerSFN
TP65H070G4QS-TR TP65H070G4QS-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
2000個以上 ¥713.72 /個
2000個以上 ¥785.09 /個
確認する 2,000 確認する テープ&リール(TR) - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 29A(Tc) 10V 85ミリオーム @ 16A、10V 4.8V @ 700µA 8.4 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 TOLL 8-PowerSFN
TP65H050G4QS-TR TP65H050G4QS-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥2,102.36 /個
1個以上 ¥2,312.59 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 34A(Tc) 10V 60ミリオーム @ 22A、10V 4.8V @ 700µA 24 nC @ 10 V ±20V 1000 pF @ 400 V - 119W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 TOLL 8-PowerSFN
TP65H050G4QS-TR TP65H050G4QS-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥2,102.36 /個
1個以上 ¥2,312.59 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 34A(Tc) 10V 60ミリオーム @ 22A、10V 4.8V @ 700µA 24 nC @ 10 V ±20V 1000 pF @ 400 V - 119W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 TOLL 8-PowerSFN
TP65H035G4QS TP65H035G4QS Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
2000個以上 ¥1,654.70 /個
2000個以上 ¥1,820.17 /個
確認する 2,000 確認する テープ&リール(TR) SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 46.5A(Tc) 10V 41ミリオーム @ 30A、10V 4.8V @ 1mA 22 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 400 V - 156W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 TOLL 8-PowerSFN
TP65H050G4YS TP65H050G4YS Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥2,816.48 /個
1個以上 ¥3,098.12 /個
確認する 確認する チューブ SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 35A(Tc) 10V 60ミリオーム @ 22A、10V 4.8V @ 700µA 24 nC @ 10 V ±20V 1000 pF @ 400 V - 132W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-247-4L TO-247-4
TP65H035G4QS TP65H035G4QS Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥3,300.00 /個
1個以上 ¥3,630.00 /個
確認する 確認する Digi-Reel® SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 46.5A(Tc) 10V 41ミリオーム @ 30A、10V 4.8V @ 1mA 22 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 400 V - 156W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 TOLL 8-PowerSFN
TP65H035G4QS TP65H035G4QS Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥3,300.00 /個
1個以上 ¥3,630.00 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 46.5A(Tc) 10V 41ミリオーム @ 30A、10V 4.8V @ 1mA 22 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 400 V - 156W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 TOLL 8-PowerSFN
TP65H300G4LSGB-TR TP65H300G4LSGB-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥870.84 /個
1個以上 ¥957.92 /個
確認する 確認する Digi-Reel® SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 6.5A(Tc) 6V 312ミリオーム @ 6.5A、6V 2.8V @ 500µA 8.8 nC @ 10 V ±12V 730 pF @ 400 V - 21W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-PQFN(8x8) 8-VDFN露出パッド
TP65H300G4LSGB-TR TP65H300G4LSGB-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥870.84 /個
1個以上 ¥957.92 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 6.5A(Tc) 6V 312ミリオーム @ 6.5A、6V 2.8V @ 500µA 8.8 nC @ 10 V ±12V 730 pF @ 400 V - 21W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-PQFN(8x8) 8-VDFN露出パッド
TP65H300G4LSGB-TR TP65H300G4LSGB-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
3000個以上 ¥229.52 /個
3000個以上 ¥252.47 /個
確認する 3,000 確認する テープ&リール(TR) SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 6.5A(Tc) 6V 312ミリオーム @ 6.5A、6V 2.8V @ 500µA 8.8 nC @ 10 V ±12V 730 pF @ 400 V - 21W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-PQFN(8x8) 8-VDFN露出パッド
TP65H480G4JSGB-TR TP65H480G4JSGB-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥772.23 /個
1個以上 ¥849.45 /個
確認する 確認する Digi-Reel® SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 3.6A(Tc) 6V 560ミリオーム @ 3A、6V 2.8V @ 500µA 5 nC @ 10 V ±10V 414 pF @ 400 V - 13.2W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-PQFN(5x6) 8-PowerTDFN
TP65H480G4JSGB-TR TP65H480G4JSGB-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥772.23 /個
1個以上 ¥849.45 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 3.6A(Tc) 6V 560ミリオーム @ 3A、6V 2.8V @ 500µA 5 nC @ 10 V ±10V 414 pF @ 400 V - 13.2W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-PQFN(5x6) 8-PowerTDFN
TP65H480G4JSGB-TR TP65H480G4JSGB-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
4000個以上 ¥195.38 /個
4000個以上 ¥214.91 /個
確認する 4,000 確認する テープ&リール(TR) SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 3.6A(Tc) 6V 560ミリオーム @ 3A、6V 2.8V @ 500µA 5 nC @ 10 V ±10V 414 pF @ 400 V - 13.2W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-PQFN(5x6) 8-PowerTDFN
TP65H300G4JSGB-TR TP65H300G4JSGB-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥897.23 /個
1個以上 ¥986.95 /個
確認する 確認する Digi-Reel® SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 9.2A(Tc) 6V 312ミリオーム @ 6.5A、6V 2.8V @ 500µA 3.5 nC @ 10 V ±10V 400 pF @ 400 V - 41.6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-PQFN(5x6) 8-PowerTDFN
TP65H300G4JSGB-TR TP65H300G4JSGB-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥897.23 /個
1個以上 ¥986.95 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 9.2A(Tc) 6V 312ミリオーム @ 6.5A、6V 2.8V @ 500µA 3.5 nC @ 10 V ±10V 400 pF @ 400 V - 41.6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-PQFN(5x6) 8-PowerTDFN
TP65H300G4JSGB-TR TP65H300G4JSGB-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
4000個以上 ¥240.85 /個
4000個以上 ¥264.93 /個
確認する 4,000 確認する テープ&リール(TR) SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 9.2A(Tc) 6V 312ミリオーム @ 6.5A、6V 2.8V @ 500µA 3.5 nC @ 10 V ±10V 400 pF @ 400 V - 41.6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-PQFN(5x6) 8-PowerTDFN
TP65H070G4LSG-TR TP65H070G4LSG-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,878.83 /個
1個以上 ¥2,066.71 /個
確認する 確認する Digi-Reel® SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 29A(Tc) 10V 85ミリオーム @ 16A、10V 4.8V @ 700µA 8.4 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerTDFN
TP65H070G4LSG-TR TP65H070G4LSG-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,878.83 /個
1個以上 ¥2,066.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 29A(Tc) 10V 85ミリオーム @ 16A、10V 4.8V @ 700µA 8.4 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerTDFN
TP65H070G4LSG-TR TP65H070G4LSG-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
3000個以上 ¥797.45 /個
3000個以上 ¥877.19 /個
確認する 3,000 確認する テープ&リール(TR) SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 29A(Tc) 10V 85ミリオーム @ 16A、10V 4.8V @ 700µA 8.4 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerTDFN
TP65H480G4JSG TP65H480G4JSG Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
4000個以上 ¥221.29 /個
4000個以上 ¥243.41 /個
確認する 4,000 確認する バルク SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 3.6A(Tc) 8V 560ミリオーム @ 3.4A、8V 2.8V @ 500µA 9 nC @ 8 V ±18V 760 pF @ 400 V - 13.2W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(5x6) 3-PowerTDFN
TP65H150G4LSG TP65H150G4LSG Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,057.54 /個
1個以上 ¥1,163.29 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 13A(Tc) 10V 180ミリオーム @ 8.5A、10V 4.8V @ 500µA 8 nC @ 10 V ±20V 598 pF @ 400 V - 52W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerTDFN
TP65H150G4LSG TP65H150G4LSG Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,057.54 /個
1個以上 ¥1,163.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 13A(Tc) 10V 180ミリオーム @ 8.5A、10V 4.8V @ 500µA 8 nC @ 10 V ±20V 598 pF @ 400 V - 52W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerTDFN
TP65H070G4LSGB-TR TP65H070G4LSGB-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥2,052.95 /個
1個以上 ¥2,258.24 /個
確認する 確認する Digi-Reel® SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 29A(Tc) 10V 85ミリオーム @ 16A、10V 4.6V @ 700µA 8.4 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-PQFN(8x8) 8-PowerTDFN
TP65H070G4LSGB-TR TP65H070G4LSGB-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥2,052.95 /個
1個以上 ¥2,258.24 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 29A(Tc) 10V 85ミリオーム @ 16A、10V 4.6V @ 700µA 8.4 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-PQFN(8x8) 8-PowerTDFN
TP65H070G4LSGB-TR TP65H070G4LSGB-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
3000個以上 ¥895.13 /個
3000個以上 ¥984.64 /個
確認する 3,000 確認する テープ&リール(TR) SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 29A(Tc) 10V 85ミリオーム @ 16A、10V 4.6V @ 700µA 8.4 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-PQFN(8x8) 8-PowerTDFN
TP65H150BG4JSG-TR TP65H150BG4JSG-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,035.62 /個
1個以上 ¥1,139.18 /個
確認する 確認する Digi-Reel® SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 16A(Tc) 6V 180ミリオーム @ 10A、6V 2.8V @ 500µA 4.9 nC @ 10 V ±10V 400 pF @ 400 V - 83W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-PQFN(5x6) 8-PowerTDFN
TP65H150BG4JSG-TR TP65H150BG4JSG-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,035.62 /個
1個以上 ¥1,139.18 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 16A(Tc) 6V 180ミリオーム @ 10A、6V 2.8V @ 500µA 4.9 nC @ 10 V ±10V 400 pF @ 400 V - 83W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-PQFN(5x6) 8-PowerTDFN
TP65H150BG4JSG-TR TP65H150BG4JSG-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
4000個以上 ¥295.06 /個
4000個以上 ¥324.56 /個
確認する 4,000 確認する テープ&リール(TR) SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 16A(Tc) 6V 180ミリオーム @ 10A、6V 2.8V @ 500µA 4.9 nC @ 10 V ±10V 400 pF @ 400 V - 83W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-PQFN(5x6) 8-PowerTDFN
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
3000個以上 ¥263.92 /個
3000個以上 ¥290.31 /個
確認する 3,000 確認する テープ&リール(TR) - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 6.5A(Tc) 8V 312ミリオーム @ 5A、8V 2.6V @ 500µA 9.6 nC @ 8 V ±18V 760 pF @ 400 V - 21W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerDFN
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥961.65 /個
1個以上 ¥1,057.81 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 6.5A(Tc) 8V 312ミリオーム @ 5A、8V 2.6V @ 500µA 9.6 nC @ 8 V ±18V 760 pF @ 400 V - 21W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerDFN
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥961.65 /個
1個以上 ¥1,057.81 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 6.5A(Tc) 8V 312ミリオーム @ 5A、8V 2.6V @ 500µA 9.6 nC @ 8 V ±18V 760 pF @ 400 V - 21W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerDFN
TP65H070LDG-TR TP65H070LDG-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥2,548.24 /個
1個以上 ¥2,803.06 /個
確認する 確認する Digi-Reel® TP65H070L Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 25A(Tc) 10V 85ミリオーム @ 16A、10V 4.8V @ 700µA 9.3 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerDFN
TP65H070LDG-TR TP65H070LDG-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥2,548.24 /個
1個以上 ¥2,803.06 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) TP65H070L Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 25A(Tc) 10V 85ミリオーム @ 16A、10V 4.8V @ 700µA 9.3 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerDFN
TP65H070LDG-TR TP65H070LDG-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
500個以上 ¥1,186.20 /個
500個以上 ¥1,304.82 /個
確認する 500 確認する テープ&リール(TR) TP65H070L Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 25A(Tc) 10V 85ミリオーム @ 16A、10V 4.8V @ 700µA 9.3 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerDFN
TP65H150G4LSG TP65H150G4LSG Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
3000個以上 ¥405.89 /個
3000個以上 ¥446.47 /個
確認する 3,000 確認する テープ&リール(TR) - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 13A(Tc) 10V 180ミリオーム @ 8.5A、10V 4.8V @ 500µA 8 nC @ 10 V ±20V 598 pF @ 400 V - 52W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerTDFN
TP65H050G4BS TP65H050G4BS Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥2,536.48 /個
1個以上 ¥2,790.12 /個
確認する 確認する チューブ SuperGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 34A(Tc) 10V 60ミリオーム @ 22A、10V 4.8V @ 700µA 24 nC @ 10 V ±20V 1000 pF @ 400 V - 119W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 TO-263 TO-263-3、D2PAK(2リード + タブ)、TO-263AB
TP65H150G4LSG-TR TP65H150G4LSG-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,197.27 /個
1個以上 ¥1,316.99 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 13A(Tc) 10V 180ミリオーム @ 8.5A、10V 4.8V @ 500µA 8 nC @ 10 V ±20V 598 pF @ 400 V - 52W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerTDFN
TP65H150G4LSG-TR TP65H150G4LSG-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,197.27 /個
1個以上 ¥1,316.99 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 13A(Tc) 10V 180ミリオーム @ 8.5A、10V 4.8V @ 500µA 8 nC @ 10 V ±20V 598 pF @ 400 V - 52W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerTDFN
TP65H150G4LSG-TR TP65H150G4LSG-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
3000個以上 ¥358.85 /個
3000個以上 ¥394.73 /個
確認する 3,000 確認する テープ&リール(TR) - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 13A(Tc) 10V 180ミリオーム @ 8.5A、10V 4.8V @ 500µA 8 nC @ 10 V ±20V 598 pF @ 400 V - 52W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerTDFN
TP65H035G4WSQA TP65H035G4WSQA Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥3,548.24 /個
1個以上 ¥3,903.06 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 47.2A(Tc) 10V 41ミリオーム @ 30A、10V 4.8V @ 1mA 22 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 400 V - 187W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 スルーホール TO-247-3 TO-247-3
TP65H070LSG-TR TP65H070LSG-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,843.53 /個
1個以上 ¥2,027.88 /個
確認する 確認する Digi-Reel® TP65H070L Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 25A(Tc) 10V 85ミリオーム @ 16A、10V 4.8V @ 700µA 9.3 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerDFN
TP65H070LSG-TR TP65H070LSG-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,843.53 /個
1個以上 ¥2,027.88 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) TP65H070L Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 25A(Tc) 10V 85ミリオーム @ 16A、10V 4.8V @ 700µA 9.3 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerDFN
TP65H070LSG-TR TP65H070LSG-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
500個以上 ¥1,186.20 /個
500個以上 ¥1,304.82 /個
確認する 500 確認する テープ&リール(TR) TP65H070L Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 25A(Tc) 10V 85ミリオーム @ 16A、10V 4.8V @ 700µA 9.3 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerDFN
TP65H480G4JSG-TR TP65H480G4JSG-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
4000個以上 ¥221.29 /個
4000個以上 ¥243.41 /個
確認する 4,000 確認する テープ&リール(TR) - Nチャンネル GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET) 650 V 3.6A(Tc) 8V 560ミリオーム @ 3.4A、8V 2.8V @ 500µA 9 nC @ 8 V ±18V 760 pF @ 400 V - 13.2W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(5x6) 3-PowerTDFN
TP65H480G4JSG-TR TP65H480G4JSG-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥862.50 /個
1個以上 ¥948.75 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Nチャンネル GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET) 650 V 3.6A(Tc) 8V 560ミリオーム @ 3.4A、8V 2.8V @ 500µA 9 nC @ 8 V ±18V 760 pF @ 400 V - 13.2W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(5x6) 3-PowerTDFN
TP65H480G4JSG-TR TP65H480G4JSG-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥862.50 /個
1個以上 ¥948.75 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET) 650 V 3.6A(Tc) 8V 560ミリオーム @ 3.4A、8V 2.8V @ 500µA 9 nC @ 8 V ±18V 760 pF @ 400 V - 13.2W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(5x6) 3-PowerTDFN
TP90H050WS TP90H050WS Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
450個以上 ¥1,624.79 /個
450個以上 ¥1,787.26 /個
確認する 450 確認する チューブ - Nチャンネル GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET) 900 V 34A(Tc) 10V 63ミリオーム @ 22A、10V 4.4V @ 700µA 17.5 nC @ 10 V ±20V 980 pF @ 600 V - 119W(Tc) -55°C~150°C - - スルーホール TO-247-3 TO-247-3
TP65H035G4WS TP65H035G4WS Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥3,349.42 /個
1個以上 ¥3,684.36 /個
確認する 確認する チューブ SuperGaN™ Nチャンネル GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET) 650 V 46.5A(Tc) 10V 41ミリオーム @ 30A、10V 4.8V @ 1mA 22 nC @ 0 V ±20V 1500 pF @ 400 V - 156W(Tc) -55°C~150°C - - スルーホール TO-247-3 TO-247-3
TPH3206LSGB TPH3206LSGB Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ トレイ - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 16A(Tc) 8V 180ミリオーム @ 10A、 8V 2.6V @ 500µA 6.2 nC @ 4.5 V ±18V 720 pF @ 480 V - 81W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerDFN
TPH3206LDG-TR TPH3206LDG-TR Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ トレイ - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 600 V 17A(Tc) 8V 180ミリオーム @ 11A、8V 2.6V @ 500µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 96W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerDFN
TP65H150LSG TP65H150LSG Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ チューブ - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 15A(Tc) 10V 180ミリオーム @ 10A、10V 4.8V @ 500µA 7.1 nC @ 10 V ±20V 576 pF @ 400 V - 69W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerDFN
TP65H050WSQA TP65H050WSQA Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥3,511.77 /個
1個以上 ¥3,862.94 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET) 650 V 36A(Tc) 10V 60ミリオーム @ 25A、10V 4.8V @ 700µA 24 nC @ 10 V ±20V 1000 pF @ 400 V - 150W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 スルーホール TO-247-3 TO-247-3
TP65H070LSG TP65H070LSG Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ チューブ TP65H070L Nチャンネル GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET) 650 V 25A(Tc) 10V 85ミリオーム @ 16A、10V 4.8V @ 700µA 9.3 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerDFN
TP65H070LDG TP65H070LDG Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ チューブ TP65H070L Nチャンネル GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET) 650 V 25A(Tc) 10V 85ミリオーム @ 16A、10V 4.8V @ 700µA 9.3 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerDFN
TP65H035WSQA TP65H035WSQA Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥4,095.30 /個
1個以上 ¥4,504.83 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET) 650 V 47.2A(Tc) 10V 41ミリオーム @ 32A、10V 4.5V @ 1mA 24 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 400 V - 187W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 スルーホール TO-247-3 TO-247-3
TP65H050WS TP65H050WS Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥2,670.59 /個
1個以上 ¥2,937.64 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET) 650 V 34A(Tc) 12V 60ミリオーム @ 22A、10V 4.8V @ 700µA 24 nC @ 10 V ±20V 1000 pF @ 400 V - 119W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-247-3 TO-247-3
TP65H035WS TP65H035WS Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥3,892.95 /個
1個以上 ¥4,282.24 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET) 650 V 46.5A(Tc) 12V 41ミリオーム @ 30A、10V 4.8V @ 1mA 36 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 400 V - 156W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-247-3 TO-247-3
TPH3212PS TPH3212PS Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ チューブ - Nチャンネル GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET) 650 V 27A(Tc) 10V 72ミリオーム @ 17A、8V 2.6V @ 400uA 14 nC @ 8 V ±18V 1130 pF @ 400 V - 104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
TPH3208PS TPH3208PS Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ チューブ - Nチャンネル GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET) 650 V 20A(Tc) 10V 130ミリオーム @ 13A、8V 2.6V @ 300µA 14 nC @ 8 V ±18V 760 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
TPH3208LS TPH3208LS Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ チューブ - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 20A(Tc) 10V 130ミリオーム @ 13A、8V 2.6V @ 300µA 14 nC @ 8 V ±18V 760 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerDFN
TPH3208LDG TPH3208LDG Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥2,070.59 /個
1個以上 ¥2,277.64 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 20A(Tc) 10V 130ミリオーム @ 13A、8V 2.6V @ 300µA 14 nC @ 8 V ±18V 760 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerDFN
TPH3208LD TPH3208LD Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ チューブ - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 20A(Tc) 10V 130ミリオーム @ 13A、8V 2.6V @ 300µA 14 nC @ 8 V ±18V 760 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 4-PQFN(8x8) 4-PowerDFN
TPH3207WS TPH3207WS Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ チューブ - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 50A(Tc) 10V 41ミリオーム @ 32A、8V 2.65V @ 700µA 42 nC @ 8 V ±18V 2197 pF @ 400 V - 178W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-247-3 TO-247-3
TPH3206PD TPH3206PD Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,985.89 /個
1個以上 ¥2,184.47 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 600 V 17A(Tc) 10V 180ミリオーム @ 11A、8V 2.6V @ 500µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 96W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
TPH3206LS TPH3206LS Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
240個以上 ¥909.09 /個
240個以上 ¥999.99 /個
確認する 240 確認する チューブ - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 600 V 17A(Tc) 10V 180ミリオーム @ 11A、8V 2.6V @ 500µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 96W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerDFN
TPH3206LDGB TPH3206LDGB Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ チューブ - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 16A(Tc) 10V 180ミリオーム @ 11A、8V 2.6V @ 500µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 81W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerDFN
TPH3206LD TPH3206LD Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ チューブ - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 600 V 17A(Tc) 10V 180ミリオーム @ 11A、8V 2.6V @ 500µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 96W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 4-PQFN(8x8) 4-PowerDFN
TPH3205WSB TPH3205WSB Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ チューブ - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 36A(Tc) 10V 60ミリオーム @ 22A、8V 2.6V @ 700µA 42 nC @ 8 V ±18V 2200 pF @ 400 V - 125W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-247-3 TO-247-3
TPH3202PS TPH3202PS Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ チューブ - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 600 V 9A(Tc) 10V 350ミリオーム @ 5.5A、8V 2.5V @ 250µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 65W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
TPH3202PD TPH3202PD Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ チューブ - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 600 V 9A(Tc) 10V 350ミリオーム @ 5.5A、8V 2.5V @ 250µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 65W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
TPH3202LS TPH3202LS Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ チューブ - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 600 V 9A(Tc) 10V 350ミリオーム @ 5.5A、8V 2.5V @ 250µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 65W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerDFN
TPH3202LD TPH3202LD Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ チューブ - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 600 V 9A(Tc) 10V 350ミリオーム @ 5.5A、8V 2.5V @ 250µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 65W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 4-PQFN(8x8) 4-PowerDFN
TPH3208LSG TPH3208LSG Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ チューブ - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 20A(Tc) 10V 130ミリオーム @ 14A、8V 2.6V @ 300µA 42 nC @ 8 V ±18V 760 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerDFN
TP90H180PS TP90H180PS Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ チューブ - Nチャンネル GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET) 900 V 15A(Tc) 10V 205ミリオーム @ 10A、10V 2.6V @ 500µA 10 nC @ 8 V ±18V 780 pF @ 600 V - 78W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
TPH3208PD TPH3208PD Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ チューブ - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 20A(Tc) 10V 130ミリオーム @ 13A、8V 2.6V @ 300µA 14 nC @ 8 V ±18V 760 pF @ 400 V - 96W(Tc) -55°C~150°C - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
TPH3206PSB TPH3206PSB Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ チューブ - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 16A(Tc) 10V 180ミリオーム @ 10A、 8V 2.6V @ 500µA 6.2 nC @ 4.5 V ±18V 720 pF @ 480 V - 81W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
TPH3206LSB TPH3206LSB Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ チューブ - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 16A(Tc) 10V 180ミリオーム @ 10A、 8V 2.6V @ 500µA 6.2 nC @ 4.5 V ±18V 720 pF @ 480 V - 81W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 3-PQFN(8x8) 3-PowerDFN
TPH3206LDB TPH3206LDB Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ チューブ - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 16A(Tc) 10V 180ミリオーム @ 10A、 8V 2.6V @ 500µA 6.2 nC @ 4.5 V ±18V 720 pF @ 480 V - 81W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 4-PQFN(8x8) 4-PowerDFN
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  • TP65H070G4PS
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 18A、10V・Id印
    1,754.77 税込¥1,930.24
  • TP65H050G4WS
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):34A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):60ミリオーム @ 22A、10V・Id印
    2,816.48 税込¥3,098.12
  • TPH3206PS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 11A、8V・Id印加時のVgs(t
    1,864.71 税込¥2,051.18
  • TP65H150G4PS
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 8.5A、10V・I
    1,465.86 税込¥1,612.44
  • TP65H015G5WS
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperGaN™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):93A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):18ミリオーム @ 60A、10V・Id印
    5,557.48 税込¥6,113.22
  • TP65H030G4PWS
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgs(最大):-・Vds印
    1,791.77 税込¥1,970.94
  • TP65H030G4PRS-TR
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgs(最大):
    1,777.39 税込¥1,955.12
  • TP65H030G4PRS-TR
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgs(最大)
    1,777.39 税込¥1,955.12
  • TP65H030G4PRS-TR
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    最小1,300個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgs(最大)
    729.66 税込¥802.62
  • TP65H030G4PQS-TR
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgs(最大):
    1,765.48 税込¥1,942.02
  • TP65H030G4PQS-TR
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgs(最大)
    1,765.48 税込¥1,942.02
  • TP65H030G4PQS-TR
    Transphorm
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    最小400個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgs(最大)
    723.68 税込¥796.04
  • TP65H100G4PS
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):18.9A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):110ミリオーム @ 12A、10V・
    1,454.33 税込¥1,599.76
  • TP65H100G4LSGB-TR
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):18.9A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):110ミリオーム @ 12
    1,347.44 税込¥1,482.18
  • TP65H100G4LSGB-TR
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):18.9A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):110ミリオーム @ 1
    1,347.44 税込¥1,482.18
  • TP65H100G4LSGB-TR
    Transphorm
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    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):18.9A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):110ミリオーム @ 1
    458.53 税込¥504.38
  • TP65H070G4RS-TR
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 18A、1
    1,784.53 税込¥1,962.98
  • TP65H070G4RS-TR
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 18A、
    1,784.53 税込¥1,962.98
  • TP65H070G4RS-TR
    Transphorm
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    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 18A、
    733.65 税込¥807.01
  • TP65H070G4QS-TR
    Transphorm
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、10V・Id印加時
    1,747.62 税込¥1,922.38
  • TP65H050G4QS-TR
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    最小2,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):34A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):60ミリオーム @ 22A、10V・Id印加
    923.04 税込¥1,015.34
  • TP65H070G4QS-TR
    Transphorm
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、10V・Id印加
    1,747.62 税込¥1,922.38
  • TP65H070G4QS-TR
    Transphorm
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    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、10V・Id印加
    713.72 税込¥785.09
  • TP65H050G4QS-TR
    Transphorm
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):34A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):60ミリオーム @ 22A、10V・Id印加時
    2,102.36 税込¥2,312.59
  • TP65H050G4QS-TR
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):34A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):60ミリオーム @ 22A、10V・Id印加
    2,102.36 税込¥2,312.59
  • TP65H035G4QS
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):46.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):41ミリオーム @ 30
    1,654.70 税込¥1,820.17
  • TP65H050G4YS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):35A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):60ミリオーム @ 22A、10V・Id印
    2,816.48 税込¥3,098.12
  • TP65H035G4QS
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):46.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):41ミリオーム @ 30A
    3,300.00 税込¥3,630.00
  • TP65H035G4QS
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):46.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):41ミリオーム @ 30
    3,300.00 税込¥3,630.00
  • TP65H300G4LSGB-TR
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):312ミリオーム @ 6.5A
    870.84 税込¥957.92
  • TP65H300G4LSGB-TR
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):312ミリオーム @ 6.5
    870.84 税込¥957.92
  • TP65H300G4LSGB-TR
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    最小3,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):312ミリオーム @ 6.5
    229.52 税込¥252.47
  • TP65H480G4JSGB-TR
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):560ミリオーム @ 3A、6
    772.23 税込¥849.45
  • TP65H480G4JSGB-TR
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):560ミリオーム @ 3A、
    772.23 税込¥849.45
  • TP65H480G4JSGB-TR
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    最小4,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):560ミリオーム @ 3A、
    195.38 税込¥214.91
  • TP65H300G4JSGB-TR
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9.2A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):312ミリオーム @ 6.5A
    897.23 税込¥986.95
  • TP65H300G4JSGB-TR
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9.2A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):312ミリオーム @ 6.5
    897.23 税込¥986.95
  • TP65H300G4JSGB-TR
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    最小4,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9.2A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):312ミリオーム @ 6.5
    240.85 税込¥264.93
  • TP65H070G4LSG-TR
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、1
    1,878.83 税込¥2,066.71
  • TP65H070G4LSG-TR
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、
    1,878.83 税込¥2,066.71
  • TP65H070G4LSG-TR
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    最小3,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、
    797.45 税込¥877.19
  • TP65H480G4JSG
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):8V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):560ミリオーム @ 3.4A、8V・Id印
    221.29 税込¥243.41
  • TP65H150G4LSG
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):13A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 8.5A、10V・Id印
    1,057.54 税込¥1,163.29
  • TP65H150G4LSG
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):13A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 8.5A、10V・Id
    1,057.54 税込¥1,163.29
  • TP65H070G4LSGB-TR
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、1
    2,052.95 税込¥2,258.24
  • TP65H070G4LSGB-TR
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、
    2,052.95 税込¥2,258.24
  • TP65H070G4LSGB-TR
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    最小3,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、
    895.13 税込¥984.64
  • TP65H150BG4JSG-TR
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 10A、6
    1,035.62 税込¥1,139.18
  • TP65H150BG4JSG-TR
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 10A、
    1,035.62 税込¥1,139.18
  • TP65H150BG4JSG-TR
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    最小4,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 10A、
    295.06 税込¥324.56
  • TP65H300G4LSG-TR
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    最小3,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):8V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):312ミリオーム @ 5A、8V・Id印加時
    263.92 税込¥290.31
  • TP65H300G4LSG-TR
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):8V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):312ミリオーム @ 5A、8V・Id印加時の
    961.65 税込¥1,057.81
  • TP65H300G4LSG-TR
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):8V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):312ミリオーム @ 5A、8V・Id印加時
    961.65 税込¥1,057.81
  • TP65H070LDG-TR
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:TP65H070L・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):25A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、1
    2,548.24 税込¥2,803.06
  • TP65H070LDG-TR
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TP65H070L・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):25A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、
    2,548.24 税込¥2,803.06
  • TP65H070LDG-TR
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    最小500個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:TP65H070L・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):25A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、
    1,186.20 税込¥1,304.82
  • TP65H150G4LSG
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    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):13A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 8.5A、10V・Id
    405.89 税込¥446.47
  • TP65H050G4BS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):34A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):60ミリオーム @ 22A、10V・Id印
    2,536.48 税込¥2,790.12
  • TP65H150G4LSG-TR
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):13A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 8.5A、10V・Id印
    1,197.27 税込¥1,316.99
  • TP65H150G4LSG-TR
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):13A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 8.5A、10V・Id
    1,197.27 税込¥1,316.99
  • TP65H150G4LSG-TR
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    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):13A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 8.5A、10V・Id
    358.85 税込¥394.73
  • TP65H035G4WSQA
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):47.2A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):41ミリオーム @ 30A、10V・Id印加時のVgs
    3,548.24 税込¥3,903.06
  • TP65H070LSG-TR
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:TP65H070L・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):25A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、1
    1,843.53 税込¥2,027.88
  • TP65H070LSG-TR
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TP65H070L・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):25A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、
    1,843.53 税込¥2,027.88
  • TP65H070LSG-TR
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    最小500個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:TP65H070L・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):25A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、
    1,186.20 税込¥1,304.82
  • TP65H480G4JSG-TR
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    最小4,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):8V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):560ミリオーム @ 3.4
    221.29 税込¥243.41
  • TP65H480G4JSG-TR
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):8V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):560ミリオーム @ 3.4A
    862.50 税込¥948.75
  • TP65H480G4JSG-TR
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):8V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):560ミリオーム @ 3.4
    862.50 税込¥948.75
  • TP90H050WS
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    最小450個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):900 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):34A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):63ミリオーム @ 22A、10V・Id印
    1,624.79 税込¥1,787.26
  • TP65H035G4WS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperGaN™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):46.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):41ミリオーム @ 3
    3,349.42 税込¥3,684.36
  • TPH3206LSGB
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):8V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 10A、 8V・Id印加時のVgs(th
  • TPH3206LDG-TR
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    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):8V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 11A、8V・Id印加時のVgs(th)
  • TP65H150LSG
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):15A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs(
  • TP65H050WSQA
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):36A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):60ミリオーム @ 25A、10V・Id印
    3,511.77 税込¥3,862.94
  • TP65H070LSG
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:TP65H070L・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):25A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A
  • TP65H070LDG
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:TP65H070L・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):25A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A
  • TP65H035WSQA
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):47.2A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):41ミリオーム @ 32A、10V・I
    4,095.30 税込¥4,504.83
  • TP65H050WS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):34A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):12V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):60ミリオーム @ 22A、10V・Id印
    2,670.59 税込¥2,937.64
  • TP65H035WS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):46.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):12V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):41ミリオーム @ 30A、10V・I
    3,892.95 税込¥4,282.24
  • TPH3212PS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):27A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):72ミリオーム @ 17A、8V・Id印加
  • TPH3208PS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):130ミリオーム @ 13A、8V・Id印
  • TPH3208LS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):130ミリオーム @ 13A、8V・Id印加時のVgs(t
  • TPH3208LDG
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):130ミリオーム @ 13A、8V・Id印加時のVgs(t
    2,070.59 税込¥2,277.64
  • TPH3208LD
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):130ミリオーム @ 13A、8V・Id印加時のVgs(t
  • TPH3207WS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):50A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):41ミリオーム @ 32A、8V・Id印加時のVgs(th
  • TPH3206PD
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 11A、8V・Id印加時のVgs(t
    1,985.89 税込¥2,184.47
  • TPH3206LS
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    最小240個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 11A、8V・Id印加時のVgs(t
    909.09 税込¥999.99
  • TPH3206LDGB
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 11A、8V・Id印加時のVgs(t
  • TPH3206LD
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 11A、8V・Id印加時のVgs(t
  • TPH3205WSB
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):36A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):60ミリオーム @ 22A、8V・Id印加時のVgs(th
  • TPH3202PS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):350ミリオーム @ 5.5A、8V・Id印加時のVgs(t
  • TPH3202PD
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):350ミリオーム @ 5.5A、8V・Id印加時のVgs(t
  • TPH3202LS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):350ミリオーム @ 5.5A、8V・Id印加時のVgs(t
  • TPH3202LD
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):350ミリオーム @ 5.5A、8V・Id印加時のVgs(t
  • TPH3208LSG
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):130ミリオーム @ 14A、8V・Id印加時のVgs(t
  • TP90H180PS
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):900 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):15A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):205ミリオーム @ 10A、10V・Id
  • TPH3208PD
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):130ミリオーム @ 13A、8V・Id印加時のVgs(t
  • TPH3206PSB
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 10A、 8V・Id印加時のVgs(
  • TPH3206LSB
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 10A、 8V・Id印加時のVgs(
  • TPH3206LDB
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 10A、 8V・Id印加時のVgs(
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