ハイサイド・ゲートドライバ IC【LTC4440ES6#TRPBF】

ハイサイド・ゲートドライバ IC【LTC4440ES6#TRPBF】

メーカー名:
型番:
LTC4440ES6#TRPBF
箱番号:
品質ランク:
S2
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ハイサイド・ゲートドライバ IC【LTC4440ES6#TRPBF】の概要

高速、高電圧、ハイサイド・ゲート・ドライバ

【特長】
  • 広い動作入力電圧範囲:最大80V
  • 100Vの入力電圧トランジェントに耐える堅牢なアーキテクチャ
  • 強力な1.5Ωドライバによるプルダウン
  • 強力な2.4Aピーク電流ドライバによるプルアップ
  • 1000pFの負荷を駆動するときの立ち下がり時間:7ns
  • 1000pFの負荷を駆動するときの立ち上がり時間:10ns
  • 標準的なしきい値のMOSFETを駆動
  • ヒステリシスのあるTTL/CMOS互換入力
  • 入力のしきい値は電源電圧と無関係
  • 低電圧ロックアウト
  • 高さの低い(1mm)SOT-23 (ThinSOT)?および熱特性が改善された8ピンMSOPパッケージ
  • 入力電圧が最大80Vのアプリケーションで動作する高周波ハイサイドNチャネルMOSFETゲート・ドライバです。LTC4440は100Vの入力電圧トランジェントにも耐え、その間も引き続き動作することができます。強力なドライバ機能により、高いゲート容量をもつMOSFETのスイッチング損失を低減します。LTC4440のプルアップ回路のピーク出力電流は2.4Aで、プルダウン回路の出力インピーダンスは1.5Ωです。

    電源電圧に依存しないTTL/CMOS互換の入力電圧しきい値を特長としており、そのヒステリシスは350mVです。入力ロジック信号はブートストラップされた電源電圧まで内部でレベルシフトされ、最大でグランドより115V高い電圧でも動作できます。

    ハイサイドとローサイド両方の低電圧ロックアウト回路を内蔵しており、これらの回路は作動すると外付けMOSFETをディスエーブルします。

    【アプリケーション】
    • 通信機器用電源システム
    • 分散給電アーキテクチャ
    • サーバの電源
    • 高密度電源モジュール

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