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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 　[ メーカー:オンセミコンダクター ]の検索結果

検索結果 1,662件中1～50件目
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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 1,662件
  • 1

    【NTGD3148NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【NTGD3148NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 3.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：
    ￥180.00 税込￥198.00
  • 2

    【FDC6305N】MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【FDC6305N】MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 2.7A、4.5V・Id印加時のVgs（th
    ￥204.29 税込￥224.71
  • 3

    【NTGD3148NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP

    【NTGD3148NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 3.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）
    ￥180.00 税込￥198.00
  • 4

    【NTGD3148NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP

    【NTGD3148NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 3.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）
    ￥31.48 税込￥34.62
  • 5

    【FDC6305N】MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6

    【FDC6305N】MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 2.7A、4.5V・Id印加時のVgs（t
    ￥204.29 税込￥224.71
  • 6

    【FPF1C2P5BF07A】MOSFET 5N-CH 650V 36A F1

    【FPF1C2P5BF07A】MOSFET 5N-CH 650V 36A F1
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：5Nチャンネル（ソーラーインバータ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：36A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：90ミリオーム @ 27A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3.8V @ 250
  • 7

    【NFAM3212SCBUT】SIC

    【NFAM3212SCBUT】SIC
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャンネル（3相インバータ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（
  • 8

    【FDS4935A】MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC

    【FDS4935A】MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs（
    ￥305.72 税込￥336.29
  • 9

    【FDS89161】MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC

    【FDS89161】MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：105ミリオーム @ 2.7A、10V・Id印加時のVgs（
    ￥268.58 税込￥295.43
  • 10

    【2N7002VA】MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563F

    【2N7002VA】MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563F
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：280mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 50mA、5V・Id印加時のVgs（th）（最大）
    ￥164.29 税込￥180.71
  • 11

    【NXH010P120MNF1PTNG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

    【NXH010P120MNF1PTNG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大）
    ￥21,435.64 税込￥23,579.20
  • 12

    【FDS9926A】MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC

    【FDS9926A】MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6.5A、4.5V・Id印加
    ￥244.29 税込￥268.71
  • 13

    【NDS9936】MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC

    【NDS9936】MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V
    ￥68.85 税込￥75.73
  • 14

    【FDS6990A】MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

    【FDS6990A】MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18ミリオーム @ 7.5A、10V・Id印加時
  • 15

    【NTJD4401NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88

    【NTJD4401NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：630mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：375ミリオーム @ 630mA、4.5V・Id印加時のVgs（th
    ￥101.43 税込￥111.57
  • 16

    【FDC6420C】MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【FDC6420C】MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A、2.2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時のVg
    ￥221.43 税込￥243.57
  • 17

    【NTMFD5C674NLT1G】MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN

    【NTMFD5C674NLT1G】MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11A（Ta）、42A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14.4ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥277.15 税込￥304.86
  • 18

    【NXVF6532M3TG01】SIC POWER MOSFET MODULE 650V, 32

    【NXVF6532M3TG01】SIC POWER MOSFET MODULE 650V, 32
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4個のNチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：31A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：44ミリオーム @ 15A、18V・Id印加時のVgs（th）（最大）：4V @
    ￥4,349.42 税込￥4,784.36
  • 19

    【NVMFWD010N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL [digi-reel品] DigiReel商品

    【NVMFWD010N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11.6A（Ta）、61A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10.4ミリオーム @ 17A、10V・Id印加時のVgs
    ￥695.84 税込￥765.42
  • 20

    【NVMFWD010N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL

    【NVMFWD010N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11.6A（Ta）、61A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10.4ミリオーム @ 17A、10V・Id印加時のVg
    ￥695.84 税込￥765.42
  • 21

    【NVMFWD010N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL

    【NVMFWD010N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    最小1,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11.6A（Ta）、61A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10.4ミリオーム @ 17A、10V・Id印加時のVg
    ￥173.15 税込￥190.46
  • 22

    【NVMFD010N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL [digi-reel品] DigiReel商品

    【NVMFD010N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11.6A（Ta）、61A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10.4ミリオーム @ 17A、10V・Id印加時のVgs
    ￥650.00 税込￥715.00
  • 23

    【NVMFD010N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL

    【NVMFD010N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11.6A（Ta）、61A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10.4ミリオーム @ 17A、10V・Id印加時のVg
    ￥650.00 税込￥715.00
  • 24

    【NVMFD010N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL

    【NVMFD010N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    最小1,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11.6A（Ta）、61A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10.4ミリオーム @ 17A、10V・Id印加時のVg
    ￥160.15 税込￥176.16
  • 25

    【NVMFD020N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL [digi-reel品] DigiReel商品

    【NVMFD020N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8.3A（Ta）、35A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 48A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥560.00 税込￥616.00
  • 26

    【NVMFD020N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL

    【NVMFD020N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8.3A（Ta）、35A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 48A、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥560.00 税込￥616.00
  • 27

    【NVMFD020N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL

    【NVMFD020N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    最小1,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8.3A（Ta）、35A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 48A、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥129.91 税込￥142.90
  • 28

    【NVMFWD020N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL [digi-reel品] DigiReel商品

    【NVMFWD020N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8.3A（Ta）、35A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 48A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.2V @
    ￥518.58 税込￥570.43
  • 29

    【NVMFWD020N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL

    【NVMFWD020N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8.3A（Ta）、35A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 48A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.2V @
    ￥518.58 税込￥570.43
  • 30

    【NVMFWD020N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL

    【NVMFWD020N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    最小1,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8.3A（Ta）、35A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 48A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.2V @
    ￥118.34 税込￥130.17
  • 31

    【NVMFD040N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL [digi-reel品] DigiReel商品

    【NVMFD040N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.1A（Ta）、21A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：39ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥458.58 税込￥504.43
  • 32

    【NVMFD040N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL

    【NVMFD040N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.1A（Ta）、21A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：39ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥458.58 税込￥504.43
  • 33

    【NVMFD040N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL

    【NVMFD040N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    最小1,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.1A（Ta）、21A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：39ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥102.66 税込￥112.92
  • 34

    【NVMFWD040N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL [digi-reel品] DigiReel商品

    【NVMFWD040N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.1A（Ta）、21A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：39ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥421.43 税込￥463.57
  • 35

    【NVMFWD040N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL

    【NVMFWD040N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.1A（Ta）、21A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：39ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥421.43 税込￥463.57
  • 36

    【NVMFWD040N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL

    【NVMFWD040N10MCLT1G】PTNG 100V LL SO8FL DUAL
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    最小1,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.1A（Ta）、21A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：39ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥92.70 税込￥101.97
  • 37

    【NFAM4512SCBUT】SIC

    【NFAM4512SCBUT】SIC
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャンネル（3相インバータ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（
  • 38

    【NFAM5812SCBUT】SIC

    【NFAM5812SCBUT】SIC
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャンネル（3相インバータ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（
  • 39

    【NXV10V125DT1】MOSFET

    【NXV10V125DT1】MOSFET
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：6 Nチャンネル（3相インバータ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.2ミリオーム @ 80A、12V・Id印加時のVgs（th）（最大）：4.5V @ 250µ
    ￥5,271.27 税込￥5,798.39
  • 40

    【UHB100SC12E1BC3N】MOSFET 2P-CH 1200V 100A MODULE

    【UHB100SC12E1BC3N】MOSFET 2P-CH 1200V 100A MODULE
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Pチャンネル（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 70A、12V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥31,850.00 税込￥35,035.00
  • 41

    【UFB25SC12E1BC3N】MOSFET 4P-CH 1200V 36A MODULE

    【UFB25SC12E1BC3N】MOSFET 4P-CH 1200V 36A MODULE
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    最小24個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4 P-チャンネル（フルブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：36A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：45ミリオーム @ 25A、12V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥20,401.60 税込￥22,441.76
  • 42

    【UHB50SC12E1BC3N】MOSFET 2P-CH 1200V 69A MODULE

    【UHB50SC12E1BC3N】MOSFET 2P-CH 1200V 69A MODULE
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Pチャンネル（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：69A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：24ミリオーム @ 50A、12V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥24,735.23 税込￥27,208.75
  • 43

    【UFB15C12E1BC3N】MOSFET 4P-CH 1200V 24A MODULE

    【UFB15C12E1BC3N】MOSFET 4P-CH 1200V 24A MODULE
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4 P-チャンネル（フルブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：24A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：90ミリオーム @ 15A、12V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥21,642.53 税込￥23,806.78
  • 44

    【NXH022S120M3F1PTG】22M OHM 1200V 40A M3S SIC 6-PACK

    【NXH022S120M3F1PTG】22M OHM 1200V 40A M3S SIC 6-PACK
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電
    ￥12,591.96 税込￥13,851.15
  • 45

    【NXH030S120M3F1PTG】30M OHM 1200V 40A M3S SIC 6-PACK

    【NXH030S120M3F1PTG】30M OHM 1200V 40A M3S SIC 6-PACK
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電
    ￥10,682.76 税込￥11,751.03
  • 46

    【NVVR21A65M2WSB】SILICON CARBINE (SIC) MODULE - E

    【NVVR21A65M2WSB】SILICON CARBINE (SIC) MODULE - E
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最
  • 47

    【NTTFD1D8N02P1E】MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE

    【NTTFD1D8N02P1E】MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：25V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11A（Ta）、21A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.2ミリオーム @ 15A、10V、1.4ミリオ
    ￥498.58 税込￥548.43
  • 48

    【NVMFD5873NLWFT1G-UM】POWER MOSFET 60V, 58A, 13 MOHM,

    【NVMFD5873NLWFT1G-UM】POWER MOSFET 60V, 58A, 13 MOHM,
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：58A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時
  • 49

    【NTMFD5877NLT1G】POWER MOSFET, DUAL N-CHANNEL, LO

    【NTMFD5877NLT1G】POWER MOSFET, DUAL N-CHANNEL, LO
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：39ミリオーム @ 7.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V
  • 50

    【NVMFWD027N10MCLT1G】DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET100 V

    【NVMFWD027N10MCLT1G】DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET100 V
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.4A（Ta）、28A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：26ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
DigiReelの説明

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