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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

検索結果 8,228件中1～50件目
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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【FDMC7200S】MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33

    【FDMC7200S】MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A、13A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時
    ￥314.29 税込￥345.71
  • 2

    【HS8K11TB】MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML

    【HS8K11TB】MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A、 11A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17.9ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥232.86 税込￥256.14
  • 3

    【SIL2308-TP】MOSFET N/P-CH 20V 5A/4A SOT23-6L

    【SIL2308-TP】MOSFET N/P-CH 20V 5A/4A SOT23-6L
    メーカー名：
    MCC (Micro Commercial Components)
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A、4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：38ミリオーム @ 4.5A、4.5V、90ミリオーム @ 500mA、4.5V・Id印加
    ￥115.72 税込￥127.29
  • 4

    【SI7288DP-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8

    【SI7288DP-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥481.43 税込￥529.57
  • 5

    【US6M2TR】MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6

    【US6M2TR】MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.5A、1A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：240ミリオーム @ 1.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：
    ￥243.57 税込￥267.92
  • 6

    【DMC2700UDM-7】MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26

    【DMC2700UDM-7】MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.34A、1.14A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：400ミリオーム @ 600mA、4.5V・Id印加時のVgs（
    ￥81.43 税込￥89.57
  • 7

    【DMT10H032SDVWQ-7】MOSFET 2N-CH 100V 6A PWRDI3333

    【DMT10H032SDVWQ-7】MOSFET 2N-CH 100V 6A PWRDI3333
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：35ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：4V @
    ￥66.19 税込￥72.80
  • 8

    【IAUCN04S7N054HATMA1】MOSFET_(20V 40V)

    【IAUCN04S7N054HATMA1】MOSFET_(20V 40V)
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 7・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：62A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.41ミリオーム @ 30A、10V・Id印加時のVgs（
    ￥404.25 税込￥444.67
  • 9

    【ECH8660-TL-H】MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH

    【ECH8660-TL-H】MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：59ミリオーム @ 2A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vg
    ￥45.45 税込￥49.99
  • 10

    【DMT10H032SDVWQ-13】MOSFET 2N-CH 100V 6A PWRDI3333

    【DMT10H032SDVWQ-13】MOSFET 2N-CH 100V 6A PWRDI3333
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：35ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：4V @
    ￥63.15 税込￥69.46
  • 11

    【HT8KB6TB1】MOSFET 2N-CH 40V 8A 8HSMT

    【HT8KB6TB1】MOSFET 2N-CH 40V 8A 8HSMT
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Ta）、15A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17.2ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥458.58 税込￥504.43
  • 12

    【MCACD6D3N06Y-TP】DUAL N-CHANNEL MOSFETP,DFN5060-8

    【MCACD6D3N06Y-TP】DUAL N-CHANNEL MOSFETP,DFN5060-8
    メーカー名：
    MCC (Micro Commercial Components)
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：60A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6.3ミリオーム @ 40A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：4V @ 250µ
    ￥354.29 税込￥389.71
  • 13

    【DMHT6016LFJ-13】MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN

    【DMHT6016LFJ-13】MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：4個のNチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：14.8A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥554.29 税込￥609.71
  • 14

    【SSM6N357R,LF】MOSFET 2N-CH 60V 0.65A 6TSOPF

    【SSM6N357R,LF】MOSFET 2N-CH 60V 0.65A 6TSOPF
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：650mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.8オーム @ 150mA、5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2
    ￥154.29 税込￥169.71
  • 15

    【DMN3024LSD-13】MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO

    【DMN3024LSD-13】MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：24ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：
    ￥218.58 税込￥240.43
  • 16

    【SI5515CDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

    【SI5515CDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：36ミリオーム @ 6A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（
    ￥281.43 税込￥309.57
  • 17

    【SSM6L61NU,LF】MOSFET N/P-CH 20V 4A 6UDFN [digi-reel品] DigiReel商品

    【SSM6L61NU,LF】MOSFET N/P-CH 20V 4A 6UDFN [digi-reel品]
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印
    ￥162.39 税込￥178.62
  • 18

    【NDS9958】MOSFET N/P-CH 20V 3.5A 8SOIC

    【NDS9958】MOSFET N/P-CH 20V 3.5A 8SOIC
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 3.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3
    ￥104.23 税込￥114.65
  • 19

    【SI5515CDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SI5515CDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：36ミリオーム @ 6A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥281.43 税込￥309.57
  • 20

    【IAUCN04S7N054HATMA1】MOSFET_(20V 40V) [digi-reel品] DigiReel商品

    【IAUCN04S7N054HATMA1】MOSFET_(20V 40V) [digi-reel品]
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 7・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：62A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.41ミリオーム @ 30A、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥404.25 税込￥444.67
  • 21

    【SIA517DJ-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8

    【SIA517DJ-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：29ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs（th
    ￥211.43 税込￥232.57
  • 22

    【BSM180D12P3C007】MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

    【BSM180D12P3C007】MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：180A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：5.6V @ 50mA・Vgs印
    ￥97,622.35 税込￥107,384.58
  • 23

    【NTZD5110NT1G】MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563

    【NTZD5110NT1G】MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：294mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥95.72 税込￥105.29
  • 24

    【DMN3018SSD-13】MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO

    【DMN3018SSD-13】MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）
    ￥192.86 税込￥212.14
  • 25

    【FS03MR12A6MA1BBPSA1】MOSFET 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD

    【FS03MR12A6MA1BBPSA1】MOSFET 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：HybridPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6Nチャンネル（3相ブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：400A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.7ミリオーム @ 400A、15V・Id印加時
    ￥347,328.73 税込￥382,061.60
  • 26

    【PSMN029-100HLX】LFPAK56D デュアルパワーMOSFET(100V/30A)

    【PSMN029-100HLX】LFPAK56D デュアルパワーMOSFET(100V/30A)
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    最小1,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：27ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（
    ￥113.69 税込￥125.05
  • 27

    【AO6608】MOSFET N/P-CH 30V/20V 3.4A 6TSOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【AO6608】MOSFET N/P-CH 30V/20V 3.4A 6TSOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネルコンプリメンタリ・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.4A（Ta）、3.3A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 3.4A、10V、75ミ
    ￥181.43 税込￥199.57
  • 28

    【AO6602L】MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP

    【AO6602L】MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネルコンプリメンタリ・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥31.82 税込￥35.00
  • 29

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR [digi-reel品] DigiReel商品

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR [digi-reel品]
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @ 2
    ￥188.58 税込￥207.43
  • 30

    【DMP6111SSD-13】MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2

    【DMP6111SSD-13】MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.8A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：115ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V
    ￥41.45 税込￥45.59
  • 31

    【SSM6N62TU,LF】MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SSM6N62TU,LF】MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：800mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 800mA、4.5V・I
    ￥155.72 税込￥171.29
  • 32

    【ALD110902PAL】MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP

    【ALD110902PAL】MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP
    メーカー名：
    Advanced Linear Devices Inc
    型番：
    出荷予定日：
    最小50個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：EPAD®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Nチャンネル（デュアル）整合ペア・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：10.6V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500オーム @ 4.2V・Id印加時のVgs（th）（最大）：220mV @ 1µA
    ￥727.94 税込￥800.73
  • 33

    【SSM6P41FE(TE85L,F)】MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6

    【SSM6P41FE(TE85L,F)】MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：720mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：300ミリオーム @ 400mA、4.5V・Id印加時のVgs（th）
    ￥137.15 税込￥150.86
  • 34

    【IRF7319TRPBF】MOSFET N/P-CH 30V 8SO [digi-reel品] DigiReel商品

    【IRF7319TRPBF】MOSFET N/P-CH 30V 8SO [digi-reel品]
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：29ミリオーム @ 5.8A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @ 25
    ￥398.58 税込￥438.43
  • 35

    【SSF3714】MOSFET N/P-CH 30V 4A SOT23-6L

    【SSF3714】MOSFET N/P-CH 30V 4A SOT23-6L
    メーカー名：
    Good-Ark Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Tc）、3A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 4A、10V、65ミリオーム @ 3A、10V・I
    ￥40.00 税込￥44.00
  • 36

    【DMP2110UVTQ-7】MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26

    【DMP2110UVTQ-7】MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.8A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：150ミリオーム @ 2.8A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：
    ￥25.47 税込￥28.01
  • 37

    【SSM6N62TU,LXHF】MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SSM6N62TU,LXHF】MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：800mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 800mA、4.5V・I
    ￥165.72 税込￥182.29
  • 38

    【SI1965DH-T1-BE3】MOSFET 2P-CH 12V 1.14A SC70-6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SI1965DH-T1-BE3】MOSFET 2P-CH 12V 1.14A SC70-6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.14A（Ta）、1.3A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：390ミリオーム @ 1A、4.5V・Id
    ￥177.15 税込￥194.86
  • 39

    【SL2300B】20V 5.8A 1W 35M@4.5V 3A 1.2V@250

    【SL2300B】20V 5.8A 1W 35M@4.5V 3A 1.2V@250
    メーカー名：
    -
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電
    ￥6.34 税込￥6.97
  • 40

    【EM6M2T2R】MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6

    【EM6M2T2R】MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1オーム @ 200mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @
    ￥184.29 税込￥202.71
  • 41

    【AONY36352】MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8DFN

    【AONY36352】MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8DFN
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.5A（Ta）、49A（Tc）、30A（Ta）、85A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.3ミリオーム @
    ￥417.15 税込￥458.86
  • 42

    【FF1000UXTR23T2M1PBPSA1】MOSFET 2.3KV 1.185KA 20MW AG2K17

    【FF1000UXTR23T2M1PBPSA1】MOSFET 2.3KV 1.185KA 20MW AG2K17
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：CoolSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：2300V（2.3kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.185kA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.19ミリオーム @ 2kA、15V・Id印加時のV
    ￥747,372.35 税込￥822,109.58
  • 43

    【SI1967DH-T1-BE3】MOSFET 2P-CH 20V 1A SC70-6

    【SI1967DH-T1-BE3】MOSFET 2P-CH 20V 1A SC70-6
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1A（Ta）、1.3A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：490ミリオーム @ 910mA、4.5V・I
    ￥154.29 税込￥169.71
  • 44

    【DMC31D5UDJ-7】MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963

    【DMC31D5UDJ-7】MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：220mA、200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @ 100mA、4.5V・Id印加時のVgs（th
    ￥159.40 税込￥175.34
  • 45

    【SSM6P41FE(TE85L,F)】MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SSM6P41FE(TE85L,F)】MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：720mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：300ミリオーム @ 400mA、4.5V・Id印加時のVgs（th）（
    ￥137.15 税込￥150.86
  • 46

    【FF55MR12W1M1HB70BPSA1】EASYDUAL MODULE WITH COOLSIC TRE

    【FF55MR12W1M1HB70BPSA1】EASYDUAL MODULE WITH COOLSIC TRE
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：CoolSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：52.9ミリオーム @ 15A、18V・Id印加時のVgs（t
    ￥10,885.06 税込￥11,973.56
  • 47

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @
    ￥188.58 税込￥207.43
  • 48

    【SQJ914EP-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8

    【SQJ914EP-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥430.00 税込￥473.00
  • 49

    【PSMN014-40HLDX】LFPAK56D デュアルパワーMOSFET(40V/42A)

    【PSMN014-40HLDX】LFPAK56D デュアルパワーMOSFET(40V/42A)
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥410.00 税込￥451.00
  • 50

    【SQJ914EP-T1_BE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8

    【SQJ914EP-T1_BE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥430.08 税込￥473.08
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