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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【NXH010P120MNF1PTG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

    【NXH010P120MNF1PTG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（
    ￥23,263.64 税込￥25,590.00
  • 2

    【NXH010P120MNF1PG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

    【NXH010P120MNF1PG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（
    ￥23,263.64 税込￥25,590.00
  • 3

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @
    ￥188.58 税込￥207.43
  • 4

    【FDMC7200S】MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33

    【FDMC7200S】MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A、13A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時
    ￥314.29 税込￥345.71
  • 5

    【FDMC7200】MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33

    【FDMC7200】MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23.5ミリオーム @ 6A、10V・Id印加
    ￥250.00 税込￥275.00
  • 6

    【SSM6N40TU,LF】MOSFET 2N-CH 30V 1.6A UF6

    【SSM6N40TU,LF】MOSFET 2N-CH 30V 1.6A UF6
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、4V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：122ミリオーム @ 1A、10V・Id印加時の
    ￥140.00 税込￥154.00
  • 7

    【SSM6N17FU(TE85L,F)】MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6

    【SSM6N17FU(TE85L,F)】MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20オーム @ 10mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.5
    ￥102.86 税込￥113.14
  • 8

    【HS8K11TB】MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML

    【HS8K11TB】MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A、 11A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17.9ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥232.86 税込￥256.14
  • 9

    【SIL2308-TP】MOSFET N/P-CH 20V 5A/4A SOT23-6L

    【SIL2308-TP】MOSFET N/P-CH 20V 5A/4A SOT23-6L
    メーカー名：
    MCC (Micro Commercial Components)
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A、4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：38ミリオーム @ 4.5A、4.5V、90ミリオーム @ 500mA、4.5V・Id印加
    ￥117.15 税込￥128.86
  • 10

    【DMC2700UDM-7】MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26

    【DMC2700UDM-7】MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.34A、1.14A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：400ミリオーム @ 600mA、4.5V・Id印加時のVgs（
    ￥81.43 税込￥89.57
  • 11

    【SQ4946CEY-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

    【SQ4946CEY-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥357.15 税込￥392.86
  • 12

    【SI4946CDY-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 60V 5.2A 8SO [digi-reel品] DigiReel商品

    【SI4946CDY-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 60V 5.2A 8SO [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.2A（Ta）、6.1A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40.9ミリオーム @ 5.2A、10V・
    ￥314.29 税込￥345.71
  • 13

    【SI4946CDY-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 60V 5.2A 8SO

    【SI4946CDY-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 60V 5.2A 8SO
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.2A（Ta）、6.1A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40.9ミリオーム @ 5.2A、10V
    ￥314.29 税込￥345.71
  • 14

    【ALD212900APAL】MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8PDIP

    【ALD212900APAL】MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8PDIP
    メーカー名：
    Advanced Linear Devices Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：EPAD®, Zero Threshold™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Nチャンネル（デュアル）整合ペア・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：10.6V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：80mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14オーム・Id印加時のVgs（
    ￥1,832.95 税込￥2,016.24
  • 15

    【ALD110900APAL】MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP

    【ALD110900APAL】MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP
    メーカー名：
    Advanced Linear Devices Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：EPAD®, Zero Threshold™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Nチャンネル（デュアル）整合ペア・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：10.6V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500オーム @ 4V・Id印加時のVgs（th）（
    ￥1,869.42 税込￥2,056.36
  • 16

    【SQ4946CEY-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC

    【SQ4946CEY-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥357.15 税込￥392.86
  • 17

    【DMG1029SV-7】MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563 [digi-reel品] DigiReel商品

    【DMG1029SV-7】MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563 [digi-reel品]
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA、360mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.7オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（
    ￥125.72 税込￥138.29
  • 18

    【DMG1029SV-7】MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563

    【DMG1029SV-7】MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA、360mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.7オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥125.72 税込￥138.29
  • 19

    【SH8KC6TB1】MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【SH8KC6TB1】MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 6.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.
    ￥350.00 税込￥385.00
  • 20

    【SIZ270DT-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR

    【SIZ270DT-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET® Gen IV・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.1A（Ta）、19.5A（Tc）、6.9A（Ta）、19.1A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds
    ￥490.00 税込￥539.00
  • 21

    【FF6MR12KM1HHPSA1】CoolSiC MOSFETハーフブリッジパワーモジュール(1200V)

    【FF6MR12KM1HHPSA1】CoolSiC MOSFETハーフブリッジパワーモジュール(1200V)
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥34,180.65 税込￥37,598.71
  • 22

    【FS28MR12W1M1HB11HPSA1】EASYPACK MODULE WITH COOLSIC TRE

    【FS28MR12W1M1HB11HPSA1】EASYPACK MODULE WITH COOLSIC TRE
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：EasyPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：26.4ミリオーム @ 30A、18V・Id印加時のVgs（th）（最大）：5.
    ￥17,701.15 税込￥19,471.26
  • 23

    【BSS138PS,115】MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【BSS138PS,115】MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：320mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 300mA、10V・Id印加時のV
    ￥72.86 税込￥80.14
  • 24

    【AO4629】MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC

    【AO4629】MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル、コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、5.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥161.43 税込￥177.57
  • 25

    【US6M1TR】MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.4A TUMT6

    【US6M1TR】MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.4A TUMT6
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.4A、1A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：240ミリオーム @ 1.4A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥244.29 税込￥268.71
  • 26

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR [digi-reel品] DigiReel商品

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR [digi-reel品]
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @ 2
    ￥188.58 税込￥207.43
  • 27

    【SSM6L40TU,LF】MOSFET N/P-CH 30V 1.6A UF6

    【SSM6L40TU,LF】MOSFET N/P-CH 30V 1.6A UF6
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：ロジックレベルゲート、4V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.6A（Ta）、1.4A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：122ミリオーム @ 1A、10V、2
    ￥150.00 税込￥165.00
  • 28

    【NX6020CAKSX】MOSFET N/P-CH 60V 0.17A 6TSSOP

    【NX6020CAKSX】MOSFET N/P-CH 60V 0.17A 6TSSOP
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V、50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：170mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.5オーム @ 100mA、10V、7.5オーム @ 100mA、10V
    ￥77.15 税込￥84.86
  • 29

    【EM6K31T2R】MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6

    【EM6K31T2R】MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4オーム @ 250mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥180.00 税込￥198.00
  • 30

    【VS-MPX075P120】POWER MODULE, THREE PHASE INVERT

    【VS-MPX075P120】POWER MODULE, THREE PHASE INVERT
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャンネル（3相インバータ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：22A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：97.5ミリオーム @ 20A、15V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3.
    ￥17,162.07 税込￥18,878.27
  • 31

    【DMT10H032SDVWQ-7】MOSFET 2N-CH 100V 6A PWRDI3333

    【DMT10H032SDVWQ-7】MOSFET 2N-CH 100V 6A PWRDI3333
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：35ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：4V @
    ￥66.35 税込￥72.98
  • 32

    【NXH010P120MNF1PNG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

    【NXH010P120MNF1PNG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大）
    ￥23,486.37 税込￥25,835.00
  • 33

    【NXH010P120MNF1PTNG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

    【NXH010P120MNF1PTNG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大）
    ￥22,579.32 税込￥24,837.25
  • 34

    【DMP2075UFDB-7】MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN

    【DMP2075UFDB-7】MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.8A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 2.9A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1
    ￥168.58 税込￥185.43
  • 35

    【SSM6L35FU(TE85L,F)】MOSFET N/P-CH 20V 0.18A US6

    【SSM6L35FU(TE85L,F)】MOSFET N/P-CH 20V 0.18A US6
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：180mA、100mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3オーム @ 50mA、4V・Id印加時のVg
    ￥16.46 税込￥18.10
  • 36

    【FDPC8011S】MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33

    【FDPC8011S】MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：25V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：13A（Ta）、20A（Tc）、27A（Ta）、60A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6
    ￥1,015.07 税込￥1,116.57
  • 37

    【SSM6L35FU(TE85L,F)】MOSFET N/P-CH 20V 0.18A US6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SSM6L35FU(TE85L,F)】MOSFET N/P-CH 20V 0.18A US6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：180mA、100mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3オーム @ 50mA、4V・Id印加時のVgs
    ￥104.29 税込￥114.71
  • 38

    【SSM5P15FU,LF】MOSFET 2P-CH 30V 0.1A USV

    【SSM5P15FU,LF】MOSFET 2P-CH 30V 0.1A USV
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12オーム @ 10mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.7V
    ￥90.00 税込￥99.00
  • 39

    【SSM6L820R,LF】MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF [digi-reel品] DigiReel商品

    【SSM6L820R,LF】MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF [digi-reel品]
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：39.1ミリオーム @ 2A、4.5V、45ミリオーム @ 3.5A、10V・Id
    ￥192.86 税込￥212.14
  • 40

    【IAUCN04S7N054HATMA1】MOSFET_(20V 40V)

    【IAUCN04S7N054HATMA1】MOSFET_(20V 40V)
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 7・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：62A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.41ミリオーム @ 30A、10V・Id印加時のVgs（
    ￥405.72 税込￥446.29
  • 41

    【QS6J1TR】MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【QS6J1TR】MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：215ミリオーム @ 1.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥232.86 税込￥256.14
  • 42

    【FS03MR12A6MA1BBPSA1】MOSFET 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD

    【FS03MR12A6MA1BBPSA1】MOSFET 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：HybridPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6Nチャンネル（3相ブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：400A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.7ミリオーム @ 400A、15V・Id印加時
    ￥348,152.13 税込￥382,967.34
  • 43

    【AO4629】MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

    【AO4629】MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC [digi-reel品]
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル、コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、5.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥161.43 税込￥177.57
  • 44

    【GCMX3P5B120S3B1-N】GEN3 1200V 3.6M SIC 62MM HALF BR

    【GCMX3P5B120S3B1-N】GEN3 1200V 3.6M SIC 62MM HALF BR
    メーカー名：
    SemiQ
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：QSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：428A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5ミリオーム @ 200A、18V・Id印加時のVgs（th）
    ￥25,737.50 税込￥28,311.25
  • 45

    【CCB032M12FM3T】SiCハーフブリッジ電源モジュール(1200V/40A)

    【CCB032M12FM3T】SiCハーフブリッジ電源モジュール(1200V/40A)
    メーカー名：
    Wolfspeed
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：WolfPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6Nチャンネル（3相ブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：40A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：42.6ミリオーム @ 30A、15V・Id印加時のVgs（
    ￥22,505.75 税込￥24,756.32
  • 46

    【IAUCN04S7N054HATMA1】MOSFET_(20V 40V) [digi-reel品] DigiReel商品

    【IAUCN04S7N054HATMA1】MOSFET_(20V 40V) [digi-reel品]
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 7・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：62A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.41ミリオーム @ 30A、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥405.72 税込￥446.29
  • 47

    【NDS9958】MOSFET N/P-CH 20V 3.5A 8SOIC

    【NDS9958】MOSFET N/P-CH 20V 3.5A 8SOIC
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 3.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3
    ￥104.48 税込￥114.92
  • 48

    【SI5515CDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

    【SI5515CDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：36ミリオーム @ 6A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（
    ￥282.86 税込￥311.14
  • 49

    【SI5515CDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SI5515CDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：36ミリオーム @ 6A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥282.86 税込￥311.14
  • 50

    【SSM6L61NU,LF】MOSFET N/P-CH 20V 4A 6UDFN [digi-reel品] DigiReel商品

    【SSM6L61NU,LF】MOSFET N/P-CH 20V 4A 6UDFN [digi-reel品]
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印
    ￥162.86 税込￥179.14
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