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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【US6J11TR】MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6

    【US6J11TR】MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：260ミリオーム @ 1.3A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥242.86 税込￥267.14
  • 2

    【AONY36356】MOSFET 2N-CH 30V 17.5A 8DFN

    【AONY36356】MOSFET 2N-CH 30V 17.5A 8DFN
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17.5A（Ta）、 32A（Tc）、 24A（Ta）、 32A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6.1ミリオーム @
    ￥454.29 税込￥499.71
  • 3

    【QS8J4TR】MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8

    【QS8J4TR】MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：56ミリオーム @ 4A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5
    ￥424.29 税込￥466.71
  • 4

    【SIA527DJ-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8

    【SIA527DJ-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：29ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs（th
    ￥211.43 税込￥232.57
  • 5

    【SSM6L14FE(TE85L,F)】MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6

    【SSM6L14FE(TE85L,F)】MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：ロジックレベルゲート、1.5V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：800mA（Ta）、720mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：240ミリオーム @ 500m
    ￥121.43 税込￥133.57
  • 6

    【8205A】MOSFET 2N-CH 20V 5A SOT23-6

    【8205A】MOSFET 2N-CH 20V 5A SOT23-6
    メーカー名：
    UMW
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル、コモンドレイン・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：27ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.2V @
    ￥97.15 税込￥106.86
  • 7

    【IRF7314TRPBF】MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO

    【IRF7314TRPBF】MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    最小4,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：58ミリオーム @ 2.9A、4.5V・Id印加時のVgs（
    ￥64.46 税込￥70.90
  • 8

    【US6J11TR】MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【US6J11TR】MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：260ミリオーム @ 1.3A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥242.86 税込￥267.14
  • 9

    【SIZ340DT-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33

    【SIZ340DT-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：PowerPAIR®, TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A、40A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.5ミリオーム @ 15.6
    ￥72.64 税込￥79.90
  • 10

    【G085C03D32】MOSFET N/P-CH 30V 28A 8DFN

    【G085C03D32】MOSFET N/P-CH 30V 28A 8DFN
    メーカー名：
    Goford Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：28A（Tc）、12A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：11ミリオーム @ 10A、10V、23ミリオーム @ 6A、4.5V
    ￥194.29 税込￥213.71
  • 11

    【BSM180D12P2E002】MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE

    【BSM180D12P2E002】MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：204A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：4V @ 35.2mA・V
    ￥129,595.75 税込￥142,555.32
  • 12

    【NTZD5110NT1G】MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563

    【NTZD5110NT1G】MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：294mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥108.58 税込￥119.43
  • 13

    【QH8KA4TCR】MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8

    【QH8KA4TCR】MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：-・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 7A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.5V @ 1mA・Vgs印加時のゲー
    ￥82.29 税込￥90.51
  • 14

    【FS03MR12A7MA2BHPSA1】MOSFET 6N-CH 1200V 310A

    【FS03MR12A7MA2BHPSA1】MOSFET 6N-CH 1200V 310A
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：HybridPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：310A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.54ミリオーム @ 310A、18V・Id印加時のVgs（th）（最大）：
    ￥93,621.28 税込￥102,983.40
  • 15

    【ALD1116PAL】MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP

    【ALD1116PAL】MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP
    メーカー名：
    Advanced Linear Devices Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Nチャンネル（デュアル）整合ペア・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：10.6V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500オーム @ 5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @ 1µA・Vgs印加時のゲ
    ￥1,663.86 税込￥1,830.24
  • 16

    【EM6K31T2R】MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6

    【EM6K31T2R】MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4オーム @ 250mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥201.43 税込￥221.57
  • 17

    【SI3552BDV-T1-GE3】N- AND P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSF [digi-reel品] DigiReel商品

    【SI3552BDV-T1-GE3】N- AND P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSF [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.4A（Ta）、1.9A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：58ミリオーム @ 3.4A、10V、165ミリオ
    ￥135.72 税込￥149.29
  • 18

    【SI3552BDV-T1-GE3】N- AND P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSF

    【SI3552BDV-T1-GE3】N- AND P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSF
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.4A（Ta）、1.9A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：58ミリオーム @ 3.4A、10V、165ミリ
    ￥135.72 税込￥149.29
  • 19

    【SI3552BDV-T1-GE3】N- AND P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSF

    【SI3552BDV-T1-GE3】N- AND P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSF
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.4A（Ta）、1.9A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：58ミリオーム @ 3.4A、10V、165ミリ
    ￥22.60 税込￥24.86
  • 20

    【QH8KA4TCR】MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【QH8KA4TCR】MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：-・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 7A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.5V @ 1mA・Vgs印加時のゲート
    ￥414.29 税込￥455.71
  • 21

    【IMSQ120R040M2HHXUMA1】SICFET 2N-CH 1200V 57A HDSOP16

    【IMSQ120R040M2HHXUMA1】SICFET 2N-CH 1200V 57A HDSOP16
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：CoolSiC™ G2・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：57A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40ミリオーム @ 18A、18V
    ￥3,781.18 税込￥4,159.29
  • 22

    【IMSQ120R053M2HHXUMA1】SICFET 2N-CH 1200V 45A HDSOP16

    【IMSQ120R053M2HHXUMA1】SICFET 2N-CH 1200V 45A HDSOP16
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：CoolSiC™ G2・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：45A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：53ミリオーム @ 13A、18V
    ￥3,197.65 税込￥3,517.41
  • 23

    【FDMA1023PZ】MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET

    【FDMA1023PZ】MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：72ミリオーム @ 3.7A、4.5V・Id印加時
    ￥344.29 税込￥378.71
  • 24

    【QH8KA4TCR】MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8

    【QH8KA4TCR】MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：-・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 7A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.5V @ 1mA・Vgs印加時のゲー
    ￥414.29 税込￥455.71
  • 25

    【ALD1106SBL】MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC

    【ALD1106SBL】MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
    メーカー名：
    Advanced Linear Devices Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：4Nチャンネル、整合ペア・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：10.6V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500オーム @ 5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @ 1µA・Vgs印加時のゲート電荷（
    ￥1,770.59 税込￥1,947.64
  • 26

    【ALD1106PBL】MOSFET 4N-CH 10.6V 14PDIP

    【ALD1106PBL】MOSFET 4N-CH 10.6V 14PDIP
    メーカー名：
    Advanced Linear Devices Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：4Nチャンネル、整合ペア・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：10.6V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500オーム @ 5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @ 1µA・Vgs印加時のゲート電荷（
    ￥1,968.24 税込￥2,165.06
  • 27

    【DMN66D0LDWQ-13】MOSFET 2N-CH 60V 0.217A SOT363

    【DMN66D0LDWQ-13】MOSFET 2N-CH 60V 0.217A SOT363
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    最小10,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：217mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6オーム @ 115mA、5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V
    ￥10.78 税込￥11.85
  • 28

    【QS6K21TR】MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【QS6K21TR】MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：45V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.5V @ 1mA・Vgs印加時のゲート電荷（Q
    ￥257.15 税込￥282.86
  • 29

    【2N7002PS,115】MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP

    【2N7002PS,115】MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：320mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥75.72 税込￥83.29
  • 30

    【FDPC8016S-B801】LMV INDUSTRIAL CLOUD FET

    【FDPC8016S-B801】LMV INDUSTRIAL CLOUD FET
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：25V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Ta）、60A（Tc）、35A（Ta）、100A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：
  • 31

    【PMDPB55XPAX】MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON

    【PMDPB55XPAX】MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Ta）、9.3A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：66ミリオーム @ 3.6A、4.5V・Id印加時のVgs（
    ￥198.58 税込￥218.43
  • 32

    【SSM6N7002KFU,LF】MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6

    【SSM6N7002KFU,LF】MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：U-MOSVII-H・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @ 100mA、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥9.66 税込￥10.62
  • 33

    【SSM6N7002KFU,LXH】MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6

    【SSM6N7002KFU,LXH】MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：U-MOSVII-H・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @ 100mA、10V・Id印加時のVgs
    ￥16.82 税込￥18.50
  • 34

    【FS8205A】DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

    【FS8205A】DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
    メーカー名：
    EVVO Semi
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル、コモンドレイン・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：27ミリオーム @ 6A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.
    ￥157.15 税込￥172.86
  • 35

    【2N7002DW】60V 115MA 7.5@10V,500MA 200MW 2.

    【2N7002DW】60V 115MA 7.5@10V,500MA 200MW 2.
    メーカー名：
    Shenzhen Slkormicro Semicon Co. Ltd.
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：
    ￥45.72 税込￥50.29
  • 36

    【2N7002DW】MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 [digi-reel品] DigiReel商品

    【2N7002DW】MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 50mA、5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：
    ￥125.72 税込￥138.29
  • 37

    【PMDPB55XPAX】MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON [digi-reel品] DigiReel商品

    【PMDPB55XPAX】MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON [digi-reel品]
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Ta）、9.3A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：66ミリオーム @ 3.6A、4.5V・Id印加時のVgs（t
    ￥198.58 税込￥218.43
  • 38

    【BSM300D12P4G101】MOSFET 2N-CH 1200V 291A MODULE

    【BSM300D12P4G101】MOSFET 2N-CH 1200V 291A MODULE
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：291A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：4.8V @ 145.6mA・Vgs
    ￥86,775.54 税込￥95,453.09
  • 39

    【DMN12M0UCA10-7】MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-TSN3518-

    【DMN12M0UCA10-7】MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-TSN3518-
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル、コモンドレイン・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：33A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2ミリオーム @ 8A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.
    ￥89.88 税込￥98.86
  • 40

    【PMDPB56XNEAX】MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6DFN [digi-reel品] DigiReel商品

    【PMDPB56XNEAX】MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6DFN [digi-reel品]
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.1A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：72ミリオーム @ 3.1A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1
    ￥180.00 税込￥198.00
  • 41

    【DMC31D5UDJ-7】MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963

    【DMC31D5UDJ-7】MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：220mA、200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @ 100mA、4.5V・Id印加時のVgs（th
    ￥204.29 税込￥224.71
  • 42

    【SQ3585EV-T1_GE3】MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【SQ3585EV-T1_GE3】MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.57A（Tc）、 2.5A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：77ミリオーム @ 1A、 4.5V、 166
    ￥260.00 税込￥286.00
  • 43

    【ECB2R8M12YM3】SIC, MODULE, 2.8M, 1200V, 152MM,

    【ECB2R8M12YM3】SIC, MODULE, 2.8M, 1200V, 152MM,
    メーカー名：
    Wolfspeed
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャンネル（3相インバータ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：545A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.7ミリオーム @ 450A、15V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3
    ￥214,610.64 税込￥236,071.70
  • 44

    【NTJD4401NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88

    【NTJD4401NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：630mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：375ミリオーム @ 630mA、4.5V・Id印加時のVgs（th
    ￥118.58 税込￥130.43
  • 45

    【PMDPB30XNAX】MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSON [digi-reel品] DigiReel商品

    【PMDPB30XNAX】MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSON [digi-reel品]
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）、12A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：34ミリオーム @ 4.5A、4.5V・Id印加時のVgs（t
    ￥172.86 税込￥190.14
  • 46

    【PMDPB30XNAX】MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSON

    【PMDPB30XNAX】MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSON
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）、12A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：34ミリオーム @ 4.5A、4.5V・Id印加時のVgs（
    ￥172.86 税込￥190.14
  • 47

    【AO4614B】MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

    【AO4614B】MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC [digi-reel品]
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V @
    ￥247.15 税込￥271.86
  • 48

    【PMDPB55XP,115】MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON [digi-reel品] DigiReel商品

    【PMDPB55XP,115】MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON [digi-reel品]
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 3.4A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）
    ￥197.15 税込￥216.86
  • 49

    【FF33MR12W1M1HPB11BPSA1】MOSFET

    【FF33MR12W1M1HPB11BPSA1】MOSFET
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-
    ￥10,151.73 税込￥11,166.90
  • 50

    【EM6K6T2R】MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【EM6K6T2R】MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1オーム @ 300mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1
    ￥160.00 税込￥176.00
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