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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

検索結果 9,757件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.5A、1A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):240ミリオーム @ 1.5A、4.5V・Id印加時のVgs(th)(最大):
    241.43 税込¥265.57
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):19ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大
    474.29 税込¥521.71
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):130ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大
    257.15 税込¥282.86
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.4A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):105ミリオーム @ 3.4A、10V・Id印加時のVgs(
    401.43 税込¥441.57
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):19.2ミリオーム @ 8.3A、10V・Id印加時のVgs
    560.00 税込¥616.00
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:-・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:6 Nチャネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):750V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):485A(Tj)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.05ミリオーム @ 460A、18V・Id印加時のVgs(th)(最大):4.4V @ 40mA・
    149,511.71 税込¥164,462.88
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):19.2ミリオーム @ 8.3A、10V・Id印加時のVg
    122.40 税込¥134.64
  • メーカー名:
    Advanced Linear Devices Inc
    型番:
    出荷予定日:
    最小50個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:EPAD®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Nチャンネル(デュアル)整合ペア・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):10.6V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):500オーム @ 4.2V・Id印加時のVgs(th)(最大):220mV @ 1µA
    717.68 税込¥789.44
  • メーカー名:
    Advanced Linear Devices Inc
    型番:
    出荷予定日:
    最小50個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:EPAD®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:4Nチャンネル、整合ペア・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):10.6V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):500オーム @ 4.2V・Id印加時のVgs(th)(最大):220mV @ 1µA・Vgs印
    863.28 税込¥949.60
  • メーカー名:
    Microchip
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:2Nチャンネル(位相レッグ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):700V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):241A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9.5ミリオーム @ 80A、20V・Id印加時のVgs(th)(最大):2.4V @
    26,896.60 税込¥29,586.26
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:ロジックレベルゲート、1.8V駆動・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.5A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):213ミリオーム @ 1A、4V・Id印加時の
    137.15 税込¥150.86
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):12ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs(t
    424.29 税込¥466.71
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):12ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs(t
    424.29 税込¥466.71
  • メーカー名:
    Diodes Incorporated
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.9A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 2.9A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大)
    468.58 税込¥515.43
  • メーカー名:
    Diotec Semiconductor
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.7A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):75ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs(th)(最
    284.29 税込¥312.71
  • メーカー名:
    Diodes Incorporated
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.2A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):48ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):3V @
    311.43 税込¥342.57
  • メーカー名:
    NEXPERIA
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):42A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs(th
    502.86 税込¥553.14
  • メーカー名:
    Microchip
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:6Nチャンネル(3相ブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):108A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9.7ミリオーム @ 81A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):5V @ 25
    33,308.61 税込¥36,639.47
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):46ミリオーム @ 2A、4.5V・Id印加時のVgs(th)(最大):1V @ 1mA
    23.16 税込¥25.47
  • メーカー名:
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):30ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):2.4V @ 25
    29.30 税込¥32.23
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):48ミリオーム @ 4.3A、10V・Id印加時のVgs(th)
    424.29 税込¥466.71
  • メーカー名:
    UMW
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Ta)、4.9A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):31ミリオーム @ 5.8A、10V、60ミリオーム @ 4.9A
    258.58 税込¥284.43
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:CoolSiC™・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200V(1.2kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):15A(Tj)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):52.9ミリオーム @ 15A、18V・Id印加時のV
    6,965.52 税込¥7,662.07
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.4A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 3.5A、10V・Id印加時のVgs(t
    502.86 税込¥553.14
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.5A、1A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):240ミリオーム @ 1.5A、4.5V・Id印加時のVgs(th)(最大):1
    241.43 税込¥265.57
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.5A、1A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):240ミリオーム @ 1.5A、4.5V・Id印加時のVgs(th)(最大):
    44.24 税込¥48.66
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:HEXFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):130ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大)
    257.15 税込¥282.86
  • メーカー名:
    サンケン電気
    型番:
    出荷予定日:
    最小1,080個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:6Nチャンネル(3相ブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):250V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):250ミリオーム@ 3.5A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):4V @ 1mA・Vgs
    1,813.37 税込¥1,994.70
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7A(Ta)、6A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):28ミリオーム @ 7A、10V、50ミリオーム @ 6A、10V・Id印
    335.72 税込¥369.29
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):12ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs(th
    424.29 税込¥466.71
  • メーカー名:
    Monolithic Power Systems Inc.
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:3Nチャンネル、共通ゲート・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):80mA・Id、Vgs印加時のRds On(最大):190オーム @ 10mA、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):1.2V @ 250µA・
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:HEXFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):29ミリオーム @ 5.8A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):1V @ 25
    397.15 税込¥436.86
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100mA・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8オーム @ 10mA、4V・Id印加時のVgs(th)(最大):1
    121.43 税込¥133.57
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:-・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):27A、80A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.4ミリオーム @ 32A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):2.5V @ 1mA・V
    507.15 税込¥557.86
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A、60A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8.8ミリオーム @ 16A、10V・Id印加時のVgs(th
    401.43 税込¥441.57
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:HEXFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.4A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):105ミリオーム @ 3.4A、10V・Id印加時のVgs(t
    401.43 税込¥441.57
  • メーカー名:
    Diodes Incorporated
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):18.0A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):20ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs(th)(最
    277.15 税込¥304.86
  • メーカー名:
    Diodes Incorporated
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):18.0A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):20ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs(th)(
    277.15 税込¥304.86
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:PowerTrench®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2N-チャンネル(デュアル)非対称・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A、18A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5.8ミリオーム @ 16A、10V
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:HEXFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.6A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):100ミリオーム @ 1.8A、10V・Id印加時のVgs(t
    328.58 税込¥361.43
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.6A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):100ミリオーム @ 1.8A、10V・Id印加時のVgs(
    328.58 税込¥361.43
  • メーカー名:
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):42ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):2.2V @
    37.79 税込¥41.56
  • メーカー名:
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):42ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):2.2V @
    241.43 税込¥265.57
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:PowerTrench®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):70ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時のVgs(th)(最大
    238.58 税込¥262.43
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):12ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs(t
    86.36 税込¥94.99
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:NexFET™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):2.3V @
    185.72 税込¥204.29
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.57A(Tc)、 2.5A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):77ミリオーム @ 1A、 4.5V、 16
    744.45 税込¥818.89
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):72A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):6.88ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs(th
    385.72 税込¥424.29
  • メーカー名:
    EVVO Semi
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル、コモンドレイン・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):27ミリオーム @ 6A、4.5V・Id印加時のVgs(th)(最大):1.
    78.58 税込¥86.43
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):17.7ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):2.5
    375.72 税込¥413.29
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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DigiReelの説明
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