配送状況を確認
  • マイページ
  • カート 0
    0 点 0円
    カートを見る
  • お問合せ
BOMアップロード

トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

検索結果 9,638件中1～50件目
並び替え：
表示を変更：
定格・特性で絞り込む：
並び替え：
定格・特性で絞り込む：
検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【SI5504BDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8

    【SI5504BDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A、3.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVg
    ￥337.15 税込￥370.86
  • 2

    【SI4943BDY-T1-E3】MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC

    【SI4943BDY-T1-E3】MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19ミリオーム @ 8.4A、10V・Id印加時のVg
    ￥601.39 税込￥661.52
  • 3

    【SH8MA2GZETB】MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP

    【SH8MA2GZETB】MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 4.5A、10V、82ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加
    ￥198.58 税込￥218.43
  • 4

    【IRF7103TRPBFXTMA1】MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902

    【IRF7103TRPBFXTMA1】MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：130ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥247.15 税込￥271.86
  • 5

    【IRF7342TRPBF】MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO

    【IRF7342TRPBF】MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：105ミリオーム @ 3.4A、10V・Id印加時のVgs（
    ￥385.72 税込￥424.29
  • 6

    【NVMD4N03R2G】MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

    【NVMD4N03R2G】MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 4A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V
    ￥357.15 税込￥392.86
  • 7

    【SQJ914EP-T1_BE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8

    【SQJ914EP-T1_BE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥407.15 税込￥447.86
  • 8

    【IRF7103TRPBFXTMA1】MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902 [digi-reel品] DigiReel商品

    【IRF7103TRPBFXTMA1】MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902 [digi-reel品]
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：130ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）
    ￥247.15 税込￥271.86
  • 9

    【SQJ200EP-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 20V 20A PPAK SO8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SQJ200EP-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 20V 20A PPAK SO8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A、60A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8.8ミリオーム @ 16A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥385.72 税込￥424.29
  • 10

    【IRF7342TRPBF】MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO [digi-reel品] DigiReel商品

    【IRF7342TRPBF】MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO [digi-reel品]
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：105ミリオーム @ 3.4A、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥385.72 税込￥424.29
  • 11

    【ISA250300C04LMDSXTMA1】ISA250300C04LMDSXTMA1

    【ISA250300C04LMDSXTMA1】ISA250300C04LMDSXTMA1
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.9A（Ta）、7.9A（Tc）、5.8A（Ta）、7.8A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオー
    ￥198.58 税込￥218.43
  • 12

    【QH8KB6TCR】MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8

    【QH8KB6TCR】MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17.7ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5
    ￥361.43 税込￥397.57
  • 13

    【QH8KB6TCR】MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8

    【QH8KB6TCR】MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17.7ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5
    ￥71.89 税込￥79.07
  • 14

    【SQJ951EP-T1_BE3】MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SQJ951EP-T1_BE3】MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 7.5A、 10V・Id印加時のVgs（th
    ￥472.86 税込￥520.14
  • 15

    【FDC6401N】MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【FDC6401N】MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥228.58 税込￥251.43
  • 16

    【MSCSM120AM16T1AG】MOSFET 2N-CH 1200V 173A

    【MSCSM120AM16T1AG】MOSFET 2N-CH 1200V 173A
    メーカー名：
    Microchip
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2Nチャンネル（位相レッグ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：173A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16ミリオーム @ 80A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大）
    ￥26,455.69 税込￥29,101.25
  • 17

    【DMP6110SSD-13】MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO [digi-reel品] DigiReel商品

    【DMP6110SSD-13】MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO [digi-reel品]
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：105ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V @ 2
    ￥195.72 税込￥215.29
  • 18

    【MSCSM120AM16CT1AG】MOSFET 2N-CH 1200V 173A SP1F

    【MSCSM120AM16CT1AG】MOSFET 2N-CH 1200V 173A SP1F
    メーカー名：
    Microchip
    型番：
    出荷予定日：
    最小4個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2Nチャンネル（位相レッグ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：173A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16ミリオーム @ 80A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大）
    ￥30,395.48 税込￥33,435.02
  • 19

    【NXH020F120MNF1PTG】MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM

    【NXH020F120MNF1PTG】MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4個のNチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：51A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 50A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥27,393.19 税込￥30,132.50
  • 20

    【NXH020F120MNF1PG】MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM

    【NXH020F120MNF1PG】MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4個のNチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：51A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 50A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥22,750.00 税込￥25,025.00
  • 21

    【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

    【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印
    ￥251.43 税込￥276.57
  • 22

    【FDMC7208S】MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33

    【FDMC7208S】MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：12A、16A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9ミリオーム @ 12A、10V・Id印加
    ￥367.15 税込￥403.86
  • 23

    【SQJ914EP-T1_BE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SQJ914EP-T1_BE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥407.15 税込￥447.86
  • 24

    【NXH010P120MNF1PNG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

    【NXH010P120MNF1PNG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大）
    ￥22,421.84 税込￥24,664.02
  • 25

    【NTGD3148NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【NTGD3148NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 3.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：
    ￥178.58 税込￥196.43
  • 26

    【NXH010P120MNF1PTG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

    【NXH010P120MNF1PTG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（
    ￥22,209.20 税込￥24,430.12
  • 27

    【NXH010P120MNF1PG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

    【NXH010P120MNF1PG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（
    ￥22,209.20 税込￥24,430.12
  • 28

    【FDMC7208S】MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33 [digi-reel品] DigiReel商品

    【FDMC7208S】MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33 [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：12A、16A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9ミリオーム @ 12A、10V・Id印加時
    ￥367.15 税込￥403.86
  • 29

    【SQJ748EP-T1_GE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40V (D [digi-reel品] DigiReel商品

    【SQJ748EP-T1_GE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40V (D [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：72A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6.88ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥370.00 税込￥407.00
  • 30

    【UHB100SC12E1BC3N】MOSFET 2P-CH 1200V 100A MODULE

    【UHB100SC12E1BC3N】MOSFET 2P-CH 1200V 100A MODULE
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Pチャンネル（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 70A、12V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥31,664.78 税込￥34,831.25
  • 31

    【NXH008P120M3F1PTG】MOSFET 2N-CH 1200V 145A

    【NXH008P120M3F1PTG】MOSFET 2N-CH 1200V 145A
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：145A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10.9ミリオーム @ 120A、18V・Id印加時のVgs（th
    ￥17,545.98 税込￥19,300.57
  • 32

    【UMWIRF7103TR】MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOP

    【UMWIRF7103TR】MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOP
    メーカー名：
    UMW
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V @
    ￥228.58 税込￥251.43
  • 33

    【ISA250300C04LMDSXTMA1】ISA250300C04LMDSXTMA1 [digi-reel品] DigiReel商品

    【ISA250300C04LMDSXTMA1】ISA250300C04LMDSXTMA1 [digi-reel品]
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.9A（Ta）、7.9A（Tc）、5.8A（Ta）、7.8A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオーム
    ￥198.58 税込￥218.43
  • 34

    【ZDM4306NTC】MOSFET 2N-CH 60V 2A SM8

    【ZDM4306NTC】MOSFET 2N-CH 60V 2A SM8
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    最小4,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：330ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V @ 1mA
    ￥118.88 税込￥130.76
  • 35

    【AW2K21AR】30V 20A, DUAL NCH+NCH, WLCSP2020

    【AW2K21AR】30V 20A, DUAL NCH+NCH, WLCSP2020
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2個のNチャンネル、コモンソース・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3ミリオーム @ 20A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V
    ￥637.50 税込￥701.25
  • 36

    【FDC6305N】MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【FDC6305N】MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 2.7A、4.5V・Id印加時のVgs（th
    ￥202.86 税込￥223.14
  • 37

    【SQJB04ELP-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8

    【SQJB04ELP-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：11ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥328.58 税込￥361.43
  • 38

    【NXH010P120MNF1PTNG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

    【NXH010P120MNF1PTNG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大）
    ￥21,310.35 税込￥23,441.38
  • 39

    【MG250YD2YMS3(DAE)】SIC MOSFET MODULE, 2200V, 250A

    【MG250YD2YMS3(DAE)】SIC MOSFET MODULE, 2200V, 250A
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：2200V（2.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：5.5V @ 250mA・
    ￥452,076.60 税込￥497,284.26
  • 40

    【SISF20DN-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212

    【SISF20DN-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TrenchFET® Gen IV・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：14A（Ta）、52A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13ミリオーム @ 7A、10
    ￥124.35 税込￥136.78
  • 41

    【HP8KF7HTB1】150V 18.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,

    【HP8KF7HTB1】150V 18.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）、18.5A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：62ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥809.73 税込￥890.70
  • 42

    【F48MR12W2M1HPB76BPSA1】LOW POWER EASY

    【F48MR12W2M1HPB76BPSA1】LOW POWER EASY
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：EasyPACK™, CoolSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4個のNチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：75A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 100A、18V・I
    ￥28,664.78 税込￥31,531.25
  • 43

    【TPCF8402(TE85L,F,M】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8

    【TPCF8402(TE85L,F,M】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A、3.2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 2A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2
  • 44

    【DMG6968UTS-13】MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP

    【DMG6968UTS-13】MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23ミリオーム @ 6.5A、4.5V・Id印加時のVg
    ￥150.00 税込￥165.00
  • 45

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR [digi-reel品] DigiReel商品

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR [digi-reel品]
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @ 2
    ￥178.58 税込￥196.43
  • 46

    【AO4614B】MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC

    【AO4614B】MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V
    ￥195.72 税込￥215.29
  • 47

    【SQJ951EP-T1_GE3】MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SQJ951EP-T1_GE3】MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 7.5A、 10V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥472.86 税込￥520.14
  • 48

    【DMG9933USD-13】MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO

    【DMG9933USD-13】MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.6A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 4.8A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥145.72 税込￥160.29
  • 49

    【SSM6N56FE,LM】MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6

    【SSM6N56FE,LM】MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.5V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：800mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：235ミリオーム @ 800mA、4.5V・Id印
    ￥84.29 税込￥92.71
  • 50

    【IPG20N06S4L11ATMA2】MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

    【IPG20N06S4L11ATMA2】MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：11.2ミリオーム @ 17A、10V・Id印加時
    ￥515.72 税込￥567.29
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
DigiReelの説明

ご利用ガイド

はじめてのお客様へ
電子部品のことはなんでもお任せください。
BOM機能の提供など技術者の皆様を強力にサポートします。
法人/官公庁の皆様へ
法人・学校法人・官公庁の方は、
請求書（後払い）取引をご利用いただけます。
お支払い方法について
クレジットカード、商品代引き、
銀行振り込みなど各種の支払い方法をご用意。
お届けについて
送料は全国一律、宅急便：550円（税込）、
ネコポス便385円（税込）。※3,300円(税込)
以上お買上げの場合は送料無料。
Page Top