配送状況を確認
  • マイページ
  • カート 0
    0 点 0円
    カートを見る
  • お問合せ
BOMアップロード

トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

検索結果 10,458件中1～50件目
並び替え：
表示を変更：
定格・特性で絞り込む：
並び替え：
定格・特性で絞り込む：
検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【SH8KC6TB1】MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP

    【SH8KC6TB1】MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 6.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2
    ￥262.86 税込￥289.14
  • 2

    【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

    【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印
    ￥240.00 税込￥264.00
  • 3

    【PMDPB55XPAX】MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON

    【PMDPB55XPAX】MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Ta）、9.3A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：66ミリオーム @ 3.6A、4.5V・Id印加時のVgs（
    ￥168.58 税込￥185.43
  • 4

    【DMHC3025LSD-13】MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO

    【DMHC3025LSD-13】MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nおよび2 Pチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、4.2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm
    ￥278.58 税込￥306.43
  • 5

    【2N7002DW】60V 115MA 7.5@10V,500MA 200MW 2.

    【2N7002DW】60V 115MA 7.5@10V,500MA 200MW 2.
    メーカー名：
    -
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：
    ￥35.72 税込￥39.29
  • 6

    【SI4554DY-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

    【SI4554DY-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：24ミリオーム @ 6.8A、10V・Id印加時のVgs（th）（
    ￥250.00 税込￥275.00
  • 7

    【TPC8408,LQ(S】MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【TPC8408,LQ(S】MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.1A、5.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥231.43 税込￥254.57
  • 8

    【FS8205A】DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

    【FS8205A】DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
    メーカー名：
    EVVO Semi
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル、コモンドレイン・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：27ミリオーム @ 6A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.
    ￥72.86 税込￥80.14
  • 9

    【CSD87501LT】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

    【CSD87501LT】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @
    ￥231.43 税込￥254.57
  • 10

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @
    ￥167.15 税込￥183.86
  • 11

    【IRF7309TRPBF】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO

    【IRF7309TRPBF】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A、3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 2.4A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V
    ￥274.29 税込￥301.71
  • 12

    【IMT65R50M2HXUMA1】IMT65R50M2HXUMA1

    【IMT65R50M2HXUMA1】IMT65R50M2HXUMA1
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電
    ￥1,393.83 税込￥1,533.21
  • 13

    【TPC8407,LQ(S】MOSFET N/P-CH 30V 9A/7.4A 8SOP

    【TPC8407,LQ(S】MOSFET N/P-CH 30V 9A/7.4A 8SOP
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A、7.4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）
  • 14

    【DMG1024UV-7】MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563

    【DMG1024UV-7】MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.38A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：450ミリオーム @ 600mA、4.5V・Id印加時のVgs（th
    ￥115.72 税込￥127.29
  • 15

    【SSM6L807R,LF】MOSFET N/P-CH 30V 4A 6TSOPF

    【SSM6L807R,LF】MOSFET N/P-CH 30V 4A 6TSOPF
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：39.1ミリオーム @ 2A、 4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @
    ￥168.58 税込￥185.43
  • 16

    【AW2K21AR】30V 20A, DUAL NCH+NCH, WLCSP2020 [digi-reel品] DigiReel商品

    【AW2K21AR】30V 20A, DUAL NCH+NCH, WLCSP2020 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2個のNチャンネル、コモンソース・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3ミリオーム @ 20A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V
    ￥620.84 税込￥682.92
  • 17

    【CSD87351ZQ5D】MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON [digi-reel品] DigiReel商品

    【CSD87351ZQ5D】MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON [digi-reel品]
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：32A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.1V @ 2
    ￥408.58 税込￥449.43
  • 18

    【SH8M4TB1】MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【SH8M4TB1】MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A、7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V
    ￥570.00 税込￥627.00
  • 19

    【SH8M4TB1】MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP

    【SH8M4TB1】MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A、7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5
    ￥570.00 税込￥627.00
  • 20

    【FDS6990A】MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

    【FDS6990A】MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18ミリオーム @ 7.5A、10V・Id印加時
  • 21

    【AO6602L】MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP

    【AO6602L】MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネルコンプリメンタリ・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥29.28 税込￥32.20
  • 22

    【NX5020UNBKSX】NX5020UNBKS/SOT363/SC-88

    【NX5020UNBKSX】NX5020UNBKS/SOT363/SC-88
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA (Ta), 480mA (Tc)・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.8Ohm @ 300mA, 10V・Id印加
    ￥60.00 税込￥66.00
  • 23

    【WI62195】MOSFET 2N-CH 750V 9A 14PQFN

    【WI62195】MOSFET 2N-CH 750V 9A 14PQFN
    メーカー名：
    -
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：WiseGan™・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：750V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：250ミリオーム @ 2A、6V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1
    ￥1,389.75 税込￥1,528.72
  • 24

    【HT8KE6TB1】MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT

    【HT8KE6TB1】MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）、13A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：57ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（
    ￥464.29 税込￥510.71
  • 25

    【QS5K2TR】MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5 [digi-reel品] DigiReel商品

    【QS5K2TR】MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 2A、4.5V・Id印加時のVgs（th
    ￥202.86 税込￥223.14
  • 26

    【CSD88539ND】MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

    【CSD88539ND】MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC [digi-reel品]
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3.6
    ￥244.29 税込￥268.71
  • 27

    【FDC6420C】MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【FDC6420C】MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A、2.2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時のVg
    ￥214.29 税込￥235.71
  • 28

    【SH8KC6TB1】MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【SH8KC6TB1】MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 6.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.
    ￥262.86 税込￥289.14
  • 29

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR [digi-reel品] DigiReel商品

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR [digi-reel品]
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @ 2
    ￥167.15 税込￥183.86
  • 30

    【NDS9936】MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC

    【NDS9936】MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V
    ￥66.58 税込￥73.23
  • 31

    【BSS138DW-7-F】MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363 [digi-reel品] DigiReel商品

    【BSS138DW-7-F】MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363 [digi-reel品]
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.5オーム @ 220mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥128.58 税込￥141.43
  • 32

    【FBG30N04CSH】MOSFET 2N-CH 300V 4A 4SMD

    【FBG30N04CSH】MOSFET 2N-CH 300V 4A 4SMD
    メーカー名：
    EPC
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：eGaN®・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：300V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：404ミリオーム @ 4A、5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.8V @
    ￥62,525.54 税込￥68,778.09
  • 33

    【SSM6P54TU,LF】MOSFET 2P-CH 20V 1.2A UF6

    【SSM6P54TU,LF】MOSFET 2P-CH 20V 1.2A UF6
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.5V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.2A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：228ミリオーム @ 600mA、2.5V・I
    ￥87.15 税込￥95.86
  • 34

    【NTJD4401NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88

    【NTJD4401NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：630mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：375ミリオーム @ 630mA、4.5V・Id印加時のVgs（th
    ￥98.58 税込￥108.43
  • 35

    【G170P02D32】MOSFET 2P-CH 20V 20A 8DFN

    【G170P02D32】MOSFET 2P-CH 20V 20A 8DFN
    メーカー名：
    Goford Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：21ミリオーム @ 6A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @
    ￥188.58 税込￥207.43
  • 36

    【A2U8M12W3-FC】MOSFET 4N-CH 750V/1.2KV 180A

    【A2U8M12W3-FC】MOSFET 4N-CH 750V/1.2KV 180A
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：ECOPACK®・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル4個（3レベルインバータ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：750V、1.2kV・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：180A、140A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8ミリオーム @ 100A、18V、12.5ミリオ
    ￥28,178.41 税込￥30,996.25
  • 37

    【SI4554DY-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC

    【SI4554DY-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：24ミリオーム @ 6.8A、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥250.00 税込￥275.00
  • 38

    【SLA5086】MOSFET 5P-CH 60V 5A 12SIP

    【SLA5086】MOSFET 5P-CH 60V 5A 12SIP
    メーカー名：
    サンケン電気
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：5Pチャンネル、コモンソース・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：220ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V @ 250
    ￥1,420.99 税込￥1,563.08
  • 39

    【NDS9936】MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC

    【NDS9936】MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V
    ￥331.43 税込￥364.57
  • 40

    【HP8MA2TB1】MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP

    【HP8MA2TB1】MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18A（Ta）、15A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.6ミリオーム @ 18A、10V、17.9ミリオーム @ 15A、
    ￥121.53 税込￥133.68
  • 41

    【BUK9K31-100LX】BUK9K31-100L/SOT1205/LFPAK56D

    【BUK9K31-100LX】BUK9K31-100L/SOT1205/LFPAK56D
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    最小1,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：24A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：31.7ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥70.19 税込￥77.20
  • 42

    【G180C06Y】MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4

    【G180C06Y】MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
    メーカー名：
    Goford Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル、コモンドレイン・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）、60A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 20A、10V、23ミリオーム @
    ￥301.43 税込￥331.57
  • 43

    【HAT2114RJ-EL-E】NCH POWER MOSFET 60V 6A 32MOHM S

    【HAT2114RJ-EL-E】NCH POWER MOSFET 60V 6A 32MOHM S
    メーカー名：
    ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40オーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V @ 1mA・
    ￥688.99 税込￥757.88
  • 44

    【SLA5041】MOSFET 4N-CH 200V 10A 12SIP

    【SLA5041】MOSFET 4N-CH 200V 10A 12SIP
    メーカー名：
    サンケン電気
    型番：
    出荷予定日：
    最小180個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：4 Nチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：175ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：4V @ 1mA・Vgs
    ￥1,172.24 税込￥1,289.46
  • 45

    【SLA5085】MOSFET 5N-CH 60V 10A 12SIP

    【SLA5085】MOSFET 5N-CH 60V 10A 12SIP
    メーカー名：
    サンケン電気
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：5Nチャンネル、コモンソース・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：220ミリオーム @ 3A、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V @ 250
  • 46

    【SH8KB6TB1】MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP

    【SH8KB6TB1】MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19.4ミリオーム @ 8.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）
    ￥304.29 税込￥334.71
  • 47

    【SSM6L36TU,LF】MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6

    【SSM6L36TU,LF】MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：ロジックレベルゲート、1.5V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA（Ta）、330mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：630ミリオーム @ 200m
    ￥14.93 税込￥16.42
  • 48

    【CSD87501LT】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

    【CSD87501LT】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    最小250個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @
    ￥98.71 税込￥108.58
  • 49

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @
    ￥57.61 税込￥63.37
  • 50

    【UT6MA2TCR】MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8

    【UT6MA2TCR】MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：46ミリオーム @ 4A、10V、70ミリオーム @ 4A、10V・Id印加時のVgs（
    ￥34.70 税込￥38.17
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
DigiReelの説明

ご利用ガイド

はじめてのお客様へ
電子部品のことはなんでもお任せください。
BOM機能の提供など技術者の皆様を強力にサポートします。
法人/官公庁の皆様へ
法人・学校法人・官公庁の方は、
請求書（後払い）取引をご利用いただけます。
お支払い方法について
クレジットカード、商品代引き、
銀行振り込みなど各種の支払い方法をご用意。
お届けについて
送料は全国一律、宅急便：550円（税込）、
ネコポス便385円（税込）。※3,300円(税込)
以上お買上げの場合は送料無料。
Page Top