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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

検索結果 10,545件中1～50件目
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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【SI5504BDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8

    【SI5504BDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A、3.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVg
    ￥332.86 税込￥366.14
  • 2

    【FS8205A】DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

    【FS8205A】DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
    メーカー名：
    EVVO Semi
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル、コモンドレイン・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：27ミリオーム @ 6A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.
    ￥74.29 税込￥81.71
  • 3

    【IAUC60N04S6L030HATMA1】MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON

    【IAUC60N04S6L030HATMA1】MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 6・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：60A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3ミリオーム @ 30A、10V・Id印
    ￥240.00 税込￥264.00
  • 4

    【SI4943BDY-T1-E3】MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC

    【SI4943BDY-T1-E3】MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19ミリオーム @ 8.4A、10V・Id印加時のVg
    ￥594.45 税込￥653.89
  • 5

    【SH8MA2GZETB】MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP

    【SH8MA2GZETB】MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 4.5A、10V、82ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加
    ￥195.72 税込￥215.29
  • 6

    【2N7002DW】60V 115MA 7.5@10V,500MA 200MW 2.

    【2N7002DW】60V 115MA 7.5@10V,500MA 200MW 2.
    メーカー名：
    -
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：
    ￥37.15 税込￥40.86
  • 7

    【SH8KC6TB1】MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP

    【SH8KC6TB1】MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 6.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2
    ￥272.86 税込￥300.14
  • 8

    【DMG1024UV-7】MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563

    【DMG1024UV-7】MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.38A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：450ミリオーム @ 600mA、4.5V・Id印加時のVgs（th
    ￥117.15 税込￥128.86
  • 9

    【CSD87501LT】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

    【CSD87501LT】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @
    ￥235.72 税込￥259.29
  • 10

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @
    ￥175.72 税込￥193.29
  • 11

    【TPC8408,LQ(S】MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【TPC8408,LQ(S】MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.1A、5.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大
  • 12

    【SI4554DY-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

    【SI4554DY-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：24ミリオーム @ 6.8A、10V・Id印加時のVgs（th）（
    ￥254.29 税込￥279.71
  • 13

    【UM6K31NFHATCN】MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【UM6K31NFHATCN】MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4オーム @ 250mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2
    ￥104.29 税込￥114.71
  • 14

    【ISA250300C04LMDSXTMA1】ISA250300C04LMDSXTMA1

    【ISA250300C04LMDSXTMA1】ISA250300C04LMDSXTMA1
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.9A（Ta）、7.9A（Tc）、5.8A（Ta）、7.8A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオー
    ￥195.72 税込￥215.29
  • 15

    【SI4943BDY-T1-E3】MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

    【SI4943BDY-T1-E3】MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19ミリオーム @ 8.4A、10V・Id印加時のVgs
    ￥594.45 税込￥653.89
  • 16

    【SIS9634LDN-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 60V 6A PPAK 1212

    【SIS9634LDN-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 60V 6A PPAK 1212
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）、6A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：31ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のV
    ￥391.43 税込￥430.57
  • 17

    【SQS944ENW-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 40V 6A PWRPAK1212

    【SQS944ENW-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 40V 6A PWRPAK1212
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオーム @ 1.25A、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥261.43 税込￥287.57
  • 18

    【BSS138BKS,115】MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【BSS138BKS,115】MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：320mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 320mA、10V・Id印加時のV
    ￥78.58 税込￥86.43
  • 19

    【CSD88599Q5DC】MOSFET 2N-CH 60V 22VSON-CLIP

    【CSD88599Q5DC】MOSFET 2N-CH 60V 22VSON-CLIP
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.1ミリオーム @ 30A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）
    ￥1,063.02 税込￥1,169.32
  • 20

    【ISA250300C04LMDSXTMA1】ISA250300C04LMDSXTMA1 [digi-reel品] DigiReel商品

    【ISA250300C04LMDSXTMA1】ISA250300C04LMDSXTMA1 [digi-reel品]
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.9A（Ta）、7.9A（Tc）、5.8A（Ta）、7.8A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオーム
    ￥195.72 税込￥215.29
  • 21

    【2N7002AKRA-QZ】MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6DFN [digi-reel品] DigiReel商品

    【2N7002AKRA-QZ】MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6DFN [digi-reel品]
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：320mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.9オーム @ 100mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2
    ￥65.72 税込￥72.29
  • 22

    【SQJ504EP-T1_BE3】MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SQJ504EP-T1_BE3】MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5ミリオーム @ 8A、10V、17ミリオーム @ 8A、10V・
    ￥437.15 税込￥480.86
  • 23

    【SH8MA2GZETB】MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【SH8MA2GZETB】MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 4.5A、10V、82ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時
    ￥195.72 税込￥215.29
  • 24

    【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

    【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    最小1,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印
    ￥66.29 税込￥72.91
  • 25

    【IRFI4020H-117PXKMA1】MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO220-5

    【IRFI4020H-117PXKMA1】MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO220-5
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9.1A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 5.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：4.9V @
  • 26

    【DMT32M7LDG-13】IC

    【DMT32M7LDG-13】IC
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル、コモンドレイン、コモンソース（非対称）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：21A（Ta）、47A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.9ミリオーム @ 18A、10
    ￥71.48 税込￥78.62
  • 27

    【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

    【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印
    ￥240.00 税込￥264.00
  • 28

    【APM4953】MOSFET 30V 5.3A 8SOP

    【APM4953】MOSFET 30V 5.3A 8SOP
    メーカー名：
    UMW
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：UMW・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.3A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：41ミリオーム @ 5.3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V @ 250µA・Vgs印加時のゲート電
    ￥204.29 税込￥224.71
  • 29

    【DMG9933USD-13】MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO

    【DMG9933USD-13】MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.6A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 4.8A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥140.00 税込￥154.00
  • 30

    【SQJB44EP-T1_JE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40V (D

    【SQJB44EP-T1_JE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40V (D
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.2ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥431.43 税込￥474.57
  • 31

    【FDS89161】MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC

    【FDS89161】MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：105ミリオーム @ 2.7A、10V・Id印加時のVgs（
    ￥261.43 税込￥287.57
  • 32

    【2N7002VA】MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563F

    【2N7002VA】MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563F
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：280mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 50mA、5V・Id印加時のVgs（th）（最大）
    ￥187.15 税込￥205.86
  • 33

    【SQJ914EP-T1_BE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SQJ914EP-T1_BE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥402.86 税込￥443.14
  • 34

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR [digi-reel品] DigiReel商品

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR [digi-reel品]
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @ 2
    ￥175.72 税込￥193.29
  • 35

    【AOCA33102E】MOSFET 2N-CH 12V 50A 14DFN

    【AOCA33102E】MOSFET 2N-CH 12V 50A 14DFN
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    最小8,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル、コモンドレイン・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.4ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：
    ￥102.79 税込￥113.06
  • 36

    【AW2K21AR】30V 20A, DUAL NCH+NCH, WLCSP2020 [digi-reel品] DigiReel商品

    【AW2K21AR】30V 20A, DUAL NCH+NCH, WLCSP2020 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2個のNチャンネル、コモンソース・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3ミリオーム @ 20A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V
    ￥630.56 税込￥693.61
  • 37

    【MSCSM120VR1M062CT6AG】MOSFET 2N-CH 1200V 420A

    【MSCSM120VR1M062CT6AG】MOSFET 2N-CH 1200V 420A
    メーカー名：
    Microchip
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2Nチャンネル（位相レッグ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：420A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6.2ミリオーム @ 200A、20V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥92,986.18 税込￥102,284.79
  • 38

    【NXH010P120MNF1PTNG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

    【NXH010P120MNF1PTNG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大）
    ￥21,079.32 税込￥23,187.25
  • 39

    【BSO220N03MDGXUMA1】MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO

    【BSO220N03MDGXUMA1】MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 7.7A、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥41.59 税込￥45.74
  • 40

    【SLA5086】MOSFET 5P-CH 60V 5A 12SIP

    【SLA5086】MOSFET 5P-CH 60V 5A 12SIP
    メーカー名：
    サンケン電気
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：5Pチャンネル、コモンソース・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：220ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V @ 250
    ￥1,445.68 税込￥1,590.24
  • 41

    【SP8K32HZGTB】MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【SP8K32HZGTB】MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.
    ￥492.86 税込￥542.14
  • 42

    【CAB320M17XM3】1700V SiCハーフブリッジモジュール

    【CAB320M17XM3】1700V SiCハーフブリッジモジュール
    メーカー名：
    Wolfspeed
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1700V（1.7kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：320A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時
    ￥207,402.13 税込￥228,142.34
  • 43

    【CSD87351ZQ5D】MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON [digi-reel品] DigiReel商品

    【CSD87351ZQ5D】MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON [digi-reel品]
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：32A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.1V @ 2
    ￥415.72 税込￥457.29
  • 44

    【SSM6N62TU,LXHF】MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SSM6N62TU,LXHF】MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：800mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 800mA、4.5V・I
    ￥154.29 税込￥169.71
  • 45

    【TPC8407,LQ(S】MOSFET N/P-CH 30V 9A/7.4A 8SOP

    【TPC8407,LQ(S】MOSFET N/P-CH 30V 9A/7.4A 8SOP
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A、7.4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）
  • 46

    【HT8KE6TB1】MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT

    【HT8KE6TB1】MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）、13A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：57ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（
    ￥472.86 税込￥520.14
  • 47

    【AO6602L】MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP

    【AO6602L】MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネルコンプリメンタリ・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥29.78 税込￥32.75
  • 48

    【CCB016M12GM3】NチャンネルSiC MOSFETモジュール(1200V/50A)

    【CCB016M12GM3】NチャンネルSiC MOSFETモジュール(1200V/50A)
    メーカー名：
    Wolfspeed
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：WolfPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20.8ミリオーム @ 50A、15V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥50,132.98 税込￥55,146.27
  • 49

    【CAB400M12XM3】1200V SiCハーフブリッジモジュール

    【CAB400M12XM3】1200V SiCハーフブリッジモジュール
    メーカー名：
    Wolfspeed
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：395A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.3ミリオーム @ 400A、15V・Id印加時のVgs（th）（最大）：
    ￥108,853.20 税込￥119,738.52
  • 50

    【EM6J1T2R】MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【EM6J1T2R】MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.2オーム @ 200mA、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥150.00 税込￥165.00
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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