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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

検索結果 10,581件中1～50件目
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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【SI5504BDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8

    【SI5504BDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A、3.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVg
    ￥338.58 税込￥372.43
  • 2

    【DMG1024UV-7】MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563

    【DMG1024UV-7】MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.38A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：450ミリオーム @ 600mA、4.5V・Id印加時のVgs（th
    ￥120.00 税込￥132.00
  • 3

    【SI4943BDY-T1-E3】MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC

    【SI4943BDY-T1-E3】MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19ミリオーム @ 8.4A、10V・Id印加時のVg
    ￥605.56 税込￥666.11
  • 4

    【SH8MA2GZETB】MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP

    【SH8MA2GZETB】MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 4.5A、10V、82ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加
    ￥200.00 税込￥220.00
  • 5

    【2N7002DW】60V 115MA 7.5@10V,500MA 200MW 2.

    【2N7002DW】60V 115MA 7.5@10V,500MA 200MW 2.
    メーカー名：
    -
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：
    ￥37.15 税込￥40.86
  • 6

    【FS8205A】DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

    【FS8205A】DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
    メーカー名：
    EVVO Semi
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル、コモンドレイン・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：27ミリオーム @ 6A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.
    ￥75.72 税込￥83.29
  • 7

    【IAUC60N04S6L030HATMA1】MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON

    【IAUC60N04S6L030HATMA1】MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 6・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：60A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3ミリオーム @ 30A、10V・Id印
    ￥244.29 税込￥268.71
  • 8

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @
    ￥197.15 税込￥216.86
  • 9

    【SSM6P816R,LF】MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF [digi-reel品] DigiReel商品

    【SSM6P816R,LF】MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF [digi-reel品]
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.8V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30.1ミリオーム @ 4A、4.5V・Id印加時の
    ￥177.15 税込￥194.86
  • 10

    【SQJ951EP-T1_BE3】MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SQJ951EP-T1_BE3】MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 7.5A、 10V・Id印加時のVgs（th
    ￥475.72 税込￥523.29
  • 11

    【SQJ748EP-T1_GE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40V (D [digi-reel品] DigiReel商品

    【SQJ748EP-T1_GE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40V (D [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：72A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6.88ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥371.43 税込￥408.57
  • 12

    【ISA250300C04LMDSXTMA1】ISA250300C04LMDSXTMA1

    【ISA250300C04LMDSXTMA1】ISA250300C04LMDSXTMA1
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.9A（Ta）、7.9A（Tc）、5.8A（Ta）、7.8A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオー
    ￥200.00 税込￥220.00
  • 13

    【SSM6N56FE,LM】MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6

    【SSM6N56FE,LM】MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.5V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：800mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：235ミリオーム @ 800mA、4.5V・Id印
    ￥84.29 税込￥92.71
  • 14

    【AUIRFN8458TR】MOSFET 2N-CH 40V 43A PQFN

    【AUIRFN8458TR】MOSFET 2N-CH 40V 43A PQFN
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：43A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10ミリオーム @ 26A、10V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥540.00 税込￥594.00
  • 15

    【FDN340P】20V 3A 1W 70M@4.5V,2A 1V 1 PIECE

    【FDN340P】20V 3A 1W 70M@4.5V,2A 1V 1 PIECE
    メーカー名：
    -
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：*・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電
    ￥40.00 税込￥44.00
  • 16

    【SQJ200EP-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 20V 20A PPAK SO8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SQJ200EP-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 20V 20A PPAK SO8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A、60A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8.8ミリオーム @ 16A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥387.15 税込￥425.86
  • 17

    【SIZF918BDT-T1-GE3】DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET

    【SIZF918BDT-T1-GE3】DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET® Gen IV・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：25A（Ta）、73A（Tc）、41A（Ta）、158A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大
    ￥535.72 税込￥589.29
  • 18

    【NTGD3148NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【NTGD3148NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 3.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：
    ￥180.00 税込￥198.00
  • 19

    【SQJB48EP-T1_JE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40V (

    【SQJB48EP-T1_JE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40V (
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.2ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥438.58 税込￥482.43
  • 20

    【CSD87330Q3D】MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON [digi-reel品] DigiReel商品

    【CSD87330Q3D】MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON [digi-reel品]
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.1V @ 2
    ￥322.86 税込￥355.14
  • 21

    【SQJ746ELP-T1_GE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V ( [digi-reel品] DigiReel商品

    【SQJ746ELP-T1_GE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V ( [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：82A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6.2ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥357.15 税込￥392.86
  • 22

    【SQJ914EP-T1_BE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SQJ914EP-T1_BE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥410.00 税込￥451.00
  • 23

    【SQJB44EP-T1_JE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40V (D [digi-reel品] DigiReel商品

    【SQJB44EP-T1_JE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40V (D [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.2ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥438.58 税込￥482.43
  • 24

    【SQJB44EP-T1_JE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40V (D

    【SQJB44EP-T1_JE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40V (D
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.2ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥90.55 税込￥99.60
  • 25

    【DMP6110SSD-13】MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO [digi-reel品] DigiReel商品

    【DMP6110SSD-13】MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO [digi-reel品]
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：105ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V @ 2
    ￥197.15 税込￥216.86
  • 26

    【ISA250300C04LMDSXTMA1】ISA250300C04LMDSXTMA1 [digi-reel品] DigiReel商品

    【ISA250300C04LMDSXTMA1】ISA250300C04LMDSXTMA1 [digi-reel品]
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.9A（Ta）、7.9A（Tc）、5.8A（Ta）、7.8A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオーム
    ￥200.00 税込￥220.00
  • 27

    【SQJ951EP-T1_GE3】MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SQJ951EP-T1_GE3】MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 7.5A、 10V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥475.72 税込￥523.29
  • 28

    【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

    【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印
    ￥248.58 税込￥273.43
  • 29

    【AOE6936】MOSFET 2N-CH 30V 55A 8DFN [digi-reel品] DigiReel商品

    【AOE6936】MOSFET 2N-CH 30V 55A 8DFN [digi-reel品]
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：55A（Tc）、 85A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5ミリオーム @ 20A、 10V、 2ミリオーム @
    ￥462.86 税込￥509.14
  • 30

    【HT8MC5TB1】60V 10A/11.5A, DUAL NCH+PCH, HSM

    【HT8MC5TB1】60V 10A/11.5A, DUAL NCH+PCH, HSM
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.5A（Ta）、10A（Tc）、4A（Ta）、11.5A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：90ミリオーム @ 3.5A、10
    ￥86.46 税込￥95.10
  • 31

    【2N7002AKRA-QZ】MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6DFN [digi-reel品] DigiReel商品

    【2N7002AKRA-QZ】MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6DFN [digi-reel品]
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：320mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.9オーム @ 100mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2
    ￥67.15 税込￥73.86
  • 32

    【DMG6968UTS-13】MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP

    【DMG6968UTS-13】MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23ミリオーム @ 6.5A、4.5V・Id印加時のVg
    ￥150.00 税込￥165.00
  • 33

    【FDC6305N】MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【FDC6305N】MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 2.7A、4.5V・Id印加時のVgs（th
    ￥204.29 税込￥224.71
  • 34

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR [digi-reel品] DigiReel商品

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR [digi-reel品]
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @ 2
    ￥197.15 税込￥216.86
  • 35

    【FDC6305N】MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6

    【FDC6305N】MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 2.7A、4.5V・Id印加時のVgs（t
    ￥204.29 税込￥224.71
  • 36

    【SQJB44EP-T1_JE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40V (D

    【SQJB44EP-T1_JE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40V (D
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.2ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥438.58 税込￥482.43
  • 37

    【M1P45M12W2-1LA】MOSFET 6N-CH 1200V ACEPACK DMT

    【M1P45M12W2-1LA】MOSFET 6N-CH 1200V ACEPACK DMT
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：ECOPACK®・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 N-Channel（Phase Leg）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60.5ミリオーム @ 20A、18V・I
    ￥10,032.19 税込￥11,035.40
  • 38

    【SQJ504EP-T1_BE3】MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SQJ504EP-T1_BE3】MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5ミリオーム @ 8A、10V、17ミリオーム @ 8A、10V・
    ￥445.72 税込￥490.29
  • 39

    【UM6K31NFHATCN】MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【UM6K31NFHATCN】MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4オーム @ 250mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2
    ￥105.72 税込￥116.29
  • 40

    【NTGD3148NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP

    【NTGD3148NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 3.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）
    ￥180.00 税込￥198.00
  • 41

    【NTGD3148NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP

    【NTGD3148NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 3.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）
    ￥31.75 税込￥34.92
  • 42

    【DMG9933USD-13】MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO

    【DMG9933USD-13】MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.6A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 4.8A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥145.72 税込￥160.29
  • 43

    【DMP6110SSD-13】MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO

    【DMP6110SSD-13】MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：105ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V @
    ￥197.15 税込￥216.86
  • 44

    【SH8MA2GZETB】MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【SH8MA2GZETB】MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 4.5A、10V、82ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時
    ￥200.00 税込￥220.00
  • 45

    【APTM100A13SCG】MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

    【APTM100A13SCG】MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
    メーカー名：
    Microchip
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1000V（1kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：65A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：156ミリオーム @ 32.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：5V
    ￥42,311.83 税込￥46,543.01
  • 46

    【AO6602L】MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP

    【AO6602L】MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネルコンプリメンタリ・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥30.28 税込￥33.30
  • 47

    【CAB016M12FM3T】SiCハーフブリッジ電源モジュール(1200V/78A)

    【CAB016M12FM3T】SiCハーフブリッジ電源モジュール(1200V/78A)
    メーカー名：
    Wolfspeed
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：WolfPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：78A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：21.3ミリオーム @ 80A、15V・Id印加時のVg
    ￥27,444.32 税込￥30,188.75
  • 48

    【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

    【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    最小1,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印
    ￥62.49 税込￥68.73
  • 49

    【SH8JE5TB1】MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8SOP

    【SH8JE5TB1】MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8SOP
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：91ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2
    ￥560.00 税込￥616.00
  • 50

    【SI9948AEY】MOSFET 2P-CH 60V 5.3A 8SOP

    【SI9948AEY】MOSFET 2P-CH 60V 5.3A 8SOP
    メーカー名：
    UMW
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.3A（Ta）、5.3A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：54ミリオーム @ 6.3A、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥250.00 税込￥275.00
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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