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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

検索結果 8,346件中1～50件目
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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【NXH010P120MNF1PTG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

    【NXH010P120MNF1PTG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（
    ￥24,809.10 税込￥27,290.01
  • 2

    【NXH010P120MNF1PG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

    【NXH010P120MNF1PG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（
    ￥24,809.10 税込￥27,290.01
  • 3

    【TC6320TG-G】MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC

    【TC6320TG-G】MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
    メーカー名：
    Microchip
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7オーム @ 1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V @ 1mA・Vgs印加時の
    ￥428.58 税込￥471.43
  • 4

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @
    ￥198.58 税込￥218.43
  • 5

    【AOSD21307】MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC

    【AOSD21307】MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @
    ￥357.15 税込￥392.86
  • 6

    【AO4614B】MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC

    【AO4614B】MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V
    ￥241.43 税込￥265.57
  • 7

    【DMG1029SV-7】MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563

    【DMG1029SV-7】MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA、360mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.7オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥137.15 税込￥150.86
  • 8

    【FDMC7200】MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33

    【FDMC7200】MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23.5ミリオーム @ 6A、10V・Id印加
    ￥272.86 税込￥300.14
  • 9

    【SSM6N17FU(TE85L,F)】MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6

    【SSM6N17FU(TE85L,F)】MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20オーム @ 10mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.5
    ￥111.43 税込￥122.57
  • 10

    【SSM6N40TU,LF】MOSFET 2N-CH 30V 1.6A UF6

    【SSM6N40TU,LF】MOSFET 2N-CH 30V 1.6A UF6
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、4V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：122ミリオーム @ 1A、10V・Id印加時の
    ￥151.43 税込￥166.57
  • 11

    【NX6020CAKSX】MOSFET N/P-CH 60V 0.17A 6TSSOP

    【NX6020CAKSX】MOSFET N/P-CH 60V 0.17A 6TSSOP
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V、50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：170mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.5オーム @ 100mA、10V、7.5オーム @ 100mA、10V
    ￥82.86 税込￥91.14
  • 12

    【SI4900DY-T1-E3】MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

    【SI4900DY-T1-E3】MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：58ミリオーム @ 4.3A、10V・Id印加時のVg
    ￥424.29 税込￥466.71
  • 13

    【FDS8958A】MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP

    【FDS8958A】MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
    メーカー名：
    UMW
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A（Ta）、5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 7A、10V、52ミリオーム @ 5A、10V・Id印
    ￥205.72 税込￥226.29
  • 14

    【SI4900DY-T1-E3】MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC

    【SI4900DY-T1-E3】MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：58ミリオーム @ 4.3A、10V・Id印加時のV
    ￥424.29 税込￥466.71
  • 15

    【QH8KC5TCR】MOSFET 2N-CH 60V 3A TSMT8

    【QH8KC5TCR】MOSFET 2N-CH 60V 3A TSMT8
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：90ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V
    ￥302.86 税込￥333.14
  • 16

    【AO4614B】MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

    【AO4614B】MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC [digi-reel品]
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V @
    ￥241.43 税込￥265.57
  • 17

    【HP8KE6TB1】MOSFET 2N-CH 100V 6A 8HSOP

    【HP8KE6TB1】MOSFET 2N-CH 100V 6A 8HSOP
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）、17A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：54ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th）（
    ￥544.29 税込￥598.71
  • 18

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @
    ￥68.27 税込￥75.09
  • 19

    【SSM6N7002BFE,LM】MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6

    【SSM6N7002BFE,LM】MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.1オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥70.00 税込￥77.00
  • 20

    【NTJD4158CT1G】MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88 [digi-reel品] DigiReel商品

    【NTJD4158CT1G】MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88 [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250mA、880mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @ 10mA、4.5V・Id印加時のVgs（
    ￥108.58 税込￥119.43
  • 21

    【NTJD4158CT1G】MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88

    【NTJD4158CT1G】MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250mA、880mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @ 10mA、4.5V・Id印加時のVgs
    ￥108.58 税込￥119.43
  • 22

    【2N7002AKS-QX】MOS DISCRETES

    【2N7002AKS-QX】MOS DISCRETES
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：220mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3オーム @ 100mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.6V @ 25
    ￥58.58 税込￥64.43
  • 23

    【AOE6930】MOSFET 2N-CH 30V 22A 8DFN [digi-reel品] DigiReel商品

    【AOE6930】MOSFET 2N-CH 30V 22A 8DFN [digi-reel品]
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：AlphaMOS・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：22A（Tc）、 85A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.3ミリオーム @ 20A、 10V、
    ￥783.34 税込￥861.67
  • 24

    【AO4614B】MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC

    【AO4614B】MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V
    ￥43.83 税込￥48.21
  • 25

    【US6K1TR】MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6

    【US6K1TR】MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：240ミリオーム @ 1.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（
    ￥244.29 税込￥268.71
  • 26

    【EM6K6T2R】MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【EM6K6T2R】MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1オーム @ 300mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1
    ￥155.72 税込￥171.29
  • 27

    【IRF8915】MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8SO

    【IRF8915】MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8SO
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    最小95個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8.9A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18.3ミリオーム @ 8.9A、10V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥449.10 税込￥494.01
  • 28

    【BUK9K31-100LX】BUK9K31-100L/SOT1205/LFPAK56D

    【BUK9K31-100LX】BUK9K31-100L/SOT1205/LFPAK56D
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：24A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：31.7ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥518.58 税込￥570.43
  • 29

    【EM6K31GT2R】MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6

    【EM6K31GT2R】MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、2.5V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4オーム @ 250mA、10V・Id印加時の
    ￥125.72 税込￥138.29
  • 30

    【EM6K31T2R】MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6

    【EM6K31T2R】MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    最小8,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4オーム @ 250mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥30.50 税込￥33.55
  • 31

    【PJQ5948-AU_R2_002A1】デュアルNchエンハンスメントモードMOSFET(40V/10.6A)

    【PJQ5948-AU_R2_002A1】デュアルNchエンハンスメントモードMOSFET(40V/10.6A)
    メーカー名：
    PANJIT
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10.6A（Ta）、37A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12.3ミリオーム @ 10A、10V・Id
    ￥56.65 税込￥62.31
  • 32

    【SH8KC6TB1】MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【SH8KC6TB1】MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 6.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.
    ￥381.43 税込￥419.57
  • 33

    【QS8J2TR】MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【QS8J2TR】MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.5V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：36ミリオーム @ 4A、4.5V・Id印加時のVgs（th
    ￥350.00 税込￥385.00
  • 34

    【UT6ME5TCR】MOSFET N/P-CH 100V 2A HUML2020L8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【UT6ME5TCR】MOSFET N/P-CH 100V 2A HUML2020L8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A（Ta）、1A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：207ミリオーム @ 2A、10V、840ミリオーム @ 1A、10V・I
    ￥114.29 税込￥125.71
  • 35

    【UM6K33NTN】MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6

    【UM6K33NTN】MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.2オーム @ 200mA、4.5V・Id印加時
    ￥16.42 税込￥18.06
  • 36

    【SH8KC7TB1】MOSFET 2N-CH 60V 10.5A 8SOP

    【SH8KC7TB1】MOSFET 2N-CH 60V 10.5A 8SOP
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12.4ミリオーム @ 10.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥565.72 税込￥622.29
  • 37

    【UM6K33NTN】MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6

    【UM6K33NTN】MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.2オーム @ 200mA、4.5V・Id印加時
    ￥101.43 税込￥111.57
  • 38

    【SI9945CDY-T1-GE3】DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSF

    【SI9945CDY-T1-GE3】DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSF
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.9A（Ta）、7.9A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（
    ￥255.72 税込￥281.29
  • 39

    【SH8KA7GZETB】MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【SH8KA7GZETB】MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.3ミリオーム @ 15A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5
    ￥672.23 税込￥739.45
  • 40

    【SH8KA7GZETB】MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SOP

    【SH8KA7GZETB】MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SOP
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.3ミリオーム @ 15A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.
    ￥672.23 税込￥739.45
  • 41

    【FS03MR12A6MA1BBPSA1】MOSFET 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD

    【FS03MR12A6MA1BBPSA1】MOSFET 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：HybridPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6Nチャンネル（3相ブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：400A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.7ミリオーム @ 400A、15V・Id印加時
    ￥353,613.83 税込￥388,975.21
  • 42

    【2N7002DW】60V 115MA 7.5@10V,500MA 200MW 2.

    【2N7002DW】60V 115MA 7.5@10V,500MA 200MW 2.
    メーカー名：
    -
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：
    ￥45.72 税込￥50.29
  • 43

    【SSM6N17FU(TE85L,F)】MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6

    【SSM6N17FU(TE85L,F)】MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20オーム @ 10mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.5
    ￥17.00 税込￥18.70
  • 44

    【SH8MA2GZETB】MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【SH8MA2GZETB】MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 4.5A、10V、82ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時
    ￥284.29 税込￥312.71
  • 45

    【SQ4946CEY-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

    【SQ4946CEY-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥385.72 税込￥424.29
  • 46

    【VS-MPX075P120】POWER MODULE, THREE PHASE INVERT

    【VS-MPX075P120】POWER MODULE, THREE PHASE INVERT
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャンネル（3相インバータ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：22A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：97.5ミリオーム @ 20A、15V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3.
    ￥16,431.04 税込￥18,074.14
  • 47

    【ALD212900APAL】MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8PDIP

    【ALD212900APAL】MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8PDIP
    メーカー名：
    Advanced Linear Devices Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：EPAD®, Zero Threshold™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Nチャンネル（デュアル）整合ペア・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：10.6V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：80mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14オーム・Id印加時のVgs（
    ￥2,142.36 税込￥2,356.59
  • 48

    【BUK7K3R7-40NX】BUK7K3R7-40N/SOT1205/LFPAK56D

    【BUK7K3R7-40NX】BUK7K3R7-40N/SOT1205/LFPAK56D
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：105A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.7ミリオーム @ 25A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3
    ￥561.43 税込￥617.57
  • 49

    【NVJD5121NT1G】MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88

    【NVJD5121NT1G】MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：295mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V
    ￥104.29 税込￥114.71
  • 50

    【EM6K31T2R】MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6

    【EM6K31T2R】MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4オーム @ 250mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥197.15 税込￥216.86
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