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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

検索結果 8,241件中1～50件目
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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【AONY36356】MOSFET 2N-CH 30V 17.5A 8DFN

    【AONY36356】MOSFET 2N-CH 30V 17.5A 8DFN
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17.5A（Ta）、 32A（Tc）、 24A（Ta）、 32A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6.1ミリオーム @
    ￥450.00 税込￥495.00
  • 2

    【SIZ340DT-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33

    【SIZ340DT-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerPAIR®, TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A、40A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.5ミリオーム @ 15.6
    ￥371.43 税込￥408.57
  • 3

    【QS8J4TR】MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8

    【QS8J4TR】MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：56ミリオーム @ 4A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5
    ￥421.43 税込￥463.57
  • 4

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @
    ￥202.86 税込￥223.14
  • 5

    【AO4614B】MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC

    【AO4614B】MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V
    ￥245.72 税込￥270.29
  • 6

    【SIA527DJ-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8

    【SIA527DJ-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：29ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs（th
    ￥210.00 税込￥231.00
  • 7

    【SSM6L14FE(TE85L,F)】MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6

    【SSM6L14FE(TE85L,F)】MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：ロジックレベルゲート、1.5V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：800mA（Ta）、720mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：240ミリオーム @ 500m
    ￥120.00 税込￥132.00
  • 8

    【PMDPB56XNEAX】MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6DFN [digi-reel品] DigiReel商品

    【PMDPB56XNEAX】MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6DFN [digi-reel品]
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.1A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：72ミリオーム @ 3.1A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1
    ￥178.58 税込￥196.43
  • 9

    【G085C03D32】MOSFET N/P-CH 30V 28A 8DFN

    【G085C03D32】MOSFET N/P-CH 30V 28A 8DFN
    メーカー名：
    Goford Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：28A（Tc）、12A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：11ミリオーム @ 10A、10V、23ミリオーム @ 6A、4.5V
    ￥192.86 税込￥212.14
  • 10

    【PMDPB30XNZ】MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON [digi-reel品] DigiReel商品

    【PMDPB30XNZ】MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON [digi-reel品]
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：900mV
    ￥168.58 税込￥185.43
  • 11

    【PMDPB30XNZ】MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON

    【PMDPB30XNZ】MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：900m
    ￥168.58 税込￥185.43
  • 12

    【DMT3020LSD-13】MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO [digi-reel品] DigiReel商品

    【DMT3020LSD-13】MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO [digi-reel品]
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V
    ￥231.43 税込￥254.57
  • 13

    【PMDPB55XP,115】MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON [digi-reel品] DigiReel商品

    【PMDPB55XP,115】MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON [digi-reel品]
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 3.4A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）
    ￥195.72 税込￥215.29
  • 14

    【PMDPB55XPAX】MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON

    【PMDPB55XPAX】MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Ta）、9.3A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：66ミリオーム @ 3.6A、4.5V・Id印加時のVgs（
    ￥197.15 税込￥216.86
  • 15

    【CAB760M12HM3】MOSFET 2N-CH 1200V 1015A MODULE

    【CAB760M12HM3】MOSFET 2N-CH 1200V 1015A MODULE
    メーカー名：
    Wolfspeed
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1015A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.73ミリオーム @ 760A、15V・Id印加時のVgs（th）
    ￥493,001.07 税込￥542,301.17
  • 16

    【BSM300D12P4G101】MOSFET 2N-CH 1200V 291A MODULE

    【BSM300D12P4G101】MOSFET 2N-CH 1200V 291A MODULE
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：291A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：4.8V @ 145.6mA・Vgs
    ￥115,185.11 税込￥126,703.62
  • 17

    【PMDPB55XPAX】MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON [digi-reel品] DigiReel商品

    【PMDPB55XPAX】MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON [digi-reel品]
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Ta）、9.3A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：66ミリオーム @ 3.6A、4.5V・Id印加時のVgs（t
    ￥197.15 税込￥216.86
  • 18

    【ECB2R8M12YM3】SIC, MODULE, 2.8M, 1200V, 152MM,

    【ECB2R8M12YM3】SIC, MODULE, 2.8M, 1200V, 152MM,
    メーカー名：
    Wolfspeed
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャンネル（3相インバータ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：545A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.7ミリオーム @ 450A、15V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3
    ￥212,982.98 税込￥234,281.27
  • 19

    【AONY36352】MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8DFN

    【AONY36352】MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8DFN
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.5A（Ta）、49A（Tc）、30A（Ta）、85A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.3ミリオーム @
    ￥494.29 税込￥543.71
  • 20

    【EPC2107】MOSFET 3N-CH 100V 9BGA

    【EPC2107】MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
    メーカー名：
    EPC
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：eGaN®・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・構成：3Nチャンネル（ハーフブリッジ + 同期式ブートストラップ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.7A、500mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：320ミリオーム @ 2A、
    ￥712.50 税込￥783.75
  • 21

    【PMDPB55XP,115】MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON

    【PMDPB55XP,115】MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 3.4A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥30.68 税込￥33.74
  • 22

    【NTJD4401NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88

    【NTJD4401NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：630mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：375ミリオーム @ 630mA、4.5V・Id印加時のVgs（th
    ￥118.58 税込￥130.43
  • 23

    【PMDPB30XNAX】MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSON

    【PMDPB30XNAX】MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSON
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）、12A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：34ミリオーム @ 4.5A、4.5V・Id印加時のVgs（
    ￥27.61 税込￥30.37
  • 24

    【PMDPB30XNAX】MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSON [digi-reel品] DigiReel商品

    【PMDPB30XNAX】MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSON [digi-reel品]
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）、12A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：34ミリオーム @ 4.5A、4.5V・Id印加時のVgs（t
    ￥171.43 税込￥188.57
  • 25

    【PMDPB30XNAX】MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSON

    【PMDPB30XNAX】MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSON
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）、12A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：34ミリオーム @ 4.5A、4.5V・Id印加時のVgs（
    ￥171.43 税込￥188.57
  • 26

    【DMT3020LSDQ-13】MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO [digi-reel品] DigiReel商品

    【DMT3020LSDQ-13】MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO [digi-reel品]
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V
    ￥284.29 税込￥312.71
  • 27

    【DMN2041LSD-13】MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO

    【DMN2041LSD-13】MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.63A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 6A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥204.29 税込￥224.71
  • 28

    【MMFTN620KDW】MOSFET SOT363 N+N 60V 0.35A 2OHM

    【MMFTN620KDW】MOSFET SOT363 N+N 60V 0.35A 2OHM
    メーカー名：
    Diotec Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：350mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
    ￥70.00 税込￥77.00
  • 29

    【SP8M51HZGTB】MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP

    【SP8M51HZGTB】MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）、2.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：170ミリオーム @ 3A、10V、290ミリオーム @ 2.5A、
    ￥597.23 税込￥656.95
  • 30

    【ALD1106PBL】MOSFET 4N-CH 10.6V 14PDIP

    【ALD1106PBL】MOSFET 4N-CH 10.6V 14PDIP
    メーカー名：
    Advanced Linear Devices Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：4Nチャンネル、整合ペア・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：10.6V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500オーム @ 5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @ 1µA・Vgs印加時のゲート電荷（
    ￥1,842.36 税込￥2,026.59
  • 31

    【AONY36352】MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8DFN [digi-reel品] DigiReel商品

    【AONY36352】MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8DFN [digi-reel品]
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.5A（Ta）、49A（Tc）、30A（Ta）、85A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.3ミリオーム @
    ￥494.29 税込￥543.71
  • 32

    【AONY36352】MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8DFN

    【AONY36352】MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8DFN
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.5A（Ta）、49A（Tc）、30A（Ta）、85A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.3ミリオーム @
    ￥101.26 税込￥111.38
  • 33

    【SQ3585EV-T1_GE3】MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【SQ3585EV-T1_GE3】MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.57A（Tc）、 2.5A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：77ミリオーム @ 1A、 4.5V、 166
    ￥130.00 税込￥143.00
  • 34

    【DMG1016UDW-7】MOSFET N/P-CH 20V SOT363

    【DMG1016UDW-7】MOSFET N/P-CH 20V SOT363
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.07A、845mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：450ミリオーム @ 600mA、4.5V・Id印加時のVgs（
    ￥98.58 税込￥108.43
  • 35

    【EM6K6T2R】MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【EM6K6T2R】MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1オーム @ 300mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1
    ￥158.58 税込￥174.43
  • 36

    【IPG20N04S412AATMA1】MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

    【IPG20N04S412AATMA1】MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12.2ミリオーム @ 17A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥445.72 税込￥490.29
  • 37

    【SI7288DP-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SI7288DP-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）
    ￥532.86 税込￥586.14
  • 38

    【DMT3020LSD-13】MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO

    【DMT3020LSD-13】MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V
    ￥231.43 税込￥254.57
  • 39

    【DMP32D9UDAQ-7B】MOSFET 2P-CH 30V 0.22A 6DFN

    【DMP32D9UDAQ-7B】MOSFET 2P-CH 30V 0.22A 6DFN
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：220mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 100mA、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @ 250µA
    ￥60.00 税込￥66.00
  • 40

    【AO4614B】MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

    【AO4614B】MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC [digi-reel品]
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V @
    ￥245.72 税込￥270.29
  • 41

    【EPC2108】MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA

    【EPC2108】MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
    メーカー名：
    EPC
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：eGaN®・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・構成：3Nチャンネル（ハーフブリッジ + 同期式ブートストラップ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V、100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.7A、500mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：190ミリオーム @
    ￥641.67 税込￥705.83
  • 42

    【MG400Q2YMS3(DAE)】SIC MOSFET MODULE, 1200V, 400A

    【MG400Q2YMS3(DAE)】SIC MOSFET MODULE, 1200V, 400A
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1700V（1.7kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：5.6V @ 400mA・
    ￥347,498.94 税込￥382,248.83
  • 43

    【SIZ240DT-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 40V 17.2A 8PWRPAIR

    【SIZ240DT-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 40V 17.2A 8PWRPAIR
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET® Gen IV・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17.2A（Ta）、48A（Tc）、16.9A（Ta）、47A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On
    ￥510.00 税込￥561.00
  • 44

    【BSM300D12P2E001】MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE

    【BSM300D12P2E001】MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：4V @ 68mA・Vgs
    ￥127,422.35 税込￥140,164.58
  • 45

    【BSO615NGXUMA1】MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO

    【BSO615NGXUMA1】MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SIPMOS®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.6A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：150ミリオーム @ 2.6A、4.5V・Id印加時のVg
    ￥79.97 税込￥87.96
  • 46

    【QS6K1TR】MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【QS6K1TR】MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：238ミリオーム @ 1A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1
    ￥272.86 税込￥300.14
  • 47

    【HP8K22TB】MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP

    【HP8K22TB】MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：-・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：27A、57A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.6ミリオーム @ 20A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V @ 1mA・
    ￥491.43 税込￥540.57
  • 48

    【ISG0614N06NM5HSCATMA1】MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN

    【ISG0614N06NM5HSCATMA1】MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 5・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：31A（Ta）、233A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6ミリオーム @ 50A、10V
    ￥1,256.00 税込￥1,381.60
  • 49

    【DMC31D5UDJ-7】MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963

    【DMC31D5UDJ-7】MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：220mA、200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @ 100mA、4.5V・Id印加時のVgs（th
    ￥188.58 税込￥207.43
  • 50

    【FDS8958A】MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC

    【FDS8958A】MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A、5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs（
    ￥238.58 税込￥262.43
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