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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【TC6320TG-G】MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC

    【TC6320TG-G】MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
    メーカー名：
    Microchip
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7オーム @ 1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V @ 1mA・Vgs印加時の
    ￥430.00 税込￥473.00
  • 2

    【SIZ340DT-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33

    【SIZ340DT-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerPAIR®, TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A、40A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.5ミリオーム @ 15.6
    ￥365.72 税込￥402.29
  • 3

    【AOSD21307】MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC

    【AOSD21307】MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @
    ￥358.58 税込￥394.43
  • 4

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @
    ￥200.00 税込￥220.00
  • 5

    【AO4614B】MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC

    【AO4614B】MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V
    ￥242.86 税込￥267.14
  • 6

    【DMG1029SV-7】MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563

    【DMG1029SV-7】MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA、360mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.7オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥147.15 税込￥161.86
  • 7

    【NX6020CAKSX】MOSFET N/P-CH 60V 0.17A 6TSSOP

    【NX6020CAKSX】MOSFET N/P-CH 60V 0.17A 6TSSOP
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V、50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：170mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.5オーム @ 100mA、10V、7.5オーム @ 100mA、10V
    ￥82.86 税込￥91.14
  • 8

    【AONY36356】MOSFET 2N-CH 30V 17.5A 8DFN [digi-reel品] DigiReel商品

    【AONY36356】MOSFET 2N-CH 30V 17.5A 8DFN [digi-reel品]
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17.5A（Ta）、 32A（Tc）、 24A（Ta）、 32A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6.1ミリオーム @
    ￥444.29 税込￥488.71
  • 9

    【UM6K1NA-TP】MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT363

    【UM6K1NA-TP】MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT363
    メーカー名：
    MCC (Micro Commercial Components)
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：750ミリオーム @ 300mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.
    ￥87.15 税込￥95.86
  • 10

    【SIZ240DT-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 40V 17.2A 8PWRPAIR

    【SIZ240DT-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 40V 17.2A 8PWRPAIR
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET® Gen IV・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17.2A（Ta）、48A（Tc）、16.9A（Ta）、47A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On
    ￥502.86 税込￥553.14
  • 11

    【PSMN4R2-40VSHX】MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D

    【PSMN4R2-40VSHX】MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：98A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.2ミリオーム @ 20A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）
    ￥625.00 税込￥687.50
  • 12

    【SSM6P69NU,LF】MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN [digi-reel品] DigiReel商品

    【SSM6P69NU,LF】MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN [digi-reel品]
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.8V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：45ミリオーム @ 3.5A、10V・Id印加時のV
    ￥181.43 税込￥199.57
  • 13

    【HS8K1TB】MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10

    【HS8K1TB】MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A（Ta）、11A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14.6ミリオーム @ 10A、10V、11.8ミリオーム @
    ￥322.86 税込￥355.14
  • 14

    【SIZ240DT-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 40V 17.2A 8PWRPAIR

    【SIZ240DT-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 40V 17.2A 8PWRPAIR
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TrenchFET® Gen IV・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17.2A（Ta）、48A（Tc）、16.9A（Ta）、47A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On
    ￥103.86 税込￥114.24
  • 15

    【SIZ240DT-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 40V 17.2A 8PWRPAIR [digi-reel品] DigiReel商品

    【SIZ240DT-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 40V 17.2A 8PWRPAIR [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET® Gen IV・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17.2A（Ta）、48A（Tc）、16.9A（Ta）、47A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（
    ￥502.86 税込￥553.14
  • 16

    【DMN3055LFDB-7】MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN [digi-reel品] DigiReel商品

    【DMN3055LFDB-7】MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN [digi-reel品]
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.5V @
    ￥172.86 税込￥190.14
  • 17

    【STS4DNF60L】MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC

    【STS4DNF60L】MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：STripFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：55ミリオーム @ 2A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥676.39 税込￥744.02
  • 18

    【DMT10H020SDGQ-7】MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

    【DMT10H020SDGQ-7】MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル、コモンドレイン、コモンソース・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23ミリオーム @ 6.2A、10V・Id印加時のVgs
    ￥105.70 税込￥116.27
  • 19

    【STS4DNF60L】MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

    【STS4DNF60L】MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC [digi-reel品]
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：STripFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：55ミリオーム @ 2A、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥676.39 税込￥744.02
  • 20

    【HP8K22TB】MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP

    【HP8K22TB】MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：-・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：27A、57A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.6ミリオーム @ 20A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V @ 1mA・
    ￥484.29 税込￥532.71
  • 21

    【UT6KC5TCR】MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8DFN

    【UT6KC5TCR】MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8DFN
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：95ミリオーム @ 3.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2
    ￥508.58 税込￥559.43
  • 22

    【FDMD8540L】MOSFET 2N-CH 40V 33A 8PWR 5X6

    【FDMD8540L】MOSFET 2N-CH 40V 33A 8PWR 5X6
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：33A、156A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5ミリオーム @ 33A、10V・Id印加時
    ￥387.29 税込￥426.01
  • 23

    【2N7002DW】MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 [digi-reel品] DigiReel商品

    【2N7002DW】MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 50mA、5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：
    ￥121.43 税込￥133.57
  • 24

    【BSS138BKS,115】MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【BSS138BKS,115】MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：320mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 320mA、10V・Id印加時のV
    ￥81.43 税込￥89.57
  • 25

    【SSM6N44FE,LM】MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SSM6N44FE,LM】MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4オーム @ 10mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.
    ￥94.29 税込￥103.71
  • 26

    【SP8M51HZGTB】MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP

    【SP8M51HZGTB】MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）、2.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：170ミリオーム @ 3A、10V、290ミリオーム @ 2.5A、
    ￥588.89 税込￥647.77
  • 27

    【BSS138BKSH】MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【BSS138BKSH】MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：320mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 320mA、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥81.43 税込￥89.57
  • 28

    【DMG1016UDW-7】MOSFET N/P-CH 20V SOT363

    【DMG1016UDW-7】MOSFET N/P-CH 20V SOT363
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.07A、845mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：450ミリオーム @ 600mA、4.5V・Id印加時のVgs（
    ￥97.15 税込￥106.86
  • 29

    【SI7288DP-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SI7288DP-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）
    ￥524.29 税込￥576.71
  • 30

    【HP8S36TB】MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【HP8S36TB】MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：-・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：27A、80A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4ミリオーム @ 32A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V @ 1mA・V
    ￥524.29 税込￥576.71
  • 31

    【SSM6N15AFE,LM】MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SSM6N15AFE,LM】MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4オーム @ 10mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.
    ￥87.15 税込￥95.86
  • 32

    【CLB650M17HM3T】SIC MODULE, 650 A, 1700 V, 62 MM

    【CLB650M17HM3T】SIC MODULE, 650 A, 1700 V, 62 MM
    メーカー名：
    Wolfspeed
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2Nチャンネル、コモンソース（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1700V（1.7kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：916A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.86ミリオーム @ 650A、15V・Id印加時のVg
    ￥690,322.35 税込￥759,354.58
  • 33

    【TC1550TG-G】MOSFET N/P-CH 500V 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

    【TC1550TG-G】MOSFET N/P-CH 500V 8SOIC [digi-reel品]
    メーカー名：
    Microchip
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60オーム @ 50mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：4V @ 1mA・Vgs印加
    ￥1,543.91 税込￥1,698.30
  • 34

    【SSM6L36FE,LM】MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SSM6L36FE,LM】MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA、330mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：630ミリオーム @ 200mA、5V・Id印加時のVgs（th）
    ￥94.29 税込￥103.71
  • 35

    【DMN3032LFDBQ-13】MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN [digi-reel品] DigiReel商品

    【DMN3032LFDBQ-13】MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN [digi-reel品]
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.2A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 5.8A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V
    ￥221.43 税込￥243.57
  • 36

    【DMC31D5UDJ-7】MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963

    【DMC31D5UDJ-7】MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：220mA、200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @ 100mA、4.5V・Id印加時のVgs（th
    ￥185.72 税込￥204.29
  • 37

    【AO4614B】MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

    【AO4614B】MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC [digi-reel品]
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V @
    ￥242.86 税込￥267.14
  • 38

    【DMT3020LSD-13】MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO

    【DMT3020LSD-13】MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V
    ￥228.58 税込￥251.43
  • 39

    【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D [digi-reel品] DigiReel商品

    【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D [digi-reel品]
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印加
    ￥351.43 税込￥386.57
  • 40

    【IMSQ120R026M2HHXUMA1】SICFET 2N-CH 1200V 83A HDSOP16

    【IMSQ120R026M2HHXUMA1】SICFET 2N-CH 1200V 83A HDSOP16
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：CoolSiC™ G2・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：83A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：26ミリオーム @ 27A、18V
    ￥4,669.42 税込￥5,136.36
  • 41

    【PJX138K-AU_R1_000A1】MOSFET 2N-CH 50V 0.35A SOT563 [digi-reel品] DigiReel商品

    【PJX138K-AU_R1_000A1】MOSFET 2N-CH 50V 0.35A SOT563 [digi-reel品]
    メーカー名：
    PANJIT
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：350mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1
    ￥60.00 税込￥66.00
  • 42

    【ECH8651R-TL-H】MOSFET 2N-CH 24V 10A 8ECH [digi-reel品] DigiReel商品

    【ECH8651R-TL-H】MOSFET 2N-CH 24V 10A 8ECH [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：24V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：-
    ￥304.29 税込￥334.71
  • 43

    【QH8ME5TCR】MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8

    【QH8ME5TCR】MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：202ミリオーム @ 2A、10V、270ミリオーム @ 2A、10V・Id印加時のV
    ￥304.29 税込￥334.71
  • 44

    【ECH8651R-TL-H】MOSFET 2N-CH 24V 10A 8ECH

    【ECH8651R-TL-H】MOSFET 2N-CH 24V 10A 8ECH
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：24V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：
    ￥304.29 税込￥334.71
  • 45

    【HT8KA5TB1】30V 12A, DUAL NCH+PCH, HSMT8, PO [digi-reel品] DigiReel商品

    【HT8KA5TB1】30V 12A, DUAL NCH+PCH, HSMT8, PO [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Ta）、12A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16.4ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5
    ￥415.72 税込￥457.29
  • 46

    【IAUCN04S7N054HATMA1】MOSFET_(20V 40V)

    【IAUCN04S7N054HATMA1】MOSFET_(20V 40V)
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 7・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：62A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.41ミリオーム @ 30A、10V・Id印加時のVgs（
    ￥458.58 税込￥504.43
  • 47

    【HT8KA6TB1】30V 15A, DUAL NCH+PCH, HSMT8, PO [digi-reel品] DigiReel商品

    【HT8KA6TB1】30V 15A, DUAL NCH+PCH, HSMT8, PO [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11.5A（Ta）、15A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10.9ミリオーム @ 11.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥487.15 税込￥535.86
  • 48

    【EM6K6T2R】MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【EM6K6T2R】MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1オーム @ 300mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1
    ￥157.15 税込￥172.86
  • 49

    【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

    【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印
    ￥351.43 税込￥386.57
  • 50

    【BUK9V13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

    【BUK9V13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    最小1,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・
    ￥73.92 税込￥81.31
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