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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

検索結果 10,445件中1～50件目
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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

    【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印
    ￥231.43 税込￥254.57
  • 2

    【PMDPB55XPAX】MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON

    【PMDPB55XPAX】MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Ta）、9.3A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：66ミリオーム @ 3.6A、4.5V・Id印加時のVgs（
    ￥168.58 税込￥185.43
  • 3

    【DMHC3025LSD-13】MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO

    【DMHC3025LSD-13】MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nおよび2 Pチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、4.2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm
    ￥277.15 税込￥304.86
  • 4

    【CSD87501LT】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

    【CSD87501LT】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @
    ￥230.00 税込￥253.00
  • 5

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @
    ￥172.86 税込￥190.14
  • 6

    【SSM6L36TU,LF】MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6

    【SSM6L36TU,LF】MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：ロジックレベルゲート、1.5V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA（Ta）、330mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：630ミリオーム @ 200m
    ￥14.86 税込￥16.34
  • 7

    【CSD87351ZQ5D】MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON [digi-reel品] DigiReel商品

    【CSD87351ZQ5D】MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON [digi-reel品]
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：32A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.1V @ 2
    ￥407.15 税込￥447.86
  • 8

    【DMG1024UV-7】MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563

    【DMG1024UV-7】MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
    メーカー名：
    Diodes Incorporated
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.38A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：450ミリオーム @ 600mA、4.5V・Id印加時のVgs（th
    ￥115.72 税込￥127.29
  • 9

    【AW2K21AR】30V 20A, DUAL NCH+NCH, WLCSP2020 [digi-reel品] DigiReel商品

    【AW2K21AR】30V 20A, DUAL NCH+NCH, WLCSP2020 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2個のNチャンネル、コモンソース・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3ミリオーム @ 20A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V
    ￥618.06 税込￥679.86
  • 10

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @
    ￥57.34 税込￥63.07
  • 11

    【NTMFD5C674NLT1G】MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN

    【NTMFD5C674NLT1G】MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11A（Ta）、42A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14.4ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥372.86 税込￥410.14
  • 12

    【NTJD4401NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88

    【NTJD4401NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：630mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：375ミリオーム @ 630mA、4.5V・Id印加時のVgs（th
    ￥98.58 税込￥108.43
  • 13

    【UT6MA2TCR】MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8

    【UT6MA2TCR】MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：46ミリオーム @ 4A、10V、70ミリオーム @ 4A、10V・Id印加時のVgs（
    ￥34.54 税込￥37.99
  • 14

    【UT6MA2TCR】MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8

    【UT6MA2TCR】MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：46ミリオーム @ 4A、10V、70ミリオーム @ 4A、10V・Id印加時のVgs（
    ￥148.58 税込￥163.43
  • 15

    【CSD87501LT】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

    【CSD87501LT】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    最小250個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @
    ￥98.24 税込￥108.06
  • 16

    【SSM6L39TU,LF】MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SSM6L39TU,LF】MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：ロジックレベルゲート、1.8V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：800mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：143ミリオーム @ 600MA、4V・Id印加時のVgs（
    ￥137.15 税込￥150.86
  • 17

    【BUK9K31-100LX】BUK9K31-100L/SOT1205/LFPAK56D

    【BUK9K31-100LX】BUK9K31-100L/SOT1205/LFPAK56D
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    最小1,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：24A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：31.7ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥69.85 税込￥76.83
  • 18

    【QS8J2TR】MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【QS8J2TR】MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.5V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：36ミリオーム @ 4A、4.5V・Id印加時のVgs（th
    ￥315.72 税込￥347.29
  • 19

    【QS5K2TR】MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5 [digi-reel品] DigiReel商品

    【QS5K2TR】MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 2A、4.5V・Id印加時のVgs（th
    ￥202.86 税込￥223.14
  • 20

    【EM6J1T2R】MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【EM6J1T2R】MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.2オーム @ 200mA、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大
    ￥147.15 税込￥161.86
  • 21

    【NDS9936】MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC

    【NDS9936】MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V
    ￥330.00 税込￥363.00
  • 22

    【FF3MR20KM1HPHPSA1】MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB

    【FF3MR20KM1HPHPSA1】MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：C, CoolSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：2000V（2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：325A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4ミリオーム @ 400A、18V・Id印加時のV
    ￥107,260.64 税込￥117,986.70
  • 23

    【BSM250D17P2E004】MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULE

    【BSM250D17P2E004】MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULE
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1700V（1.7kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：4V @ 66mA・Vgs印加
    ￥156,189.37 税込￥171,808.30
  • 24

    【SLA5041】MOSFET 4N-CH 200V 10A 12SIP

    【SLA5041】MOSFET 4N-CH 200V 10A 12SIP
    メーカー名：
    サンケン電気
    型番：
    出荷予定日：
    最小180個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：4 Nチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：175ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：4V @ 1mA・Vgs
    ￥1,166.66 税込￥1,283.32
  • 25

    【SLA5212】MOSFET 6N-CH 35V 8A 15ZIP

    【SLA5212】MOSFET 6N-CH 35V 8A 15ZIP
    メーカー名：
    サンケン電気
    型番：
    出荷予定日：
    最小1,080個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：6Nチャンネル（3相ブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：35V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加
    ￥553.57 税込￥608.92
  • 26

    【SLA5086】MOSFET 5P-CH 60V 5A 12SIP

    【SLA5086】MOSFET 5P-CH 60V 5A 12SIP
    メーカー名：
    サンケン電気
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：5Pチャンネル、コモンソース・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：220ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V @ 250
    ￥1,414.82 税込￥1,556.30
  • 27

    【HS8K1TB】MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10

    【HS8K1TB】MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A（Ta）、11A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14.6ミリオーム @ 10A、10V、11.8ミリオーム @
    ￥182.86 税込￥201.14
  • 28

    【G180C06Y】MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4

    【G180C06Y】MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
    メーカー名：
    Goford Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル、コモンドレイン・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）、60A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 20A、10V、23ミリオーム @
    ￥301.43 税込￥331.57
  • 29

    【SLA5085】MOSFET 5N-CH 60V 10A 12SIP

    【SLA5085】MOSFET 5N-CH 60V 10A 12SIP
    メーカー名：
    サンケン電気
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：5Nチャンネル、コモンソース・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：220ミリオーム @ 3A、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V @ 250
  • 30

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR [digi-reel品] DigiReel商品

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR [digi-reel品]
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @ 2
    ￥172.86 税込￥190.14
  • 31

    【SH8KB6TB1】MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP

    【SH8KB6TB1】MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19.4ミリオーム @ 8.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）
    ￥302.86 税込￥333.14
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    【SSM6N7002CFU,LF】MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【SSM6N7002CFU,LF】MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：170mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.9オーム @ 100mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.1V
    ￥31.43 税込￥34.57
  • 33

    【EPC2108】MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA [digi-reel品] DigiReel商品

    【EPC2108】MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA [digi-reel品]
    メーカー名：
    EPC
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：eGaN®・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・構成：3Nチャンネル（ハーフブリッジ + 同期式ブートストラップ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V、100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.7A、500mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：190ミリオーム @
    ￥545.72 税込￥600.29
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    【SLA5068 LF853】MOSFET 6N-CH 60V 7A 15SIP

    【SLA5068 LF853】MOSFET 6N-CH 60V 7A 15SIP
    メーカー名：
    サンケン電気
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：6Nチャンネル（3相ブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 3.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V @ 250µA・V
    ￥1,837.65 税込￥2,021.41
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    【QH8JA1TCR】MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8

    【QH8JA1TCR】MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：-・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：38ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.2V @ 1mA・Vgs印加時のゲート
    ￥58.10 税込￥63.91
  • 36

    【NDS9936】MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

    【NDS9936】MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V
    ￥330.00 税込￥363.00
  • 37

    【NDS9936】MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC

    【NDS9936】MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V
    ￥66.26 税込￥72.88
  • 38

    【PJS6809_S1_00001】MOSFET 2P-CH 30V 2.6A SOT23-6

    【PJS6809_S1_00001】MOSFET 2P-CH 30V 2.6A SOT23-6
    メーカー名：
    PANJIT
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：115ミリオーム @ 2.6A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2
    ￥135.72 税込￥149.29
  • 39

    【FF2000UXTR33T2M1BPSA1】MOSFET 2N-CH 3300V 9AG-XHP2K33

    【FF2000UXTR33T2M1BPSA1】MOSFET 2N-CH 3300V 9AG-XHP2K33
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：CoolSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：3300V（3.3kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：925A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4ミリオーム @ 1kA、15V・Id印加時のVgs
    ￥1,243,535.11 税込￥1,367,888.62
  • 40

    【SP8K32HZGTB】MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP

    【SP8K32HZGTB】MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2
    ￥460.00 税込￥506.00
  • 41

    【SP8K32HZGTB】MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【SP8K32HZGTB】MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.
    ￥460.00 税込￥506.00
  • 42

    【TSM8568CS】MOSFET N/P-CH 30V 15A 8SOP

    【TSM8568CS】MOSFET N/P-CH 30V 15A 8SOP
    メーカー名：
    Taiwan Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    最小5,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Tc）、13A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16ミリオーム @ 8A、10V、24ミリオーム @ 7A、10V・I
    ￥49.76 税込￥54.73
  • 43

    【QH8JA1TCR】MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【QH8JA1TCR】MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：-・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：38ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.2V @ 1mA・Vgs印加時のゲート電
    ￥287.15 税込￥315.86
  • 44

    【QH8JA1TCR】MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8

    【QH8JA1TCR】MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：-・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：38ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.2V @ 1mA・Vgs印加時のゲート
    ￥287.15 税込￥315.86
  • 45

    【TSM8568CS RLG】MOSFET N/P-CH 30V 15A 8SOP [digi-reel品] DigiReel商品

    【TSM8568CS RLG】MOSFET N/P-CH 30V 15A 8SOP [digi-reel品]
    メーカー名：
    Taiwan Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Tc）、13A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16ミリオーム @ 8A、10V、24ミリオーム @ 7A、10V・Id
    ￥274.29 税込￥301.71
  • 46

    【GSFQ4616】MOSFET N/P-CH 30V 8A 8SOP

    【GSFQ4616】MOSFET N/P-CH 30V 8A 8SOP
    メーカー名：
    Good-Ark Semiconductor
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネルコンプリメンタリ・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Tc）、7A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 8A、10V、22ミリオーム @ 7A
    ￥111.43 税込￥122.57
  • 47

    【AO5804EL】MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SC89-6

    【AO5804EL】MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SC89-6
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：550ミリオーム @ 500mA、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1
  • 48

    【PMDPB55XPAX】MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON [digi-reel品] DigiReel商品

    【PMDPB55XPAX】MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON [digi-reel品]
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Ta）、9.3A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：66ミリオーム @ 3.6A、4.5V・Id印加時のVgs（t
    ￥168.58 税込￥185.43
  • 49

    【NTMFD5C674NLT1G】MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN [digi-reel品] DigiReel商品

    【NTMFD5C674NLT1G】MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11A（Ta）、42A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14.4ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥372.86 税込￥410.14
  • 50

    【QS8J13TR】MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【QS8J13TR】MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 5.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）
    ￥267.15 税込￥293.86
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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