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半導体  [ メーカー:EPC ]の検索結果

検索結果 416件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 416
  • メーカー名:
    EPC
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):43ミリオーム @ 1A、5V・Id印加時
    535.72 税込¥589.29
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):78A(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.2ミリオーム @ 30A、5V・Id
    1,324.36 税込¥1,456.79
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):78A(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.2ミリオーム @ 30A、5V・I
    448.57 税込¥493.42
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):80ミリオーム @ 1A、5V・Id印加
    320.00 税込¥352.00
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):10A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):20ミリオーム @ 6A、5V・Id印加時のVgs
    544.29 税込¥598.71
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):78A(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.2ミリオーム @ 30A、5V・I
    1,324.36 税込¥1,456.79
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    最小500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):90A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.5ミリオーム @ 37A、5V・Id
    675.84 税込¥743.42
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):11ミリオーム @ 11A、5V・Id印加
    554.29 税込¥609.71
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):60A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.2ミリオーム @ 25A、5V・Id印加時のVgs(th)(
    1,072.61 税込¥1,179.87
  • メーカー名:
    EPC
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):90A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.2ミリオーム @ 29A、5V・Id印
    1,109.59 税込¥1,220.54
  • メーカー名:
    EPC
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgs(最大):
    1,754.77 税込¥1,930.24
  • メーカー名:
    EPC
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):102A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.1ミリオーム @ 32A、5V・I
    1,545.13 税込¥1,699.64
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):25ミリオーム @ 3A、5V・Id印
    405.72 税込¥446.29
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):90A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.5ミリオーム @ 37A、5V・Id印
    1,676.20 税込¥1,843.82
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):90A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.5ミリオーム @ 37A、5V・Id
    1,676.20 税込¥1,843.82
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):48A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.8ミリオーム @ 25A、5V・Id印加時の
    1,045.21 税込¥1,149.73
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):60A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.6ミリオーム @ 25A、5V・Id印
    913.89 税込¥1,005.27
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:eGaN®・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):300V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):404ミリオーム @ 4A、5V・Id印加時のVgs(th)(最大):2.8V @
    62,525.54 税込¥68,778.09
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):11ミリオーム @ 11A、5V・Id印
    554.29 税込¥609.71
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):65ミリオーム @ 1A、5V・Id
    88.39 税込¥97.22
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):78A(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.2ミリオーム @ 30A、5V・I
    448.57 税込¥493.42
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):160 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):48A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8ミリオーム @ 20A、5V・Id印加
    2,255.30 税込¥2,480.83
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):101A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.8ミリオーム @ 50A、5V・
    585.33 税込¥643.86
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7ミリオーム @ 16A、5V・Id印加
    994.53 税込¥1,093.98
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:e-GaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):580ミリオーム @ 1A、5V・Id印加時のVgs(t
    30,987.50 税込¥34,086.25
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):64A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.2ミリオーム @ 30A、5V・Id
    1,372.84 税込¥1,510.12
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):43ミリオーム @ 1A、5V・Id印加
    121.22 税込¥133.34
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.3ミリオーム @ 16A、5V・Id
    954.17 税込¥1,049.58
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):101A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.8ミリオーム @ 50A、5V・I
    1,465.86 税込¥1,612.44
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):69A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.55ミリオーム @ 37A、5V・Id
    1,193.16 税込¥1,312.47
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):6ミリオーム @ 16A、5V・Id印加
    768.06 税込¥844.86
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):6ミリオーム @ 16A、5V・Id印加時
    768.06 税込¥844.86
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):78A(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.2ミリオーム @ 30A、5V・Id
    1,324.36 税込¥1,456.79
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):101A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.8ミリオーム @ 50A、5V・I
    1,465.86 税込¥1,612.44
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgs(最大):-・Vds印加
    45,292.56 税込¥49,821.81
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・構成:3Nチャンネル(ハーフブリッジ + 同期式ブートストラップ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V、100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.7A、500mA・Id、Vgs印加時のRds On(最大):190ミリオーム @
    548.58 税込¥603.43
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):48A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):6ミリオーム @ 15A、 5V・Id
    1,072.61 税込¥1,179.87
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・タイプ:レーザダイオードドライバ・データレート:-・チャンネル数:1・電圧 - 供給:10V~30V・電流 - 供給:50 mA・電流 - 変調:-・電流 - バイアス:-・動作温度:-40°C~150°C(TJ)・グレード:-・認定:-・パッケージ/ケース:ダイ・サプライヤデバイスパッケージ:ダイ・取り付け
    891.67 税込¥980.83
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):15 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):26ミリオーム @ 1.5A、5V・I
    435.72 税込¥479.29
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):101A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1mOhm @ 50A, 5V・Id印
    1,557.32 税込¥1,713.05
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):101A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1mOhm @ 50A, 5V・Id
    1,557.32 税込¥1,713.05
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):101A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1mOhm @ 50A, 5V・Id
    594.10 税込¥653.51
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):78A(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.2ミリオーム @ 30A、5V・I
    1,324.36 税込¥1,456.79
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    EPC
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    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:-・機能:-・出力構成:-・トポロジ:-・出力タイプ:-・出力数:-・電圧 - 入力(最小):-・電圧 - 入力(最大):-・電圧 - 出力(最小/固定):-・電圧 - 出力(最大):-・電流 - 出力:-・周波数 - スイッチング:-・同期整流器:-・動作温度:-・グレード:-・認定:-・取り付けタイプ:-・パッケージ/ケース:-
    51,461.71 税込¥56,607.88
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・出力構成:-・用途:-・インターフェース:-・負荷タイプ:-・技術:-・Rds On(標準):-・電流 - 出力/チャンネル:-・電流 - ピーク出力:-・電圧 - 供給:-・電圧 - 負荷:-・動作温度:-・グレード:-・認定:-・特長:-・フォールト保護:-・取り付けタイプ:-・パッケージ/ケース:-・サプ
    1,437.04 税込¥1,580.74
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):102A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.1ミリオーム @ 32A、5V・
    1,545.13 税込¥1,699.64
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):48A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):10ミリオーム @ 16A、5V・Id印
    1,045.21 税込¥1,149.73
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):48A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):10ミリオーム @ 16A、5V・Id
    1,045.21 税込¥1,149.73
  • メーカー名:
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):48A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):6ミリオーム @ 15A、 5V・Id印
    1,072.61 税込¥1,179.87
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:ePower™・出力構成:ハーフブリッジ・用途:DCモータ、DC-DCコンバータ・インターフェース:PWM・負荷タイプ:誘導性、容量性・技術:-・Rds On(標準):10ミリオームLS + HS・電流 - 出力/チャンネル:15A・電流 - ピーク出力:-・電圧 - 供給:11V~13V・電圧 - 負荷:0V~6
    1,964.71 税込¥2,161.18
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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DigiReelの説明
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