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検索結果 628件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 628
  • メーカー名:
    EPC
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):43ミリオーム @ 1A、5V・Id印加時
    535.72 税込¥589.29
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):78A(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.2ミリオーム @ 30A、5V・Id
    1,324.36 税込¥1,456.79
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):78A(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.2ミリオーム @ 30A、5V・I
    448.57 税込¥493.42
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):78A(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.2ミリオーム @ 30A、5V・I
    1,324.36 税込¥1,456.79
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):80ミリオーム @ 1A、5V・Id印加
    320.00 税込¥352.00
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):10A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):20ミリオーム @ 6A、5V・Id印加時のVgs
    544.29 税込¥598.71
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    最小500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):90A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.5ミリオーム @ 37A、5V・Id
    675.84 税込¥743.42
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):11ミリオーム @ 11A、5V・Id印加
    554.29 税込¥609.71
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):60A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.2ミリオーム @ 25A、5V・Id印加時のVgs(th)(
    1,072.61 税込¥1,179.87
  • メーカー名:
    EPC
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):90A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.2ミリオーム @ 29A、5V・Id印
    1,109.59 税込¥1,220.54
  • メーカー名:
    EPC
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):25ミリオーム @ 3A、5V・Id印
    405.72 税込¥446.29
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):90A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.5ミリオーム @ 37A、5V・Id印
    1,676.20 税込¥1,843.82
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):90A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.5ミリオーム @ 37A、5V・Id
    1,676.20 税込¥1,843.82
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):102A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.1ミリオーム @ 32A、5V・I
    1,545.13 税込¥1,699.64
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):48A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.8ミリオーム @ 25A、5V・Id印加時の
    1,045.21 税込¥1,149.73
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgs(最大):
    1,754.77 税込¥1,930.24
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):60A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.6ミリオーム @ 25A、5V・Id印
    913.89 税込¥1,005.27
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):11ミリオーム @ 11A、5V・Id印
    554.29 税込¥609.71
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):65ミリオーム @ 1A、5V・Id
    88.39 税込¥97.22
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:eGaN®・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):300V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):404ミリオーム @ 4A、5V・Id印加時のVgs(th)(最大):2.8V @
    62,525.54 税込¥68,778.09
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):160 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):48A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8ミリオーム @ 20A、5V・Id印加
    2,255.30 税込¥2,480.83
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):78A(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.2ミリオーム @ 30A、5V・I
    448.57 税込¥493.42
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):101A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.8ミリオーム @ 50A、5V・
    585.33 税込¥643.86
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7ミリオーム @ 16A、5V・Id印加
    994.53 税込¥1,093.98
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):64A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.2ミリオーム @ 30A、5V・Id
    1,372.84 税込¥1,510.12
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:e-GaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):580ミリオーム @ 1A、5V・Id印加時のVgs(t
    30,987.50 税込¥34,086.25
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):43ミリオーム @ 1A、5V・Id印加
    121.22 税込¥133.34
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.3ミリオーム @ 16A、5V・Id
    954.17 税込¥1,049.58
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:eGaN®・タイプ:電源管理・機能:ハーフHブリッジドライバ(外部FET)・組み込み製品:なし・使用IC/部品:EPC2010C・主要属性:-・副次属性:-・内訳:ボード
    32,140.91 税込¥35,355.00
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:eGaN®・タイプ:電源管理・機能:ワイヤレス電源/充電・組み込み製品:なし・使用IC/部品:EPC2007C、EPC2038・主要属性:-・副次属性:6.78MHz・内訳:ボード
    145,251.07 税込¥159,776.17
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    最小40個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:eGaN®・タイプ:電源管理・機能:ワイヤレス電源/充電・組み込み製品:なし・使用IC/部品:EPC2007、EPC8009・主要属性:トランスミッタ・副次属性:GaNFETドライバ回路は7V~12Vを使用・内訳:ボード
    61,346.39 税込¥67,481.02
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:eGaN®・タイプ:電源管理・機能:ハーフHブリッジドライバ(外部FET)・組み込み製品:なし・使用IC/部品:EPC2029・主要属性:最大出力80V、22AのGaNFET能力・副次属性:GaNFETドライバ回路は7V~12Vを使用・内訳:ボード
    20,868.97 税込¥22,955.86
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:eGaN®・タイプ:電源管理・機能:Hブリッジドライバ(外部FET)・組み込み製品:-・使用IC/部品:EPC8004・主要属性:-・副次属性:-・内訳:ボード
    27,262.50 税込¥29,988.75
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:eGaN®・タイプ:電源管理・機能:*・組み込み製品:-・使用IC/部品:EPC2023・主要属性:-・副次属性:-・内訳:ボード
    15,932.19 税込¥17,525.40
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:eGaN®・タイプ:電源管理・機能:ハーフHブリッジドライバ(外部FET)・組み込み製品:なし・使用IC/部品:EPC2001C・主要属性:最大出力100V、35AのGaNFET能力・副次属性:GaNFETドライバ回路は7V~12Vを使用・内訳:ボード
    24,847.73 税込¥27,332.50
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:eGaN®・タイプ:電源管理・機能:Hブリッジドライバ(外部FET)・組み込み製品:-・使用IC/部品:EPC8009・主要属性:-・副次属性:-・内訳:ボード
    32,424.74 税込¥35,667.21
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:eGaN®・タイプ:電源管理・機能:-・組み込み製品:なし・使用IC/部品:EPC21701・主要属性:-・副次属性:-・内訳:ボード
    68,728.73 税込¥75,601.60
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:eGaN®・タイプ:電源管理・機能:ハーフHブリッジドライバ(外部FET)・組み込み製品:なし・使用IC/部品:EPC2036・主要属性:最大出力1000V、2.5AのGaNFET能力・副次属性:GaNFETドライバ回路は7V~12Vを使用・内訳:ボード
    33,820.46 税込¥37,202.50
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:eGaN®・タイプ:電源管理・機能:-・組み込み製品:-・使用IC/部品:EPC2054・主要属性:-・副次属性:-・内訳:ボード
    21,700.00 税込¥23,870.00
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:eGaN®・タイプ:電源管理・機能:ハーフHブリッジドライバ(外部FET)・組み込み製品:なし・使用IC/部品:EPC2108・主要属性:最大出力60V、1.5AのGaNFET能力・副次属性:GaNFETドライバ回路は7.5V~12Vを使用・内訳:ボード
    32,424.74 税込¥35,667.21
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:eGaN®・タイプ:電源管理・機能:ハーフHブリッジドライバ(外部FET)・組み込み製品:なし・使用IC/部品:EPC8002・主要属性:-・副次属性:-・内訳:ボード
    32,807.53 税込¥36,088.28
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    最小40個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:eGaN®・タイプ:電源管理・機能:レーザドライバ・組み込み製品:なし・使用IC/部品:EPC2001C・主要属性:-・副次属性:オンボードLED、テストポイント・内訳:ボード
    68,162.66 税込¥74,978.92
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):101A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.8ミリオーム @ 50A、5V・I
    1,465.86 税込¥1,612.44
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    最小50個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:eGaN®・タイプ:電源管理・機能:ハーフHブリッジドライバ(外部FET)・組み込み製品:なし・使用IC/部品:EPC2001・主要属性:最大出力100V、10AのGaNFET能力・副次属性:GaNFETドライバ回路は4.5V~5Vを使用・内訳:ボード
    5,704.58 税込¥6,275.03
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):69A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.55ミリオーム @ 37A、5V・Id
    1,193.16 税込¥1,312.47
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:eGaN®・タイプ:電源管理・機能:レーザダイオードドライバ・組み込み製品:-・使用IC/部品:EPC2203・主要属性:-・副次属性:-・内訳:ボード
    68,728.73 税込¥75,601.60
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:eGaN®・タイプ:電源管理・機能:ハーフHブリッジドライバ(外部FET)・組み込み製品:-・使用IC/部品:EPC2045・主要属性:-・副次属性:GaNFETドライバ回路は4.5V~5.5Vを使用・内訳:ボード
    42,602.13 税込¥46,862.34
  • メーカー名:
    EPC
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    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:-・タイプ:-・機能:-・組み込み製品:-・使用IC/部品:-・主要属性:-・副次属性:-・内訳:ボード
    73,503.20 税込¥80,853.52
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):6ミリオーム @ 16A、5V・Id印加
    768.06 税込¥844.86
  • メーカー名:
    EPC
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):6ミリオーム @ 16A、5V・Id印加時
    768.06 税込¥844.86
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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DigiReelの説明
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