配送状況を確認
  • マイページ
  • カート 0
    0 点 0円
    カートを見る
  • お問合せ
BOMアップロード

ディスクリート半導体製品（DigiKey） 　[ メーカー:Transphorm ]の検索結果

検索結果 102件中1～50件目
並び替え：
表示を変更：
並び替え：
検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 102件
  • 1

    【TP65H050G4WS】650 V 34 A GAN FET

    【TP65H050G4WS】650 V 34 A GAN FET
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：34A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 22A、10V・Id印
    ￥2,003.53 税込￥2,203.88
  • 2

    【TP65H070G4PS】GANFET N-CH 650V 29A TO220

    【TP65H070G4PS】GANFET N-CH 650V 29A TO220
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 18A、10V・Id印
    ￥1,784.53 税込￥1,962.98
  • 3

    【TP65H030G4PWS】650V 30M SUPERGAN FET IN TO-247-

    【TP65H030G4PWS】650V 30M SUPERGAN FET IN TO-247-
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：-・Vds印
    ￥1,822.36 税込￥2,004.59
  • 4

    【TP65H030G4PRS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLT PA [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H030G4PRS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLT PA [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：
    ￥1,787.06 税込￥1,965.76
  • 5

    【TP65H030G4PRS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLT PA

    【TP65H030G4PRS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLT PA
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）
    ￥1,787.06 税込￥1,965.76
  • 6

    【TP65H030G4PRS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLT PA

    【TP65H030G4PRS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLT PA
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小1,300個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）
    ￥742.03 税込￥816.23
  • 7

    【TP65H030G4PQS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLL PA [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H030G4PQS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLL PA [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：
    ￥1,774.12 税込￥1,951.53
  • 8

    【TP65H030G4PQS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLL PA

    【TP65H030G4PQS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLL PA
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）
    ￥1,774.12 税込￥1,951.53
  • 9

    【TP65H030G4PQS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLL PA

    【TP65H030G4PQS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLL PA
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小400個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）
    ￥735.95 税込￥809.54
  • 10

    【TP65H150G4PS】GAN FET N-CH 650V TO-220

    【TP65H150G4PS】GAN FET N-CH 650V TO-220
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 8.5A、10V・I
    ￥1,298.67 税込￥1,428.53
  • 11

    【TP65H100G4PS】Hi Volt FETs

    【TP65H100G4PS】Hi Volt FETs
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：110ミリオーム @ 12A、10V・
    ￥1,479.02 税込￥1,626.92
  • 12

    【TP65H100G4LSGB-TR】Hi Volt FETs [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H100G4LSGB-TR】Hi Volt FETs [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：110ミリオーム @ 12
    ￥1,347.44 税込￥1,482.18
  • 13

    【TP65H100G4LSGB-TR】Hi Volt FETs

    【TP65H100G4LSGB-TR】Hi Volt FETs
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：110ミリオーム @ 1
    ￥1,347.44 税込￥1,482.18
  • 14

    【TP65H100G4LSGB-TR】Hi Volt FETs

    【TP65H100G4LSGB-TR】Hi Volt FETs
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：110ミリオーム @ 1
    ￥466.31 税込￥512.94
  • 15

    【TP65H070G4RS-TR】650 V 29 A GAN FET [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H070G4RS-TR】650 V 29 A GAN FET [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 18A、1
    ￥1,720.24 税込￥1,892.26
  • 16

    【TP65H070G4RS-TR】650 V 29 A GAN FET

    【TP65H070G4RS-TR】650 V 29 A GAN FET
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 18A、
    ￥1,720.24 税込￥1,892.26
  • 17

    【TP65H070G4RS-TR】650 V 29 A GAN FET

    【TP65H070G4RS-TR】650 V 29 A GAN FET
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 18A、
    ￥746.09 税込￥820.69
  • 18

    【TP65H070G4QS-TR】650 V 29 A GAN FET [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H070G4QS-TR】650 V 29 A GAN FET [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、10V・Id印加時
    ￥1,777.39 税込￥1,955.12
  • 19

    【TP65H050G4QS-TR】650 V 34 A GAN FET

    【TP65H050G4QS-TR】650 V 34 A GAN FET
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：34A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 22A、10V・Id印加
    ￥938.69 税込￥1,032.55
  • 20

    【TP65H070G4QS-TR】650 V 29 A GAN FET

    【TP65H070G4QS-TR】650 V 29 A GAN FET
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、10V・Id印加
    ￥1,777.39 税込￥1,955.12
  • 21

    【TP65H070G4QS-TR】650 V 29 A GAN FET

    【TP65H070G4QS-TR】650 V 29 A GAN FET
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、10V・Id印加
    ￥725.81 税込￥798.39
  • 22

    【TP65H050G4QS-TR】650 V 34 A GAN FET [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H050G4QS-TR】650 V 34 A GAN FET [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：34A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 22A、10V・Id印加時
    ￥2,137.65 税込￥2,351.41
  • 23

    【TP65H050G4QS-TR】650 V 34 A GAN FET

    【TP65H050G4QS-TR】650 V 34 A GAN FET
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：34A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 22A、10V・Id印加
    ￥2,137.65 税込￥2,351.41
  • 24

    【TP65H035G4QS】650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG

    【TP65H035G4QS】650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：46.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：41ミリオーム @ 30
    ￥1,682.74 税込￥1,851.01
  • 25

    【TP65H050G4YS】650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE

    【TP65H050G4YS】650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：35A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 22A、10V・Id印
    ￥2,031.77 税込￥2,234.94
  • 26

    【TP65H035G4QS】650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H035G4QS】650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：46.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：41ミリオーム @ 30A
    ￥3,356.48 税込￥3,692.12
  • 27

    【TP65H035G4QS】650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG

    【TP65H035G4QS】650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：46.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：41ミリオーム @ 30
    ￥3,356.48 税込￥3,692.12
  • 28

    【TP65H300G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H300G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 6.5A
    ￥884.73 税込￥973.20
  • 29

    【TP65H300G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8

    【TP65H300G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 6.5
    ￥884.73 税込￥973.20
  • 30

    【TP65H300G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8

    【TP65H300G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 6.5
    ￥233.41 税込￥256.75
  • 31

    【TP65H480G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H480G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：560ミリオーム @ 3A、6
    ￥727.78 税込￥800.55
  • 32

    【TP65H480G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6

    【TP65H480G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：560ミリオーム @ 3A、
    ￥727.78 税込￥800.55
  • 33

    【TP65H480G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6

    【TP65H480G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小4,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：560ミリオーム @ 3A、
    ￥198.69 税込￥218.55
  • 34

    【TP65H300G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H300G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9.2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 6.5A
    ￥912.50 税込￥1,003.75
  • 35

    【TP65H300G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6

    【TP65H300G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9.2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 6.5
    ￥912.50 税込￥1,003.75
  • 36

    【TP65H300G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6

    【TP65H300G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小4,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9.2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 6.5
    ￥244.93 税込￥269.42
  • 37

    【TP65H070G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H070G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、1
    ￥1,910.59 税込￥2,101.64
  • 38

    【TP65H070G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8

    【TP65H070G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、
    ￥1,910.59 税込￥2,101.64
  • 39

    【TP65H070G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8

    【TP65H070G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、
    ￥810.96 税込￥892.05
  • 40

    【TP65H480G4JSG】MOSFET 650V, 480mOhm

    【TP65H480G4JSG】MOSFET 650V, 480mOhm
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小4,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：560ミリオーム @ 3.4A、8V・Id印
    ￥225.05 税込￥247.55
  • 41

    【TP65H150G4LSG】GAN FET N-CH 650V PQFN [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H150G4LSG】GAN FET N-CH 650V PQFN [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：13A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 8.5A、10V・Id印
    ￥1,056.17 税込￥1,161.78
  • 42

    【TP65H150G4LSG】GAN FET N-CH 650V PQFN

    【TP65H150G4LSG】GAN FET N-CH 650V PQFN
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：13A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 8.5A、10V・Id
    ￥1,056.17 税込￥1,161.78
  • 43

    【TP65H070G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H070G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、1
    ￥2,088.24 税込￥2,297.06
  • 44

    【TP65H070G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8

    【TP65H070G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、
    ￥2,088.24 税込￥2,297.06
  • 45

    【TP65H070G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8

    【TP65H070G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、
    ￥910.30 税込￥1,001.33
  • 46

    【TP65H150BG4JSG-TR】GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H150BG4JSG-TR】GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 10A、6
    ￥1,052.06 税込￥1,157.26
  • 47

    【TP65H150BG4JSG-TR】GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6

    【TP65H150BG4JSG-TR】GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 10A、
    ￥1,052.06 税込￥1,157.26
  • 48

    【TP65H150BG4JSG-TR】GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6

    【TP65H150BG4JSG-TR】GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小4,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 10A、
    ￥300.06 税込￥330.06
  • 49

    【TP65H300G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN

    【TP65H300G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 5A、8V・Id印加時
    ￥268.40 税込￥295.24
  • 50

    【TP65H300G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H300G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 5A、8V・Id印加時の
    ￥978.09 税込￥1,075.89
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
DigiReelの説明

ご利用ガイド

はじめてのお客様へ
電子部品のことはなんでもお任せください。
BOM機能の提供など技術者の皆様を強力にサポートします。
法人/官公庁の皆様へ
法人・学校法人・官公庁の方は、
請求書（後払い）取引をご利用いただけます。
お支払い方法について
クレジットカード、商品代引き、
銀行振り込みなど各種の支払い方法をご用意。
お届けについて
送料は全国一律、宅急便：550円（税込）、
ネコポス便385円（税込）。※3,300円(税込)
以上お買上げの場合は送料無料。
Page Top