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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 147件
  • 1

    【TP65H070G4PS】GANFET N-CH 650V 29A TO220

    【TP65H070G4PS】GANFET N-CH 650V 29A TO220
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 18A、10V・Id印
    ￥1,754.77 税込￥1,930.24
  • 2

    【TP65H050G4WS】GAN TRANSISTOR 650V 34A TO-247-3

    【TP65H050G4WS】GAN TRANSISTOR 650V 34A TO-247-3
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    GAN TRANSISTOR 650V 34A TO-247-3;
    ￥4,640.00 税込￥5,104.00
  • 3

    【TP65H050G4WS】650 V 34 A GAN FET

    【TP65H050G4WS】650 V 34 A GAN FET
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：34A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 22A、10V・Id印
    ￥2,816.48 税込￥3,098.12
  • 4

    【TP65H050G4QS-TR】GAN TRANSISTOR 650V 34A TOLL-8

    【TP65H050G4QS-TR】GAN TRANSISTOR 650V 34A TOLL-8
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    GAN TRANSISTOR 650V 34A TOLL-8;
    ￥2,932.00 税込￥3,225.00
  • 5

    【TDINV3000W050B-KIT】EVAL BOARD FOR TP65H050G4WS

    【TDINV3000W050B-KIT】EVAL BOARD FOR TP65H050G4WS
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・主目的：DC/ACインバータ・出力とタイプ：1非絶縁出力・電源 - 出力：3kW・電圧 - 出力：-・電流 - 出力：-・電圧 - 入力：400V・レギュレータトポロジ：フルブリッジ・周波数 - スイッチング：50kHz・内訳：ボード・使用IC/部品：TP65H050G4WS
    ￥130,142.56 税込￥143,156.81
  • 6

    【TPH3206PS】GANFET N-CH 600V 17A TO220AB

    【TPH3206PS】GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 11A、8V・Id印加時のVgs（t
    ￥1,864.71 税込￥2,051.18
  • 7

    【TP65H150G4PS】GAN FET N-CH 650V TO-220

    【TP65H150G4PS】GAN FET N-CH 650V TO-220
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 8.5A、10V・I
    ￥1,465.86 税込￥1,612.44
  • 8

    【TP65H015G5WS】650 V 95 A GAN FET

    【TP65H015G5WS】650 V 95 A GAN FET
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperGaN™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：93A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18ミリオーム @ 60A、10V・Id印
    ￥5,557.48 税込￥6,113.22
  • 9

    【TP65H030G4PWS】650V 30M SUPERGAN FET IN TO-247-

    【TP65H030G4PWS】650V 30M SUPERGAN FET IN TO-247-
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：-・Vds印
    ￥1,791.77 税込￥1,970.94
  • 10

    【TP65H030G4PRS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLT PA [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H030G4PRS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLT PA [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：
    ￥1,777.39 税込￥1,955.12
  • 11

    【TP65H030G4PRS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLT PA

    【TP65H030G4PRS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLT PA
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）
    ￥1,777.39 税込￥1,955.12
  • 12

    【TP65H030G4PRS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLT PA

    【TP65H030G4PRS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLT PA
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小1,300個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）
    ￥729.66 税込￥802.62
  • 13

    【TP65H030G4PQS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLL PA [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H030G4PQS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLL PA [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：
    ￥1,765.48 税込￥1,942.02
  • 14

    【TP65H030G4PQS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLL PA

    【TP65H030G4PQS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLL PA
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）
    ￥1,765.48 税込￥1,942.02
  • 15

    【TP65H030G4PQS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLL PA

    【TP65H030G4PQS-TR】650V 30M SUPERGAN FET IN TOLL PA
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小400個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）
    ￥723.68 税込￥796.04
  • 16

    【TP65H100G4PS】Hi Volt FETs

    【TP65H100G4PS】Hi Volt FETs
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：110ミリオーム @ 12A、10V・
    ￥1,454.33 税込￥1,599.76
  • 17

    【TP65H100G4LSGB-TR】Hi Volt FETs [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H100G4LSGB-TR】Hi Volt FETs [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：110ミリオーム @ 12
    ￥1,347.44 税込￥1,482.18
  • 18

    【TP65H100G4LSGB-TR】Hi Volt FETs

    【TP65H100G4LSGB-TR】Hi Volt FETs
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：110ミリオーム @ 1
    ￥1,347.44 税込￥1,482.18
  • 19

    【TP65H100G4LSGB-TR】Hi Volt FETs

    【TP65H100G4LSGB-TR】Hi Volt FETs
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：110ミリオーム @ 1
    ￥458.53 税込￥504.38
  • 20

    【TP65H070G4RS-TR】650 V 29 A GAN FET [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H070G4RS-TR】650 V 29 A GAN FET [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 18A、1
    ￥1,784.53 税込￥1,962.98
  • 21

    【TP65H070G4RS-TR】650 V 29 A GAN FET

    【TP65H070G4RS-TR】650 V 29 A GAN FET
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 18A、
    ￥1,784.53 税込￥1,962.98
  • 22

    【TP65H070G4RS-TR】650 V 29 A GAN FET

    【TP65H070G4RS-TR】650 V 29 A GAN FET
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 18A、
    ￥733.65 税込￥807.01
  • 23

    【TP65H070G4QS-TR】650 V 29 A GAN FET [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H070G4QS-TR】650 V 29 A GAN FET [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、10V・Id印加時
    ￥1,747.62 税込￥1,922.38
  • 24

    【TP65H050G4QS-TR】650 V 34 A GAN FET

    【TP65H050G4QS-TR】650 V 34 A GAN FET
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：34A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 22A、10V・Id印加
    ￥923.04 税込￥1,015.34
  • 25

    【TP65H070G4QS-TR】650 V 29 A GAN FET

    【TP65H070G4QS-TR】650 V 29 A GAN FET
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、10V・Id印加
    ￥1,747.62 税込￥1,922.38
  • 26

    【TP65H070G4QS-TR】650 V 29 A GAN FET

    【TP65H070G4QS-TR】650 V 29 A GAN FET
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、10V・Id印加
    ￥713.72 税込￥785.09
  • 27

    【TP65H050G4QS-TR】650 V 34 A GAN FET [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H050G4QS-TR】650 V 34 A GAN FET [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：34A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 22A、10V・Id印加時
    ￥2,102.36 税込￥2,312.59
  • 28

    【TP65H050G4QS-TR】650 V 34 A GAN FET

    【TP65H050G4QS-TR】650 V 34 A GAN FET
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：34A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 22A、10V・Id印加
    ￥2,102.36 税込￥2,312.59
  • 29

    【TP65H035G4QS】650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG

    【TP65H035G4QS】650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：46.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：41ミリオーム @ 30
    ￥1,654.70 税込￥1,820.17
  • 30

    【TP65H050G4YS】650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE

    【TP65H050G4YS】650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：35A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 22A、10V・Id印
    ￥2,816.48 税込￥3,098.12
  • 31

    【TP65H035G4QS】650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H035G4QS】650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：46.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：41ミリオーム @ 30A
    ￥3,300.00 税込￥3,630.00
  • 32

    【TP65H035G4QS】650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG

    【TP65H035G4QS】650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
    メーカー名：
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：46.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：41ミリオーム @ 30
    ￥3,300.00 税込￥3,630.00
  • 33

    【TP65H300G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H300G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 6.5A
    ￥870.84 税込￥957.92
  • 34

    【TP65H300G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8

    【TP65H300G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
    メーカー名：
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 6.5
    ￥870.84 税込￥957.92
  • 35

    【TP65H300G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8

    【TP65H300G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
    メーカー名：
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 6.5
    ￥229.52 税込￥252.47
  • 36

    【TP65H480G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H480G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：560ミリオーム @ 3A、6
    ￥772.23 税込￥849.45
  • 37

    【TP65H480G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6

    【TP65H480G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
    メーカー名：
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：560ミリオーム @ 3A、
    ￥772.23 税込￥849.45
  • 38

    【TP65H480G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6

    【TP65H480G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小4,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：560ミリオーム @ 3A、
    ￥195.38 税込￥214.91
  • 39

    【TP65H300G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6 [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H300G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6 [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9.2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 6.5A
    ￥897.23 税込￥986.95
  • 40

    【TP65H300G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6

    【TP65H300G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
    メーカー名：
    Transphorm
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9.2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 6.5
    ￥897.23 税込￥986.95
  • 41

    【TP65H300G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6

    【TP65H300G4JSGB-TR】GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小4,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9.2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：312ミリオーム @ 6.5
    ￥240.85 税込￥264.93
  • 42

    【TP65H070G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H070G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、1
    ￥1,878.83 税込￥2,066.71
  • 43

    【TP65H070G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8

    【TP65H070G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、
    ￥1,878.83 税込￥2,066.71
  • 44

    【TP65H070G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8

    【TP65H070G4LSG-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、
    ￥797.45 税込￥877.19
  • 45

    【TP65H480G4JSG】MOSFET 650V, 480mOhm

    【TP65H480G4JSG】MOSFET 650V, 480mOhm
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小4,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：560ミリオーム @ 3.4A、8V・Id印
    ￥221.29 税込￥243.41
  • 46

    【TP65H150G4LSG】GAN FET N-CH 650V PQFN [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H150G4LSG】GAN FET N-CH 650V PQFN [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
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    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：13A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 8.5A、10V・Id印
    ￥1,039.73 税込￥1,143.70
  • 47

    【TP65H150G4LSG】GAN FET N-CH 650V PQFN

    【TP65H150G4LSG】GAN FET N-CH 650V PQFN
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：13A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 8.5A、10V・Id
    ￥1,039.73 税込￥1,143.70
  • 48

    【TP65H070G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 [digi-reel品] DigiReel商品

    【TP65H070G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 [digi-reel品]
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、1
    ￥2,052.95 税込￥2,258.24
  • 49

    【TP65H070G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8

    【TP65H070G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、
    ￥2,052.95 税込￥2,258.24
  • 50

    【TP65H070G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8

    【TP65H070G4LSGB-TR】GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
    メーカー名：
    Transphorm
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 16A、
    ￥895.13 税込￥984.64
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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