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すべてのジャンル  [ メーカー:Transphorm ]の検索結果

検索結果 142件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 142
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    GAN TRANSISTOR 650V 34A TO-247-3;
    4,044.00 税込¥4,448.00
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    GAN TRANSISTOR 650V 34A TOLL-8;
    2,910.00 税込¥3,201.00
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):34A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):60ミリオーム @ 22A、10V・Id印
    2,865.89 税込¥3,152.47
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:-・主目的:DC/ACインバータ・出力とタイプ:1非絶縁出力・電源 - 出力:3kW・電圧 - 出力:-・電流 - 出力:-・電圧 - 入力:400V・レギュレータトポロジ:フルブリッジ・周波数 - スイッチング:50kHz・内訳:ボード・使用IC/部品:TP65H050G4WS
    132,429.79 税込¥145,672.76
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 18A、10V・Id印
    1,764.71 税込¥1,941.18
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 8.5A、10V・I
    1,491.47 税込¥1,640.61
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgs(最大):-・Vds印
    1,823.53 税込¥2,005.88
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgs(最大):
    1,787.06 税込¥1,965.76
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgs(最大)
    1,787.06 税込¥1,965.76
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    最小1,300個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgs(最大)
    742.49 税込¥816.73
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgs(最大):
    1,775.30 税込¥1,952.83
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgs(最大)
    1,775.30 税込¥1,952.83
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    最小400個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgs(最大)
    736.40 税込¥810.04
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):18.9A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):110ミリオーム @ 12A、10V・
    1,480.25 税込¥1,628.27
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 18A、1
    1,795.30 税込¥1,974.83
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 18A、
    1,795.30 税込¥1,974.83
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 18A、
    746.55 税込¥821.20
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、10V・Id印加時
    1,778.58 税込¥1,956.43
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):34A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):60ミリオーム @ 22A、10V・Id印加
    939.27 税込¥1,033.19
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、10V・Id印加
    1,778.58 税込¥1,956.43
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、10V・Id印加
    726.26 税込¥798.88
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):34A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):60ミリオーム @ 22A、10V・Id印加時
    2,138.83 税込¥2,352.71
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):34A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):60ミリオーム @ 22A、10V・Id印加
    2,138.83 税込¥2,352.71
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):46.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):41ミリオーム @ 30
    1,683.78 税込¥1,852.15
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):35A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):60ミリオーム @ 22A、10V・Id印
    2,865.89 税込¥3,152.47
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):46.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):41ミリオーム @ 30A
    3,357.65 税込¥3,693.41
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):46.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):41ミリオーム @ 30
    3,357.65 税込¥3,693.41
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):312ミリオーム @ 6.5A
    886.12 税込¥974.73
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):312ミリオーム @ 6.5
    886.12 税込¥974.73
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):312ミリオーム @ 6.5
    233.55 税込¥256.90
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):560ミリオーム @ 3A、6
    786.12 税込¥864.73
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):560ミリオーム @ 3A、
    786.12 税込¥864.73
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    最小4,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):560ミリオーム @ 3A、
    198.81 税込¥218.69
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9.2A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):312ミリオーム @ 6.5A
    913.89 税込¥1,005.27
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9.2A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):312ミリオーム @ 6.5
    913.89 税込¥1,005.27
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    最小4,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9.2A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):312ミリオーム @ 6.5
    245.08 税込¥269.58
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、1
    1,911.77 税込¥2,102.94
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、
    1,911.77 税込¥2,102.94
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、
    811.47 税込¥892.61
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    最小4,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):8V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):560ミリオーム @ 3.4A、8V・Id印
    225.19 税込¥247.70
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):13A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 8.5A、10V・Id印
    1,057.54 税込¥1,163.29
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):13A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 8.5A、10V・Id
    1,057.54 税込¥1,163.29
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、1
    2,089.42 税込¥2,298.36
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、
    2,089.42 税込¥2,298.36
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 16A、
    910.87 税込¥1,001.95
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 10A、6
    1,053.43 税込¥1,158.77
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 10A、
    1,053.43 税込¥1,158.77
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    最小4,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:SuperGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 10A、
    300.25 税込¥330.27
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):8V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):312ミリオーム @ 5A、8V・Id印加時
    268.56 税込¥295.41
  • メーカー名:
    Transphorm
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):8V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):312ミリオーム @ 5A、8V・Id印加時の
    978.09 税込¥1,075.89
  • マルツの新提案 プロトファクトリー
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