MOSFET 　[8デュアルN＆Pチャンネル8 ]の検索結果

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【SI4564DY-T1-GE3】N Pチャンネル MOSFET40 V 7.2 A 8 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

半導体 > MOSFET > MOSFET

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10個以上: ￥241.50(税抜) 税込￥265.50

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メーカー名：: VISHAY

型番：: SI4564DY-T1-GE3

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品質ランク：: S2

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商品説明

●仕様チャンネルタイプ = N, P最大連続ドレイン電流 = 7.2 A、8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ, 28 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 3.1 W、3.2 Wトランジ

【SI4532DY】onsemi N Pチャンネル MOSFET30 V 3.5 A 3.9 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

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10個以上: ￥226.00(税抜) 税込￥248.00

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メーカー名：: オンセミコンダクター

型番：: SI4532DY

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●仕様チャンネルタイプ = N, P最大連続ドレイン電流 = 3.5 A、3.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 95 m Ω 、 190 m Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成

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【SI4564DY-T1-GE3】N Pチャンネル MOSFET40 V 7.2 A 8 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

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VISHAY

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SI4564DY-T1-GE3

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●仕様チャンネルタイプ = N, P最大連続ドレイン電流 = 7.2 A、8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ, 28 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 3.1 W、3.2 Wトランジ

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【SI4532DY】onsemi N Pチャンネル MOSFET30 V 3.5 A 3.9 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

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オンセミコンダクター

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SI4532DY

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●仕様チャンネルタイプ = N, P最大連続ドレイン電流 = 3.5 A、3.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 95 m Ω 、 190 m Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成

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