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MOSFET

検索結果 2,060件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 2,060
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    SCT3080KLHRは1200V 31AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは?エレクトロニクス豆知識●特長・梱包形態:チューブ・Low on-resistan
    3,176.00 税込¥3,493.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    SCT3040KLは1200V 55AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは?エレクトロニクス豆知識●特長・梱包形態:チューブ・ 低オン抵抗・ 高速スイッチングスピード・ 高速リカバリー・ 並列使用が容易・ 駆動回路が簡
    5,902.00 税込¥6,492.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流50 A最大ドレイン-ソース間電圧200 VパッケージタイプTO-247AC実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗40 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧4V最低ゲートしきい値電圧2V最大パワー消費300 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V動
    1,254.00 税込¥1,379.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    72個
    商品説明
    ●仕様極性NチャネルVdss[V]9 VId[A]1.7ARon[Ohm]7.2ΩVth[V]5VQg[C]15nCパッケージTO-252
    220.00 税込¥242.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    最小20個から購入可能
    20個単位で購入可能
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流33 A最大ドレイン-ソース間電圧100 VパッケージタイプTO-220AB実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗44 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧4V最低ゲートしきい値電圧2V最大パワー消費130 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V動
    244.70 税込¥268.70
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    RQ6A050ZPは低オン抵抗でゲート保護ダイオード内蔵のスイッチング用MOSFETです。●特長・梱包形態:テーピング・低オン抵抗・ゲート保護ダイオード内蔵・小型面実装パッケージ(TSMT6)で省スペース・鉛フリー対応済み、RoHS準拠●仕様パッケージコードSOT-457TJEITAパッケージSC-95端子数6極性Pchドレイン-ソース間電圧 VDSS[V]-12ドレ
    64.00 税込¥70.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    小型面実装パッケージのパワーMOSFET、RQ5H020SPはDC/DCコンバータ用途に最適です。●特長? 低オン抵抗 ? ゲート保護ダイオード内蔵 ? 小型面実装パッケージ(TSMT3)で省スペース ? 鉛フリー対応済み、RoHS準拠●仕様パッケージコードSOT-346TJEITAパッケージSC-96端子数3極性Pchドレイン-ソース間電圧 VDSS[V]-45ドレ
    50.00 税込¥55.00
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    箱番号:
    2552-08
    箱番号の使い方
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    66個
    95.00 税込¥104.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    RSR025P03HZGはG-S保護ダイオード内蔵の車載グレードMOSFETです。●特長・梱包形態:テーピング・低オン抵抗・ゲート保護ダイオード内蔵・小型面実装パッケージ(TSMT3)で省スペース・鉛フリー対応済み、RoHS準拠・AEC-Q101準拠●仕様パッケージコードSOT-346TJEITAパッケージSC-96端子数3極性Pchドレイン-ソース間電圧 VDSS[
    112.00 税込¥123.00
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流10 A最大ドレイン-ソース間電圧400 VパッケージタイプTO-220AB実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗550 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧2V最大パワー消費125 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント
    643.00 税込¥707.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    RSQ015P10HZGは低オン抵抗のMOSFETです。AEC-Q101に準拠した車載グレードの高信頼製品です。スイッチング用途に最適です。●特長・梱包形態:テーピング・低オン抵抗・小型面実装パッケージ(TSMT6)で省スペース・鉛フリー対応済み、RoHS準拠・AEC-Q101 準拠●仕様パッケージコードSOT-457TJEITAパッケージSC-95端子数6極性Pch
    111.00 税込¥122.00
  • メーカー名:
    サンケン電気
    型番:
    箱番号:
    2552-04
    箱番号の使い方
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    701個
    商品説明
    極性NchVDS900VVGS±30VID±3APD30WVTHMin.2VVTHMax.4VRDS(ON)Typ.(VGS=4.5V)RDS(ON)Typ.(VGS=10V)4ΩCiss600pFCossCrss40pFQg(VGS=4.5V)Qg(VGS=10V)trr
    319.00 税込¥350.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    RQ5A040ZPは、低オン抵抗のゲート保護ダイオード内蔵MOSFETです。スイッチング用途に最適です。●特長・梱包形態:テーピング・低オン抵抗・ゲート保護ダイオード内蔵・小型面実装パッケージ(TSMT3)で省スペース・鉛フリー対応済み、RoHS準拠●仕様パッケージコードSOT-346TJEITAパッケージSC-96端子数3極性Pchドレイン-ソース間電圧 VDSS[
    56.00 税込¥61.00
  • メーカー名:
    Microchip
    型番:
    出荷予定日:
    最小5個から購入可能
    5個単位で購入可能
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 25 Ωチャンネルモード = デプレッション型最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大パワー消費 = 15 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-
    390.00 税込¥429.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 74 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200 Wトランジス
    656.00 税込¥721.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    187個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。●仕様極性PチャネルVDS-45Vオン抵抗(Typ.)50mΩID-16.0APD20W保存温度-55℃~+150℃
    77.00 税込¥84.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小5個から購入可能
    5個単位で購入可能
    商品説明
    電界効果トランジスタのMOSFET。Nch MOSFETを2素子複合しています。微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。●特長・梱包形態:テーピング・低電圧1.8V駆動タイプ・Nch+Nch
    157.00 税込¥172.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流500 mA最大ドレイン-ソース間電圧60 VパッケージタイプTO-92実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗5 Ωチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧3V最低ゲートしきい値電圧0.8V最大パワー消費830 mWトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V幅4
    72.20 税込¥79.20
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    RQ5C035BCはスイッチング用途に最適な小型面実装パッケージのパワーMOSFETです。●特長? 低オン抵抗? 小型ハイパワーパッケージ(TSMT3)? 鉛フリー対応済み、RoHS準拠? ハロゲンフリー●仕様パッケージコードSOT-346TJEITAパッケージSC-96用途スイッチング端子数3極性Pchドレイン-ソース間電圧VDSS[V]-20ドレイン電流ID[A]
    42.00 税込¥46.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    34個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。MOSFET N AND P-CH 30V 4.5A TSMT Transistor Polarity:N and P Channel Continuous Drain Current Id:4.5A Drain Source Voltage Vds:30V On Res
    45.00 税込¥49.00
  • メーカー名:
    Microchip
    型番:
    出荷予定日:
    最小25個から購入可能
    25個単位で購入可能
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプP最大連続ドレイン電流250 mA最大ドレイン-ソース間電圧60 VパッケージタイプTO-92実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗15 Ωチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧3.5V最大パワー消費1 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数1トラ
    121.70 税込¥133.70
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    88個
    商品説明
    MOSFET SI7411DN-T1-GE3 VishaySiliconix製を販売します。【仕様】・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン〜ソース間電圧(Vdss):20V・電流-25°Cでの連続ドレイン(Id):7.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)
    200.00 税込¥220.00
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    最小2個から購入可能
    2個単位で購入可能
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流31 A最大ドレイン-ソース間電圧600 VパッケージタイプTO-247実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗88 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧3.7V最大パワー消費230 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-30 V, +30 V1チップ当たりのエレメント数
    492.00 税込¥541.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    RQ5H020TNは、低オン抵抗のゲート保護ダイオード内蔵MOSFETです。スイッチング用途に最適です。●特長・梱包形態:テーピング・低オン抵抗・ゲート保護ダイオード内蔵・小型面実装パッケージ(TSMT3)で省スペース・鉛フリー対応済み、RoHS準拠●仕様パッケージコードSOT-346TJEITAパッケージSC-96端子数3極性Nchドレイン-ソース間電圧VDSS[V
    48.00 税込¥52.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    412個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。極めて低いオン抵抗を実現した55V/19AのPチャネルパワーMOSFETです。約50Wまでのアプリケーションに適した低熱抵抗でコストパフォーマンスのよいパッケージで提供されます。●特長・100kHz以下のスイッチングアプリケーションに最適化・大電流に対応したパッケージ・ウェーブは
    93.00 税込¥102.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    RQ5E050ATはスイッチング用途に最適な低ON抵抗の小信号MOSFETです。●特長? 低オン抵抗? 小型面実装パッケージ(TSMT3)で省スペース? 鉛フリー対応済み、RoHS準拠●仕様パッケージコードSOT-346TJEITAパッケージSC-96端子数3極性Pchドレイン-ソース間電圧 VDSS[V]-30ドレイン電流 ID[A]-5RDS(on)[Ω] VGS
    55.00 税込¥60.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    164個
    商品説明
    HEXFETシリーズ NチャンネルパワーMOSFET●仕様チャンネルタイプNチャンネルドレイン-ソース間電圧30V連続ドレイン電流5Aドレイン-ソース間オン抵抗0.022ΩパッケージSOT-23実装表面実装Rds(on) テスト電圧4.5Vゲート-ソース間しきい値電圧800mV(max)消費電力1.3Wピン数3ピン動作温度+150℃(max)
    45.00 税込¥49.00
  • メーカー名:
    サンケン電気
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    58個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。極性NchVDS40VVGS±20VID±70APD80WVTHMin.2VVTHMax.4VRDS(ON)Typ.(VGS=4.5V)RDS(ON)Typ.(VGS=10V)0.005ΩCiss5100pFCossCrss860pFQg(VGS=4.5V)Qg(VGS=10V)
    77.00 税込¥84.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    2,912個
    商品説明
    ●仕様極性PチャネルVdss[V]-5VId[A]-.13ARon[Ohm]1ΩVth[V]-2VQg[C]0.9nCパッケージSOT-23
    15.00 税込¥16.00
  • メーカー名:
    サンケン電気
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    30個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。極性NchVDS60VVGS±20VID85APD135WVTHMin.1VVTHMax.2.5VRDS(ON)Typ.(VGS=4.5V)0.0045ΩRDS(ON)Typ.(VGS=10V)0.0039ΩCiss6210pFCoss665pFCrss425pFQg(VGS=4
    50.00 税込¥55.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    333個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。●仕様極性NチャネルVDS30Vオン抵抗(Typ.)70mΩID2.5APD1Wジャンクション温度+150℃保存温度-55℃~+150℃
    45.00 税込¥49.00
  • メーカー名:
    ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)
    型番:
    出荷予定日:
    238.00 税込¥261.00
  • メーカー名:
    サンケン電気
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    51個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。極性NchVDS60VVGS±20VID78APD116WVTHMin.1VVTHMax.2.5VRDS(ON)Typ.(VGS=4.5V)0.0060ΩRDS(ON)Typ.(VGS=10V)0.0051ΩCiss3810pFCoss420pFCrss215pFQg(VGS=4
    37.00 税込¥40.00
  • メーカー名:
    サンケン電気
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    32個
    商品説明
    極性NchVDS100VVGS±20VID19APD37WVTHMin.1VVTHMax.2.5VRDS(ON)Typ.(VGS=4.5V)0.0363ΩRDS(ON)Typ.(VGS=10V)0.0344ΩCiss1530pFCoss125pFCrss51pFQg(VGS=4.5V)9.0nCQg(VGS=10V)19.9nCtrr40.7ns
    55.00 税込¥60.00
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    箱番号:
    2552-04
    箱番号の使い方
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    116個
    商品説明
    スイッチング用のパワーMOS FETです。 【仕様】・パッケージ:TO-3P(N)・構造:Nch-MOS・VDSS:60V・ID:60A・Pc(Tc=25℃):150W・VGS(OFF):・Yfs(min):40s・RDS(max):15mΩ(Vgs=4V Id=30A)・Ciss:5400pF(標準) (Vds=10V f=1MHz)・Ton:60ns(標準) (V
    549.00 税込¥603.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    2,947個
    商品説明
    ●仕様極性NチャネルVdss[V]6VId[A]0.115ARon[Ohm]7.5ΩVth[V]2.5VパッケージSOT-23
    30.00 税込¥33.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    SCT4013DRはアプリケーションの小型化や低消費電力化に貢献するSiC MOSFETです。パッケージはSiC MOSFETの特長である高速スイッチング性能を最大限に引き出すことができるドライバソース端子を有します。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来
    4,179.00 税込¥4,596.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小50個から購入可能
    50個単位で購入可能
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 760 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-416 (SC-75)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 300 mWトランジスタ構成 = シン
    48.60 税込¥52.60
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    ・極性:Nチャネル・Vdss[V]:60V・Id[A]:240A・Ron[Ohm]:0.00115Ω・Vth[V]:2.1~3.7V・Qg[C]:236nC・パッケージ:D2PAK
    1,468.00 税込¥1,614.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小5個から購入可能
    5個単位で購入可能
    商品説明
    TRANSISTOR SWITCHING MOSFET Transistor Polarity:N Channel Continuous Drain Current Id:100mA Drain Source Voltage Vds:30V On Resistance Rds(on):8ohm Rds(on) Test Voltage Vgs:4V Threshold
    112.00 税込¥123.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    R8002CND3FRAはスイッチング電源用途に最適なパワーMOSFETです。●特長・梱包形態:テーピング・低オン抵抗・高速スイッチングスピード・駆動回路が簡単・鉛フリー対応済み、RoHS準拠・AEC-Q101 準拠●仕様パッケージコードTO-252 (DPAK)JEITAパッケージSC-63端子数3極性Nchドレイン-ソース間電圧 VDSS[V]800ドレイン電流
    240.00 税込¥264.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    R8001CND3FRAは高速スイッチング、低オン抵抗のSuper Junction MOSFET製品です。スイッチング電源用途に最適な、車載対応の高信頼性MOSFETです。●特長・梱包形態:テーピング・低オン抵抗・高速スイッチングスピード・駆動回路が簡単・鉛フリー対応済み、RoHS準拠・AEC-Q101準拠●仕様パッケージコードTO-252 (DPAK)JEITAパ
    189.00 税込¥207.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    ・極性:Nチャネル・Vdss[V]:200V・Id[A]:18A・Ron[Ohm]:0.15Ω・Vth[V]:2.0~4.0V・Qg[C]:67nC・パッケージ:TO-220AB
    633.00 税込¥696.00
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流500 mA最大ドレイン-ソース間電圧20 VパッケージタイプSSM実装タイプ表面実装ピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗1.52 Ωチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧1V最大パワー消費150 mWトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-10 V, +10 V標準ゲートチャージ @ Vgs1.2
    56.00 税込¥61.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    電界効果トランジスタのMOSFET。Nch MOSFETを2素子複合しています。微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。●特長・梱包形態:テーピング・4V駆動タイプ・Nch+Nch ミドルパワ
    109.00 税込¥119.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小5個から購入可能
    5個単位で購入可能
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプP最大連続ドレイン電流20 A最大ドレイン-ソース間電圧30 VパッケージタイプSOIC実装タイプ表面実装ピン数8最大ドレイン-ソース間抵抗5 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧1V最大パワー消費2500 mWトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-25 V, +25 V1チップ当たりのエレメント数1幅4mmト
    672.00 税込¥739.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小20個から購入可能
    20個単位で購入可能
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流200 mA最大ドレイン-ソース間電圧60 VパッケージタイプTO-92実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗5 Ωチャンネルモードエンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧0.8V最大パワー消費400 mWトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V幅4.19mm長さ5.2mm動
    91.00 税込¥100.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。●特長・梱包形態:テーピング・4V駆動タイプ・Pチャンネル ミドルパワーMOSFET・高速スイッチング・小型面実装パ
    146.00 税込¥160.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流29 A最大ドレイン-ソース間電圧55 VパッケージタイプTO-220AB実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗40 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧4V最低ゲートしきい値電圧2V最大パワー消費68 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V動作温
    314.00 税込¥345.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    RTR025N03HZGはスイッチング用途に最適な車載対応の高信頼性MOSFETです。●特長・梱包形態:テーピング・低オン抵抗・ゲート保護ダイオード内蔵・小型面実装パッケージ(TSMT3)で省スペース・鉛フリー対応済み、RoHS準拠・AEC-Q101準拠●仕様パッケージコードSOT-346TJEITAパッケージSC-96端子数3極性Nchドレイン-ソース間電圧VDSS
    100.00 税込¥110.00
DigiReelの説明
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