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MOSFET

検索結果 2,043件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 2,043
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    SCT3080KLHRは1200V 31AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは?エレクトロニクス豆知識●特長・梱包形態:チューブ・Low on-resistan
    3,554.00 税込¥3,909.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    電界効果トランジスタのMOSFET。Pch MOSFETを2素子複合しています。微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。●特長・梱包形態:テーピング・4V駆動タイプ・Pch+Pch ミドルパワ
    142.00 税込¥156.00
  • メーカー名:
    サンケン電気
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    1個
    商品説明
    VCEO・VDSS・VCES60VIC・ID±10AIC・ID(pulse)hFE(min)RDS(ON)max0.14ΩVCE(sat)max
    794.00 税込¥873.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    SCT3040KLは1200V 55AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは?エレクトロニクス豆知識●特長・梱包形態:チューブ・ 低オン抵抗・ 高速スイッチングスピード・ 高速リカバリー・ 並列使用が容易・ 駆動回路が簡
    6,442.00 税込¥7,086.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流50 A最大ドレイン-ソース間電圧200 VパッケージタイプTO-247AC実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗40 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧4V最低ゲートしきい値電圧2V最大パワー消費300 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V動
    1,254.00 税込¥1,379.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    RQ5H020TNは、低オン抵抗のゲート保護ダイオード内蔵MOSFETです。スイッチング用途に最適です。●特長・梱包形態:テーピング・低オン抵抗・ゲート保護ダイオード内蔵・小型面実装パッケージ(TSMT3)で省スペース・鉛フリー対応済み、RoHS準拠●仕様パッケージコードSOT-346TJEITAパッケージSC-96端子数3極性Nchドレイン-ソース間電圧VDSS[V
    36.00 税込¥39.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    72個
    商品説明
    ●仕様極性NチャネルVdss[V]9 VId[A]1.7ARon[Ohm]7.2ΩVth[V]5VQg[C]15nCパッケージTO-252
    220.00 税込¥242.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    最小20個から購入可能
    20個単位で購入可能
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流33 A最大ドレイン-ソース間電圧100 VパッケージタイプTO-220AB実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗44 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧4V最低ゲートしきい値電圧2V最大パワー消費130 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V動
    244.70 税込¥268.70
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    箱番号:
    2552-08
    箱番号の使い方
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    66個
    95.00 税込¥104.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    RQ6A050ZPは低オン抵抗でゲート保護ダイオード内蔵のスイッチング用MOSFETです。●特長・梱包形態:テーピング・低オン抵抗・ゲート保護ダイオード内蔵・小型面実装パッケージ(TSMT6)で省スペース・鉛フリー対応済み、RoHS準拠●仕様パッケージコードSOT-457TJEITAパッケージSC-95端子数6極性Pchドレイン-ソース間電圧 VDSS[V]-12ドレ
    52.00 税込¥57.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    小型面実装パッケージのパワーMOSFET、RQ5H020SPはDC/DCコンバータ用途に最適です。●特長? 低オン抵抗 ? ゲート保護ダイオード内蔵 ? 小型面実装パッケージ(TSMT3)で省スペース ? 鉛フリー対応済み、RoHS準拠●仕様パッケージコードSOT-346TJEITAパッケージSC-96端子数3極性Pchドレイン-ソース間電圧 VDSS[V]-45ドレ
    39.00 税込¥42.00
  • メーカー名:
    サンケン電気
    型番:
    箱番号:
    2552-04
    箱番号の使い方
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    701個
    商品説明
    極性NchVDS900VVGS±30VID±3APD30WVTHMin.2VVTHMax.4VRDS(ON)Typ.(VGS=4.5V)RDS(ON)Typ.(VGS=10V)4ΩCiss600pFCossCrss40pFQg(VGS=4.5V)Qg(VGS=10V)trr
    319.00 税込¥350.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    RSR025P03HZGはG-S保護ダイオード内蔵の車載グレードMOSFETです。●特長・梱包形態:テーピング・低オン抵抗・ゲート保護ダイオード内蔵・小型面実装パッケージ(TSMT3)で省スペース・鉛フリー対応済み、RoHS準拠・AEC-Q101準拠●仕様パッケージコードSOT-346TJEITAパッケージSC-96端子数3極性Pchドレイン-ソース間電圧 VDSS[
    89.00 税込¥97.00
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    26個
    商品説明
    MOSFET STW21N90K5 STMicroelectronics製を販売します。【仕様】・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン〜ソース間電圧(Vdss):900V・電流-25°Cでの連続ドレイン(Id):18.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):299ミリ
    800.00 税込¥880.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    RSQ015P10HZGは低オン抵抗のMOSFETです。AEC-Q101に準拠した車載グレードの高信頼製品です。スイッチング用途に最適です。●特長・梱包形態:テーピング・低オン抵抗・小型面実装パッケージ(TSMT6)で省スペース・鉛フリー対応済み、RoHS準拠・AEC-Q101 準拠●仕様パッケージコードSOT-457TJEITAパッケージSC-95端子数6極性Pch
    89.00 税込¥97.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    RQ5A040ZPは、低オン抵抗のゲート保護ダイオード内蔵MOSFETです。スイッチング用途に最適です。●特長・梱包形態:テーピング・低オン抵抗・ゲート保護ダイオード内蔵・小型面実装パッケージ(TSMT3)で省スペース・鉛フリー対応済み、RoHS準拠●仕様パッケージコードSOT-346TJEITAパッケージSC-96端子数3極性Pchドレイン-ソース間電圧 VDSS[
    43.00 税込¥47.00
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流10 A最大ドレイン-ソース間電圧400 VパッケージタイプTO-220AB実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗550 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧2V最大パワー消費125 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント
    643.00 税込¥707.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小5個から購入可能
    5個単位で購入可能
    商品説明
    電界効果トランジスタのMOSFET。Nch MOSFETを2素子複合しています。微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。●特長・梱包形態:テーピング・低電圧1.8V駆動タイプ・Nch+Nch
    157.00 税込¥172.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流500 mA最大ドレイン-ソース間電圧60 VパッケージタイプTO-92実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗5 Ωチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧3V最低ゲートしきい値電圧0.8V最大パワー消費830 mWトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V幅4
    72.20 税込¥79.20
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。●特長・梱包形態:テーピング・低電圧1.2V駆動タイプ・Pチャンネル 小信号MOSFET・小型面実装パッケージで省スペ
    9.00 税込¥9.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    RQ5C035BCはスイッチング用途に最適な小型面実装パッケージのパワーMOSFETです。●特長? 低オン抵抗? 小型ハイパワーパッケージ(TSMT3)? 鉛フリー対応済み、RoHS準拠? ハロゲンフリー●仕様パッケージコードSOT-346TJEITAパッケージSC-96用途スイッチング端子数3極性Pchドレイン-ソース間電圧VDSS[V]-20ドレイン電流ID[A]
    33.00 税込¥36.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 74 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200 Wトランジス
    656.00 税込¥721.00
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    88個
    商品説明
    MOSFET SI7411DN-T1-GE3 VishaySiliconix製を販売します。【仕様】・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン〜ソース間電圧(Vdss):20V・電流-25°Cでの連続ドレイン(Id):7.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)
    200.00 税込¥220.00
  • メーカー名:
    Microchip
    型番:
    出荷予定日:
    最小25個から購入可能
    25個単位で購入可能
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプP最大連続ドレイン電流250 mA最大ドレイン-ソース間電圧60 VパッケージタイプTO-92実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗15 Ωチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧3.5V最大パワー消費1 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数1トラ
    121.70 税込¥133.70
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    34個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。MOSFET N AND P-CH 30V 4.5A TSMT Transistor Polarity:N and P Channel Continuous Drain Current Id:4.5A Drain Source Voltage Vds:30V On Res
    45.00 税込¥49.00
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    最小2個から購入可能
    2個単位で購入可能
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流31 A最大ドレイン-ソース間電圧600 VパッケージタイプTO-247実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗88 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧3.7V最大パワー消費230 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-30 V, +30 V1チップ当たりのエレメント数
    492.00 税込¥541.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小20個から購入可能
    20個単位で購入可能
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流200 mA最大ドレイン-ソース間電圧60 VパッケージタイプTO-92実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗5 Ωチャンネルモードエンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧0.8V最大パワー消費400 mWトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V幅4.19mm長さ5.2mm動
    91.00 税込¥100.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    187個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。●仕様極性PチャネルVDS-45Vオン抵抗(Typ.)50mΩID-16.0APD20W保存温度-55℃~+150℃
    77.00 税込¥84.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    2,878個
    商品説明
    ●仕様極性NチャネルVdss[V]6VId[A]0.115ARon[Ohm]7.5ΩVth[V]2.5VパッケージSOT-23
    30.00 税込¥33.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    411個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。極めて低いオン抵抗を実現した55V/19AのPチャネルパワーMOSFETです。約50Wまでのアプリケーションに適した低熱抵抗でコストパフォーマンスのよいパッケージで提供されます。●特長・100kHz以下のスイッチングアプリケーションに最適化・大電流に対応したパッケージ・ウェーブは
    93.00 税込¥102.00
  • メーカー名:
    富士電機
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    19個
    商品説明
    ●仕様極性NチャネルVdss[V]500VId[A]19ARon[Ohm]0.38ΩパッケージTO-247
    400.00 税込¥440.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    RQ5E050ATはスイッチング用途に最適な低ON抵抗の小信号MOSFETです。●特長? 低オン抵抗? 小型面実装パッケージ(TSMT3)で省スペース? 鉛フリー対応済み、RoHS準拠●仕様パッケージコードSOT-346TJEITAパッケージSC-96端子数3極性Pchドレイン-ソース間電圧 VDSS[V]-30ドレイン電流 ID[A]-5RDS(on)[Ω] VGS
    42.00 税込¥46.00
  • メーカー名:
    サンケン電気
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    58個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。極性NchVDS40VVGS±20VID±70APD80WVTHMin.2VVTHMax.4VRDS(ON)Typ.(VGS=4.5V)RDS(ON)Typ.(VGS=10V)0.005ΩCiss5100pFCossCrss860pFQg(VGS=4.5V)Qg(VGS=10V)
    77.00 税込¥84.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    333個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。●仕様極性NチャネルVDS30Vオン抵抗(Typ.)70mΩID2.5APD1Wジャンクション温度+150℃保存温度-55℃~+150℃
    45.00 税込¥49.00
  • メーカー名:
    ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)
    型番:
    出荷予定日:
    238.00 税込¥261.00
  • メーカー名:
    サンケン電気
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    30個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。極性NchVDS60VVGS±20VID85APD135WVTHMin.1VVTHMax.2.5VRDS(ON)Typ.(VGS=4.5V)0.0045ΩRDS(ON)Typ.(VGS=10V)0.0039ΩCiss6210pFCoss665pFCrss425pFQg(VGS=4
    50.00 税込¥55.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    2,912個
    商品説明
    ●仕様極性PチャネルVdss[V]-5VId[A]-.13ARon[Ohm]1ΩVth[V]-2VQg[C]0.9nCパッケージSOT-23
    15.00 税込¥16.00
  • メーカー名:
    サンケン電気
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    32個
    商品説明
    極性NchVDS100VVGS±20VID19APD37WVTHMin.1VVTHMax.2.5VRDS(ON)Typ.(VGS=4.5V)0.0363ΩRDS(ON)Typ.(VGS=10V)0.0344ΩCiss1530pFCoss125pFCrss51pFQg(VGS=4.5V)9.0nCQg(VGS=10V)19.9nCtrr40.7ns
    55.00 税込¥60.00
  • メーカー名:
    サンケン電気
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    49個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。極性NchVDS60VVGS±20VID78APD116WVTHMin.1VVTHMax.2.5VRDS(ON)Typ.(VGS=4.5V)0.0060ΩRDS(ON)Typ.(VGS=10V)0.0051ΩCiss3810pFCoss420pFCrss215pFQg(VGS=4
    37.00 税込¥40.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    134個
    商品説明
    HEXFETシリーズ NチャンネルパワーMOSFET●仕様チャンネルタイプNチャンネルドレイン-ソース間電圧30V連続ドレイン電流5Aドレイン-ソース間オン抵抗0.022ΩパッケージSOT-23実装表面実装Rds(on) テスト電圧4.5Vゲート-ソース間しきい値電圧800mV(max)消費電力1.3Wピン数3ピン動作温度+150℃(max)
    45.00 税込¥49.00
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    箱番号:
    2552-04
    箱番号の使い方
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    115個
    商品説明
    スイッチング用のパワーMOS FETです。 【仕様】・パッケージ:TO-3P(N)・構造:Nch-MOS・VDSS:60V・ID:60A・Pc(Tc=25℃):150W・VGS(OFF):・Yfs(min):40s・RDS(max):15mΩ(Vgs=4V Id=30A)・Ciss:5400pF(標準) (Vds=10V f=1MHz)・Ton:60ns(標準) (V
    549.00 税込¥603.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    QH8KA4はスイッチングやバッテリー用途向けのミドルパワーMOSFETです。●特長・梱包形態:テーピング・低オン抵抗・小型面実装パッケージで省スペース・鉛フリー対応済み、RoHS準拠・ハロゲンフリー・100%アバランシェ耐量試験済●仕様パッケージコードTSMT8用途電源端子数8極性Nch+Nchドレイン-ソース間電圧 VDSS[V]30ドレイン電流 ID[A]9RD
    77.00 税込¥84.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    RD3P050SNFRAはスイッチング用途に最適なパワーMOSFETです。AEC-Q101に準拠した車載用の高信頼製品です。●特長・梱包形態:テーピング・低オン抵抗・高速スイッチングスピード・駆動回路が簡単・並列使用が容易・鉛フリー対応済み、RoHS準拠・AEC-Q101準拠●仕様パッケージコードTO-252 (DPAK)JEITAパッケージSC-63端子数3極性Nc
    118.00 税込¥129.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。●特長・梱包形態:テーピング・4V駆動タイプ・Pチャンネル ミドルパワーMOSFET・高速スイッチング・小型面実装パ
    247.00 税込¥271.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流169 A最大ドレイン-ソース間電圧55 VパッケージタイプTO-220AB実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗5 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧4V最低ゲートしきい値電圧2V最大パワー消費330 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V動作
    797.00 税込¥876.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。●特長・梱包形態:テーピング・低電圧0.9V駆動タイプ・Nチャンネル 小信号MOSFET・小型面実装パッケージで省スペ
    14.00 税込¥15.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    QH8KA4はスイッチングやバッテリー用途向けのミドルパワーMOSFETです。●特長・梱包形態:テーピング・低オン抵抗・小型面実装パッケージで省スペース・鉛フリー対応済み、RoHS準拠・ハロゲンフリー・100%アバランシェ耐量試験済●仕様パッケージコードTSMT8用途電源端子数8極性Nch+Nchドレイン-ソース間電圧 VDSS[V]30ドレイン電流 ID[A]9RD
    450.00 税込¥495.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    BSS84XHZGは優れた実装信頼性をもつ車載向け超小型MOSFETで、独自のWettable Flank形成技術によってパッケージ側面電極部分の高さ125μmを保証しています。安定したはんだ品質を下部電極パッケージで確保し、部品実装後の半田付け状態の外観検査(AOI)を確実なものにします。車載ECUやADASカメラモジュールなど車載部品の小型化に貢献します。ハイサイ
    36.00 税込¥39.00
  • メーカー名:
    ROHM
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    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    電界効果トランジスタのMOSFET。Pch MOSFETを2素子複合しています。微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。●特長・梱包形態:テーピング・低電圧1.2V駆動タイプ・Pch+Pch
    31.00 税込¥34.00
  • メーカー名:
    ROHM
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    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    RQ5C020TPは低オン抵抗、ゲート保護ダイオード内蔵のMOSFETです。ロードスイッチ用途に最適です。●特長? 低オン抵抗 ? ゲート保護ダイオード内蔵 ? 小型面実装パッケージ(TSMT3)で省スペース ? 鉛フリー対応済み、RoHS準拠●仕様パッケージコードSOT-346TJEITAパッケージSC-96端子数3極性Pchドレイン-ソース間電圧 VDSS[V]-
    36.00 税込¥39.00
DigiReelの説明
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