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MOSFET

検索結果 2,030件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 2,030
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    SCT3080KLHRは1200V 31AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは?エレクトロニクス豆知識●特長・梱包形態:チューブ・Low on-resistan
    3,176.00 税込¥3,493.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    SCT3040KLは1200V 55AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは?エレクトロニクス豆知識●特長・梱包形態:チューブ・ 低オン抵抗・ 高速スイッチングスピード・ 高速リカバリー・ 並列使用が容易・ 駆動回路が簡
    5,902.00 税込¥6,492.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    72個
    商品説明
    ●仕様極性NチャネルVdss[V]9 VId[A]1.7ARon[Ohm]7.2ΩVth[V]5VQg[C]15nCパッケージTO-252
    220.00 税込¥242.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    RSQ015P10HZGは低オン抵抗のMOSFETです。AEC-Q101に準拠した車載グレードの高信頼製品です。スイッチング用途に最適です。●特長・梱包形態:テーピング・低オン抵抗・小型面実装パッケージ(TSMT6)で省スペース・鉛フリー対応済み、RoHS準拠・AEC-Q101 準拠●仕様パッケージコードSOT-457TJEITAパッケージSC-95端子数6極性Pch
    111.00 税込¥122.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小5個から購入可能
    5個単位で購入可能
    商品説明
    電界効果トランジスタのMOSFET。Nch MOSFETを2素子複合しています。微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。●特長・梱包形態:テーピング・低電圧1.8V駆動タイプ・Nch+Nch
    131.00 税込¥144.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    RQ5H020TNは、低オン抵抗のゲート保護ダイオード内蔵MOSFETです。スイッチング用途に最適です。●特長・梱包形態:テーピング・低オン抵抗・ゲート保護ダイオード内蔵・小型面実装パッケージ(TSMT3)で省スペース・鉛フリー対応済み、RoHS準拠●仕様パッケージコードSOT-346TJEITAパッケージSC-96端子数3極性Nchドレイン-ソース間電圧VDSS[V
    48.00 税込¥52.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    RSR025P03HZGはG-S保護ダイオード内蔵の車載グレードMOSFETです。●特長・梱包形態:テーピング・低オン抵抗・ゲート保護ダイオード内蔵・小型面実装パッケージ(TSMT3)で省スペース・鉛フリー対応済み、RoHS準拠・AEC-Q101準拠●仕様パッケージコードSOT-346TJEITAパッケージSC-96端子数3極性Pchドレイン-ソース間電圧 VDSS[
    112.00 税込¥123.00
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流10 A最大ドレイン-ソース間電圧400 VパッケージタイプTO-220AB実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗550 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧2V最大パワー消費125 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント
    589.00 税込¥647.00
  • メーカー名:
    Microchip
    型番:
    出荷予定日:
    最小25個から購入可能
    25個単位で購入可能
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプP最大連続ドレイン電流250 mA最大ドレイン-ソース間電圧60 VパッケージタイプTO-92実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗15 Ωチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧3.5V最大パワー消費1 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数1トラ
    118.60 税込¥129.60
  • メーカー名:
    ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    1個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。●仕様パッケージTO-251(MP-3)構造Nch-MOSVDSS60VVGSS±20VID±34A(DC)±120A(PULSE)PT(TC=25℃)40WPT(TA=25℃)1.0WRDS(max)21mΩ(VGS=10V、ID=17A)36mΩ(VGS=4.0V、ID=17
    194.00 税込¥213.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    34個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。MOSFET N AND P-CH 30V 4.5A TSMT Transistor Polarity:N and P Channel Continuous Drain Current Id:4.5A Drain Source Voltage Vds:30V On Res
    45.00 税込¥49.00
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    最小2個から購入可能
    2個単位で購入可能
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流31 A最大ドレイン-ソース間電圧600 VパッケージタイプTO-247実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗88 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧3.7V最大パワー消費230 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-30 V, +30 V1チップ当たりのエレメント数
    492.00 税込¥541.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流500 mA最大ドレイン-ソース間電圧60 VパッケージタイプTO-92実装タイプスルーホールピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗5 Ωチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧3V最低ゲートしきい値電圧0.8V最大パワー消費830 mWトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V幅4
    63.10 税込¥69.10
  • メーカー名:
    Microchip
    型番:
    出荷予定日:
    最小5個から購入可能
    5個単位で購入可能
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 25 Ωチャンネルモード = デプレッション型最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大パワー消費 = 15 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-
    383.00 税込¥421.00
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    88個
    商品説明
    MOSFET SI7411DN-T1-GE3 VishaySiliconix製を販売します。【仕様】・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン〜ソース間電圧(Vdss):20V・電流-25°Cでの連続ドレイン(Id):7.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)
    200.00 税込¥220.00
  • メーカー名:
    サンケン電気
    型番:
    箱番号:
    2552-04
    箱番号の使い方
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    719個
    商品説明
    極性NchVDS900VVGS±30VID±3APD30WVTHMin.2VVTHMax.4VRDS(ON)Typ.(VGS=4.5V)RDS(ON)Typ.(VGS=10V)4ΩCiss600pFCossCrss40pFQg(VGS=4.5V)Qg(VGS=10V)trr
    319.00 税込¥350.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    195個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。●仕様極性PチャネルVDS-45Vオン抵抗(Typ.)50mΩID-16.0APD20W保存温度-55℃~+150℃
    77.00 税込¥84.00
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    箱番号:
    2552-08
    箱番号の使い方
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    25個
    90.00 税込¥99.00
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    最小5個から購入可能
    5個単位で購入可能
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 155 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大パワー消費 = 45 Wトランジスタ構成 = シングル最大
    1,033.00 税込¥1,136.00
  • メーカー名:
    サンケン電気
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    58個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。極性NchVDS40VVGS±20VID±70APD80WVTHMin.2VVTHMax.4VRDS(ON)Typ.(VGS=4.5V)RDS(ON)Typ.(VGS=10V)0.005ΩCiss5100pFCossCrss860pFQg(VGS=4.5V)Qg(VGS=10V)
    77.00 税込¥84.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 90 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 70 Wトランジス
    328.00 税込¥360.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    2,912個
    商品説明
    ●仕様極性PチャネルVdss[V]-5VId[A]-.13ARon[Ohm]1ΩVth[V]-2VQg[C]0.9nCパッケージSOT-23
    15.00 税込¥16.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    RQ5E050ATはスイッチング用途に最適な低ON抵抗の小信号MOSFETです。●特長? 低オン抵抗? 小型面実装パッケージ(TSMT3)で省スペース? 鉛フリー対応済み、RoHS準拠●仕様パッケージコードSOT-346TJEITAパッケージSC-96端子数3極性Pchドレイン-ソース間電圧 VDSS[V]-30ドレイン電流 ID[A]-5RDS(on)[Ω] VGS
    55.00 税込¥60.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    190個
    商品説明
    HEXFETシリーズ NチャンネルパワーMOSFET●仕様チャンネルタイプNチャンネルドレイン-ソース間電圧30V連続ドレイン電流5Aドレイン-ソース間オン抵抗0.022ΩパッケージSOT-23実装表面実装Rds(on) テスト電圧4.5Vゲート-ソース間しきい値電圧800mV(max)消費電力1.3Wピン数3ピン動作温度+150℃(max)
    45.00 税込¥49.00
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    箱番号:
    2552-04
    箱番号の使い方
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    126個
    商品説明
    スイッチング用のパワーMOS FETです。 【仕様】・パッケージ:TO-3P(N)・構造:Nch-MOS・VDSS:60V・ID:60A・Pc(Tc=25℃):150W・VGS(OFF):・Yfs(min):40s・RDS(max):15mΩ(Vgs=4V Id=30A)・Ciss:5400pF(標準) (Vds=10V f=1MHz)・Ton:60ns(標準) (V
    549.00 税込¥603.00
  • メーカー名:
    サンケン電気
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    32個
    商品説明
    極性NchVDS100VVGS±20VID19APD37WVTHMin.1VVTHMax.2.5VRDS(ON)Typ.(VGS=4.5V)0.0363ΩRDS(ON)Typ.(VGS=10V)0.0344ΩCiss1530pFCoss125pFCrss51pFQg(VGS=4.5V)9.0nCQg(VGS=10V)19.9nCtrr40.7ns
    55.00 税込¥60.00
  • メーカー名:
    サンケン電気
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    30個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。極性NchVDS60VVGS±20VID85APD135WVTHMin.1VVTHMax.2.5VRDS(ON)Typ.(VGS=4.5V)0.0045ΩRDS(ON)Typ.(VGS=10V)0.0039ΩCiss6210pFCoss665pFCrss425pFQg(VGS=4
    50.00 税込¥55.00
  • メーカー名:
    サンケン電気
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    53個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。極性NchVDS60VVGS±20VID78APD116WVTHMin.1VVTHMax.2.5VRDS(ON)Typ.(VGS=4.5V)0.0060ΩRDS(ON)Typ.(VGS=10V)0.0051ΩCiss3810pFCoss420pFCrss215pFQg(VGS=4
    37.00 税込¥40.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプP最大連続ドレイン電流1.9 A最大ドレイン-ソース間電圧30 VパッケージタイプSOT-23実装タイプ表面実装ピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗350 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧3V最大パワー消費1.25 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数1動
    60.60 税込¥66.60
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    343個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。●仕様極性NチャネルVDS30Vオン抵抗(Typ.)70mΩID2.5APD1Wジャンクション温度+150℃保存温度-55℃~+150℃
    45.00 税込¥49.00
  • メーカー名:
    -
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    2個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。【仕様】トランジスタ-FET、MOSFET-シングル-BS170-ON Semiconductor製を販売します。・FETタイプNチャンネル・技術MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss)60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)500mA(Ta)・駆
    55.00 税込¥60.00
  • メーカー名:
    ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    1,894個
    商品説明
    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。●特長・高速パワースイッチング用・低オン抵抗 RDS(on):0.12Ω(typ)・低電圧駆動 (4V駆動)●仕様ドレイン-ソース電圧60Vゲート-ソース電圧±20Vドレイン電流5Aせん頭ドレイン電流20A逆ドレイン電流5Aアバランシェ電流5Aアバランシェエネルギー2.14mJ許
    194.00 税込¥213.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 36 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 140 Wトランジ
    383.00 税込¥421.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    2,947個
    商品説明
    ●仕様極性NチャネルVdss[V]6VId[A]0.115ARon[Ohm]7.5ΩVth[V]2.5VパッケージSOT-23
    30.00 税込¥33.00
  • メーカー名:
    Diodes Incorporated
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    ・極性:Nチャネル・Vdss[V]:60V・Id[A]:2.5A・Ron[Ohm]:0.35Ω・Vth[V]:3.0V・Qg[C]:3.2nC・パッケージ:SOT-89
    333.00 税込¥366.00
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    最小5個から購入可能
    5個単位で購入可能
    商品説明
    ・極性:Nチャネル・Vdss[V]:50V・Id[A]:0.2A・Ron[Ohm]:10Ω・Vth[V]:1.5V・Qg[C]:・パッケージ:SOT-23
    91.00 税込¥100.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    RQ5C035BCはスイッチング用途に最適な小型面実装パッケージのパワーMOSFETです。●特長? 低オン抵抗? 小型ハイパワーパッケージ(TSMT3)? 鉛フリー対応済み、RoHS準拠? ハロゲンフリー●仕様パッケージコードSOT-346TJEITAパッケージSC-96用途スイッチング端子数3極性Pchドレイン-ソース間電圧VDSS[V]-20ドレイン電流ID[A]
    42.00 税込¥46.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小5個から購入可能
    5個単位で購入可能
    商品説明
    電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。●特長・梱包形態:テーピング・低電圧0.9V駆動タイプ・Nチャンネル 小信号MOSFET・小型面実装パッケージで省スペ
    74.00 税込¥81.00
  • メーカー名:
    Diodes Incorporated
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流2.5 A最大ドレイン-ソース間電圧60 VパッケージタイプSOT-89実装タイプ表面実装ピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗250 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧3V最大パワー消費2.6 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数1トラ
    121.40 税込¥133.40
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。●特長・梱包形態:テーピング・低電圧1.2V駆動タイプ・Pチャンネル 小信号MOSFET・小型面実装パッケージで省スペ
    16.00 税込¥17.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    RD3L140SPFRAは車載グレードの高信頼性Power MOSFETです。スイッチングのアプリケーションに最適です。●特長・梱包形態:テーピング・低オン抵抗・高速スイッチングスピード・駆動回路が簡単・並列使用が容易・鉛フリー対応済み、RoHS準拠・AEC-Q101準拠●仕様パッケージコードTO-252 (DPAK)JEITAパッケージSC-63端子数3極性Pchド
    159.00 税込¥174.00
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    ・極性:Nチャネル・Vdss[V]:500V・Id[A]:8.0A・Ron[Ohm]:0.85Ω・Vth[V]:4.0V・Qg[C]:38nC・パッケージ:TO-220AB
    733.00 税込¥806.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,500個から購入可能
    2,500個単位で購入可能
    商品説明
    R6002END3は低オン抵抗かつ高速スイッチングスピードのパワーMOSFETです。スイッチングなどの用途に最適です。●特長・梱包形態:テーピング・低オン抵抗・高速スイッチングスピード・駆動回路が簡単・並列使用が容易・鉛フリー対応済み、RoHS準拠●仕様パッケージコードTO-252 (DPAK)JEITAパッケージSC-63用途電源端子数3極性Nchドレイン-ソース間
    80.00 税込¥88.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小5個から購入可能
    5個単位で購入可能
    商品説明
    RJU003N03FRAは車載グレードの高信頼性MOSFETです。●特長・梱包形態:テーピング・2.5V駆動タイプ・Nチャンネル 小信号MOSFET・小型面実装パッケージで省スペース・鉛フリー対応、RoHS規格準拠●仕様パッケージコードSOT-323JEITAパッケージSC-70端子数3極性Nchドレイン-ソース間電圧VDSS[V]30ドレイン電流ID[A]0.3RD
    96.00 税込¥105.00
  • メーカー名:
    NEXPERIA
    型番:
    出荷予定日:
    最小25個から購入可能
    25個単位で購入可能
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流300 mA最大ドレイン-ソース間電圧60 VパッケージタイプSOT-23実装タイプ表面実装ピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗5 Ωチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧2.5V最低ゲートしきい値電圧1V最大パワー消費830 mWトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-30 V, +30 Vトラン
    25.40 税込¥27.40
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    RS3E180ATはスイッチング用途に最適なパワーMOSFETです。●特長・梱包形態:テーピング・低オン抵抗・小型面実装パッケージ(TSMT8)で省スペース・鉛フリー対応済み、RoHS準拠●仕様パッケージコードSOP8端子数8極性Pchドレイン-ソース間電圧 VDSS[V]-30ドレイン電流 ID[A]-18RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)0.005R
    252.00 税込¥277.00
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    10個単位で購入可能
    商品説明
    ●仕様チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流6.8 A最大ドレイン-ソース間電圧650 VパッケージタイプDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装ピン数3最大ドレイン-ソース間抵抗800 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧3.5V最低ゲートしきい値電圧2.5V最大パワー消費60 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧-30 V
    114.00 税込¥125.00
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,500個から購入可能
    2,500個単位で購入可能
    商品説明
    R6011KND3はスイッチング電源用途に最適なパワーMOSFETです。●特長・梱包形態:テーピング・低オン抵抗・高速スイッチングスピード・並列使用が容易・鉛フリー対応済み、RoHS準拠●仕様パッケージコードTO-252 (DPAK)JEITAパッケージSC-63用途電源端子数3極性Nchドレイン-ソース間電圧 VDSS[V]600ドレイン電流ID[A]11RDS(o
    154.00 税込¥169.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    即納在庫数:
    15個
    商品説明
    ・パッケージ :I-Pak・構造 :・VDSS :30V・ID :160A・Pc(Tc=25℃) :・VGS(OFF) :・RDS(max) :3.1ミリオーム @ 25A、10V・コンプリ :・用途 :・入数 :1・備考 :
    369.00 税込¥405.00
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    ・極性:Nチャネル・Vdss[V]:100V・Id[A]:40A・Ron[Ohm]:0.033Ω・Vth[V]:2.5V・Qg[C]:64nC・パッケージ:TO-220
    811.00 税込¥892.00
DigiReelの説明
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