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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイの定格表該当製品数: 9,803 / 9,803 件

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電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

Id印加時のVgs（th）（最大）

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Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

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写真	型番	メーカー	品質ランク	単価 (税抜)	単価 (税込)	カートに追加		在庫数量	最少購入数	納期	パッケージ	シリーズ	技術	構成	FET機能	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	電力 - 最大	動作温度	グレード	認定	取り付けタイプ	パッケージ/ケース	サプライヤデバイスパッケージ
	SSM6N40TU,LF	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥151.43 /個	1個以上￥166.57 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、4V駆動	30V	1.6A（Ta）	122ミリオーム @ 1A、10V	2.6V @ 1mA	5.1nC @ 10V	180pF @ 15V	500mW（Ta）	150°C	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	UF6
	TC6320TG-G	Microchip	A(DigiKey)	1個以上￥430.00 /個	1個以上￥473.00 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	200V	-	7オーム @ 1A、10V	2V @ 1mA	-	110pF @ 25V、125pF @ 25V	-	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	CSD87501L	TEXAS INSTRUMENTS	A(DigiKey)	1個以上￥200.00 /個	1個以上￥220.00 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	-	-	-	2.3V @ 250µA	40nC @ 10V	-	2.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	10-XFLGA	10-Picostar（3.37x1.47）
	AOSD21307	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	1個以上￥358.58 /個	1個以上￥394.43 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	30V	9A（Ta）	16ミリオーム @ 9A、10V	2.3V @ 250µA	51nC @ 10V	1995pF @ 15V	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	AO4614B	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	1個以上￥242.86 /個	1個以上￥267.14 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	40V	6A、5A	30ミリオーム @ 6A、10V	3V @ 250µA	10.8nC @ 10V	650pF @ 20V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	DMG1029SV-7	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥147.15 /個	1個以上￥161.86 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	60V	500mA、360mA	1.7オーム @ 500mA、10V	2.5V @ 250µA	0.3nC @ 4.5V	30pF @ 25V、25pF @ 25V	450mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	SOT-563
	SSM6N17FU(TE85L,F)	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥112.86 /個	1個以上￥124.14 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	50V	100mA（Ta）	20オーム @ 10mA、4V	1.5V @ 1µA	-	7pF @ 3V	200mW（Ta）	150°C	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	US6
	NX6020CAKSX	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥82.86 /個	1個以上￥91.14 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	60V、50V	170mA（Ta）	4.5オーム @ 100mA、10V、7.5オーム @ 100mA、10V	2.1V @ 250µA	0.43nC @ 4.5V、0.35nC @ 5V	17pF @ 10V、36pF @ 25V	330mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	6-TSSOP
	NP16N06QLK-E1-AY	ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)	A(DigiKey)	2500個以上￥162.70 /個	2500個以上￥178.97 /個		★	確認する	2,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	16A（Tc）	39ミリオーム @ 8A、10V	2.5V @ 250µA	17nC @ 10V	750pF @ 25V	1W（Ta）、25W（Tc）	175°C	自動車	AEC-Q101	面実装	8-PowerLDFN	8-HSON（5x5.4）
	SSM6L35FU(TE85L,F)	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥114.29 /個	1個以上￥125.71 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	ロジックレベルゲート、1.2V駆動	20V	180mA、100mA	3オーム @ 50mA、4V	1V @ 1mA	-	9.5pF @ 3V	200mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	US6
	SSM6L35FE,LM	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥87.15 /個	1個以上￥95.86 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	20V	180mA、100mA	3オーム @ 50mA、4V	1V @ 1mA	-	9.5pF @ 3V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	ES6
	AO4614B	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	1個以上￥242.86 /個	1個以上￥267.14 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	40V	6A、5A	30ミリオーム @ 6A、10V	3V @ 250µA	10.8nC @ 10V	650pF @ 20V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	IAUCN04S7L025AHATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥327.15 /個	1個以上￥359.86 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 7	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャネル	論理レベルゲート	40V	100A（Tj）、65A（Tj）	2.56ミリオーム @ 50A、10V、5.04ミリオーム @ 30A、10V	1.8V @ 25µA、1.8V @ 10µA	38nC @ 10V、14nC @ 10V	2518pF @ 20V、915pF @ 20V	75W（Tc）、40W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-PowerVDFN	PG-TDSON-8-57
	HP8KE6TB1	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥562.50 /個	1個以上￥618.75 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	100V	6A（Ta）、17A（Tc）	54ミリオーム @ 6A、10V	2.5V @ 1mA	6.7nC @ 10V	305pF / 50V	3W（Ta）、21W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerTDFN	8-HSOP
	SI4900DY-T1-E3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥452.86 /個	1個以上￥498.14 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	60V	5.3A	58ミリオーム @ 4.3A、10V	3V @ 250µA	20nC @ 10V	665pF @ 15V	3.1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	2N7002AKS-QX	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥60.00 /個	1個以上￥66.00 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャネル	-	60V	220mA（Ta）	3オーム @ 100mA、10V	2.6V @ 250µA	315pC @ 10V	9.2pF @ 30V	270mW（Ta）、1.3W（Tc）	-55°C～175°C	自動車	AEC-Q101	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	6-TSSOP
	SSM6N7002BFE,LM	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥70.00 /個	1個以上￥77.00 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	60V	200mA	2.1オーム @ 500mA、10V	3.1V @ 250µA	-	17pF @ 25V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	ES6
	TPC8207(TE12L)	東芝	A(DigiKey)				★	確認する		売り切れ	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	6A	20ミリオーム @ 4.8A、4V	1.2V @ 200µA	22nC @ 5V	2010pF @ 10V	750mW	-	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.173インチ、4.40mm）	8-SOP（5.5x6.0）
	FDS8958A	UMW	A(DigiKey)	1個以上￥207.15 /個	1個以上￥227.86 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	7A（Ta）、5A（Ta）	28ミリオーム @ 7A、10V、52ミリオーム @ 5A、10V	3V @ 250µA	16nC @ 10V、13nC @ 10V	575pF @ 15V、528pF @ 15V	900mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	NX5020UNBKSX	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥71.43 /個	1個以上￥78.57 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	50V	300mA（Ta）、480mA（Tc）	1.8オーム @ 300mA、10V	950mV @ 250µA	1nC @ 10V	20.5pF @ 25V	280mW（Ta）、860mW（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	6-TSSOP
	NTJD4158CT1G	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥108.58 /個	1個以上￥119.43 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	30V、20V	250mA、880mA	1.5オーム @ 10mA、4.5V	1.5V @ 100µA	1.5nC @ 5V	33pF @ 5V	270mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
	NTJD4158CT1G	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥108.58 /個	1個以上￥119.43 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	30V、20V	250mA、880mA	1.5オーム @ 10mA、4.5V	1.5V @ 100µA	1.5nC @ 5V	33pF @ 5V	270mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
	CSD87501L	TEXAS INSTRUMENTS	A(DigiKey)	3000個以上￥68.40 /個	3000個以上￥75.24 /個		★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	-	-	-	2.3V @ 250µA	40nC @ 10V	-	2.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	10-XFLGA	10-Picostar（3.37x1.47）
	SI4900DY-T1-E3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥452.86 /個	1個以上￥498.14 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	60V	5.3A	58ミリオーム @ 4.3A、10V	3V @ 250µA	20nC @ 10V	665pF @ 15V	3.1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	AOE6930	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	1個以上￥784.73 /個	1個以上￥863.20 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	AlphaMOS	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）非対称	-	30V	22A（Tc）、 85A（Tc）	4.3ミリオーム @ 20A、 10V、 0.83ミリオーム @ 30A、 10V	2.1V @ 250µA、1.9V @ 250µA	15nC @ 4.5V、65nC @ 4.5V	1075pF @ 15V、 5560pF @ 15V	24W、 75W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-VDFN露出パッド	8-DFN（5x6）
	QH8KC5TCR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥304.29 /個	1個以上￥334.71 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	3A（Ta）	90ミリオーム @ 3A、10V	2.5V @ 1mA	3.1nC @ 10V	135pF @ 30V	1.1W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	US6K1TR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥244.29 /個	1個以上￥268.71 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	1.5A	240ミリオーム @ 1.5A、4.5V	1.5V @ 1mA	2.2nC @ 4.5V	80pF @ 10V	1W	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	TUMT6
	BUK9K31-100LX	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥520.00 /個	1個以上￥572.00 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	100V	24A（Tc）	31.7ミリオーム @ 5A、10V	2.05V @ 50µA	31nC @ 10V	1940pF @ 25V	43W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	DMC31D5UDJ-7	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	10000個以上￥27.97 /個	10000個以上￥30.76 /個		★	確認する	10,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	30V	220mA、200mA	1.5オーム @ 100mA、4.5V	1V @ 250µA	0.38nC @ 4.5V	22.6pF @ 15V	350mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-963	SOT-963
	EM6K6T2R	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥157.15 /個	1個以上￥172.86 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	300mA	1オーム @ 300mA、4V	1V @ 1mA	-	25pF @ 10V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	EMT6
	DMC31D5UDJ-7	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥185.72 /個	1個以上￥204.29 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	30V	220mA、200mA	1.5オーム @ 100mA、4.5V	1V @ 250µA	0.38nC @ 4.5V	22.6pF @ 15V	350mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-963	SOT-963
	VT6M1T2CR	ROHM	A(DigiKey)				★	確認する		売り切れ	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	ロジックレベルゲート、1.2V駆動	20V	100mA	3.5オーム @ 100mA、4.5V	1V @ 100µA	-	7.1pF @ 10V	120mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	VMT6
	EM6K31T2R	ROHM	A(DigiKey)	8000個以上￥30.55 /個	8000個以上￥33.60 /個		★	確認する	8,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	60V	250mA	2.4オーム @ 250mA、10V	2.3V @ 1mA	-	15pF @ 25V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	EMT6
	EM6K31GT2R	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥125.72 /個	1個以上￥138.29 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、2.5V駆動	60V	250mA	2.4オーム @ 250mA、10V	2.3V @ 1mA	-	15pF @ 25V	120mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	EMT6
	BSS138DW-7-F	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥87.15 /個	1個以上￥95.86 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	50V	200mA	3.5オーム @ 220mA、10V	1.5V @ 250µA	-	50pF @ 10V	200mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SOT-363
	IRF8915	インフィニオン	A(DigiKey)	95個以上￥449.95 /個	95個以上￥494.94 /個		★	確認する	95 個	確認する	チューブ	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	8.9A	18.3ミリオーム @ 8.9A、10V	2.5V @ 250µA	7.4nC @ 4.5V	540pF @ 10V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	BUK9K31-100LX	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥520.00 /個	1個以上￥572.00 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	100V	24A（Tc）	31.7ミリオーム @ 5A、10V	2.05V @ 50µA	31nC @ 10V	1940pF @ 25V	43W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	QS8J2TR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥375.72 /個	1個以上￥413.29 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、1.5V駆動	12V	4A	36ミリオーム @ 4A、4.5V	1V @ 1mA	20nC @ 4.5V	1940pF @ 6V	550mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	SH8KC6TB1	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥382.86 /個	1個以上￥421.14 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	6.5A（Ta）	32ミリオーム @ 6.5A、10V	2.5V @ 1mA	7.6nC @ 10V	460pF @ 30V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	AO4614B	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	3000個以上￥43.91 /個	3000個以上￥48.30 /個		★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	40V	6A、5A	30ミリオーム @ 6A、10V	3V @ 250µA	10.8nC @ 10V	650pF @ 20V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	UT6ME5TCR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥114.29 /個	1個以上￥125.71 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	100V	2A（Ta）、1A（Ta）	207ミリオーム @ 2A、10V、840ミリオーム @ 1A、10V	2.5V @ 1mA	2.8nC @ 10V、6.7nC @ 10V	90pF @ 50V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-PowerUDFN	HUML2020L8
	UM6K33NTN	ROHM	A(DigiKey)	3000個以上￥16.45 /個	3000個以上￥18.09 /個		★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、1.2V駆動	50V	200mA	2.2オーム @ 200mA、4.5V	1V @ 1mA	-	25pF @ 10V	120mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	UMT6
	UM6K33NTN	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥101.43 /個	1個以上￥111.57 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、1.2V駆動	50V	200mA	2.2オーム @ 200mA、4.5V	1V @ 1mA	-	25pF @ 10V	120mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	UMT6
	SH8MA2GZETB	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥284.29 /個	1個以上￥312.71 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	4.5A（Ta）	80ミリオーム @ 4.5A、10V、82ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 1mA	3nC @ 4.5V、6.7nC @ 4.5V	125pF @ 15V、305pF @ 15V	1.4W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	FS03MR12A6MA1BBPSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥354,290.43 /個	1個以上￥389,719.47 /個		★	確認する		確認する	トレイ	HybridPACK™	シリコンカーバイド（SiC）	6Nチャンネル（3相ブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	400A（Tj）	3.7ミリオーム @ 400A、15V	5.55V @ 240mA	1320nC @ 15V	42500pF @ 600V	-	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-HYBRIDD-2
	SH8KC7TB1	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥567.15 /個	1個以上￥623.86 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	10.5A（Ta）	12.4ミリオーム @ 10.5A、10V	2.5V @ 1mA	22nC @ 10V	1400pF @ 30V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	PJQ5948-AU_R2_002A1	PANJIT	A(DigiKey)	3000個以上￥56.76 /個	3000個以上￥62.43 /個		★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	40V	10.6A（Ta）、37A（Tc）	12.3ミリオーム @ 10A、10V	2.3V @ 50µA	13nC @ 10V	778pF @ 25V	2.5W（Ta）、30W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-PowerTDFN	DFN5060B-8
	SH8KA7GZETB	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥673.62 /個	1個以上￥740.98 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	15A（Ta）	9.3ミリオーム @ 15A、10V	2.5V @ 1mA	81nC @ 10V	3320pF @ 15V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	SH8KA7GZETB	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥673.62 /個	1個以上￥740.98 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	15A（Ta）	9.3ミリオーム @ 15A、10V	2.5V @ 1mA	81nC @ 10V	3320pF @ 15V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	SQ4946CEY-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥387.15 /個	1個以上￥425.86 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	7A（Tc）	40ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 250µA	22nC @ 10V	865pF @ 25V	4W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	2N7002DW	-	A(DigiKey)	1個以上￥45.72 /個	1個以上￥50.29 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	115mA（Ta）	7.5オーム @ 500mA、10V	2.5V @ 250µA	-	50pF @ 25V	200mW（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SOT-363
	ALD212900APAL	Advanced Linear Devices Inc	A(DigiKey)	1個以上￥2,147.06 /個	1個以上￥2,361.76 /個		★	確認する		確認する	チューブ	EPAD®, Zero Threshold™	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	論理レベルゲート	10.6V	80mA	14オーム	10mV @ 20µA	-	30pF @ 5V	500mW	0°C～70°C（TJ）	-	-	スルーホール	8-DIP（0.300インチ、7.62mm）	8-PDIP
	VS-MPX075P120	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥16,462.07 /個	1個以上￥18,108.27 /個		★	確認する		確認する	箱	-	シリコンカーバイド（SiC）	6 Nチャンネル（3相インバータ）	-	1200V（1.2kV）	22A	97.5ミリオーム @ 20A、15V	3.8V @ 5mA	56nC @ 15V	1489pF @ 1000V	47.5W	-55°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	SSM6N17FU(TE85L,F)	東芝	A(DigiKey)	3000個以上￥17.04 /個	3000個以上￥18.74 /個		★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	50V	100mA（Ta）	20オーム @ 10mA、4V	1.5V @ 1µA	-	7pF @ 3V	200mW（Ta）	150°C	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	US6
	SI9945CDY-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥255.72 /個	1個以上￥281.29 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャネル	-	60V	5.9A（Ta）、7.9A（Tc）	32ミリオーム @ 5A、10V	3V @ 250µA	11nC @ 10V	420pF @ 30V	2W（Ta）、3.6W（Tc）	-55°C～150°C	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	FS28MR12W1M1HB11HPSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥18,750.58 /個	1個以上￥20,625.63 /個		★	確認する		確認する	トレイ	EasyPACK™	シリコンカーバイド（SiC）	6 Nチャネル	-	1200V（1.2kV）	30A	26.4ミリオーム @ 30A、18V	5.15V @ 12mA	90nC @ 18V	2700pF @ 800V	20mW	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-EASY1B
	SSM6L35FU(TE85L,F)	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥114.29 /個	1個以上￥125.71 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	ロジックレベルゲート、1.2V駆動	20V	180mA、100mA	3オーム @ 50mA、4V	1V @ 1mA	-	9.5pF @ 3V	200mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	US6
	SSM6P41FE(TE85L,F)	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥150.00 /個	1個以上￥165.00 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	720mA	300ミリオーム @ 400mA、4.5V	1V @ 1mA	1.76nC @ 4.5V	110pF @ 10V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	ES6
	NVJD5121NT1G	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥104.29 /個	1個以上￥114.71 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	295mA	1.6オーム @ 500mA、10V	2.5V @ 250µA	0.9nC @ 4.5V	26pF @ 20V	250mW	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
	ALD110900APAL	Advanced Linear Devices Inc	A(DigiKey)	1個以上￥2,280.00 /個	1個以上￥2,508.00 /個		★	確認する		確認する	チューブ	EPAD®, Zero Threshold™	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	10.6V	-	500オーム @ 4V	10mV @ 1µA	-	2.5pF @ 5V	500mW	0°C～70°C（TJ）	-	-	スルーホール	8-DIP（0.300インチ、7.62mm）	8-PDIP
	QH8JA1TCR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥355.72 /個	1個以上￥391.29 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	-	2Pチャンネル（デュアル）	-	20V	5A	38ミリオーム @ 5A、4.5V	1.2V @ 1mA	10.2nC @ 4.5V	720pF @ 10V	1.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	AO4629	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	1個以上￥190.00 /個	1個以上￥209.00 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル、コモンドレイン	論理レベルゲート	30V	6A、5.5A	30ミリオーム @ 6A、10V	2.4V @ 250µA	6.3nC @ 10V	310pF @ 15V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	BUK7K3R7-40NX	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥562.86 /個	1個以上￥619.14 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	105A（Tc）	3.7ミリオーム @ 25A、10V	3.6V @ 1mA	66nC @ 10V	3277pF @ 25V	97W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	SH8KC7TB1	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥567.15 /個	1個以上￥623.86 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	10.5A（Ta）	12.4ミリオーム @ 10.5A、10V	2.5V @ 1mA	22nC @ 10V	1400pF @ 30V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	DMP6111SSD-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	2500個以上￥42.28 /個	2500個以上￥46.50 /個		★	確認する	2,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	60V	2.8A（Ta）	115ミリオーム @ 3A、10V	3V @ 250µA	23nC @ 10V	1286pF @ 30V	1.3W（Ta）	-55°C～150°C	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	DMG1029SV-7	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥147.15 /個	1個以上￥161.86 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	60V	500mA、360mA	1.7オーム @ 500mA、10V	2.5V @ 250µA	0.3nC @ 4.5V	30pF @ 25V、25pF @ 25V	450mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	SOT-563
	UM6K33NTN	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥101.43 /個	1個以上￥111.57 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、1.2V駆動	50V	200mA	2.2オーム @ 200mA、4.5V	1V @ 1mA	-	25pF @ 10V	120mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	UMT6
	BSS138PS	EVVO Semi	A(DigiKey)	1個以上￥54.29 /個	1個以上￥59.71 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	300mA（Ta）	2オーム @ 300mA、10V	1.6V @ 250µA	-	27pF @ 30V	350mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6	SOT-23-6
	SIZ270DT-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥531.43 /個	1個以上￥584.57 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET® Gen IV	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	100V	7.1A（Ta）、19.5A（Tc）、6.9A（Ta）、19.1A（Tc）	37.7ミリオーム @ 7A、10V、39.4ミリオーム @ 7A、10V	2.4V @ 250µA	27nC @ 10V	860pF @ 50V、845pF @ 50V	4.3W（Ta）、33W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerWDFN	8-PowerPair®（3.3x3.3）
	EM6M2T2R	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥200.00 /個	1個以上￥220.00 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	20V	200mA	1オーム @ 200mA、4V	1V @ 1mA	-	25pF @ 10V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	EMT6
	SI8916EDB-T6-E1	VISHAY	A(DigiKey)	3000個以上￥16.73 /個	3000個以上￥18.40 /個		★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	20V	2.5A（Ta）	75ミリオーム @ 3A、4.5V	1.4V @ 250µA	11nC @ 10V	220pF @ 10V	770mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	4-SMD、リードなし	MicroFOOT® 2x2NB
	IRF7319TRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥430.00 /個	1個以上￥473.00 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	-	29ミリオーム @ 5.8A、10V	1V @ 250µA	33nC @ 10V	650pF @ 25V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	QS8J2TR	ROHM	A(DigiKey)	3000個以上￥68.53 /個	3000個以上￥75.38 /個		★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、1.5V駆動	12V	4A	36ミリオーム @ 4A、4.5V	1V @ 1mA	20nC @ 4.5V	1940pF @ 6V	550mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	EM6K31T2R	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥197.15 /個	1個以上￥216.86 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	60V	250mA	2.4オーム @ 250mA、10V	2.3V @ 1mA	-	15pF @ 25V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	EMT6
	DMP2075UFDB-7	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥182.86 /個	1個以上￥201.14 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	20V	3.8A（Ta）	75ミリオーム @ 2.9A、4.5V	1.4V @ 250µA	8.8nC @ 4.5V	642pF @ 10V	700mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-UDFN露出パッド	U-DFN2020-6（タイプB）
	FF6MR12KM1HHPSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥32,684.95 /個	1個以上￥35,953.44 /個		★	確認する		確認する	トレイ	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	SSM6L40TU,LF	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥161.43 /個	1個以上￥177.57 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	ロジックレベルゲート、4V駆動	30V	1.6A（Ta）、1.4A（Ta）	122ミリオーム @ 1A、10V、226ミリオーム @ 1A、10V	2.6V @ 1mA、2V @ 1mA	5.1nC @ 10V、2.9nC @ 10V	180pF @ 15V、120pF @ 15V	500mW（Ta）	150°C	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	UF6
	US6M1TR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥265.72 /個	1個以上￥292.29 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	30V、20V	1.4A、1A	240ミリオーム @ 1.4A、10V	2.5V @ 1mA	2nC @ 5V	70pF @ 10V	1W	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	TUMT6
	SSM5P15FU,LF	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥100.00 /個	1個以上￥110.00 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	30V	100mA（Ta）	12オーム @ 10mA、4V	1.7V @ 100µA	-	9.1pF @ 3V	200mW（Ta）	150°C	-	-	面実装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	USV
	SQ4946CEY-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥387.15 /個	1個以上￥425.86 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	7A（Tc）	40ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 250µA	22nC @ 10V	865pF @ 25V	4W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	SI4946CDY-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥341.43 /個	1個以上￥375.57 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	5.2A（Ta）、6.1A（Tc）	40.9ミリオーム @ 5.2A、10V	3V @ 250µA	10nC @ 10V	350pF @ 30V	2W（Ta）、2.8W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	SI4946CDY-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥341.43 /個	1個以上￥375.57 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	5.2A（Ta）、6.1A（Tc）	40.9ミリオーム @ 5.2A、10V	3V @ 250µA	10nC @ 10V	350pF @ 30V	2W（Ta）、2.8W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	GCMX3P5B120S3B1-N	SemiQ	A(DigiKey)	1個以上￥28,025.00 /個	1個以上￥30,827.50 /個		★	確認する		確認する	箱	QSiC™	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	428A（Tc）	5ミリオーム @ 200A、18V	4V @ 80mA	1070nC @ 18V	26900pF @ 800V	1250W（Tc）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	SSM6L35FU(TE85L,F)	東芝	A(DigiKey)	3000個以上￥18.47 /個	3000個以上￥20.31 /個		★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	ロジックレベルゲート、1.2V駆動	20V	180mA、100mA	3オーム @ 50mA、4V	1V @ 1mA	-	9.5pF @ 3V	200mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	US6
	BSS138AKRA-QZ	NEXPERIA	A(DigiKey)			販売終了	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	320mA（Ta）	2.9オーム @ 100mA、10V	1.5V @ 250µA	315pC @ 10V	9pF @ 30V	420mW （Ta）、5W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	6-XFDFN露出パッド	DFN1412-6
	QS6J1TR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥254.29 /個	1個以上￥279.71 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	1.5A	215ミリオーム @ 1.5A、4.5V	2V @ 1mA	3nC @ 4.5V	270pF @ 10V	1.25W	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	TSMT6（SC-95）
	SSM6L820R,LF	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥210.00 /個	1個以上￥231.00 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V、20V	4A（Ta）	39.1ミリオーム @ 2A、4.5V、45ミリオーム @ 3.5A、10V	1V @ 1mA、1.2V @ 1mA	3.2nC @ 4.5V、6.7nC @ 4.5V	310pF @ 15V、480pF @ 10V	1.4W（Ta）	150°C	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	6-TSOP-F
	SIL2308-TP	MCC (Micro Commercial Components)	A(DigiKey)	1個以上￥128.58 /個	1個以上￥141.43 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	20V	5A、4A	38ミリオーム @ 4.5A、4.5V、90ミリオーム @ 500mA、4.5V	1V @ 250µA	11nC @ 4.5V、12nC @ 2.5V	800pF、405pF @ 8V、10V	-	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6	SOT-23-6L
	BSS138PS,115	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥78.58 /個	1個以上￥86.43 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchMOS™	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	60V	320mA	1.6オーム @ 300mA、10V	1.5V @ 250µA	0.8nC @ 4.5V	50pF @ 10V	420mW	150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	6-TSSOP
	AO4629	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	1個以上￥190.00 /個	1個以上￥209.00 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル、コモンドレイン	論理レベルゲート	30V	6A、5.5A	30ミリオーム @ 6A、10V	2.4V @ 250µA	6.3nC @ 10V	310pF @ 15V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	CCB032M12FM3T	Wolfspeed	A(DigiKey)	1個以上￥23,776.14 /個	1個以上￥26,153.75 /個		★	確認する		確認する	箱	WolfPACK™	シリコンカーバイド（SiC）	6Nチャンネル（3相ブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	40A（Tj）	42.6ミリオーム @ 30A、15V	3.6V @ 11.5mA	118nC @ 15V	3400pF @ 800V	-	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	モジュール
	PSMN014-40HLDX	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥445.72 /個	1個以上￥490.29 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	40V	42A（Ta）	13.6ミリオーム @ 10A、10V	2.2V @ 1mA	19.4nC @ 10V	1160pF @ 25V	46W（Ta）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	DMC3026LSD-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	2500個以上￥52.50 /個	2500個以上￥57.75 /個		★	確認する	2,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネルコンプリメンタリ	-	30V	8.2A（Ta）、8A（Ta）	25ミリオーム @ 6A、10V、28ミリオーム @ 6A、10V	3V @ 250µA	6nC @ 4.5V、10.9nC @ 4.5V	641pF @ 15V、1241pF @ 15V	1.6W	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	CSD87501L	TEXAS INSTRUMENTS	A(DigiKey)	1個以上￥200.00 /個	1個以上￥220.00 /個		★	確認する		確認する	Digi-Reel®	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	-	-	-	2.3V @ 250µA	40nC @ 10V	-	2.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	10-XFLGA	10-Picostar（3.37x1.47）
	FDPC8011S	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥1,106.85 /個	1個以上￥1,217.53 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）非対称	-	25V	13A（Ta）、20A（Tc）、27A（Ta）、60A（Tc）	6ミリオーム @ 13A、10V、1.8ミリオーム @ 27A、10V	2.2V @ 250µA、2.2V @ 1mA	19nC @ 10V、64nC @ 10V	1240pF @ 13V、4335pF @ 13V	800mW（Ta）、900mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerWDFN	Powerclip-33
	FDMC7200	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥272.86 /個	1個以上￥300.14 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	6A、8A	23.5ミリオーム @ 6A、10V	3V @ 250µA	10nC @ 10V	660pF @ 15V	700mW、900mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerWDFN	8-Power33（3x3）
	FDMC7200S	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥341.43 /個	1個以上￥375.57 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	7A、13A	22ミリオーム @ 6A、10V	3V @ 250µA	10nC @ 10V	660pF @ 15V	700mW、1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerWDFN	8-Power33（3x3）
	HS8K11TB	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥237.15 /個	1個以上￥260.86 /個		★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	7A、 11A	17.9ミリオーム @ 7A、10V	2.5V @ 1mA	11.1nC @ 10V	500pF @ 15V	2W	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-UDFN露出パッド	HSML3030L10
	FF2000UXTR33T2M1BPSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥988,477.66 /個	1個以上￥1,087,325.42 /個		★	確認する		確認する	箱	CoolSiC™, XHP™2	SiCFET（炭化ケイ素）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	3300V（3.3kV）	925A（Tc）	2.4ミリオーム @ 1000A、15V	5.55V @ 900mA	5000nC @ 15V	203000pF @ 1800V	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-XHP2K33
	NXH010P120MNF1PTG	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥24,855.69 /個	1個以上￥27,341.25 /個		★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2	-	1200V（1.2kV）	114A（Tc）	14ミリオーム @ 100A、20V	4.3V @ 40mA	454nC @ 20V	4707pF @ 800V	250W（Tj）	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
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1 ～ 100 件 / 全 9,803 件

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1

【SSM6N40TU,LF】MOSFET 2N-CH 30V 1.6A UF6

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、4V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：122ミリオーム @ 1A、10V・Id印加時の

￥151.43 税込￥166.57
2

【TC6320TG-G】MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC

Microchip

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7オーム @ 1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V @ 1mA・Vgs印加時の

￥430.00 税込￥473.00
3

【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @

￥200.00 税込￥220.00
4

【AOSD21307】MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @

￥358.58 税込￥394.43
5

【AO4614B】MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V

￥242.86 税込￥267.14
6

【DMG1029SV-7】MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA、360mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.7オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）

￥147.15 税込￥161.86
7

【SSM6N17FU(TE85L,F)】MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20オーム @ 10mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.5

￥112.86 税込￥124.14
8

【NX6020CAKSX】MOSFET N/P-CH 60V 0.17A 6TSSOP

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V、50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：170mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.5オーム @ 100mA、10V、7.5オーム @ 100mA、10V

￥82.86 税込￥91.14
9

【NP16N06QLK-E1-AY】MOSFET 2N-CH 60V 16A 8HSON

ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)

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最小2,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：39ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V

￥162.70 税込￥178.97
10

【SSM6L35FU(TE85L,F)】MOSFET N/P-CH 20V 0.18A US6

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：180mA、100mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3オーム @ 50mA、4V・Id印加時のVg

￥114.29 税込￥125.71
11

【SSM6L35FE,LM】MOSFET N/P-CH 20V 0.18A ES6

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：180mA、100mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3オーム @ 50mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥87.15 税込￥95.86
12

【AO4614B】MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC [digi-reel品]

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V @

￥242.86 税込￥267.14
13

【IAUCN04S7L025AHATMA1】MOSFET_(20V 40V) [digi-reel品]

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 7・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100A（Tj）、65A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.56ミリオーム @ 50A、10V、5.

￥327.15 税込￥359.86
14

【HP8KE6TB1】MOSFET 2N-CH 100V 6A 8HSOP

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）、17A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：54ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th）（

￥562.50 税込￥618.75
15

【SI4900DY-T1-E3】MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：58ミリオーム @ 4.3A、10V・Id印加時のVg

￥452.86 税込￥498.14
16

【2N7002AKS-QX】MOS DISCRETES

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：220mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3オーム @ 100mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.6V @ 25

￥60.00 税込￥66.00
17

【SSM6N7002BFE,LM】MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.1オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最

￥70.00 税込￥77.00
18

【TPC8207(TE12L)】MOSFET 2N-CH 20V 6A 8SOP [digi-reel品]

東芝

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 4.8A、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.
19

【FDS8958A】MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP

UMW

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A（Ta）、5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 7A、10V、52ミリオーム @ 5A、10V・Id印

￥207.15 税込￥227.86
20

【NX5020UNBKSX】NX5020UNBKS/SOT363/SC-88

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA（Ta）、480mA（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.8オーム @ 300mA、10V・Id印加時のVg

￥71.43 税込￥78.57
21

【NTJD4158CT1G】MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88 [digi-reel品]

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250mA、880mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @ 10mA、4.5V・Id印加時のVgs（

￥108.58 税込￥119.43
22

【NTJD4158CT1G】MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250mA、880mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @ 10mA、4.5V・Id印加時のVgs

￥108.58 税込￥119.43
23

【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

TEXAS INSTRUMENTS

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @

￥68.40 税込￥75.24
24

【SI4900DY-T1-E3】MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：58ミリオーム @ 4.3A、10V・Id印加時のV

￥452.86 税込￥498.14
25

【AOE6930】MOSFET 2N-CH 30V 22A 8DFN [digi-reel品]

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：AlphaMOS・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：22A（Tc）、 85A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.3ミリオーム @ 20A、 10V、

￥784.73 税込￥863.20
26

【QH8KC5TCR】MOSFET 2N-CH 60V 3A TSMT8

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：90ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V

￥304.29 税込￥334.71
27

【US6K1TR】MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：240ミリオーム @ 1.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（

￥244.29 税込￥268.71
28

【BUK9K31-100LX】BUK9K31-100L/SOT1205/LFPAK56D [digi-reel品]

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：24A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：31.7ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）

￥520.00 税込￥572.00
29

【DMC31D5UDJ-7】MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963

Diodes Incorporated

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最小10,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：220mA、200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @ 100mA、4.5V・Id印加時のVgs（th

￥27.97 税込￥30.76
30

【EM6K6T2R】MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1オーム @ 300mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1

￥157.15 税込￥172.86
31

【DMC31D5UDJ-7】MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963 [digi-reel品]

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：220mA、200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @ 100mA、4.5V・Id印加時のVgs（th）

￥185.72 税込￥204.29
32

【VT6M1T2CR】MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.5オーム @ 100mA、4.5V・Id印加時のVgs
33

【EM6K31T2R】MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6

ROHM

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最小8,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4オーム @ 250mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最

￥30.55 税込￥33.60
34

【EM6K31GT2R】MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、2.5V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4オーム @ 250mA、10V・Id印加時の

￥125.72 税込￥138.29
35

【BSS138DW-7-F】MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.5オーム @ 220mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最

￥87.15 税込￥95.86
36

【IRF8915】MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8SO

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最小95個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8.9A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18.3ミリオーム @ 8.9A、10V・Id印加時のVgs（th）（最

￥449.95 税込￥494.94
37

【BUK9K31-100LX】BUK9K31-100L/SOT1205/LFPAK56D

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：24A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：31.7ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th

￥520.00 税込￥572.00
38

【QS8J2TR】MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.5V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：36ミリオーム @ 4A、4.5V・Id印加時のVgs（th

￥375.72 税込￥413.29
39

【SH8KC6TB1】MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 6.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.

￥382.86 税込￥421.14
40

【AO4614B】MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V

￥43.91 税込￥48.30
41

【UT6ME5TCR】MOSFET N/P-CH 100V 2A HUML2020L8 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A（Ta）、1A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：207ミリオーム @ 2A、10V、840ミリオーム @ 1A、10V・I

￥114.29 税込￥125.71
42

【UM6K33NTN】MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6

ROHM

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.2オーム @ 200mA、4.5V・Id印加時

￥16.45 税込￥18.09
43

【UM6K33NTN】MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.2オーム @ 200mA、4.5V・Id印加時

￥101.43 税込￥111.57
44

【SH8MA2GZETB】MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 4.5A、10V、82ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時

￥284.29 税込￥312.71
45

【FS03MR12A6MA1BBPSA1】MOSFET 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：HybridPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6Nチャンネル（3相ブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：400A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.7ミリオーム @ 400A、15V・Id印加時

￥354,290.43 税込￥389,719.47
46

【SH8KC7TB1】MOSFET 2N-CH 60V 10.5A 8SOP

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12.4ミリオーム @ 10.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最

￥567.15 税込￥623.86
47

【PJQ5948-AU_R2_002A1】デュアルNchエンハンスメントモードMOSFET(40V/10.6A)

PANJIT

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10.6A（Ta）、37A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12.3ミリオーム @ 10A、10V・Id

￥56.76 税込￥62.43
48

【SH8KA7GZETB】MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SOP [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.3ミリオーム @ 15A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5

￥673.62 税込￥740.98
49

【SH8KA7GZETB】MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SOP

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.3ミリオーム @ 15A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.

￥673.62 税込￥740.98
50

【SQ4946CEY-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）

￥387.15 税込￥425.86
51

【2N7002DW】60V 115MA 7.5@10V,500MA 200MW 2.

-

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥45.72 税込￥50.29
52

【ALD212900APAL】MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8PDIP

Advanced Linear Devices Inc

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：EPAD®, Zero Threshold™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Nチャンネル（デュアル）整合ペア・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：10.6V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：80mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14オーム・Id印加時のVgs（

￥2,147.06 税込￥2,361.76
53

【VS-MPX075P120】POWER MODULE, THREE PHASE INVERT

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャンネル（3相インバータ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：22A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：97.5ミリオーム @ 20A、15V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3.

￥16,462.07 税込￥18,108.27
54

【SSM6N17FU(TE85L,F)】MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6

東芝

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20オーム @ 10mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.5

￥17.04 税込￥18.74
55

【SI9945CDY-T1-GE3】DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSF

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.9A（Ta）、7.9A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（

￥255.72 税込￥281.29
56

【FS28MR12W1M1HB11HPSA1】EASYPACK MODULE WITH COOLSIC TRE

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：EasyPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：26.4ミリオーム @ 30A、18V・Id印加時のVgs（th）（最大）：5.

￥18,750.58 税込￥20,625.63
57

【SSM6L35FU(TE85L,F)】MOSFET N/P-CH 20V 0.18A US6 [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：180mA、100mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3オーム @ 50mA、4V・Id印加時のVgs

￥114.29 税込￥125.71
58

【SSM6P41FE(TE85L,F)】MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6 [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：720mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：300ミリオーム @ 400mA、4.5V・Id印加時のVgs（th）（

￥150.00 税込￥165.00
59

【NVJD5121NT1G】MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：295mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V

￥104.29 税込￥114.71
60

【ALD110900APAL】MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP

Advanced Linear Devices Inc

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：EPAD®, Zero Threshold™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Nチャンネル（デュアル）整合ペア・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：10.6V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500オーム @ 4V・Id印加時のVgs（th）（

￥2,280.00 税込￥2,508.00
61

【QH8JA1TCR】MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：-・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：38ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.2V @ 1mA・Vgs印加時のゲート電

￥355.72 税込￥391.29
62

【AO4629】MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル、コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、5.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（t

￥190.00 税込￥209.00
63

【BUK7K3R7-40NX】BUK7K3R7-40N/SOT1205/LFPAK56D

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：105A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.7ミリオーム @ 25A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3

￥562.86 税込￥619.14
64

【SH8KC7TB1】MOSFET 2N-CH 60V 10.5A 8SOP [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12.4ミリオーム @ 10.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥567.15 税込￥623.86
65

【DMP6111SSD-13】MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2

Diodes Incorporated

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最小2,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.8A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：115ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V

￥42.28 税込￥46.50
66

【DMG1029SV-7】MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563 [digi-reel品]

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA、360mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.7オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（

￥147.15 税込￥161.86
67

【UM6K33NTN】MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.2オーム @ 200mA、4.5V・Id印加時の

￥101.43 税込￥111.57
68

【BSS138PS】MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT23-6

EVVO Semi

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2オーム @ 300mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.

￥54.29 税込￥59.71
69

【SIZ270DT-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET® Gen IV・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.1A（Ta）、19.5A（Tc）、6.9A（Ta）、19.1A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds

￥531.43 税込￥584.57
70

【EM6M2T2R】MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1オーム @ 200mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @

￥200.00 税込￥220.00
71

【SI8916EDB-T6-E1】COMMON DRAIN DUAL N-CH 20V (S1-S

VISHAY

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時のVg

￥16.73 税込￥18.40
72

【IRF7319TRPBF】MOSFET N/P-CH 30V 8SO [digi-reel品]

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：29ミリオーム @ 5.8A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @ 25

￥430.00 税込￥473.00
73

【QS8J2TR】MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8

ROHM

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.5V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：36ミリオーム @ 4A、4.5V・Id印加時のVgs（t

￥68.53 税込￥75.38
74

【EM6K31T2R】MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4オーム @ 250mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最

￥197.15 税込￥216.86
75

【DMP2075UFDB-7】MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.8A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 2.9A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1

￥182.86 税込￥201.14
76

【FF6MR12KM1HHPSA1】CoolSiC MOSFETハーフブリッジパワーモジュール(1200V)

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-

￥32,684.95 税込￥35,953.44
77

【SSM6L40TU,LF】MOSFET N/P-CH 30V 1.6A UF6

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：ロジックレベルゲート、4V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.6A（Ta）、1.4A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：122ミリオーム @ 1A、10V、2

￥161.43 税込￥177.57
78

【US6M1TR】MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.4A TUMT6

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.4A、1A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：240ミリオーム @ 1.4A、10V・Id印加時のVgs（th

￥265.72 税込￥292.29
79

【SSM5P15FU,LF】MOSFET 2P-CH 30V 0.1A USV

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12オーム @ 10mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.7V

￥100.00 税込￥110.00
80

【SQ4946CEY-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th

￥387.15 税込￥425.86
81

【SI4946CDY-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 60V 5.2A 8SO [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.2A（Ta）、6.1A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40.9ミリオーム @ 5.2A、10V・

￥341.43 税込￥375.57
82

【SI4946CDY-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 60V 5.2A 8SO

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.2A（Ta）、6.1A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40.9ミリオーム @ 5.2A、10V

￥341.43 税込￥375.57
83

【GCMX3P5B120S3B1-N】GEN3 1200V 3.6M SIC 62MM HALF BR

SemiQ

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：QSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：428A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5ミリオーム @ 200A、18V・Id印加時のVgs（th）

￥28,025.00 税込￥30,827.50
84

【SSM6L35FU(TE85L,F)】MOSFET N/P-CH 20V 0.18A US6

東芝

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：180mA、100mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3オーム @ 50mA、4V・Id印加時のVg

￥18.47 税込￥20.31
85

【BSS138AKRA-QZ】MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6DFN

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：320mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.9オーム @ 100mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：
86

【QS6J1TR】MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：215ミリオーム @ 1.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥254.29 税込￥279.71
87

【SSM6L820R,LF】MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：39.1ミリオーム @ 2A、4.5V、45ミリオーム @ 3.5A、10V・Id

￥210.00 税込￥231.00
88

【SIL2308-TP】MOSFET N/P-CH 20V 5A/4A SOT23-6L

MCC (Micro Commercial Components)

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A、4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：38ミリオーム @ 4.5A、4.5V、90ミリオーム @ 500mA、4.5V・Id印加

￥128.58 税込￥141.43
89

【BSS138PS,115】MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP [digi-reel品]

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：320mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 300mA、10V・Id印加時のV

￥78.58 税込￥86.43
90

【AO4629】MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC [digi-reel品]

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル、コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、5.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th

￥190.00 税込￥209.00
91

【CCB032M12FM3T】SiCハーフブリッジ電源モジュール(1200V/40A)

Wolfspeed

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：WolfPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6Nチャンネル（3相ブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：40A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：42.6ミリオーム @ 30A、15V・Id印加時のVgs（

￥23,776.14 税込￥26,153.75
92

【PSMN014-40HLDX】LFPAK56D デュアルパワーMOSFET(40V/42A)

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（th

￥445.72 税込￥490.29
93

【DMC3026LSD-13】MOSFET N/P-CH 30V 8.2A 8SO

Diodes Incorporated

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最小2,500個から購入可能

商品説明

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネルコンプリメンタリ・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8.2A（Ta）、8A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオーム @ 6A、10V、28ミリオーム @

￥52.50 税込￥57.75
94

【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR [digi-reel品]

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @ 2

￥200.00 税込￥220.00
95

【FDPC8011S】MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：25V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：13A（Ta）、20A（Tc）、27A（Ta）、60A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6

￥1,106.85 税込￥1,217.53
96

【FDMC7200】MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23.5ミリオーム @ 6A、10V・Id印加

￥272.86 税込￥300.14
97

【FDMC7200S】MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A、13A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時

￥341.43 税込￥375.57
98

【HS8K11TB】MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A、 11A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17.9ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs（th）

￥237.15 税込￥260.86
99

【FF2000UXTR33T2M1BPSA1】MOSFET 2N-CH 3300V 9AG-XHP2K33

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：CoolSiC™, XHP™2・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：3300V（3.3kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：925A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4ミリオーム @ 1000A、15V・I

￥988,477.66 税込￥1,087,325.42
100

【NXH010P120MNF1PTG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（

￥24,855.69 税込￥27,341.25

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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイの定格表 該当製品数: 9,803 / 9,803 件

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