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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイの定格表該当製品数: 9,768 / 9,768 件

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ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

Id印加時のVgs（th）（最大）

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

電力 - 最大

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認定

取り付けタイプ

パッケージ/ケース

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写真	型番	メーカー	品質ランク	単価 (税抜)	単価 (税込)		在庫数量	最少購入数	納期	パッケージ	シリーズ	技術	構成	FET機能	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	電力 - 最大	動作温度	グレード	認定	取り付けタイプ	パッケージ/ケース	サプライヤデバイスパッケージ
	US6M2TR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥241.43 /個	1個以上￥265.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V、20V	1.5A、1A	240ミリオーム @ 1.5A、4.5V	1.5V @ 1mA	2.2nC @ 4.5V	80pF @ 10V	1W	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	TUMT6
	SI7288DP-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥474.29 /個	1個以上￥521.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	20A	19ミリオーム @ 10A、10V	2.8V @ 250µA	15nC @ 10V	565pF @ 20V	15.6W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	IRF7103TRPBFXTMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥257.15 /個	1個以上￥282.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	50V	3A（Ta）	130ミリオーム @ 3A、10V	3V @ 250µA	30nC @ 10V	290pF @ 25V	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-902
	IRF7342TRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥401.43 /個	1個以上￥441.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	55V	3.4A	105ミリオーム @ 3.4A、10V	1V @ 250µA	38nC @ 10V	690pF @ 25V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	SSM6N62TU,LF	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥154.29 /個	1個以上￥169.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、1.2V駆動	20V	800mA（Ta）	85ミリオーム @ 800mA、4.5V	1V @ 1mA	2nC @ 4.5V	177pF @ 10V	500mW（Ta）	150°C	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	UF6
	SI4943CDY-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥560.00 /個	1個以上￥616.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	8A	19.2ミリオーム @ 8.3A、10V	3V @ 250µA	62nC @ 10V	1945pF @ 10V	3.1W	-50°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	SSM6N40TU,LF	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥137.15 /個	1個以上￥150.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、4V駆動	30V	1.6A（Ta）	122ミリオーム @ 1A、10V	2.6V @ 1mA	5.1nC @ 10V	180pF @ 15V	500mW（Ta）	150°C	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	UF6
	ADP46075W3	STマイクロエレクトロニクス	A(DigiKey)	1個以上￥149,511.71 /個	1個以上￥164,462.88 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	6 Nチャネル	-	750V	485A（Tj）	2.05ミリオーム @ 460A、18V	4.4V @ 40mA	984nC @ 18V	27050pF @ 400V	704W（Tj）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	ACEPACK
	IRF7507TRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥258.58 /個	1個以上￥284.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	20V	2.4A、1.7A	140ミリオーム @ 1.7A、4.5V	700mV @ 250µA	8nC @ 4.5V	260pF @ 15V	1.25W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-TSSOP、8-MSOP（幅0.118インチ、3.00mm）	Micro8™
	ALD110902PAL	Advanced Linear Devices Inc	A(DigiKey)	50個以上￥717.68 /個	50個以上￥789.44 /個	★	確認する	50 個	確認する	チューブ	EPAD®	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	10.6V	-	500オーム @ 4.2V	220mV @ 1µA	-	2.5pF @ 5V	500mW	0°C～70°C（TJ）	-	-	スルーホール	8-DIP（0.300インチ、7.62mm）	8-PDIP
	SQJ914EP-T1_BE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥424.29 /個	1個以上￥466.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	30A（Tc）	12ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 250µA	25nC @ 10V	1110pF @ 15V	27W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	ALD110802PCL	Advanced Linear Devices Inc	A(DigiKey)	50個以上￥863.28 /個	50個以上￥949.60 /個	★	確認する	50 個	確認する	チューブ	EPAD®	MOSFET（金属酸化物）	4Nチャンネル、整合ペア	-	10.6V	-	500オーム @ 4.2V	220mV @ 1µA	-	2.5pF @ 5V	500mW	0°C～70°C（TJ）	-	-	スルーホール	16-DIP（0.300インチ、7.62mm）	16-PDIP
	QS5K2TR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥218.58 /個	1個以上￥240.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2	論理レベルゲート	30V	2A	100ミリオーム @ 2A、4.5V	1.5V @ 1mA	3.9nC @ 4.5V	175pF @ 10V	1.25W	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-5薄型、TSOT-23-5	TSMT5
	SQJ914EP-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥424.29 /個	1個以上￥466.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	30A（Tc）	12ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 250µA	25nC @ 10V	1110pF @ 15V	27W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	SI4943CDY-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	2500個以上￥122.40 /個	2500個以上￥134.64 /個	★	確認する	2,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	8A	19.2ミリオーム @ 8.3A、10V	3V @ 250µA	62nC @ 10V	1945pF @ 10V	3.1W	-50°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	UMWIRF7319TR	UMW	A(DigiKey)	1個以上￥258.58 /個	1個以上￥284.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	6.5A（Ta）、4.9A（Tc）	31ミリオーム @ 5.8A、10V、60ミリオーム @ 4.9A、10V	1V @ 250µA	33nC @ 10V、34nC @ 10V	650pF @ 25V、710pF @ 25V	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	SSM6N62TU,LXHF	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥162.86 /個	1個以上￥179.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、1.2V駆動	20V	800mA（Ta）	85ミリオーム @ 800mA、4.5V	1V @ 1mA	2nC @ 4.5V	177pF @ 10V	500mW（Ta）	150°C	自動車	AEC-Q101	面実装	6-SMD、フラットリード	UF6
	FF55MR12W1M1HB11BPSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥6,965.52 /個	1個以上￥7,662.07 /個	★	確認する		確認する	トレイ	CoolSiC™	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	15A（Tj）	52.9ミリオーム @ 15A、18V	5.15V @ 6mA	45nC @ 18V	1350pF @ 800V	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	MSCSM70AM10T3AG	Microchip	A(DigiKey)	1個以上￥26,896.60 /個	1個以上￥29,586.26 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	シリコンカーバイド（SiC）	2Nチャンネル（位相レッグ）	-	700V	241A（Tc）	9.5ミリオーム @ 80A、20V	2.4V @ 8mA	430nC @ 20V	9000pF @ 700V	690W（Tc）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	SQ4917CEY-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥424.29 /個	1個以上￥466.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	60V	8A（Tc）	48ミリオーム @ 4.3A、10V	2.5V @ 250µA	65nC @ 10V	1910pF @ 30V	5W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	ZXMP6A16DN8QTA	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥468.58 /個	1個以上￥515.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	60V	2.9A	85ミリオーム @ 2.9A、10V	1V @ 250µA（最小）	24.2nC @ 10V	1021pF @ 30V	1.81W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	DI4A7P06SQ2	Diotec Semiconductor	A(DigiKey)	1個以上￥284.29 /個	1個以上￥312.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	60V	4.7A（Ta）	75ミリオーム @ 5A、10V	2.3V @ 250µA	8.5nC @ 10V	525pF @ 30V	3W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	DMPH6050SSDQ-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥311.43 /個	1個以上￥342.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	60V	5.2A（Ta）	48ミリオーム @ 5A、10V	3V @ 250µA	14.5nC @ 4.5V	1525pF @ 30V	2W（Ta）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	PSMN014-40HLDX	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥462.86 /個	1個以上￥509.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	40V	42A（Ta）	13.6ミリオーム @ 10A、10V	2.2V @ 1mA	19.4nC @ 10V	1160pF @ 25V	46W（Ta）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	SQ4961EY-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥502.86 /個	1個以上￥553.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	60V	4.4A（Tc）	85ミリオーム @ 3.5A、10V	2.5V @ 250µA	40nC @ 10V	1140pF @ 25V	3.3W	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	SSM6N62TU,LXHF	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥162.86 /個	1個以上￥179.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、1.2V駆動	20V	800mA（Ta）	85ミリオーム @ 800mA、4.5V	1V @ 1mA	2nC @ 4.5V	177pF @ 10V	500mW（Ta）	150°C	自動車	AEC-Q101	面実装	6-SMD、フラットリード	UF6
	SSM6N57NU,LF	東芝	A(DigiKey)	3000個以上￥23.16 /個	3000個以上￥25.47 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	4A	46ミリオーム @ 2A、4.5V	1V @ 1mA	4nC @ 4.5V	310pF @ 10V	1W	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-WDFN露出パッド	6-µDFN（2x2）
	US6M2TR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥241.43 /個	1個以上￥265.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V、20V	1.5A、1A	240ミリオーム @ 1.5A、4.5V	1.5V @ 1mA	2.2nC @ 4.5V	80pF @ 10V	1W	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	TUMT6
	US6M2TR	ROHM	A(DigiKey)	3000個以上￥44.24 /個	3000個以上￥48.66 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V、20V	1.5A、1A	240ミリオーム @ 1.5A、4.5V	1.5V @ 1mA	2.2nC @ 4.5V	80pF @ 10V	1W	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	TUMT6
	IRF7103TRPBFXTMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥257.15 /個	1個以上￥282.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	50V	3A（Ta）	130ミリオーム @ 3A、10V	3V @ 250µA	30nC @ 10V	290pF @ 25V	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-902
	IRF7342TRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥401.43 /個	1個以上￥441.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	55V	3.4A	105ミリオーム @ 3.4A、10V	1V @ 250µA	38nC @ 10V	690pF @ 25V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	MSCM20XM10T3XG	Microchip	A(DigiKey)	1個以上￥33,308.61 /個	1個以上￥36,639.47 /個	★	確認する		確認する	バルク	-	MOSFET（金属酸化物）	6Nチャンネル（3相ブリッジ）	-	200V	108A（Tc）	9.7ミリオーム @ 81A、10V	5V @ 250µA	161nC @ 10V	10700pF @ 50V	341W（Tc）	-40°C～125°C（Tc）	-	-	シャーシマウント	モジュール	SP3X
	SSM6P39TU,LF	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥137.15 /個	1個以上￥150.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、1.8V駆動	20V	1.5A（Ta）	213ミリオーム @ 1A、4V	1V @ 1mA	6.4nC @ 4V	250pF @ 10V	500mW（Ta）	150°C	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	UF6
	SH8MA3TB1	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥335.72 /個	1個以上￥369.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	7A（Ta）、6A（Ta）	28ミリオーム @ 7A、10V、50ミリオーム @ 6A、10V	2.5V @ 1mA	7.2nC @ 10V、10nC @ 10V	300pF @ 15V、480pF @ 15V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	AO4812	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	3000個以上￥29.30 /個	3000個以上￥32.23 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	6A	30ミリオーム @ 6A、10V	2.4V @ 250µA	6.3nC @ 10V	310pF @ 15V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	LN60A01ES-LF	Monolithic Power Systems Inc.	A(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	-	MOSFET（金属酸化物）	3Nチャンネル、共通ゲート	-	600V	80mA	190オーム @ 10mA、10V	1.2V @ 250µA	-	-	1.3W	-20°C～125°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	UM6K1NTN	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥121.43 /個	1個以上￥133.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	100mA	8オーム @ 10mA、4V	1.5V @ 100µA	-	13pF @ 5V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	UMT6
	IRF7319TRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥397.15 /個	1個以上￥436.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	-	29ミリオーム @ 5.8A、10V	1V @ 250µA	33nC @ 10V	650pF @ 25V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	SMA5117	サンケン電気	A(DigiKey)	1080個以上￥1,813.37 /個	1080個以上￥1,994.70 /個	★	確認する	1,080 個	確認する	チューブ	-	MOSFET（金属酸化物）	6Nチャンネル（3相ブリッジ）	-	250V	7A	250ミリオーム@ 3.5A、10V	4V @ 1mA	-	850pF @ 10V	4W	150°C（TJ）	-	-	スルーホール	12-SIP	12-SIP
	HP8S36TB	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥507.15 /個	1個以上￥557.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	-	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	30V	27A、80A	2.4ミリオーム @ 32A、10V	2.5V @ 1mA	47nC @ 4.5V	6100pF @ 15V	29W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerTDFN	8-HSOP
	SQJ200EP-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥401.43 /個	1個以上￥441.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	20V	20A、60A	8.8ミリオーム @ 16A、10V	2V @ 250µA	18nC @ 10V	975pF @ 10V	27W、48W	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル非対称
	DMP3036SSD-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥277.15 /個	1個以上￥304.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	18.0A（Tc）	20ミリオーム @ 9A、10V	3V @ 250µA	16.5nC @ 10V	1931pF @ 15V	1.2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	DMP3036SSD-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥277.15 /個	1個以上￥304.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	18.0A（Tc）	20ミリオーム @ 9A、10V	3V @ 250µA	16.5nC @ 10V	1931pF @ 15V	1.2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	CSD87501L	TEXAS INSTRUMENTS	A(DigiKey)	1個以上￥185.72 /個	1個以上￥204.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	-	-	-	2.3V @ 250µA	40nC @ 10V	-	2.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	10-XFLGA	10-Picostar（3.37x1.47）
	FDC6401N	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥238.58 /個	1個以上￥262.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	20V	3A	70ミリオーム @ 3A、4.5V	1.5V @ 250µA	4.6nC @ 4.5V	324pF @ 10V	700mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SuperSOT™-6
	AOSD21311C	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	3000個以上￥37.79 /個	3000個以上￥41.56 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	30V	5A（Ta）	42ミリオーム @ 5A、10V	2.2V @ 250µA	23nC @ 10V	720pF @ 15V	1.7W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	AOSD21311C	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	1個以上￥241.43 /個	1個以上￥265.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	30V	5A（Ta）	42ミリオーム @ 5A、10V	2.2V @ 250µA	23nC @ 10V	720pF @ 15V	1.7W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	IRF7306TRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥328.58 /個	1個以上￥361.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	3.6A	100ミリオーム @ 1.8A、10V	1V @ 250µA	25nC @ 10V	440pF @ 25V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	IRF7306TRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥328.58 /個	1個以上￥361.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	3.6A	100ミリオーム @ 1.8A、10V	1V @ 250µA	25nC @ 10V	440pF @ 25V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	FDMS3615S	オンセミコンダクター	A(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	テープ＆リール（TR）	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）非対称	論理レベルゲート	25V	16A、18A	5.8ミリオーム @ 16A、10V	2.5V @ 250µA	27nC @ 10V	1765pF @ 13V	1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerTDFN	Power56
	SQJ914EP-T1_BE3	VISHAY	A(DigiKey)	3000個以上￥86.36 /個	3000個以上￥94.99 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	30A（Tc）	12ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 250µA	25nC @ 10V	1110pF @ 15V	27W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	SQJ914EP-T1_BE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥424.29 /個	1個以上￥466.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	30A（Tc）	12ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 250µA	25nC @ 10V	1110pF @ 15V	27W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	DMP6110SSD-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥227.15 /個	1個以上￥249.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	60V	3.3A	105ミリオーム @ 4.5A、10V	3V @ 250µA	17.2nC @ 10V	969pF @ 30V	1.2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	FS8205A	EVVO Semi	A(DigiKey)	1個以上￥78.58 /個	1個以上￥86.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル、コモンドレイン	-	20V	6A（Ta）	27ミリオーム @ 6A、4.5V	1.2V @ 250µA	17.6nC @ 4.5V	910pF @ 20V	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6	SOT-23-6
	SQ3585EV-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥744.45 /個	1個以上￥818.89 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	20V	3.57A（Tc）、 2.5A（Tc）	77ミリオーム @ 1A、 4.5V、 166ミリオーム @ 1A、 4.5V	1.5V @ 250µA	2.5nC @ 4.5V、 3.5nC @ 4.5V	-	1.67W	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	6-TSOP
	NXH010P120MNF1PTNG	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥22,208.05 /個	1個以上￥24,428.85 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	1200V（1.2kV）	114A（Tc）	14ミリオーム @ 100A、20V	4.3V @ 40mA	454nC @ 20V	4707pF @ 800V	250W（Tj）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	QH8KB6TCR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥375.72 /個	1個以上￥413.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	8A（Ta）	17.7ミリオーム @ 8A、10V	2.5V @ 1mA	10.6nC @ 10V	530pF @ 20V	1.1W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	QH8KB6TCR	ROHM	A(DigiKey)	3000個以上￥74.92 /個	3000個以上￥82.41 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	8A（Ta）	17.7ミリオーム @ 8A、10V	2.5V @ 1mA	10.6nC @ 10V	530pF @ 20V	1.1W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	M1P45M12W2-1LA	STマイクロエレクトロニクス	A(DigiKey)	1個以上￥10,394.26 /個	1個以上￥11,433.68 /個	★	確認する		確認する	チューブ	ECOPACK®	シリコンカーバイド（SiC）	6 N-Channel（Phase Leg）	-	1200V（1.2kV）	30A（Tc）	60.5ミリオーム @ 20A、18V	5V @ 1mA	100nC @ 18V	2086pF @ 800V	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	32-PowerDIPモジュール（1.264インチ、32.10mm）	ACEPACK DMT-32
	NVMD4N03R2G	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥435.72 /個	1個以上￥479.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	4A	60ミリオーム @ 4A、10V	3V @ 250µA	16nC @ 10V	400pF @ 20V	2W	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	MSCSM120AM16T1AG	Microchip	A(DigiKey)	1個以上￥27,569.32 /個	1個以上￥30,326.25 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	シリコンカーバイド（SiC）	2Nチャンネル（位相レッグ）	-	1200V（1.2kV）	173A（Tc）	16ミリオーム @ 80A、20V	2.8V @ 6mA	464nC @ 20V	6040pF @ 1000V	745W（Tc）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	MSCSM120AM16CT1AG	Microchip	A(DigiKey)	4個以上￥31,675.27 /個	4個以上￥34,842.79 /個	★	確認する	4 個	確認する	チューブ	-	シリコンカーバイド（SiC）	2Nチャンネル（位相レッグ）	-	1200V（1.2kV）	173A（Tc）	16ミリオーム @ 80A、20V	2.8V @ 2mA	464nC @ 20V	6040pF @ 1000V	745W（Tc）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	SP1F
	ZDM4306NTC	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	4000個以上￥123.89 /個	4000個以上￥136.27 /個	★	確認する	4,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	2A	330ミリオーム @ 3A、10V	3V @ 1mA	-	350pF @ 25V	3W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-223-8	SM8
	AW2K21AR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥665.28 /個	1個以上￥731.80 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2個のNチャンネル、コモンソース	-	30V	20A（Ta）	3ミリオーム @ 20A、10V	2V @ 1mA	29nC @ 10V	1350pF @ 10V	1.6W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	22-UFBGA、WLCSP	22-WLCSP（2x2）
	SQJB04ELP-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥341.43 /個	1個以上￥375.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	30A（Tc）	11ミリオーム @ 5A、10V	2.2V @ 250µA	20nC @ 10V	1055pF @ 25V	27W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	UMWIRF7103TR	UMW	A(DigiKey)	1個以上￥238.58 /個	1個以上￥262.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	50V	3A（Ta）	30ミリオーム @ 3A、10V	3V @ 250µA	30nC @ 10V	290pF @ 25V	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	FDMC7208S	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥382.86 /個	1個以上￥421.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	12A、16A	9ミリオーム @ 12A、10V	3V @ 250µA	18nC @ 10V	1130pF @ 15V	800mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerWDFN	8-Power33（3x3）
	FDMC7208S	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥382.86 /個	1個以上￥421.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	12A、16A	9ミリオーム @ 12A、10V	3V @ 250µA	18nC @ 10V	1130pF @ 15V	800mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerWDFN	8-Power33（3x3）
	HP8KF7HTB1	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥843.06 /個	1個以上￥927.36 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	150V	6A（Ta）、18.5A（Tc）	62ミリオーム @ 6A、10V	4V @ 1mA	20nC @ 10V	1100pF @ 75V	3W（Ta）、26W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerTDFN	8-HSOP
	2N7002DWL-TP	MCC (Micro Commercial Components)	A(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	バルク	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	115mA	4.5オーム @ 500mA、10V	2.5V @ 250µA	-	50pF @ 25V	225mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6	SOT-23-6L
	TPCF8402(TE85L,F,M	東芝	A(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	30V	4A、3.2A	50ミリオーム @ 2A、10V	2V @ 1mA	10nC @ 10V	470pF @ 10V	330mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	VS-8（2.9x1.5）
	SISF20DN-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	3000個以上￥113.02 /個	3000個以上￥124.32 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	TrenchFET® Gen IV	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	14A（Ta）、52A（Tc）	13ミリオーム @ 7A、10V	3V @ 250µA	33nC @ 10V	1290pF @ 30V	5.2W（Ta）、69.4W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PowerPAK® 1212-8SCDデュアル	PowerPAK® 1212-8SCDデュアル
	NXH020F120MNF1PTG	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥28,546.60 /個	1個以上￥31,401.26 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	4個のNチャンネル（フルブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	51A（Tc）	30ミリオーム @ 50A、20V	4.3V @ 20mA	213.5nC @ 20V	2420pF @ 800V	119W（Tj）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	22-PIM（33.8x42.5）
	NXH020F120MNF1PG	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥23,707.96 /個	1個以上￥26,078.75 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	4個のNチャンネル（フルブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	51A（Tc）	30ミリオーム @ 50A、20V	4.3V @ 20mA	213.5nC @ 20V	2420pF @ 800V	119W（Tj）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	22-PIM（33.8x42.5）
	F48MR12W2M1HPB76BPSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥29,871.60 /個	1個以上￥32,858.76 /個	★	確認する		確認する	トレイ	EasyPACK™, CoolSiC™	シリコンカーバイド（SiC）	4個のNチャンネル（フルブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	75A	12ミリオーム @ 100A、18V	5.15V @ 40mA	297nC @ 18V	8800pF @ 800V	20mW	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	NXH010P120MNF1PNG	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥23,100.00 /個	1個以上￥25,410.00 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	1200V（1.2kV）	114A（Tc）	14ミリオーム @ 100A、20V	4.3V @ 40mA	454nC @ 20V	4707pF @ 800V	250W（Tj）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	NXH010P120MNF1PTG	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥22,880.69 /個	1個以上￥25,168.75 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2	-	1200V（1.2kV）	114A（Tc）	14ミリオーム @ 100A、20V	4.3V @ 40mA	454nC @ 20V	4707pF @ 800V	250W（Tj）	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	NXH010P120MNF1PG	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥22,880.69 /個	1個以上￥25,168.75 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2	-	1200V（1.2kV）	114A（Tc）	14ミリオーム @ 100A、20V	4.3V @ 40mA	454nC @ 20V	4707pF @ 800V	250W（Tj）	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	NXH008P120M3F1PTG	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥18,285.06 /個	1個以上￥20,113.56 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	145A（Tc）	10.9ミリオーム @ 120A、18V	4.4V @ 60mA	419nC @ 18V	8334pF @ 800V	382W（Tj）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	SQJ958EP-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥375.72 /個	1個以上￥413.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	20A（Tc）	34.9ミリオーム @ 4.5A、 10V	2.5V @ 250µA	23nC @ 10V	1075pF @ 30V	35W	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	TPC8408,LQ(S	東芝	A(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	40V	6.1A、5.3A	32ミリオーム @ 3.1A、10V	2.3V @ 100µA	24nC @ 10V	850pF @ 10V	450mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	AO4614B	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	1個以上￥204.29 /個	1個以上￥224.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	40V	6A、5A	30ミリオーム @ 6A、10V	3V @ 250µA	10.8nC @ 10V	650pF @ 20V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	FDS3992	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥495.72 /個	1個以上￥545.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	100V	4.5A	62ミリオーム @ 4.5A、10V	4V @ 250µA	15nC @ 10V	750pF @ 25V	2.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	IPG20N06S4L11ATMA2	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥537.15 /個	1個以上￥590.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	60V	20A（Tc）	11.2ミリオーム @ 17A、10V	2.2V @ 28µA	53nC @ 10V	4020pF @ 25V	65W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装、濡れ性フランク	8-PowerVDFN	PG-TDSON-8-10
	SP8K32HZGTB	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥518.58 /個	1個以上￥570.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	4.5A（Ta）	65ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 1mA	10nC @ 5V	500pF @ 10V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	SSM6P816R,LF	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥182.86 /個	1個以上￥201.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、1.8V駆動	20V	6A（Ta）	30.1ミリオーム @ 4A、4.5V	1V @ 1mA	16.6nC @ 4.5V	1030pF @ 10V	1.4W（Ta）	150°C	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	6-TSOP-F
	DMG6968UTS-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥181.43 /個	1個以上￥199.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	20V	5.2A	23ミリオーム @ 6.5A、4.5V	950mV @ 250µA	8.8nC @ 4.5V	143pF @ 10V	1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-TSSOP（幅0.173インチ、4.40mm）	8-TSSOP
	NTGD3148NT1G	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥185.72 /個	1個以上￥204.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	3A	70ミリオーム @ 3.5A、4.5V	1.5V @ 250µA	3.8nC @ 4.5V	300pF @ 10V	900mW	-50°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	6-TSOP
	UHB100SC12E1BC3N	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥32,997.73 /個	1個以上￥36,297.50 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	2 Pチャンネル（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	100A（Tc）	12ミリオーム @ 70A、12V	6V @ 40mA	170nC @ 15V	5859pF @ 800V	417W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	モジュール
	HAT2038RJ-EL-E	ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)	A(DigiKey)	2500個以上￥713.82 /個	2500個以上￥785.20 /個	★	確認する	2,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、4V駆動	60V	5A（Ta）	58ミリオーム @ 3A、10V	2.2V @ 1mA	-	520pF @ 10V	3W（Ta）	150°C	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	MG250YD2YMS3(DAE)	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥471,109.58 /個	1個以上￥518,220.53 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	2200V（2.2kV）	250A（Tc）	-	5.5V @ 250mA	-	55000pF @ 1.1kV	2kW（Tc）	150°C	-	-	シャーシマウント	モジュール
	FDC6305N	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥211.43 /個	1個以上￥232.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	20V	2.7A	80ミリオーム @ 2.7A、4.5V	1.5V @ 250µA	5nC @ 4.5V	310pF @ 10V	700mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SuperSOT™-6
	BSS138DW-7-F	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥128.58 /個	1個以上￥141.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	50V	200mA	3.5オーム @ 220mA、10V	1.5V @ 250µA	-	50pF @ 10V	200mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SOT-363
	BSS138DWK-7	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥55.72 /個	1個以上￥61.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	50V	310mA（Ta）	2.6オーム @ 200mA、10V	1.5V @ 250µA	0.8nC @ 10V	22pF @ 25V	330mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SOT-363
	QH8KB6TCR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥375.72 /個	1個以上￥413.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	8A（Ta）	17.7ミリオーム @ 8A、10V	2.5V @ 1mA	10.6nC @ 10V	530pF @ 20V	1.1W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	DMC2991UDR4-7	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥55.72 /個	1個以上￥61.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	20V	500mA（Ta）、360mA（Ta）	990ミリオーム @ 100mA、4.5V、1.9オーム @ 100mA、4.5V	1V @ 250µA	0.28nC @ 4.5V、0.3nC @ 4.5V	14.6pF @ 16V、17pF @ 16V	370mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-XFDFN露出パッド	X2-DFN1010-6（タイプUXC）
	PMCXB900UELZ	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥137.15 /個	1個以上￥150.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネルコンプリメンタリ	-	20V	600mA	620ミリオーム @ 600mA、4.5V	950mV @ 250µA	0.7nC @ 4.5V	21.3pF @ 10V	380mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-XFDFN露出パッド	DFN1010B-6
	MCQ4503B-TP	MCC (Micro Commercial Components)	A(DigiKey)	1個以上￥135.72 /個	1個以上￥149.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	5.6A（Ta）、4.4A（Ta）	25ミリオーム @ 5.6A、10V	1.5V @ 250µA、1.4V @ 250µA	4.8nC @ 4.5V、7.2nC @ 10V	535pF @ 15V、680pF @ 15V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	CSD87330Q3D	TEXAS INSTRUMENTS	A(DigiKey)	1個以上￥335.72 /個	1個以上￥369.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	論理レベルゲート	30V	20A	-	2.1V @ 250µA	5.8nC @ 4.5V	900pF @ 15V	6W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerLDFN	8-LSON（3.3x3.3）
	ALD1105PBL	Advanced Linear Devices Inc	A(DigiKey)	1個以上￥1,504.88 /個	1個以上￥1,655.36 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネルおよび2Pチャンネル整合ペア	-	10.6V	-	500オーム @ 5V	1V @ 1µA	-	3pF @ 5V	500mW	0°C～70°C（TJ）	-	-	スルーホール	14-DIP（0.300インチ、7.62mm）	14-PDIP
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1 ～ 100 件 / 全 4,000 件

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1

【US6M2TR】MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.5A、1A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：240ミリオーム @ 1.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥241.43 税込￥265.57
2

【SI7288DP-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥474.29 税込￥521.71
3

【IRF7103TRPBFXTMA1】MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：130ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥257.15 税込￥282.86
4

【IRF7342TRPBF】MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：105ミリオーム @ 3.4A、10V・Id印加時のVgs（

￥401.43 税込￥441.57
5

【SSM6N62TU,LF】MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6 [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：800mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 800mA、4.5V・I

￥154.29 税込￥169.71
6

【SI4943CDY-T1-GE3】MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19.2ミリオーム @ 8.3A、10V・Id印加時のVgs

￥560.00 税込￥616.00
7

【SSM6N40TU,LF】MOSFET 2N-CH 30V 1.6A UF6 [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、4V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：122ミリオーム @ 1A、10V・Id印加時のV

￥137.15 税込￥150.86
8

【ADP46075W3】MOSFET 6N-CH 750V 485A ACEPACK

STマイクロエレクトロニクス

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：750V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：485A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.05ミリオーム @ 460A、18V・Id印加時のVgs（th）（最大）：4.4V @ 40mA・

￥149,511.71 税込￥164,462.88
9

【IRF7507TRPBF】MOSFET N/P-CH 20V 2.4A MICRO8

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.4A、1.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：140ミリオーム @ 1.7A、4.5V・Id印加時のV

￥258.58 税込￥284.43
10

【ALD110902PAL】MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP

Advanced Linear Devices Inc

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最小50個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：EPAD®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Nチャンネル（デュアル）整合ペア・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：10.6V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500オーム @ 4.2V・Id印加時のVgs（th）（最大）：220mV @ 1µA

￥717.68 税込￥789.44
11

【SQJ914EP-T1_BE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（t

￥424.29 税込￥466.71
12

【ALD110802PCL】MOSFET 4N-CH 10.6V 16PDIP

Advanced Linear Devices Inc

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最小50個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：EPAD®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：4Nチャンネル、整合ペア・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：10.6V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500オーム @ 4.2V・Id印加時のVgs（th）（最大）：220mV @ 1µA・Vgs印

￥863.28 税込￥949.60
13

【QS5K2TR】MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 2A、4.5V・Id印加時のVgs（th

￥218.58 税込￥240.43
14

【SQJ914EP-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（t

￥424.29 税込￥466.71
15

【SI4943CDY-T1-GE3】MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC

VISHAY

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最小2,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19.2ミリオーム @ 8.3A、10V・Id印加時のVg

￥122.40 税込￥134.64
16

【UMWIRF7319TR】MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOP

UMW

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）、4.9A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：31ミリオーム @ 5.8A、10V、60ミリオーム @ 4.9A

￥258.58 税込￥284.43
17

【SSM6N62TU,LXHF】MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6 [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：800mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 800mA、4.5V・I

￥162.86 税込￥179.14
18

【FF55MR12W1M1HB11BPSA1】EASYDUAL MODULE WITH COOLSIC TRE

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：CoolSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：52.9ミリオーム @ 15A、18V・Id印加時のV

￥6,965.52 税込￥7,662.07
19

【MSCSM70AM10T3AG】MOSFET 2N-CH 700V 241A

Microchip

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2Nチャンネル（位相レッグ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：700V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：241A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.5ミリオーム @ 80A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.4V @

￥26,896.60 税込￥29,586.26
20

【SQ4917CEY-T1_GE3】MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：48ミリオーム @ 4.3A、10V・Id印加時のVgs（th）

￥424.29 税込￥466.71
21

【ZXMP6A16DN8QTA】MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SO

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.9A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 2.9A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥468.58 税込￥515.43
22

【DI4A7P06SQ2】MOSFET 2P-CH 60V 4.7A 8SO

Diotec Semiconductor

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.7A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最

￥284.29 税込￥312.71
23

【DMPH6050SSDQ-13】MOSFET 2P-CH 60V 5.2A 8SOIC

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.2A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：48ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V @

￥311.43 税込￥342.57
24

【PSMN014-40HLDX】LFPAK56D デュアルパワーMOSFET(40V/42A)

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（th

￥462.86 税込￥509.14
25

【SQ4961EY-T1_GE3】MOSFET 2P-CH 60V 4.4A 8SOIC

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.4A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 3.5A、10V・Id印加時のVgs（t

￥502.86 税込￥553.14
26

【SSM6N62TU,LXHF】MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：800mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 800mA、4.5V・

￥162.86 税込￥179.14
27

【SSM6N57NU,LF】MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN

東芝

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：46ミリオーム @ 2A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @ 1mA

￥23.16 税込￥25.47
28

【US6M2TR】MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.5A、1A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：240ミリオーム @ 1.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1

￥241.43 税込￥265.57
29

【US6M2TR】MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6

ROHM

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.5A、1A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：240ミリオーム @ 1.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥44.24 税込￥48.66
30

【IRF7103TRPBFXTMA1】MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902 [digi-reel品]

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：130ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥257.15 税込￥282.86
31

【IRF7342TRPBF】MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO [digi-reel品]

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：105ミリオーム @ 3.4A、10V・Id印加時のVgs（t

￥401.43 税込￥441.57
32

【MSCM20XM10T3XG】MOSFET 6N-CH 200V 108A SP3X

Microchip

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：6Nチャンネル（3相ブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：108A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.7ミリオーム @ 81A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：5V @ 25

￥33,308.61 税込￥36,639.47
33

【SSM6P39TU,LF】MOSFET 2P-CH 20V 1.5A UF6

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.8V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：213ミリオーム @ 1A、4V・Id印加時の

￥137.15 税込￥150.86
34

【SH8MA3TB1】MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A（Ta）、6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 7A、10V、50ミリオーム @ 6A、10V・Id印

￥335.72 税込￥369.29
35

【AO4812】MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.4V @ 25

￥29.30 税込￥32.23
36

【LN60A01ES-LF】MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC

Monolithic Power Systems Inc.

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：3Nチャンネル、共通ゲート・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：80mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：190オーム @ 10mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.2V @ 250µA・
37

【UM6K1NTN】MOSFET 2N-CH 30V 0.1A UMT6

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8オーム @ 10mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1

￥121.43 税込￥133.57
38

【IRF7319TRPBF】MOSFET N/P-CH 30V 8SO [digi-reel品]

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：29ミリオーム @ 5.8A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @ 25

￥397.15 税込￥436.86
39

【SMA5117】MOSFET 6N-CH 250V 7A 12SIP

サンケン電気

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最小1,080個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：6Nチャンネル（3相ブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：250V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：250ミリオーム@ 3.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：4V @ 1mA・Vgs

￥1,813.37 税込￥1,994.70
40

【HP8S36TB】MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：-・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：27A、80A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4ミリオーム @ 32A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V @ 1mA・V

￥507.15 税込￥557.86
41

【SQJ200EP-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 20V 20A PPAK SO8 [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A、60A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8.8ミリオーム @ 16A、10V・Id印加時のVgs（th

￥401.43 税込￥441.57
42

【DMP3036SSD-13】MOSFET 2P-CH 30V 18.0A 8SO [digi-reel品]

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.0A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs（th）（最

￥277.15 税込￥304.86
43

【DMP3036SSD-13】MOSFET 2P-CH 30V 18.0A 8SO

Diodes Incorporated

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商品説明

【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.0A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs（th）（

￥277.15 税込￥304.86
44

【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @

￥185.72 税込￥204.29
45

【FDC6401N】MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6 [digi-reel品]

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥238.58 税込￥262.43
46

【AOSD21311C】MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：42ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.2V @

￥37.79 税込￥41.56
47

【AOSD21311C】MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：42ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.2V @

￥241.43 税込￥265.57
48

【IRF7306TRPBF】MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO [digi-reel品]

インフィニオン

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商品説明

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 1.8A、10V・Id印加時のVgs（t

￥328.58 税込￥361.43
49

【IRF7306TRPBF】MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO

インフィニオン

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商品説明

【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 1.8A、10V・Id印加時のVgs（

￥328.58 税込￥361.43
50

【FDMS3615S】MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A POWER56

オンセミコンダクター

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：25V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A、18A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.8ミリオーム @ 16A、10V
51

【SQJ914EP-T1_BE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8

VISHAY

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（t

￥86.36 税込￥94.99
52

【SQJ914EP-T1_BE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8 [digi-reel品]

VISHAY

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商品説明

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th

￥424.29 税込￥466.71
53

【DMP6110SSD-13】MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO [digi-reel品]

Diodes Incorporated

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商品説明

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：105ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V @ 2

￥227.15 税込￥249.86
54

【FS8205A】DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

EVVO Semi

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル、コモンドレイン・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：27ミリオーム @ 6A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.

￥78.58 税込￥86.43
55

【SQ3585EV-T1_GE3】MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.57A（Tc）、 2.5A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：77ミリオーム @ 1A、 4.5V、 16

￥744.45 税込￥818.89
56

【NXH010P120MNF1PTNG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥22,208.05 税込￥24,428.85
57

【QH8KB6TCR】MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17.7ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5

￥375.72 税込￥413.29
58

【QH8KB6TCR】MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8

ROHM

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17.7ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5

￥74.92 税込￥82.41
59

【M1P45M12W2-1LA】MOSFET 6N-CH 1200V ACEPACK DMT

STマイクロエレクトロニクス

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：ECOPACK®・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 N-Channel（Phase Leg）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60.5ミリオーム @ 20A、18V・I

￥10,394.26 税込￥11,433.68
60

【NVMD4N03R2G】MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC [digi-reel品]

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 4A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V

￥435.72 税込￥479.29
61

【MSCSM120AM16T1AG】MOSFET 2N-CH 1200V 173A

Microchip

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2Nチャンネル（位相レッグ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：173A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16ミリオーム @ 80A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥27,569.32 税込￥30,326.25
62

【MSCSM120AM16CT1AG】MOSFET 2N-CH 1200V 173A SP1F

Microchip

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最小4個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2Nチャンネル（位相レッグ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：173A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16ミリオーム @ 80A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥31,675.27 税込￥34,842.79
63

【ZDM4306NTC】MOSFET 2N-CH 60V 2A SM8

Diodes Incorporated

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最小4,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：330ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V @ 1mA

￥123.89 税込￥136.27
64

【AW2K21AR】30V 20A, DUAL NCH+NCH, WLCSP2020

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2個のNチャンネル、コモンソース・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3ミリオーム @ 20A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V

￥665.28 税込￥731.80
65

【SQJB04ELP-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：11ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）

￥341.43 税込￥375.57
66

【UMWIRF7103TR】MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOP

UMW

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V @

￥238.58 税込￥262.43
67

【FDMC7208S】MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33 [digi-reel品]

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：12A、16A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9ミリオーム @ 12A、10V・Id印加時

￥382.86 税込￥421.14
68

【FDMC7208S】MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：12A、16A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9ミリオーム @ 12A、10V・Id印加

￥382.86 税込￥421.14
69

【HP8KF7HTB1】150V 18.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）、18.5A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：62ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th

￥843.06 税込￥927.36
70

【2N7002DWL-TP】MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT23-6L

MCC (Micro Commercial Components)

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.5オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V @ 250µA
71

【TPCF8402(TE85L,F,M】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8

東芝

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A、3.2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 2A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2
72

【SISF20DN-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212

VISHAY

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TrenchFET® Gen IV・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：14A（Ta）、52A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13ミリオーム @ 7A、10

￥113.02 税込￥124.32
73

【NXH020F120MNF1PTG】MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4個のNチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：51A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 50A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥28,546.60 税込￥31,401.26
74

【NXH020F120MNF1PG】MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4個のNチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：51A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 50A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥23,707.96 税込￥26,078.75
75

【F48MR12W2M1HPB76BPSA1】LOW POWER EASY

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：EasyPACK™, CoolSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4個のNチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：75A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 100A、18V・I

￥29,871.60 税込￥32,858.76
76

【NXH010P120MNF1PNG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥23,100.00 税込￥25,410.00
77

【NXH010P120MNF1PTG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（

￥22,880.69 税込￥25,168.75
78

【NXH010P120MNF1PG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（

￥22,880.69 税込￥25,168.75
79

【NXH008P120M3F1PTG】MOSFET 2N-CH 1200V 145A

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：145A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10.9ミリオーム @ 120A、18V・Id印加時のVgs（th

￥18,285.06 税込￥20,113.56
80

【SQJ958EP-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8 [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：34.9ミリオーム @ 4.5A、 10V・Id印加時のVgs

￥375.72 税込￥413.29
81

【TPC8408,LQ(S】MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP

東芝

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.1A、5.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最
82

【AO4614B】MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V

￥204.29 税込￥224.71
83

【FDS3992】MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：62ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（t

￥495.72 税込￥545.29
84

【IPG20N06S4L11ATMA2】MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：11.2ミリオーム @ 17A、10V・Id印加時

￥537.15 税込￥590.86
85

【SP8K32HZGTB】MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2

￥518.58 税込￥570.43
86

【SSM6P816R,LF】MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.8V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30.1ミリオーム @ 4A、4.5V・Id印加時の

￥182.86 税込￥201.14
87

【DMG6968UTS-13】MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23ミリオーム @ 6.5A、4.5V・Id印加時のVg

￥181.43 税込￥199.57
88

【NTGD3148NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP [digi-reel品]

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 3.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥185.72 税込￥204.29
89

【UHB100SC12E1BC3N】MOSFET 2P-CH 1200V 100A MODULE

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Pチャンネル（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 70A、12V・Id印加時のVgs（th）（最

￥32,997.73 税込￥36,297.50
90

【HAT2038RJ-EL-E】NCH POWER MOSFET 60V 5A 58MOHM S

ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)

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最小2,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、4V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：58ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs

￥713.82 税込￥785.20
91

【MG250YD2YMS3(DAE)】SIC MOSFET MODULE, 2200V, 250A

東芝

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：2200V（2.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：5.5V @ 250mA・

￥471,109.58 税込￥518,220.53
92

【FDC6305N】MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6 [digi-reel品]

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 2.7A、4.5V・Id印加時のVgs（th

￥211.43 税込￥232.57
93

【BSS138DW-7-F】MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363 [digi-reel品]

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.5オーム @ 220mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥128.58 税込￥141.43
94

【BSS138DWK-7】MOSFET 2N-CH 50V 0.31A SOT363

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：310mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.6オーム @ 200mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥55.72 税込￥61.29
95

【QH8KB6TCR】MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17.7ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V

￥375.72 税込￥413.29
96

【DMC2991UDR4-7】MOSFET N/P-CH 20V 0.5A 6DFN

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA（Ta）、360mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：990ミリオーム @ 100mA、4.5V、1.9オーム @

￥55.72 税込￥61.29
97

【PMCXB900UELZ】MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネルコンプリメンタリ・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：600mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：620ミリオーム @ 600mA、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最

￥137.15 税込￥150.86
98

【MCQ4503B-TP】MOSFET N/P-CH 30V 5.6A 8SOP

MCC (Micro Commercial Components)

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.6A（Ta）、4.4A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオーム @ 5.6A、10V・Id印加時のVgs（th）（

￥135.72 税込￥149.29
99

【CSD87330Q3D】MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON [digi-reel品]

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.1V @ 2

￥335.72 税込￥369.29
100

【ALD1105PBL】MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14PDIP

Advanced Linear Devices Inc

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Nチャンネルおよび2Pチャンネル整合ペア・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：10.6V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500オーム @ 5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @ 1µA・Vgs印

￥1,504.88 税込￥1,655.36

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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイの定格表 該当製品数: 9,768 / 9,768 件

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