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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイの定格表該当製品数: 9,670 / 9,670 件

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電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

Id印加時のVgs（th）（最大）

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

電力 - 最大

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取り付けタイプ

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写真	型番	メーカー	品質ランク	単価 (税抜)	単価 (税込)		在庫数量	最少購入数	納期	パッケージ	シリーズ	技術	構成	FET機能	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	電力 - 最大	動作温度	グレード	認定	取り付けタイプ	パッケージ/ケース	サプライヤデバイスパッケージ
	SI5504BDC-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥337.15 /個	1個以上￥370.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	30V	4A、3.7A	65ミリオーム @ 3.1A、10V	3V @ 250µA	7nC @ 10V	220pF @ 15V	3.12W、3.1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	1206-8 ChipFET™
	SI4943BDY-T1-E3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥620.84 /個	1個以上￥682.92 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	6.3A	19ミリオーム @ 8.4A、10V	3V @ 250µA	25nC @ 5V	-	1.1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	IRF7103TRPBFXTMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥247.15 /個	1個以上￥271.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	50V	3A（Ta）	130ミリオーム @ 3A、10V	3V @ 250µA	30nC @ 10V	290pF @ 25V	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-902
	IRF7342TRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥385.72 /個	1個以上￥424.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	55V	3.4A	105ミリオーム @ 3.4A、10V	1V @ 250µA	38nC @ 10V	690pF @ 25V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	CSD87501L	TEXAS INSTRUMENTS	A(DigiKey)	1個以上￥178.58 /個	1個以上￥196.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	-	-	-	2.3V @ 250µA	40nC @ 10V	-	2.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	10-XFLGA	10-Picostar（3.37x1.47）
	SQ3585EV-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥715.28 /個	1個以上￥786.80 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	20V	3.57A（Tc）、 2.5A（Tc）	77ミリオーム @ 1A、 4.5V、 166ミリオーム @ 1A、 4.5V	1.5V @ 250µA	2.5nC @ 4.5V、 3.5nC @ 4.5V	-	1.67W	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	6-TSOP
	AOSD21311C	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	3000個以上￥36.27 /個	3000個以上￥39.89 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	30V	5A（Ta）	42ミリオーム @ 5A、10V	2.2V @ 250µA	23nC @ 10V	720pF @ 15V	1.7W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	AOSD21311C	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	1個以上￥231.43 /個	1個以上￥254.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	30V	5A（Ta）	42ミリオーム @ 5A、10V	2.2V @ 250µA	23nC @ 10V	720pF @ 15V	1.7W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	IRF7306TRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥314.29 /個	1個以上￥345.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	3.6A	100ミリオーム @ 1.8A、10V	1V @ 250µA	25nC @ 10V	440pF @ 25V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	DMP3036SSD-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥184.29 /個	1個以上￥202.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	18.0A（Tc）	20ミリオーム @ 9A、10V	3V @ 250µA	16.5nC @ 10V	1931pF @ 15V	1.2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	IRF7306TRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥314.29 /個	1個以上￥345.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	3.6A	100ミリオーム @ 1.8A、10V	1V @ 250µA	25nC @ 10V	440pF @ 25V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	DMP3036SSD-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥184.29 /個	1個以上￥202.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	18.0A（Tc）	20ミリオーム @ 9A、10V	3V @ 250µA	16.5nC @ 10V	1931pF @ 15V	1.2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	SQJ914EP-T1_BE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥407.15 /個	1個以上￥447.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	30A（Tc）	12ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 250µA	25nC @ 10V	1110pF @ 15V	27W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	IRF7103TRPBFXTMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥247.15 /個	1個以上￥271.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	50V	3A（Ta）	130ミリオーム @ 3A、10V	3V @ 250µA	30nC @ 10V	290pF @ 25V	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-902
	SQJ200EP-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥385.72 /個	1個以上￥424.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	20V	20A、60A	8.8ミリオーム @ 16A、10V	2V @ 250µA	18nC @ 10V	975pF @ 10V	27W、48W	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル非対称
	NVMD4N03R2G	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥357.15 /個	1個以上￥392.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	4A	60ミリオーム @ 4A、10V	3V @ 250µA	16nC @ 10V	400pF @ 20V	2W	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	IRF7342TRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥385.72 /個	1個以上￥424.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	55V	3.4A	105ミリオーム @ 3.4A、10V	1V @ 250µA	38nC @ 10V	690pF @ 25V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	SQJ951EP-T1_BE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥472.86 /個	1個以上￥520.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	30V	30A（Tc）	17ミリオーム @ 7.5A、 10V	2.5V @ 250µA	50nC @ 10V	1680pF @ 10V	56W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	FDC6401N	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥228.58 /個	1個以上￥251.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	20V	3A	70ミリオーム @ 3A、4.5V	1.5V @ 250µA	4.6nC @ 4.5V	324pF @ 10V	700mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SuperSOT™-6
	QH8KB6TCR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥361.43 /個	1個以上￥397.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	8A（Ta）	17.7ミリオーム @ 8A、10V	2.5V @ 1mA	10.6nC @ 10V	530pF @ 20V	1.1W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	QH8KB6TCR	ROHM	A(DigiKey)	3000個以上￥71.89 /個	3000個以上￥79.07 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	8A（Ta）	17.7ミリオーム @ 8A、10V	2.5V @ 1mA	10.6nC @ 10V	530pF @ 20V	1.1W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	DMP6110SSD-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥195.72 /個	1個以上￥215.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	60V	3.3A	105ミリオーム @ 4.5A、10V	3V @ 250µA	17.2nC @ 10V	969pF @ 30V	1.2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	MSCSM120AM16T1AG	Microchip	A(DigiKey)	1個以上￥26,455.69 /個	1個以上￥29,101.25 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	シリコンカーバイド（SiC）	2Nチャンネル（位相レッグ）	-	1200V（1.2kV）	173A（Tc）	16ミリオーム @ 80A、20V	2.8V @ 6mA	464nC @ 20V	6040pF @ 1000V	745W（Tc）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	MSCSM120AM16CT1AG	Microchip	A(DigiKey)	4個以上￥30,395.48 /個	4個以上￥33,435.02 /個	★	確認する	4 個	確認する	チューブ	-	シリコンカーバイド（SiC）	2Nチャンネル（位相レッグ）	-	1200V（1.2kV）	173A（Tc）	16ミリオーム @ 80A、20V	2.8V @ 2mA	464nC @ 20V	6040pF @ 1000V	745W（Tc）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	SP1F
	NTGD3148NT1G	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥178.58 /個	1個以上￥196.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	3A	70ミリオーム @ 3.5A、4.5V	1.5V @ 250µA	3.8nC @ 4.5V	300pF @ 10V	900mW	-50°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	6-TSOP
	SQJ748EP-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥370.00 /個	1個以上￥407.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	72A（Tc）	6.88ミリオーム @ 7A、10V	3.5V @ 250µA	21nC @ 10V	1230pF @ 25V	66W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8LデュアルBWL
	FDMC7208S	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥367.15 /個	1個以上￥403.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	12A、16A	9ミリオーム @ 12A、10V	3V @ 250µA	18nC @ 10V	1130pF @ 15V	800mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerWDFN	8-Power33（3x3）
	SQJ914EP-T1_BE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥407.15 /個	1個以上￥447.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	30A（Tc）	12ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 250µA	25nC @ 10V	1110pF @ 15V	27W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	NXH020F120MNF1PTG	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥27,393.19 /個	1個以上￥30,132.50 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	4個のNチャンネル（フルブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	51A（Tc）	30ミリオーム @ 50A、20V	4.3V @ 20mA	213.5nC @ 20V	2420pF @ 800V	119W（Tj）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	22-PIM（33.8x42.5）
	NXH020F120MNF1PG	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥22,750.00 /個	1個以上￥25,025.00 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	4個のNチャンネル（フルブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	51A（Tc）	30ミリオーム @ 50A、20V	4.3V @ 20mA	213.5nC @ 20V	2420pF @ 800V	119W（Tj）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	22-PIM（33.8x42.5）
	FDMC7208S	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥367.15 /個	1個以上￥403.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	12A、16A	9ミリオーム @ 12A、10V	3V @ 250µA	18nC @ 10V	1130pF @ 15V	800mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerWDFN	8-Power33（3x3）
	UMWIRF7103TR	UMW	A(DigiKey)	1個以上￥228.58 /個	1個以上￥251.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	50V	3A（Ta）	30ミリオーム @ 3A、10V	3V @ 250µA	30nC @ 10V	290pF @ 25V	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	FDC6305N	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥202.86 /個	1個以上￥223.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	20V	2.7A	80ミリオーム @ 2.7A、4.5V	1.5V @ 250µA	5nC @ 4.5V	310pF @ 10V	700mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SuperSOT™-6
	AW2K21AR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥637.50 /個	1個以上￥701.25 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2個のNチャンネル、コモンソース	-	30V	20A（Ta）	3ミリオーム @ 20A、10V	2V @ 1mA	29nC @ 10V	1350pF @ 10V	1.6W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	22-UFBGA、WLCSP	22-WLCSP（2x2）
	NXH010P120MNF1PNG	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥22,421.84 /個	1個以上￥24,664.02 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	1200V（1.2kV）	114A（Tc）	14ミリオーム @ 100A、20V	4.3V @ 40mA	454nC @ 20V	4707pF @ 800V	250W（Tj）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	CSD87501L	TEXAS INSTRUMENTS	A(DigiKey)	1個以上￥178.58 /個	1個以上￥196.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	-	-	-	2.3V @ 250µA	40nC @ 10V	-	2.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	10-XFLGA	10-Picostar（3.37x1.47）
	ZDM4306NTC	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	4000個以上￥118.88 /個	4000個以上￥130.76 /個	★	確認する	4,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	2A	330ミリオーム @ 3A、10V	3V @ 1mA	-	350pF @ 25V	3W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-223-8	SM8
	NXH010P120MNF1PTG	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥22,209.20 /個	1個以上￥24,430.12 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2	-	1200V（1.2kV）	114A（Tc）	14ミリオーム @ 100A、20V	4.3V @ 40mA	454nC @ 20V	4707pF @ 800V	250W（Tj）	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	NXH010P120MNF1PG	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥22,209.20 /個	1個以上￥24,430.12 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2	-	1200V（1.2kV）	114A（Tc）	14ミリオーム @ 100A、20V	4.3V @ 40mA	454nC @ 20V	4707pF @ 800V	250W（Tj）	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	NXH008P120M3F1PTG	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥17,545.98 /個	1個以上￥19,300.57 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	145A（Tc）	10.9ミリオーム @ 120A、18V	4.4V @ 60mA	419nC @ 18V	8334pF @ 800V	382W（Tj）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	HP8KF7HTB1	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥809.73 /個	1個以上￥890.70 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	150V	6A（Ta）、18.5A（Tc）	62ミリオーム @ 6A、10V	4V @ 1mA	20nC @ 10V	1100pF @ 75V	3W（Ta）、26W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerTDFN	8-HSOP
	NXH010P120MNF1PTNG	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥21,310.35 /個	1個以上￥23,441.38 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	1200V（1.2kV）	114A（Tc）	14ミリオーム @ 100A、20V	4.3V @ 40mA	454nC @ 20V	4707pF @ 800V	250W（Tj）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	MG250YD2YMS3(DAE)	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥452,076.60 /個	1個以上￥497,284.26 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	2200V（2.2kV）	250A（Tc）	-	5.5V @ 250mA	-	55000pF @ 1.1kV	2kW（Tc）	150°C	-	-	シャーシマウント	モジュール
	F48MR12W2M1HPB76BPSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥28,664.78 /個	1個以上￥31,531.25 /個	★	確認する		確認する	トレイ	EasyPACK™, CoolSiC™	シリコンカーバイド（SiC）	4個のNチャンネル（フルブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	75A	12ミリオーム @ 100A、18V	5.15V @ 40mA	297nC @ 18V	8800pF @ 800V	20mW	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	UHB100SC12E1BC3N	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥31,664.78 /個	1個以上￥34,831.25 /個	★	確認する		確認する	バルク	-	シリコンカーバイド（SiC）	2 Pチャンネル（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	100A（Tc）	12ミリオーム @ 70A、12V	6V @ 40mA	170nC @ 15V	5859pF @ 800V	417W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	モジュール
	SQJB04ELP-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥328.58 /個	1個以上￥361.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	30A（Tc）	11ミリオーム @ 5A、10V	2.2V @ 250µA	20nC @ 10V	1055pF @ 25V	27W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	DMG6968UTS-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥150.00 /個	1個以上￥165.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	20V	5.2A	23ミリオーム @ 6.5A、4.5V	950mV @ 250µA	8.8nC @ 4.5V	143pF @ 10V	1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-TSSOP（幅0.173インチ、4.40mm）	8-TSSOP
	SISF20DN-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	3000個以上￥125.62 /個	3000個以上￥138.18 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	TrenchFET® Gen IV	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	14A（Ta）、52A（Tc）	13ミリオーム @ 7A、10V	3V @ 250µA	33nC @ 10V	1290pF @ 30V	5.2W（Ta）、69.4W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PowerPAK® 1212-8SCDデュアル	PowerPAK® 1212-8SCDデュアル
	BUK9K13-40HX	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥450.00 /個	1個以上￥495.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchMOS™	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	40V	42A（Ta）	13.6ミリオーム @ 10A、10V	2.2V @ 1mA	19.4nC @ 10V	1160pF @ 25V	46W（Ta）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	TPCF8402(TE85L,F,M	東芝	A(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	30V	4A、3.2A	50ミリオーム @ 2A、10V	2V @ 1mA	10nC @ 10V	470pF @ 10V	330mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	VS-8（2.9x1.5）
	SSM6N56FE,LM	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥84.29 /個	1個以上￥92.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、1.5V駆動	20V	800mA	235ミリオーム @ 800mA、4.5V	1V @ 1mA	1nC @ 4.5V	55pF @ 10V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	ES6
	SQJ951EP-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥472.86 /個	1個以上￥520.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	30V	30A	17ミリオーム @ 7.5A、 10V	2.5V @ 250µA	50nC @ 10V	1680pF @ 10V	56W	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	IPG20N06S4L11ATMA2	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥515.72 /個	1個以上￥567.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	60V	20A（Tc）	11.2ミリオーム @ 17A、10V	2.2V @ 28µA	53nC @ 10V	4020pF @ 25V	65W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装、濡れ性フランク	8-PowerVDFN	PG-TDSON-8-10
	SQJB44EP-T1_JE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥435.72 /個	1個以上￥479.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	30A（Tc）	5.2ミリオーム @ 8A、10V	2.2V @ 250µA	50nC @ 10V	3075pF @ 25V	48W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	2N7002DWL-TP	MCC (Micro Commercial Components)	A(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	バルク	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	115mA	4.5オーム @ 500mA、10V	2.5V @ 250µA	-	50pF @ 25V	225mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6	SOT-23-6L
	M1P45M12W2-1LA	STマイクロエレクトロニクス	A(DigiKey)	1個以上￥10,326.44 /個	1個以上￥11,359.08 /個	★	確認する		確認する	チューブ	ECOPACK®	シリコンカーバイド（SiC）	6 N-Channel（Phase Leg）	-	1200V（1.2kV）	30A（Tc）	60.5ミリオーム @ 20A、18V	5V @ 1mA	100nC @ 18V	2086pF @ 800V	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	32-PowerDIPモジュール（1.264インチ、32.10mm）	ACEPACK DMT-32
	FDS3992	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥475.72 /個	1個以上￥523.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	100V	4.5A	62ミリオーム @ 4.5A、10V	4V @ 250µA	15nC @ 10V	750pF @ 25V	2.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	AO4614B	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	1個以上￥195.72 /個	1個以上￥215.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	40V	6A、5A	30ミリオーム @ 6A、10V	3V @ 250µA	10.8nC @ 10V	650pF @ 20V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	SIZF918BDT-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥532.86 /個	1個以上￥586.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET® Gen IV	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	25A（Ta）、73A（Tc）、41A（Ta）、158A（Tc）	3.3ミリオーム @ 10A、10V、1.4オーム @ 15A、10V	2.2V @ 250µA	29nC @ 10V、77nC @ 10V	1290pF @ 15V、3350pF @ 15V	3.4W（Ta）、 26.6W（Tc）、 4W（Ta）、 60W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerWDFN	8-PowerPair®（6x5）
	FDN340P	-	A(DigiKey)	1個以上￥40.00 /個	1個以上￥44.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	UM6K31NFHATCN	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥105.72 /個	1個以上￥116.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	250mA（Ta）	2.4オーム @ 250mA、10V	2.3V @ 1mA	-	15pF @ 25V	150mW	150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	UMT6
	SQJB48EP-T1_JE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥435.72 /個	1個以上￥479.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	30A（Tc）	5.2ミリオーム @ 8A、10V	3.3V @ 250µA	40nC @ 10V	2350pF @ 25V	48W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	TPC8408,LQ(S	東芝	A(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	40V	6.1A、5.3A	32ミリオーム @ 3.1A、10V	2.3V @ 100µA	24nC @ 10V	850pF @ 10V	450mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	DMP6110SSD-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥195.72 /個	1個以上￥215.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	60V	3.3A	105ミリオーム @ 4.5A、10V	3V @ 250µA	17.2nC @ 10V	969pF @ 30V	1.2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	SQJ958EP-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥361.43 /個	1個以上￥397.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	20A（Tc）	34.9ミリオーム @ 4.5A、 10V	2.5V @ 250µA	23nC @ 10V	1075pF @ 30V	35W	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	SQJB44EP-T1_JE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥435.72 /個	1個以上￥479.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	30A（Tc）	5.2ミリオーム @ 8A、10V	2.2V @ 250µA	50nC @ 10V	3075pF @ 25V	48W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	SQJB44EP-T1_JE3	VISHAY	A(DigiKey)	3000個以上￥90.02 /個	3000個以上￥99.02 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	30A（Tc）	5.2ミリオーム @ 8A、10V	2.2V @ 250µA	50nC @ 10V	3075pF @ 25V	48W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	SQJ746ELP-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥354.29 /個	1個以上￥389.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	82A（Tc）	6.2ミリオーム @ 7A、10V	2.5V @ 250µA	32nC @ 10V	1633pF @ 25V	79W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8LデュアルBWL
	CAB016M12FM3T	Wolfspeed	A(DigiKey)	1個以上￥18,475.87 /個	1個以上￥20,323.45 /個	★	確認する		確認する	箱	WolfPACK™	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	78A（Tj）	21.3ミリオーム @ 80A、15V	3.6V @ 23mA	236nC @ 15V	6600pF @ 800V	-	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	モジュール
	AUIRFN8458TR	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥537.15 /個	1個以上￥590.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	43A（Tc）	10ミリオーム @ 26A、10V	3.9V @ 25µA	33nC @ 10V	1060pF @ 25V	34W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerTDFN	PQFN（5x6）
	AOE6936	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	1個以上￥460.00 /個	1個以上￥506.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）非対称	-	30V	55A（Tc）、 85A（Tc）	5ミリオーム @ 20A、 10V、 2ミリオーム @ 20A、 10V	2.2V @ 250µA、2.1V @ 250µA	15nC @ 4.5V、25nC @ 4.5V	1150pF @ 15V、 2270pF @ 15V	24W、 39W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-VDFN露出パッド	8-DFN（5x6）
	SSM6P816R,LF	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥175.72 /個	1個以上￥193.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、1.8V駆動	20V	6A（Ta）	30.1ミリオーム @ 4A、4.5V	1V @ 1mA	16.6nC @ 4.5V	1030pF @ 10V	1.4W（Ta）	150°C	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	6-TSOP-F
	AW2K21AR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥637.50 /個	1個以上￥701.25 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2個のNチャンネル、コモンソース	-	30V	20A（Ta）	3ミリオーム @ 20A、10V	2V @ 1mA	29nC @ 10V	1350pF @ 10V	1.6W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	22-UFBGA、WLCSP	22-WLCSP（2x2）
	CSD87330Q3D	TEXAS INSTRUMENTS	A(DigiKey)	1個以上￥321.43 /個	1個以上￥353.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	論理レベルゲート	30V	20A	-	2.1V @ 250µA	5.8nC @ 4.5V	900pF @ 15V	6W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerLDFN	8-LSON（3.3x3.3）
	BSS138DWK-7	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥52.86 /個	1個以上￥58.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	50V	310mA（Ta）	2.6オーム @ 200mA、10V	1.5V @ 250µA	0.8nC @ 10V	22pF @ 25V	330mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SOT-363
	IRFI4020H-117PXKMA1	インフィニオン	A(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	200V	9.1A（Tc）	100ミリオーム @ 5.5A、10V	4.9V @ 100µA	29nC @ 10V	1240pF @ 25V	21W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220-5フルパック、成形リード	TO-220-5フルパッッケージ
	HAT2038RJ-EL-E	ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)	A(DigiKey)	2500個以上￥684.98 /個	2500個以上￥753.47 /個	★	確認する	2,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、4V駆動	60V	5A（Ta）	58ミリオーム @ 3A、10V	2.2V @ 1mA	-	520pF @ 10V	3W（Ta）	150°C	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	CSD87351ZQ5D	TEXAS INSTRUMENTS	A(DigiKey)	1個以上￥420.00 /個	1個以上￥462.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）非対称	論理レベルゲート	30V	32A	-	2.1V @ 250µA	7.7nC @ 4.5V	1255pF @ 15V	12W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerLDFN	8-LSON（5x6）
	FDC6305N	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥202.86 /個	1個以上￥223.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	20V	2.7A	80ミリオーム @ 2.7A、4.5V	1.5V @ 250µA	5nC @ 4.5V	310pF @ 10V	700mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SuperSOT™-6
	HT8MC5TB1	ROHM	A(DigiKey)	3000個以上￥85.96 /個	3000個以上￥94.55 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	60V	3.5A（Ta）、10A（Tc）、4A（Ta）、11.5A（Tc）	90ミリオーム @ 3.5A、10V、97ミリオーム @ 4A、10V	2.5V @ 1mA	3.1nC @ 10V、17.1nC @ 10V	135pF @ 30V	2W（Ta）、13W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerVDFN	8-HSMT（3.2x3）
	NTGD3148NT1G	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥178.58 /個	1個以上￥196.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	3A	70ミリオーム @ 3.5A、4.5V	1.5V @ 250µA	3.8nC @ 4.5V	300pF @ 10V	900mW	-50°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	6-TSOP
	NTGD3148NT1G	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	3000個以上￥31.57 /個	3000個以上￥34.72 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	3A	70ミリオーム @ 3.5A、4.5V	1.5V @ 250µA	3.8nC @ 4.5V	300pF @ 10V	900mW	-50°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	6-TSOP
	SH8KC6TB1	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥275.72 /個	1個以上￥303.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	6.5A（Ta）	32ミリオーム @ 6.5A、10V	2.5V @ 1mA	7.6nC @ 10V	460pF @ 30V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	SI9948AEY	UMW	A(DigiKey)	1個以上￥248.58 /個	1個以上￥273.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	60V	5.3A（Ta）、5.3A（Tc）	54ミリオーム @ 6.3A、10V	3V @ 250µA	50nC @ 10V	1345pF @ 15V	2W（Ta）、4W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	AO6602L	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	3000個以上￥30.10 /個	3000個以上￥33.11 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネルコンプリメンタリ	論理レベルゲート	30V	-	75ミリオーム @ 3.1A、10V	3V @ 250µA	8.5nC @ 10V	240pF @ 15V	1.15W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SC-74、SOT-457	6-TSOP
	SQJ951EP-T1_BE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥472.86 /個	1個以上￥520.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	30V	30A（Tc）	17ミリオーム @ 7.5A、 10V	2.5V @ 250µA	50nC @ 10V	1680pF @ 10V	56W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	SH32N65DM6AG	STマイクロエレクトロニクス	A(DigiKey)	1個以上￥3,305.89 /個	1個以上￥3,636.47 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	ECOPACK®	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	650V	32A（Tc）	97ミリオーム @ 23A、10V	4.75V @ 250µA	47nC @ 10V	2211pF @ 100V	208W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	9-PowerSMD	9-ACEPACK SMIT
	FDS4935A	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥304.29 /個	1個以上￥334.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	7A	23ミリオーム @ 7A、10V	3V @ 250µA	21nC @ 5V	1233pF @ 15V	900mW	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	APTM100A13SCG	Microchip	A(DigiKey)	1個以上￥42,065.60 /個	1個以上￥46,272.16 /個	★	確認する		確認する	バルク	-	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1000V（1kV）	65A	156ミリオーム @ 32.5A、10V	5V @ 6mA	562nC @ 10V	15200pF @ 25V	1250W	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	SP6	SP6
	SQJ951EP-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥472.86 /個	1個以上￥520.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	30V	30A	17ミリオーム @ 7.5A、 10V	2.5V @ 250µA	50nC @ 10V	1680pF @ 10V	56W	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	FPF1C2P5BF07A	オンセミコンダクター	A(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	トレイ	-	MOSFET（金属酸化物）	5Nチャンネル（ソーラーインバータ）	-	650V	36A	90ミリオーム @ 27A、10V	3.8V @ 250µA	-	-	250W	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	F1モジュール	F1
	PMDPB30XNAX	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥157.15 /個	1個以上￥172.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	20V	4.5A（Ta）、12A（Tc）	34ミリオーム @ 4.5A、4.5V	-	10nC @ 4.5V	619pF @ 10V	640mW （Ta）、11W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	6-UFDFN露出パッド	6-HUSON（2x2）
	BSS138DW-7-F	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥131.43 /個	1個以上￥144.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	50V	200mA	3.5オーム @ 220mA、10V	1.5V @ 250µA	-	50pF @ 10V	200mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SOT-363
	IRF7309TRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥281.43 /個	1個以上￥309.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	4A、3A	50ミリオーム @ 2.4A、10V	1V @ 250µA	25nC @ 4.5V	520pF @ 15V	1.4W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	G1K8P06S2	Goford Semiconductor	A(DigiKey)	1個以上￥134.29 /個	1個以上￥147.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	60V	3.2A（Tc）	170ミリオーム @ 1A、10V	2.5V @ 250µA	11.3nC @ 10V	594pF @ 30V	2W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	SH8JE5TB1	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥557.15 /個	1個以上￥612.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	100V	4.5A（Ta）	91ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 1mA	52nC @ 10V	2100pF @ 50V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	SP8K32HZGTB	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥497.15 /個	1個以上￥546.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	4.5A（Ta）	65ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 1mA	10nC @ 5V	500pF @ 10V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	FF2600UXTR33T2M1BPSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥983,587.24 /個	1個以上￥1,081,945.96 /個	★	確認する		確認する	箱	CoolSiC™	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	3300V（3.3kV）	720A（Tc）	3.1ミリオーム @ 750A、15V	5.55V @ 675mA	3750nC @ 15V	152000pF @ 1.8kV	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-XHP2K33
	DMP6110SSD-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	2500個以上￥39.34 /個	2500個以上￥43.27 /個	★	確認する	2,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	60V	3.3A	105ミリオーム @ 4.5A、10V	3V @ 250µA	17.2nC @ 10V	969pF @ 30V	1.2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	SQS944ENW-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥261.43 /個	1個以上￥287.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	6A（Tc）	25ミリオーム @ 1.25A、10V	2.5V @ 250µA	10nC @ 10V	615pF @ 25V	27.8W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装、濡れ性フランク	PowerPAK® 1212-8Wデュアル	PowerPAK® 1212-8Wデュアル
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【SI5504BDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A、3.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVg

￥337.15 税込￥370.86
2

【SI4943BDY-T1-E3】MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19ミリオーム @ 8.4A、10V・Id印加時のVg

￥620.84 税込￥682.92
3

【IRF7103TRPBFXTMA1】MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：130ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥247.15 税込￥271.86
4

【IRF7342TRPBF】MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：105ミリオーム @ 3.4A、10V・Id印加時のVgs（

￥385.72 税込￥424.29
5

【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @

￥178.58 税込￥196.43
6

【SQ3585EV-T1_GE3】MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.57A（Tc）、 2.5A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：77ミリオーム @ 1A、 4.5V、 16

￥715.28 税込￥786.80
7

【AOSD21311C】MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：42ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.2V @

￥36.27 税込￥39.89
8

【AOSD21311C】MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：42ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.2V @

￥231.43 税込￥254.57
9

【IRF7306TRPBF】MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 1.8A、10V・Id印加時のVgs（t

￥314.29 税込￥345.71
10

【DMP3036SSD-13】MOSFET 2P-CH 30V 18.0A 8SO [digi-reel品]

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.0A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs（th）（最

￥184.29 税込￥202.71
11

【IRF7306TRPBF】MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 1.8A、10V・Id印加時のVgs（

￥314.29 税込￥345.71
12

【DMP3036SSD-13】MOSFET 2P-CH 30V 18.0A 8SO

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.0A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs（th）（

￥184.29 税込￥202.71
13

【SQJ914EP-T1_BE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（t

￥407.15 税込￥447.86
14

【IRF7103TRPBFXTMA1】MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902 [digi-reel品]

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：130ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥247.15 税込￥271.86
15

【SQJ200EP-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 20V 20A PPAK SO8 [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A、60A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8.8ミリオーム @ 16A、10V・Id印加時のVgs（th

￥385.72 税込￥424.29
16

【NVMD4N03R2G】MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC [digi-reel品]

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 4A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V

￥357.15 税込￥392.86
17

【IRF7342TRPBF】MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：105ミリオーム @ 3.4A、10V・Id印加時のVgs（t

￥385.72 税込￥424.29
18

【SQJ951EP-T1_BE3】MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8 [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 7.5A、 10V・Id印加時のVgs（th

￥472.86 税込￥520.14
19

【FDC6401N】MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6 [digi-reel品]

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥228.58 税込￥251.43
20

【QH8KB6TCR】MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17.7ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5

￥361.43 税込￥397.57
21

【QH8KB6TCR】MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8

ROHM

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17.7ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5

￥71.89 税込￥79.07
22

【DMP6110SSD-13】MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO [digi-reel品]

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：105ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V @ 2

￥195.72 税込￥215.29
23

【MSCSM120AM16T1AG】MOSFET 2N-CH 1200V 173A

Microchip

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2Nチャンネル（位相レッグ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：173A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16ミリオーム @ 80A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥26,455.69 税込￥29,101.25
24

【MSCSM120AM16CT1AG】MOSFET 2N-CH 1200V 173A SP1F

Microchip

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最小4個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2Nチャンネル（位相レッグ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：173A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16ミリオーム @ 80A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥30,395.48 税込￥33,435.02
25

【NTGD3148NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP [digi-reel品]

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 3.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥178.58 税込￥196.43
26

【SQJ748EP-T1_GE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40V (D [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：72A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6.88ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs（th

￥370.00 税込￥407.00
27

【FDMC7208S】MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：12A、16A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9ミリオーム @ 12A、10V・Id印加

￥367.15 税込￥403.86
28

【SQJ914EP-T1_BE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8 [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th

￥407.15 税込￥447.86
29

【NXH020F120MNF1PTG】MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4個のNチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：51A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 50A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥27,393.19 税込￥30,132.50
30

【NXH020F120MNF1PG】MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4個のNチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：51A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 50A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥22,750.00 税込￥25,025.00
31

【FDMC7208S】MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33 [digi-reel品]

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：12A、16A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9ミリオーム @ 12A、10V・Id印加時

￥367.15 税込￥403.86
32

【UMWIRF7103TR】MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOP

UMW

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V @

￥228.58 税込￥251.43
33

【FDC6305N】MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6 [digi-reel品]

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 2.7A、4.5V・Id印加時のVgs（th

￥202.86 税込￥223.14
34

【AW2K21AR】30V 20A, DUAL NCH+NCH, WLCSP2020

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2個のNチャンネル、コモンソース・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3ミリオーム @ 20A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V

￥637.50 税込￥701.25
35

【NXH010P120MNF1PNG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥22,421.84 税込￥24,664.02
36

【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR [digi-reel品]

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @ 2

￥178.58 税込￥196.43
37

【ZDM4306NTC】MOSFET 2N-CH 60V 2A SM8

Diodes Incorporated

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最小4,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：330ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V @ 1mA

￥118.88 税込￥130.76
38

【NXH010P120MNF1PTG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（

￥22,209.20 税込￥24,430.12
39

【NXH010P120MNF1PG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（

￥22,209.20 税込￥24,430.12
40

【NXH008P120M3F1PTG】MOSFET 2N-CH 1200V 145A

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：145A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10.9ミリオーム @ 120A、18V・Id印加時のVgs（th

￥17,545.98 税込￥19,300.57
41

【HP8KF7HTB1】150V 18.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）、18.5A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：62ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th

￥809.73 税込￥890.70
42

【NXH010P120MNF1PTNG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

オンセミコンダクター

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商品説明

【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥21,310.35 税込￥23,441.38
43

【MG250YD2YMS3(DAE)】SIC MOSFET MODULE, 2200V, 250A

東芝

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：2200V（2.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：5.5V @ 250mA・

￥452,076.60 税込￥497,284.26
44

【F48MR12W2M1HPB76BPSA1】LOW POWER EASY

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：EasyPACK™, CoolSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4個のNチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：75A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 100A、18V・I

￥28,664.78 税込￥31,531.25
45

【UHB100SC12E1BC3N】MOSFET 2P-CH 1200V 100A MODULE

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Pチャンネル（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 70A、12V・Id印加時のVgs（th）（最

￥31,664.78 税込￥34,831.25
46

【SQJB04ELP-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8

VISHAY

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商品説明

【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：11ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）

￥328.58 税込￥361.43
47

【DMG6968UTS-13】MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23ミリオーム @ 6.5A、4.5V・Id印加時のVg

￥150.00 税込￥165.00
48

【SISF20DN-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212

VISHAY

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TrenchFET® Gen IV・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：14A（Ta）、52A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13ミリオーム @ 7A、10

￥125.62 税込￥138.18
49

【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印

￥450.00 税込￥495.00
50

【TPCF8402(TE85L,F,M】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8

東芝

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A、3.2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 2A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2
51

【SSM6N56FE,LM】MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.5V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：800mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：235ミリオーム @ 800mA、4.5V・Id印

￥84.29 税込￥92.71
52

【SQJ951EP-T1_GE3】MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8 [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 7.5A、 10V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥472.86 税込￥520.14
53

【IPG20N06S4L11ATMA2】MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：11.2ミリオーム @ 17A、10V・Id印加時

￥515.72 税込￥567.29
54

【SQJB44EP-T1_JE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40V (D

VISHAY

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商品説明

【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.2ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th

￥435.72 税込￥479.29
55

【2N7002DWL-TP】MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT23-6L

MCC (Micro Commercial Components)

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.5オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V @ 250µA
56

【M1P45M12W2-1LA】MOSFET 6N-CH 1200V ACEPACK DMT

STマイクロエレクトロニクス

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：ECOPACK®・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 N-Channel（Phase Leg）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60.5ミリオーム @ 20A、18V・I

￥10,326.44 税込￥11,359.08
57

【FDS3992】MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：62ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（t

￥475.72 税込￥523.29
58

【AO4614B】MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V

￥195.72 税込￥215.29
59

【SIZF918BDT-T1-GE3】DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET® Gen IV・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：25A（Ta）、73A（Tc）、41A（Ta）、158A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大

￥532.86 税込￥586.14
60

【FDN340P】20V 3A 1W 70M@4.5V,2A 1V 1 PIECE

-

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：*・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電

￥40.00 税込￥44.00
61

【UM6K31NFHATCN】MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4オーム @ 250mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2

￥105.72 税込￥116.29
62

【SQJB48EP-T1_JE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40V (

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.2ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th

￥435.72 税込￥479.29
63

【TPC8408,LQ(S】MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP

東芝

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.1A、5.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最
64

【DMP6110SSD-13】MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：105ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V @

￥195.72 税込￥215.29
65

【SQJ958EP-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8 [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：34.9ミリオーム @ 4.5A、 10V・Id印加時のVgs

￥361.43 税込￥397.57
66

【SQJB44EP-T1_JE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40V (D [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.2ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th）

￥435.72 税込￥479.29
67

【SQJB44EP-T1_JE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40V (D

VISHAY

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.2ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th

￥90.02 税込￥99.02
68

【SQJ746ELP-T1_GE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V ( [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：82A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6.2ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs（th）

￥354.29 税込￥389.71
69

【CAB016M12FM3T】SiCハーフブリッジ電源モジュール(1200V/78A)

Wolfspeed

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：WolfPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：78A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：21.3ミリオーム @ 80A、15V・Id印加時のVg

￥18,475.87 税込￥20,323.45
70

【AUIRFN8458TR】MOSFET 2N-CH 40V 43A PQFN

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：43A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10ミリオーム @ 26A、10V・Id印加時のVgs（th）（最

￥537.15 税込￥590.86
71

【AOE6936】MOSFET 2N-CH 30V 55A 8DFN [digi-reel品]

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：55A（Tc）、 85A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5ミリオーム @ 20A、 10V、 2ミリオーム @

￥460.00 税込￥506.00
72

【SSM6P816R,LF】MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.8V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30.1ミリオーム @ 4A、4.5V・Id印加時の

￥175.72 税込￥193.29
73

【AW2K21AR】30V 20A, DUAL NCH+NCH, WLCSP2020 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2個のNチャンネル、コモンソース・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3ミリオーム @ 20A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V

￥637.50 税込￥701.25
74

【CSD87330Q3D】MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON [digi-reel品]

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.1V @ 2

￥321.43 税込￥353.57
75

【BSS138DWK-7】MOSFET 2N-CH 50V 0.31A SOT363

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：310mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.6オーム @ 200mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥52.86 税込￥58.14
76

【IRFI4020H-117PXKMA1】MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO220-5

インフィニオン

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9.1A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 5.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：4.9V @
77

【HAT2038RJ-EL-E】NCH POWER MOSFET 60V 5A 58MOHM S

ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)

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最小2,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、4V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：58ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs

￥684.98 税込￥753.47
78

【CSD87351ZQ5D】MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON [digi-reel品]

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：32A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.1V @ 2

￥420.00 税込￥462.00
79

【FDC6305N】MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 2.7A、4.5V・Id印加時のVgs（t

￥202.86 税込￥223.14
80

【HT8MC5TB1】60V 10A/11.5A, DUAL NCH+PCH, HSM

ROHM

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.5A（Ta）、10A（Tc）、4A（Ta）、11.5A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：90ミリオーム @ 3.5A、10

￥85.96 税込￥94.55
81

【NTGD3148NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 3.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥178.58 税込￥196.43
82

【NTGD3148NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP

オンセミコンダクター

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最小3,000個から購入可能

商品説明

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 3.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥31.57 税込￥34.72
83

【SH8KC6TB1】MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 6.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2

￥275.72 税込￥303.29
84

【SI9948AEY】MOSFET 2P-CH 60V 5.3A 8SOP

UMW

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.3A（Ta）、5.3A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：54ミリオーム @ 6.3A、10V・Id印加時のVgs（t

￥248.58 税込￥273.43
85

【AO6602L】MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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最小3,000個から購入可能

商品説明

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネルコンプリメンタリ・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最

￥30.10 税込￥33.11
86

【SQJ951EP-T1_BE3】MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8

VISHAY

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商品説明

【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 7.5A、 10V・Id印加時のVgs（t

￥472.86 税込￥520.14
87

【SH32N65DM6AG】MOSFET 2N-CH 650V 32A 9ACEPACK [digi-reel品]

STマイクロエレクトロニクス

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：ECOPACK®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：32A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：97ミリオーム @ 23A、10V・Id印加時のVgs（t

￥3,305.89 税込￥3,636.47
88

【FDS4935A】MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC

オンセミコンダクター

確認する

商品説明

【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs（

￥304.29 税込￥334.71
89

【APTM100A13SCG】MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Microchip

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1000V（1kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：65A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：156ミリオーム @ 32.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：5V

￥42,065.60 税込￥46,272.16
90

【SQJ951EP-T1_GE3】MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8

VISHAY

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商品説明

【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 7.5A、 10V・Id印加時のVgs（th）（最

￥472.86 税込￥520.14
91

【FPF1C2P5BF07A】MOSFET 5N-CH 650V 36A F1

オンセミコンダクター

売り切れ

商品説明

【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：5Nチャンネル（ソーラーインバータ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：36A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：90ミリオーム @ 27A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3.8V @ 250
92

【PMDPB30XNAX】MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSON [digi-reel品]

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）、12A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：34ミリオーム @ 4.5A、4.5V・Id印加時のVgs（t

￥157.15 税込￥172.86
93

【BSS138DW-7-F】MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363 [digi-reel品]

Diodes Incorporated

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商品説明

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.5オーム @ 220mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥131.43 税込￥144.57
94

【IRF7309TRPBF】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A、3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 2.4A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V

￥281.43 税込￥309.57
95

【G1K8P06S2】MOSFET 2P-CH 60V 3.2A 8SOP

Goford Semiconductor

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.2A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：170ミリオーム @ 1A、10V・Id印加時のVgs（th

￥134.29 税込￥147.71
96

【SH8JE5TB1】MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8SOP

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：91ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2

￥557.15 税込￥612.86
97

【SP8K32HZGTB】MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2

￥497.15 税込￥546.86
98

【FF2600UXTR33T2M1BPSA1】MOSFET 2N-CH 3300V AG-XHP2K33

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：CoolSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：3300V（3.3kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：720A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.1ミリオーム @ 750A、15V・Id印加時のVg

￥983,587.24 税込￥1,081,945.96
99

【DMP6110SSD-13】MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO

Diodes Incorporated

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最小2,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：105ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V @

￥39.34 税込￥43.27
100

【SQS944ENW-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 40V 6A PWRPAK1212

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオーム @ 1.25A、10V・Id印加時のVgs（t

￥261.43 税込￥287.57

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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイの定格表 該当製品数: 9,670 / 9,670 件

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