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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイの定格表該当製品数: 9,883 / 9,883 件

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電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

Id印加時のVgs（th）（最大）

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

電力 - 最大

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認定

取り付けタイプ

パッケージ/ケース

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写真	型番	メーカー	品質ランク	単価 (税抜)	単価 (税込)		在庫数量	最少購入数	納期	パッケージ	シリーズ	技術	構成	FET機能	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	電力 - 最大	動作温度	グレード	認定	取り付けタイプ	パッケージ/ケース	サプライヤデバイスパッケージ
	SSM6N40TU,LF	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥140.00 /個	1個以上￥154.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、4V駆動	30V	1.6A（Ta）	122ミリオーム @ 1A、10V	2.6V @ 1mA	5.1nC @ 10V	180pF @ 15V	500mW（Ta）	150°C	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	UF6
	NXH010P120MNF1PTG	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥23,313.64 /個	1個以上￥25,645.00 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2	-	1200V（1.2kV）	114A（Tc）	14ミリオーム @ 100A、20V	4.3V @ 40mA	454nC @ 20V	4707pF @ 800V	250W（Tj）	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	NXH010P120MNF1PG	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥23,313.64 /個	1個以上￥25,645.00 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2	-	1200V（1.2kV）	114A（Tc）	14ミリオーム @ 100A、20V	4.3V @ 40mA	454nC @ 20V	4707pF @ 800V	250W（Tj）	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	CSD87501L	TEXAS INSTRUMENTS	A(DigiKey)	1個以上￥190.00 /個	1個以上￥209.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	-	-	-	2.3V @ 250µA	40nC @ 10V	-	2.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	10-XFLGA	10-Picostar（3.37x1.47）
	FDMC7200S	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥315.72 /個	1個以上￥347.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	7A、13A	22ミリオーム @ 6A、10V	3V @ 250µA	10nC @ 10V	660pF @ 15V	700mW、1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerWDFN	8-Power33（3x3）
	FDMC7200	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥250.00 /個	1個以上￥275.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	6A、8A	23.5ミリオーム @ 6A、10V	3V @ 250µA	10nC @ 10V	660pF @ 15V	700mW、900mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerWDFN	8-Power33（3x3）
	SSM6N17FU(TE85L,F)	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥102.86 /個	1個以上￥113.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	50V	100mA（Ta）	20オーム @ 10mA、4V	1.5V @ 1µA	-	7pF @ 3V	200mW（Ta）	150°C	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	US6
	HS8K11TB	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥234.29 /個	1個以上￥257.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	7A、 11A	17.9ミリオーム @ 7A、10V	2.5V @ 1mA	11.1nC @ 10V	500pF @ 15V	2W	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-UDFN露出パッド	HSML3030L10
	SIL2308-TP	MCC (Micro Commercial Components)	A(DigiKey)	1個以上￥117.15 /個	1個以上￥128.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	20V	5A、4A	38ミリオーム @ 4.5A、4.5V、90ミリオーム @ 500mA、4.5V	1V @ 250µA	11nC @ 4.5V、12nC @ 2.5V	800pF、405pF @ 8V、10V	-	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6	SOT-23-6L
	DMC2700UDM-7	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥81.43 /個	1個以上￥89.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	20V	1.34A、1.14A	400ミリオーム @ 600mA、4.5V	1V @ 250µA	0.74nC @ 4.5V	60.67pF @ 16V	1.12W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6	SOT-26
	SH8MA2GZETB	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥261.43 /個	1個以上￥287.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	4.5A（Ta）	80ミリオーム @ 4.5A、10V、82ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 1mA	3nC @ 4.5V、6.7nC @ 4.5V	125pF @ 15V、305pF @ 15V	1.4W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	QH8JA1TCR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥330.00 /個	1個以上￥363.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	-	2Pチャンネル（デュアル）	-	20V	5A	38ミリオーム @ 5A、4.5V	1.2V @ 1mA	10.2nC @ 4.5V	720pF @ 10V	1.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	SH8KC6TB1	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥350.00 /個	1個以上￥385.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	6.5A（Ta）	32ミリオーム @ 6.5A、10V	2.5V @ 1mA	7.6nC @ 10V	460pF @ 30V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	SQ4946CEY-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥357.15 /個	1個以上￥392.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	7A（Tc）	40ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 250µA	22nC @ 10V	865pF @ 25V	4W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	ALD212900APAL	Advanced Linear Devices Inc	A(DigiKey)	1個以上￥1,977.65 /個	1個以上￥2,175.41 /個	★	確認する		確認する	チューブ	EPAD®, Zero Threshold™	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	論理レベルゲート	10.6V	80mA	14オーム	10mV @ 20µA	-	30pF @ 5V	500mW	0°C～70°C（TJ）	-	-	スルーホール	8-DIP（0.300インチ、7.62mm）	8-PDIP
	ALD110900APAL	Advanced Linear Devices Inc	A(DigiKey)	1個以上￥2,098.83 /個	1個以上￥2,308.71 /個	★	確認する		確認する	チューブ	EPAD®, Zero Threshold™	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	10.6V	-	500オーム @ 4V	10mV @ 1µA	-	2.5pF @ 5V	500mW	0°C～70°C（TJ）	-	-	スルーホール	8-DIP（0.300インチ、7.62mm）	8-PDIP
	DMG1029SV-7	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥125.72 /個	1個以上￥138.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	60V	500mA、360mA	1.7オーム @ 500mA、10V	2.5V @ 250µA	0.3nC @ 4.5V	30pF @ 25V、25pF @ 25V	450mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	SOT-563
	NX6020CAKSX	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥77.15 /個	1個以上￥84.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	60V、50V	170mA（Ta）	4.5オーム @ 100mA、10V、7.5オーム @ 100mA、10V	2.1V @ 250µA	0.43nC @ 4.5V、0.35nC @ 5V	17pF @ 10V、36pF @ 25V	330mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	6-TSSOP
	SIZ270DT-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥491.43 /個	1個以上￥540.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET® Gen IV	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	100V	7.1A（Ta）、19.5A（Tc）、6.9A（Ta）、19.1A（Tc）	37.7ミリオーム @ 7A、10V、39.4ミリオーム @ 7A、10V	2.4V @ 250µA	27nC @ 10V	860pF @ 50V、845pF @ 50V	4.3W（Ta）、33W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerWDFN	8-PowerPair®（3.3x3.3）
	SQ4946CEY-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥357.15 /個	1個以上￥392.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	7A（Tc）	40ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 250µA	22nC @ 10V	865pF @ 25V	4W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	SI4946CDY-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥315.72 /個	1個以上￥347.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	5.2A（Ta）、6.1A（Tc）	40.9ミリオーム @ 5.2A、10V	3V @ 250µA	10nC @ 10V	350pF @ 30V	2W（Ta）、2.8W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	SI4946CDY-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥315.72 /個	1個以上￥347.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	5.2A（Ta）、6.1A（Tc）	40.9ミリオーム @ 5.2A、10V	3V @ 250µA	10nC @ 10V	350pF @ 30V	2W（Ta）、2.8W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	SI8916EDB-T6-E1	VISHAY	A(DigiKey)	3000個以上￥13.14 /個	3000個以上￥14.45 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	20V	2.5A（Ta）	75ミリオーム @ 3A、4.5V	1.4V @ 250µA	11nC @ 10V	220pF @ 10V	770mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	4-SMD、リードなし	MicroFOOT® 2x2NB
	FS28MR12W1M1HB11HPSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥17,739.09 /個	1個以上￥19,512.99 /個	★	確認する		確認する	トレイ	EasyPACK™	シリコンカーバイド（SiC）	6 Nチャネル	-	1200V（1.2kV）	30A	26.4ミリオーム @ 30A、18V	5.15V @ 12mA	90nC @ 18V	2700pF @ 800V	20mW	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-EASY1B
	DMG1029SV-7	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥125.72 /個	1個以上￥138.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	60V	500mA、360mA	1.7オーム @ 500mA、10V	2.5V @ 250µA	0.3nC @ 4.5V	30pF @ 25V、25pF @ 25V	450mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	SOT-563
	CSD87501L	TEXAS INSTRUMENTS	A(DigiKey)	1個以上￥190.00 /個	1個以上￥209.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	-	-	-	2.3V @ 250µA	40nC @ 10V	-	2.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	10-XFLGA	10-Picostar（3.37x1.47）
	SSM6P41FE(TE85L,F)	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥138.58 /個	1個以上￥152.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	720mA	300ミリオーム @ 400mA、4.5V	1V @ 1mA	1.76nC @ 4.5V	110pF @ 10V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	ES6
	AO4629	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	1個以上￥161.43 /個	1個以上￥177.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル、コモンドレイン	論理レベルゲート	30V	6A、5.5A	30ミリオーム @ 6A、10V	2.4V @ 250µA	6.3nC @ 10V	310pF @ 15V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	BSS138PS	EVVO Semi	A(DigiKey)	1個以上￥47.15 /個	1個以上￥51.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	300mA（Ta）	2オーム @ 300mA、10V	1.6V @ 250µA	-	27pF @ 30V	350mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6	SOT-23-6
	FF6MR12KM1HHPSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥34,253.77 /個	1個以上￥37,679.14 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	DMT10H032SDVWQ-7	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	2000個以上￥66.49 /個	2000個以上￥73.13 /個	★	確認する	2,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	100V	6A（Ta）	35ミリオーム @ 5A、10V	4V @ 250µA	8nC @ 10V	544pF @ 50V	1.2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-PowerVDFN	PowerDI3333-8（SWP）（タイプUXD）
	VS-MPX075P120	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥15,152.88 /個	1個以上￥16,668.16 /個	★	確認する		確認する	箱	-	シリコンカーバイド（SiC）	6 Nチャンネル（3相インバータ）	-	1200V（1.2kV）	22A	97.5ミリオーム @ 20A、15V	3.8V @ 5mA	56nC @ 15V	1489pF @ 1000V	47.5W	-55°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	US6M1TR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥245.72 /個	1個以上￥270.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	30V、20V	1.4A、1A	240ミリオーム @ 1.4A、10V	2.5V @ 1mA	2nC @ 5V	70pF @ 10V	1W	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	TUMT6
	BSS138PS,115	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥72.86 /個	1個以上￥80.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchMOS™	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	60V	320mA	1.6オーム @ 300mA、10V	1.5V @ 250µA	0.8nC @ 4.5V	50pF @ 10V	420mW	150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	6-TSSOP
	SSM6L40TU,LF	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥150.00 /個	1個以上￥165.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	ロジックレベルゲート、4V駆動	30V	1.6A（Ta）、1.4A（Ta）	122ミリオーム @ 1A、10V、226ミリオーム @ 1A、10V	2.6V @ 1mA、2V @ 1mA	5.1nC @ 10V、2.9nC @ 10V	180pF @ 15V、120pF @ 15V	500mW（Ta）	150°C	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	UF6
	EM6K31T2R	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥180.00 /個	1個以上￥198.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	60V	250mA	2.4オーム @ 250mA、10V	2.3V @ 1mA	-	15pF @ 25V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	EMT6
	DMP2075UFDB-7	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥168.58 /個	1個以上￥185.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	20V	3.8A（Ta）	75ミリオーム @ 2.9A、4.5V	1.4V @ 250µA	8.8nC @ 4.5V	642pF @ 10V	700mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-UDFN露出パッド	U-DFN2020-6（タイプB）
	NXH010P120MNF1PTNG	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥22,628.74 /個	1個以上￥24,891.61 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	1200V（1.2kV）	114A（Tc）	14ミリオーム @ 100A、20V	4.3V @ 40mA	454nC @ 20V	4707pF @ 800V	250W（Tj）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	NXH010P120MNF1PNG	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥23,537.50 /個	1個以上￥25,891.25 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	1200V（1.2kV）	114A（Tc）	14ミリオーム @ 100A、20V	4.3V @ 40mA	454nC @ 20V	4707pF @ 800V	250W（Tj）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	IAUCN04S7N054HATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥447.15 /個	1個以上￥491.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ 7	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	62A（Tj）	5.41ミリオーム @ 30A、10V	3V @ 10µA	12nC @ 10V	798pF @ 20V	40W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-PowerVDFN	PG-TDSON-8-57
	SSM6L35FU(TE85L,F)	東芝	A(DigiKey)	3000個以上￥16.49 /個	3000個以上￥18.13 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	ロジックレベルゲート、1.2V駆動	20V	180mA、100mA	3オーム @ 50mA、4V	1V @ 1mA	-	9.5pF @ 3V	200mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	US6
	SSM5P15FU,LF	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥91.43 /個	1個以上￥100.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	30V	100mA（Ta）	12オーム @ 10mA、4V	1.7V @ 100µA	-	9.1pF @ 3V	200mW（Ta）	150°C	-	-	面実装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	USV
	FDPC8011S	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥1,017.81 /個	1個以上￥1,119.59 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）非対称	-	25V	13A（Ta）、20A（Tc）、27A（Ta）、60A（Tc）	6ミリオーム @ 13A、10V、1.8ミリオーム @ 27A、10V	2.2V @ 250µA、2.2V @ 1mA	19nC @ 10V、64nC @ 10V	1240pF @ 13V、4335pF @ 13V	800mW（Ta）、900mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerWDFN	Powerclip-33
	SSM6L35FU(TE85L,F)	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥105.72 /個	1個以上￥116.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	ロジックレベルゲート、1.2V駆動	20V	180mA、100mA	3オーム @ 50mA、4V	1V @ 1mA	-	9.5pF @ 3V	200mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	US6
	SSM6L820R,LF	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥194.29 /個	1個以上￥213.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V、20V	4A（Ta）	39.1ミリオーム @ 2A、4.5V、45ミリオーム @ 3.5A、10V	1V @ 1mA、1.2V @ 1mA	3.2nC @ 4.5V、6.7nC @ 4.5V	310pF @ 15V、480pF @ 10V	1.4W（Ta）	150°C	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	6-TSOP-F
	FS03MR12A6MA1BBPSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥348,906.39 /個	1個以上￥383,797.02 /個	★	確認する		確認する	トレイ	HybridPACK™	シリコンカーバイド（SiC）	6Nチャンネル（3相ブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	400A（Tj）	3.7ミリオーム @ 400A、15V	5.55V @ 240mA	1320nC @ 15V	42500pF @ 600V	-	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-HYBRIDD-2
	IAUCN04S7N054HATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥447.15 /個	1個以上￥491.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 7	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	62A（Tj）	5.41ミリオーム @ 30A、10V	3V @ 10µA	12nC @ 10V	798pF @ 20V	40W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-PowerVDFN	PG-TDSON-8-57
	QS6J1TR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥234.29 /個	1個以上￥257.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	1.5A	215ミリオーム @ 1.5A、4.5V	2V @ 1mA	3nC @ 4.5V	270pF @ 10V	1.25W	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	TSMT6（SC-95）
	GCMX3P5B120S3B1-N	SemiQ	A(DigiKey)	1個以上￥25,793.19 /個	1個以上￥28,372.50 /個	★	確認する		確認する	箱	QSiC™	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	428A（Tc）	5ミリオーム @ 200A、18V	4V @ 80mA	1070nC @ 18V	26900pF @ 800V	1250W（Tc）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	NDS9958	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	2500個以上￥104.71 /個	2500個以上￥115.18 /個	★	確認する	2,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	20V	3.5A	100ミリオーム @ 3.5A、10V	3V @ 250µA	30nC @ 10V	525pF @ 10V	900mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	SSM6L61NU,LF	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥164.29 /個	1個以上￥180.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	20V	4A	-	-	-	-	-	-	-	-	面実装	6-WDFN露出パッド	6-UDFN（2x2）
	AO4629	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	1個以上￥161.43 /個	1個以上￥177.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル、コモンドレイン	論理レベルゲート	30V	6A、5.5A	30ミリオーム @ 6A、10V	2.4V @ 250µA	6.3nC @ 10V	310pF @ 15V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	SI5515CDC-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥282.86 /個	1個以上￥311.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	20V	4A	36ミリオーム @ 6A、4.5V	800mV @ 250µA	11.3nC @ 5V	632pF @ 10V	3.1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	1206-8 ChipFET™
	ECH8660-TL-H	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	3000個以上￥45.66 /個	3000個以上￥50.22 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	30V	4.5A	59ミリオーム @ 2A、10V	-	4.4nC @ 10V	240pF @ 10V	1.5W	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	8-ECH
	SSM6P41FE(TE85L,F)	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥138.58 /個	1個以上￥152.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	720mA	300ミリオーム @ 400mA、4.5V	1V @ 1mA	1.76nC @ 4.5V	110pF @ 10V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	ES6
	SI5515CDC-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥282.86 /個	1個以上￥311.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	20V	4A	36ミリオーム @ 6A、4.5V	800mV @ 250µA	11.3nC @ 5V	632pF @ 10V	3.1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	1206-8 ChipFET™
	IRF7319TRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥440.00 /個	1個以上￥484.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	-	29ミリオーム @ 5.8A、10V	1V @ 250µA	33nC @ 10V	650pF @ 25V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	ALD110902PAL	Advanced Linear Devices Inc	A(DigiKey)	50個以上￥827.94 /個	50個以上￥910.73 /個	★	確認する	50 個	確認する	チューブ	EPAD®	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	10.6V	-	500オーム @ 4.2V	220mV @ 1µA	-	2.5pF @ 5V	500mW	0°C～70°C（TJ）	-	-	スルーホール	8-DIP（0.300インチ、7.62mm）	8-PDIP
	CCB032M12FM3T	Wolfspeed	A(DigiKey)	1個以上￥22,555.18 /個	1個以上￥24,810.69 /個	★	確認する		確認する	箱	WolfPACK™	シリコンカーバイド（SiC）	6Nチャンネル（3相ブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	40A（Tj）	42.6ミリオーム @ 30A、15V	3.6V @ 11.5mA	118nC @ 15V	3400pF @ 800V	-	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	モジュール
	DMC3026LSD-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	2500個以上￥39.92 /個	2500個以上￥43.91 /個	★	確認する	2,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネルコンプリメンタリ	-	30V	8.2A（Ta）、8A（Ta）	25ミリオーム @ 6A、10V、28ミリオーム @ 6A、10V	3V @ 250µA	6nC @ 4.5V、10.9nC @ 4.5V	641pF @ 15V、1241pF @ 15V	1.6W	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	TPC8408,LQ(S	東芝	A(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	40V	6.1A、5.3A	32ミリオーム @ 3.1A、10V	2.3V @ 100µA	24nC @ 10V	850pF @ 10V	450mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	MCACD6D3N06Y-TP	MCC (Micro Commercial Components)	A(DigiKey)	1個以上￥355.72 /個	1個以上￥391.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャネル	-	60V	60A（Tc）	6.3ミリオーム @ 40A、10V	4V @ 250µA	25.5nC @ 10V	1529pF @ 30V	93.7W	-55°C～175°C	-	-	面実装	8-PowerLDFN	PDFN5060-8D
	SCZ4011KTAC23	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥14,591.96 /個	1個以上￥16,051.15 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	106A（Tc）	15ミリオーム @ 68A、18V	4.8V @ 36.4mA	260nC @ 18V	7230pF @ 800V	361W（Tc）	-40°C～175°C	-	-	スルーホール	7-PowerSIPモジュール	DOT-247
	DMC31D5UDJ-7	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥158.58 /個	1個以上￥174.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	30V	220mA、200mA	1.5オーム @ 100mA、4.5V	1V @ 250µA	0.38nC @ 4.5V	22.6pF @ 15V	350mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-963	SOT-963
	DMHT6016LFJ-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥557.15 /個	1個以上￥612.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	4個のNチャンネル（フルブリッジ）	-	60V	14.8A（Ta）	22ミリオーム @ 10A、10V	3V @ 250µA	8.4nC @ 4.5V	864pF @ 30V	-	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	12-VDFN露出パッド	V-DFN5045-12
	DMT10H032SDVWQ-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	3000個以上￥63.44 /個	3000個以上￥69.78 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	100V	6A（Ta）	35ミリオーム @ 5A、10V	4V @ 250µA	8nC @ 10V	544pF @ 50V	1.2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-PowerVDFN	PowerDI3333-8（SWP）（タイプUXD）
	AO6602L	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	3000個以上￥31.97 /個	3000個以上￥35.16 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネルコンプリメンタリ	論理レベルゲート	30V	-	75ミリオーム @ 3.1A、10V	3V @ 250µA	8.5nC @ 10V	240pF @ 15V	1.15W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SC-74、SOT-457	6-TSOP
	FDMB3900AN	オンセミコンダクター	A(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	テープ＆リール（TR）	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	25V	7A	23ミリオーム @ 7A、10V	3V @ 250µA	17nC @ 10V	890pF @ 13V	800mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerWDFN	8-MLP、MicroFET（3x1.9）
	SSM6N15AFE,LM	東芝	A(DigiKey)	4000個以上￥10.99 /個	4000個以上￥12.08 /個	★	確認する	4,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	100mA	4オーム @ 10mA、4V	1.5V @ 100µA	-	13.5pF @ 3V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	ES6
	US6M2TR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥245.72 /個	1個以上￥270.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V、20V	1.5A、1A	240ミリオーム @ 1.5A、4.5V	1.5V @ 1mA	2.2nC @ 4.5V	80pF @ 10V	1W	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	TUMT6
	HT8KB6TB1	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥460.00 /個	1個以上￥506.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	8A（Ta）、15A（Tc）	17.2ミリオーム @ 8A、10V	2.5V @ 1mA	10.6nC @ 10V	530pF @ 20V	2W（Ta）、14W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerVDFN	8-HSMT（3.2x3）
	DMP2110UVTQ-7	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	3000個以上￥25.58 /個	3000個以上￥28.13 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	20V	1.8A（Ta）	150ミリオーム @ 2.8A、4.5V	1V @ 250µA	6nC @ 4.5V	443pF @ 6V	740mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	TSOT-26
	SSM6N357R,LF	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥154.29 /個	1個以上￥169.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	650mA（Ta）	1.8オーム @ 150mA、5V	2V @ 1mA	1.5nC @ 5V	60pF @ 12V	1.5W（Ta）	150°C	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	6-TSOP-F
	DMP6111SSD-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	2500個以上￥41.64 /個	2500個以上￥45.80 /個	★	確認する	2,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	60V	2.8A（Ta）	115ミリオーム @ 3A、10V	3V @ 250µA	23nC @ 10V	1286pF @ 30V	1.3W（Ta）	-55°C～150°C	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	NTZD5110NT1G	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥95.72 /個	1個以上￥105.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	60V	294mA	1.6オーム @ 500mA、10V	2.5V @ 250µA	0.7nC @ 4.5V	24.5pF @ 20V	250mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	SOT-563
	SIA517DJ-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥212.86 /個	1個以上￥234.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	12V	4.5A	29ミリオーム @ 5A、4.5V	1V @ 250µA	15nC @ 8V	500pF @ 6V	6.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PowerPAK® SC-70-6デュアル	PowerPAK® SC-70-6デュアル
	AO6608	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	1個以上￥182.86 /個	1個以上￥201.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネルコンプリメンタリ	-	30V、20V	3.4A（Ta）、3.3A（Ta）	60ミリオーム @ 3.4A、10V、75ミリオーム @ 3.3A、4.5V	1.5V @ 250µA、1V @ 250µA	3nC @ 4.5V、10nC @ 4.5V	235pF @ 15V、510pF @ 10V	1.25W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SC-74、SOT-457	6-TSOP
	PSMN029-100HLX	NEXPERIA	A(DigiKey)	1500個以上￥114.20 /個	1500個以上￥125.62 /個	★	確認する	1,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	100V	30A（Ta）	27ミリオーム @ 5A、10V	2.1V @ 1mA	29.6nC @ 5V	3637pF @ 25V	68W（Ta）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	DMN3024LSD-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥220.00 /個	1個以上￥242.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	6.8A	24ミリオーム @ 7A、10V	3V @ 250µA	12.9nC @ 10V	608pF @ 15V	1.8W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	ALD1105PBL	Advanced Linear Devices Inc	A(DigiKey)	1個以上￥1,632.54 /個	1個以上￥1,795.79 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネルおよび2Pチャンネル整合ペア	-	10.6V	-	500オーム @ 5V	1V @ 1µA	-	3pF @ 5V	500mW	0°C～70°C（TJ）	-	-	スルーホール	14-DIP（0.300インチ、7.62mm）	14-PDIP
	DMG6968UTS-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥184.29 /個	1個以上￥202.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	20V	5.2A	23ミリオーム @ 6.5A、4.5V	950mV @ 250µA	8.8nC @ 4.5V	143pF @ 10V	1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-TSSOP（幅0.173インチ、4.40mm）	8-TSSOP
	DMN3018SSD-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥194.29 /個	1個以上￥213.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	6.7A	22ミリオーム @ 10A、10V	2.1V @ 250µA	13.2nC @ 10V	697pF @ 15V	1.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	CSD87501LT	TEXAS INSTRUMENTS	A(DigiKey)	1個以上￥252.86 /個	1個以上￥278.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	-	-	-	2.3V @ 250µA	40nC @ 10V	-	2.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	10-XFLGA	10-Picostar（3.37x1.47）
	SI1965DH-T1-BE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥177.15 /個	1個以上￥194.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	12V	1.14A（Ta）、1.3A（Tc）	390ミリオーム @ 1A、4.5V	1V @ 250µA	4.2nC @ 8V	120pF @ 6V	740mW（Ta）、1.25W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SC-70-6
	SI1967DH-T1-BE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥154.29 /個	1個以上￥169.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	20V	1A（Ta）、1.3A（Tc）	490ミリオーム @ 910mA、4.5V	1V @ 250µA	4nC @ 10V	110pF @ 10V	740mW（Ta）、1.25W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SC-70-6
	BSM180D12P3C007	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥98,067.03 /個	1個以上￥107,873.73 /個	★	確認する		確認する	バルク	-	シリコンカーバイド（SiC）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	1200V（1.2kV）	180A（Tc）	-	5.6V @ 50mA	-	900pF @ 10V	880W	175°C（TJ）	-	-	面実装	モジュール	モジュール
	FF2000UXTR33T2M1BPSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥1,509,472.35 /個	1個以上￥1,660,419.58 /個	★	確認する		確認する	箱	CoolSiC™, XHP™2	SiCFET（炭化ケイ素）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	3300V（3.3kV）	925A（Tc）	2.4ミリオーム @ 1000A、15V	5.55V @ 900mA	5000nC @ 15V	203000pF @ 1800V	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-XHP2K33
	SSF3714	Good-Ark Semiconductor	A(DigiKey)	1個以上￥40.00 /個	1個以上￥44.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	4A（Tc）、3A（Tc）	30ミリオーム @ 4A、10V、65ミリオーム @ 3A、10V	2.5V @ 250µA	8nC @ 4.5V	500pF @ 25V	2W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6	SOT-23-6L
	AONY36352	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	1個以上￥418.58 /個	1個以上￥460.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）非対称	-	30V	18.5A（Ta）、49A（Tc）、30A（Ta）、85A（Tc）	5.3ミリオーム @ 20A、10V、2ミリオーム @ 20A、10V	2.1V @ 250µA、1.9V @ 250µA	20nC @ 10V、52nC @ 10V	820pF @ 15V、2555pF @ 15V	3.1W（Ta）、21W（Tc）、3.1W（Ta）、45W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerSMD、フラットリード	8-DFN（5x6）
	PSMN014-40HLDX	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥411.43 /個	1個以上￥452.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	40V	42A（Ta）	13.6ミリオーム @ 10A、10V	2.2V @ 1mA	19.4nC @ 10V	1160pF @ 25V	46W（Ta）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	FF1000UXTR23T2M1PBPSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥825,851.07 /個	1個以上￥908,436.17 /個	★	確認する		確認する	トレイ	CoolSiC™, XHP™2	SiCFET（炭化ケイ素）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	2300V（2.3kV）	1.185kA（Tc）	1.19ミリオーム @ 2000A、15V	5.15V @ 900mA	5300nC @ 15V	190000pF @ 1500V	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-XHP2K23
	FF6MR12KM1HPHPSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥34,944.09 /個	1個以上￥38,438.49 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	SQ9945CEY-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥282.86 /個	1個以上￥311.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	5.4A（Tc）	64オーム @ 3.4A、10V	2.5V @ 250µA	12nC @ 10V	470pF @ 25V	4W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	SH8KC6TB1	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥350.00 /個	1個以上￥385.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	6.5A（Ta）	32ミリオーム @ 6.5A、10V	2.5V @ 1mA	7.6nC @ 10V	460pF @ 30V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	CAB425M12XM3	Wolfspeed	A(DigiKey)	1個以上￥122,962.77 /個	1個以上￥135,259.04 /個	★	確認する		確認する	バルク	CAB425M12XM3	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	450A	4.2ミリオーム @ 425A、15V	3.6V @ 115mA	1135nC @ 15V	30700pF @ 800V	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	IRF7341TRPBFXTMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥330.00 /個	1個以上￥363.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	55V	4.7A（Tc）	50ミリオーム @ 4.7A、10V	1V @ 250µA	36nC @ 10V	740pF @ 25V	2W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-902
	HT8KA6TB1	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥147.15 /個	1個以上￥161.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	HT8KA6TB1	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥147.15 /個	1個以上￥161.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	HT8KA6TB1	ROHM	A(DigiKey)	3000個以上￥49.19 /個	3000個以上￥54.10 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	HT8MA5TB1	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥131.43 /個	1個以上￥144.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
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1

【SSM6N40TU,LF】MOSFET 2N-CH 30V 1.6A UF6

東芝

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商品説明

【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、4V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：122ミリオーム @ 1A、10V・Id印加時の

￥140.00 税込￥154.00
2

【NXH010P120MNF1PTG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（

￥23,313.64 税込￥25,645.00
3

【NXH010P120MNF1PG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

オンセミコンダクター

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商品説明

【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（

￥23,313.64 税込￥25,645.00
4

【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @

￥190.00 税込￥209.00
5

【FDMC7200S】MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A、13A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時

￥315.72 税込￥347.29
6

【FDMC7200】MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33

オンセミコンダクター

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商品説明

【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23.5ミリオーム @ 6A、10V・Id印加

￥250.00 税込￥275.00
7

【SSM6N17FU(TE85L,F)】MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20オーム @ 10mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.5

￥102.86 税込￥113.14
8

【HS8K11TB】MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A、 11A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17.9ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs（th）

￥234.29 税込￥257.71
9

【SIL2308-TP】MOSFET N/P-CH 20V 5A/4A SOT23-6L

MCC (Micro Commercial Components)

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A、4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：38ミリオーム @ 4.5A、4.5V、90ミリオーム @ 500mA、4.5V・Id印加

￥117.15 税込￥128.86
10

【DMC2700UDM-7】MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.34A、1.14A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：400ミリオーム @ 600mA、4.5V・Id印加時のVgs（

￥81.43 税込￥89.57
11

【SH8MA2GZETB】MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 4.5A、10V、82ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時

￥261.43 税込￥287.57
12

【QH8JA1TCR】MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：-・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：38ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.2V @ 1mA・Vgs印加時のゲート電

￥330.00 税込￥363.00
13

【SH8KC6TB1】MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 6.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.

￥350.00 税込￥385.00
14

【SQ4946CEY-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）

￥357.15 税込￥392.86
15

【ALD212900APAL】MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8PDIP

Advanced Linear Devices Inc

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：EPAD®, Zero Threshold™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Nチャンネル（デュアル）整合ペア・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：10.6V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：80mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14オーム・Id印加時のVgs（

￥1,977.65 税込￥2,175.41
16

【ALD110900APAL】MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP

Advanced Linear Devices Inc

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商品説明

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：EPAD®, Zero Threshold™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Nチャンネル（デュアル）整合ペア・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：10.6V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500オーム @ 4V・Id印加時のVgs（th）（

￥2,098.83 税込￥2,308.71
17

【DMG1029SV-7】MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563 [digi-reel品]

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA、360mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.7オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（

￥125.72 税込￥138.29
18

【NX6020CAKSX】MOSFET N/P-CH 60V 0.17A 6TSSOP

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V、50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：170mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.5オーム @ 100mA、10V、7.5オーム @ 100mA、10V

￥77.15 税込￥84.86
19

【SIZ270DT-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET® Gen IV・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.1A（Ta）、19.5A（Tc）、6.9A（Ta）、19.1A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds

￥491.43 税込￥540.57
20

【SQ4946CEY-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC

VISHAY

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商品説明

【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th

￥357.15 税込￥392.86
21

【SI4946CDY-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 60V 5.2A 8SO [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.2A（Ta）、6.1A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40.9ミリオーム @ 5.2A、10V・

￥315.72 税込￥347.29
22

【SI4946CDY-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 60V 5.2A 8SO

VISHAY

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商品説明

【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.2A（Ta）、6.1A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40.9ミリオーム @ 5.2A、10V

￥315.72 税込￥347.29
23

【SI8916EDB-T6-E1】COMMON DRAIN DUAL N-CH 20V (S1-S

VISHAY

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時のVg

￥13.14 税込￥14.45
24

【FS28MR12W1M1HB11HPSA1】EASYPACK MODULE WITH COOLSIC TRE

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：EasyPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：26.4ミリオーム @ 30A、18V・Id印加時のVgs（th）（最大）：5.

￥17,739.09 税込￥19,512.99
25

【DMG1029SV-7】MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA、360mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.7オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）

￥125.72 税込￥138.29
26

【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR [digi-reel品]

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @ 2

￥190.00 税込￥209.00
27

【SSM6P41FE(TE85L,F)】MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6 [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：720mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：300ミリオーム @ 400mA、4.5V・Id印加時のVgs（th）（

￥138.58 税込￥152.43
28

【AO4629】MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル、コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、5.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（t

￥161.43 税込￥177.57
29

【BSS138PS】MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT23-6

EVVO Semi

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2オーム @ 300mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.

￥47.15 税込￥51.86
30

【FF6MR12KM1HHPSA1】CoolSiC MOSFETハーフブリッジパワーモジュール(1200V)

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-

￥34,253.77 税込￥37,679.14
31

【DMT10H032SDVWQ-7】MOSFET 2N-CH 100V 6A PWRDI3333

Diodes Incorporated

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最小2,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：35ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：4V @

￥66.49 税込￥73.13
32

【VS-MPX075P120】POWER MODULE, THREE PHASE INVERT

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャンネル（3相インバータ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：22A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：97.5ミリオーム @ 20A、15V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3.

￥15,152.88 税込￥16,668.16
33

【US6M1TR】MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.4A TUMT6

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.4A、1A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：240ミリオーム @ 1.4A、10V・Id印加時のVgs（th

￥245.72 税込￥270.29
34

【BSS138PS,115】MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP [digi-reel品]

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：320mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 300mA、10V・Id印加時のV

￥72.86 税込￥80.14
35

【SSM6L40TU,LF】MOSFET N/P-CH 30V 1.6A UF6

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：ロジックレベルゲート、4V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.6A（Ta）、1.4A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：122ミリオーム @ 1A、10V、2

￥150.00 税込￥165.00
36

【EM6K31T2R】MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4オーム @ 250mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最

￥180.00 税込￥198.00
37

【DMP2075UFDB-7】MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.8A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 2.9A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1

￥168.58 税込￥185.43
38

【NXH010P120MNF1PTNG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥22,628.74 税込￥24,891.61
39

【NXH010P120MNF1PNG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥23,537.50 税込￥25,891.25
40

【IAUCN04S7N054HATMA1】MOSFET_(20V 40V)

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 7・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：62A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.41ミリオーム @ 30A、10V・Id印加時のVgs（

￥447.15 税込￥491.86
41

【SSM6L35FU(TE85L,F)】MOSFET N/P-CH 20V 0.18A US6

東芝

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：180mA、100mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3オーム @ 50mA、4V・Id印加時のVg

￥16.49 税込￥18.13
42

【SSM5P15FU,LF】MOSFET 2P-CH 30V 0.1A USV

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12オーム @ 10mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.7V

￥91.43 税込￥100.57
43

【FDPC8011S】MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：25V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：13A（Ta）、20A（Tc）、27A（Ta）、60A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6

￥1,017.81 税込￥1,119.59
44

【SSM6L35FU(TE85L,F)】MOSFET N/P-CH 20V 0.18A US6 [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：180mA、100mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3オーム @ 50mA、4V・Id印加時のVgs

￥105.72 税込￥116.29
45

【SSM6L820R,LF】MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：39.1ミリオーム @ 2A、4.5V、45ミリオーム @ 3.5A、10V・Id

￥194.29 税込￥213.71
46

【FS03MR12A6MA1BBPSA1】MOSFET 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：HybridPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6Nチャンネル（3相ブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：400A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.7ミリオーム @ 400A、15V・Id印加時

￥348,906.39 税込￥383,797.02
47

【IAUCN04S7N054HATMA1】MOSFET_(20V 40V) [digi-reel品]

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 7・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：62A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.41ミリオーム @ 30A、10V・Id印加時のVgs（t

￥447.15 税込￥491.86
48

【QS6J1TR】MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：215ミリオーム @ 1.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥234.29 税込￥257.71
49

【GCMX3P5B120S3B1-N】GEN3 1200V 3.6M SIC 62MM HALF BR

SemiQ

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：QSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：428A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5ミリオーム @ 200A、18V・Id印加時のVgs（th）

￥25,793.19 税込￥28,372.50
50

【NDS9958】MOSFET N/P-CH 20V 3.5A 8SOIC

オンセミコンダクター

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最小2,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 3.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3

￥104.71 税込￥115.18
51

【SSM6L61NU,LF】MOSFET N/P-CH 20V 4A 6UDFN [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印

￥164.29 税込￥180.71
52

【AO4629】MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC [digi-reel品]

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル、コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、5.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th

￥161.43 税込￥177.57
53

【SI5515CDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：36ミリオーム @ 6A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（

￥282.86 税込￥311.14
54

【ECH8660-TL-H】MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH

オンセミコンダクター

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：59ミリオーム @ 2A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vg

￥45.66 税込￥50.22
55

【SSM6P41FE(TE85L,F)】MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：720mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：300ミリオーム @ 400mA、4.5V・Id印加時のVgs（th）

￥138.58 税込￥152.43
56

【SI5515CDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：36ミリオーム @ 6A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最

￥282.86 税込￥311.14
57

【IRF7319TRPBF】MOSFET N/P-CH 30V 8SO [digi-reel品]

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：29ミリオーム @ 5.8A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @ 25

￥440.00 税込￥484.00
58

【ALD110902PAL】MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP

Advanced Linear Devices Inc

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最小50個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：EPAD®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Nチャンネル（デュアル）整合ペア・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：10.6V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500オーム @ 4.2V・Id印加時のVgs（th）（最大）：220mV @ 1µA

￥827.94 税込￥910.73
59

【CCB032M12FM3T】SiCハーフブリッジ電源モジュール(1200V/40A)

Wolfspeed

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：WolfPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6Nチャンネル（3相ブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：40A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：42.6ミリオーム @ 30A、15V・Id印加時のVgs（

￥22,555.18 税込￥24,810.69
60

【DMC3026LSD-13】MOSFET N/P-CH 30V 8.2A 8SO

Diodes Incorporated

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最小2,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネルコンプリメンタリ・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8.2A（Ta）、8A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオーム @ 6A、10V、28ミリオーム @

￥39.92 税込￥43.91
61

【TPC8408,LQ(S】MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP [digi-reel品]

東芝

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.1A、5.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大
62

【MCACD6D3N06Y-TP】DUAL N-CHANNEL MOSFETP,DFN5060-8

MCC (Micro Commercial Components)

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：60A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6.3ミリオーム @ 40A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：4V @ 250µ

￥355.72 税込￥391.29
63

【SCZ4011KTAC23】DOT-247 (2-IN-1), 1200V, 106A, H

ROHM

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：106A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：15ミリオーム @ 68A、18V・Id印加時のVgs（th）（

￥14,591.96 税込￥16,051.15
64

【DMC31D5UDJ-7】MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：220mA、200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @ 100mA、4.5V・Id印加時のVgs（th

￥158.58 税込￥174.43
65

【DMHT6016LFJ-13】MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：4個のNチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：14.8A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥557.15 税込￥612.86
66

【DMT10H032SDVWQ-13】MOSFET 2N-CH 100V 6A PWRDI3333

Diodes Incorporated

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：35ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：4V @

￥63.44 税込￥69.78
67

【AO6602L】MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネルコンプリメンタリ・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最

￥31.97 税込￥35.16
68

【FDMB3900AN】MOSFET 2N-CH 25V 7A 8MLP MICRO

オンセミコンダクター

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：25V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs
69

【SSM6N15AFE,LM】MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6

東芝

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最小4,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4オーム @ 10mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1

￥10.99 税込￥12.08
70

【US6M2TR】MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.5A、1A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：240ミリオーム @ 1.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥245.72 税込￥270.29
71

【HT8KB6TB1】MOSFET 2N-CH 40V 8A 8HSMT

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Ta）、15A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17.2ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th）

￥460.00 税込￥506.00
72

【DMP2110UVTQ-7】MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26

Diodes Incorporated

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.8A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：150ミリオーム @ 2.8A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥25.58 税込￥28.13
73

【SSM6N357R,LF】MOSFET 2N-CH 60V 0.65A 6TSOPF

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：650mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.8オーム @ 150mA、5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2

￥154.29 税込￥169.71
74

【DMP6111SSD-13】MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2

Diodes Incorporated

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最小2,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.8A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：115ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V

￥41.64 税込￥45.80
75

【NTZD5110NT1G】MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：294mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最

￥95.72 税込￥105.29
76

【SIA517DJ-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：29ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs（th

￥212.86 税込￥234.14
77

【AO6608】MOSFET N/P-CH 30V/20V 3.4A 6TSOP [digi-reel品]

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネルコンプリメンタリ・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.4A（Ta）、3.3A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 3.4A、10V、75ミ

￥182.86 税込￥201.14
78

【PSMN029-100HLX】LFPAK56D デュアルパワーMOSFET(100V/30A)

NEXPERIA

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最小1,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：27ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（

￥114.20 税込￥125.62
79

【DMN3024LSD-13】MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：24ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥220.00 税込￥242.00
80

【ALD1105PBL】MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14PDIP

Advanced Linear Devices Inc

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Nチャンネルおよび2Pチャンネル整合ペア・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：10.6V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500オーム @ 5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @ 1µA・Vgs印

￥1,632.54 税込￥1,795.79
81

【DMG6968UTS-13】MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23ミリオーム @ 6.5A、4.5V・Id印加時のVg

￥184.29 税込￥202.71
82

【DMN3018SSD-13】MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥194.29 税込￥213.71
83

【CSD87501LT】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @

￥252.86 税込￥278.14
84

【SI1965DH-T1-BE3】MOSFET 2P-CH 12V 1.14A SC70-6 [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.14A（Ta）、1.3A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：390ミリオーム @ 1A、4.5V・Id

￥177.15 税込￥194.86
85

【SI1967DH-T1-BE3】MOSFET 2P-CH 20V 1A SC70-6

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1A（Ta）、1.3A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：490ミリオーム @ 910mA、4.5V・I

￥154.29 税込￥169.71
86

【BSM180D12P3C007】MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

ROHM

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：180A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：5.6V @ 50mA・Vgs印

￥98,067.03 税込￥107,873.73
87

【FF2000UXTR33T2M1BPSA1】MOSFET 2N-CH 3300V 9AG-XHP2K33

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：CoolSiC™, XHP™2・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：3300V（3.3kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：925A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4ミリオーム @ 1000A、15V・I

￥1,509,472.35 税込￥1,660,419.58
88

【SSF3714】MOSFET N/P-CH 30V 4A SOT23-6L

Good-Ark Semiconductor

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Tc）、3A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 4A、10V、65ミリオーム @ 3A、10V・I

￥40.00 税込￥44.00
89

【AONY36352】MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8DFN

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.5A（Ta）、49A（Tc）、30A（Ta）、85A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.3ミリオーム @

￥418.58 税込￥460.43
90

【PSMN014-40HLDX】LFPAK56D デュアルパワーMOSFET(40V/42A)

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（th

￥411.43 税込￥452.57
91

【FF1000UXTR23T2M1PBPSA1】MOSFET 2N-CH 2300V AG-XHP2K23

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：CoolSiC™, XHP™2・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：2300V（2.3kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.185kA（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.19ミリオーム @ 2000A

￥825,851.07 税込￥908,436.17
92

【FF6MR12KM1HPHPSA1】MOSFET

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-

￥34,944.09 税込￥38,438.49
93

【SQ9945CEY-T1_GE3】DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.4A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：64オーム @ 3.4A、10V・Id印加時のVgs（th

￥282.86 税込￥311.14
94

【SH8KC6TB1】MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 6.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2

￥350.00 税込￥385.00
95

【CAB425M12XM3】1200V SiCハーフブリッジモジュール

Wolfspeed

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：CAB425M12XM3・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：450A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.2ミリオーム @ 425A、15V・Id印加時の

￥122,962.77 税込￥135,259.04
96

【IRF7341TRPBFXTMA1】MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.7A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 4.7A、10V・Id印加時の

￥330.00 税込￥363.00
97

【HT8KA6TB1】30V 15A, DUAL NCH+PCH, HSMT8, PO [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：*・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力

￥147.15 税込￥161.86
98

【HT8KA6TB1】30V 15A, DUAL NCH+PCH, HSMT8, PO

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：*・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電

￥147.15 税込￥161.86
99

【HT8KA6TB1】30V 15A, DUAL NCH+PCH, HSMT8, PO

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：*・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電

￥49.19 税込￥54.10
100

【HT8MA5TB1】30V 7.5A/9A, DUAL NCH+PCH, HSMT8 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：*・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力

￥131.43 税込￥144.57

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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイの定格表 該当製品数: 9,883 / 9,883 件

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