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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイの定格表該当製品数: 10,366 / 10,366 件

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電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

Id印加時のVgs（th）（最大）

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

電力 - 最大

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パッケージ/ケース

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写真	型番	メーカー	品質ランク	単価 (税抜)	単価 (税込)		在庫数量	最少購入数	納期	パッケージ	シリーズ	技術	構成	FET機能	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	電力 - 最大	動作温度	グレード	認定	取り付けタイプ	パッケージ/ケース	サプライヤデバイスパッケージ
	PMDPB55XPAX	NEXPERIA	S1(DigiKey)	1個以上￥177.15 /個	1個以上￥194.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	20V	3.6A（Ta）、9.3A（Tc）	66ミリオーム @ 3.6A、4.5V	1V @ 250µA	13nC @ 4.5V	785pF @ 10V	490mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	6-UFDFN露出パッド	6-HUSON（2x2）
	DMHC3025LSD-13	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	1個以上￥281.43 /個	1個以上￥309.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nおよび2 Pチャンネル（フルブリッジ）	論理レベルゲート	30V	6A、4.2A	25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V	2V @ 250µA	11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V	590pF @ 15V, 631pF @ 15V	1.5W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	SI3993CDV-T1-GE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥170.00 /個	1個以上￥187.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	30V	2.9A	111ミリオーム @ 2.5A、10V	2.2V @ 250µA	8nC @ 10V	210pF @ 15V	1.4W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	6-TSOP
	G180C06Y	Goford Semiconductor	S1(DigiKey)	1個以上￥315.72 /個	1個以上￥347.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル、コモンドレイン	-	60V	50A（Tc）、60A（Tc）	17ミリオーム @ 20A、10V、23ミリオーム @ 10A、10V	2V @ 250µA、4V @ 250µA	39nC @ 4.5V、62nC @ 4.5V	2429pF @ 30V、4471pF @ 30V	69W（Tc）、115W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	TO-252-5、DPAK（4リード + タブ）、TO-252AD	TO-252-4
	QS5K2TR	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥212.86 /個	1個以上￥234.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2	論理レベルゲート	30V	2A	100ミリオーム @ 2A、4.5V	1.5V @ 1mA	3.9nC @ 4.5V	175pF @ 10V	1.25W	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-5薄型、TSOT-23-5	TSMT5
	NTMFD5C674NLT1G	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	1個以上￥391.43 /個	1個以上￥430.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	11A（Ta）、42A（Tc）	14.4ミリオーム @ 10A、10V	2.2V @ 25µA	10nC @ 10V	640pF @ 25V	3W（Ta）、37W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerTDFN	8-DFN（5x6）デュアルフラグ（SO8FLデュアル）
	GSFQ4616	Good-Ark Semiconductor	S1(DigiKey)	1個以上￥84.29 /個	1個以上￥92.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネルコンプリメンタリ	-	30V	8A（Tc）、7A（Tc）	20ミリオーム @ 8A、10V、22ミリオーム @ 7A、10V	2V @ 250µA、2.4V @ 250µA	15nC @ 10V、18.6nC @ 10V	740pF @ 15V、1040pF @ 15V	2W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	QH8JA1TCR	ROHM	S1(DigiKey)	3000個以上￥60.97 /個	3000個以上￥67.06 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	-	2Pチャンネル（デュアル）	-	20V	5A	38ミリオーム @ 5A、4.5V	1.2V @ 1mA	10.2nC @ 4.5V	720pF @ 10V	1.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	QH8JA1TCR	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥300.00 /個	1個以上￥330.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	-	2Pチャンネル（デュアル）	-	20V	5A	38ミリオーム @ 5A、4.5V	1.2V @ 1mA	10.2nC @ 4.5V	720pF @ 10V	1.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	QH8JA1TCR	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥300.00 /個	1個以上￥330.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	-	2Pチャンネル（デュアル）	-	20V	5A	38ミリオーム @ 5A、4.5V	1.2V @ 1mA	10.2nC @ 4.5V	720pF @ 10V	1.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	QS8J13TR	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥280.00 /個	1個以上￥308.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	12V	5.5A	22ミリオーム @ 5.5A、4.5V	1V @ 1mA	60nC @ 4.5V	6300pF @ 6V	1.25W	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	SH8KB6TB1	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥317.15 /個	1個以上￥348.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	8.5A（Ta）	19.4ミリオーム @ 8.5A、10V	2.5V @ 1mA	10.6nC @ 10V	530pF @ 20V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	PMDPB55XPAX	NEXPERIA	S1(DigiKey)	1個以上￥177.15 /個	1個以上￥194.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	20V	3.6A（Ta）、9.3A（Tc）	66ミリオーム @ 3.6A、4.5V	1V @ 250µA	13nC @ 4.5V	785pF @ 10V	490mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	6-UFDFN露出パッド	6-HUSON（2x2）
	BUK9K13-40HX	NEXPERIA	S1(DigiKey)	1個以上￥435.72 /個	1個以上￥479.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchMOS™	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	40V	42A（Ta）	13.6ミリオーム @ 10A、10V	2.2V @ 1mA	19.4nC @ 10V	1160pF @ 25V	46W（Ta）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	US6K4TR	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥221.43 /個	1個以上￥243.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	1.5A	180ミリオーム @ 1.5A、4.5V	1V @ 1mA	2.5nC @ 4.5V	110pF @ 10V	1W	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	TUMT6
	QS5K2TR	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥212.86 /個	1個以上￥234.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2	論理レベルゲート	30V	2A	100ミリオーム @ 2A、4.5V	1.5V @ 1mA	3.9nC @ 4.5V	175pF @ 10V	1.25W	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-5薄型、TSOT-23-5	TSMT5
	SSM6N7002CFU,LF	東芝	S1(DigiKey)	1個以上￥32.86 /個	1個以上￥36.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	170mA	3.9オーム @ 100mA、10V	2.1V @ 250µA	0.35nC @ 4.5V	17pF @ 10V	285mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	US6
	IRFH4253DTRPBF	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥698.62 /個	1個以上￥768.48 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	25V	64A、145A	3.2ミリオーム @ 30A、10V	2.1V @ 35µA	15nC @ 4.5V	1314pF @ 13V	31W、50W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerVDFN	PQFN（5x6）
	STS4C3F60L	STマイクロエレクトロニクス	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	Digi-Reel®	STripFET™	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	60V	4A、3A	55ミリオーム @ 2A、10V	1V @ 250µA	20.4nC @ 4.5V	1030pF @ 25V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	SP8K32HZGTB	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥470.00 /個	1個以上￥517.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	4.5A（Ta）	65ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 1mA	10nC @ 5V	500pF @ 10V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	STS5DPF20L	STマイクロエレクトロニクス	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	テープ＆リール（TR）	STripFET™ II	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	5A	55ミリオーム @ 2.5A、10V	2.5V @ 250µA	16nC @ 5V	1350pF @ 16V	1.6W	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	ISG0614N06NM5HSCATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	3000個以上￥327.52 /個	3000個以上￥360.27 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™ 5	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	60V	31A（Ta）、233A（Tc）	1.6ミリオーム @ 50A、10V	3.3V @ 86µA	102nC @ 10V	6400pF @ 30V	3W（Ta）、167W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	10-PowerWDFN	PG-WHITFN-10-1
	QH8MC5TCR	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥320.00 /個	1個以上￥352.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	60V	3A（Ta）、3.5A（Ta）	90ミリオーム @ 3A、10V、91ミリオーム @ 3.5A、10V	2.5V @ 1mA	3.1nC @ 10V、17.3nC @ 10V	135pF @ 30V、850pF @ 30V	1.1W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	IRF7319TRPBF	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥387.15 /個	1個以上￥425.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	-	29ミリオーム @ 5.8A、10V	1V @ 250µA	33nC @ 10V	650pF @ 25V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	IRF7319TRPBF	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥387.15 /個	1個以上￥425.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	-	29ミリオーム @ 5.8A、10V	1V @ 250µA	33nC @ 10V	650pF @ 25V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	SP8K32HZGTB	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥470.00 /個	1個以上￥517.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	4.5A（Ta）	65ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 1mA	10nC @ 5V	500pF @ 10V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	ALD1101APAL	Advanced Linear Devices Inc	S1(DigiKey)	50個以上￥1,296.35 /個	50個以上￥1,425.98 /個	★	確認する	50 個	確認する	チューブ	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	10.6V	-	75オーム @ 5V	1V @ 10µA	-	10pF @ 5V	500mW	0°C～70°C（TJ）	-	-	スルーホール	8-DIP（0.300インチ、7.62mm）	8-PDIP
	TSM8568CS RLG	Taiwan Semiconductor	S1(DigiKey)	1個以上￥288.58 /個	1個以上￥317.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	15A（Tc）、13A（Tc）	16ミリオーム @ 8A、10V、24ミリオーム @ 7A、10V	2.5V @ 250µA	7nC @ 4.5V、11nC @ 4.5V	646pF @ 15V、1089pF @ 15V	6W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	AO5804EL	Alpha & Omega Semiconductor Inc	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	20V	500mA	550ミリオーム @ 500mA、4.5V	1V @ 250µA	1nC @ 4.5V	45pF @ 10V	280mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	SC-89-6
	TSM8568CS	Taiwan Semiconductor	S1(DigiKey)	5000個以上￥166.41 /個	5000個以上￥183.05 /個	★	確認する	5,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	15A（Tc）、13A（Tc）	16ミリオーム @ 8A、10V、24ミリオーム @ 7A、10V	2.5V @ 250µA	7nC @ 4.5V、11nC @ 4.5V	646pF @ 15V、1089pF @ 15V	6W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	ALD1103PBL	Advanced Linear Devices Inc	S1(DigiKey)	1個以上￥1,960.00 /個	1個以上￥2,156.00 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネルおよび2Pチャンネル整合ペア	-	10.6V	40mA、16mA	75オーム @ 5V	1V @ 10µA	-	10pF @ 5V	500mW	0°C～70°C（TJ）	-	-	スルーホール	14-DIP（0.300インチ、7.62mm）	14-PDIP
	DMN1250UFEL-7	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル8個、共通ゲート、コモンソース	-	12V	2A	450ミリオーム @ 200mA、4.5V	1V @ 250µA	1.9nC @ 4.5V	190pF @ 6V	660mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	12-UFQFN露出パッド	U-QFN1515-12
	CSD87501L	TEXAS INSTRUMENTS	S1(DigiKey)	1個以上￥181.43 /個	1個以上￥199.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	-	-	-	2.3V @ 250µA	40nC @ 10V	-	2.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	10-XFLGA	10-Picostar（3.37x1.47）
	BSM300D12P4G101	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥103,858.52 /個	1個以上￥114,244.37 /個	★	確認する		確認する	箱	-	シリコンカーバイド（SiC）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	1200V（1.2kV）	291A（Tc）	-	4.8V @ 145.6mA	-	30000pF @ 10V	925W（Tc）	175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	モジュール
	SSM6N7002CFU,LF	東芝	S1(DigiKey)	3000個以上￥5.88 /個	3000個以上￥6.46 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	170mA	3.9オーム @ 100mA、10V	2.1V @ 250µA	0.35nC @ 4.5V	17pF @ 10V	285mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	US6
	DMTH6016LSD-13	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	1個以上￥308.58 /個	1個以上￥339.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	-	7.6A（Ta）	19.5ミリオーム @ 10A、10V	2.5V @ 250µA	17nC @ 10V	864pF @ 30V	-	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	DMP2040USD-13	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	1個以上￥154.29 /個	1個以上￥169.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	20V	6.5A（Ta）、12A（Tc）	33ミリオーム @ 8.9A、4.5V	1.5V @ 250µA	19nC @ 8V	834pF @ 10V	1.1W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	QS8J4TR	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥367.15 /個	1個以上￥403.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	4A	56ミリオーム @ 4A、10V	2.5V @ 1mA	13nC @ 10V	800pF @ 10V	550mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	DMP2040USD-13	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	1個以上￥154.29 /個	1個以上￥169.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	20V	6.5A（Ta）、12A（Tc）	33ミリオーム @ 8.9A、4.5V	1.5V @ 250µA	19nC @ 8V	834pF @ 10V	1.1W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	SIZ340DT-T1-GE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥250.00 /個	1個以上￥275.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	PowerPAIR®, TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	30V	30A、40A	9.5ミリオーム @ 15.6A、10V	2.4V @ 250µA	19nC @ 10V	760pF @ 15V	16.7W、31W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerWDFN	8-Power33（3x3）
	FF2000UXTR33T2M1BPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥1,304,968.09 /個	1個以上￥1,435,464.89 /個	★	確認する		確認する	箱	CoolSiC™	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	3300V（3.3kV）	925A（Tc）	2.4ミリオーム @ 1kA、15V	5.55V @ 900mA	5000nC @ 15V	203000pF @ 1.8kV	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-XHP2K33
	SSM6L09FUTE85LF	東芝	S1(DigiKey)	1個以上￥112.86 /個	1個以上￥124.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	30V	400mA、200mA	700ミリオーム @ 200MA、10V	1.8V @ 100µA	-	20pF @ 5V	300mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	US6
	SQJ912BEP-T1_GE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥331.43 /個	1個以上￥364.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	30A（Tc）	11ミリオーム @ 9A、10V	2V @ 250µA	60nC @ 10V	3000pF @ 25V	48W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	DMG6602SVTX-7	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	1個以上￥82.86 /個	1個以上￥91.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネルコンプリメンタリ	-	30V	3.4A（Ta）、2.8A（Ta）	60ミリオーム @ 3.1A、10V、95ミリオーム @ 2.7A、10V	2.3V @ 250µA	13nC @ 10V、9nC @ 10V	400pF @ 15V、420pF @ 15V	840mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	TSOT-26
	8205A	UMW	S1(DigiKey)	1個以上￥82.86 /個	1個以上￥91.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル、コモンドレイン	-	20V	5A	27ミリオーム @ 5A、4.5V	1.2V @ 250µA	23nC @ 5V	630pF @ 10V	830mW（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6	SOT-23-6
	BSC0924NDIATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥347.15 /個	1個以上￥381.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）非対称	ロジックレベルゲート、4.5V駆動	30V	17A、32A	5ミリオーム @ 20A、10V	2V @ 250µA	10nC @ 4.5V	1160pF @ 15V	1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerTDFN	PG-TISON-8
	DMN63D8LDW-7	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	1個以上￥55.72 /個	1個以上￥61.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	220mA	2.8オーム @ 250mA、10V	1.5V @ 250µA	0.87nC @ 10V	22pF @ 25V	300mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SOT-363
	BSC0924NDIATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥347.15 /個	1個以上￥381.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）非対称	ロジックレベルゲート、4.5V駆動	30V	17A、32A	5ミリオーム @ 20A、10V	2V @ 250µA	10nC @ 4.5V	1160pF @ 15V	1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerTDFN	PG-TISON-8
	NTHC5513T1G	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	20V	2.9A、2.2A	80ミリオーム @ 2.9A、4.5V	1.2V @ 250µA	4nC @ 4.5V	180pF @ 10V	1.1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	ChipFET™
	NTHC5513T1G	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	20V	2.9A、2.2A	80ミリオーム @ 2.9A、4.5V	1.2V @ 250µA	4nC @ 4.5V	180pF @ 10V	1.1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	ChipFET™
	NTHC5513T1G	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	20V	2.9A、2.2A	80ミリオーム @ 2.9A、4.5V	1.2V @ 250µA	4nC @ 4.5V	180pF @ 10V	1.1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	ChipFET™
	EPC2221	EPC	S1(DigiKey)	1個以上￥772.23 /個	1個以上￥849.45 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	GaNFET（窒化ガリウム）	Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2	-	100V	5A	-	-	-	-	-	150°C（TJ）	-	-	面実装	ダイ	ダイ
	UM6K31NTN	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥111.43 /個	1個以上￥122.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、2.5V駆動	60V	250mA	2.4オーム @ 250mA、10V	2.3V @ 1mA	-	15pF @ 25V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	UMT6
	SI4943BDY-T1-E3	VISHAY	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	6.3A	19ミリオーム @ 8.4A、10V	3V @ 250µA	25nC @ 5V	-	1.1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	SI1016X-T1-GE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥158.58 /個	1個以上￥174.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	20V	485mA、370mA	700ミリオーム @ 600mA、4.5V	1V @ 250µA	0.75nC @ 4.5V	-	250mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	SC-89（SOT-563F）
	CSD87351ZQ5D	TEXAS INSTRUMENTS	S1(DigiKey)	1個以上￥427.15 /個	1個以上￥469.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）非対称	論理レベルゲート	30V	32A	-	2.1V @ 250µA	7.7nC @ 4.5V	1255pF @ 15V	12W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerLDFN	8-LSON（5x6）
	US6M11TR	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥208.58 /個	1個以上￥229.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	20V、12V	1.5A、1.3A	180ミリオーム @ 1.5A、4.5V	1V @ 1mA	1.8nC @ 4.5V	110pF @ 10V	1W	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	TUMT6
	DMC10H220LSD-13	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	2500個以上￥51.61 /個	2500個以上￥56.77 /個	★	確認する	2,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネルコンプリメンタリ	-	100V	1.7A（Ta）	220ミリオーム @ 1.6A、10V、250ミリオーム @ 1A、10V	3V @ 250µA	8.3nC @ 10V、17.5nC @ 10V	340pF @ 50V、1030pF @ 50V	1W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	NTMFD6H846NLT1G	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	1個以上￥454.29 /個	1個以上￥499.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	80V	9.4A（Ta）、31A（Tc）	15ミリオーム @ 5A、10V	2V @ 21µA	17nC @ 10V	900pF @ 40V	3.2W（Ta）、34W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerTDFN	8-DFN（5x6）デュアルフラグ（SO8FLデュアル）
	PJQ5846-AU_R2_000A1	PANJIT	S1(DigiKey)	1個以上￥402.86 /個	1個以上￥443.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	9.5A（Ta）、40A（Tc）	10.5ミリオーム @ 8A、10V	2.5V @ 250µA	22nC @ 10V	1258pF @ 25V	2W（Ta）、38.5W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-PowerTDFN	DFN5060B-8
	BSS138AKDWS-TP	MCC (Micro Commercial Components)	S1(DigiKey)	3000個以上￥17.08 /個	3000個以上￥18.78 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	220mA（Ta）	1.6オーム @ 500mA、10V	1.1V @ 250µA	1.2nC @ 10V	29.5pF @ 25V	320mW（Tj）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SOT-363S
	BSS138PS	UMW	S1(DigiKey)	1個以上￥47.15 /個	1個以上￥51.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	300mA（Ta）	2オーム @ 300mA、10V	1.6V @ 250µA	-	27pF @ 30V	350mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6	SOT-23-6
	SSM6P816R,LF	東芝	S1(DigiKey)	1個以上￥178.58 /個	1個以上￥196.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、1.8V駆動	20V	6A（Ta）	30.1ミリオーム @ 4A、4.5V	1V @ 1mA	16.6nC @ 4.5V	1030pF @ 10V	1.4W（Ta）	150°C	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	6-TSOP-F
	G2K3N10L6	Goford Semiconductor	S1(DigiKey)	1個以上￥111.43 /個	1個以上￥122.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	100V	3A（Tc）	220リオーム @ 2A、10V	2.2V @ 250µA	4.8nC @ 4.5V	536pF @ 50V	1.67W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6	SOT-23-6L
	DMN3061SVTQ-7	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	1個以上￥82.86 /個	1個以上￥91.14 /個	★	確認する		確認する	バルク	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	3.4A（Ta）	60ミリオーム @ 3.1A、10V	1.8V @ 250µA	6.6nC @ 10V	278pF @ 15V	880mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	TSOT-26
	2N7002DW	-	S1(DigiKey)	1個以上￥38.58 /個	1個以上￥42.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	115mA（Ta）	7.5オーム @ 500mA、10V	2.5V @ 250µA	-	50pF @ 25V	200mW（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SOT-363
	MC7252KV-TP	MCC (Micro Commercial Components)	S1(DigiKey)	1個以上￥22.86 /個	1個以上￥25.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	MC7252KV-TP	MCC (Micro Commercial Components)	S1(DigiKey)	1個以上￥22.86 /個	1個以上￥25.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	MC7252KV-TP	MCC (Micro Commercial Components)	S1(DigiKey)	3000個以上￥6.38 /個	3000個以上￥7.01 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	APM4953-EV	EVVO Semi	S1(DigiKey)	3000個以上￥23.04 /個	3000個以上￥25.34 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	30V	5.3A（Ta）	41ミリオーム @ 5.3A、10V	2.5V @ 250µA	12nC @ 10V	504pF @ 15V	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	2N7002KDW	EVVO Semi	S1(DigiKey)	3000個以上￥8.17 /個	3000個以上￥8.98 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	115mA（Ta）	5オーム @ 500mA、10V	2.5V @ 250µA	-	50pF @ 25V	150mW（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SOT-363
	BSS138PS	EVVO Semi	S1(DigiKey)	3000個以上￥7.28 /個	3000個以上￥8.00 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	300mA（Ta）	2オーム @ 300mA、10V	1.6V @ 250µA	-	27pF @ 30V	350mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6	SOT-23-6
	FS8205A	EVVO Semi	S1(DigiKey)	1個以上￥75.72 /個	1個以上￥83.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル、コモンドレイン	-	20V	6A（Ta）	27ミリオーム @ 6A、4.5V	1.2V @ 250µA	17.6nC @ 4.5V	910pF @ 20V	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6	SOT-23-6
	SI4936CDY-T1-E3	VISHAY	S1(DigiKey)	2500個以上￥40.54 /個	2500個以上￥44.59 /個	★	確認する	2,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	5.8A	40ミリオーム @ 5A、10V	3V @ 250µA	9nC @ 10V	325pF @ 15V	2.3W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	SIA911ADJ-T1-GE3	VISHAY	S1(DigiKey)	3000個以上￥32.14 /個	3000個以上￥35.35 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	20V	4.5A	116ミリオーム @ 2.8A、4.5V	1V @ 250µA	13nC @ 8V	345pF @ 10V	6.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PowerPAK® SC-70-6デュアル	PowerPAK® SC-70-6デュアル
	SD5401CY SOIC 14L ROHS	Linear Integrated Systems	S1(DigiKey)	2500個以上￥540.56 /個	2500個以上￥594.61 /個	★	確認する	2,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	SD5401	MOSFET（金属酸化物）	4 Nチャンネル	-	10V	50mA（Ta）	75オーム @ 1mA、5V	1.5V @ 1µA	-	-	500mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	14-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	14-SOIC
	F411MR12W3M1HB11BPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥25,270.46 /個	1個以上￥27,797.50 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	BUK9K12-80LX	NEXPERIA	S1(DigiKey)	1個以上￥337.15 /個	1個以上￥370.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	80V	51A（Tc）	11.2ミリオーム @ 15A、10V	2.05V @ 140µA	66nC @ 10V	4441pF @ 25V	68W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	BUK9K12-80LX	NEXPERIA	S1(DigiKey)	1個以上￥337.15 /個	1個以上￥370.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	80V	51A（Tc）	11.2ミリオーム @ 15A、10V	2.05V @ 140µA	66nC @ 10V	4441pF @ 25V	68W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	BUK9K31-100LX	NEXPERIA	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	-	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	100V	24A（Tc）	31.7ミリオーム @ 5A、10V	2.05V @ 50µA	31nC @ 10V	1940pF @ 25V	43W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	BUK9K31-100LX	NEXPERIA	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	100V	24A（Tc）	31.7ミリオーム @ 5A、10V	2.05V @ 50µA	31nC @ 10V	1940pF @ 25V	43W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	BUK9K35-100LX	NEXPERIA	S1(DigiKey)	1個以上￥185.72 /個	1個以上￥204.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	100V	23A（Tc）	35ミリオーム @ 5A、10V	2.05V @ 50µA	30nC @ 10V	1752pF @ 25V	42W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	BUK9K35-100LX	NEXPERIA	S1(DigiKey)	1個以上￥185.72 /個	1個以上￥204.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	100V	23A（Tc）	35ミリオーム @ 5A、10V	2.05V @ 50µA	30nC @ 10V	1752pF @ 25V	42W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	PJX8828-AU_R1_000A1	PANJIT	S1(DigiKey)	1個以上￥98.58 /個	1個以上￥108.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	PJX8828-AU_R1_000A1	PANJIT	S1(DigiKey)	1個以上￥98.58 /個	1個以上￥108.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	PJX8828-AU_R1_000A1	PANJIT	S1(DigiKey)	4000個以上￥15.12 /個	4000個以上￥16.63 /個	★	確認する	4,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	TQM2N7002DCU6 RFG	Taiwan Semiconductor	S1(DigiKey)	1個以上￥95.72 /個	1個以上￥105.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	260mA（Ta）	3Ohm @ 260mA, 10V	2.5V @ 250µA	1.7nC @ 10V	35pF @ 30V	376mW (Ta)	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SOT-363
	TQM2N7002DCU6 RFG	Taiwan Semiconductor	S1(DigiKey)	1個以上￥95.72 /個	1個以上￥105.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	260mA（Ta）	3Ohm @ 260mA, 10V	2.5V @ 250µA	1.7nC @ 10V	35pF @ 30V	376mW (Ta)	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SOT-363
	TQM2N7002DCU6 RFG	Taiwan Semiconductor	S1(DigiKey)	18000個以上￥10.59 /個	18000個以上￥11.64 /個	★	確認する	18,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	260mA（Ta）	3Ohm @ 260mA, 10V	2.5V @ 250µA	1.7nC @ 10V	35pF @ 30V	376mW (Ta)	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SOT-363
	DI8A6C03SQ	Diotec Semiconductor	S1(DigiKey)	4000個以上￥35.28 /個	4000個以上￥38.80 /個	★	確認する	4,000 個	確認する	バルク	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネルコンプリメンタリ	-	30V	8.6A (Ta), 7.3A (Ta)	17mOhm @ 8.6A, 10V, 20.5mOhm @ 7.3A, 10V	3V @ 250µA	17nC @ 10V, 33nC @ 10V	905pF @ 15V, 1675pF @ 15V	1.6W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	BUK9K61-100LX	NEXPERIA	S1(DigiKey)	1500個以上￥51.36 /個	1500個以上￥56.49 /個	★	確認する	1,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	100V	15A（Tc）	60.1mOhm @ 5A, 10V	2.05V @ 30µA	17.7nC @ 10V	1012pF @ 25V	32W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	ADP61075W3-L	STマイクロエレクトロニクス	S1(DigiKey)	6個以上￥192,139.37 /個	6個以上￥211,353.30 /個	★	確認する	6 個	確認する	バルク	ECOPACK®	シリコンカーバイド（SiC）	6 Nチャネル	-	750V	623A (Tj)	1.6mOhm @ 610A, 18V	4.4V @ 50mA	1312nC @ 18V	36070pF @ 400V	869W（Tj）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	ADP61075W3	STマイクロエレクトロニクス	S1(DigiKey)	6個以上￥192,139.37 /個	6個以上￥211,353.30 /個	★	確認する	6 個	確認する	バルク	ECOPACK®	シリコンカーバイド（SiC）	6 Nチャンネル（3相インバータ）	シリコンカーバイド（SiC）	750V	623A (Tj)	1.6mOhm @ 610A, 18V	4.4V @ 50mA	1312nC @ 18V	36070pF @ 400V	869W（Tj）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	ADP360120W3-L	STマイクロエレクトロニクス	S1(DigiKey)	6個以上￥192,139.37 /個	6個以上￥211,353.30 /個	★	確認する	6 個	確認する	バルク	ECOPACK®	シリコンカーバイド（SiC）	6 Nチャネル	-	1200V（1.2kV）	379A	3.45ミリオーム @ 360A、18V	4.4V @ 40mA	944nC @ 18V	28070pF @ 800V	704W	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	ADP61075W3-LWH	STマイクロエレクトロニクス	S1(DigiKey)	6個以上￥192,139.37 /個	6個以上￥211,353.30 /個	★	確認する	6 個	確認する	バルク	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	ECB2R1M12YM3	Wolfspeed	S1(DigiKey)	1個以上￥240,486.18 /個	1個以上￥264,534.79 /個	★	確認する		確認する	箱	-	シリコンカーバイド（SiC）	6 Nチャンネル（3相インバータ）	-	1200V（1.2kV）	700A	2.8mOhm @ 550A, 15V	3.6V @ 167mA	1696nC @ 15V	51300pF @ 800V	1.852kW	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	ECB2R8M12YM3	Wolfspeed	S1(DigiKey)	1個以上￥207,796.81 /個	1個以上￥228,576.49 /個	★	確認する		確認する	箱	-	シリコンカーバイド（SiC）	6 Nチャンネル（3相インバータ）	-	1200V（1.2kV）	545A	3.7ミリオーム @ 450A、15V	3.6V @ 125mA	1272nC @ 15V	38500pF @ 800V	1.485kW (Tj)	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	ECB4R3M12YM3	Wolfspeed	S1(DigiKey)	1個以上￥174,898.94 /個	1個以上￥192,388.83 /個	★	確認する		確認する	箱	-	シリコンカーバイド（SiC）	6 Nチャンネル（3相インバータ）	-	1200V（1.2kV）	385A	5.5mOhm @ 350A, 15V	3.6V @ 84mA	848nC @ 15V	25600pF @ 800V	1.1kW（Tj）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	DI050N06PQ2-AQ	Diotec Semiconductor	S1(DigiKey)	5000個以上￥147.75 /個	5000個以上￥162.52 /個	★	確認する	5,000 個	確認する	バルク	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	50A（Tc）	8.5ミリオーム @ 20A、10V	2.5V @ 250µA	36.4nC @ 10V	1610pF @ 30V	40.5W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-PowerTDFN	TDSON-8-4
	DI4A5C06SQ	Diotec Semiconductor	S1(DigiKey)	4000個以上￥43.37 /個	4000個以上￥47.70 /個	★	確認する	4,000 個	確認する	バルク	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネルコンプリメンタリ	-	60V	4.5A（Ta）、3.5A（Ta）	55mOhm @ 4.5A, 10V, 105mOhm @ 3.5A, 10V	3V @ 250µA	12.5nC @ 10V, 15nC @ 10V	650pF @ 25V, 760pF @ 30V	1.6W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
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1

【PMDPB55XPAX】MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Ta）、9.3A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：66ミリオーム @ 3.6A、4.5V・Id印加時のVgs（

￥177.15 税込￥194.86
2

【DMHC3025LSD-13】MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nおよび2 Pチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、4.2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm

￥281.43 税込￥309.57
3

【SI3993CDV-T1-GE3】MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6TSOP

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.9A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：111ミリオーム @ 2.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（

￥170.00 税込￥187.00
4

【G180C06Y】MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4

Goford Semiconductor

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル、コモンドレイン・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）、60A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 20A、10V、23ミリオーム @

￥315.72 税込￥347.29
5

【QS5K2TR】MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 2A、4.5V・Id印加時のVgs（th

￥212.86 税込￥234.14
6

【NTMFD5C674NLT1G】MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN [digi-reel品]

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11A（Ta）、42A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14.4ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（th

￥391.43 税込￥430.57
7

【GSFQ4616】MOSFET N/P-CH 30V 8A 8SOP

Good-Ark Semiconductor

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネルコンプリメンタリ・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Tc）、7A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 8A、10V、22ミリオーム @ 7A

￥84.29 税込￥92.71
8

【QH8JA1TCR】MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8

ROHM

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：-・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：38ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.2V @ 1mA・Vgs印加時のゲート

￥60.97 税込￥67.06
9

【QH8JA1TCR】MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：-・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：38ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.2V @ 1mA・Vgs印加時のゲート電

￥300.00 税込￥330.00
10

【QH8JA1TCR】MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：-・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：38ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.2V @ 1mA・Vgs印加時のゲート

￥300.00 税込￥330.00
11

【QS8J13TR】MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 5.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥280.00 税込￥308.00
12

【SH8KB6TB1】MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19.4ミリオーム @ 8.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥317.15 税込￥348.86
13

【PMDPB55XPAX】MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON [digi-reel品]

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Ta）、9.3A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：66ミリオーム @ 3.6A、4.5V・Id印加時のVgs（t

￥177.15 税込￥194.86
14

【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印

￥435.72 税込￥479.29
15

【US6K4TR】MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 1.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最

￥221.43 税込￥243.57
16

【QS5K2TR】MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 2A、4.5V・Id印加時のVgs（t

￥212.86 税込￥234.14
17

【SSM6N7002CFU,LF】MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6 [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：170mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.9オーム @ 100mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.1V

￥32.86 税込￥36.14
18

【IRFH4253DTRPBF】MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN [digi-reel品]

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：25V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：64A、145A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.2ミリオーム @ 30A、10V・Id印加時のV

￥698.62 税込￥768.48
19

【STS4C3F60L】MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC [digi-reel品]

STマイクロエレクトロニクス

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：STripFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A、3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：55ミリオーム @ 2A、10V・Id印加時のVgs（th）（
20

【SP8K32HZGTB】MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2

￥470.00 税込￥517.00
21

【STS5DPF20L】MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC

STマイクロエレクトロニクス

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：STripFET™ II・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：55ミリオーム @ 2.5A、10V・Id印加時のVg
22

【ISG0614N06NM5HSCATMA1】MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN

インフィニオン

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™ 5・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：31A（Ta）、233A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6ミリオーム @ 50A、10V

￥327.52 税込￥360.27
23

【QH8MC5TCR】MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）、3.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：90ミリオーム @ 3A、10V、91ミリオーム @ 3.5A、10V

￥320.00 税込￥352.00
24

【IRF7319TRPBF】MOSFET N/P-CH 30V 8SO [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：29ミリオーム @ 5.8A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @ 25

￥387.15 税込￥425.86
25

【IRF7319TRPBF】MOSFET N/P-CH 30V 8SO

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：29ミリオーム @ 5.8A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @ 2

￥387.15 税込￥425.86
26

【SP8K32HZGTB】MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.

￥470.00 税込￥517.00
27

【ALD1101APAL】MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP

Advanced Linear Devices Inc

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最小50個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Nチャンネル（デュアル）整合ペア・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：10.6V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75オーム @ 5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @ 10µA・Vgs印加時のゲ

￥1,296.35 税込￥1,425.98
28

【TSM8568CS RLG】MOSFET N/P-CH 30V 15A 8SOP [digi-reel品]

Taiwan Semiconductor

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Tc）、13A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16ミリオーム @ 8A、10V、24ミリオーム @ 7A、10V・Id

￥288.58 税込￥317.43
29

【AO5804EL】MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SC89-6

Alpha & Omega Semiconductor Inc

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：550ミリオーム @ 500mA、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1
30

【TSM8568CS】MOSFET N/P-CH 30V 15A 8SOP

Taiwan Semiconductor

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最小5,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Tc）、13A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16ミリオーム @ 8A、10V、24ミリオーム @ 7A、10V・I

￥166.41 税込￥183.05
31

【ALD1103PBL】MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14PDIP

Advanced Linear Devices Inc

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Nチャンネルおよび2Pチャンネル整合ペア・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：10.6V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：40mA、16mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75オーム @ 5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @ 1

￥1,960.00 税込￥2,156.00
32

【DMN1250UFEL-7】MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515 [digi-reel品]

Diodes Incorporated

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル8個、共通ゲート、コモンソース・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：450ミリオーム @ 200mA、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大
33

【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR [digi-reel品]

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @ 2

￥181.43 税込￥199.57
34

【BSM300D12P4G101】MOSFET 2N-CH 1200V 291A MODULE

ROHM

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：291A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：4.8V @ 145.6mA・Vgs

￥103,858.52 税込￥114,244.37
35

【SSM6N7002CFU,LF】MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6

東芝

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：170mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.9オーム @ 100mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.1V

￥5.88 税込￥6.46
36

【DMTH6016LSD-13】MOSFET 2N-CH 7.6A 8SOIC

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19.5ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.

￥308.58 税込￥339.43
37

【DMP2040USD-13】MOSFET 2P-CH 20V 6.5A 8SO

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）、12A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：33ミリオーム @ 8.9A、4.5V・Id印加時のVgs（t

￥154.29 税込￥169.71
38

【QS8J4TR】MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：56ミリオーム @ 4A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V

￥367.15 税込￥403.86
39

【DMP2040USD-13】MOSFET 2P-CH 20V 6.5A 8SO [digi-reel品]

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）、12A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：33ミリオーム @ 8.9A、4.5V・Id印加時のVgs（th

￥154.29 税込￥169.71
40

【SIZ340DT-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33 [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：PowerPAIR®, TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A、40A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.5ミリオーム @ 15.6A

￥250.00 税込￥275.00
41

【FF2000UXTR33T2M1BPSA1】MOSFET 2N-CH 3300V 9AG-XHP2K33

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：CoolSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：3300V（3.3kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：925A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4ミリオーム @ 1kA、15V・Id印加時のVgs

￥1,304,968.09 税込￥1,435,464.89
42

【SSM6L09FUTE85LF】MOSFET N/P-CH 30V 0.4A US6

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：400mA、200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：700ミリオーム @ 200MA、10V・Id印加時のVgs（t

￥112.86 税込￥124.14
43

【SQJ912BEP-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：11ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs（th）

￥331.43 税込￥364.57
44

【DMG6602SVTX-7】MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネルコンプリメンタリ・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.4A（Ta）、2.8A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 3.1A、10V、95ミリオー

￥82.86 税込￥91.14
45

【8205A】MOSFET 2N-CH 20V 5A SOT23-6

UMW

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル、コモンドレイン・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：27ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.2V @

￥82.86 税込￥91.14
46

【BSC0924NDIATMA1】MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：ロジックレベルゲート、4.5V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A、32A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5ミリオーム @ 20A、

￥347.15 税込￥381.86
47

【DMN63D8LDW-7】MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：220mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.8オーム @ 250mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最

￥55.72 税込￥61.29
48

【BSC0924NDIATMA1】MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8 [digi-reel品]

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：ロジックレベルゲート、4.5V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A、32A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5ミリオーム @ 20A、1

￥347.15 税込￥381.86
49

【NTHC5513T1G】MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET [digi-reel品]

オンセミコンダクター

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.9A、2.2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 2.9A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最
50

【NTHC5513T1G】MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET

オンセミコンダクター

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.9A、2.2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 2.9A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（
51

【NTHC5513T1G】MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET

オンセミコンダクター

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.9A、2.2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 2.9A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（
52

【EPC2221】MOSFET 2N-CH 100V 5A DIE

EPC

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・構成：Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（

￥772.23 税込￥849.45
53

【UM6K31NTN】MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、2.5V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4オーム @ 250mA、10V・Id印加時の

￥111.43 税込￥122.57
54

【SI4943BDY-T1-E3】MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC [digi-reel品]

VISHAY

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19ミリオーム @ 8.4A、10V・Id印加時のVgs
55

【SI1016X-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：485mA、370mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：700ミリオーム @ 600mA、4.5V・I

￥158.58 税込￥174.43
56

【CSD87351ZQ5D】MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：32A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.1V @

￥427.15 税込￥469.86
57

【US6M11TR】MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A TUMT6

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V、12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.5A、1.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 1.5A、4.5V・Id印加時のVgs

￥208.58 税込￥229.43
58

【DMC10H220LSD-13】MOSFET N/P-CH 100V 1.7A 8SO

Diodes Incorporated

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最小2,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネルコンプリメンタリ・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.7A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：220ミリオーム @ 1.6A、10V、250ミリオーム @ 1A

￥51.61 税込￥56.77
59

【NTMFD6H846NLT1G】MOSFET 2N-CH 80V 9.4A 8DFN [digi-reel品]

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9.4A（Ta）、31A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：15ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（

￥454.29 税込￥499.71
60

【PJQ5846-AU_R2_000A1】MOSFET 2N-CH 40V 9.5A 8DFN

PANJIT

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9.5A（Ta）、40A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10.5ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（t

￥402.86 税込￥443.14
61

【BSS138AKDWS-TP】DUAL N-CHANNEL MOSFET,SOT-363S

MCC (Micro Commercial Components)

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：220mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥17.08 税込￥18.78
62

【BSS138PS】MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT23-6

UMW

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2オーム @ 300mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.

￥47.15 税込￥51.86
63

【SSM6P816R,LF】MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.8V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30.1ミリオーム @ 4A、4.5V・Id印加時

￥178.58 税込￥196.43
64

【G2K3N10L6】MOSFET 2N-CH 100V 3A SOT23-6L

Goford Semiconductor

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：220リオーム @ 2A、10V・Id印加時のVgs（th）

￥111.43 税込￥122.57
65

【DMN3061SVTQ-7】MOSFET 2N-CH 30V 3.4A TSOT26

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.4A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.8V @ 25

￥82.86 税込￥91.14
66

【2N7002DW】60V 115MA 7.5@10V,500MA 200MW 2.

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥38.58 税込￥42.43
67

【MC7252KV-TP】DUAL N/P-CHANNEL MOSFET,SOT-563 [digi-reel品]

MCC (Micro Commercial Components)

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：*・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力

￥22.86 税込￥25.14
68

【MC7252KV-TP】DUAL N/P-CHANNEL MOSFET,SOT-563

MCC (Micro Commercial Components)

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：*・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電

￥22.86 税込￥25.14
69

【MC7252KV-TP】DUAL N/P-CHANNEL MOSFET,SOT-563

MCC (Micro Commercial Components)

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：*・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電

￥6.38 税込￥7.01
70

【APM4953-EV】MOSFET 30V 5.3A 8SOP

EVVO Semi

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.3A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：41ミリオーム @ 5.3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.

￥23.04 税込￥25.34
71

【2N7002KDW】MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363

EVVO Semi

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.

￥8.17 税込￥8.98
72

【BSS138PS】MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT23-6

EVVO Semi

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2オーム @ 300mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.

￥7.28 税込￥8.00
73

【FS8205A】DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

EVVO Semi

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル、コモンドレイン・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：27ミリオーム @ 6A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.

￥75.72 税込￥83.29
74

【SI4936CDY-T1-E3】MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC

VISHAY

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最小2,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs

￥40.54 税込￥44.59
75

【SIA911ADJ-T1-GE3】MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8

VISHAY

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：116ミリオーム @ 2.8A、4.5V・Id印加時のVgs（th）

￥32.14 税込￥35.35
76

【SD5401CY SOIC 14L ROHS】MOSFET 4N-CH 10V 0.05A 14SOIC

Linear Integrated Systems

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最小2,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SD5401・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：4 Nチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：10V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75オーム @ 1mA、5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.5V @

￥540.56 税込￥594.61
77

【F411MR12W3M1HB11BPSA1】F411MR12W3M1HB11BPSA1

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-

￥25,270.46 税込￥27,797.50
78

【BUK9K12-80LX】BUK9K12-80L/SOT1205/LFPAK56D [digi-reel品]

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：51A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：11.2ミリオーム @ 15A、10V・Id印加時のVgs（th）

￥337.15 税込￥370.86
79

【BUK9K12-80LX】BUK9K12-80L/SOT1205/LFPAK56D

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：51A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：11.2ミリオーム @ 15A、10V・Id印加時のVgs（th

￥337.15 税込￥370.86
80

【BUK9K31-100LX】BUK9K31-100L/SOT1205/LFPAK56D

NEXPERIA

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：-・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：24A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：31.7ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.05
81

【BUK9K31-100LX】BUK9K31-100L/SOT1205/LFPAK56D [digi-reel品]

NEXPERIA

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：24A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：31.7ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）
82

【BUK9K35-100LX】BUK9K35-100L/SOT1205/LFPAK56D [digi-reel品]

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：23A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：35ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最

￥185.72 税込￥204.29
83

【BUK9K35-100LX】BUK9K35-100L/SOT1205/LFPAK56D

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：23A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：35ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（

￥185.72 税込￥204.29
84

【PJX8828-AU_R1_000A1】30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M [digi-reel品]

PANJIT

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力

￥98.58 税込￥108.43
85

【PJX8828-AU_R1_000A1】30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M

PANJIT

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電

￥98.58 税込￥108.43
86

【PJX8828-AU_R1_000A1】30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M

PANJIT

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最小4,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電

￥15.12 税込￥16.63
87

【TQM2N7002DCU6 RFG】60V, 0.26A, DUAL N-CHANNEL SMALL [digi-reel品]

Taiwan Semiconductor

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：260mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3Ohm @ 260mA, 10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.

￥95.72 税込￥105.29
88

【TQM2N7002DCU6 RFG】60V, 0.26A, DUAL N-CHANNEL SMALL

Taiwan Semiconductor

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：260mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3Ohm @ 260mA, 10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2

￥95.72 税込￥105.29
89

【TQM2N7002DCU6 RFG】60V, 0.26A, DUAL N-CHANNEL SMALL

Taiwan Semiconductor

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最小18,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：260mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3Ohm @ 260mA, 10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2

￥10.59 税込￥11.64
90

【DI8A6C03SQ】DI8A6C03SQ

Diotec Semiconductor

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最小4,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネルコンプリメンタリ・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8.6A (Ta), 7.3A (Ta)・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17mOhm @ 8.6A, 10V, 20.5mOhm @

￥35.28 税込￥38.80
91

【BUK9K61-100LX】BUK9K61-100L/SOT1205/LFPAK56D

NEXPERIA

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最小1,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60.1mOhm @ 5A, 10V・Id印加時のVgs（th

￥51.36 税込￥56.49
92

【ADP61075W3-L】POWER MODULE

STマイクロエレクトロニクス

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最小6個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：ECOPACK®・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：750V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：623A (Tj)・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6mOhm @ 610A, 18V・Id印加時のVgs（th）（最大）：4.4V

￥192,139.37 税込￥211,353.30
93

【ADP61075W3】POWER MODULE

STマイクロエレクトロニクス

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最小6個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：ECOPACK®・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャンネル（3相インバータ）・FET機能：シリコンカーバイド（SiC）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：750V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：623A (Tj)・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6mOhm @ 610A, 18V・

￥192,139.37 税込￥211,353.30
94

【ADP360120W3-L】POWER MODULE

STマイクロエレクトロニクス

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最小6個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：ECOPACK®・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：379A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.45ミリオーム @ 360A、18V・Id印加時のVgs（th）（最大）：4

￥192,139.37 税込￥211,353.30
95

【ADP61075W3-LWH】POWER MODULE

STマイクロエレクトロニクス

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最小6個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電力 - 最大：-

￥192,139.37 税込￥211,353.30
96

【ECB2R1M12YM3】SIC, MODULE, 2.1M, 1200V, 152MM,

Wolfspeed

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャンネル（3相インバータ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：700A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.8mOhm @ 550A, 15V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3

￥240,486.18 税込￥264,534.79
97

【ECB2R8M12YM3】SIC, MODULE, 2.8M, 1200V, 152MM,

Wolfspeed

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャンネル（3相インバータ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：545A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.7ミリオーム @ 450A、15V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3

￥207,796.81 税込￥228,576.49
98

【ECB4R3M12YM3】SIC, MODULE, 4.3M, 1200V, 152MM,

Wolfspeed

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャンネル（3相インバータ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：385A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.5mOhm @ 350A, 15V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3

￥174,898.94 税込￥192,388.83
99

【DI050N06PQ2-AQ】DI050N06PQ2-AQ

Diotec Semiconductor

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最小5,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8.5ミリオーム @ 20A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V @ 250

￥147.75 税込￥162.52
100

【DI4A5C06SQ】DI4A5C06SQ

Diotec Semiconductor

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネルコンプリメンタリ・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）、3.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：55mOhm @ 4.5A, 10V, 105mOhm @ 3.5

￥43.37 税込￥47.70

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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイの定格表 該当製品数: 10,366 / 10,366 件

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