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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイの定格表 該当製品数: 10,475 / 10,475

定格表の使い方
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4,000 件中 1100 件目
写真 型番 メーカー データシート BOMに追加 品質ランク 単価 (税抜) 単価 (税込) カートに追加 在庫数量 最少購入数 納期 パッケージ シリーズ 技術 構成 FET機能 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力 - 最大 動作温度 グレード 認定 取り付けタイプ パッケージ/ケース サプライヤデバイスパッケージ
SI4554DY-T1-GE3 SI4554DY-T1-GE3 VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥254.29 /個
1個以上 ¥279.71 /個
確認する 確認する Digi-Reel® TrenchFET® MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート 40V 8A 24ミリオーム @ 6.8A、10V 2.2V @ 250µA 20nC @ 10V 690pF @ 20V 3.1W、3.2W -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SOIC
BUK9K13-40HX BUK9K13-40HX NEXPERIA データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥244.29 /個
1個以上 ¥268.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) TrenchMOS™ MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 40V 42A(Ta) 13.6ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 1mA 19.4nC @ 10V 1160pF @ 25V 46W(Ta) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 SOT-1205、8-LFPAK56 LFPAK56D
SI5504BDC-T1-GE3 SI5504BDC-T1-GE3 VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥332.86 /個
1個以上 ¥366.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) TrenchFET® MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート 30V 4A、3.7A 65ミリオーム @ 3.1A、10V 3V @ 250µA 7nC @ 10V 220pF @ 15V 3.12W、3.1W -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SMD、フラットリード 1206-8 ChipFET™
SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥268.58 /個
1個以上 ¥295.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 60V 6.5A(Ta) 32ミリオーム @ 6.5A、10V 2.5V @ 1mA 7.6nC @ 10V 460pF @ 30V 2W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SOP
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥235.72 /個
1個以上 ¥259.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ 6 MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) 論理レベルゲート 40V 60A(Tj) 3ミリオーム @ 30A、10V 2V @ 25µA 35nC @ 10V 2128pF @ 25V 75W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 8-PowerVDFN PG-TDSON-8-56
SH8MA2GZETB SH8MA2GZETB ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥191.43 /個
1個以上 ¥210.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - 30V 4.5A(Ta) 80ミリオーム @ 4.5A、10V、82ミリオーム @ 4.5A、10V 2.5V @ 1mA 3nC @ 4.5V、6.7nC @ 4.5V 125pF @ 15V、305pF @ 15V 1.4W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SOP
2N7002DW 2N7002DW - データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥37.15 /個
1個以上 ¥40.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 60V 115mA(Ta) 7.5オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA - 50pF @ 25V 200mW(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 SOT-363
FS8205A FS8205A EVVO Semi データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥74.29 /個
1個以上 ¥81.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル、コモンドレイン - 20V 6A(Ta) 27ミリオーム @ 6A、4.5V 1.2V @ 250µA 17.6nC @ 4.5V 910pF @ 20V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-6 SOT-23-6
CSD87501LT CSD87501LT TEXAS INSTRUMENTS データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥235.72 /個
1個以上 ¥259.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) NexFET™ MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン 論理レベルゲート - - - 2.3V @ 250µA 40nC @ 10V - 2.5W -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 10-XFLGA 10-Picostar(3.37x1.47)
TPC8408,LQ(S TPC8408,LQ(S 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥228.58 /個
1個以上 ¥251.43 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート 40V 6.1A、5.3A 32ミリオーム @ 3.1A、10V 2.3V @ 100µA 24nC @ 10V 850pF @ 10V 450mW 150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SOP
CSD87501L CSD87501L TEXAS INSTRUMENTS データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥177.15 /個
1個以上 ¥194.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) NexFET™ MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン 論理レベルゲート - - - 2.3V @ 250µA 40nC @ 10V - 2.5W -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 10-XFLGA 10-Picostar(3.37x1.47)
APM4953 APM4953 UMW データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥204.29 /個
1個以上 ¥224.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) UMW - - - 30V 5.3A(Ta) 41ミリオーム @ 5.3A、10V 2.5V @ 250µA 12nC @ 10V 504pF @ 15V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SOP
ISA250300C04LMDSXTMA1 ISA250300C04LMDSXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥195.72 /個
1個以上 ¥215.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ 3 MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - 40V 5.9A(Ta)、7.9A(Tc)、5.8A(Ta)、7.8A(Tc) 25ミリオーム @ 7.9A、10V、30ミリオーム @ 7.8A、10V 2.7V @ 1mA 11.9nC @ 10V 1600pF @ 20V 1.4W(Ta)、2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-920
2N7002VA 2N7002VA オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥194.29 /個
1個以上 ¥213.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 60V 280mA 7.5オーム @ 50mA、5V 2.5V @ 250µA - 50pF @ 25V 250mW -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-563、SOT-666 SOT-563F
SQJ504EP-T1_BE3 SQJ504EP-T1_BE3 VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥438.58 /個
1個以上 ¥482.43 /個
確認する 確認する Digi-Reel® TrenchFET® MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - 40V 30A(Tc) 7.5ミリオーム @ 8A、10V、17ミリオーム @ 8A、10V 2.5V @ 250µA 30nC @ 10V、85nC @ 10V 1900pF @ 25V、4600pF @ 25V 34W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル PowerPAK® SO-8デュアル
SH8MA2GZETB SH8MA2GZETB ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥191.43 /個
1個以上 ¥210.57 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - 30V 4.5A(Ta) 80ミリオーム @ 4.5A、10V、82ミリオーム @ 4.5A、10V 2.5V @ 1mA 3nC @ 4.5V、6.7nC @ 4.5V 125pF @ 15V、305pF @ 15V 1.4W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SOP
SQJ914EP-T1_BE3 SQJ914EP-T1_BE3 VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥402.86 /個
1個以上 ¥443.14 /個
確認する 確認する Digi-Reel® TrenchFET® MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 30V 30A(Tc) 12ミリオーム @ 4.5A、10V 2.5V @ 250µA 25nC @ 10V 1110pF @ 15V 27W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル PowerPAK® SO-8デュアル
2N7002AKRA-QZ 2N7002AKRA-QZ NEXPERIA データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥65.72 /個
1個以上 ¥72.29 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 60V 320mA(Ta) 2.9オーム @ 100mA、10V 2.6V @ 250µA 315pC @ 10V 9.2pF @ 30V 420mW (Ta)、5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 6-XFDFN露出パッド DFN1412-6
ISA250300C04LMDSXTMA1 ISA250300C04LMDSXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥195.72 /個
1個以上 ¥215.29 /個
確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ 3 MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - 40V 5.9A(Ta)、7.9A(Tc)、5.8A(Ta)、7.8A(Tc) 25ミリオーム @ 7.9A、10V、30ミリオーム @ 7.8A、10V 2.7V @ 1mA 11.9nC @ 10V 1600pF @ 20V 1.4W(Ta)、2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8-920
FDS89161 FDS89161 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥260.00 /個
1個以上 ¥286.00 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) PowerTrench® MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 100V 2.7A 105ミリオーム @ 2.7A、10V 4V @ 250µA 4.1nC @ 10V 210pF @ 50V 1.6W -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SOIC
BUK9K13-40HX BUK9K13-40HX NEXPERIA データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1500個以上 ¥65.69 /個
1500個以上 ¥72.25 /個
確認する 1,500 確認する テープ&リール(TR) TrenchMOS™ MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 40V 42A(Ta) 13.6ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 1mA 19.4nC @ 10V 1160pF @ 25V 46W(Ta) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 SOT-1205、8-LFPAK56 LFPAK56D
DMG9933USD-13 DMG9933USD-13 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥132.86 /個
1個以上 ¥146.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 20V 4.6A 75ミリオーム @ 4.8A、4.5V 1.1V @ 250µA 6.5nC @ 4.5V 608.4pF @ 6V 1.15W -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SO
SSM6N62TU,LXHF SSM6N62TU,LXHF 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥154.29 /個
1個以上 ¥169.71 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) ロジックレベルゲート、1.2V駆動 20V 800mA(Ta) 85ミリオーム @ 800mA、4.5V 1V @ 1mA 2nC @ 4.5V 177pF @ 10V 500mW(Ta) 150°C 自動車 AEC-Q101 面実装 6-SMD、フラットリード UF6
DMG1024UV-7 DMG1024UV-7 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥117.15 /個
1個以上 ¥128.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 20V 1.38A 450ミリオーム @ 600mA、4.5V 1V @ 250µA 0.74nC @ 4.5V 60.67pF @ 16V 530mW -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-563、SOT-666 SOT-563
AOCA33102E AOCA33102E Alpha & Omega Semiconductor Inc BOMに追加 S1(DigiKey)
8000個以上 ¥102.86 /個
8000個以上 ¥113.14 /個
確認する 8,000 確認する テープ&リール(TR) - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル、コモンドレイン - 12V 50A(Ta) 1.4ミリオーム @ 5A、4.5V 1.3V @ 250µA 68nC @ 4.5V - 4.2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 14-SMD、リードなし 14-AlphaDFN(3x2.74)
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
2500個以上 ¥41.62 /個
2500個以上 ¥45.78 /個
確認する 2,500 確認する テープ&リール(TR) OptiMOS™ MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 30V 6A 22ミリオーム @ 7.7A、10V 2.1V @ 250µA 10nC @ 10V 800pF @ 15V 1.4W -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8
AW2K21AR AW2K21AR ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥631.95 /個
1個以上 ¥695.14 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - MOSFET(金属酸化物) 2個のNチャンネル、コモンソース - 30V 20A(Ta) 3ミリオーム @ 20A、10V 2V @ 1mA 29nC @ 10V 1350pF @ 10V 1.6W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 22-UFBGA、WLCSP 22-WLCSP(2x2)
TPC8407,LQ(S TPC8407,LQ(S 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ テープ&リール(TR) - MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート 30V 9A、7.4A 17ミリオーム @ 4.5A、10V 2.3V @ 100µA 17nC @ 10V 1190pF @ 10V 450mW 150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SOP
CSD87351ZQ5D CSD87351ZQ5D TEXAS INSTRUMENTS データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥415.72 /個
1個以上 ¥457.29 /個
確認する 確認する Digi-Reel® NexFET™ MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)非対称 論理レベルゲート 30V 32A - 2.1V @ 250µA 7.7nC @ 4.5V 1255pF @ 15V 12W -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-PowerLDFN 8-LSON(5x6)
TC6215TG-G TC6215TG-G Microchip データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥402.86 /個
1個以上 ¥443.14 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - 150V - 4オーム @ 2A、10V 2V @ 1mA - 120pF @ 25V - -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SOIC
SLA5086 SLA5086 サンケン電気 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,446.92 /個
1個以上 ¥1,591.61 /個
確認する 確認する チューブ - MOSFET(金属酸化物) 5Pチャンネル、コモンソース 論理レベルゲート 60V 5A 220ミリオーム @ 3A、10V 2V @ 250µA - 790pF @ 10V 5W 150°C(TJ) - - スルーホール 12-SIP露出タブ 12-SIP
CSD87381PT CSD87381PT TEXAS INSTRUMENTS データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥222.86 /個
1個以上 ¥245.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) NexFET™ MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) 論理レベルゲート 30V 15A 16.3ミリオーム @ 8A、8V 1.9V @ 250µA 5nC @ 4.5V 564pF @ 15V 4W -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 5-LGA 5-PTAB(3x2.5)
HT8KE6TB1 HT8KE6TB1 ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥472.86 /個
1個以上 ¥520.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 100V 4.5A(Ta)、13A(Tc) 57ミリオーム @ 4.5A、10V 2.5V @ 1mA 6.7nC @ 10V 305pF / 50V 2W(Ta)、14W(Tc) 150°C(TJ) - - 面実装 8-PowerVDFN 8-HSMT(3.2x3)
CSD87501L CSD87501L TEXAS INSTRUMENTS データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥177.15 /個
1個以上 ¥194.86 /個
確認する 確認する Digi-Reel® NexFET™ MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン 論理レベルゲート - - - 2.3V @ 250µA 40nC @ 10V - 2.5W -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 10-XFLGA 10-Picostar(3.37x1.47)
AO6602L AO6602L Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
3000個以上 ¥29.80 /個
3000個以上 ¥32.78 /個
確認する 3,000 確認する テープ&リール(TR) - MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ 論理レベルゲート 30V - 75ミリオーム @ 3.1A、10V 3V @ 250µA 8.5nC @ 10V 240pF @ 15V 1.15W -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SC-74、SOT-457 6-TSOP
DMT47M2LDVQ-13 DMT47M2LDVQ-13 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥365.72 /個
1個以上 ¥402.29 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 40V 11.9A(Ta)、30.2A(Tc) 10.8ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 14nC @ 10V 891pF @ 20V 2.34W(Ta)、14.8W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 8-PowerVDFN PowerDI3333-8(タイプUXC)
SP8K32HZGTB SP8K32HZGTB ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥468.58 /個
1個以上 ¥515.43 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 60V 4.5A(Ta) 65ミリオーム @ 4.5A、10V 2.5V @ 1mA 10nC @ 5V 500pF @ 10V 2W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SOP
EM6J1T2R EM6J1T2R ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥150.00 /個
1個以上 ¥165.00 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 20V 200mA 1.2オーム @ 200mA、4.5V 1V @ 100µA 1.4nC @ 4.5V 115pF @ 10V 150mW 150°C(TJ) - - 面実装 SOT-563、SOT-666 EMT6
SI5504BDC-T1-GE3 SI5504BDC-T1-GE3 VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥332.86 /個
1個以上 ¥366.14 /個
確認する 確認する Digi-Reel® TrenchFET® MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート 30V 4A、3.7A 65ミリオーム @ 3.1A、10V 3V @ 250µA 7nC @ 10V 220pF @ 15V 3.12W、3.1W -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SMD、フラットリード 1206-8 ChipFET™
SQJB44EP-T1_JE3 SQJB44EP-T1_JE3 VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥431.43 /個
1個以上 ¥474.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) TrenchFET® MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 40V 30A(Tc) 5.2ミリオーム @ 8A、10V 2.2V @ 250µA 50nC @ 10V 3075pF @ 25V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル PowerPAK® SO-8デュアル
FDS9926A FDS9926A オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥240.00 /個
1個以上 ¥264.00 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) PowerTrench® MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 20V 6.5A 30ミリオーム @ 6.5A、4.5V 1.5V @ 250µA 9nC @ 4.5V 650pF @ 10V 900mW -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SOIC
M1P45M12W2-1LA M1P45M12W2-1LA STマイクロエレクトロニクス データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥9,872.42 /個
1個以上 ¥10,859.66 /個
確認する 確認する チューブ ECOPACK® シリコンカーバイド(SiC) 6 N-Channel(Phase Leg) - 1200V(1.2kV) 30A(Tc) 60.5ミリオーム @ 20A、18V 5V @ 1mA 100nC @ 18V 2086pF @ 800V - -40°C~175°C(TJ) - - スルーホール 32-PowerDIPモジュール(1.264インチ、32.10mm) ACEPACK DMT-32
HAT3015R-EL-E HAT3015R-EL-E ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT) BOMに追加 S1(DigiKey)
2500個以上 ¥489.32 /個
2500個以上 ¥538.25 /個
確認する 2,500 確認する テープ&リール(TR) - MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - 200V 500mA(Ta)、250mA(Ta) 2.2オーム @ 500mA、10V 2.1V @ 1mA - 120pF @ 10V、140pF @ 10V 2W(Ta) 150°C - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SOP
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥254.29 /個
1個以上 ¥279.71 /個
確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 30V 6A 22ミリオーム @ 7.7A、10V 2.1V @ 250µA 10nC @ 10V 800pF @ 15V 1.4W -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) PG-DSO-8
CAB400M12XM3 CAB400M12XM3 Wolfspeed データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥108,920.22 /個
1個以上 ¥119,812.24 /個
確認する 確認する - シリコンカーバイド(SiC) 2 Nチャンネル(デュアル) - 1200V(1.2kV) 395A(Tc) 5.3ミリオーム @ 400A、15V 3.6V @ 92mA 908nC @ 15V 2450pF @ 800V - -40°C~175°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール
SSM6L35FU(TE85L,F) SSM6L35FU(TE85L,F) 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥98.58 /個
1個以上 ¥108.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル ロジックレベルゲート、1.2V駆動 20V 180mA、100mA 3オーム @ 50mA、4V 1V @ 1mA - 9.5pF @ 3V 200mW -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 US6
QH8KB6TCR QH8KB6TCR ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥357.15 /個
1個以上 ¥392.86 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 40V 8A(Ta) 17.7ミリオーム @ 8A、10V 2.5V @ 1mA 10.6nC @ 10V 530pF @ 20V 1.1W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 8-SMD、フラットリード TSMT8
IMT65R50M2HXUMA1 IMT65R50M2HXUMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,418.52 /個
1個以上 ¥1,560.37 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - - - - - - - - - - - - - - - -
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥278.58 /個
1個以上 ¥306.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) HEXFET® MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - 30V 4A、3A 50ミリオーム @ 2.4A、10V 1V @ 250µA 25nC @ 4.5V 520pF @ 15V 1.4W -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SO
NDS9936 NDS9936 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
2500個以上 ¥67.75 /個
2500個以上 ¥74.52 /個
確認する 2,500 確認する テープ&リール(TR) - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 30V 5A 50ミリオーム @ 5A、10V 3V @ 250µA 35nC @ 10V 525pF @ 15V 900mW -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SOIC
SLA5085 SLA5085 サンケン電気 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ チューブ - MOSFET(金属酸化物) 5Nチャンネル、コモンソース 論理レベルゲート 60V 10A 220ミリオーム @ 3A、4V 2V @ 250µA - 320pF @ 10V 5W 150°C(TJ) - - スルーホール 12-SIP露出タブ 12-SIP
SP8K32HZGTB SP8K32HZGTB ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥468.58 /個
1個以上 ¥515.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 60V 4.5A(Ta) 65ミリオーム @ 4.5A、10V 2.5V @ 1mA 10nC @ 5V 500pF @ 10V 2W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SOP
SSM6L807R,LF SSM6L807R,LF 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥172.86 /個
1個以上 ¥190.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - 30V 4A(Ta) 39.1ミリオーム @ 2A、 4.5V 1V @ 1mA 3.2nC @ 4.5V、6.74nC @ 4.5V 310pF @ 15V、480pF @ 10V 1.4W(Ta) 150°C - - 面実装 6-SMD、フラットリード 6-TSOP-F
SH8M4TB1 SH8M4TB1 ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥563.89 /個
1個以上 ¥620.27 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート 30V 9A、7A 18ミリオーム @ 9A、10V 2.5V @ 1mA 15nC @ 5V 1190pF @ 10V 2W 150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SOP
SH8M4TB1 SH8M4TB1 ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥563.89 /個
1個以上 ¥620.27 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート 30V 9A、7A 18ミリオーム @ 9A、10V 2.5V @ 1mA 15nC @ 5V 1190pF @ 10V 2W 150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SOP
WI62195 WI62195 - データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,361.73 /個
1個以上 ¥1,497.90 /個
確認する 確認する トレイ WiseGan™ GaNFET(窒化ガリウム) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 750V 9A(Tj) 250ミリオーム @ 2A、6V 1.75V @ 10mA 1.9nC @ 6V 53.5pF @ 400V - -40°C~150°C(TJ) - - 面実装 14-PowerLDFN 14-PQFN (6x8)
SLA5041 SLA5041 サンケン電気 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
180個以上 ¥1,192.85 /個
180個以上 ¥1,312.13 /個
確認する 180 確認する チューブ - MOSFET(金属酸化物) 4 Nチャンネル 論理レベルゲート 200V 10A 175ミリオーム @ 5A、10V 4V @ 1mA - 850pF @ 10V 5W 150°C(TJ) - - スルーホール 12-SIP露出タブ 12-SIP
NDS9936 NDS9936 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥337.15 /個
1個以上 ¥370.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 30V 5A 50ミリオーム @ 5A、10V 3V @ 250µA 35nC @ 10V 525pF @ 15V 900mW -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SOIC
NX5020UNBKSX NX5020UNBKSX NEXPERIA データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥61.43 /個
1個以上 ¥67.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 50V 300mA (Ta), 480mA (Tc) 1.8Ohm @ 300mA, 10V 950mV @ 250µA 1nC @ 10V 20.5pF @ 25V 280mW (Ta), 860mW (Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 6-TSSOP
FDS6990A FDS6990A オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ カット テープ(CT) PowerTrench® MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 30V 7.5A 18ミリオーム @ 7.5A、10V 3V @ 250µA 17nC @ 5V 1235pF @ 15V 900mW -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SOIC
FBG30N04CSH FBG30N04CSH EPC データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥63,624.47 /個
1個以上 ¥69,986.91 /個
確認する 確認する バルク eGaN® GaNFET(窒化ガリウム) 2 Nチャンネル(デュアル) - 300V 4A(Tc) 404ミリオーム @ 4A、5V 2.8V @ 600µA 2.6nC @ 5V 450pF @ 150V - -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 4-SMD、リードなし 4-SMD
CSD88539ND CSD88539ND TEXAS INSTRUMENTS データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥248.58 /個
1個以上 ¥273.43 /個
確認する 確認する Digi-Reel® NexFET™ MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 60V 15A 28ミリオーム @ 5A、10V 3.6V @ 250µA 9.4nC @ 10V 741pF @ 30V 2.1W -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SOIC
FDC6420C FDC6420C オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥218.58 /個
1個以上 ¥240.43 /個
確認する 確認する Digi-Reel® PowerTrench® MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート 20V 3A、2.2A 70ミリオーム @ 3A、4.5V 1.5V @ 250µA 4.6nC @ 4.5V 324pF @ 10V 700mW -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-6薄型、TSOT-23-6 SuperSOT™-6
SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥268.58 /個
1個以上 ¥295.43 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 60V 6.5A(Ta) 32ミリオーム @ 6.5A、10V 2.5V @ 1mA 7.6nC @ 10V 460pF @ 30V 2W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SOP
A2U8M12W3-FC A2U8M12W3-FC STマイクロエレクトロニクス データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥28,673.87 /個
1個以上 ¥31,541.25 /個
確認する 確認する バルク ECOPACK® シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル4個(3レベルインバータ) - 750V、1.2kV 180A、140A 8ミリオーム @ 100A、18V、12.5ミリオーム @ 100A、18V 4.2V @ 2mA、4V @ 2mA 288nC @ 18V、304nC @ 18V 7660pF @ 400V、7370pF @ 800V - -55°C~150°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール
SSM6P54TU,LF SSM6P54TU,LF 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥90.00 /個
1個以上 ¥99.00 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) ロジックレベルゲート、1.5V駆動 20V 1.2A(Ta) 228ミリオーム @ 600mA、2.5V 1V @ 1mA 7.7nC @ 4V 331pF @ 10V 500mW(Ta) 150°C - - 面実装 6-SMD、フラットリード UF6
HAT2114RJ-EL-E HAT2114RJ-EL-E ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT) BOMに追加 S1(DigiKey)
2500個以上 ¥701.11 /個
2500個以上 ¥771.22 /個
確認する 2,500 確認する テープ&リール(TR) - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 60V 6A 40オーム @ 3A、10V 2.5V @ 1mA 15nC @ 10V 1000pF @ 10V 2W 150°C - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SOP
G170P02D32 G170P02D32 Goford Semiconductor データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥191.43 /個
1個以上 ¥210.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - 20V 20A(Tc) 21ミリオーム @ 6A、4.5V 1V @ 250µA 30nC @ 10V 2193pF @ 10V 15W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-PowerVDFN 8-DFN(3.15x3.05)デュアル
HP8MA2TB1 HP8MA2TB1 ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
2500個以上 ¥123.66 /個
2500個以上 ¥136.02 /個
確認する 2,500 確認する テープ&リール(TR) - MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - 30V 18A(Ta)、15A(Ta) 9.6ミリオーム @ 18A、10V、17.9ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 1mA 22nC @ 10V、25nC @ 10V 1100pF @ 15V、1250pF @ 15V 3W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 8-PowerTDFN 8-HSOP
BSS138DW-7-F BSS138DW-7-F Diodes Incorporated データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥131.43 /個
1個以上 ¥144.57 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 50V 200mA 3.5オーム @ 220mA、10V 1.5V @ 250µA - 50pF @ 10V 200mW -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 SOT-363
NTJD4401NT1G NTJD4401NT1G オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥100.00 /個
1個以上 ¥110.00 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 20V 630mA 375ミリオーム @ 630mA、4.5V 1.5V @ 250µA 3nC @ 4.5V 46pF @ 20V 270mW -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
BUK9K31-100LX BUK9K31-100LX NEXPERIA データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1500個以上 ¥71.42 /個
1500個以上 ¥78.56 /個
確認する 1,500 確認する テープ&リール(TR) - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 100V 24A(Tc) 31.7ミリオーム @ 5A、10V 2.05V @ 50µA 31nC @ 10V 1940pF @ 25V 43W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 SOT-1205、8-LFPAK56 LFPAK56D
CSD87501LT CSD87501LT TEXAS INSTRUMENTS データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
250個以上 ¥100.45 /個
250個以上 ¥110.49 /個
確認する 250 確認する テープ&リール(TR) NexFET™ MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン 論理レベルゲート - - - 2.3V @ 250µA 40nC @ 10V - 2.5W -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 10-XFLGA 10-Picostar(3.37x1.47)
SI4554DY-T1-GE3 SI4554DY-T1-GE3 VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥254.29 /個
1個以上 ¥279.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) TrenchFET® MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート 40V 8A 24ミリオーム @ 6.8A、10V 2.2V @ 250µA 20nC @ 10V 690pF @ 20V 3.1W、3.2W -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SOIC
CSD87501L CSD87501L TEXAS INSTRUMENTS データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
3000個以上 ¥58.62 /個
3000個以上 ¥64.48 /個
確認する 3,000 確認する テープ&リール(TR) NexFET™ MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン 論理レベルゲート - - - 2.3V @ 250µA 40nC @ 10V - 2.5W -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 10-XFLGA 10-Picostar(3.37x1.47)
QS5K2TR QS5K2TR ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥207.15 /個
1個以上 ¥227.86 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - MOSFET(金属酸化物) Nチャネル(デュアル)コモンソース × 2 論理レベルゲート 30V 2A 100ミリオーム @ 2A、4.5V 1.5V @ 1mA 3.9nC @ 4.5V 175pF @ 10V 1.25W 150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-5薄型、TSOT-23-5 TSMT5
SSM6L36TU,LF SSM6L36TU,LF 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
3000個以上 ¥15.19 /個
3000個以上 ¥16.70 /個
確認する 3,000 確認する テープ&リール(TR) - MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル ロジックレベルゲート、1.5V駆動 20V 500mA(Ta)、330mA(Ta) 630ミリオーム @ 200mA、5V、1.31オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 1mA 1.23nC @ 4V、1.2nC @ 4V 46pF @ 10V、43pF @ 10V 500mW(Ta) 150°C - - 面実装 6-SMD、フラットリード UF6
NTMFD5C674NLT1G NTMFD5C674NLT1G オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥381.43 /個
1個以上 ¥419.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 60V 11A(Ta)、42A(Tc) 14.4ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 25µA 10nC @ 10V 640pF @ 25V 3W(Ta)、37W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 8-PowerTDFN 8-DFN(5x6)デュアルフラグ(SO8FLデュアル)
UT6MA2TCR UT6MA2TCR ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
3000個以上 ¥35.31 /個
3000個以上 ¥38.84 /個
確認する 3,000 確認する テープ&リール(TR) - MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - 30V 4A(Ta) 46ミリオーム @ 4A、10V、70ミリオーム @ 4A、10V 2.5V @ 1mA 4.3nC @ 10V、6.7nC @ 10V 180pF @ 15V、305pF @ 15V 2W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 6-PowerUDFN HUML2020L8
UT6MA2TCR UT6MA2TCR ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥152.86 /個
1個以上 ¥168.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - 30V 4A(Ta) 46ミリオーム @ 4A、10V、70ミリオーム @ 4A、10V 2.5V @ 1mA 4.3nC @ 10V、6.7nC @ 10V 180pF @ 15V、305pF @ 15V 2W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 6-PowerUDFN HUML2020L8
G180C06Y G180C06Y Goford Semiconductor データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥307.15 /個
1個以上 ¥337.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル、コモンドレイン - 60V 50A(Tc)、60A(Tc) 17ミリオーム @ 20A、10V、23ミリオーム @ 10A、10V 2V @ 250µA、4V @ 250µA 39nC @ 4.5V、62nC @ 4.5V 2429pF @ 30V、4471pF @ 30V 69W(Tc)、115W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab) TO-252-4
HS8K1TB HS8K1TB ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥187.15 /個
1個以上 ¥205.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 30V 10A(Ta)、11A(Ta) 14.6ミリオーム @ 10A、10V、11.8ミリオーム @ 11A、10V 2.5V @ 1mA 6nC @ 10V、7.4nC @ 10V 348pF @ 15V、429pF @ 15V 2W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 8-UDFN露出パッド HSML3030L10
QS8J2TR QS8J2TR ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥322.86 /個
1個以上 ¥355.14 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) ロジックレベルゲート、1.5V駆動 12V 4A 36ミリオーム @ 4A、4.5V 1V @ 1mA 20nC @ 4.5V 1940pF @ 6V 550mW 150°C(TJ) - - 面実装 8-SMD、フラットリード TSMT8
BSM250D17P2E004 BSM250D17P2E004 ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥159,695.75 /個
1個以上 ¥175,665.32 /個
確認する 確認する - シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 1700V(1.7kV) 250A(Tc) - 4V @ 66mA - 30000pF @ 10V 1800W(Tc) -40°C~150°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール モジュール
SSM6L39TU,LF SSM6L39TU,LF 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥140.00 /個
1個以上 ¥154.00 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル ロジックレベルゲート、1.8V駆動 20V 800mA 143ミリオーム @ 600MA、4V 1V @ 1mA - 268pF @ 10V 500mW 150°C(TJ) - - 面実装 6-SMD、フラットリード UF6
FF3MR20KM1HPHPSA1 FF3MR20KM1HPHPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥100,758.52 /個
1個以上 ¥110,834.37 /個
確認する 確認する トレイ C, CoolSiC™ シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 2000V(2kV) 325A(Tc) 4ミリオーム @ 400A、18V 5.15V @ 224mA 1560nC @ 18V 48200pF @ 1200V - -40°C~175°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール AG-62MMHB
SLA5212 SLA5212 サンケン電気 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1080個以上 ¥566.00 /個
1080個以上 ¥622.60 /個
確認する 1,080 確認する チューブ - MOSFET(金属酸化物) 6Nチャンネル(3相ブリッジ) - 35V 8A - - - - - - - - スルーホール 15-SIP露出タブ、成形リード 15-ZIP
SLA5068 LF853 SLA5068 LF853 サンケン電気 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,878.83 /個
1個以上 ¥2,066.71 /個
確認する 確認する チューブ - MOSFET(金属酸化物) 6Nチャンネル(3相ブリッジ) - 60V 7A 100ミリオーム @ 3.5A、10V 2V @ 250µA - 660pF @ 10V 5W 150°C(TJ) - - スルーホール 15-SIP 15-SIP
FF2600UXTR33T2M1BPSA1 FF2600UXTR33T2M1BPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥910,863.83 /個
1個以上 ¥1,001,950.21 /個
確認する 確認する CoolSiC™ シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 3300V(3.3kV) 720A(Tc) 3.1ミリオーム @ 750A、15V 5.55V @ 675mA 3750nC @ 15V 152000pF @ 1.8kV - -40°C~175°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール AG-XHP2K33
NDS9936 NDS9936 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥337.15 /個
1個以上 ¥370.86 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 30V 5A 50ミリオーム @ 5A、10V 3V @ 250µA 35nC @ 10V 525pF @ 15V 900mW -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SOIC
PJS6809_S1_00001 PJS6809_S1_00001 PANJIT データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥140.00 /個
1個以上 ¥154.00 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - 30V 2.6A(Ta) 115ミリオーム @ 2.6A、10V 2.1V @ 250µA 9.8nC @ 10V 396pF @ 15V 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-6 SOT-23-6
FF2000UXTR33T2M1BPSA1 FF2000UXTR33T2M1BPSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,171,577.66 /個
1個以上 ¥1,288,735.42 /個
確認する 確認する CoolSiC™ シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - 3300V(3.3kV) 925A(Tc) 2.4ミリオーム @ 1kA、15V 5.55V @ 900mA 5000nC @ 15V 203000pF @ 1.8kV - -40°C~175°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール AG-XHP2K33
SSM6N7002CFU,LF SSM6N7002CFU,LF 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥32.86 /個
1個以上 ¥36.14 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - 60V 170mA 3.9オーム @ 100mA、10V 2.1V @ 250µA 0.35nC @ 4.5V 17pF @ 10V 285mW 150°C(TJ) - - 面実装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 US6
DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD-13 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥282.86 /個
1個以上 ¥311.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - MOSFET(金属酸化物) 2 Nおよび2 Pチャンネル(フルブリッジ) 論理レベルゲート 30V 6A、4.2A 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V 2V @ 250µA 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V 590pF @ 15V, 631pF @ 15V 1.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SO
ECB2R1M12YM3 ECB2R1M12YM3 Wolfspeed データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥234,309.58 /個
1個以上 ¥257,740.53 /個
確認する 確認する - シリコンカーバイド(SiC) 6 Nチャンネル(3相インバータ) - 1200V(1.2kV) 700A 2.8ミリオーム @ 550A、15V 3.6V @ 167mA 1696nC @ 15V 51300pF @ 800V 1.852kW -40°C~175°C(TJ) - - シャーシマウント モジュール
QH8JA1TCR QH8JA1TCR ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
3000個以上 ¥59.41 /個
3000個以上 ¥65.35 /個
確認する 3,000 確認する テープ&リール(TR) - - 2Pチャンネル(デュアル) - 20V 5A 38ミリオーム @ 5A、4.5V 1.2V @ 1mA 10.2nC @ 4.5V 720pF @ 10V 1.5W -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SMD、フラットリード TSMT8
EPC2108 EPC2108 EPC データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥558.58 /個
1個以上 ¥614.43 /個
確認する 確認する Digi-Reel® eGaN® GaNFET(窒化ガリウム) 3Nチャンネル(ハーフブリッジ + 同期式ブートストラップ) - 60V、100V 1.7A、500mA 190ミリオーム @ 2.5A、 5V、 3.3オーム @ 2.5A、 5V 2.5V @ 100µA、2.5V @ 20µA 0.22nC @ 5V、 0.044nC @ 5V 22pF @ 30V、 7pF @ 30V - -40°C~150°C(TJ) - - 面実装 9-VFBGA 9-BGA(1.35x1.35)
GSFQ4616 GSFQ4616 Good-Ark Semiconductor データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥112.86 /個
1個以上 ¥124.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - 30V 8A(Tc)、7A(Tc) 20ミリオーム @ 8A、10V、22ミリオーム @ 7A、10V 2V @ 250µA、2.4V @ 250µA 15nC @ 10V、18.6nC @ 10V 740pF @ 15V、1040pF @ 15V 2W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) 8-SOP
SSM6P816R,LF SSM6P816R,LF 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥174.29 /個
1個以上 ¥191.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) ロジックレベルゲート、1.8V駆動 20V 6A(Ta) 30.1ミリオーム @ 4A、4.5V 1V @ 1mA 16.6nC @ 4.5V 1030pF @ 10V 1.4W(Ta) 150°C - - 面実装 6-SMD、フラットリード 6-TSOP-F
SSM6L56FE,LM SSM6L56FE,LM 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥72.86 /個
1個以上 ¥80.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル ロジックレベルゲート、1.5V駆動 20V 800mA(Ta) 235ミリオーム @ 800mA、4.5V、390ミリオーム @ 800mA、4.5V 1V @ 1mA 1nC @ 10V 55pF @ 10V、100pF @ 10V 150mW(Ta) 150°C - - 面実装 SOT-563、SOT-666 ES6
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検索結果:
1100 件 / 全 4,000
  • SI4554DY-T1-GE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):24ミリオーム @ 6.8A、10V・Id印加時のVgs(th)(
    254.29 税込¥279.71
  • BUK9K13-40HX
    NEXPERIA
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchMOS™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):42A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印
    244.29 税込¥268.71
  • SI5504BDC-T1-GE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A、3.7A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):65ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVg
    332.86 税込¥366.14
  • SH8KC6TB1
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):32ミリオーム @ 6.5A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):2
    268.58 税込¥295.43
  • IAUC60N04S6L030HATMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 6・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):60A(Tj)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3ミリオーム @ 30A、10V・Id印
    235.72 税込¥259.29
  • SH8MA2GZETB
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.5A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):80ミリオーム @ 4.5A、10V、82ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加
    191.43 税込¥210.57
  • 2N7002DW
    -
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):115mA(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7.5オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):
    37.15 税込¥40.86
  • FS8205A
    EVVO Semi
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル、コモンドレイン・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):27ミリオーム @ 6A、4.5V・Id印加時のVgs(th)(最大):1.
    74.29 税込¥81.71
  • CSD87501LT
    TEXAS INSTRUMENTS
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:NexFET™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):2.3V @
    235.72 税込¥259.29
  • TPC8408,LQ(S
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.1A、5.3A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):32ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大
    228.58 税込¥251.43
  • CSD87501L
    TEXAS INSTRUMENTS
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:NexFET™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):2.3V @
    177.15 税込¥194.86
  • APM4953
    UMW
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:UMW・技術:-・構成:-・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.3A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):41ミリオーム @ 5.3A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):2.5V @ 250µA・Vgs印加時のゲート電
    204.29 税込¥224.71
  • ISA250300C04LMDSXTMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 3・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.9A(Ta)、7.9A(Tc)、5.8A(Ta)、7.8A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):25ミリオー
    195.72 税込¥215.29
  • 2N7002VA
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):280mA・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7.5オーム @ 50mA、5V・Id印加時のVgs(th)(最大)
    194.29 税込¥213.71
  • SQJ504EP-T1_BE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7.5ミリオーム @ 8A、10V、17ミリオーム @ 8A、10V・
    438.58 税込¥482.43
  • SH8MA2GZETB
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.5A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):80ミリオーム @ 4.5A、10V、82ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時
    191.43 税込¥210.57
  • SQJ914EP-T1_BE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):12ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs(th
    402.86 税込¥443.14
  • 2N7002AKRA-QZ
    NEXPERIA
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):320mA(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.9オーム @ 100mA、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):2
    65.72 税込¥72.29
  • ISA250300C04LMDSXTMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ 3・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.9A(Ta)、7.9A(Tc)、5.8A(Ta)、7.8A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):25ミリオーム
    195.72 税込¥215.29
  • FDS89161
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:PowerTrench®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.7A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):105ミリオーム @ 2.7A、10V・Id印加時のVgs(
    260.00 税込¥286.00
  • BUK9K13-40HX
    NEXPERIA
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    最小1,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:TrenchMOS™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):42A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印
    65.69 税込¥72.25
  • DMG9933USD-13
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.6A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):75ミリオーム @ 4.8A、4.5V・Id印加時のVgs(th)(最大
    132.86 税込¥146.14
  • SSM6N62TU,LXHF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):800mA(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 800mA、4.5V・I
    154.29 税込¥169.71
  • DMG1024UV-7
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.38A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):450ミリオーム @ 600mA、4.5V・Id印加時のVgs(th
    117.15 税込¥128.86
  • AOCA33102E
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    最小8,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル、コモンドレイン・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):50A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.4ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs(th)(最大):
    102.86 税込¥113.14
  • BSO220N03MDGXUMA1
    インフィニオン
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    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 7.7A、10V・Id印加時のVgs(t
    41.62 税込¥45.78
  • AW2K21AR
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2個のNチャンネル、コモンソース・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3ミリオーム @ 20A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):2V
    631.95 税込¥695.14
  • TPC8407,LQ(S
    東芝
    売り切れ
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9A、7.4A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):17ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大)
  • CSD87351ZQ5D
    TEXAS INSTRUMENTS
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:NexFET™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2N-チャンネル(デュアル)非対称・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):32A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):2.1V @ 2
    415.72 税込¥457.29
  • TC6215TG-G
    Microchip
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):150V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4オーム @ 2A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):2V @ 1mA・Vgs印加時のゲ
    402.86 税込¥443.14
  • SLA5086
    サンケン電気
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:5Pチャンネル、コモンソース・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):220ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):2V @ 250
    1,446.92 税込¥1,591.61
  • CSD87381PT
    TEXAS INSTRUMENTS
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:NexFET™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):15A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):16.3ミリオーム @ 8A、8V・Id印加時のVgs
    222.86 税込¥245.14
  • HT8KE6TB1
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.5A(Ta)、13A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):57ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs(
    472.86 税込¥520.14
  • CSD87501L
    TEXAS INSTRUMENTS
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:NexFET™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):2.3V @ 2
    177.15 税込¥194.86
  • AO6602L
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネルコンプリメンタリ・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):75ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVgs(th)(最
    29.80 税込¥32.78
  • DMT47M2LDVQ-13
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):11.9A(Ta)、30.2A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):10.8ミリオーム @ 20A、10V・Id印加時のVg
    365.72 税込¥402.29
  • SP8K32HZGTB
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.5A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):65ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):2.
    468.58 税込¥515.43
  • EM6J1T2R
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.2オーム @ 200mA、4.5V・Id印加時のVgs(th)(最大
    150.00 税込¥165.00
  • SI5504BDC-T1-GE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A、3.7A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):65ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVgs
    332.86 税込¥366.14
  • SQJB44EP-T1_JE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5.2ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs(th
    431.43 税込¥474.57
  • FDS9926A
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:PowerTrench®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):30ミリオーム @ 6.5A、4.5V・Id印加
    240.00 税込¥264.00
  • M1P45M12W2-1LA
    STマイクロエレクトロニクス
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:ECOPACK®・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:6 N-Channel(Phase Leg)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200V(1.2kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):60.5ミリオーム @ 20A、18V・I
    9,872.42 税込¥10,859.66
  • HAT3015R-EL-E
    ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)
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    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):500mA(Ta)、250mA(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.2オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs(t
    489.32 税込¥538.25
  • BSO220N03MDGXUMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 7.7A、10V・Id印加時のVgs(th
    254.29 税込¥279.71
  • CAB400M12XM3
    Wolfspeed
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:-・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200V(1.2kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):395A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5.3ミリオーム @ 400A、15V・Id印加時のVgs(th)(最大):
    108,920.22 税込¥119,812.24
  • SSM6L35FU(TE85L,F)
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):180mA、100mA・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3オーム @ 50mA、4V・Id印加時のVg
    98.58 税込¥108.43
  • QH8KB6TCR
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):17.7ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):2.5V
    357.15 税込¥392.86
  • IMT65R50M2HXUMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:-・構成:-・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大):-・電
    1,418.52 税込¥1,560.37
  • IRF7309TRPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A、3A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):50ミリオーム @ 2.4A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):1V
    278.58 税込¥306.43
  • NDS9936
    オンセミコンダクター
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    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):50ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):3V
    67.75 税込¥74.52
  • SLA5085
    サンケン電気
    売り切れ
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:5Nチャンネル、コモンソース・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):10A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):220ミリオーム @ 3A、4V・Id印加時のVgs(th)(最大):2V @ 250
  • SP8K32HZGTB
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.5A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):65ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):2
    468.58 税込¥515.43
  • SSM6L807R,LF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):39.1ミリオーム @ 2A、 4.5V・Id印加時のVgs(th)(最大):1V @
    172.86 税込¥190.14
  • SH8M4TB1
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9A、7A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):18ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):2.5V
    563.89 税込¥620.27
  • SH8M4TB1
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9A、7A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):18ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):2.5
    563.89 税込¥620.27
  • WI62195
    -
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:WiseGan™・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):750V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9A(Tj)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):250ミリオーム @ 2A、6V・Id印加時のVgs(th)(最大):1
    1,361.73 税込¥1,497.90
  • SLA5041
    サンケン電気
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    最小180個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:4 Nチャンネル・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):10A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):175ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):4V @ 1mA・Vgs
    1,192.85 税込¥1,312.13
  • NDS9936
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):50ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):3V
    337.15 税込¥370.86
  • NX5020UNBKSX
    NEXPERIA
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):300mA (Ta), 480mA (Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.8Ohm @ 300mA, 10V・Id印加
    61.43 税込¥67.57
  • FDS6990A
    オンセミコンダクター
    売り切れ
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:PowerTrench®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7.5A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):18ミリオーム @ 7.5A、10V・Id印加時
  • FBG30N04CSH
    EPC
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:eGaN®・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):300V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):404ミリオーム @ 4A、5V・Id印加時のVgs(th)(最大):2.8V @
    63,624.47 税込¥69,986.91
  • CSD88539ND
    TEXAS INSTRUMENTS
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:NexFET™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):15A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):28ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):3.6
    248.58 税込¥273.43
  • FDC6420C
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:PowerTrench®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3A、2.2A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):70ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時のVg
    218.58 税込¥240.43
  • SH8KC6TB1
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):32ミリオーム @ 6.5A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):2.
    268.58 税込¥295.43
  • A2U8M12W3-FC
    STマイクロエレクトロニクス
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:ECOPACK®・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:Nチャンネル4個(3レベルインバータ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):750V、1.2kV・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):180A、140A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8ミリオーム @ 100A、18V、12.5ミリオ
    28,673.87 税込¥31,541.25
  • SSM6P54TU,LF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:ロジックレベルゲート、1.5V駆動・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.2A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):228ミリオーム @ 600mA、2.5V・I
    90.00 税込¥99.00
  • HAT2114RJ-EL-E
    ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)
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    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):40オーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):2.5V @ 1mA・
    701.11 税込¥771.22
  • G170P02D32
    Goford Semiconductor
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):21ミリオーム @ 6A、4.5V・Id印加時のVgs(th)(最大):1V @
    191.43 税込¥210.57
  • HP8MA2TB1
    ROHM
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    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):18A(Ta)、15A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9.6ミリオーム @ 18A、10V、17.9ミリオーム @ 15A、
    123.66 税込¥136.02
  • BSS138DW-7-F
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.5オーム @ 220mA、10V・Id印加時のVgs(th)(最大
    131.43 税込¥144.57
  • NTJD4401NT1G
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):630mA・Id、Vgs印加時のRds On(最大):375ミリオーム @ 630mA、4.5V・Id印加時のVgs(th
    100.00 税込¥110.00
  • BUK9K31-100LX
    NEXPERIA
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    最小1,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):24A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):31.7ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs(th
    71.42 税込¥78.56
  • CSD87501LT
    TEXAS INSTRUMENTS
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    最小250個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:NexFET™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):2.3V @
    100.45 税込¥110.49
  • SI4554DY-T1-GE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):24ミリオーム @ 6.8A、10V・Id印加時のVgs(th)
    254.29 税込¥279.71
  • CSD87501L
    TEXAS INSTRUMENTS
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    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:NexFET™・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):2.3V @
    58.62 税込¥64.48
  • QS5K2TR
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:Nチャネル(デュアル)コモンソース × 2・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):100ミリオーム @ 2A、4.5V・Id印加時のVgs(th
    207.15 税込¥227.86
  • SSM6L36TU,LF
    東芝
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    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:ロジックレベルゲート、1.5V駆動・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):500mA(Ta)、330mA(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):630ミリオーム @ 200m
    15.19 税込¥16.70
  • NTMFD5C674NLT1G
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):11A(Ta)、42A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):14.4ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs(t
    381.43 税込¥419.57
  • UT6MA2TCR
    ROHM
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    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):46ミリオーム @ 4A、10V、70ミリオーム @ 4A、10V・Id印加時のVgs(
    35.31 税込¥38.84
  • UT6MA2TCR
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):46ミリオーム @ 4A、10V、70ミリオーム @ 4A、10V・Id印加時のVgs(
    152.86 税込¥168.14
  • G180C06Y
    Goford Semiconductor
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル、コモンドレイン・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):50A(Tc)、60A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):17ミリオーム @ 20A、10V、23ミリオーム @
    307.15 税込¥337.86
  • HS8K1TB
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):10A(Ta)、11A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):14.6ミリオーム @ 10A、10V、11.8ミリオーム @
    187.15 税込¥205.86
  • QS8J2TR
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:ロジックレベルゲート、1.5V駆動・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):36ミリオーム @ 4A、4.5V・Id印加時のVgs(th
    322.86 税込¥355.14
  • BSM250D17P2E004
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:-・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1700V(1.7kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):250A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):4V @ 66mA・Vgs印加
    159,695.75 税込¥175,665.32
  • SSM6L39TU,LF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:ロジックレベルゲート、1.8V駆動・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):800mA・Id、Vgs印加時のRds On(最大):143ミリオーム @ 600MA、4V・Id印加時のVgs(
    140.00 税込¥154.00
  • FF3MR20KM1HPHPSA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:トレイ・シリーズ:C, CoolSiC™・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):2000V(2kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):325A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4ミリオーム @ 400A、18V・Id印加時のV
    100,758.52 税込¥110,834.37
  • SLA5212
    サンケン電気
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    最小1,080個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:6Nチャンネル(3相ブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):35V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vds印加
    566.00 税込¥622.60
  • SLA5068 LF853
    サンケン電気
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:6Nチャンネル(3相ブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):100ミリオーム @ 3.5A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):2V @ 250µA・V
    1,878.83 税込¥2,066.71
  • FF2600UXTR33T2M1BPSA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:CoolSiC™・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):3300V(3.3kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):720A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.1ミリオーム @ 750A、15V・Id印加時のVg
    910,863.83 税込¥1,001,950.21
  • NDS9936
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):50ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):3V
    337.15 税込¥370.86
  • PJS6809_S1_00001
    PANJIT
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.6A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):115ミリオーム @ 2.6A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):2
    140.00 税込¥154.00
  • FF2000UXTR33T2M1BPSA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:CoolSiC™・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):3300V(3.3kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):925A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.4ミリオーム @ 1kA、15V・Id印加時のVgs
    1,171,577.66 税込¥1,288,735.42
  • SSM6N7002CFU,LF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):170mA・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.9オーム @ 100mA、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):2.1V
    32.86 税込¥36.14
  • DMHC3025LSD-13
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2 Nおよび2 Pチャンネル(フルブリッジ)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6A、4.2A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm
    282.86 税込¥311.14
  • ECB2R1M12YM3
    Wolfspeed
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:箱・シリーズ:-・技術:シリコンカーバイド(SiC)・構成:6 Nチャンネル(3相インバータ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200V(1.2kV)・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):700A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.8ミリオーム @ 550A、15V・Id印加時のVgs(th)(最大):3
    234,309.58 税込¥257,740.53
  • QH8JA1TCR
    ROHM
    確認する
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・技術:-・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):38ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs(th)(最大):1.2V @ 1mA・Vgs印加時のゲート
    59.41 税込¥65.35
  • EPC2108
    EPC
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・構成:3Nチャンネル(ハーフブリッジ + 同期式ブートストラップ)・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V、100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.7A、500mA・Id、Vgs印加時のRds On(最大):190ミリオーム @
    558.58 税込¥614.43
  • GSFQ4616
    Good-Ark Semiconductor
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネルコンプリメンタリ・FET機能:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8A(Tc)、7A(Tc)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):20ミリオーム @ 8A、10V、22ミリオーム @ 7A
    112.86 税込¥124.14
  • SSM6P816R,LF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:2Pチャンネル(デュアル)・FET機能:ロジックレベルゲート、1.8V駆動・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6A(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):30.1ミリオーム @ 4A、4.5V・Id印加時
    174.29 税込¥191.71
  • SSM6L56FE,LM
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・技術:MOSFET(金属酸化物)・構成:NおよびPチャンネル・FET機能:ロジックレベルゲート、1.5V駆動・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):800mA(Ta)・Id、Vgs印加時のRds On(最大):235ミリオーム @ 800mA、4.5V、390
    72.86 税込¥80.14
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