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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイの定格表該当製品数: 10,458 / 10,458 件

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電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

Id印加時のVgs（th）（最大）

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

電力 - 最大

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認定

取り付けタイプ

パッケージ/ケース

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写真	型番	メーカー	品質ランク	単価 (税抜)	単価 (税込)		在庫数量	最少購入数	納期	パッケージ	シリーズ	技術	構成	FET機能	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	電力 - 最大	動作温度	グレード	認定	取り付けタイプ	パッケージ/ケース	サプライヤデバイスパッケージ
	SH8KC6TB1	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥262.86 /個	1個以上￥289.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	6.5A（Ta）	32ミリオーム @ 6.5A、10V	2.5V @ 1mA	7.6nC @ 10V	460pF @ 30V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	BUK9K13-40HX	NEXPERIA	S1(DigiKey)	1個以上￥240.00 /個	1個以上￥264.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchMOS™	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	40V	42A（Ta）	13.6ミリオーム @ 10A、10V	2.2V @ 1mA	19.4nC @ 10V	1160pF @ 25V	46W（Ta）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	PMDPB55XPAX	NEXPERIA	S1(DigiKey)	1個以上￥168.58 /個	1個以上￥185.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	20V	3.6A（Ta）、9.3A（Tc）	66ミリオーム @ 3.6A、4.5V	1V @ 250µA	13nC @ 4.5V	785pF @ 10V	490mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	6-UFDFN露出パッド	6-HUSON（2x2）
	DMHC3025LSD-13	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	1個以上￥278.58 /個	1個以上￥306.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nおよび2 Pチャンネル（フルブリッジ）	論理レベルゲート	30V	6A、4.2A	25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V	2V @ 250µA	11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V	590pF @ 15V, 631pF @ 15V	1.5W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	2N7002DW	-	S1(DigiKey)	1個以上￥35.72 /個	1個以上￥39.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	115mA（Ta）	7.5オーム @ 500mA、10V	2.5V @ 250µA	-	50pF @ 25V	200mW（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SOT-363
	SI4554DY-T1-GE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥250.00 /個	1個以上￥275.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	40V	8A	24ミリオーム @ 6.8A、10V	2.2V @ 250µA	20nC @ 10V	690pF @ 20V	3.1W、3.2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	TPC8408,LQ(S	東芝	S1(DigiKey)	1個以上￥231.43 /個	1個以上￥254.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	40V	6.1A、5.3A	32ミリオーム @ 3.1A、10V	2.3V @ 100µA	24nC @ 10V	850pF @ 10V	450mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	FS8205A	EVVO Semi	S1(DigiKey)	1個以上￥72.86 /個	1個以上￥80.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル、コモンドレイン	-	20V	6A（Ta）	27ミリオーム @ 6A、4.5V	1.2V @ 250µA	17.6nC @ 4.5V	910pF @ 20V	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6	SOT-23-6
	CSD87501LT	TEXAS INSTRUMENTS	S1(DigiKey)	1個以上￥231.43 /個	1個以上￥254.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	-	-	-	2.3V @ 250µA	40nC @ 10V	-	2.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	10-XFLGA	10-Picostar（3.37x1.47）
	CSD87501L	TEXAS INSTRUMENTS	S1(DigiKey)	1個以上￥167.15 /個	1個以上￥183.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	-	-	-	2.3V @ 250µA	40nC @ 10V	-	2.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	10-XFLGA	10-Picostar（3.37x1.47）
	IRF7309TRPBF	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥274.29 /個	1個以上￥301.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	4A、3A	50ミリオーム @ 2.4A、10V	1V @ 250µA	25nC @ 4.5V	520pF @ 15V	1.4W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	IMT65R50M2HXUMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥1,393.83 /個	1個以上￥1,533.21 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	TPC8407,LQ(S	東芝	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	30V	9A、7.4A	17ミリオーム @ 4.5A、10V	2.3V @ 100µA	17nC @ 10V	1190pF @ 10V	450mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	DMG1024UV-7	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	1個以上￥115.72 /個	1個以上￥127.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	1.38A	450ミリオーム @ 600mA、4.5V	1V @ 250µA	0.74nC @ 4.5V	60.67pF @ 16V	530mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	SOT-563
	SSM6L807R,LF	東芝	S1(DigiKey)	1個以上￥168.58 /個	1個以上￥185.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	4A（Ta）	39.1ミリオーム @ 2A、 4.5V	1V @ 1mA	3.2nC @ 4.5V、6.74nC @ 4.5V	310pF @ 15V、480pF @ 10V	1.4W（Ta）	150°C	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	6-TSOP-F
	AW2K21AR	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥620.84 /個	1個以上￥682.92 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2個のNチャンネル、コモンソース	-	30V	20A（Ta）	3ミリオーム @ 20A、10V	2V @ 1mA	29nC @ 10V	1350pF @ 10V	1.6W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	22-UFBGA、WLCSP	22-WLCSP（2x2）
	CSD87351ZQ5D	TEXAS INSTRUMENTS	S1(DigiKey)	1個以上￥408.58 /個	1個以上￥449.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）非対称	論理レベルゲート	30V	32A	-	2.1V @ 250µA	7.7nC @ 4.5V	1255pF @ 15V	12W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerLDFN	8-LSON（5x6）
	SH8M4TB1	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥570.00 /個	1個以上￥627.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	30V	9A、7A	18ミリオーム @ 9A、10V	2.5V @ 1mA	15nC @ 5V	1190pF @ 10V	2W	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	SH8M4TB1	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥570.00 /個	1個以上￥627.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	30V	9A、7A	18ミリオーム @ 9A、10V	2.5V @ 1mA	15nC @ 5V	1190pF @ 10V	2W	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	FDS6990A	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	カットテープ（CT）	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	7.5A	18ミリオーム @ 7.5A、10V	3V @ 250µA	17nC @ 5V	1235pF @ 15V	900mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	AO6602L	Alpha & Omega Semiconductor Inc	S1(DigiKey)	3000個以上￥29.28 /個	3000個以上￥32.20 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネルコンプリメンタリ	論理レベルゲート	30V	-	75ミリオーム @ 3.1A、10V	3V @ 250µA	8.5nC @ 10V	240pF @ 15V	1.15W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SC-74、SOT-457	6-TSOP
	NX5020UNBKSX	NEXPERIA	S1(DigiKey)	1個以上￥60.00 /個	1個以上￥66.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	50V	300mA (Ta), 480mA (Tc)	1.8Ohm @ 300mA, 10V	950mV @ 250µA	1nC @ 10V	20.5pF @ 25V	280mW (Ta), 860mW (Tc)	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	6-TSSOP
	WI62195	-	S1(DigiKey)	1個以上￥1,389.75 /個	1個以上￥1,528.72 /個	★	確認する		確認する	トレイ	WiseGan™	GaNFET（窒化ガリウム）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	750V	9A（Tj）	250ミリオーム @ 2A、6V	1.75V @ 10mA	1.9nC @ 6V	53.5pF @ 400V	-	-40°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	14-PowerLDFN	14-PQFN （6x8）
	HT8KE6TB1	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥464.29 /個	1個以上￥510.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	100V	4.5A（Ta）、13A（Tc）	57ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 1mA	6.7nC @ 10V	305pF / 50V	2W（Ta）、14W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerVDFN	8-HSMT（3.2x3）
	QS5K2TR	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥202.86 /個	1個以上￥223.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2	論理レベルゲート	30V	2A	100ミリオーム @ 2A、4.5V	1.5V @ 1mA	3.9nC @ 4.5V	175pF @ 10V	1.25W	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-5薄型、TSOT-23-5	TSMT5
	CSD88539ND	TEXAS INSTRUMENTS	S1(DigiKey)	1個以上￥244.29 /個	1個以上￥268.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	15A	28ミリオーム @ 5A、10V	3.6V @ 250µA	9.4nC @ 10V	741pF @ 30V	2.1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	FDC6420C	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	1個以上￥214.29 /個	1個以上￥235.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	20V	3A、2.2A	70ミリオーム @ 3A、4.5V	1.5V @ 250µA	4.6nC @ 4.5V	324pF @ 10V	700mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SuperSOT™-6
	SH8KC6TB1	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥262.86 /個	1個以上￥289.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	6.5A（Ta）	32ミリオーム @ 6.5A、10V	2.5V @ 1mA	7.6nC @ 10V	460pF @ 30V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	CSD87501L	TEXAS INSTRUMENTS	S1(DigiKey)	1個以上￥167.15 /個	1個以上￥183.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	-	-	-	2.3V @ 250µA	40nC @ 10V	-	2.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	10-XFLGA	10-Picostar（3.37x1.47）
	NDS9936	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	2500個以上￥66.58 /個	2500個以上￥73.23 /個	★	確認する	2,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	5A	50ミリオーム @ 5A、10V	3V @ 250µA	35nC @ 10V	525pF @ 15V	900mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	BSS138DW-7-F	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	1個以上￥128.58 /個	1個以上￥141.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	50V	200mA	3.5オーム @ 220mA、10V	1.5V @ 250µA	-	50pF @ 10V	200mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SOT-363
	FBG30N04CSH	EPC	S1(DigiKey)	1個以上￥62,525.54 /個	1個以上￥68,778.09 /個	★	確認する		確認する	バルク	eGaN®	GaNFET（窒化ガリウム）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	300V	4A（Tc）	404ミリオーム @ 4A、5V	2.8V @ 600µA	2.6nC @ 5V	450pF @ 150V	-	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	4-SMD、リードなし	4-SMD
	SSM6P54TU,LF	東芝	S1(DigiKey)	1個以上￥87.15 /個	1個以上￥95.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、1.5V駆動	20V	1.2A（Ta）	228ミリオーム @ 600mA、2.5V	1V @ 1mA	7.7nC @ 4V	331pF @ 10V	500mW（Ta）	150°C	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	UF6
	NTJD4401NT1G	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	1個以上￥98.58 /個	1個以上￥108.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	630mA	375ミリオーム @ 630mA、4.5V	1.5V @ 250µA	3nC @ 4.5V	46pF @ 20V	270mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
	G170P02D32	Goford Semiconductor	S1(DigiKey)	1個以上￥188.58 /個	1個以上￥207.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	20V	20A（Tc）	21ミリオーム @ 6A、4.5V	1V @ 250µA	30nC @ 10V	2193pF @ 10V	15W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerVDFN	8-DFN（3.15x3.05）デュアル
	A2U8M12W3-FC	STマイクロエレクトロニクス	S1(DigiKey)	1個以上￥28,178.41 /個	1個以上￥30,996.25 /個	★	確認する		確認する	バルク	ECOPACK®	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル4個（3レベルインバータ）	-	750V、1.2kV	180A、140A	8ミリオーム @ 100A、18V、12.5ミリオーム @ 100A、18V	4.2V @ 2mA、4V @ 2mA	288nC @ 18V、304nC @ 18V	7660pF @ 400V、7370pF @ 800V	-	-55°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	SI4554DY-T1-GE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥250.00 /個	1個以上￥275.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	40V	8A	24ミリオーム @ 6.8A、10V	2.2V @ 250µA	20nC @ 10V	690pF @ 20V	3.1W、3.2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	SLA5086	サンケン電気	S1(DigiKey)	1個以上￥1,420.99 /個	1個以上￥1,563.08 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	MOSFET（金属酸化物）	5Pチャンネル、コモンソース	論理レベルゲート	60V	5A	220ミリオーム @ 3A、10V	2V @ 250µA	-	790pF @ 10V	5W	150°C（TJ）	-	-	スルーホール	12-SIP露出タブ	12-SIP
	NDS9936	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	1個以上￥331.43 /個	1個以上￥364.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	5A	50ミリオーム @ 5A、10V	3V @ 250µA	35nC @ 10V	525pF @ 15V	900mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	HP8MA2TB1	ROHM	S1(DigiKey)	2500個以上￥121.53 /個	2500個以上￥133.68 /個	★	確認する	2,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	18A（Ta）、15A（Ta）	9.6ミリオーム @ 18A、10V、17.9ミリオーム @ 15A、10V	2.5V @ 1mA	22nC @ 10V、25nC @ 10V	1100pF @ 15V、1250pF @ 15V	3W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerTDFN	8-HSOP
	BUK9K31-100LX	NEXPERIA	S1(DigiKey)	1500個以上￥70.19 /個	1500個以上￥77.20 /個	★	確認する	1,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	100V	24A（Tc）	31.7ミリオーム @ 5A、10V	2.05V @ 50µA	31nC @ 10V	1940pF @ 25V	43W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	G180C06Y	Goford Semiconductor	S1(DigiKey)	1個以上￥301.43 /個	1個以上￥331.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル、コモンドレイン	-	60V	50A（Tc）、60A（Tc）	17ミリオーム @ 20A、10V、23ミリオーム @ 10A、10V	2V @ 250µA、4V @ 250µA	39nC @ 4.5V、62nC @ 4.5V	2429pF @ 30V、4471pF @ 30V	69W（Tc）、115W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	TO-252-5、DPAK（4リード + タブ）、TO-252AD	TO-252-4
	HAT2114RJ-EL-E	ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)	S1(DigiKey)	2500個以上￥688.99 /個	2500個以上￥757.88 /個	★	確認する	2,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	6A	40オーム @ 3A、10V	2.5V @ 1mA	15nC @ 10V	1000pF @ 10V	2W	150°C	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	SLA5041	サンケン電気	S1(DigiKey)	180個以上￥1,172.24 /個	180個以上￥1,289.46 /個	★	確認する	180 個	確認する	チューブ	-	MOSFET（金属酸化物）	4 Nチャンネル	論理レベルゲート	200V	10A	175ミリオーム @ 5A、10V	4V @ 1mA	-	850pF @ 10V	5W	150°C（TJ）	-	-	スルーホール	12-SIP露出タブ	12-SIP
	SLA5085	サンケン電気	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	-	MOSFET（金属酸化物）	5Nチャンネル、コモンソース	論理レベルゲート	60V	10A	220ミリオーム @ 3A、4V	2V @ 250µA	-	320pF @ 10V	5W	150°C（TJ）	-	-	スルーホール	12-SIP露出タブ	12-SIP
	SH8KB6TB1	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥304.29 /個	1個以上￥334.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	8.5A（Ta）	19.4ミリオーム @ 8.5A、10V	2.5V @ 1mA	10.6nC @ 10V	530pF @ 20V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	SSM6L36TU,LF	東芝	S1(DigiKey)	3000個以上￥14.93 /個	3000個以上￥16.42 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	ロジックレベルゲート、1.5V駆動	20V	500mA（Ta）、330mA（Ta）	630ミリオーム @ 200mA、5V、1.31オーム @ 100mA、4.5V	1V @ 1mA	1.23nC @ 4V、1.2nC @ 4V	46pF @ 10V、43pF @ 10V	500mW（Ta）	150°C	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	UF6
	CSD87501LT	TEXAS INSTRUMENTS	S1(DigiKey)	250個以上￥98.71 /個	250個以上￥108.58 /個	★	確認する	250 個	確認する	テープ＆リール（TR）	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	-	-	-	2.3V @ 250µA	40nC @ 10V	-	2.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	10-XFLGA	10-Picostar（3.37x1.47）
	CSD87501L	TEXAS INSTRUMENTS	S1(DigiKey)	3000個以上￥57.61 /個	3000個以上￥63.37 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	-	-	-	2.3V @ 250µA	40nC @ 10V	-	2.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	10-XFLGA	10-Picostar（3.37x1.47）
	UT6MA2TCR	ROHM	S1(DigiKey)	3000個以上￥34.70 /個	3000個以上￥38.17 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	4A（Ta）	46ミリオーム @ 4A、10V、70ミリオーム @ 4A、10V	2.5V @ 1mA	4.3nC @ 10V、6.7nC @ 10V	180pF @ 15V、305pF @ 15V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-PowerUDFN	HUML2020L8
	NTMFD5C674NLT1G	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	1個以上￥374.29 /個	1個以上￥411.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	11A（Ta）、42A（Tc）	14.4ミリオーム @ 10A、10V	2.2V @ 25µA	10nC @ 10V	640pF @ 25V	3W（Ta）、37W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerTDFN	8-DFN（5x6）デュアルフラグ（SO8FLデュアル）
	EM6J1T2R	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥147.15 /個	1個以上￥161.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	200mA	1.2オーム @ 200mA、4.5V	1V @ 100µA	1.4nC @ 4.5V	115pF @ 10V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	EMT6
	HS8K1TB	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥184.29 /個	1個以上￥202.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	10A（Ta）、11A（Ta）	14.6ミリオーム @ 10A、10V、11.8ミリオーム @ 11A、10V	2.5V @ 1mA	6nC @ 10V、7.4nC @ 10V	348pF @ 15V、429pF @ 15V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-UDFN露出パッド	HSML3030L10
	UT6MA2TCR	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥150.00 /個	1個以上￥165.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	4A（Ta）	46ミリオーム @ 4A、10V、70ミリオーム @ 4A、10V	2.5V @ 1mA	4.3nC @ 10V、6.7nC @ 10V	180pF @ 15V、305pF @ 15V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-PowerUDFN	HUML2020L8
	QS8J2TR	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥317.15 /個	1個以上￥348.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、1.5V駆動	12V	4A	36ミリオーム @ 4A、4.5V	1V @ 1mA	20nC @ 4.5V	1940pF @ 6V	550mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	BSM250D17P2E004	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥156,936.18 /個	1個以上￥172,629.79 /個	★	確認する		確認する	箱	-	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1700V（1.7kV）	250A（Tc）	-	4V @ 66mA	-	30000pF @ 10V	1800W（Tc）	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	モジュール
	FF3MR20KM1HPHPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥107,774.47 /個	1個以上￥118,551.91 /個	★	確認する		確認する	トレイ	C, CoolSiC™	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	2000V（2kV）	325A（Tc）	4ミリオーム @ 400A、18V	5.15V @ 224mA	1560nC @ 18V	48200pF @ 1200V	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-62MMHB
	FF2000UXTR33T2M1BPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥1,249,485.11 /個	1個以上￥1,374,433.62 /個	★	確認する		確認する	箱	CoolSiC™	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	3300V（3.3kV）	925A（Tc）	2.4ミリオーム @ 1kA、15V	5.55V @ 900mA	5000nC @ 15V	203000pF @ 1.8kV	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-XHP2K33
	QH8JA1TCR	ROHM	S1(DigiKey)	3000個以上￥58.38 /個	3000個以上￥64.21 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	-	2Pチャンネル（デュアル）	-	20V	5A	38ミリオーム @ 5A、4.5V	1.2V @ 1mA	10.2nC @ 4.5V	720pF @ 10V	1.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	SSM6L39TU,LF	東芝	S1(DigiKey)	1個以上￥137.15 /個	1個以上￥150.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	ロジックレベルゲート、1.8V駆動	20V	800mA	143ミリオーム @ 600MA、4V	1V @ 1mA	-	268pF @ 10V	500mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	UF6
	FF2600UXTR33T2M1BPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥971,310.64 /個	1個以上￥1,068,441.70 /個	★	確認する		確認する	箱	CoolSiC™	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	3300V（3.3kV）	720A（Tc）	3.1ミリオーム @ 750A、15V	5.55V @ 675mA	3750nC @ 15V	152000pF @ 1.8kV	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-XHP2K33
	SLA5212	サンケン電気	S1(DigiKey)	1080個以上￥556.22 /個	1080個以上￥611.84 /個	★	確認する	1,080 個	確認する	チューブ	-	MOSFET（金属酸化物）	6Nチャンネル（3相ブリッジ）	-	35V	8A	-	-	-	-	-	-	-	-	スルーホール	15-SIP露出タブ、成形リード	15-ZIP
	SLA5068 LF853	サンケン電気	S1(DigiKey)	1個以上￥1,847.06 /個	1個以上￥2,031.76 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	MOSFET（金属酸化物）	6Nチャンネル（3相ブリッジ）	-	60V	7A	100ミリオーム @ 3.5A、10V	2V @ 250µA	-	660pF @ 10V	5W	150°C（TJ）	-	-	スルーホール	15-SIP	15-SIP
	PJS6809_S1_00001	PANJIT	S1(DigiKey)	1個以上￥137.15 /個	1個以上￥150.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	30V	2.6A（Ta）	115ミリオーム @ 2.6A、10V	2.1V @ 250µA	9.8nC @ 10V	396pF @ 15V	1.25W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6	SOT-23-6
	NDS9936	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	1個以上￥331.43 /個	1個以上￥364.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	5A	50ミリオーム @ 5A、10V	3V @ 250µA	35nC @ 10V	525pF @ 15V	900mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	ISG0614N06NM5HSCATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	3000個以上￥313.60 /個	3000個以上￥344.96 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™ 5	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	60V	31A（Ta）、233A（Tc）	1.6ミリオーム @ 50A、10V	3.3V @ 86µA	102nC @ 10V	6400pF @ 30V	3W（Ta）、167W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	10-PowerWDFN	PG-WHITFN-10-1
	EPC2108	EPC	S1(DigiKey)	1個以上￥548.58 /個	1個以上￥603.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	eGaN®	GaNFET（窒化ガリウム）	3Nチャンネル（ハーフブリッジ + 同期式ブートストラップ）	-	60V、100V	1.7A、500mA	190ミリオーム @ 2.5A、 5V、 3.3オーム @ 2.5A、 5V	2.5V @ 100µA、2.5V @ 20µA	0.22nC @ 5V、 0.044nC @ 5V	22pF @ 30V、 7pF @ 30V	-	-40°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	9-VFBGA	9-BGA（1.35x1.35）
	QH8JA1TCR	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥291.43 /個	1個以上￥320.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	-	2Pチャンネル（デュアル）	-	20V	5A	38ミリオーム @ 5A、4.5V	1.2V @ 1mA	10.2nC @ 4.5V	720pF @ 10V	1.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	QH8JA1TCR	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥291.43 /個	1個以上￥320.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	-	2Pチャンネル（デュアル）	-	20V	5A	38ミリオーム @ 5A、4.5V	1.2V @ 1mA	10.2nC @ 4.5V	720pF @ 10V	1.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	IRFH4253DTRPBF	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥668.06 /個	1個以上￥734.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	25V	64A、145A	3.2ミリオーム @ 30A、10V	2.1V @ 35µA	15nC @ 4.5V	1314pF @ 13V	31W、50W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerVDFN	PQFN（5x6）
	SSM6N7002CFU,LF	東芝	S1(DigiKey)	1個以上￥31.43 /個	1個以上￥34.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	170mA	3.9オーム @ 100mA、10V	2.1V @ 250µA	0.35nC @ 4.5V	17pF @ 10V	285mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	US6
	US6K4TR	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥211.43 /個	1個以上￥232.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	1.5A	180ミリオーム @ 1.5A、4.5V	1V @ 1mA	2.5nC @ 4.5V	110pF @ 10V	1W	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	TUMT6
	QS8J13TR	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥267.15 /個	1個以上￥293.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	12V	5.5A	22ミリオーム @ 5.5A、4.5V	1V @ 1mA	60nC @ 4.5V	6300pF @ 6V	1.25W	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	PMDPB55XPAX	NEXPERIA	S1(DigiKey)	1個以上￥168.58 /個	1個以上￥185.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	20V	3.6A（Ta）、9.3A（Tc）	66ミリオーム @ 3.6A、4.5V	1V @ 250µA	13nC @ 4.5V	785pF @ 10V	490mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	6-UFDFN露出パッド	6-HUSON（2x2）
	GSFQ4616	Good-Ark Semiconductor	S1(DigiKey)	1個以上￥111.43 /個	1個以上￥122.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネルコンプリメンタリ	-	30V	8A（Tc）、7A（Tc）	20ミリオーム @ 8A、10V、22ミリオーム @ 7A、10V	2V @ 250µA、2.4V @ 250µA	15nC @ 10V、18.6nC @ 10V	740pF @ 15V、1040pF @ 15V	2W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	ECB2R1M12YM3	Wolfspeed	S1(DigiKey)	1個以上￥230,261.71 /個	1個以上￥253,287.88 /個	★	確認する		確認する	箱	-	シリコンカーバイド（SiC）	6 Nチャンネル（3相インバータ）	-	1200V（1.2kV）	700A	2.8ミリオーム @ 550A、15V	3.6V @ 167mA	1696nC @ 15V	51300pF @ 800V	1.852kW	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	QS5K2TR	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥202.86 /個	1個以上￥223.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2	論理レベルゲート	30V	2A	100ミリオーム @ 2A、4.5V	1.5V @ 1mA	3.9nC @ 4.5V	175pF @ 10V	1.25W	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-5薄型、TSOT-23-5	TSMT5
	NTMFD5C674NLT1G	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	1個以上￥374.29 /個	1個以上￥411.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	11A（Ta）、42A（Tc）	14.4ミリオーム @ 10A、10V	2.2V @ 25µA	10nC @ 10V	640pF @ 25V	3W（Ta）、37W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerTDFN	8-DFN（5x6）デュアルフラグ（SO8FLデュアル）
	STS5DPF20L	STマイクロエレクトロニクス	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	テープ＆リール（TR）	STripFET™ II	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	5A	55ミリオーム @ 2.5A、10V	2.5V @ 250µA	16nC @ 5V	1350pF @ 16V	1.6W	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	SP8K32HZGTB	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥460.00 /個	1個以上￥506.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	4.5A（Ta）	65ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 1mA	10nC @ 5V	500pF @ 10V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	IRF7319TRPBF	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥370.00 /個	1個以上￥407.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	-	29ミリオーム @ 5.8A、10V	1V @ 250µA	33nC @ 10V	650pF @ 25V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	IRF7319TRPBF	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥370.00 /個	1個以上￥407.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	-	29ミリオーム @ 5.8A、10V	1V @ 250µA	33nC @ 10V	650pF @ 25V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	STS4C3F60L	STマイクロエレクトロニクス	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	Digi-Reel®	STripFET™	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	60V	4A、3A	55ミリオーム @ 2A、10V	1V @ 250µA	20.4nC @ 4.5V	1030pF @ 25V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	DMG9933USD-13	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	1個以上￥130.00 /個	1個以上￥143.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	4.6A	75ミリオーム @ 4.8A、4.5V	1.1V @ 250µA	6.5nC @ 4.5V	608.4pF @ 6V	1.15W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	SSM6P816R,LF	東芝	S1(DigiKey)	1個以上￥171.43 /個	1個以上￥188.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、1.8V駆動	20V	6A（Ta）	30.1ミリオーム @ 4A、4.5V	1V @ 1mA	16.6nC @ 4.5V	1030pF @ 10V	1.4W（Ta）	150°C	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	6-TSOP-F
	AOSD32334C	Alpha & Omega Semiconductor Inc	S1(DigiKey)	1個以上￥141.43 /個	1個以上￥155.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	7A（Ta）	20ミリオーム @ 7A、10V	2.3V @ 250µA	20nC @ 10V	600pF @ 15V	1.7W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	QS8J2TR	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥317.15 /個	1個以上￥348.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、1.5V駆動	12V	4A	36ミリオーム @ 4A、4.5V	1V @ 1mA	20nC @ 4.5V	1940pF @ 6V	550mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	SI4943BDY-T1-E3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥584.73 /個	1個以上￥643.20 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	6.3A	19ミリオーム @ 8.4A、10V	3V @ 250µA	25nC @ 5V	-	1.1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	DMN3061SVTQ-7	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	1個以上￥82.86 /個	1個以上￥91.14 /個	★	確認する		確認する	バルク	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	3.4A（Ta）	60ミリオーム @ 3.1A、10V	1.8V @ 250µA	6.6nC @ 10V	278pF @ 15V	880mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	TSOT-26
	SIX3439KA-TP	MCC (Micro Commercial Components)	S1(DigiKey)	1個以上￥90.00 /個	1個以上￥99.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	20V	750mA、600mA	300ミリオーム @ 500mA、4.5V、850ミリオーム @ 500mA、4.5V	1.1V @ 250µA	0.8nC @ 4.5V、0.86nC @ 4.5V	33pF @ 16V、40pF @ 16V	150mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	SOT-563
	SIX3439KA-TP	MCC (Micro Commercial Components)	S1(DigiKey)	1個以上￥90.00 /個	1個以上￥99.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	20V	750mA、600mA	300ミリオーム @ 500mA、4.5V、850ミリオーム @ 500mA、4.5V	1.1V @ 250µA	0.8nC @ 4.5V、0.86nC @ 4.5V	33pF @ 16V、40pF @ 16V	150mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	SOT-563
	CLB650M17HM3T	Wolfspeed	S1(DigiKey)	1個以上￥622,752.13 /個	1個以上￥685,027.34 /個	★	確認する		確認する	箱	-	シリコンカーバイド（SiC）	2Nチャンネル、コモンソース（ハーフブリッジ）	-	1700V（1.7kV）	916A（Tc）	1.86ミリオーム @ 650A、15V	3.6V @ 305mA	2988nC @ 15V	97300pF @ 1.2kV	2.78kW (Tc)	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	CLB650M17HM3	Wolfspeed	S1(DigiKey)	1個以上￥620,658.52 /個	1個以上￥682,724.37 /個	★	確認する		確認する	箱	-	シリコンカーバイド（SiC）	2Nチャンネル、コモンソース（ハーフブリッジ）	-	1700V（1.7kV）	916A（Tc）	1.86ミリオーム @ 650A、15V	3.6V @ 305mA	2988nC @ 15V	97300pF @ 1.2kV	2.78kW (Tc)	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	CLB800M12HM3PT	Wolfspeed	S1(DigiKey)	1個以上￥504,271.28 /個	1個以上￥554,698.40 /個	★	確認する		確認する	箱	-	シリコンカーバイド（SiC）	2Nチャンネル、コモンソース（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	1.051kA (Tc)	1.7mOhm @ 800A, 15V	3.9V @ 255mA	2784nC @ 15V	94900pF @ 800V	2.54kW (Tc)	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	CLB800M12HM3P	Wolfspeed	S1(DigiKey)	1個以上￥502,178.73 /個	1個以上￥552,396.60 /個	★	確認する		確認する	箱	-	シリコンカーバイド（SiC）	2Nチャンネル、コモンソース（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	1.051kA (Tc)	1.7mOhm @ 800A, 15V	3.9V @ 255mA	2784nC @ 15V	94900pF @ 800V	2.54kW (Tc)	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	FF06MR12A04MA2AKSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥37,159.14 /個	1個以上￥40,875.05 /個	★	確認する		確認する	チューブ	HybridPACK™	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	190A	5.56mOhm @ 190A, 18V	4.55V @ 60mA	420nC @ 18V	10100pF @ 850V	20mW	-40°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	スルーホール	11-PowerDIP Module (2.091", 53.10mm)	PG-MDIP-11-1
	CBB017M12FM4T	Wolfspeed	S1(DigiKey)	1個以上￥27,196.60 /個	1個以上￥29,916.26 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	4個のNチャンネル（フルブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	50A（Tj）	22.3mOhm @ 60A, 15V	4V @ 19mA	270nC @ 15V	6800pF @ 800V	168W	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	CBB017M12FM4	Wolfspeed	S1(DigiKey)	1個以上￥26,487.50 /個	1個以上￥29,136.25 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	4個のNチャンネル（フルブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	50A（Tj）	22.3mOhm @ 60A, 15V	4V @ 19mA	270nC @ 15V	6800pF @ 800V	168W	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	GCMX020A120B2T1P	SemiQ	S1(DigiKey)	1個以上￥12,427.59 /個	1個以上￥13,670.34 /個	★	確認する		確認する	トレイ	QSiC™	シリコンカーバイド（SiC）	6Nチャンネル（3相ブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	30A（Tc）	25ミリオーム @ 40A、18V	4V @ 20mA	235nC @ 18V	6200pF @ 800V	263W（Tc）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	GCMX040A120B2T1P	SemiQ	S1(DigiKey)	1個以上￥8,616.10 /個	1個以上￥9,477.71 /個	★	確認する		確認する	トレイ	QSiC™	シリコンカーバイド（SiC）	6 N-Channel（Phase Leg）	-	1200V（1.2kV）	30A（Tc）	52ミリオーム @ 20A、18V	4V @ 10mA	113nC @ 18V	2900pF @ 800V	160W（Tc）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
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【SH8KC6TB1】MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 6.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2

￥262.86 税込￥289.14
2

【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印

￥240.00 税込￥264.00
3

【PMDPB55XPAX】MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Ta）、9.3A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：66ミリオーム @ 3.6A、4.5V・Id印加時のVgs（

￥168.58 税込￥185.43
4

【DMHC3025LSD-13】MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nおよび2 Pチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、4.2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm

￥278.58 税込￥306.43
5

【2N7002DW】60V 115MA 7.5@10V,500MA 200MW 2.

-

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥35.72 税込￥39.29
6

【SI4554DY-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：24ミリオーム @ 6.8A、10V・Id印加時のVgs（th）（

￥250.00 税込￥275.00
7

【TPC8408,LQ(S】MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.1A、5.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥231.43 税込￥254.57
8

【FS8205A】DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

EVVO Semi

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル、コモンドレイン・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：27ミリオーム @ 6A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.

￥72.86 税込￥80.14
9

【CSD87501LT】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @

￥231.43 税込￥254.57
10

【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @

￥167.15 税込￥183.86
11

【IRF7309TRPBF】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A、3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 2.4A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V

￥274.29 税込￥301.71
12

【IMT65R50M2HXUMA1】IMT65R50M2HXUMA1

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電

￥1,393.83 税込￥1,533.21
13

【TPC8407,LQ(S】MOSFET N/P-CH 30V 9A/7.4A 8SOP

東芝

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A、7.4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）
14

【DMG1024UV-7】MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.38A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：450ミリオーム @ 600mA、4.5V・Id印加時のVgs（th

￥115.72 税込￥127.29
15

【SSM6L807R,LF】MOSFET N/P-CH 30V 4A 6TSOPF

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：39.1ミリオーム @ 2A、 4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @

￥168.58 税込￥185.43
16

【AW2K21AR】30V 20A, DUAL NCH+NCH, WLCSP2020 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2個のNチャンネル、コモンソース・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3ミリオーム @ 20A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V

￥620.84 税込￥682.92
17

【CSD87351ZQ5D】MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON [digi-reel品]

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：32A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.1V @ 2

￥408.58 税込￥449.43
18

【SH8M4TB1】MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A、7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V

￥570.00 税込￥627.00
19

【SH8M4TB1】MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A、7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5

￥570.00 税込￥627.00
20

【FDS6990A】MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

オンセミコンダクター

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18ミリオーム @ 7.5A、10V・Id印加時
21

【AO6602L】MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネルコンプリメンタリ・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最

￥29.28 税込￥32.20
22

【NX5020UNBKSX】NX5020UNBKS/SOT363/SC-88

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA (Ta), 480mA (Tc)・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.8Ohm @ 300mA, 10V・Id印加

￥60.00 税込￥66.00
23

【WI62195】MOSFET 2N-CH 750V 9A 14PQFN

-

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：WiseGan™・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：750V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：250ミリオーム @ 2A、6V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1

￥1,389.75 税込￥1,528.72
24

【HT8KE6TB1】MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）、13A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：57ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（

￥464.29 税込￥510.71
25

【QS5K2TR】MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 2A、4.5V・Id印加時のVgs（th

￥202.86 税込￥223.14
26

【CSD88539ND】MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC [digi-reel品]

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3.6

￥244.29 税込￥268.71
27

【FDC6420C】MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6 [digi-reel品]

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A、2.2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時のVg

￥214.29 税込￥235.71
28

【SH8KC6TB1】MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 6.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.

￥262.86 税込￥289.14
29

【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR [digi-reel品]

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @ 2

￥167.15 税込￥183.86
30

【NDS9936】MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC

オンセミコンダクター

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最小2,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V

￥66.58 税込￥73.23
31

【BSS138DW-7-F】MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363 [digi-reel品]

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.5オーム @ 220mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥128.58 税込￥141.43
32

【FBG30N04CSH】MOSFET 2N-CH 300V 4A 4SMD

EPC

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：eGaN®・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：300V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：404ミリオーム @ 4A、5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.8V @

￥62,525.54 税込￥68,778.09
33

【SSM6P54TU,LF】MOSFET 2P-CH 20V 1.2A UF6

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.5V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.2A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：228ミリオーム @ 600mA、2.5V・I

￥87.15 税込￥95.86
34

【NTJD4401NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：630mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：375ミリオーム @ 630mA、4.5V・Id印加時のVgs（th

￥98.58 税込￥108.43
35

【G170P02D32】MOSFET 2P-CH 20V 20A 8DFN

Goford Semiconductor

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：21ミリオーム @ 6A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @

￥188.58 税込￥207.43
36

【A2U8M12W3-FC】MOSFET 4N-CH 750V/1.2KV 180A

STマイクロエレクトロニクス

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：ECOPACK®・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル4個（3レベルインバータ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：750V、1.2kV・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：180A、140A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8ミリオーム @ 100A、18V、12.5ミリオ

￥28,178.41 税込￥30,996.25
37

【SI4554DY-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：24ミリオーム @ 6.8A、10V・Id印加時のVgs（th）

￥250.00 税込￥275.00
38

【SLA5086】MOSFET 5P-CH 60V 5A 12SIP

サンケン電気

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：5Pチャンネル、コモンソース・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：220ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V @ 250

￥1,420.99 税込￥1,563.08
39

【NDS9936】MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V

￥331.43 税込￥364.57
40

【HP8MA2TB1】MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP

ROHM

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最小2,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18A（Ta）、15A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.6ミリオーム @ 18A、10V、17.9ミリオーム @ 15A、

￥121.53 税込￥133.68
41

【BUK9K31-100LX】BUK9K31-100L/SOT1205/LFPAK56D

NEXPERIA

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最小1,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：24A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：31.7ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th

￥70.19 税込￥77.20
42

【G180C06Y】MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4

Goford Semiconductor

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル、コモンドレイン・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）、60A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 20A、10V、23ミリオーム @

￥301.43 税込￥331.57
43

【HAT2114RJ-EL-E】NCH POWER MOSFET 60V 6A 32MOHM S

ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)

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最小2,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40オーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V @ 1mA・

￥688.99 税込￥757.88
44

【SLA5041】MOSFET 4N-CH 200V 10A 12SIP

サンケン電気

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最小180個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：4 Nチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：175ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：4V @ 1mA・Vgs

￥1,172.24 税込￥1,289.46
45

【SLA5085】MOSFET 5N-CH 60V 10A 12SIP

サンケン電気

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：5Nチャンネル、コモンソース・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：220ミリオーム @ 3A、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V @ 250
46

【SH8KB6TB1】MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19.4ミリオーム @ 8.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥304.29 税込￥334.71
47

【SSM6L36TU,LF】MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6

東芝

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：ロジックレベルゲート、1.5V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA（Ta）、330mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：630ミリオーム @ 200m

￥14.93 税込￥16.42
48

【CSD87501LT】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

TEXAS INSTRUMENTS

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最小250個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @

￥98.71 税込￥108.58
49

【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

TEXAS INSTRUMENTS

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最小3,000個から購入可能

商品説明

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @

￥57.61 税込￥63.37
50

【UT6MA2TCR】MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8

ROHM

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：46ミリオーム @ 4A、10V、70ミリオーム @ 4A、10V・Id印加時のVgs（

￥34.70 税込￥38.17
51

【NTMFD5C674NLT1G】MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11A（Ta）、42A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14.4ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（t

￥374.29 税込￥411.71
52

【EM6J1T2R】MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.2オーム @ 200mA、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥147.15 税込￥161.86
53

【HS8K1TB】MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A（Ta）、11A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14.6ミリオーム @ 10A、10V、11.8ミリオーム @

￥184.29 税込￥202.71
54

【UT6MA2TCR】MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：46ミリオーム @ 4A、10V、70ミリオーム @ 4A、10V・Id印加時のVgs（

￥150.00 税込￥165.00
55

【QS8J2TR】MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.5V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：36ミリオーム @ 4A、4.5V・Id印加時のVgs（th

￥317.15 税込￥348.86
56

【BSM250D17P2E004】MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULE

ROHM

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1700V（1.7kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：4V @ 66mA・Vgs印加

￥156,936.18 税込￥172,629.79
57

【FF3MR20KM1HPHPSA1】MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：C, CoolSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：2000V（2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：325A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4ミリオーム @ 400A、18V・Id印加時のV

￥107,774.47 税込￥118,551.91
58

【FF2000UXTR33T2M1BPSA1】MOSFET 2N-CH 3300V 9AG-XHP2K33

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：CoolSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：3300V（3.3kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：925A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4ミリオーム @ 1kA、15V・Id印加時のVgs

￥1,249,485.11 税込￥1,374,433.62
59

【QH8JA1TCR】MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8

ROHM

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：-・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：38ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.2V @ 1mA・Vgs印加時のゲート

￥58.38 税込￥64.21
60

【SSM6L39TU,LF】MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6 [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：ロジックレベルゲート、1.8V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：800mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：143ミリオーム @ 600MA、4V・Id印加時のVgs（

￥137.15 税込￥150.86
61

【FF2600UXTR33T2M1BPSA1】MOSFET 2N-CH 3300V AG-XHP2K33

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：CoolSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：3300V（3.3kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：720A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.1ミリオーム @ 750A、15V・Id印加時のVg

￥971,310.64 税込￥1,068,441.70
62

【SLA5212】MOSFET 6N-CH 35V 8A 15ZIP

サンケン電気

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最小1,080個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：6Nチャンネル（3相ブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：35V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加

￥556.22 税込￥611.84
63

【SLA5068 LF853】MOSFET 6N-CH 60V 7A 15SIP

サンケン電気

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：6Nチャンネル（3相ブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 3.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V @ 250µA・V

￥1,847.06 税込￥2,031.76
64

【PJS6809_S1_00001】MOSFET 2P-CH 30V 2.6A SOT23-6

PANJIT

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：115ミリオーム @ 2.6A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2

￥137.15 税込￥150.86
65

【NDS9936】MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC [digi-reel品]

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V

￥331.43 税込￥364.57
66

【ISG0614N06NM5HSCATMA1】MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™ 5・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：31A（Ta）、233A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6ミリオーム @ 50A、10V

￥313.60 税込￥344.96
67

【EPC2108】MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA [digi-reel品]

EPC

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：eGaN®・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・構成：3Nチャンネル（ハーフブリッジ + 同期式ブートストラップ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V、100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.7A、500mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：190ミリオーム @

￥548.58 税込￥603.43
68

【QH8JA1TCR】MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：-・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：38ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.2V @ 1mA・Vgs印加時のゲート電

￥291.43 税込￥320.57
69

【QH8JA1TCR】MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：-・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：38ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.2V @ 1mA・Vgs印加時のゲート

￥291.43 税込￥320.57
70

【IRFH4253DTRPBF】MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN [digi-reel品]

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：25V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：64A、145A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.2ミリオーム @ 30A、10V・Id印加時のV

￥668.06 税込￥734.86
71

【SSM6N7002CFU,LF】MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6 [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：170mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.9オーム @ 100mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.1V

￥31.43 税込￥34.57
72

【US6K4TR】MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 1.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最

￥211.43 税込￥232.57
73

【QS8J13TR】MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 5.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥267.15 税込￥293.86
74

【PMDPB55XPAX】MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON [digi-reel品]

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A（Ta）、9.3A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：66ミリオーム @ 3.6A、4.5V・Id印加時のVgs（t

￥168.58 税込￥185.43
75

【GSFQ4616】MOSFET N/P-CH 30V 8A 8SOP

Good-Ark Semiconductor

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネルコンプリメンタリ・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Tc）、7A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 8A、10V、22ミリオーム @ 7A

￥111.43 税込￥122.57
76

【ECB2R1M12YM3】SIC, MODULE, 2.1M, 1200V, 152MM,

Wolfspeed

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャンネル（3相インバータ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：700A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.8ミリオーム @ 550A、15V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3

￥230,261.71 税込￥253,287.88
77

【QS5K2TR】MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 2A、4.5V・Id印加時のVgs（t

￥202.86 税込￥223.14
78

【NTMFD5C674NLT1G】MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN [digi-reel品]

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11A（Ta）、42A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14.4ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（th

￥374.29 税込￥411.71
79

【STS5DPF20L】MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC

STマイクロエレクトロニクス

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：STripFET™ II・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：55ミリオーム @ 2.5A、10V・Id印加時のVg
80

【SP8K32HZGTB】MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2

￥460.00 税込￥506.00
81

【IRF7319TRPBF】MOSFET N/P-CH 30V 8SO [digi-reel品]

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：29ミリオーム @ 5.8A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @ 25

￥370.00 税込￥407.00
82

【IRF7319TRPBF】MOSFET N/P-CH 30V 8SO

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：29ミリオーム @ 5.8A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @ 2

￥370.00 税込￥407.00
83

【STS4C3F60L】MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC [digi-reel品]

STマイクロエレクトロニクス

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：STripFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A、3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：55ミリオーム @ 2A、10V・Id印加時のVgs（th）（
84

【DMG9933USD-13】MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.6A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 4.8A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥130.00 税込￥143.00
85

【SSM6P816R,LF】MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.8V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30.1ミリオーム @ 4A、4.5V・Id印加時

￥171.43 税込￥188.57
86

【AOSD32334C】MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V

￥141.43 税込￥155.57
87

【QS8J2TR】MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.5V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：36ミリオーム @ 4A、4.5V・Id印加時のVgs（t

￥317.15 税込￥348.86
88

【SI4943BDY-T1-E3】MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19ミリオーム @ 8.4A、10V・Id印加時のVg

￥584.73 税込￥643.20
89

【DMN3061SVTQ-7】MOSFET 2N-CH 30V 3.4A TSOT26

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.4A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.8V @ 25

￥82.86 税込￥91.14
90

【SIX3439KA-TP】MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT563 [digi-reel品]

MCC (Micro Commercial Components)

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：750mA、600mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：300ミリオーム @ 500mA、4.5V、850ミリオーム @

￥90.00 税込￥99.00
91

【SIX3439KA-TP】MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT563

MCC (Micro Commercial Components)

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：750mA、600mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：300ミリオーム @ 500mA、4.5V、850ミリオーム @

￥90.00 税込￥99.00
92

【CLB650M17HM3T】SIC MODULE, 650 A, 1700 V, 62 MM

Wolfspeed

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2Nチャンネル、コモンソース（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1700V（1.7kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：916A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.86ミリオーム @ 650A、15V・Id印加時のVg

￥622,752.13 税込￥685,027.34
93

【CLB650M17HM3】SIC MODULE, 650 A, 1700 V, 62 MM

Wolfspeed

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2Nチャンネル、コモンソース（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1700V（1.7kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：916A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.86ミリオーム @ 650A、15V・Id印加時のVg

￥620,658.52 税込￥682,724.37
94

【CLB800M12HM3PT】SIC MODULE, 800 A, 1200 V, 62 MM

Wolfspeed

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2Nチャンネル、コモンソース（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.051kA (Tc)・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.7mOhm @ 800A, 15V・Id印加時

￥504,271.28 税込￥554,698.40
95

【CLB800M12HM3P】SIC MODULE, 800 A, 1200 V, 62 MM

Wolfspeed

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2Nチャンネル、コモンソース（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.051kA (Tc)・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.7mOhm @ 800A, 15V・Id印加時

￥502,178.73 税込￥552,396.60
96

【FF06MR12A04MA2AKSA1】HYBRIDPACK DSC S MODULE WITH SIC

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HybridPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：190A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.56mOhm @ 190A, 18V・Id印加時

￥37,159.14 税込￥40,875.05
97

【CBB017M12FM4T】SIC, MODULE, 17 M, 1200 V, 33.8

Wolfspeed

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4個のNチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22.3mOhm @ 60A, 15V・Id印加時のVgs（th）（

￥27,196.60 税込￥29,916.26
98

【CBB017M12FM4】SIC, MODULE, 17 M, 1200 V, 33.8

Wolfspeed

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：4個のNチャンネル（フルブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22.3mOhm @ 60A, 15V・Id印加時のVgs（th）（

￥26,487.50 税込￥29,136.25
99

【GCMX020A120B2T1P】1200V 20 SIC MOSFET SIX-PACK MOD

SemiQ

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：QSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6Nチャンネル（3相ブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオーム @ 40A、18V・Id印加時のVgs（th）（

￥12,427.59 税込￥13,670.34
100

【GCMX040A120B2T1P】1200V 40 SIC MOSFET SIX-PACK MOD

SemiQ

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：QSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 N-Channel（Phase Leg）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：52ミリオーム @ 20A、18V・Id印加時のV

￥8,616.10 税込￥9,477.71

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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイの定格表 該当製品数: 10,458 / 10,458 件

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