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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイの定格表該当製品数: 10,581 / 10,581 件

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電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

Id印加時のVgs（th）（最大）

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

電力 - 最大

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写真	型番	メーカー	品質ランク	単価 (税抜)	単価 (税込)		在庫数量	最少購入数	納期	パッケージ	シリーズ	技術	構成	FET機能	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	電力 - 最大	動作温度	グレード	認定	取り付けタイプ	パッケージ/ケース	サプライヤデバイスパッケージ
	FF2600UXTR33T2M1BPSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥925,659.58 /個	1個以上￥1,018,225.53 /個	★	確認する		確認する	箱	CoolSiC™	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	3300V（3.3kV）	720A（Tc）	3.1ミリオーム @ 750A、15V	5.55V @ 675mA	3750nC @ 15V	152000pF @ 1.8kV	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-XHP2K33
	SI5504BDC-T1-GE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥338.58 /個	1個以上￥372.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	30V	4A、3.7A	65ミリオーム @ 3.1A、10V	3V @ 250µA	7nC @ 10V	220pF @ 15V	3.12W、3.1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	1206-8 ChipFET™
	FS8205A	EVVO Semi	S1(DigiKey)	1個以上￥75.72 /個	1個以上￥83.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル、コモンドレイン	-	20V	6A（Ta）	27ミリオーム @ 6A、4.5V	1.2V @ 250µA	17.6nC @ 4.5V	910pF @ 20V	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6	SOT-23-6
	DMG1024UV-7	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	1個以上￥120.00 /個	1個以上￥132.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	1.38A	450ミリオーム @ 600mA、4.5V	1V @ 250µA	0.74nC @ 4.5V	60.67pF @ 16V	530mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	SOT-563
	SI4943BDY-T1-E3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥605.56 /個	1個以上￥666.11 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	6.3A	19ミリオーム @ 8.4A、10V	3V @ 250µA	25nC @ 5V	-	1.1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	SH8MA2GZETB	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥200.00 /個	1個以上￥220.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	4.5A（Ta）	80ミリオーム @ 4.5A、10V、82ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 1mA	3nC @ 4.5V、6.7nC @ 4.5V	125pF @ 15V、305pF @ 15V	1.4W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	2N7002DW	-	S1(DigiKey)	1個以上￥37.15 /個	1個以上￥40.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	115mA（Ta）	7.5オーム @ 500mA、10V	2.5V @ 250µA	-	50pF @ 25V	200mW（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SOT-363
	SH8KC6TB1	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥277.15 /個	1個以上￥304.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	6.5A（Ta）	32ミリオーム @ 6.5A、10V	2.5V @ 1mA	7.6nC @ 10V	460pF @ 30V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	IAUC60N04S6L030HATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥244.29 /個	1個以上￥268.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ 6	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	論理レベルゲート	40V	60A（Tj）	3ミリオーム @ 30A、10V	2V @ 25µA	35nC @ 10V	2128pF @ 25V	75W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-PowerVDFN	PG-TDSON-8-56
	CSD87501L	TEXAS INSTRUMENTS	S1(DigiKey)	1個以上￥197.15 /個	1個以上￥216.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	-	-	-	2.3V @ 250µA	40nC @ 10V	-	2.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	10-XFLGA	10-Picostar（3.37x1.47）
	TPC8408,LQ(S	東芝	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	40V	6.1A、5.3A	32ミリオーム @ 3.1A、10V	2.3V @ 100µA	24nC @ 10V	850pF @ 10V	450mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	SI4554DY-T1-GE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥258.58 /個	1個以上￥284.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	40V	8A	24ミリオーム @ 6.8A、10V	2.2V @ 250µA	20nC @ 10V	690pF @ 20V	3.1W、3.2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	SQJ200EP-T1_GE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥387.15 /個	1個以上￥425.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	20V	20A、60A	8.8ミリオーム @ 16A、10V	2V @ 250µA	18nC @ 10V	975pF @ 10V	27W、48W	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル非対称
	AUIRFN8458TR	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥540.00 /個	1個以上￥594.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	43A（Tc）	10ミリオーム @ 26A、10V	3.9V @ 25µA	33nC @ 10V	1060pF @ 25V	34W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerTDFN	PQFN（5x6）
	FDN340P	-	S1(DigiKey)	1個以上￥40.00 /個	1個以上￥44.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	SQJ748EP-T1_GE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥371.43 /個	1個以上￥408.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	72A（Tc）	6.88ミリオーム @ 7A、10V	3.5V @ 250µA	21nC @ 10V	1230pF @ 25V	66W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8LデュアルBWL
	CSD87330Q3D	TEXAS INSTRUMENTS	S1(DigiKey)	1個以上￥322.86 /個	1個以上￥355.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	論理レベルゲート	30V	20A	-	2.1V @ 250µA	5.8nC @ 4.5V	900pF @ 15V	6W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerLDFN	8-LSON（3.3x3.3）
	SSM6N56FE,LM	東芝	S1(DigiKey)	1個以上￥84.29 /個	1個以上￥92.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、1.5V駆動	20V	800mA	235ミリオーム @ 800mA、4.5V	1V @ 1mA	1nC @ 4.5V	55pF @ 10V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	ES6
	SIZF918BDT-T1-GE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥535.72 /個	1個以上￥589.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET® Gen IV	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	25A（Ta）、73A（Tc）、41A（Ta）、158A（Tc）	3.3ミリオーム @ 10A、10V、1.4オーム @ 15A、10V	2.2V @ 250µA	29nC @ 10V、77nC @ 10V	1290pF @ 15V、3350pF @ 15V	3.4W（Ta）、 26.6W（Tc）、 4W（Ta）、 60W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerWDFN	8-PowerPair®（6x5）
	SQJ951EP-T1_BE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥475.72 /個	1個以上￥523.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	30V	30A（Tc）	17ミリオーム @ 7.5A、 10V	2.5V @ 250µA	50nC @ 10V	1680pF @ 10V	56W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	SQJB48EP-T1_JE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥438.58 /個	1個以上￥482.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	30A（Tc）	5.2ミリオーム @ 8A、10V	3.3V @ 250µA	40nC @ 10V	2350pF @ 25V	48W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	ISA250300C04LMDSXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥200.00 /個	1個以上￥220.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ 3	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	40V	5.9A（Ta）、7.9A（Tc）、5.8A（Ta）、7.8A（Tc）	25ミリオーム @ 7.9A、10V、30ミリオーム @ 7.8A、10V	2.7V @ 1mA	11.9nC @ 10V	1600pF @ 20V	1.4W（Ta）、2.5W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-920
	SQJ746ELP-T1_GE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥357.15 /個	1個以上￥392.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	82A（Tc）	6.2ミリオーム @ 7A、10V	2.5V @ 250µA	32nC @ 10V	1633pF @ 25V	79W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8LデュアルBWL
	NTGD3148NT1G	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	1個以上￥180.00 /個	1個以上￥198.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	3A	70ミリオーム @ 3.5A、4.5V	1.5V @ 250µA	3.8nC @ 4.5V	300pF @ 10V	900mW	-50°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	6-TSOP
	SQJB44EP-T1_JE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥438.58 /個	1個以上￥482.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	30A（Tc）	5.2ミリオーム @ 8A、10V	2.2V @ 250µA	50nC @ 10V	3075pF @ 25V	48W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	SQJB44EP-T1_JE3	VISHAY	S1(DigiKey)	3000個以上￥90.55 /個	3000個以上￥99.60 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	30A（Tc）	5.2ミリオーム @ 8A、10V	2.2V @ 250µA	50nC @ 10V	3075pF @ 25V	48W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	FDC6305N	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	1個以上￥204.29 /個	1個以上￥224.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	20V	2.7A	80ミリオーム @ 2.7A、4.5V	1.5V @ 250µA	5nC @ 4.5V	310pF @ 10V	700mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SuperSOT™-6
	AOE6936	Alpha & Omega Semiconductor Inc	S1(DigiKey)	1個以上￥462.86 /個	1個以上￥509.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）非対称	-	30V	55A（Tc）、 85A（Tc）	5ミリオーム @ 20A、 10V、 2ミリオーム @ 20A、 10V	2.2V @ 250µA、2.1V @ 250µA	15nC @ 4.5V、25nC @ 4.5V	1150pF @ 15V、 2270pF @ 15V	24W、 39W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-VDFN露出パッド	8-DFN（5x6）
	SQJ914EP-T1_BE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥410.00 /個	1個以上￥451.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	30A（Tc）	12ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 250µA	25nC @ 10V	1110pF @ 15V	27W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	DMG6968UTS-13	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	1個以上￥150.00 /個	1個以上￥165.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	20V	5.2A	23ミリオーム @ 6.5A、4.5V	950mV @ 250µA	8.8nC @ 4.5V	143pF @ 10V	1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-TSSOP（幅0.173インチ、4.40mm）	8-TSSOP
	HT8MC5TB1	ROHM	S1(DigiKey)	3000個以上￥86.46 /個	3000個以上￥95.10 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	60V	3.5A（Ta）、10A（Tc）、4A（Ta）、11.5A（Tc）	90ミリオーム @ 3.5A、10V、97ミリオーム @ 4A、10V	2.5V @ 1mA	3.1nC @ 10V、17.1nC @ 10V	135pF @ 30V	2W（Ta）、13W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerVDFN	8-HSMT（3.2x3）
	ISA250300C04LMDSXTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥200.00 /個	1個以上￥220.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 3	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	40V	5.9A（Ta）、7.9A（Tc）、5.8A（Ta）、7.8A（Tc）	25ミリオーム @ 7.9A、10V、30ミリオーム @ 7.8A、10V	2.7V @ 1mA	11.9nC @ 10V	1600pF @ 20V	1.4W（Ta）、2.5W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-920
	NTGD3148NT1G	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	1個以上￥180.00 /個	1個以上￥198.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	3A	70ミリオーム @ 3.5A、4.5V	1.5V @ 250µA	3.8nC @ 4.5V	300pF @ 10V	900mW	-50°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	6-TSOP
	NTGD3148NT1G	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	3000個以上￥31.75 /個	3000個以上￥34.92 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	3A	70ミリオーム @ 3.5A、4.5V	1.5V @ 250µA	3.8nC @ 4.5V	300pF @ 10V	900mW	-50°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	6-TSOP
	UM6K31NFHATCN	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥105.72 /個	1個以上￥116.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	250mA（Ta）	2.4オーム @ 250mA、10V	2.3V @ 1mA	-	15pF @ 25V	150mW	150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	UMT6
	DMP6110SSD-13	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	1個以上￥197.15 /個	1個以上￥216.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	60V	3.3A	105ミリオーム @ 4.5A、10V	3V @ 250µA	17.2nC @ 10V	969pF @ 30V	1.2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	SQJ951EP-T1_GE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥475.72 /個	1個以上￥523.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	30V	30A	17ミリオーム @ 7.5A、 10V	2.5V @ 250µA	50nC @ 10V	1680pF @ 10V	56W	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	FDC6305N	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	1個以上￥204.29 /個	1個以上￥224.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	20V	2.7A	80ミリオーム @ 2.7A、4.5V	1.5V @ 250µA	5nC @ 4.5V	310pF @ 10V	700mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SuperSOT™-6
	BUK9K13-40HX	NEXPERIA	S1(DigiKey)	1個以上￥248.58 /個	1個以上￥273.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchMOS™	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	40V	42A（Ta）	13.6ミリオーム @ 10A、10V	2.2V @ 1mA	19.4nC @ 10V	1160pF @ 25V	46W（Ta）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	2N7002AKRA-QZ	NEXPERIA	S1(DigiKey)	1個以上￥67.15 /個	1個以上￥73.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	320mA（Ta）	2.9オーム @ 100mA、10V	2.6V @ 250µA	315pC @ 10V	9.2pF @ 30V	420mW （Ta）、5W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	6-XFDFN露出パッド	DFN1412-6
	CSD87501L	TEXAS INSTRUMENTS	S1(DigiKey)	1個以上￥197.15 /個	1個以上￥216.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	-	-	-	2.3V @ 250µA	40nC @ 10V	-	2.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	10-XFLGA	10-Picostar（3.37x1.47）
	M1P45M12W2-1LA	STマイクロエレクトロニクス	S1(DigiKey)	1個以上￥10,032.19 /個	1個以上￥11,035.40 /個	★	確認する		確認する	チューブ	ECOPACK®	シリコンカーバイド（SiC）	6 N-Channel（Phase Leg）	-	1200V（1.2kV）	30A（Tc）	60.5ミリオーム @ 20A、18V	5V @ 1mA	100nC @ 18V	2086pF @ 800V	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	32-PowerDIPモジュール（1.264インチ、32.10mm）	ACEPACK DMT-32
	SQJB44EP-T1_JE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥438.58 /個	1個以上￥482.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	30A（Tc）	5.2ミリオーム @ 8A、10V	2.2V @ 250µA	50nC @ 10V	3075pF @ 25V	48W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	APTM100A13SCG	Microchip	S1(DigiKey)	1個以上￥42,311.83 /個	1個以上￥46,543.01 /個	★	確認する		確認する	バルク	-	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1000V（1kV）	65A	156ミリオーム @ 32.5A、10V	5V @ 6mA	562nC @ 10V	15200pF @ 25V	1250W	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	SP6	SP6
	SQJ504EP-T1_BE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥445.72 /個	1個以上￥490.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	40V	30A（Tc）	7.5ミリオーム @ 8A、10V、17ミリオーム @ 8A、10V	2.5V @ 250µA	30nC @ 10V、85nC @ 10V	1900pF @ 25V、4600pF @ 25V	34W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	DMP6110SSD-13	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	1個以上￥197.15 /個	1個以上￥216.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	60V	3.3A	105ミリオーム @ 4.5A、10V	3V @ 250µA	17.2nC @ 10V	969pF @ 30V	1.2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	PMDPB30XNAX	NEXPERIA	S1(DigiKey)	1個以上￥152.86 /個	1個以上￥168.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	20V	4.5A（Ta）、12A（Tc）	34ミリオーム @ 4.5A、4.5V	-	10nC @ 4.5V	619pF @ 10V	640mW （Ta）、11W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	6-UFDFN露出パッド	6-HUSON（2x2）
	DMG9933USD-13	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	1個以上￥145.72 /個	1個以上￥160.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	4.6A	75ミリオーム @ 4.8A、4.5V	1.1V @ 250µA	6.5nC @ 4.5V	608.4pF @ 6V	1.15W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	SH8MA2GZETB	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥200.00 /個	1個以上￥220.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	4.5A（Ta）	80ミリオーム @ 4.5A、10V、82ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 1mA	3nC @ 4.5V、6.7nC @ 4.5V	125pF @ 15V、305pF @ 15V	1.4W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	FPF1C2P5BF07A	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	トレイ	-	MOSFET（金属酸化物）	5Nチャンネル（ソーラーインバータ）	-	650V	36A	90ミリオーム @ 27A、10V	3.8V @ 250µA	-	-	250W	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	F1モジュール	F1
	BUK9K13-40HX	NEXPERIA	S1(DigiKey)	1500個以上￥62.49 /個	1500個以上￥68.73 /個	★	確認する	1,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	TrenchMOS™	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	40V	42A（Ta）	13.6ミリオーム @ 10A、10V	2.2V @ 1mA	19.4nC @ 10V	1160pF @ 25V	46W（Ta）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	SH8JE5TB1	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥560.00 /個	1個以上￥616.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	100V	4.5A（Ta）	91ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 1mA	52nC @ 10V	2100pF @ 50V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	SH32N65DM6AG	STマイクロエレクトロニクス	S1(DigiKey)	1個以上￥3,324.71 /個	1個以上￥3,657.18 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	ECOPACK®	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	650V	32A（Tc）	97ミリオーム @ 23A、10V	4.75V @ 250µA	47nC @ 10V	2211pF @ 100V	208W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	9-PowerSMD	9-ACEPACK SMIT
	AO6602L	Alpha & Omega Semiconductor Inc	S1(DigiKey)	3000個以上￥30.28 /個	3000個以上￥33.30 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネルコンプリメンタリ	論理レベルゲート	30V	-	75ミリオーム @ 3.1A、10V	3V @ 250µA	8.5nC @ 10V	240pF @ 15V	1.15W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SC-74、SOT-457	6-TSOP
	SQJ951EP-T1_BE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥475.72 /個	1個以上￥523.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	30V	30A（Tc）	17ミリオーム @ 7.5A、 10V	2.5V @ 250µA	50nC @ 10V	1680pF @ 10V	56W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	SI9948AEY	UMW	S1(DigiKey)	1個以上￥250.00 /個	1個以上￥275.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	60V	5.3A（Ta）、5.3A（Tc）	54ミリオーム @ 6.3A、10V	3V @ 250µA	50nC @ 10V	1345pF @ 15V	2W（Ta）、4W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	CAB016M12FM3T	Wolfspeed	S1(DigiKey)	1個以上￥27,444.32 /個	1個以上￥30,188.75 /個	★	確認する		確認する	箱	WolfPACK™	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	78A（Tj）	21.3ミリオーム @ 80A、15V	3.6V @ 23mA	236nC @ 15V	6600pF @ 800V	-	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	モジュール
	FDS4935A	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	1個以上￥305.72 /個	1個以上￥336.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	7A	23ミリオーム @ 7A、10V	3V @ 250µA	21nC @ 5V	1233pF @ 15V	900mW	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	IRFI4020H-117PXKMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	200V	9.1A（Tc）	100ミリオーム @ 5.5A、10V	4.9V @ 100µA	29nC @ 10V	1240pF @ 25V	21W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220-5フルパック、成形リード	TO-220-5フルパッッケージ
	NFAM3212SCBUT	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	-	シリコンカーバイド（SiC）	6 Nチャンネル（3相インバータ）	-	1200V（1.2kV）	-	-	-	-	-	-	-	-	-	スルーホール	39-PowerDIPモジュール（1.413インチ、35.90mm）、30リード	39-MINI DIP
	SQJ951EP-T1_GE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥475.72 /個	1個以上￥523.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	30V	30A	17ミリオーム @ 7.5A、 10V	2.5V @ 250µA	50nC @ 10V	1680pF @ 10V	56W	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	QS8M51TR	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥438.58 /個	1個以上￥482.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	100V	2A、1.5A	325ミリオーム @ 2A、10V	2.5V @ 1mA	4.7nC @ 5V	290pF @ 25V、950pF @ 25V	1.5W	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	IRF7342TRPBF	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥387.15 /個	1個以上￥425.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	55V	3.4A	105ミリオーム @ 3.4A、10V	1V @ 250µA	38nC @ 10V	690pF @ 25V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	G1K8P06S2	Goford Semiconductor	S1(DigiKey)	1個以上￥135.72 /個	1個以上￥149.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	60V	3.2A（Tc）	170ミリオーム @ 1A、10V	2.5V @ 250µA	11.3nC @ 10V	594pF @ 30V	2W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	CSD88599Q5DC	TEXAS INSTRUMENTS	S1(DigiKey)	1個以上￥1,200.00 /個	1個以上￥1,320.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	60V	-	2.1ミリオーム @ 30A、10V	2.5V @ 250µA	27nC @ 4.5V	4840pF @ 30V	12W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	22-PowerTFDFN	22-VSON-CLIP（5x6）
	IRF7309TRPBF	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥282.86 /個	1個以上￥311.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	4A、3A	50ミリオーム @ 2.4A、10V	1V @ 250µA	25nC @ 4.5V	520pF @ 15V	1.4W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	APM4953	UMW	S1(DigiKey)	1個以上￥208.58 /個	1個以上￥229.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	UMW	-	-	-	30V	5.3A（Ta）	41ミリオーム @ 5.3A、10V	2.5V @ 250µA	12nC @ 10V	504pF @ 15V	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	SI4943BDY-T1-E3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥605.56 /個	1個以上￥666.11 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	6.3A	19ミリオーム @ 8.4A、10V	3V @ 250µA	25nC @ 5V	-	1.1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	BSS138BKS,115	NEXPERIA	S1(DigiKey)	1個以上￥80.00 /個	1個以上￥88.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchMOS™	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	60V	320mA	1.6オーム @ 320mA、10V	1.6V @ 250µA	0.7nC @ 4.5V	56pF @ 10V	445mW	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	6-TSSOP
	SIS9634LDN-T1-GE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥398.58 /個	1個以上￥438.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	6A（Ta）、6A（Tc）	31ミリオーム @ 5A、10V	3V @ 250µA	11nC @ 10V	420pF @ 30V	2.5W（Ta）、17.9W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PowerPAK® 1212-8デュアル	PowerPAK® 1212-8デュアル
	SQS944ENW-T1_GE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥262.86 /個	1個以上￥289.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	6A（Tc）	25ミリオーム @ 1.25A、10V	2.5V @ 250µA	10nC @ 10V	615pF @ 25V	27.8W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装、濡れ性フランク	PowerPAK® 1212-8Wデュアル	PowerPAK® 1212-8Wデュアル
	AW2K21AR	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥641.67 /個	1個以上￥705.83 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2個のNチャンネル、コモンソース	-	30V	20A（Ta）	3ミリオーム @ 20A、10V	2V @ 1mA	29nC @ 10V	1350pF @ 10V	1.6W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	22-UFBGA、WLCSP	22-WLCSP（2x2）
	AOCA33102E	Alpha & Omega Semiconductor Inc	S1(DigiKey)	8000個以上￥104.53 /個	8000個以上￥114.98 /個	★	確認する	8,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル、コモンドレイン	-	12V	50A（Ta）	1.4ミリオーム @ 5A、4.5V	1.3V @ 250µA	68nC @ 4.5V	-	4.2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	14-SMD、リードなし	14-AlphaDFN（3x2.74）
	CSD87501LT	TEXAS INSTRUMENTS	S1(DigiKey)	1個以上￥238.58 /個	1個以上￥262.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	-	-	-	2.3V @ 250µA	40nC @ 10V	-	2.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	10-XFLGA	10-Picostar（3.37x1.47）
	DMP6110SSD-13	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	2500個以上￥39.57 /個	2500個以上￥43.52 /個	★	確認する	2,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	60V	3.3A	105ミリオーム @ 4.5A、10V	3V @ 250µA	17.2nC @ 10V	969pF @ 30V	1.2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	BSO220N03MDGXUMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	2500個以上￥42.29 /個	2500個以上￥46.51 /個	★	確認する	2,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	OptiMOS™	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	6A	22ミリオーム @ 7.7A、10V	2.1V @ 250µA	10nC @ 10V	800pF @ 15V	1.4W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8
	DMT32M7LDG-13	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	3000個以上￥72.69 /個	3000個以上￥79.95 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル、コモンドレイン、コモンソース（非対称）	-	30V	21A（Ta）、47A（Tc）	2.9ミリオーム @ 18A、10V、2.5ミリオーム @ 18A、10V	2.2V @ 400µA	32nC @ 10V、31.7nC @ 10V	2106pF @ 15V、2101pF @ 15V	1.1W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerVDFN	PowerDI3333-8（タイプG）
	TPC8407,LQ(S	東芝	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	30V	9A、7.4A	17ミリオーム @ 4.5A、10V	2.3V @ 100µA	17nC @ 10V	1190pF @ 10V	450mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	MSCSM120VR1M062CT6AG	Microchip	S1(DigiKey)	1個以上￥94,555.32 /個	1個以上￥104,010.85 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	シリコンカーバイド（SiC）	2Nチャンネル（位相レッグ）	-	1200V（1.2kV）	420A（Tc）	6.2ミリオーム @ 200A、20V	2.8V @ 15mA	1160nC @ 20V	15100pF @ 1000V	1.753kW（Tc）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	FDS89161	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	1個以上￥270.00 /個	1個以上￥297.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	100V	2.7A	105ミリオーム @ 2.7A、10V	4V @ 250µA	4.1nC @ 10V	210pF @ 50V	1.6W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	HT8KE6TB1	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥480.00 /個	1個以上￥528.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	100V	4.5A（Ta）、13A（Tc）	57ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 1mA	6.7nC @ 10V	305pF / 50V	2W（Ta）、14W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerVDFN	8-HSMT（3.2x3）
	SP8K32HZGTB	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥500.00 /個	1個以上￥550.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	4.5A（Ta）	65ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 1mA	10nC @ 5V	500pF @ 10V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	2N7002VA	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	1個以上￥157.15 /個	1個以上￥172.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	60V	280mA	7.5オーム @ 50mA、5V	2.5V @ 250µA	-	50pF @ 25V	250mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	SOT-563F
	NXH010P120MNF1PTNG	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	1個以上￥21,435.64 /個	1個以上￥23,579.20 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	1200V（1.2kV）	114A（Tc）	14ミリオーム @ 100A、20V	4.3V @ 40mA	454nC @ 20V	4707pF @ 800V	250W（Tj）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	CAB400M12XM3	Wolfspeed	S1(DigiKey)	1個以上￥110,690.43 /個	1個以上￥121,759.47 /個	★	確認する		確認する	箱	-	シリコンカーバイド（SiC）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	1200V（1.2kV）	395A（Tc）	5.3ミリオーム @ 400A、15V	3.6V @ 92mA	908nC @ 15V	2450pF @ 800V	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	HAT3015R-EL-E	ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)	S1(DigiKey)	2500個以上￥497.26 /個	2500個以上￥546.98 /個	★	確認する	2,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	200V	500mA（Ta）、250mA（Ta）	2.2オーム @ 500mA、10V	2.1V @ 1mA	-	120pF @ 10V、140pF @ 10V	2W（Ta）	150°C	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	CSD87351ZQ5D	TEXAS INSTRUMENTS	S1(DigiKey)	1個以上￥478.58 /個	1個以上￥526.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）非対称	論理レベルゲート	30V	32A	-	2.1V @ 250µA	7.7nC @ 4.5V	1255pF @ 15V	12W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerLDFN	8-LSON（5x6）
	SSM6N62TU,LXHF	東芝	S1(DigiKey)	1個以上￥157.15 /個	1個以上￥172.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、1.2V駆動	20V	800mA（Ta）	85ミリオーム @ 800mA、4.5V	1V @ 1mA	2nC @ 4.5V	177pF @ 10V	500mW（Ta）	150°C	自動車	AEC-Q101	面実装	6-SMD、フラットリード	UF6
	TC6215TG-G	Microchip	S1(DigiKey)	1個以上￥410.00 /個	1個以上￥451.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	150V	-	4オーム @ 2A、10V	2V @ 1mA	-	120pF @ 25V	-	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	SP8K32HZGTB	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥500.00 /個	1個以上￥550.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	4.5A（Ta）	65ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 1mA	10nC @ 5V	500pF @ 10V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	CAB320M17XM3	Wolfspeed	S1(DigiKey)	1個以上￥210,902.13 /個	1個以上￥231,992.34 /個	★	確認する		確認する	箱	-	シリコンカーバイド（SiC）	-	-	1700V（1.7kV）	320A（Tc）	-	-	-	-	-	-	-	-	シャーシマウント	モジュール
	CSD87381PT	TEXAS INSTRUMENTS	S1(DigiKey)	1個以上￥225.72 /個	1個以上￥248.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	論理レベルゲート	30V	15A	16.3ミリオーム @ 8A、8V	1.9V @ 250µA	5nC @ 4.5V	564pF @ 15V	4W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	5-LGA	5-PTAB（3x2.5）
	DMT47M2LDVQ-13	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	1個以上￥371.43 /個	1個以上￥408.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	11.9A（Ta）、30.2A（Tc）	10.8ミリオーム @ 20A、10V	2.3V @ 250µA	14nC @ 10V	891pF @ 20V	2.34W（Ta）、14.8W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-PowerVDFN	PowerDI3333-8（タイプUXC）
	SI5504BDC-T1-GE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥338.58 /個	1個以上￥372.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	30V	4A、3.7A	65ミリオーム @ 3.1A、10V	3V @ 250µA	7nC @ 10V	220pF @ 15V	3.12W、3.1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	1206-8 ChipFET™
	SSM6L35FU(TE85L,F)	東芝	S1(DigiKey)	1個以上￥100.00 /個	1個以上￥110.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	ロジックレベルゲート、1.2V駆動	20V	180mA、100mA	3オーム @ 50mA、4V	1V @ 1mA	-	9.5pF @ 3V	200mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	US6
	CCB016M12GM3	Wolfspeed	S1(DigiKey)	1個以上￥50,979.79 /個	1個以上￥56,077.76 /個	★	確認する		確認する	トレイ	WolfPACK™	シリコンカーバイド（SiC）	6 Nチャネル	-	1200V（1.2kV）	50A（Tj）	20.8ミリオーム @ 50A、15V	3.9V @ 23mA	236nC @ 15V	6700pF @ 1000V	10mW	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	モジュール
	CAB7R5A23GM4	Wolfspeed	S1(DigiKey)	1個以上￥45,400.00 /個	1個以上￥49,940.00 /個	★	確認する		確認する	箱	WolfPACK™	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	2300V（2.3kV）	150A	10.5ミリオーム @ 160A、15V	4V @ 76mA	590nC @ 15V	24400pF @ 1.5kV	510W	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	CCB032M12FM3T	Wolfspeed	S1(DigiKey)	1個以上￥32,735.49 /個	1個以上￥36,009.03 /個	★	確認する		確認する	箱	WolfPACK™	シリコンカーバイド（SiC）	6Nチャンネル（3相ブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	40A（Tj）	42.6ミリオーム @ 30A、15V	3.6V @ 11.5mA	118nC @ 15V	3400pF @ 800V	-	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	モジュール
	QH8KB6TCR	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥362.86 /個	1個以上￥399.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	8A（Ta）	17.7ミリオーム @ 8A、10V	2.5V @ 1mA	10.6nC @ 10V	530pF @ 20V	1.1W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	EM6J1T2R	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥152.86 /個	1個以上￥168.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	200mA	1.2オーム @ 200mA、4.5V	1V @ 100µA	1.4nC @ 4.5V	115pF @ 10V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	EMT6
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【FF2600UXTR33T2M1BPSA1】MOSFET 2N-CH 3300V AG-XHP2K33

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：CoolSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：3300V（3.3kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：720A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.1ミリオーム @ 750A、15V・Id印加時のVg

￥925,659.58 税込￥1,018,225.53
2

【SI5504BDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A、3.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVg

￥338.58 税込￥372.43
3

【FS8205A】DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

EVVO Semi

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル、コモンドレイン・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：27ミリオーム @ 6A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.

￥75.72 税込￥83.29
4

【DMG1024UV-7】MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.38A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：450ミリオーム @ 600mA、4.5V・Id印加時のVgs（th

￥120.00 税込￥132.00
5

【SI4943BDY-T1-E3】MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19ミリオーム @ 8.4A、10V・Id印加時のVg

￥605.56 税込￥666.11
6

【SH8MA2GZETB】MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 4.5A、10V、82ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加

￥200.00 税込￥220.00
7

【2N7002DW】60V 115MA 7.5@10V,500MA 200MW 2.

-

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥37.15 税込￥40.86
8

【SH8KC6TB1】MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 6.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2

￥277.15 税込￥304.86
9

【IAUC60N04S6L030HATMA1】MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 6・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：60A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3ミリオーム @ 30A、10V・Id印

￥244.29 税込￥268.71
10

【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @

￥197.15 税込￥216.86
11

【TPC8408,LQ(S】MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP [digi-reel品]

東芝

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.1A、5.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大
12

【SI4554DY-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：24ミリオーム @ 6.8A、10V・Id印加時のVgs（th）（

￥258.58 税込￥284.43
13

【SQJ200EP-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 20V 20A PPAK SO8 [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A、60A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8.8ミリオーム @ 16A、10V・Id印加時のVgs（th

￥387.15 税込￥425.86
14

【AUIRFN8458TR】MOSFET 2N-CH 40V 43A PQFN

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：43A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10ミリオーム @ 26A、10V・Id印加時のVgs（th）（最

￥540.00 税込￥594.00
15

【FDN340P】20V 3A 1W 70M@4.5V,2A 1V 1 PIECE

-

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：*・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電

￥40.00 税込￥44.00
16

【SQJ748EP-T1_GE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40V (D [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：72A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6.88ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs（th

￥371.43 税込￥408.57
17

【CSD87330Q3D】MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON [digi-reel品]

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.1V @ 2

￥322.86 税込￥355.14
18

【SSM6N56FE,LM】MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.5V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：800mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：235ミリオーム @ 800mA、4.5V・Id印

￥84.29 税込￥92.71
19

【SIZF918BDT-T1-GE3】DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET® Gen IV・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：25A（Ta）、73A（Tc）、41A（Ta）、158A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大

￥535.72 税込￥589.29
20

【SQJ951EP-T1_BE3】MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8 [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 7.5A、 10V・Id印加時のVgs（th

￥475.72 税込￥523.29
21

【SQJB48EP-T1_JE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40V (

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.2ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th

￥438.58 税込￥482.43
22

【ISA250300C04LMDSXTMA1】ISA250300C04LMDSXTMA1

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.9A（Ta）、7.9A（Tc）、5.8A（Ta）、7.8A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオー

￥200.00 税込￥220.00
23

【SQJ746ELP-T1_GE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V ( [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：82A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6.2ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs（th）

￥357.15 税込￥392.86
24

【NTGD3148NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP [digi-reel品]

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 3.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥180.00 税込￥198.00
25

【SQJB44EP-T1_JE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40V (D [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.2ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th）

￥438.58 税込￥482.43
26

【SQJB44EP-T1_JE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40V (D

VISHAY

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.2ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th

￥90.55 税込￥99.60
27

【FDC6305N】MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6 [digi-reel品]

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 2.7A、4.5V・Id印加時のVgs（th

￥204.29 税込￥224.71
28

【AOE6936】MOSFET 2N-CH 30V 55A 8DFN [digi-reel品]

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：55A（Tc）、 85A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5ミリオーム @ 20A、 10V、 2ミリオーム @

￥462.86 税込￥509.14
29

【SQJ914EP-T1_BE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8 [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th

￥410.00 税込￥451.00
30

【DMG6968UTS-13】MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23ミリオーム @ 6.5A、4.5V・Id印加時のVg

￥150.00 税込￥165.00
31

【HT8MC5TB1】60V 10A/11.5A, DUAL NCH+PCH, HSM

ROHM

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.5A（Ta）、10A（Tc）、4A（Ta）、11.5A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：90ミリオーム @ 3.5A、10

￥86.46 税込￥95.10
32

【ISA250300C04LMDSXTMA1】ISA250300C04LMDSXTMA1 [digi-reel品]

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 3・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.9A（Ta）、7.9A（Tc）、5.8A（Ta）、7.8A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオーム

￥200.00 税込￥220.00
33

【NTGD3148NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 3.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥180.00 税込￥198.00
34

【NTGD3148NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP

オンセミコンダクター

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 3.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥31.75 税込￥34.92
35

【UM6K31NFHATCN】MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4オーム @ 250mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2

￥105.72 税込￥116.29
36

【DMP6110SSD-13】MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO [digi-reel品]

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：105ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V @ 2

￥197.15 税込￥216.86
37

【SQJ951EP-T1_GE3】MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8 [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 7.5A、 10V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥475.72 税込￥523.29
38

【FDC6305N】MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 2.7A、4.5V・Id印加時のVgs（t

￥204.29 税込￥224.71
39

【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印

￥248.58 税込￥273.43
40

【2N7002AKRA-QZ】MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6DFN [digi-reel品]

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：320mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.9オーム @ 100mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2

￥67.15 税込￥73.86
41

【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR [digi-reel品]

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @ 2

￥197.15 税込￥216.86
42

【M1P45M12W2-1LA】MOSFET 6N-CH 1200V ACEPACK DMT

STマイクロエレクトロニクス

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：ECOPACK®・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 N-Channel（Phase Leg）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60.5ミリオーム @ 20A、18V・I

￥10,032.19 税込￥11,035.40
43

【SQJB44EP-T1_JE3】AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40V (D

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.2ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th

￥438.58 税込￥482.43
44

【APTM100A13SCG】MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Microchip

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1000V（1kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：65A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：156ミリオーム @ 32.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：5V

￥42,311.83 税込￥46,543.01
45

【SQJ504EP-T1_BE3】MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8 [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5ミリオーム @ 8A、10V、17ミリオーム @ 8A、10V・

￥445.72 税込￥490.29
46

【DMP6110SSD-13】MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO

Diodes Incorporated

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商品説明

【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：105ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V @

￥197.15 税込￥216.86
47

【PMDPB30XNAX】MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSON [digi-reel品]

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）、12A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：34ミリオーム @ 4.5A、4.5V・Id印加時のVgs（t

￥152.86 税込￥168.14
48

【DMG9933USD-13】MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO

Diodes Incorporated

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商品説明

【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.6A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 4.8A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥145.72 税込￥160.29
49

【SH8MA2GZETB】MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 4.5A、10V、82ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時

￥200.00 税込￥220.00
50

【FPF1C2P5BF07A】MOSFET 5N-CH 650V 36A F1

オンセミコンダクター

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：5Nチャンネル（ソーラーインバータ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：36A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：90ミリオーム @ 27A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3.8V @ 250
51

【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

NEXPERIA

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最小1,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印

￥62.49 税込￥68.73
52

【SH8JE5TB1】MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8SOP

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：91ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2

￥560.00 税込￥616.00
53

【SH32N65DM6AG】MOSFET 2N-CH 650V 32A 9ACEPACK [digi-reel品]

STマイクロエレクトロニクス

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：ECOPACK®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：32A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：97ミリオーム @ 23A、10V・Id印加時のVgs（t

￥3,324.71 税込￥3,657.18
54

【AO6602L】MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネルコンプリメンタリ・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最

￥30.28 税込￥33.30
55

【SQJ951EP-T1_BE3】MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 7.5A、 10V・Id印加時のVgs（t

￥475.72 税込￥523.29
56

【SI9948AEY】MOSFET 2P-CH 60V 5.3A 8SOP

UMW

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.3A（Ta）、5.3A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：54ミリオーム @ 6.3A、10V・Id印加時のVgs（t

￥250.00 税込￥275.00
57

【CAB016M12FM3T】SiCハーフブリッジ電源モジュール(1200V/78A)

Wolfspeed

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：WolfPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：78A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：21.3ミリオーム @ 80A、15V・Id印加時のVg

￥27,444.32 税込￥30,188.75
58

【FDS4935A】MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs（

￥305.72 税込￥336.29
59

【IRFI4020H-117PXKMA1】MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO220-5

インフィニオン

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9.1A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 5.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：4.9V @
60

【NFAM3212SCBUT】SIC

オンセミコンダクター

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャンネル（3相インバータ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（
61

【SQJ951EP-T1_GE3】MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 7.5A、 10V・Id印加時のVgs（th）（最

￥475.72 税込￥523.29
62

【QS8M51TR】MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A、1.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：325ミリオーム @ 2A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥438.58 税込￥482.43
63

【IRF7342TRPBF】MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：105ミリオーム @ 3.4A、10V・Id印加時のVgs（t

￥387.15 税込￥425.86
64

【G1K8P06S2】MOSFET 2P-CH 60V 3.2A 8SOP

Goford Semiconductor

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.2A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：170ミリオーム @ 1A、10V・Id印加時のVgs（th

￥135.72 税込￥149.29
65

【CSD88599Q5DC】MOSFET 2N-CH 60V 22VSON-CLIP

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.1ミリオーム @ 30A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥1,200.00 税込￥1,320.00
66

【IRF7309TRPBF】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A、3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 2.4A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V

￥282.86 税込￥311.14
67

【APM4953】MOSFET 30V 5.3A 8SOP

UMW

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：UMW・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.3A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：41ミリオーム @ 5.3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V @ 250µA・Vgs印加時のゲート電

￥208.58 税込￥229.43
68

【SI4943BDY-T1-E3】MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19ミリオーム @ 8.4A、10V・Id印加時のVgs

￥605.56 税込￥666.11
69

【BSS138BKS,115】MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP [digi-reel品]

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：320mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 320mA、10V・Id印加時のV

￥80.00 税込￥88.00
70

【SIS9634LDN-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 60V 6A PPAK 1212

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）、6A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：31ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のV

￥398.58 税込￥438.43
71

【SQS944ENW-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 40V 6A PWRPAK1212

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオーム @ 1.25A、10V・Id印加時のVgs（t

￥262.86 税込￥289.14
72

【AW2K21AR】30V 20A, DUAL NCH+NCH, WLCSP2020 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2個のNチャンネル、コモンソース・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3ミリオーム @ 20A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V

￥641.67 税込￥705.83
73

【AOCA33102E】MOSFET 2N-CH 12V 50A 14DFN

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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最小8,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル、コモンドレイン・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.4ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥104.53 税込￥114.98
74

【CSD87501LT】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @

￥238.58 税込￥262.43
75

【DMP6110SSD-13】MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO

Diodes Incorporated

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最小2,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：105ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V @

￥39.57 税込￥43.52
76

【BSO220N03MDGXUMA1】MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO

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最小2,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：OptiMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 7.7A、10V・Id印加時のVgs（t

￥42.29 税込￥46.51
77

【DMT32M7LDG-13】IC

Diodes Incorporated

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル、コモンドレイン、コモンソース（非対称）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：21A（Ta）、47A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.9ミリオーム @ 18A、10

￥72.69 税込￥79.95
78

【TPC8407,LQ(S】MOSFET N/P-CH 30V 9A/7.4A 8SOP

東芝

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A、7.4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）
79

【MSCSM120VR1M062CT6AG】MOSFET 2N-CH 1200V 420A

Microchip

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2Nチャンネル（位相レッグ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：420A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6.2ミリオーム @ 200A、20V・Id印加時のVgs（th）（最

￥94,555.32 税込￥104,010.85
80

【FDS89161】MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：105ミリオーム @ 2.7A、10V・Id印加時のVgs（

￥270.00 税込￥297.00
81

【HT8KE6TB1】MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）、13A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：57ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（

￥480.00 税込￥528.00
82

【SP8K32HZGTB】MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.

￥500.00 税込￥550.00
83

【2N7002VA】MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563F

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：280mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 50mA、5V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥157.15 税込￥172.86
84

【NXH010P120MNF1PTNG】MOSFET 2N-CH 1200V 114A

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：114A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥21,435.64 税込￥23,579.20
85

【CAB400M12XM3】1200V SiCハーフブリッジモジュール

Wolfspeed

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：395A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.3ミリオーム @ 400A、15V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥110,690.43 税込￥121,759.47
86

【HAT3015R-EL-E】NCH/PCH POWER MOSFET 200V 0.5A 2

ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)

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最小2,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA（Ta）、250mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.2オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（t

￥497.26 税込￥546.98
87

【CSD87351ZQ5D】MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON [digi-reel品]

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：32A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.1V @ 2

￥478.58 税込￥526.43
88

【SSM6N62TU,LXHF】MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6 [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：800mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 800mA、4.5V・I

￥157.15 税込￥172.86
89

【TC6215TG-G】MOSFET N/P-CH 150V 8SOIC [digi-reel品]

Microchip

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4オーム @ 2A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V @ 1mA・Vgs印加時のゲ

￥410.00 税込￥451.00
90

【SP8K32HZGTB】MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2

￥500.00 税込￥550.00
91

【CAB320M17XM3】1700V SiCハーフブリッジモジュール

Wolfspeed

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1700V（1.7kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：320A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時

￥210,902.13 税込￥231,992.34
92

【CSD87381PT】MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16.3ミリオーム @ 8A、8V・Id印加時のVgs

￥225.72 税込￥248.29
93

【DMT47M2LDVQ-13】MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333 [digi-reel品]

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11.9A（Ta）、30.2A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10.8ミリオーム @ 20A、10V・Id印加時のVg

￥371.43 税込￥408.57
94

【SI5504BDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8 [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A、3.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVgs

￥338.58 税込￥372.43
95

【SSM6L35FU(TE85L,F)】MOSFET N/P-CH 20V 0.18A US6

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：180mA、100mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3オーム @ 50mA、4V・Id印加時のVg

￥100.00 税込￥110.00
96

【CCB016M12GM3】NチャンネルSiC MOSFETモジュール(1200V/50A)

Wolfspeed

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：WolfPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20.8ミリオーム @ 50A、15V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥50,979.79 税込￥56,077.76
97

【CAB7R5A23GM4】ハーフブリッジSiCパワーモジュール(2300V/150A)

Wolfspeed

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：WolfPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：2300V（2.3kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：150A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10.5ミリオーム @ 160A、15V・Id印加時のVgs（

￥45,400.00 税込￥49,940.00
98

【CCB032M12FM3T】SiCハーフブリッジ電源モジュール(1200V/40A)

Wolfspeed

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：WolfPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6Nチャンネル（3相ブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：40A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：42.6ミリオーム @ 30A、15V・Id印加時のVgs（

￥32,735.49 税込￥36,009.03
99

【QH8KB6TCR】MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17.7ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V

￥362.86 税込￥399.14
100

【EM6J1T2R】MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.2オーム @ 200mA、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥152.86 税込￥168.14

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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイの定格表 該当製品数: 10,581 / 10,581 件

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