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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイの定格表該当製品数: 9,812 / 9,812 件

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Id、Vgs印加時のRds On（最大）

Id印加時のVgs（th）（最大）

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

電力 - 最大

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写真	型番	メーカー	品質ランク	単価 (税抜)	単価 (税込)		在庫数量	最少購入数	納期	パッケージ	シリーズ	技術	構成	FET機能	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	電力 - 最大	動作温度	グレード	認定	取り付けタイプ	パッケージ/ケース	サプライヤデバイスパッケージ
	FDMC7200S	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥314.29 /個	1個以上￥345.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	7A、13A	22ミリオーム @ 6A、10V	3V @ 250µA	10nC @ 10V	660pF @ 15V	700mW、1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerWDFN	8-Power33（3x3）
	HS8K11TB	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥232.86 /個	1個以上￥256.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	7A、 11A	17.9ミリオーム @ 7A、10V	2.5V @ 1mA	11.1nC @ 10V	500pF @ 15V	2W	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-UDFN露出パッド	HSML3030L10
	SIL2308-TP	MCC (Micro Commercial Components)	A(DigiKey)	1個以上￥115.72 /個	1個以上￥127.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	20V	5A、4A	38ミリオーム @ 4.5A、4.5V、90ミリオーム @ 500mA、4.5V	1V @ 250µA	11nC @ 4.5V、12nC @ 2.5V	800pF、405pF @ 8V、10V	-	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6	SOT-23-6L
	SI7288DP-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥481.43 /個	1個以上￥529.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	20A	19ミリオーム @ 10A、10V	2.8V @ 250µA	15nC @ 10V	565pF @ 20V	15.6W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	US6M2TR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥244.29 /個	1個以上￥268.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V、20V	1.5A、1A	240ミリオーム @ 1.5A、4.5V	1.5V @ 1mA	2.2nC @ 4.5V	80pF @ 10V	1W	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	TUMT6
	FS03MR12A6MA1BBPSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥347,328.73 /個	1個以上￥382,061.60 /個	★	確認する		確認する	トレイ	HybridPACK™	シリコンカーバイド（SiC）	6Nチャンネル（3相ブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	400A（Tj）	3.7ミリオーム @ 400A、15V	5.55V @ 240mA	1320nC @ 15V	42500pF @ 600V	-	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-HYBRIDD-2
	SSM6N357R,LF	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥154.29 /個	1個以上￥169.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	650mA（Ta）	1.8オーム @ 150mA、5V	2V @ 1mA	1.5nC @ 5V	60pF @ 12V	1.5W（Ta）	150°C	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	6-TSOP-F
	DMN3018SSD-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥192.86 /個	1個以上￥212.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	6.7A	22ミリオーム @ 10A、10V	2.1V @ 250µA	13.2nC @ 10V	697pF @ 15V	1.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	ECH8660-TL-H	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	3000個以上￥45.45 /個	3000個以上￥49.99 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	30V	4.5A	59ミリオーム @ 2A、10V	-	4.4nC @ 10V	240pF @ 10V	1.5W	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	8-ECH
	AO6608	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	1個以上￥181.43 /個	1個以上￥199.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネルコンプリメンタリ	-	30V、20V	3.4A（Ta）、3.3A（Ta）	60ミリオーム @ 3.4A、10V、75ミリオーム @ 3.3A、4.5V	1.5V @ 250µA、1V @ 250µA	3nC @ 4.5V、10nC @ 4.5V	235pF @ 15V、510pF @ 10V	1.25W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SC-74、SOT-457	6-TSOP
	PSMN029-100HLX	NEXPERIA	A(DigiKey)	1500個以上￥113.69 /個	1500個以上￥125.05 /個	★	確認する	1,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	100V	30A（Ta）	27ミリオーム @ 5A、10V	2.1V @ 1mA	29.6nC @ 5V	3637pF @ 25V	68W（Ta）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	SI5515CDC-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥281.43 /個	1個以上￥309.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	20V	4A	36ミリオーム @ 6A、4.5V	800mV @ 250µA	11.3nC @ 5V	632pF @ 10V	3.1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	1206-8 ChipFET™
	SI5515CDC-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥281.43 /個	1個以上￥309.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	20V	4A	36ミリオーム @ 6A、4.5V	800mV @ 250µA	11.3nC @ 5V	632pF @ 10V	3.1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	1206-8 ChipFET™
	NDS9958	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	2500個以上￥104.23 /個	2500個以上￥114.65 /個	★	確認する	2,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	20V	3.5A	100ミリオーム @ 3.5A、10V	3V @ 250µA	30nC @ 10V	525pF @ 10V	900mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	SSM6L61NU,LF	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥162.86 /個	1個以上￥179.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	20V	4A	-	-	-	-	-	-	-	-	面実装	6-WDFN露出パッド	6-UDFN（2x2）
	BSM180D12P3C007	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥97,622.35 /個	1個以上￥107,384.58 /個	★	確認する		確認する	バルク	-	シリコンカーバイド（SiC）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	1200V（1.2kV）	180A（Tc）	-	5.6V @ 50mA	-	900pF @ 10V	880W	175°C（TJ）	-	-	面実装	モジュール	モジュール
	NTZD5110NT1G	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥95.72 /個	1個以上￥105.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	60V	294mA	1.6オーム @ 500mA、10V	2.5V @ 250µA	0.7nC @ 4.5V	24.5pF @ 20V	250mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	SOT-563
	FF1000UXTR23T2M1BPSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥616,540.43 /個	1個以上￥678,194.47 /個	★	確認する		確認する	トレイ	CoolSiC™	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	2300V（2.3kV）	1.33kA	1.19ミリオーム @ 2kA、15V	5.15V @ 900mA	5300nC @ 15V	190000pF @ 1.5kV	20mW	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-XHP2K17
	DMP6111SSD-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	2500個以上￥41.45 /個	2500個以上￥45.59 /個	★	確認する	2,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	60V	2.8A（Ta）	115ミリオーム @ 3A、10V	3V @ 250µA	23nC @ 10V	1286pF @ 30V	1.3W（Ta）	-55°C～150°C	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	IAUCN04S7N054HATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥404.29 /個	1個以上￥444.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ 7	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	62A（Tj）	5.41ミリオーム @ 30A、10V	3V @ 10µA	12nC @ 10V	798pF @ 20V	40W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-PowerVDFN	PG-TDSON-8-57
	SSF3714	Good-Ark Semiconductor	A(DigiKey)	1個以上￥40.00 /個	1個以上￥44.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	4A（Tc）、3A（Tc）	30ミリオーム @ 4A、10V、65ミリオーム @ 3A、10V	2.5V @ 250µA	8nC @ 4.5V	500pF @ 25V	2W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6	SOT-23-6L
	CSD87501L	TEXAS INSTRUMENTS	A(DigiKey)	1個以上￥188.58 /個	1個以上￥207.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	-	-	-	2.3V @ 250µA	40nC @ 10V	-	2.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	10-XFLGA	10-Picostar（3.37x1.47）
	ALD110902PAL	Advanced Linear Devices Inc	A(DigiKey)	50個以上￥727.94 /個	50個以上￥800.73 /個	★	確認する	50 個	確認する	チューブ	EPAD®	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	10.6V	-	500オーム @ 4.2V	220mV @ 1µA	-	2.5pF @ 5V	500mW	0°C～70°C（TJ）	-	-	スルーホール	8-DIP（0.300インチ、7.62mm）	8-PDIP
	FDMB3900AN	オンセミコンダクター	A(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	テープ＆リール（TR）	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	25V	7A	23ミリオーム @ 7A、10V	3V @ 250µA	17nC @ 10V	890pF @ 13V	800mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerWDFN	8-MLP、MicroFET（3x1.9）
	DMP2110UVTQ-7	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	3000個以上￥25.47 /個	3000個以上￥28.01 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	20V	1.8A（Ta）	150ミリオーム @ 2.8A、4.5V	1V @ 250µA	6nC @ 4.5V	443pF @ 6V	740mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	TSOT-26
	SSM6N62TU,LF	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥155.72 /個	1個以上￥171.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、1.2V駆動	20V	800mA（Ta）	85ミリオーム @ 800mA、4.5V	1V @ 1mA	2nC @ 4.5V	177pF @ 10V	500mW（Ta）	150°C	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	UF6
	SI1965DH-T1-BE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥177.15 /個	1個以上￥194.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	12V	1.14A（Ta）、1.3A（Tc）	390ミリオーム @ 1A、4.5V	1V @ 250µA	4.2nC @ 8V	120pF @ 6V	740mW（Ta）、1.25W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SC-70-6
	IRF7319TRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥398.58 /個	1個以上￥438.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	-	29ミリオーム @ 5.8A、10V	1V @ 250µA	33nC @ 10V	650pF @ 25V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	SSM6P41FE(TE85L,F)	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥137.15 /個	1個以上￥150.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	720mA	300ミリオーム @ 400mA、4.5V	1V @ 1mA	1.76nC @ 4.5V	110pF @ 10V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	ES6
	SI1967DH-T1-BE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥154.29 /個	1個以上￥169.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	20V	1A（Ta）、1.3A（Tc）	490ミリオーム @ 910mA、4.5V	1V @ 250µA	4nC @ 10V	110pF @ 10V	740mW（Ta）、1.25W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SC-70-6
	SSM6N62TU,LXHF	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥165.72 /個	1個以上￥182.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、1.2V駆動	20V	800mA（Ta）	85ミリオーム @ 800mA、4.5V	1V @ 1mA	2nC @ 4.5V	177pF @ 10V	500mW（Ta）	150°C	自動車	AEC-Q101	面実装	6-SMD、フラットリード	UF6
	SL2300B	-	A(DigiKey)	3000個以上￥6.34 /個	3000個以上￥6.97 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	AONY36352	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	1個以上￥417.15 /個	1個以上￥458.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）非対称	-	30V	18.5A（Ta）、49A（Tc）、30A（Ta）、85A（Tc）	5.3ミリオーム @ 20A、10V、2ミリオーム @ 20A、10V	2.1V @ 250µA、1.9V @ 250µA	20nC @ 10V、52nC @ 10V	820pF @ 15V、2555pF @ 15V	3.1W（Ta）、21W（Tc）、3.1W（Ta）、45W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerSMD、フラットリード	8-DFN（5x6）
	EM6M2T2R	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥184.29 /個	1個以上￥202.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	20V	200mA	1オーム @ 200mA、4V	1V @ 1mA	-	25pF @ 10V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	EMT6
	FF55MR12W1M1HB70BPSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥10,885.06 /個	1個以上￥11,973.56 /個	★	確認する		確認する	トレイ	CoolSiC™	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	15A	52.9ミリオーム @ 15A、18V	5.15V @ 6mA	45nC @ 18V	1350pF @ 800V	20mW	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	FF1000UXTR23T2M1PBPSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥747,372.35 /個	1個以上￥822,109.58 /個	★	確認する		確認する	トレイ	CoolSiC™	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	2300V（2.3kV）	1.185kA	1.19ミリオーム @ 2kA、15V	5.15V @ 900mA	5.3µC @ 15V	190000pF @ 1.5kV	20mW	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-XHP2K17
	DMC31D5UDJ-7	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥158.58 /個	1個以上￥174.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	30V	220mA、200mA	1.5オーム @ 100mA、4.5V	1V @ 250µA	0.38nC @ 4.5V	22.6pF @ 15V	350mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-963	SOT-963
	SSM6P41FE(TE85L,F)	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥137.15 /個	1個以上￥150.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	720mA	300ミリオーム @ 400mA、4.5V	1V @ 1mA	1.76nC @ 4.5V	110pF @ 10V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	ES6
	PSMN014-40HLDX	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥410.00 /個	1個以上￥451.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	40V	42A（Ta）	13.6ミリオーム @ 10A、10V	2.2V @ 1mA	19.4nC @ 10V	1160pF @ 25V	46W（Ta）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	SQJ914EP-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥430.00 /個	1個以上￥473.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	30A（Tc）	12ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 250µA	25nC @ 10V	1110pF @ 15V	27W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	CSD87501L	TEXAS INSTRUMENTS	A(DigiKey)	1個以上￥188.58 /個	1個以上￥207.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	-	-	-	2.3V @ 250µA	40nC @ 10V	-	2.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	10-XFLGA	10-Picostar（3.37x1.47）
	SQJ914EP-T1_BE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥430.00 /個	1個以上￥473.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	30A（Tc）	12ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 250µA	25nC @ 10V	1110pF @ 15V	27W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	ADP46075W3	STマイクロエレクトロニクス	A(DigiKey)	1個以上￥151,652.13 /個	1個以上￥166,817.34 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	6 Nチャネル	-	750V	485A（Tj）	2.05ミリオーム @ 460A、18V	4.4V @ 40mA	984nC @ 18V	27050pF @ 400V	704W（Tj）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	ACEPACK
	ALD1105PBL	Advanced Linear Devices Inc	A(DigiKey)	1個以上￥1,525.61 /個	1個以上￥1,678.17 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネルおよび2Pチャンネル整合ペア	-	10.6V	-	500オーム @ 5V	1V @ 1µA	-	3pF @ 5V	500mW	0°C～70°C（TJ）	-	-	スルーホール	14-DIP（0.300インチ、7.62mm）	14-PDIP
	CSD87501LT	TEXAS INSTRUMENTS	A(DigiKey)	1個以上￥251.43 /個	1個以上￥276.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	-	-	-	2.3V @ 250µA	40nC @ 10V	-	2.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	10-XFLGA	10-Picostar（3.37x1.47）
	IRF8915TRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	カットテープ（CT）	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	8.9A	18.3ミリオーム @ 8.9A、10V	2.5V @ 250µA	7.4nC @ 4.5V	540pF @ 10V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	ALD110802PCL	Advanced Linear Devices Inc	A(DigiKey)	50個以上￥875.64 /個	50個以上￥963.20 /個	★	確認する	50 個	確認する	チューブ	EPAD®	MOSFET（金属酸化物）	4Nチャンネル、整合ペア	-	10.6V	-	500オーム @ 4.2V	220mV @ 1µA	-	2.5pF @ 5V	500mW	0°C～70°C（TJ）	-	-	スルーホール	16-DIP（0.300インチ、7.62mm）	16-PDIP
	DMG6968UTS-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥184.29 /個	1個以上￥202.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	20V	5.2A	23ミリオーム @ 6.5A、4.5V	950mV @ 250µA	8.8nC @ 4.5V	143pF @ 10V	1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-TSSOP（幅0.173インチ、4.40mm）	8-TSSOP
	DMC2400UV-7	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥81.43 /個	1個以上￥89.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	20V	1.03A、700mA	480ミリオーム @ 200mA、5V	900mV @ 250µA	0.5nC @ 4.5V	37.1pF @ 10V	450mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	SOT-563
	CSD88584Q5DCT	TEXAS INSTRUMENTS	A(DigiKey)	1個以上￥1,304.00 /個	1個以上￥1,434.40 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	40V	-	0.95ミリオーム @ 30A、10V	2.3V @ 250µA	88nC @ 4.5V	12400pF @ 20V	12W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	22-PowerTFDFN	22-VSON-CLIP（5x6）
	CAB425M12XM3	Wolfspeed	A(DigiKey)	1個以上￥128,471.28 /個	1個以上￥141,318.40 /個	★	確認する		確認する	バルク	CAB425M12XM3	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	450A	4.2ミリオーム @ 425A、15V	3.6V @ 115mA	1135nC @ 15V	30.7nF @ 800V	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	SSM6N62TU,LXHF	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥165.72 /個	1個以上￥182.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、1.2V駆動	20V	800mA（Ta）	85ミリオーム @ 800mA、4.5V	1V @ 1mA	2nC @ 4.5V	177pF @ 10V	500mW（Ta）	150°C	自動車	AEC-Q101	面実装	6-SMD、フラットリード	UF6
	CSD88584Q5DC	TEXAS INSTRUMENTS	A(DigiKey)	1個以上￥1,053.43 /個	1個以上￥1,158.77 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	40V	-	0.95ミリオーム @ 30A、10V	2.3V @ 250µA	88nC @ 4.5V	12400pF @ 20V	12W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	22-PowerTFDFN	22-VSON-CLIP（5x6）
	SI4943CDY-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥568.58 /個	1個以上￥625.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	8A	19.2ミリオーム @ 8.3A、10V	3V @ 250µA	62nC @ 10V	1945pF @ 10V	3.1W	-50°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	SI4931DY-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥563.89 /個	1個以上￥620.27 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	12V	6.7A	18ミリオーム @ 8.9A、4.5V	1V @ 350µA	52nC @ 4.5V	-	1.1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	FF55MR12W1M1HB11BPSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥7,065.52 /個	1個以上￥7,772.07 /個	★	確認する		確認する	トレイ	CoolSiC™	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	15A（Tj）	52.9ミリオーム @ 15A、18V	5.15V @ 6mA	45nC @ 18V	1350pF @ 800V	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	PMCPB5530X,115	NEXPERIA	A(DigiKey)	3000個以上￥30.02 /個	3000個以上￥33.02 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	-	NおよびPチャンネル	-	20V	4A（Ta）、3.4A（Ta）	34ミリオーム @ 3A、4.5V	900mV @ 250µA	21.7nC @ 4.5V	660pF @ 10V	490mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-UFDFN露出パッド	6-HUSON（2x2）
	SSM6N57NU,LF	東芝	A(DigiKey)	3000個以上￥23.50 /個	3000個以上￥25.85 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	4A	46ミリオーム @ 2A、4.5V	1V @ 1mA	4nC @ 4.5V	310pF @ 10V	1W	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-WDFN露出パッド	6-µDFN（2x2）
	SSM6N40TU,LF	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥140.00 /個	1個以上￥154.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、4V駆動	30V	1.6A（Ta）	122ミリオーム @ 1A、10V	2.6V @ 1mA	5.1nC @ 10V	180pF @ 15V	500mW（Ta）	150°C	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	UF6
	DI4A7P06SQ2	Diotec Semiconductor	A(DigiKey)	1個以上￥288.58 /個	1個以上￥317.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	60V	4.7A（Ta）	75ミリオーム @ 5A、10V	2.3V @ 250µA	8.5nC @ 10V	525pF @ 30V	3W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	QS5K2TR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥221.43 /個	1個以上￥243.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2	論理レベルゲート	30V	2A	100ミリオーム @ 2A、4.5V	1.5V @ 1mA	3.9nC @ 4.5V	175pF @ 10V	1.25W	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-5薄型、TSOT-23-5	TSMT5
	PMCPB5530X,115	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥172.86 /個	1個以上￥190.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	-	NおよびPチャンネル	-	20V	4A（Ta）、3.4A（Ta）	34ミリオーム @ 3A、4.5V	900mV @ 250µA	21.7nC @ 4.5V	660pF @ 10V	490mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-UFDFN露出パッド	6-HUSON（2x2）
	DMC6040SSD-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥228.58 /個	1個以上￥251.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	60V	5.1A、3.1A	40ミリオーム @ 8A、10V	3V @ 250µA	20.8nC @ 10V	1130pF @ 15V、 1030pF @ 30V	1.24W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	SQJ914EP-T1_BE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥430.00 /個	1個以上￥473.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	30A（Tc）	12ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 250µA	25nC @ 10V	1110pF @ 15V	27W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	DMPH6050SSDQ-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥317.15 /個	1個以上￥348.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	60V	5.2A（Ta）	48ミリオーム @ 5A、10V	3V @ 250µA	14.5nC @ 4.5V	1525pF @ 30V	2W（Ta）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	MSCSM70AM10T3AG	Microchip	A(DigiKey)	1個以上￥27,281.82 /個	1個以上￥30,010.00 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	シリコンカーバイド（SiC）	2Nチャンネル（位相レッグ）	-	700V	241A（Tc）	9.5ミリオーム @ 80A、20V	2.4V @ 8mA	430nC @ 20V	9000pF @ 700V	690W（Tc）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	ZXMP6A16DN8QTA	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥474.29 /個	1個以上￥521.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	60V	2.9A	85ミリオーム @ 2.9A、10V	1V @ 250µA（最小）	24.2nC @ 10V	1021pF @ 30V	1.81W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	IRF7507TRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥262.86 /個	1個以上￥289.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	20V	2.4A、1.7A	140ミリオーム @ 1.7A、4.5V	700mV @ 250µA	8nC @ 4.5V	260pF @ 15V	1.25W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-TSSOP、8-MSOP（幅0.118インチ、3.00mm）	Micro8™
	SQ4961EY-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥510.00 /個	1個以上￥561.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	60V	4.4A（Tc）	85ミリオーム @ 3.5A、10V	2.5V @ 250µA	40nC @ 10V	1140pF @ 25V	3.3W	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	SSM6P39TU,LF	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥140.00 /個	1個以上￥154.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、1.8V駆動	20V	1.5A（Ta）	213ミリオーム @ 1A、4V	1V @ 1mA	6.4nC @ 4V	250pF @ 10V	500mW（Ta）	150°C	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	UF6
	SQ4917CEY-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥430.00 /個	1個以上￥473.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	60V	8A（Tc）	48ミリオーム @ 4.3A、10V	2.5V @ 250µA	65nC @ 10V	1910pF @ 30V	5W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	US6M2TR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥244.29 /個	1個以上￥268.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V、20V	1.5A、1A	240ミリオーム @ 1.5A、4.5V	1.5V @ 1mA	2.2nC @ 4.5V	80pF @ 10V	1W	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	TUMT6
	SI4943CDY-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	2500個以上￥124.15 /個	2500個以上￥136.56 /個	★	確認する	2,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	8A	19.2ミリオーム @ 8.3A、10V	3V @ 250µA	62nC @ 10V	1945pF @ 10V	3.1W	-50°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	M1P45M12W2-1LA	STマイクロエレクトロニクス	A(DigiKey)	1個以上￥10,542.53 /個	1個以上￥11,596.78 /個	★	確認する		確認する	チューブ	ECOPACK®	シリコンカーバイド（SiC）	6 N-Channel（Phase Leg）	-	1200V（1.2kV）	30A（Tc）	60.5ミリオーム @ 20A、18V	5V @ 1mA	100nC @ 18V	2086pF @ 800V	-	-40°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	32-PowerDIPモジュール（1.264インチ、32.10mm）	ACEPACK DMT-32
	SH8MA3TB1	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥340.00 /個	1個以上￥374.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V	7A（Ta）、6A（Ta）	28ミリオーム @ 7A、10V、50ミリオーム @ 6A、10V	2.5V @ 1mA	7.2nC @ 10V、10nC @ 10V	300pF @ 15V、480pF @ 15V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	US6M2TR	ROHM	A(DigiKey)	3000個以上￥44.88 /個	3000個以上￥49.36 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	30V、20V	1.5A、1A	240ミリオーム @ 1.5A、4.5V	1.5V @ 1mA	2.2nC @ 4.5V	80pF @ 10V	1W	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	TUMT6
	SMA5117	サンケン電気	A(DigiKey)	1080個以上￥1,839.33 /個	1080個以上￥2,023.26 /個	★	確認する	1,080 個	確認する	チューブ	-	MOSFET（金属酸化物）	6Nチャンネル（3相ブリッジ）	-	250V	7A	250ミリオーム@ 3.5A、10V	4V @ 1mA	-	850pF @ 10V	4W	150°C（TJ）	-	-	スルーホール	12-SIP	12-SIP
	HP8S36TB	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥514.29 /個	1個以上￥565.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	-	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	30V	27A、80A	2.4ミリオーム @ 32A、10V	2.5V @ 1mA	47nC @ 4.5V	6100pF @ 15V	29W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerTDFN	8-HSOP
	DMP3036SSD-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥281.43 /個	1個以上￥309.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	18.0A（Tc）	20ミリオーム @ 9A、10V	3V @ 250µA	16.5nC @ 10V	1931pF @ 15V	1.2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	DMP3036SSD-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥281.43 /個	1個以上￥309.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	18.0A（Tc）	20ミリオーム @ 9A、10V	3V @ 250µA	16.5nC @ 10V	1931pF @ 15V	1.2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	MSCM20XM10T3XG	Microchip	A(DigiKey)	1個以上￥33,784.95 /個	1個以上￥37,163.44 /個	★	確認する		確認する	バルク	-	MOSFET（金属酸化物）	6Nチャンネル（3相ブリッジ）	-	200V	108A（Tc）	9.7ミリオーム @ 81A、10V	5V @ 250µA	161nC @ 10V	10700pF @ 50V	341W（Tc）	-40°C～125°C（Tc）	-	-	シャーシマウント	モジュール	SP3X
	LN60A01ES-LF	Monolithic Power Systems Inc.	A(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	-	MOSFET（金属酸化物）	3Nチャンネル、共通ゲート	-	600V	80mA	190オーム @ 10mA、10V	1.2V @ 250µA	-	-	1.3W	-20°C～125°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	UM6K1NTN	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥122.86 /個	1個以上￥135.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	100mA	8オーム @ 10mA、4V	1.5V @ 100µA	-	13pF @ 5V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	UMT6
	AOSD21311C	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	1個以上￥244.29 /個	1個以上￥268.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	30V	5A（Ta）	42ミリオーム @ 5A、10V	2.2V @ 250µA	23nC @ 10V	720pF @ 15V	1.7W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	AO4812	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	3000個以上￥29.72 /個	3000個以上￥32.69 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	6A	30ミリオーム @ 6A、10V	2.4V @ 250µA	6.3nC @ 10V	310pF @ 15V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	AOSD21311C	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	3000個以上￥38.33 /個	3000個以上￥42.16 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	30V	5A（Ta）	42ミリオーム @ 5A、10V	2.2V @ 250µA	23nC @ 10V	720pF @ 15V	1.7W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	IRF7306TRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥332.86 /個	1個以上￥366.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	3.6A	100ミリオーム @ 1.8A、10V	1V @ 250µA	25nC @ 10V	440pF @ 25V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	IRF7306TRPBF	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥332.86 /個	1個以上￥366.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	3.6A	100ミリオーム @ 1.8A、10V	1V @ 250µA	25nC @ 10V	440pF @ 25V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	FDMS3615S	オンセミコンダクター	A(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	テープ＆リール（TR）	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）非対称	論理レベルゲート	25V	16A、18A	5.8ミリオーム @ 16A、10V	2.5V @ 250µA	27nC @ 10V	1765pF @ 13V	1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerTDFN	Power56
	SQJ914EP-T1_BE3	VISHAY	A(DigiKey)	3000個以上￥87.59 /個	3000個以上￥96.34 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	30A（Tc）	12ミリオーム @ 4.5A、10V	2.5V @ 250µA	25nC @ 10V	1110pF @ 15V	27W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	DMC2991UDR4-7	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥55.72 /個	1個以上￥61.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	20V	500mA（Ta）、360mA（Ta）	990ミリオーム @ 100mA、4.5V、1.9オーム @ 100mA、4.5V	1V @ 250µA	0.28nC @ 4.5V、0.3nC @ 4.5V	14.6pF @ 16V、17pF @ 16V	370mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-XFDFN露出パッド	X2-DFN1010-6（タイプUXC）
	PMCXB900UELZ	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥122.86 /個	1個以上￥135.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネルコンプリメンタリ	-	20V	600mA	620ミリオーム @ 600mA、4.5V	950mV @ 250µA	0.7nC @ 4.5V	21.3pF @ 10V	380mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-XFDFN露出パッド	DFN1010B-6
	CSD87330Q3D	TEXAS INSTRUMENTS	A(DigiKey)	1個以上￥340.00 /個	1個以上￥374.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	論理レベルゲート	30V	20A	-	2.1V @ 250µA	5.8nC @ 4.5V	900pF @ 15V	6W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerLDFN	8-LSON（3.3x3.3）
	NTMC083NP10M5L	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥204.29 /個	1個以上￥224.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	100V	2.9A（Ta）、4.1A（Tc）、2.4A（Ta）、3.3A（Tc）	83ミリオーム @ 1.5A、10V、131ミリオーム @ 1.5A、10V	-	5nC @ 10V、8.4nC @ 10V	222pF @ 50V、525pF @ 50V	1.6W（Ta）、3.1W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	IRF7341TRPBFXTMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥298.58 /個	1個以上￥328.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	55V	4.7A（Tc）	50ミリオーム @ 4.7A、10V	1V @ 250µA	36nC @ 10V	740pF @ 25V	2W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8-902
	SIZ342BDT-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥274.29 /個	1個以上￥301.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル、コモンソース（ハーフブリッジ）	-	30V	15.4A（Ta）、32.9A（Tc）	9.65ミリオーム @ 10A、10V	2.4V @ 250µA	12.6nC @ 10V	550pF @ 15V	3.7W（Ta）、16.7W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerWDFN	8-Power33（3x3）
	SIZ342BDT-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥274.29 /個	1個以上￥301.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル、コモンソース（ハーフブリッジ）	-	30V	15.4A（Ta）、32.9A（Tc）	9.65ミリオーム @ 10A、10V	2.4V @ 250µA	12.6nC @ 10V	550pF @ 15V	3.7W（Ta）、16.7W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerWDFN	8-Power33（3x3）
	G160N04D32	Goford Semiconductor	A(DigiKey)	500個以上￥40.69 /個	500個以上￥44.75 /個	★	確認する	500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	Trench	MOSFET（金属酸化物）	-	-	-	21A（Tc）	-	2V @ 250µA	-	-	-	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerVDFN	8-DFN（3.15x3.05）
	BST400D12P4A101	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥53,544.69 /個	1個以上￥58,899.15 /個	★	確認する		確認する	箱	-	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	394A (Tc)	3.5mOhm @ 350A, 18V	4.8V @ 150mA	1158nC @ 18V	31000pF @ 800V	1.667kW (Tc)	-40°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	12-PowerDIP Module (1.346", 34.20mm)
	BST91T1P4K01-VC	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥14,344.83 /個	1個以上￥15,779.31 /個	★	確認する		確認する	箱	-	シリコンカーバイド（SiC）	6 N-Channel（Phase Leg）	-	750V	90A（Tc）	19mOhm @ 91A, 18V	4.8V @ 30.8mA	170nC @ 18V	4580pF @ 500V	385W（Tc）	-40°C～175°C	-	-	スルーホール	20-PowerDIP Module (1.508", 38.30mm)	20-HSDIP
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1

【FDMC7200S】MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33

オンセミコンダクター

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商品説明

【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A、13A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時

￥314.29 税込￥345.71
2

【HS8K11TB】MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A、 11A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17.9ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs（th）

￥232.86 税込￥256.14
3

【SIL2308-TP】MOSFET N/P-CH 20V 5A/4A SOT23-6L

MCC (Micro Commercial Components)

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A、4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：38ミリオーム @ 4.5A、4.5V、90ミリオーム @ 500mA、4.5V・Id印加

￥115.72 税込￥127.29
4

【SI7288DP-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥481.43 税込￥529.57
5

【US6M2TR】MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.5A、1A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：240ミリオーム @ 1.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥244.29 税込￥268.71
6

【FS03MR12A6MA1BBPSA1】MOSFET 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：HybridPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6Nチャンネル（3相ブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：400A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.7ミリオーム @ 400A、15V・Id印加時

￥347,328.73 税込￥382,061.60
7

【SSM6N357R,LF】MOSFET 2N-CH 60V 0.65A 6TSOPF

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：650mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.8オーム @ 150mA、5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2

￥154.29 税込￥169.71
8

【DMN3018SSD-13】MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥192.86 税込￥212.14
9

【ECH8660-TL-H】MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH

オンセミコンダクター

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：59ミリオーム @ 2A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vg

￥45.45 税込￥49.99
10

【AO6608】MOSFET N/P-CH 30V/20V 3.4A 6TSOP [digi-reel品]

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネルコンプリメンタリ・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.4A（Ta）、3.3A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60ミリオーム @ 3.4A、10V、75ミ

￥181.43 税込￥199.57
11

【PSMN029-100HLX】LFPAK56D デュアルパワーMOSFET(100V/30A)

NEXPERIA

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最小1,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：27ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（

￥113.69 税込￥125.05
12

【SI5515CDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：36ミリオーム @ 6A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最

￥281.43 税込￥309.57
13

【SI5515CDC-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

VISHAY

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商品説明

【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：36ミリオーム @ 6A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（

￥281.43 税込￥309.57
14

【NDS9958】MOSFET N/P-CH 20V 3.5A 8SOIC

オンセミコンダクター

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最小2,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 3.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3

￥104.23 税込￥114.65
15

【SSM6L61NU,LF】MOSFET N/P-CH 20V 4A 6UDFN [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印

￥162.86 税込￥179.14
16

【BSM180D12P3C007】MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

ROHM

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：180A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：5.6V @ 50mA・Vgs印

￥97,622.35 税込￥107,384.58
17

【NTZD5110NT1G】MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：294mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最

￥95.72 税込￥105.29
18

【FF1000UXTR23T2M1BPSA1】XHP LV

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：CoolSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：2300V（2.3kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.33kA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.19ミリオーム @ 2kA、15V・Id印加時のVg

￥616,540.43 税込￥678,194.47
19

【DMP6111SSD-13】MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2

Diodes Incorporated

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最小2,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.8A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：115ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V

￥41.45 税込￥45.59
20

【IAUCN04S7N054HATMA1】MOSFET_(20V 40V) [digi-reel品]

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 7・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：62A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.41ミリオーム @ 30A、10V・Id印加時のVgs（t

￥404.29 税込￥444.71
21

【SSF3714】MOSFET N/P-CH 30V 4A SOT23-6L

Good-Ark Semiconductor

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Tc）、3A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 4A、10V、65ミリオーム @ 3A、10V・I

￥40.00 税込￥44.00
22

【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR [digi-reel品]

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @ 2

￥188.58 税込￥207.43
23

【ALD110902PAL】MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP

Advanced Linear Devices Inc

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最小50個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：EPAD®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Nチャンネル（デュアル）整合ペア・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：10.6V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500オーム @ 4.2V・Id印加時のVgs（th）（最大）：220mV @ 1µA

￥727.94 税込￥800.73
24

【FDMB3900AN】MOSFET 2N-CH 25V 7A 8MLP MICRO

オンセミコンダクター

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：25V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs
25

【DMP2110UVTQ-7】MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26

Diodes Incorporated

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.8A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：150ミリオーム @ 2.8A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥25.47 税込￥28.01
26

【SSM6N62TU,LF】MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6 [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：800mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 800mA、4.5V・I

￥155.72 税込￥171.29
27

【SI1965DH-T1-BE3】MOSFET 2P-CH 12V 1.14A SC70-6 [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.14A（Ta）、1.3A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：390ミリオーム @ 1A、4.5V・Id

￥177.15 税込￥194.86
28

【IRF7319TRPBF】MOSFET N/P-CH 30V 8SO [digi-reel品]

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：29ミリオーム @ 5.8A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @ 25

￥398.58 税込￥438.43
29

【SSM6P41FE(TE85L,F)】MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：720mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：300ミリオーム @ 400mA、4.5V・Id印加時のVgs（th）

￥137.15 税込￥150.86
30

【SI1967DH-T1-BE3】MOSFET 2P-CH 20V 1A SC70-6

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1A（Ta）、1.3A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：490ミリオーム @ 910mA、4.5V・I

￥154.29 税込￥169.71
31

【SSM6N62TU,LXHF】MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6 [digi-reel品]

東芝

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商品説明

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：800mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 800mA、4.5V・I

￥165.72 税込￥182.29
32

【SL2300B】20V 5.8A 1W 35M@4.5V 3A 1.2V@250

-

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：-・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：-・電

￥6.34 税込￥6.97
33

【AONY36352】MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8DFN

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.5A（Ta）、49A（Tc）、30A（Ta）、85A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.3ミリオーム @

￥417.15 税込￥458.86
34

【EM6M2T2R】MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1オーム @ 200mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @

￥184.29 税込￥202.71
35

【FF55MR12W1M1HB70BPSA1】EASYDUAL MODULE WITH COOLSIC TRE

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：CoolSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：52.9ミリオーム @ 15A、18V・Id印加時のVgs（t

￥10,885.06 税込￥11,973.56
36

【FF1000UXTR23T2M1PBPSA1】FF1000UXTR23T2M1PBPSA1

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：CoolSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：2300V（2.3kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.185kA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.19ミリオーム @ 2kA、15V・Id印加時のV

￥747,372.35 税込￥822,109.58
37

【DMC31D5UDJ-7】MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：220mA、200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @ 100mA、4.5V・Id印加時のVgs（th

￥158.58 税込￥174.43
38

【SSM6P41FE(TE85L,F)】MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6 [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：720mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：300ミリオーム @ 400mA、4.5V・Id印加時のVgs（th）（

￥137.15 税込￥150.86
39

【PSMN014-40HLDX】LFPAK56D デュアルパワーMOSFET(40V/42A)

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（th

￥410.00 税込￥451.00
40

【SQJ914EP-T1_GE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（t

￥430.00 税込￥473.00
41

【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @

￥188.58 税込￥207.43
42

【SQJ914EP-T1_BE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（t

￥430.00 税込￥473.00
43

【ADP46075W3】MOSFET 6N-CH 750V 485A ACEPACK

STマイクロエレクトロニクス

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：750V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：485A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.05ミリオーム @ 460A、18V・Id印加時のVgs（th）（最大）：4.4V @ 40mA・

￥151,652.13 税込￥166,817.34
44

【ALD1105PBL】MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14PDIP

Advanced Linear Devices Inc

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Nチャンネルおよび2Pチャンネル整合ペア・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：10.6V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500オーム @ 5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @ 1µA・Vgs印

￥1,525.61 税込￥1,678.17
45

【CSD87501LT】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @

￥251.43 税込￥276.57
46

【IRF8915TRPBF】MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8SO

インフィニオン

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8.9A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18.3ミリオーム @ 8.9A、10V・Id印加時のVg
47

【ALD110802PCL】MOSFET 4N-CH 10.6V 16PDIP

Advanced Linear Devices Inc

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最小50個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：EPAD®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：4Nチャンネル、整合ペア・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：10.6V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500オーム @ 4.2V・Id印加時のVgs（th）（最大）：220mV @ 1µA・Vgs印

￥875.64 税込￥963.20
48

【DMG6968UTS-13】MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP

Diodes Incorporated

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商品説明

【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23ミリオーム @ 6.5A、4.5V・Id印加時のVg

￥184.29 税込￥202.71
49

【DMC2400UV-7】MOSFET N/P-CH 20V SOT563 [digi-reel品]

Diodes Incorporated

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商品説明

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.03A、700mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：480ミリオーム @ 200mA、5V・Id印加時のVgs（th）

￥81.43 税込￥89.57
50

【CSD88584Q5DCT】MOSFET 2N-CH 40V 22VSON-CLIP [digi-reel品]

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：0.95ミリオーム @ 30A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥1,304.00 税込￥1,434.40
51

【CAB425M12XM3】1200V SiCハーフブリッジモジュール

Wolfspeed

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：CAB425M12XM3・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：450A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.2ミリオーム @ 425A、15V・Id印加時の

￥128,471.28 税込￥141,318.40
52

【SSM6N62TU,LXHF】MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6

東芝

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商品説明

【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：800mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 800mA、4.5V・

￥165.72 税込￥182.29
53

【CSD88584Q5DC】MOSFET 2N-CH 40V 22VSON-CLIP [digi-reel品]

TEXAS INSTRUMENTS

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商品説明

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：0.95ミリオーム @ 30A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥1,053.43 税込￥1,158.77
54

【SI4943CDY-T1-GE3】MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19.2ミリオーム @ 8.3A、10V・Id印加時のVgs

￥568.58 税込￥625.43
55

【SI4931DY-T1-GE3】MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18ミリオーム @ 8.9A、4.5V・Id印加時のV

￥563.89 税込￥620.27
56

【FF55MR12W1M1HB11BPSA1】EASYDUAL MODULE WITH COOLSIC TRE

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：CoolSiC™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：52.9ミリオーム @ 15A、18V・Id印加時のV

￥7,065.52 税込￥7,772.07
57

【PMCPB5530X,115】MOSFET N/P-CH 20V 4A 6HUSON

NEXPERIA

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：-・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）、3.4A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：34ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：900mV @ 250

￥30.02 税込￥33.02
58

【SSM6N57NU,LF】MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN

東芝

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：46ミリオーム @ 2A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @ 1mA

￥23.50 税込￥25.85
59

【SSM6N40TU,LF】MOSFET 2N-CH 30V 1.6A UF6 [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、4V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：122ミリオーム @ 1A、10V・Id印加時のV

￥140.00 税込￥154.00
60

【DI4A7P06SQ2】MOSFET 2P-CH 60V 4.7A 8SO

Diotec Semiconductor

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.7A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最

￥288.58 税込￥317.43
61

【QS5K2TR】MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 2A、4.5V・Id印加時のVgs（th

￥221.43 税込￥243.57
62

【PMCPB5530X,115】MOSFET N/P-CH 20V 4A 6HUSON [digi-reel品]

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：-・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）、3.4A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：34ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：900mV @ 250µ

￥172.86 税込￥190.14
63

【DMC6040SSD-13】MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8SO

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.1A、3.1A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥228.58 税込￥251.43
64

【SQJ914EP-T1_BE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8 [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（th

￥430.00 税込￥473.00
65

【DMPH6050SSDQ-13】MOSFET 2P-CH 60V 5.2A 8SOIC

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.2A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：48ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V @

￥317.15 税込￥348.86
66

【MSCSM70AM10T3AG】MOSFET 2N-CH 700V 241A

Microchip

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2Nチャンネル（位相レッグ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：700V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：241A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.5ミリオーム @ 80A、20V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.4V @

￥27,281.82 税込￥30,010.00
67

【ZXMP6A16DN8QTA】MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SO

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.9A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 2.9A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥474.29 税込￥521.71
68

【IRF7507TRPBF】MOSFET N/P-CH 20V 2.4A MICRO8

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.4A、1.7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：140ミリオーム @ 1.7A、4.5V・Id印加時のV

￥262.86 税込￥289.14
69

【SQ4961EY-T1_GE3】MOSFET 2P-CH 60V 4.4A 8SOIC

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.4A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 3.5A、10V・Id印加時のVgs（t

￥510.00 税込￥561.00
70

【SSM6P39TU,LF】MOSFET 2P-CH 20V 1.5A UF6

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.8V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：213ミリオーム @ 1A、4V・Id印加時の

￥140.00 税込￥154.00
71

【SQ4917CEY-T1_GE3】MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：48ミリオーム @ 4.3A、10V・Id印加時のVgs（th）

￥430.00 税込￥473.00
72

【US6M2TR】MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.5A、1A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：240ミリオーム @ 1.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1

￥244.29 税込￥268.71
73

【SI4943CDY-T1-GE3】MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC

VISHAY

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最小2,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19.2ミリオーム @ 8.3A、10V・Id印加時のVg

￥124.15 税込￥136.56
74

【M1P45M12W2-1LA】MOSFET 6N-CH 1200V ACEPACK DMT

STマイクロエレクトロニクス

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：ECOPACK®・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 N-Channel（Phase Leg）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60.5ミリオーム @ 20A、18V・I

￥10,542.53 税込￥11,596.78
75

【SH8MA3TB1】MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A（Ta）、6A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 7A、10V、50ミリオーム @ 6A、10V・Id印

￥340.00 税込￥374.00
76

【US6M2TR】MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6

ROHM

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.5A、1A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：240ミリオーム @ 1.5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥44.88 税込￥49.36
77

【SMA5117】MOSFET 6N-CH 250V 7A 12SIP

サンケン電気

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最小1,080個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：6Nチャンネル（3相ブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：250V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：250ミリオーム@ 3.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：4V @ 1mA・Vgs

￥1,839.33 税込￥2,023.26
78

【HP8S36TB】MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：-・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：27A、80A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4ミリオーム @ 32A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V @ 1mA・V

￥514.29 税込￥565.71
79

【DMP3036SSD-13】MOSFET 2P-CH 30V 18.0A 8SO [digi-reel品]

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.0A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs（th）（最

￥281.43 税込￥309.57
80

【DMP3036SSD-13】MOSFET 2P-CH 30V 18.0A 8SO

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.0A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs（th）（

￥281.43 税込￥309.57
81

【MSCM20XM10T3XG】MOSFET 6N-CH 200V 108A SP3X

Microchip

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：6Nチャンネル（3相ブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：108A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.7ミリオーム @ 81A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：5V @ 25

￥33,784.95 税込￥37,163.44
82

【LN60A01ES-LF】MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC

Monolithic Power Systems Inc.

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：3Nチャンネル、共通ゲート・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：80mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：190オーム @ 10mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.2V @ 250µA・
83

【UM6K1NTN】MOSFET 2N-CH 30V 0.1A UMT6

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8オーム @ 10mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1

￥122.86 税込￥135.14
84

【AOSD21311C】MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：42ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.2V @

￥244.29 税込￥268.71
85

【AO4812】MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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最小3,000個から購入可能

商品説明

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.4V @ 25

￥29.72 税込￥32.69
86

【AOSD21311C】MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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最小3,000個から購入可能

商品説明

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：42ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.2V @

￥38.33 税込￥42.16
87

【IRF7306TRPBF】MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO [digi-reel品]

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 1.8A、10V・Id印加時のVgs（t

￥332.86 税込￥366.14
88

【IRF7306TRPBF】MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO

インフィニオン

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商品説明

【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.6A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 1.8A、10V・Id印加時のVgs（

￥332.86 税込￥366.14
89

【FDMS3615S】MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A POWER56

オンセミコンダクター

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：25V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A、18A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.8ミリオーム @ 16A、10V
90

【SQJ914EP-T1_BE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8

VISHAY

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（t

￥87.59 税込￥96.34
91

【DMC2991UDR4-7】MOSFET N/P-CH 20V 0.5A 6DFN

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA（Ta）、360mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：990ミリオーム @ 100mA、4.5V、1.9オーム @

￥55.72 税込￥61.29
92

【PMCXB900UELZ】MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネルコンプリメンタリ・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：600mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：620ミリオーム @ 600mA、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最

￥122.86 税込￥135.14
93

【CSD87330Q3D】MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON [digi-reel品]

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.1V @ 2

￥340.00 税込￥374.00
94

【NTMC083NP10M5L】MOSFET N/P-CH 100V 2.9A 8SOIC

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.9A（Ta）、4.1A（Tc）、2.4A（Ta）、3.3A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：83ミリオーム @ 1.5A

￥204.29 税込￥224.71
95

【IRF7341TRPBFXTMA1】MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.7A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 4.7A、10V・Id印加時の

￥298.58 税込￥328.43
96

【SIZ342BDT-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8PWR33 [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Nチャンネル、コモンソース（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15.4A（Ta）、32.9A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.65ミリオーム

￥274.29 税込￥301.71
97

【SIZ342BDT-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8PWR33

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Nチャンネル、コモンソース（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15.4A（Ta）、32.9A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.65ミリオーム

￥274.29 税込￥301.71
98

【G160N04D32】MOSFET,DUAL N-CH,40V,21A,23W,8-D

Goford Semiconductor

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最小500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：Trench・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：-・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：21A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V @ 250µA・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最

￥40.69 税込￥44.75
99

【BST400D12P4A101】TRCDRIVE PACK, 1200V, 394A, HALF

ROHM

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：394A (Tc)・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.5mOhm @ 350A, 18V・Id印加時のVgs（th）（

￥53,544.69 税込￥58,899.15
100

【BST91T1P4K01-VC】HSDIP20, 750V, 90A, 3-PHASE-BRID

ROHM

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 N-Channel（Phase Leg）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：750V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：90A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19mOhm @ 91A, 18V・Id印加時のVgs（th）（最大）：4.8

￥14,344.83 税込￥15,779.31

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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイの定格表 該当製品数: 9,812 / 9,812 件

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