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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイの定格表該当製品数: 9,845 / 9,845 件

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電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

Id印加時のVgs（th）（最大）

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

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写真	型番	メーカー	品質ランク	単価 (税抜)	単価 (税込)		在庫数量	最少購入数	納期	パッケージ	シリーズ	技術	構成	FET機能	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	電力 - 最大	動作温度	グレード	認定	取り付けタイプ	パッケージ/ケース	サプライヤデバイスパッケージ
	AONY36356	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	1個以上￥445.72 /個	1個以上￥490.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	17.5A（Ta）、 32A（Tc）、 24A（Ta）、 32A（Tc）	6.1ミリオーム @ 20A、10V	2.1V @ 250µA	20nC @ 10V	920pF @ 15V	2.9W（Ta）、 22W（Tc）、 3.4W（Ta）、 33W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerVDFN	8-DFN（5x6）
	SIZ340DT-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥367.15 /個	1個以上￥403.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	PowerPAIR®, TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	30V	30A、40A	9.5ミリオーム @ 15.6A、10V	2.4V @ 250µA	19nC @ 10V	760pF @ 15V	16.7W、31W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerWDFN	8-Power33（3x3）
	TC6320TG-G	Microchip	A(DigiKey)	1個以上￥431.43 /個	1個以上￥474.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	200V	-	7オーム @ 1A、10V	2V @ 1mA	-	110pF @ 25V、125pF @ 25V	-	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	QS8J4TR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥417.15 /個	1個以上￥458.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	4A	56ミリオーム @ 4A、10V	2.5V @ 1mA	13nC @ 10V	800pF @ 10V	550mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	CSD87501L	TEXAS INSTRUMENTS	A(DigiKey)	1個以上￥200.00 /個	1個以上￥220.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	NexFET™	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	-	-	-	2.3V @ 250µA	40nC @ 10V	-	2.5W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	10-XFLGA	10-Picostar（3.37x1.47）
	DMG1029SV-7	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥147.15 /個	1個以上￥161.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	60V	500mA、360mA	1.7オーム @ 500mA、10V	2.5V @ 250µA	0.3nC @ 4.5V	30pF @ 25V、25pF @ 25V	450mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	SOT-563
	AOSD21307	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	1個以上￥360.00 /個	1個以上￥396.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	30V	9A（Ta）	16ミリオーム @ 9A、10V	2.3V @ 250µA	51nC @ 10V	1995pF @ 15V	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	AO4614B	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	1個以上￥242.86 /個	1個以上￥267.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	40V	6A、5A	30ミリオーム @ 6A、10V	3V @ 250µA	10.8nC @ 10V	650pF @ 20V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	SIA527DJ-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥207.15 /個	1個以上￥227.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	12V	4.5A	29ミリオーム @ 5A、4.5V	1V @ 250µA	15nC @ 8V	500pF @ 6V	7.8W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PowerPAK® SC-70-6デュアル	PowerPAK® SC-70-6デュアル
	NX6020CAKSX	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥82.86 /個	1個以上￥91.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	60V、50V	170mA（Ta）	4.5オーム @ 100mA、10V、7.5オーム @ 100mA、10V	2.1V @ 250µA	0.43nC @ 4.5V、0.35nC @ 5V	17pF @ 10V、36pF @ 25V	330mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	6-TSSOP
	ECB2R8M12YM3	Wolfspeed	A(DigiKey)	1個以上￥209,941.49 /個	1個以上￥230,935.63 /個	★	確認する		確認する	箱	-	シリコンカーバイド（SiC）	6 Nチャンネル（3相インバータ）	-	1200V（1.2kV）	545A	3.7ミリオーム @ 450A、15V	3.6V @ 125mA	1272nC @ 15V	38500pF @ 800V	1485W（Tj）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	SQ3585EV-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥128.58 /個	1個以上￥141.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	20V	3.57A（Tc）、 2.5A（Tc）	77ミリオーム @ 1A、 4.5V、 166ミリオーム @ 1A、 4.5V	1.5V @ 250µA	2.5nC @ 4.5V、 3.5nC @ 4.5V	-	1.67W	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	6-TSOP
	DMN2041LSD-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥202.86 /個	1個以上￥223.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	7.63A	28ミリオーム @ 6A、4.5V	1.2V @ 250µA	15.6nC @ 10V	550pF @ 10V	1.16W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	NTJD4401NT1G	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥117.15 /個	1個以上￥128.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	630mA	375ミリオーム @ 630mA、4.5V	1.5V @ 250µA	3nC @ 4.5V	46pF @ 20V	270mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
	BSO615NGXUMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	2500個以上￥79.11 /個	2500個以上￥87.02 /個	★	確認する	2,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	SIPMOS®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	60V	2.6A	150ミリオーム @ 2.6A、4.5V	2V @ 20µA	20nC @ 10V	380pF @ 25V	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8
	ISG0614N06NM5HSCATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥1,398.72 /個	1個以上￥1,538.59 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ 5	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	60V	31A（Ta）、233A（Tc）	1.6ミリオーム @ 50A、10V	3.3V @ 86µA	102nC @ 10V	6400pF @ 30V	3W（Ta）、167W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	10-PowerWDFN	PG-WHITFN-10-1
	SQ3585EV-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	3000個以上￥42.07 /個	3000個以上￥46.27 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	20V	3.57A（Tc）、 2.5A（Tc）	77ミリオーム @ 1A、 4.5V、 166ミリオーム @ 1A、 4.5V	1.5V @ 250µA	2.5nC @ 4.5V、 3.5nC @ 4.5V	-	1.67W	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	6-TSOP
	SQ3585EV-T1_GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥128.58 /個	1個以上￥141.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	20V	3.57A（Tc）、 2.5A（Tc）	77ミリオーム @ 1A、 4.5V、 166ミリオーム @ 1A、 4.5V	1.5V @ 250µA	2.5nC @ 4.5V、 3.5nC @ 4.5V	-	1.67W	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	6-TSOP
	AO4822A	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	1個以上￥224.29 /個	1個以上￥246.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	8A	19ミリオーム @ 8A、10V	2.4V @ 250µA	18nC @ 10V	888pF @ 15V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	BSM300D12P4G101	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥113,950.00 /個	1個以上￥125,345.00 /個	★	確認する		確認する	箱	-	シリコンカーバイド（SiC）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	1200V（1.2kV）	291A（Tc）	-	4.8V @ 145.6mA	-	30000pF @ 10V	925W（Tc）	175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	モジュール
	SMA5127	サンケン電気	A(DigiKey)	1080個以上￥615.32 /個	1080個以上￥676.85 /個	★	確認する	1,080 個	確認する	チューブ	-	MOSFET（金属酸化物）	3Nおよび3Pチャネル（3相ブリッジ）	-	60V	4A	550ミリオーム@ 2A、4V	2V @ 250µA	-	150pF @ 10V、320pF @ 10V	4W	150°C（TJ）	-	-	スルーホール	12-SIP	12-SIP
	QS6K1TR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥268.58 /個	1個以上￥295.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	1A	238ミリオーム @ 1A、4.5V	1.5V @ 1mA	2.4nC @ 4.5V	77pF @ 10V	1.25W	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	TSMT6（SC-95）
	BSO615CGXUMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥398.58 /個	1個以上￥438.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	SIPMOS®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	60V	3.1A（Ta）、2A（Ta）	110ミリオーム @ 3.1A、10V、300ミリオーム @ 2A、10V	2V @ 20µA、2V @ 450µA	22.5nC @ 10V、20nC @ 10V	380pF @ 25V、460pF @ 25V	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	PG-DSO-8
	ALD110900SAL	Advanced Linear Devices Inc	A(DigiKey)	1個以上￥1,472.84 /個	1個以上￥1,620.12 /個	★	確認する		確認する	チューブ	EPAD®, Zero Threshold™	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	10.6V	-	500オーム @ 4V	20mV @ 1µA	-	2.5pF @ 5V	500mW	0°C～70°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	ALD110900PAL	Advanced Linear Devices Inc	A(DigiKey)	1個以上￥1,770.24 /個	1個以上￥1,947.26 /個	★	確認する		確認する	チューブ	EPAD®, Zero Threshold™	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	10.6V	-	500オーム @ 4V	20mV @ 1µA	-	2.5pF @ 5V	500mW	0°C～70°C（TJ）	-	-	スルーホール	8-DIP（0.300インチ、7.62mm）	8-PDIP
	DMP32D9UDAQ-7B	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥60.00 /個	1個以上￥66.00 /個	★	確認する		確認する	バルク	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	30V	220mA（Ta）	5オーム @ 100mA、4.5V	1V @ 250µA	350nC @ 4.5V	21.8pF @ 15V	360mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	6-SMD、リードなし	X2-DFN0806-6
	UM6K1N-TP	MCC (Micro Commercial Components)	A(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	バルク	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	100mA	8オーム @ 10mA、4V	1.5V @ 100µA	-	13pF @ 5V	150mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SOT-363
	QS8M51HZGTR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥370.00 /個	1個以上￥407.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	100V	2A（Ta）、1.5A（Ta）	325ミリオーム @ 2A、10V、470ミリオーム @ 1.5A、10V	2.5V @ 1mA	4.7nC @ 5V、17nC @ 5V	290pF @ 25V、950pF @ 25V	1.1W（Ta）	-55°C～150°C	自動車	AEC-Q101	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	NTJD4401NT4G	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	10000個以上￥29.63 /個	10000個以上￥32.59 /個	★	確認する	10,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	630mA	375ミリオーム @ 630mA、4.5V	1.5V @ 250µA	3nC @ 4.5V	46pF @ 20V	270mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
	SIZ240DT-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥505.72 /個	1個以上￥556.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET® Gen IV	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	17.2A（Ta）、48A（Tc）、16.9A（Ta）、47A（Tc）	8.05ミリオーム @ 10A、10V、8.41ミリオーム @ 10A、10V	2.4V @ 250µA	23nC @ 10V、22nC @ 10V	1180pF @ 20V、1070pF @ 20V	4.3W（Ta）、33W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerWDFN	8-PowerPair®（3.3x3.3）
	DMG1016UDW-7	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥97.15 /個	1個以上￥106.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	20V	1.07A、845mA	450ミリオーム @ 600mA、4.5V	1V @ 250µA	0.74nC @ 4.5V	60.67pF @ 10V	330mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SOT-363
	SP8M51HZGTB	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥590.28 /個	1個以上￥649.30 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	100V	3A（Ta）、2.5A（Ta）	170ミリオーム @ 3A、10V、290ミリオーム @ 2.5A、10V	2.5V @ 1mA	8.5nC @ 5V、12.5nC @ 5V	610pF @ 25V、1550pF @ 25V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	DMP32D9UDA-7B	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	10000個以上￥14.40 /個	10000個以上￥15.84 /個	★	確認する	10,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	-	220mA（Ta）	5オーム @ 100mA、4.5V	1V @ 250µA	-	-	-	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-SMD、リードなし	X2-DFN0806-6
	SI9926CDY-T1-E3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥474.29 /個	1個以上￥521.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	8A	18ミリオーム @ 8.3A、4.5V	1.5V @ 250µA	33nC @ 10V	1200pF @ 10V	3.1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	AO4614B	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	1個以上￥242.86 /個	1個以上￥267.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	40V	6A、5A	30ミリオーム @ 6A、10V	3V @ 250µA	10.8nC @ 10V	650pF @ 20V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	SI7288DP-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥527.15 /個	1個以上￥579.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	20A	19ミリオーム @ 10A、10V	2.8V @ 250µA	15nC @ 10V	565pF @ 20V	15.6W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PowerPAK® SO-8デュアル	PowerPAK® SO-8デュアル
	FDS8958A	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥235.72 /個	1個以上￥259.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	30V	7A、5A	28ミリオーム @ 7A、10V	3V @ 250µA	16nC @ 10V	575pF @ 15V	900mW	-	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	EM6K6T2R	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥157.15 /個	1個以上￥172.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	300mA	1オーム @ 300mA、4V	1V @ 1mA	-	25pF @ 10V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	EMT6
	HP8K22TB	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥485.72 /個	1個以上￥534.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	-	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	30V	27A、57A	4.6ミリオーム @ 20A、10V	2.5V @ 1mA	16.8nC @ 10V	1080pF @ 15V	25W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerTDFN	8-HSOP
	DMT10H020SDGQ-7	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	2000個以上￥105.70 /個	2000個以上￥116.27 /個	★	確認する	2,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル、コモンドレイン、コモンソース	-	100V	6.5A（Ta）	23ミリオーム @ 6.2A、10V	4V @ 250µA	14.5nC @ 10V、14.3nC @ 10V	769pF @ 50V、765pF @ 50V	1.27W（Ta）	-55°C～150°C	自動車	AEC-Q101	面実装	8-PowerVDFN	POWERDI3333-8
	PSMN4R2-40VSHX	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥627.78 /個	1個以上￥690.55 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	40V	98A（Ta）	4.2ミリオーム @ 20A、10V	3.6V @ 1mA	37nC @ 10V	2590pF @ 25V	85W（Ta）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	DMN3055LFDB-7	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥174.29 /個	1個以上￥191.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	-	5A（Ta）	40ミリオーム @ 3A、4.5V	1.5V @ 250µA	5.3nC @ 4.5V	458pF @ 15V	-	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-UDFN露出パッド	U-DFN2020-6（タイプB）
	HS8K1TB	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥324.29 /個	1個以上￥356.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	10A（Ta）、11A（Ta）	14.6ミリオーム @ 10A、10V、11.8ミリオーム @ 11A、10V	2.5V @ 1mA	6nC @ 10V、7.4nC @ 10V	348pF @ 15V、429pF @ 15V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-UDFN露出パッド	HSML3030L10
	SIZ240DT-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	3000個以上￥104.23 /個	3000個以上￥114.65 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	TrenchFET® Gen IV	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	17.2A（Ta）、48A（Tc）、16.9A（Ta）、47A（Tc）	8.05ミリオーム @ 10A、10V、8.41ミリオーム @ 10A、10V	2.4V @ 250µA	23nC @ 10V、22nC @ 10V	1180pF @ 20V、1070pF @ 20V	4.3W（Ta）、33W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerWDFN	8-PowerPair®（3.3x3.3）
	SIZ240DT-T1-GE3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥505.72 /個	1個以上￥556.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET® Gen IV	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	17.2A（Ta）、48A（Tc）、16.9A（Ta）、47A（Tc）	8.05ミリオーム @ 10A、10V、8.41ミリオーム @ 10A、10V	2.4V @ 250µA	23nC @ 10V、22nC @ 10V	1180pF @ 20V、1070pF @ 20V	4.3W（Ta）、33W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerWDFN	8-PowerPair®（3.3x3.3）
	BSS138BKS,115	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥81.43 /個	1個以上￥89.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchMOS™	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	60V	320mA	1.6オーム @ 320mA、10V	1.6V @ 250µA	0.7nC @ 4.5V	56pF @ 10V	445mW	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	6-TSSOP
	UM6K1NA-TP	MCC (Micro Commercial Components)	A(DigiKey)	1個以上￥88.58 /個	1個以上￥97.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	500mA	750ミリオーム @ 300mA、10V	1.5V @ 250µA	1.28nC @ 10V	28pF @ 15V	300mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SOT-363
	AONY36356	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	1個以上￥445.72 /個	1個以上￥490.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	17.5A（Ta）、 32A（Tc）、 24A（Ta）、 32A（Tc）	6.1ミリオーム @ 20A、10V	2.1V @ 250µA	20nC @ 10V	920pF @ 15V	2.9W（Ta）、 22W（Tc）、 3.4W（Ta）、 33W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerVDFN	8-DFN（5x6）
	DMC31D5UDJ-7	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥185.72 /個	1個以上￥204.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	30V	220mA、200mA	1.5オーム @ 100mA、4.5V	1V @ 250µA	0.38nC @ 4.5V	22.6pF @ 15V	350mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-963	SOT-963
	SSM6N15AFU,LF	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥82.86 /個	1個以上￥91.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	100mA	3.6オーム @ 10mA、4V	1.5V @ 100µA	-	13.5pF @ 3V	300mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	US6
	SH8J66TB1	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥770.84 /個	1個以上￥847.92 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	9A	18.5ミリオーム @ 9A、10V	2.5V @ 1mA	35nC @ 5V	3000pF @ 10V	2W	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	NTUD3174NZT5G	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥278.58 /個	1個以上￥306.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	20V	220mA（Ta）	1.5オーム @ 100mA、4.5V	1V @ 100µA	-	12.5pF @ 15V	125mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-963	SOT-963
	TC1550TG-G	Microchip	A(DigiKey)	1個以上￥1,550.00 /個	1個以上￥1,705.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	500V	-	60オーム @ 50mA、10V	4V @ 1mA	-	55pF @ 25V、70pF @ 25V	-	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	DMT3020LSD-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥228.58 /個	1個以上￥251.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	16A（Tc）	20ミリオーム @ 9A、10V	2.5V @ 250µA	7nC @ 10V	393pF @ 15V	1W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SO
	BUK9K13-40HX	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥352.86 /個	1個以上￥388.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchMOS™	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	40V	42A（Ta）	13.6ミリオーム @ 10A、10V	2.2V @ 1mA	19.4nC @ 10V	1160pF @ 25V	46W（Ta）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	SP8M51HZGTB	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥590.28 /個	1個以上￥649.30 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	100V	3A（Ta）、2.5A（Ta）	170ミリオーム @ 3A、10V、290ミリオーム @ 2.5A、10V	2.5V @ 1mA	8.5nC @ 5V、12.5nC @ 5V	610pF @ 25V、1550pF @ 25V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	SSM6L36FE,LM	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥95.72 /個	1個以上￥105.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	20V	500mA、330mA	630ミリオーム @ 200mA、5V	1V @ 1mA	1.23nC @ 4V	46pF @ 10V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	ES6
	IAUCN04S7N054HATMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥535.72 /個	1個以上￥589.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ 7	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	40V	62A（Tj）	5.41ミリオーム @ 30A、10V	3V @ 10µA	12nC @ 10V	798pF @ 20V	40W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	8-PowerVDFN	PG-TDSON-8-57
	SSM6N44FE,LM	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥95.72 /個	1個以上￥105.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	100mA	4オーム @ 10mA、4V	1.5V @ 100µA	-	8.5pF @ 3V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	ES6
	PJX8601_R1_00001	PANJIT	A(DigiKey)	1個以上￥67.15 /個	1個以上￥73.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネルコンプリメンタリ	-	20V	500mA（Ta）	400ミリオーム @ 500mA、4.5V、1.2オーム @ 500mA、4.5V	900mV @ 250µA、1V @ 250µA	1.4nC @ 4.5V	67pF @ 10V、38pF @ 10V	300mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	SOT-563
	2N7002AKS-QX	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥60.00 /個	1個以上￥66.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャネル	-	60V	220mA（Ta）	3オーム @ 100mA、10V	2.6V @ 250µA	0.315nC @ 10V	9.2pF @ 30V	270mW（Ta）、1.3W（Tc）	-55°C～175°C	自動車	AEC-Q101	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	6-TSSOP
	UT6KC5TCR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥510.00 /個	1個以上￥561.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	60V	3.5A（Ta）	95ミリオーム @ 3.5A、10V	2.5V @ 1mA	3.1nC @ 10V	135pF @ 30V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerUDFN	DFN2020-8D
	DMN3032LFDBQ-13	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	1個以上￥221.43 /個	1個以上￥243.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	6.2A（Ta）	30ミリオーム @ 5.8A、10V	2V @ 250µA	10.6nC @ 10V	500pF @ 15V	1W	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	6-UDFN露出パッド	U-DFN2020-6（タイプB）
	SSM6N15AFE,LM	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥87.15 /個	1個以上￥95.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	30V	100mA	4オーム @ 10mA、4V	1.5V @ 100µA	-	13.5pF @ 3V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	ES6
	CLB650M17HM3T	Wolfspeed	A(DigiKey)	1個以上￥690,322.35 /個	1個以上￥759,354.58 /個	★	確認する		確認する	箱	-	シリコンカーバイド（SiC）	2Nチャンネル、コモンソース（ハーフブリッジ）	-	1700V（1.7kV）	916A（Tc）	1.86ミリオーム @ 650A、15V	3.6V @ 305mA	2988nC @ 15V	97300pF @ 1200V	2780W（Tc）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール
	HP8S36TB	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥527.15 /個	1個以上￥579.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	-	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	30V	27A、80A	2.4ミリオーム @ 32A、10V	2.5V @ 1mA	47nC @ 4.5V	6100pF @ 15V	29W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerTDFN	8-HSOP
	FDMD8540L	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	3000個以上￥388.69 /個	3000個以上￥427.55 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	PowerTrench®	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	40V	33A、156A	1.5ミリオーム @ 33A、10V	3V @ 250µA	113nC @ 10V	7940pF @ 20V	2.3W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerWDFN	8-Power5x6
	SSM6P69NU,LF	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥182.86 /個	1個以上￥201.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、1.8V駆動	20V	4A（Ta）	45ミリオーム @ 3.5A、10V	1.2V @ 1mA	6.74nC @ 4.5V	480pF @ 10V	1W（Ta）	150°C	-	-	面実装	6-WDFN露出パッド	6-µDFN（2x2）
	STS4DNF60L	STマイクロエレクトロニクス	A(DigiKey)	1個以上￥679.17 /個	1個以上￥747.08 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	STripFET™	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	60V	4A	55ミリオーム @ 2A、10V	2.5V @ 250µA	15nC @ 4.5V	1030pF @ 25V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	STS4DNF60L	STマイクロエレクトロニクス	A(DigiKey)	1個以上￥679.17 /個	1個以上￥747.08 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	STripFET™	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	60V	4A	55ミリオーム @ 2A、10V	2.5V @ 250µA	15nC @ 4.5V	1030pF @ 25V	2W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
	PJX138K-AU_R1_000A1	PANJIT	A(DigiKey)	1個以上￥60.00 /個	1個以上￥66.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	50V	350mA（Ta）	1.6オーム @ 500mA、10V	1.5V @ 250µA	1nC @ 4.5V	50pF @ 25V	223mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-563、SOT-666	SOT-563
	EM6K6T2R	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥157.15 /個	1個以上￥172.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	20V	300mA	1オーム @ 300mA、4V	1V @ 1mA	-	25pF @ 10V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	EMT6
	BSS138BKSH	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥81.43 /個	1個以上￥89.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	60V	320mA（Ta）	1.6オーム @ 320mA、10V	1.6V @ 250µA	0.7nC @ 4.5V	56pF @ 10V	445mW	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	6-TSSOP
	BSM180D12P3C007	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥122,684.05 /個	1個以上￥134,952.45 /個	★	確認する		確認する	バルク	-	シリコンカーバイド（SiC）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	1200V（1.2kV）	180A（Tc）	-	5.6V @ 50mA	-	900pF @ 10V	880W	175°C（TJ）	-	-	面実装	モジュール	モジュール
	BUK9K13-40HX	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥352.86 /個	1個以上￥388.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchMOS™	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	40V	42A（Ta）	13.6ミリオーム @ 10A、10V	2.2V @ 1mA	19.4nC @ 10V	1160pF @ 25V	46W（Ta）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	2N7002DW	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥121.43 /個	1個以上￥133.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	60V	115mA	7.5オーム @ 50mA、5V	2V @ 250µA	-	50pF @ 25V	200mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SC-88（SC-70-6）
	MG400Q2YMS3(DAE)	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥342,537.24 /個	1個以上￥376,790.96 /個	★	確認する		確認する	トレイ	-	シリコンカーバイド（SiC）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1700V（1.7kV）	250A（Tc）	-	5.6V @ 400mA	-	36000pF @ 900V	1350W（Tc）	150°C	-	-	シャーシマウント	モジュール
	ECH8651R-TL-H	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥304.29 /個	1個以上￥334.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	24V	10A	14ミリオーム @ 5A、4.5V	-	24nC @ 10V	-	1.5W	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	8-ECH
	BUK9V13-40HX	NEXPERIA	A(DigiKey)	1500個以上￥74.18 /個	1500個以上￥81.59 /個	★	確認する	1,500 個	確認する	テープ＆リール（TR）	TrenchMOS™	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	論理レベルゲート	40V	42A（Ta）	13.6ミリオーム @ 10A、10V	2.2V @ 1mA	19.4nC @ 10V	1160pF @ 25V	46W（Ta）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	ECH8651R-TL-H	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥304.29 /個	1個以上￥334.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	24V	10A	14ミリオーム @ 5A、4.5V	-	24nC @ 10V	-	1.5W	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	8-ECH
	QH8ME5TCR	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥304.29 /個	1個以上￥334.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	-	100V	2A（Ta）	202ミリオーム @ 2A、10V、270ミリオーム @ 2A、10V	2.5V @ 1mA	2.8nC @ 10V、19.7nC @ 10V	90pF @ 50V、590pF @ 50V	1.1W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SMD、フラットリード	TSMT8
	SH8KA7GZETB	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥676.39 /個	1個以上￥744.02 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	15A（Ta）	9.3ミリオーム @ 15A、10V	2.5V @ 1mA	81nC @ 10V	3320pF @ 15V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	IMSQ120R026M2HHXUMA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥5,348.28 /個	1個以上￥5,883.10 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	CoolSiC™ G2	SiCFET（炭化ケイ素）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	83A（Tc）	26ミリオーム @ 27A、18V	5.1V @ 8.6mA	54nC @ 0V	1990pF @ 800V	410W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	24-BSOP（幅0.606インチ、15.40mm）、16リード、露出パッド	PG-HDSOP-16-221
	SH8KA7GZETB	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥676.39 /個	1個以上￥744.02 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	30V	15A（Ta）	9.3ミリオーム @ 15A、10V	2.5V @ 1mA	81nC @ 10V	3320pF @ 15V	2W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOP
	DMC31D5UDJ-7	Diodes Incorporated	A(DigiKey)	10000個以上￥28.08 /個	10000個以上￥30.88 /個	★	確認する	10,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	30V	220mA、200mA	1.5オーム @ 100mA、4.5V	1V @ 250µA	0.38nC @ 4.5V	22.6pF @ 15V	350mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-963	SOT-963
	BUK9K31-100LX	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥521.43 /個	1個以上￥573.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	100V	24A（Tc）	31.7ミリオーム @ 5A、10V	2.05V @ 50µA	31nC @ 10V	1940pF @ 25V	43W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	SSM6N7002BFE,LM	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥70.00 /個	1個以上￥77.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	60V	200mA	2.1オーム @ 500mA、10V	3.1V @ 250µA	-	17pF @ 25V	150mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	ES6
	HT8KA6TB1	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥487.15 /個	1個以上￥535.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャネル	-	30V	11.5A（Ta）、15A（Tc）	10.9ミリオーム @ 11.5A、10V	2.5V @ 1mA	33nC @ 10V	1350pF @ 15V	2W（Ta）、16W（Tc）	150°C	-	-	面実装	8-PowerVDFN	8-HSMT（3.2x3）
	NTJD4158CT1G	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥110.00 /個	1個以上￥121.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	30V、20V	250mA、880mA	1.5オーム @ 10mA、4.5V	1.5V @ 100µA	1.5nC @ 5V	33pF @ 5V	270mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
	SSM6L35FU(TE85L,F)	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥114.29 /個	1個以上￥125.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	ロジックレベルゲート、1.2V駆動	20V	180mA、100mA	3オーム @ 50mA、4V	1V @ 1mA	-	9.5pF @ 3V	200mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	US6
	HT8KA5TB1	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥415.72 /個	1個以上￥457.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャネル	-	30V	9A（Ta）、12A（Tc）	16.4ミリオーム @ 9A、10V	2.5V @ 1mA	14.5nC @ 10V	660pF @ 15V	2W（Ta）、14W（Tc）	150°C	-	-	面実装	8-PowerVDFN	8-HSMT（3.2x3）
	NTJD4158CT1G	オンセミコンダクター	A(DigiKey)	1個以上￥110.00 /個	1個以上￥121.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	30V、20V	250mA、880mA	1.5オーム @ 10mA、4.5V	1.5V @ 100µA	1.5nC @ 5V	33pF @ 5V	270mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
	FS03MR12A6MA1BBPSA1	インフィニオン	A(DigiKey)	1個以上￥359,778.73 /個	1個以上￥395,756.60 /個	★	確認する		確認する	トレイ	HybridPACK™	シリコンカーバイド（SiC）	6Nチャンネル（3相ブリッジ）	-	1200V（1.2kV）	400A（Tj）	3.7ミリオーム @ 400A、15V	5.55V @ 240mA	1320nC @ 15V	42500pF @ 600V	-	-40°C～150°C（TJ）	-	-	シャーシマウント	モジュール	AG-HYBRIDD-2
	VT6M1T2CR	ROHM	A(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	ロジックレベルゲート、1.2V駆動	20V	100mA	3.5オーム @ 100mA、4.5V	1V @ 100µA	-	7.1pF @ 10V	120mW	150°C（TJ）	-	-	面実装	6-SMD、フラットリード	VMT6
	PSMN014-40HLDX	NEXPERIA	A(DigiKey)	1個以上￥448.58 /個	1個以上￥493.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	40V	42A（Ta）	13.6ミリオーム @ 10A、10V	2.2V @ 1mA	19.4nC @ 10V	1160pF @ 25V	46W（Ta）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-1205、8-LFPAK56	LFPAK56D
	HP8KE6TB1	ROHM	A(DigiKey)	1個以上￥565.28 /個	1個以上￥621.80 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	100V	6A（Ta）、17A（Tc）	54ミリオーム @ 6A、10V	2.5V @ 1mA	6.7nC @ 10V	305pF / 50V	3W（Ta）、21W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	面実装	8-PowerTDFN	8-HSOP
	SSM6L56FE,LM	東芝	A(DigiKey)	1個以上￥87.15 /個	1個以上￥95.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	ロジックレベルゲート、1.5V駆動	20V	800mA（Ta）	235ミリオーム @ 800mA、4.5V、390ミリオーム @ 800mA、4.5V	1V @ 1mA	1nC @ 10V	55pF @ 10V、100pF @ 10V	150mW（Ta）	150°C	-	-	面実装	SOT-563、SOT-666	ES6
	PJX138K-AU_R1_000A1	PANJIT	A(DigiKey)	1個以上￥60.00 /個	1個以上￥66.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	-	50V	350mA（Ta）	1.6オーム @ 500mA、10V	1.5V @ 250µA	1nC @ 4.5V	50pF @ 25V	223mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-563、SOT-666	SOT-563
	AOE6930	Alpha & Omega Semiconductor Inc	A(DigiKey)	1個以上￥787.50 /個	1個以上￥866.25 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	AlphaMOS	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）非対称	-	30V	22A（Tc）、 85A（Tc）	4.3ミリオーム @ 20A、 10V、 0.83ミリオーム @ 30A、 10V	2.1V @ 250µA、1.9V @ 250µA	15nC @ 4.5V、65nC @ 4.5V	1075pF @ 15V、 5560pF @ 15V	24W、 75W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-VDFN露出パッド	8-DFN（5x6）
	SI4900DY-T1-E3	VISHAY	A(DigiKey)	1個以上￥455.72 /個	1個以上￥501.29 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	60V	5.3A	58ミリオーム @ 4.3A、10V	3V @ 250µA	20nC @ 10V	665pF @ 15V	3.1W	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）	8-SOIC
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検索結果：
1 ～ 100 件 / 全 9,845 件

表示件数 :

1

【AONY36356】MOSFET 2N-CH 30V 17.5A 8DFN

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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商品説明

【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17.5A（Ta）、 32A（Tc）、 24A（Ta）、 32A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6.1ミリオーム @

￥445.72 税込￥490.29
2

【SIZ340DT-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：PowerPAIR®, TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A、40A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.5ミリオーム @ 15.6

￥367.15 税込￥403.86
3

【TC6320TG-G】MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC

Microchip

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7オーム @ 1A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V @ 1mA・Vgs印加時の

￥431.43 税込￥474.57
4

【QS8J4TR】MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：56ミリオーム @ 4A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5

￥417.15 税込￥458.86
5

【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：NexFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @

￥200.00 税込￥220.00
6

【DMG1029SV-7】MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA、360mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.7オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）

￥147.15 税込￥161.86
7

【AOSD21307】MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @

￥360.00 税込￥396.00
8

【AO4614B】MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V

￥242.86 税込￥267.14
9

【SIA527DJ-T1-GE3】MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：29ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs（th

￥207.15 税込￥227.86
10

【NX6020CAKSX】MOSFET N/P-CH 60V 0.17A 6TSSOP

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V、50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：170mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.5オーム @ 100mA、10V、7.5オーム @ 100mA、10V

￥82.86 税込￥91.14
11

【ECB2R8M12YM3】SIC, MODULE, 2.8M, 1200V, 152MM,

Wolfspeed

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6 Nチャンネル（3相インバータ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：545A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.7ミリオーム @ 450A、15V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3

￥209,941.49 税込￥230,935.63
12

【SQ3585EV-T1_GE3】MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.57A（Tc）、 2.5A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：77ミリオーム @ 1A、 4.5V、 166

￥128.58 税込￥141.43
13

【DMN2041LSD-13】MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO

Diodes Incorporated

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商品説明

【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.63A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 6A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大

￥202.86 税込￥223.14
14

【NTJD4401NT1G】MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88

オンセミコンダクター

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商品説明

【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：630mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：375ミリオーム @ 630mA、4.5V・Id印加時のVgs（th

￥117.15 税込￥128.86
15

【BSO615NGXUMA1】MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO

インフィニオン

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最小2,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：SIPMOS®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.6A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：150ミリオーム @ 2.6A、4.5V・Id印加時のVg

￥79.11 税込￥87.02
16

【ISG0614N06NM5HSCATMA1】MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 5・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：31A（Ta）、233A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6ミリオーム @ 50A、10V

￥1,398.72 税込￥1,538.59
17

【SQ3585EV-T1_GE3】MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP

VISHAY

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.57A（Tc）、 2.5A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：77ミリオーム @ 1A、 4.5V、 16

￥42.07 税込￥46.27
18

【SQ3585EV-T1_GE3】MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.57A（Tc）、 2.5A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：77ミリオーム @ 1A、 4.5V、 16

￥128.58 税込￥141.43
19

【AO4822A】MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19ミリオーム @ 8A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.

￥224.29 税込￥246.71
20

【BSM300D12P4G101】MOSFET 2N-CH 1200V 291A MODULE

ROHM

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：291A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：4.8V @ 145.6mA・Vgs

￥113,950.00 税込￥125,345.00
21

【SMA5127】MOSFET 3N/3P-CH 60V 4A 12SIP

サンケン電気

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最小1,080個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：3Nおよび3Pチャネル（3相ブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：550ミリオーム@ 2A、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V @ 250µA・V

￥615.32 税込￥676.85
22

【QS6K1TR】MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：238ミリオーム @ 1A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1

￥268.58 税込￥295.43
23

【BSO615CGXUMA1】MOSFET N/P-CH 60V 3.1A 8DSO

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：SIPMOS®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.1A（Ta）、2A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：110ミリオーム @ 3.1A、10V、30

￥398.58 税込￥438.43
24

【ALD110900SAL】MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Advanced Linear Devices Inc

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：EPAD®, Zero Threshold™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Nチャンネル（デュアル）整合ペア・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：10.6V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500オーム @ 4V・Id印加時のVgs（th）（

￥1,472.84 税込￥1,620.12
25

【ALD110900PAL】MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP

Advanced Linear Devices Inc

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：EPAD®, Zero Threshold™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Nチャンネル（デュアル）整合ペア・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：10.6V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500オーム @ 4V・Id印加時のVgs（th）（

￥1,770.24 税込￥1,947.26
26

【DMP32D9UDAQ-7B】MOSFET 2P-CH 30V 0.22A 6DFN

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：220mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 100mA、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @ 250µA

￥60.00 税込￥66.00
27

【UM6K1N-TP】MOSFET 2N-CH 30V 0.1A SOT363

MCC (Micro Commercial Components)

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8オーム @ 10mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.5V @ 100µA・Vgs
28

【QS8M51HZGTR】MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A（Ta）、1.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：325ミリオーム @ 2A、10V、470ミリオーム @ 1.5A、

￥370.00 税込￥407.00
29

【NTJD4401NT4G】MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88

オンセミコンダクター

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最小10,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：630mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：375ミリオーム @ 630mA、4.5V・Id印加時のVgs（th

￥29.63 税込￥32.59
30

【SIZ240DT-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 40V 17.2A 8PWRPAIR

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET® Gen IV・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17.2A（Ta）、48A（Tc）、16.9A（Ta）、47A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On

￥505.72 税込￥556.29
31

【DMG1016UDW-7】MOSFET N/P-CH 20V SOT363

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.07A、845mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：450ミリオーム @ 600mA、4.5V・Id印加時のVgs（

￥97.15 税込￥106.86
32

【SP8M51HZGTB】MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）、2.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：170ミリオーム @ 3A、10V、290ミリオーム @ 2.5A、

￥590.28 税込￥649.30
33

【DMP32D9UDA-7B】MOSFET 2P-CH 0.22A 6DFN

Diodes Incorporated

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最小10,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：220mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 100mA、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @

￥14.40 税込￥15.84
34

【SI9926CDY-T1-E3】MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18ミリオーム @ 8.3A、4.5V・Id印加時のVg

￥474.29 税込￥521.71
35

【AO4614B】MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC [digi-reel品]

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3V @

￥242.86 税込￥267.14
36

【SI7288DP-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8 [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥527.15 税込￥579.86
37

【FDS8958A】MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A、5A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs（

￥235.72 税込￥259.29
38

【EM6K6T2R】MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1オーム @ 300mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1

￥157.15 税込￥172.86
39

【HP8K22TB】MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：-・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：27A、57A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.6ミリオーム @ 20A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V @ 1mA・

￥485.72 税込￥534.29
40

【DMT10H020SDGQ-7】MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

Diodes Incorporated

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最小2,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル、コモンドレイン、コモンソース・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：23ミリオーム @ 6.2A、10V・Id印加時のVgs

￥105.70 税込￥116.27
41

【PSMN4R2-40VSHX】MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：98A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.2ミリオーム @ 20A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥627.78 税込￥690.55
42

【DMN3055LFDB-7】MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN [digi-reel品]

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.5V @

￥174.29 税込￥191.71
43

【HS8K1TB】MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A（Ta）、11A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14.6ミリオーム @ 10A、10V、11.8ミリオーム @

￥324.29 税込￥356.71
44

【SIZ240DT-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 40V 17.2A 8PWRPAIR

VISHAY

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TrenchFET® Gen IV・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17.2A（Ta）、48A（Tc）、16.9A（Ta）、47A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On

￥104.23 税込￥114.65
45

【SIZ240DT-T1-GE3】MOSFET 2N-CH 40V 17.2A 8PWRPAIR [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET® Gen IV・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17.2A（Ta）、48A（Tc）、16.9A（Ta）、47A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（

￥505.72 税込￥556.29
46

【BSS138BKS,115】MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP [digi-reel品]

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：320mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 320mA、10V・Id印加時のV

￥81.43 税込￥89.57
47

【UM6K1NA-TP】MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT363

MCC (Micro Commercial Components)

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：750ミリオーム @ 300mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.

￥88.58 税込￥97.43
48

【AONY36356】MOSFET 2N-CH 30V 17.5A 8DFN [digi-reel品]

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17.5A（Ta）、 32A（Tc）、 24A（Ta）、 32A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6.1ミリオーム @

￥445.72 税込￥490.29
49

【DMC31D5UDJ-7】MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963

Diodes Incorporated

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商品説明

【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：220mA、200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @ 100mA、4.5V・Id印加時のVgs（th

￥185.72 税込￥204.29
50

【SSM6N15AFU,LF】MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6 [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.6オーム @ 10mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥82.86 税込￥91.14
51

【SH8J66TB1】MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18.5ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2

￥770.84 税込￥847.92
52

【NTUD3174NZT5G】MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT963

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：220mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @ 100mA、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）

￥278.58 税込￥306.43
53

【TC1550TG-G】MOSFET N/P-CH 500V 8SOIC [digi-reel品]

Microchip

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：60オーム @ 50mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：4V @ 1mA・Vgs印加

￥1,550.00 税込￥1,705.00
54

【DMT3020LSD-13】MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V

￥228.58 税込￥251.43
55

【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D [digi-reel品]

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印加

￥352.86 税込￥388.14
56

【SP8M51HZGTB】MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）、2.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：170ミリオーム @ 3A、10V、290ミリオーム @ 2.5A、1

￥590.28 税込￥649.30
57

【SSM6L36FE,LM】MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6 [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA、330mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：630ミリオーム @ 200mA、5V・Id印加時のVgs（th）

￥95.72 税込￥105.29
58

【IAUCN04S7N054HATMA1】MOSFET_(20V 40V)

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 7・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：62A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.41ミリオーム @ 30A、10V・Id印加時のVgs（

￥535.72 税込￥589.29
59

【SSM6N44FE,LM】MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4オーム @ 10mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.

￥95.72 税込￥105.29
60

【PJX8601_R1_00001】MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT563

PANJIT

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネルコンプリメンタリ・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：400ミリオーム @ 500mA、4.5V、1.2オーム @ 50

￥67.15 税込￥73.86
61

【2N7002AKS-QX】MOS DISCRETES

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：220mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3オーム @ 100mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.6V @ 25

￥60.00 税込￥66.00
62

【UT6KC5TCR】MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8DFN

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.5A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：95ミリオーム @ 3.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2

￥510.00 税込￥561.00
63

【DMN3032LFDBQ-13】MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN [digi-reel品]

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.2A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：30ミリオーム @ 5.8A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V

￥221.43 税込￥243.57
64

【SSM6N15AFE,LM】MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4オーム @ 10mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1.

￥87.15 税込￥95.86
65

【CLB650M17HM3T】SIC MODULE, 650 A, 1700 V, 62 MM

Wolfspeed

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【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2Nチャンネル、コモンソース（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1700V（1.7kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：916A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.86ミリオーム @ 650A、15V・Id印加時のVg

￥690,322.35 税込￥759,354.58
66

【HP8S36TB】MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：-・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：27A、80A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4ミリオーム @ 32A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5V @ 1mA・V

￥527.15 税込￥579.86
67

【FDMD8540L】MOSFET 2N-CH 40V 33A 8PWR 5X6

オンセミコンダクター

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：PowerTrench®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：33A、156A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5ミリオーム @ 33A、10V・Id印加時

￥388.69 税込￥427.55
68

【SSM6P69NU,LF】MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：ロジックレベルゲート、1.8V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：45ミリオーム @ 3.5A、10V・Id印加時のV

￥182.86 税込￥201.14
69

【STS4DNF60L】MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC [digi-reel品]

STマイクロエレクトロニクス

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：STripFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：55ミリオーム @ 2A、10V・Id印加時のVgs（th）

￥679.17 税込￥747.08
70

【STS4DNF60L】MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC

STマイクロエレクトロニクス

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：STripFET™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：55ミリオーム @ 2A、10V・Id印加時のVgs（th

￥679.17 税込￥747.08
71

【PJX138K-AU_R1_000A1】MOSFET 2N-CH 50V 0.35A SOT563 [digi-reel品]

PANJIT

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：350mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1

￥60.00 税込￥66.00
72

【EM6K6T2R】MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1オーム @ 300mA、4V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥157.15 税込￥172.86
73

【BSS138BKSH】MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP [digi-reel品]

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：320mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 320mA、10V・Id印加時のVgs（th

￥81.43 税込￥89.57
74

【BSM180D12P3C007】MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

ROHM

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：180A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：5.6V @ 50mA・Vgs印

￥122,684.05 税込￥134,952.45
75

【BUK9K13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印

￥352.86 税込￥388.14
76

【2N7002DW】MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 [digi-reel品]

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 50mA、5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥121.43 税込￥133.57
77

【MG400Q2YMS3(DAE)】SIC MOSFET MODULE, 1200V, 400A

東芝

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1700V（1.7kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：5.6V @ 400mA・

￥342,537.24 税込￥376,790.96
78

【ECH8651R-TL-H】MOSFET 2N-CH 24V 10A 8ECH [digi-reel品]

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：24V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：-

￥304.29 税込￥334.71
79

【BUK9V13-40HX】MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

NEXPERIA

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最小1,500個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TrenchMOS™・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・

￥74.18 税込￥81.59
80

【ECH8651R-TL-H】MOSFET 2N-CH 24V 10A 8ECH

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：24V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 5A、4.5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥304.29 税込￥334.71
81

【QH8ME5TCR】MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：202ミリオーム @ 2A、10V、270ミリオーム @ 2A、10V・Id印加時のV

￥304.29 税込￥334.71
82

【SH8KA7GZETB】MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SOP [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.3ミリオーム @ 15A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5

￥676.39 税込￥744.02
83

【IMSQ120R026M2HHXUMA1】SICFET 2N-CH 1200V 83A HDSOP16

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：CoolSiC™ G2・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・構成：Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：83A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：26ミリオーム @ 27A、18V

￥5,348.28 税込￥5,883.10
84

【SH8KA7GZETB】MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SOP

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.3ミリオーム @ 15A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.

￥676.39 税込￥744.02
85

【DMC31D5UDJ-7】MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963

Diodes Incorporated

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最小10,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：220mA、200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @ 100mA、4.5V・Id印加時のVgs（th

￥28.08 税込￥30.88
86

【BUK9K31-100LX】BUK9K31-100L/SOT1205/LFPAK56D [digi-reel品]

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：24A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：31.7ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）

￥521.43 税込￥573.57
87

【SSM6N7002BFE,LM】MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.1オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最

￥70.00 税込￥77.00
88

【HT8KA6TB1】30V 15A, DUAL NCH+PCH, HSMT8, PO [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11.5A（Ta）、15A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10.9ミリオーム @ 11.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最

￥487.15 税込￥535.86
89

【NTJD4158CT1G】MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88 [digi-reel品]

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250mA、880mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @ 10mA、4.5V・Id印加時のVgs（

￥110.00 税込￥121.00
90

【SSM6L35FU(TE85L,F)】MOSFET N/P-CH 20V 0.18A US6

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：180mA、100mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3オーム @ 50mA、4V・Id印加時のVg

￥114.29 税込￥125.71
91

【HT8KA5TB1】30V 12A, DUAL NCH+PCH, HSMT8, PO [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Ta）、12A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16.4ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.5

￥415.72 税込￥457.29
92

【NTJD4158CT1G】MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V、20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250mA、880mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @ 10mA、4.5V・Id印加時のVgs

￥110.00 税込￥121.00
93

【FS03MR12A6MA1BBPSA1】MOSFET 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：HybridPACK™・技術：シリコンカーバイド（SiC）・構成：6Nチャンネル（3相ブリッジ）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200V（1.2kV）・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：400A（Tj）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.7ミリオーム @ 400A、15V・Id印加時

￥359,778.73 税込￥395,756.60
94

【VT6M1T2CR】MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：ロジックレベルゲート、1.2V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100mA・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.5オーム @ 100mA、4.5V・Id印加時のVgs
95

【PSMN014-40HLDX】LFPAK56D デュアルパワーMOSFET(40V/42A)

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：42A（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.6ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs（th

￥448.58 税込￥493.43
96

【HP8KE6TB1】MOSFET 2N-CH 100V 6A 8HSOP

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）、17A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：54ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th）（

￥565.28 税込￥621.80
97

【SSM6L56FE,LM】MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：NおよびPチャンネル・FET機能：ロジックレベルゲート、1.5V駆動・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：800mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：235ミリオーム @ 800mA、4.5V、390

￥87.15 税込￥95.86
98

【PJX138K-AU_R1_000A1】MOSFET 2N-CH 50V 0.35A SOT563

PANJIT

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：350mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

￥60.00 税込￥66.00
99

【AOE6930】MOSFET 2N-CH 30V 22A 8DFN [digi-reel品]

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：AlphaMOS・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2N-チャンネル（デュアル）非対称・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：22A（Tc）、 85A（Tc）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.3ミリオーム @ 20A、 10V、

￥787.50 税込￥866.25
100

【SI4900DY-T1-E3】MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：58ミリオーム @ 4.3A、10V・Id印加時のVg

￥455.72 税込￥501.29

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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイの定格表 該当製品数: 9,845 / 9,845 件

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