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トランジスタ - FET、MOSFET - シングルの定格表 該当製品数: 69,410 / 69,410

定格表の使い方
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4,000 件中 1100 件目
写真 型番 メーカー データシート BOMに追加 品質ランク 単価 (税抜) 単価 (税込) カートに追加 在庫数量 最少購入数 納期 パッケージ シリーズ FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 グレード 認定 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
TPHR8504PL,L1Q TPHR8504PL,L1Q 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥527.15 /個
1個以上 ¥579.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSIX-H Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 150A(Tc) 4.5V、10V 0.85ミリオーム @ 50A、10V 2.4V @ 1mA 103 nC @ 10 V ±20V 9600 pF @ 20 V - 1W(Ta)、170W(Tc) 175°C(TJ) - - 面実装 8-SOPアドバンス(5x5) 8-PowerVDFN
IMW120R350M1HXKSA1 IMW120R350M1HXKSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,230.14 /個
1個以上 ¥1,353.15 /個
確認する 確認する チューブ CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 4.7A(Tc) 15V、18V 455ミリオーム @ 2A、18V 5.7V @ 1mA 5.3 nC @ 18 V +23V、-7V 182 pF @ 800 V - 60W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール PG-TO247-3-41 TO-247-3
TPH5200FNH,L1Q TPH5200FNH,L1Q 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥712.50 /個
1個以上 ¥783.75 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSVIII-H Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 250 V 26A(Tc) 10V 52ミリオーム @ 13A、10V 4V @ 1mA 22 nC @ 10 V ±20V 2200 pF @ 100 V - 78W(Tc) 150°C(TJ) - - 面実装 8-SOPアドバンス(5x5) 8-PowerVDFN
TPH14006NH,L1Q TPH14006NH,L1Q 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥342.86 /個
1個以上 ¥377.14 /個
確認する 確認する Digi-Reel® U-MOSVIII-H Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 14A(Ta) 6.5V、10V 14ミリオーム @ 7A、10V 4V @ 200µA 16 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 30 V - 1.6W(Ta)、32W(Tc) 150°C(TJ) - - 面実装 8-SOPアドバンス(5x5) 8-PowerVDFN
NDS332P NDS332P オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥122.86 /個
1個以上 ¥135.14 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1A(Ta) 2.7V、4.5V 300ミリオーム @ 1.1A、4.5V 1V @ 250µA 5 nC @ 4.5 V ±8V 195 pF @ 10 V - 500mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
NVMFS5113PLWFT1G NVMFS5113PLWFT1G オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥775.00 /個
1個以上 ¥852.50 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 10A(Ta)、64A(Tc) 4.5V、10V 14ミリオーム @ 17A、10V 2.5V @ 250µA 83 nC @ 10 V ±20V 4400 pF @ 25 V - 3.8W(Ta)、150W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 5-DFN(5x6)(8-SOFL) 8-PowerTDFN、5リード
RQ5L020SNTL RQ5L020SNTL ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥172.86 /個
1個以上 ¥190.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 2A(Ta) 4V、10V 170ミリオーム @ 2A、10V 2.5V @ 1mA 2.7 nC @ 5 V ±20V 180 pF @ 10 V - 700mW(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 TSMT3 SC-96
EPC2050 EPC2050 EPC データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,337.18 /個
1個以上 ¥1,470.89 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) eGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 350 V 6.3A(Ta) 5V 180ミリオーム @ 6A、5V 2.5V @ 1mA 4 nC @ 5 V +6V、-4V 628 pF @ 280 V - - -40°C~150°C(TJ) - - 面実装 ダイ ダイ
TPH6400ENH,L1Q TPH6400ENH,L1Q 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥497.15 /個
1個以上 ¥546.86 /個
確認する 確認する Digi-Reel® U-MOSVIII-H Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 13A(Ta) 10V 64ミリオーム @ 6.5A、10V 4V @ 300µA 11.2 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 100 V - 1.6W(Ta)、57W(Tc) 150°C(TJ) - - 面実装 8-SOPアドバンス(5x5) 8-PowerVDFN
EPC2088 EPC2088 EPC データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,108.22 /個
1個以上 ¥1,219.04 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) eGaN® Nチャンネル - 100 V 60A(Ta) 5V 3.2ミリオーム @ 25A、5V 2.5V @ 7mA 17.8 nC @ 5 V +6V、-4V 2703 pF @ 50 V - - -40°C~150°C(TJ) - - 面実装 ダイ ダイ
IRFS7430TRL7PP IRFS7430TRL7PP インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥751.39 /個
1個以上 ¥826.52 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 240A(Tc) 6V、10V 0.75リオーム @ 100A、10V 3.9V @ 250µA 460 nC @ 10 V ±20V 13975 pF @ 25 V - 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 D2PAK(7-Lead) TO-263-7、D2PAK(6リード + タブ)
NTR4101PT1G NTR4101PT1G オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥80.00 /個
1個以上 ¥88.00 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8A(Ta) 1.8V、4.5V 85ミリオーム @ 1.6A、4.5V 1.2V @ 250µA 8.5 nC @ 4.5 V ±8V 675 pF @ 10 V - 420mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥292.86 /個
1個以上 ¥322.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) TrenchFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 13.6A(Ta)、49A(Tc) 2.5V、10V 8ミリオーム @ 13A、10V 1.4V @ 250µA 162 nC @ 10 V ±12V 4250 pF @ 15 V - 2.7W(Ta)、5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)
IRFB4227PBF IRFB4227PBF インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥656.95 /個
1個以上 ¥722.64 /個
確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 65A(Tc) 10V 24ミリオーム @ 46A、10V 5V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±30V 4600 pF @ 25 V - 330W(Tc) -40°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
XP65SL190DI XP65SL190DI XSemi Corporation データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥856.95 /個
1個以上 ¥942.64 /個
確認する 確認する チューブ XP65SL190D Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 650 V 20A(Tc) 10V 190ミリオーム @ 6.2A、10V 5V @ 250µA 92.8 nC @ 10 V ±20V 3312 pF @ 100 V - 1.92W(Ta)、34.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-220CFM TO-220-3フルパッッケージ
SSM3J338R,LF SSM3J338R,LF 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥57.15 /個
1個以上 ¥62.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSVII Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 12 V 6A(Ta) 1.8V、8V 17.6ミリオーム @ 6A、8V 1V @ 1mA 19.5 nC @ 4.5 V ±10V 1400 pF @ 6 V - 1W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23F SOT-23-3フラットリード
DN2530N8-G DN2530N8-G Microchip データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥194.29 /個
1個以上 ¥213.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル、デプレッションモード MOSFET(金属酸化物) 300 V 200mA(Tj) 0V 12オーム @ 150mA、0V - - ±20V 300 pF @ 25 V - 1.6W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 TO-243AA(SOT-89) TO-243AA
RZF020P01TL RZF020P01TL ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥184.29 /個
1個以上 ¥202.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 12 V 2A(Ta) 1.5V、4.5V 105ミリオーム @ 2A、4.5V 1V @ 1mA 6.5 nC @ 4.5 V ±10V 770 pF @ 6 V - 800mW(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 TUMT3 3-SMD、フラットリード
AON7423 AON7423 Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥327.15 /個
1個以上 ¥359.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 28A(Ta)、50A(Tc) 1.5V、4.5V 5ミリオーム @ 20A、4.5V 900mV @ 250µA 100 nC @ 4.5 V ±8V 5626 pF @ 10 V - 6.2W(Ta)、83W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-DFN-EP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
IRFU210PBF IRFU210PBF VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥110.00 /個
1個以上 ¥121.00 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 2.6A(Tc) 10V 1.5オーム @ 1.6A、10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±20V 140 pF @ 25 V - 2.5W(Ta)、25W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-251AA TO-251-3短いリード、IPAK、TO-251AA
SSM3J356R,LF SSM3J356R,LF 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥88.58 /個
1個以上 ¥97.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSVI Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 2A(Ta) 4V、10V 300ミリオーム @ 1A、10V 2V @ 1mA 8.3 nC @ 10 V +10V、-20V 330 pF @ 10 V - 1W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23F SOT-23-3フラットリード
AO3416 AO3416 Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥111.43 /個
1個以上 ¥122.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 6.5A(Ta) 1.8V、4.5V 22ミリオーム @ 6.5A、4.5V 1V @ 250µA 16 nC @ 4.5 V ±8V 1160 pF @ 10 V - 1.4W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 3-SMD、SOT-23-3可変
DMN3033LSN-7 DMN3033LSN-7 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥130.00 /個
1個以上 ¥143.00 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 6A(Ta) 4.5V、10V 30ミリオーム @ 6A、10V 2.1V @ 250µA 10.5 nC @ 5 V ±20V 755 pF @ 10 V - 1.4W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SC-59-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
NDT2955 NDT2955 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥204.29 /個
1個以上 ¥224.71 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 2.5A(Ta) 4.5V、10V 300ミリオーム @ 2.5A、10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 601 pF @ 30 V - 3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-223-4 TO-261-4、TO-261AA
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥178.58 /個
1個以上 ¥196.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 17A(Tc) 4V、10V 105ミリオーム @ 10A、10V 2V @ 250µA 34 nC @ 5 V ±16V 800 pF @ 25 V - 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 TO-252AA (DPAK) TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
SSM6K824R,LF SSM6K824R,LF 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥141.43 /個
1個以上 ¥155.57 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 6A(Ta) 1.5V、4.5V 33ミリオーム @ 4A、4.5V 1V @ 1mA 3.6 nC @ 4.5 V ±8V 410 pF @ 10 V - 1.5W(Ta) 150°C - - 面実装 6-TSOP-F 6-SMD、フラットリード
IRF520PBF IRF520PBF VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥202.86 /個
1個以上 ¥223.14 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 9.2A(Tc) 10V 270ミリオーム @ 5.5A、10V 4V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±20V 360 pF @ 25 V - 60W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
STD20NF20 STD20NF20 STマイクロエレクトロニクス データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥568.06 /個
1個以上 ¥624.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) STripFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 18A(Tc) 10V 125ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±20V 940 pF @ 25 V - 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 DPAK TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
NTR4171PT1G NTR4171PT1G オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥141.43 /個
1個以上 ¥155.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 2.2A(Ta) 2.5V、10V 75ミリオーム @ 2.2A、10V 1.4V @ 250µA 15.6 nC @ 10 V ±12V 720 pF @ 15 V - 480mW(Ta) -55°C~155°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
CSD16406Q3 CSD16406Q3 TEXAS INSTRUMENTS データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥415.72 /個
1個以上 ¥457.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) NexFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 25 V 19A(Ta)、60A(Tc) 4.5V、10V 5.3ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 8.1 nC @ 4.5 V +16V、-12V 1100 pF @ 12.5 V - 2.7W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) 8-PowerTDFN
RTF016N05FRATL RTF016N05FRATL ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥152.86 /個
1個以上 ¥168.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 45 V 1.6A(Ta) - 190ミリオーム @ 1.6A、4.5V 1.5V @ 1mA 2.3 nC @ 4.5 V ±12V 150 pF @ 10 V - 800mW 150°C 自動車 AEC-Q101 面実装 TUMT3 3-SMD、フラットリード
IRFP240PBF IRFP240PBF VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥550.00 /個
1個以上 ¥605.00 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 20A(Tc) 10V 180ミリオーム @ 12A、10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 150W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-247AC TO-247-3
IRLB8721PBF IRLB8721PBF インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 62A(Tc) 4.5V、10V 8.7ミリオーム @ 31A、10V 2.35V @ 25µA 13 nC @ 4.5 V ±20V 1077 pF @ 15 V - 65W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
IPD60R380P6ATMA1 IPD60R380P6ATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥427.15 /個
1個以上 ¥469.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) CoolMOS™ P6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 10.6A(Tc) 10V 380ミリオーム @ 3.8A、10V 4.5V @ 320µA 19 nC @ 10 V ±20V 877 pF @ 100 V - 83W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 PG-TO252-3 TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
RQ1C075UNTR RQ1C075UNTR ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥205.72 /個
1個以上 ¥226.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 7.5A(Ta) 1.5V、4.5V 16ミリオーム @ 7.5A、4.5V 1V @ 1mA 18 nC @ 4.5 V ±10V 1400 pF @ 10 V - 700mW(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 TSMT8 8-SMD、フラットリード
IRF8010PBF IRF8010PBF インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥332.86 /個
1個以上 ¥366.14 /個
確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 80A(Tc) 10V 15ミリオーム @ 45A、10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 3830 pF @ 25 V - 260W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
SSM3J334R,LF SSM3J334R,LF 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥78.58 /個
1個以上 ¥86.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSVI Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4A(Ta) 4V、10V 71ミリオーム @ 3A、10V 2V @ 100µA 5.9 nC @ 10 V ±20V 280 pF @ 15 V - 1W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23F SOT-23-3フラットリード
IRF630 IRF630 STマイクロエレクトロニクス データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥362.86 /個
1個以上 ¥399.14 /個
確認する 確認する チューブ MESH OVERLAY™ II Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 9A(Tc) 10V 400ミリオーム @ 4.5A、10V 4V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 75W(Tc) -65°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-220 TO-220-3
IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥294.29 /個
1個以上 ¥323.71 /個
確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55 V 47A(Tc) 4V、10V 22ミリオーム @ 25A、10V 2V @ 250µA 48 nC @ 5 V ±16V 1700 pF @ 25 V - 3.8W(Ta)、110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
NTTFS5C454NLTAG NTTFS5C454NLTAG オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥111.43 /個
1個以上 ¥122.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 20A(Ta)、85A(Tc) 4.5V、10V 3.8ミリオーム @ 20A、10V 2V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 25 V - 3.2W(Ta)、55W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 8-WDFN(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
STF13N60M2 STF13N60M2 STマイクロエレクトロニクス データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥370.00 /個
1個以上 ¥407.00 /個
確認する 確認する チューブ MDmesh™ II Plus Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 11A(Tc) 10V 380ミリオーム @ 5.5A、10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±25V 580 pF @ 100 V - 25W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-220FP TO-220-3フルパッッケージ
RE1L002SNTL RE1L002SNTL ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥67.15 /個
1個以上 ¥73.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 250mA(Ta) 10V 2.4オーム @ 250mA、10V 2.3V @ 1mA - ±20V 15 pF @ 25 V - 150mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 EMT3F(SOT-416FL) SC-89、SOT-490
STW40N60M2 STW40N60M2 STマイクロエレクトロニクス データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,230.14 /個
1個以上 ¥1,353.15 /個
確認する 確認する チューブ MDmesh™ II Plus Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 34A(Tc) 10V 88ミリオーム @ 17A、10V 4V @ 250µA 57 nC @ 10 V ±25V 2500 pF @ 100 V - 250W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-247-3 TO-247-3
RQ6E045SNTR RQ6E045SNTR ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥181.43 /個
1個以上 ¥199.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5A(Ta) 4V、10V 38ミリオーム @ 4.5A、10V 2.5V @ 1mA 9.5 nC @ 5 V ±20V 520 pF @ 10 V - 950mW(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 TSMT6(SC-95) SOT-23-6薄型、TSOT-23-6
2N7002-7-F 2N7002-7-F Diodes Incorporated データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥32.86 /個
1個以上 ¥36.14 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 115mA(Ta) 5V、10V 7.5オーム @ 50mA、5V 2.5V @ 250µA - ±20V 50 pF @ 25 V - 370mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
PJA3436-AU_R1_000A1 PJA3436-AU_R1_000A1 PANJIT データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥57.15 /個
1個以上 ¥62.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.2A(Ta) 1.8V、4.5V 380ミリオーム @ 1.2A、4.5V 1V @ 250µA 0.9 nC @ 4.5 V ±12V 39 pF @ 10 V - 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
STP24NF10 STP24NF10 STマイクロエレクトロニクス データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥410.00 /個
1個以上 ¥451.00 /個
確認する 確認する チューブ STripFET™ II Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 26A(Tc) 10V 60ミリオーム @ 12A、10V 4V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V 870 pF @ 25 V - 85W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220 TO-220-3
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥51.43 /個
1個以上 ¥56.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.4A(Ta) 1.8V、2.5V 160ミリオーム @ 1.4A、2.5V 750mV @ 3.7µA 0.6 nC @ 2.5 V ±8V 180 pF @ 10 V - 500mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 PG-SOT323 SC-70、SOT-323
NX7002AK,215 NX7002AK,215 NEXPERIA データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥28.58 /個
1個以上 ¥31.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 190mA(Ta) 5V、10V 4.5オーム @ 100mA、10V 2.1V @ 250µA 0.43 nC @ 4.5 V ±20V 17 pF @ 10 V - 265mW(Ta)、1.33W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 TO-236AB TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
12N10 12N10 UMW データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥168.58 /個
1個以上 ¥185.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 15A(Tc) 10V 114ミリオーム @ 3A、10V 2.5V @ 250µA - ±20V - - 3W(Ta) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 TO-252(DPAK) TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
IRFB4510PBF IRFB4510PBF インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥282.86 /個
1個以上 ¥311.14 /個
確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 62A(Tc) 10V 13.5ミリオーム @ 37A、10V 4V @ 100µA 87 nC @ 10 V ±20V 3180 pF @ 50 V - 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
PMV42ENER PMV42ENER NEXPERIA データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥88.58 /個
1個以上 ¥97.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.4A(Ta) 4.5V、10V 36ミリオーム @ 4.4A、10V 2V @ 250µA 9 nC @ 10 V ±20V 281 pF @ 15 V - 500mW(Ta)、5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 TO-236AB TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SSM3K7002KFU,LF SSM3K7002KFU,LF 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥37.15 /個
1個以上 ¥40.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSVII-H Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 400mA(Ta) 4.5V、10V 1.5オーム @ 100mA、10V 2.1V @ 250µA 0.6 nC @ 4.5 V ±20V 40 pF @ 10 V - 150mW(Ta) 150°C - - 面実装 USM SC-70、SOT-323
AO3401A AO3401A Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥101.43 /個
1個以上 ¥111.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4A(Ta) 2.5V、10V 44ミリオーム @ 4.3A、10V 1.3V @ 250µA 12.2 nC @ 4.5 V ±12V 1200 pF @ 15 V - 1.4W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 3-SMD、SOT-23-3可変
RUC002N05T116 RUC002N05T116 ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥55.72 /個
1個以上 ¥61.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 50 V 200mA(Ta) 1.2V、4.5V 2.2オーム @ 200mA、4.5V 1V @ 1mA - ±8V 25 pF @ 10 V - 200mW(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 SST3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
2N7000BU 2N7000BU オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥71.43 /個
1個以上 ¥78.57 /個
確認する 確認する バルク - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 200mA(Tc) 4.5V、10V 5オーム @ 500mA、10V 3V @ 1mA - ±20V 50 pF @ 25 V - 400mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-92-3 TO-226-3、TO-92-3標準本体(TO-226AA)
BS170 BS170 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥67.15 /個
1個以上 ¥73.86 /個
確認する 確認する バルク - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 500mA(Ta) 10V 5オーム @ 200mA、10V 3V @ 1mA - ±20V 40 pF @ 10 V - 830mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-92-3 TO-226-3、TO-92-3標準本体(TO-226AA)
AO3400A AO3400A UMW データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥91.43 /個
1個以上 ¥100.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) UMW Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 5.8A(Ta) 2.5V、10V 28ミリオーム @ 5.8A、10V 1.4V @ 250µA 12 nC @ 4.5 V ±12V 1050 pF @ 15 V - 1.4W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
FDS5670 FDS5670 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥558.34 /個
1個以上 ¥614.17 /個
確認する 確認する Digi-Reel® PowerTrench® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 10A(Ta) 6V、10V 14ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 15 V - 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)
FQP45N15V2 FQP45N15V2 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥648.62 /個
1個以上 ¥713.48 /個
確認する 確認する チューブ QFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150 V 45A(Tc) 10V 40ミリオーム @ 22.5A、10V 4V @ 250µA 94 nC @ 10 V ±30V 3030 pF @ 25 V - 220W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-220-3 TO-220-3
STP36NF06L STP36NF06L STマイクロエレクトロニクス データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥381.43 /個
1個以上 ¥419.57 /個
確認する 確認する チューブ STripFET™ II Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 30A(Tc) 5V、10V 40ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 17 nC @ 5 V ±18V 660 pF @ 25 V - 70W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220 TO-220-3
IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥262.86 /個
1個以上 ¥289.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 47A(Tj) 7V、10V 10.2ミリオーム @ 20A、10V 3.4V @ 13µA 16.3 nC @ 10 V ±20V 1112.1 pF @ 30 V - 42W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 PG-TDSON-8-33 8-PowerTDFN
TK70D06J1(Q) TK70D06J1(Q) 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ チューブ - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 70A(Ta) 4.5V、10V 6.4ミリオーム @ 35A、10V 2.3V @ 1mA 87 nC @ 10 V ±20V 5450 pF @ 10 V - 45W(Tc) 150°C(TJ) - - スルーホール TO-220(W) TO-220-3
IRF640 IRF640 STマイクロエレクトロニクス データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
2000個以上 ¥101.37 /個
2000個以上 ¥111.50 /個
確認する 2,000 確認する チューブ MESH OVERLAY™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 18A(Tc) 10V 180ミリオーム @ 9A、10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 1560 pF @ 25 V - 125W(Tc) 150°C(TJ) - - スルーホール TO-220 TO-220-3
PJMB125N60FRC_R2_00201 PJMB125N60FRC_R2_00201 PANJIT データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,183.57 /個
1個以上 ¥1,301.92 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPD50R380CEAUMA1 IPD50R380CEAUMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
2500個以上 ¥59.36 /個
2500個以上 ¥65.29 /個
確認する 2,500 確認する テープ&リール(TR) CoolMOS™ CE Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 500 V 14.1A(Tc) 13V 380ミリオーム @ 3.2A、13V 3.5V @ 260µA 24.8 nC @ 10 V ±20V 584 pF @ 100 V - 98W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 PG-TO252-3 TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
IPD50R380CEAUMA1 IPD50R380CEAUMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥294.29 /個
1個以上 ¥323.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) CoolMOS™ CE Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 500 V 14.1A(Tc) 13V 380ミリオーム @ 3.2A、13V 3.5V @ 260µA 24.8 nC @ 10 V ±20V 584 pF @ 100 V - 98W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 PG-TO252-3 TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
IRFP9140PBF IRFP9140PBF VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥1,080.83 /個
1個以上 ¥1,188.91 /個
確認する 確認する チューブ - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 21A(Tc) 10V 200ミリオーム @ 13A、10V 4V @ 250µA 61 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 180W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-247AC TO-247-3
FDS4672A FDS4672A オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥305.72 /個
1個以上 ¥336.29 /個
確認する 確認する Digi-Reel® PowerTrench® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 11A(Ta) 4.5V 13ミリオーム @ 11A、4.5V 2V @ 250µA 49 nC @ 4.5 V ±12V 4766 pF @ 20 V - 2.5W(Ta) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)
IAUCN04S7N004ATMA1 IAUCN04S7N004ATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥687.50 /個
1個以上 ¥756.25 /個
確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ 7 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 175A 7V、10V 0.44ミリオーム @ 88A、10V 3V @ 130µA 169 nC @ 10 V ±20V 11310 pF @ 20 V - 219W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 PG-TDSON-8-53 8-PowerTDFN
STP55NF06L STP55NF06L STマイクロエレクトロニクス データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥398.58 /個
1個以上 ¥438.43 /個
確認する 確認する チューブ STripFET™ II Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 55A(Tc) 5V、10V 18ミリオーム @ 27.5A、10V 1.7V @ 250µA 37 nC @ 4.5 V ±16V 1700 pF @ 25 V - 95W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220 TO-220-3
FDS3590 FDS3590 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥302.86 /個
1個以上 ¥333.14 /個
確認する 確認する Digi-Reel® PowerTrench® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80 V 6.5A(Ta) 6V、10V 39ミリオーム @ 6.5A、10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 1180 pF @ 40 V - 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)
SIJ186DP-T1-GE3 SIJ186DP-T1-GE3 VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥218.58 /個
1個以上 ¥240.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) TrenchFET® Gen IV Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 23A(Ta)、79.4A(Tc) 6V、10V 4.5ミリオーム @ 15A、10V 3.6V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±20V 1710 pF @ 30 V - 5W(Ta)、57W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
FDC637BNZ FDC637BNZ オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥125.72 /個
1個以上 ¥138.29 /個
確認する 確認する Digi-Reel® PowerTrench® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 6.2A(Ta) 2.5V、4.5V 24ミリオーム @ 6.2A、4.5V 1.5V @ 250µA 12 nC @ 4.5 V ±12V 895 pF @ 10 V - 1.6W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SuperSOT™-6 SOT-23-6薄型、TSOT-23-6
FDS8840NZ FDS8840NZ オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥274.29 /個
1個以上 ¥301.71 /個
確認する 確認する Digi-Reel® PowerTrench® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 18.6A(Ta) 4.5V、10V 4.5ミリオーム @ 18.6A、10V 3V @ 250µA 144 nC @ 10 V ±20V 7535 pF @ 20 V - 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)
FDC8878 FDC8878 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥164.29 /個
1個以上 ¥180.71 /個
確認する 確認する Digi-Reel® PowerTrench® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 8A(Ta)、8A(Tc) 4.5V、10V 16ミリオーム @ 8A、10V 3V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 1040 pF @ 15 V - 1.6W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SuperSOT™-6 SOT-23-6薄型、TSOT-23-6
NTGS3446T1G NTGS3446T1G オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥110.00 /個
1個以上 ¥121.00 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 2.5A(Ta) 2.5V、4.5V 45ミリオーム @ 5.1A、4.5V 1.2V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±12V 750 pF @ 10 V - 500mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 6-TSOP SOT-23-6薄型、TSOT-23-6
TK18A30D,S5X TK18A30D,S5X 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥531.43 /個
1個以上 ¥584.57 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 300 V 18A(Ta) 10V 139ミリオーム @ 9A、10V 3.5V @ 1mA 60 nC @ 10 V ±20V 2600 pF @ 100 V - 45W(Tc) 150°C - - スルーホール TO-220SIS TO-220-3フルパッッケージ
TSM9N90ECI C0G TSM9N90ECI C0G Taiwan Semiconductor BOMに追加 S1(DigiKey)
4000個以上 ¥231.89 /個
4000個以上 ¥255.07 /個
確認する 4,000 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 900 V 9A(Tc) 10V 1.4オーム @ 4.5A、10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±30V 2470 pF @ 25 V - 89W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール ITO-220AB TO-220-3フルパック、絶縁タブ
SI2301HE3-TP SI2301HE3-TP MCC (Micro Commercial Components) データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥100.00 /個
1個以上 ¥110.00 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 2.4A(Ta) 4.5V 100ミリオーム @ 2.4A、4.5V 1.5V @ 250µA 5.3 nC @ 4.5 V ±12V 418 pF @ 10 V - 1.1W(Tj) -55°C~150°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SI2302CDS-T1-E3 SI2302CDS-T1-E3 VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥92.86 /個
1個以上 ¥102.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) TrenchFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 2.6A(Ta) 2.5V、4.5V 57ミリオーム @ 3.6A、4.5V 850mV @ 250µA 5.5 nC @ 4.5 V ±8V - - 710mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
IAUCN04S7L028ATMA1 IAUCN04S7L028ATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥145.72 /個
1個以上 ¥160.29 /個
確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ 7 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 100A 10V - - - - - - - -55°C~175°C 自動車 AEC-Q101 面実装 PG-TDSON-8-33 8-PowerTDFN
IAUCN04S7L028ATMA1 IAUCN04S7L028ATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥145.72 /個
1個以上 ¥160.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ 7 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 100A 10V - - - - - - - -55°C~175°C 自動車 AEC-Q101 面実装 PG-TDSON-8-33 8-PowerTDFN
IAUCN04S7L028ATMA1 IAUCN04S7L028ATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
5000個以上 ¥57.87 /個
5000個以上 ¥63.65 /個
確認する 5,000 確認する テープ&リール(TR) OptiMOS™ 7 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 100A 10V - - - - - - - -55°C~175°C 自動車 AEC-Q101 面実装 PG-TDSON-8-33 8-PowerTDFN
FDS6680A FDS6680A オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥215.72 /個
1個以上 ¥237.29 /個
確認する 確認する Digi-Reel® PowerTrench® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 12.5A(Ta) 4.5V、10V 9.5ミリオーム @ 12.5A、10V 3V @ 250µA 23 nC @ 5 V ±20V 1620 pF @ 15 V - 2.5W(Ta) -55°C~155°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)
FDS3580 FDS3580 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥268.58 /個
1個以上 ¥295.43 /個
確認する 確認する Digi-Reel® PowerTrench® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80 V 7.6A(Ta) 6V、10V 29ミリオーム @ 7.6A、10V 4V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±20V 1800 pF @ 25 V - 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1000個以上 ¥130.81 /個
1000個以上 ¥143.89 /個
確認する 1,000 確認する テープ&リール(TR) OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 100A(Tc) 6V、10V 4.2ミリオーム @ 50A、10V 3.5V @ 150µA 117 nC @ 10 V ±20V 8410 pF @ 50 V - 214W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 PG-TO263-3 TO-263-3、D2PAK(2リード + タブ)、TO-263AB
STP36NF06 STP36NF06 STマイクロエレクトロニクス データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
2000個以上 ¥72.25 /個
2000個以上 ¥79.47 /個
確認する 2,000 確認する チューブ STripFET™ II Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 30A(Tc) 10V 40ミリオーム @ 15A、10V 4V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V 690 pF @ 25 V - 70W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220 TO-220-3
PXN011-100QSJ PXN011-100QSJ NEXPERIA データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
3000個以上 ¥40.25 /個
3000個以上 ¥44.27 /個
確認する 3,000 確認する テープ&リール(TR) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 56A 10V - - 25 nC @ 10 V - - - 66W - - - 面実装 MLPAK33 8-PowerVDFN
PXN011-100QSJ PXN011-100QSJ NEXPERIA データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥218.58 /個
1個以上 ¥240.43 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 56A 10V - - 25 nC @ 10 V - - - 66W - - - 面実装 MLPAK33 8-PowerVDFN
STD9N60M2 STD9N60M2 STマイクロエレクトロニクス データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥314.29 /個
1個以上 ¥345.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) MDmesh™ II Plus Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 5.5A(Tc) 10V 780ミリオーム @ 3A、10V 4V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±25V 320 pF @ 100 V - 60W(Tc) 150°C(TJ) - - 面実装 DPAK TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
NTR4101PT1G NTR4101PT1G オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥80.00 /個
1個以上 ¥88.00 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8A(Ta) 1.8V、4.5V 85ミリオーム @ 1.6A、4.5V 1.2V @ 250µA 8.5 nC @ 4.5 V ±8V 675 pF @ 10 V - 420mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SQM40020EL_GE3 SQM40020EL_GE3 VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
確認する 売り切れ テープ&リール(TR) TrenchFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 100A(Tc) 4.5V、10V 2.2ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 165 nC @ 10 V ±20V 8800 pF @ 25 V - 150W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 TO-263(D2PAK) TO-263-3、D2PAK(2リード + タブ)、TO-263AB
IPB50R140CPATMA1 IPB50R140CPATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥975.35 /個
1個以上 ¥1,072.88 /個
確認する 確認する Digi-Reel® CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 550 V 23A(Tc) 10V 140ミリオーム @ 14A、10V 3.5V @ 930µA 64 nC @ 10 V ±20V 2540 pF @ 100 V - 192W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 PG-TO263-3-2 TO-263-3、D2PAK(2リード + タブ)、TO-263AB
NTLJS5D0N03CTAG NTLJS5D0N03CTAG オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥184.29 /個
1個以上 ¥202.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 11.2A(Ta) 4.5V、10V 4.38ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 1255 pF @ 15 V - 860mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 6-PQFN(2x2) 6-PowerWDFN
IMCQ120R007M2HXTMA1 IMCQ120R007M2HXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥6,698.86 /個
1個以上 ¥7,368.74 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 257A(Tc) 15V、18V 7.5ミリオーム @ 93A、18V 5.1V @ 29.1mA 197.2 nC @ 18 V +23V、-7V 8440 pF @ 800 V - 1172W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 PG-HDSOP-22 22-PowerBSOPモジュール
FQP27P06 FQP27P06 UMW データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥362.86 /個
1個以上 ¥399.14 /個
確認する 確認する チューブ * - - - - - - - - - - - - - - - - -
RUM002N02T2L RUM002N02T2L ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥71.43 /個
1個以上 ¥78.57 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 200mA(Ta) 1.2V、2.5V 1.2オーム @ 200mA、2.5V 1V @ 1mA - ±8V 25 pF @ 10 V - 150mW(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 VMT3 SOT-723
IRLU3410PBF IRLU3410PBF インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥302.86 /個
1個以上 ¥333.14 /個
確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 17A(Tc) 4V、10V 105ミリオーム @ 10A、10V 2V @ 250µA 34 nC @ 5 V ±16V 800 pF @ 25 V - 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール IPAK(TO-251AA) TO-251-3短いリード、IPAK、TO-251AA
IMZA120R007M1HXKSA1 IMZA120R007M1HXKSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ¥8,565.52 /個
1個以上 ¥9,422.07 /個
確認する 確認する チューブ CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 225A(Tc) 15V、18V 9.9ミリオーム @ 108A、18V 5.2V @ 47mA 289 nC @ 18 V +20V、-5V 9170 pF @ 800 V - 750W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール PG-TO247-4-8 TO-247-4
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  • TPHR8504PL,L1Q
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSIX-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):150A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):0.85ミリオーム
    527.15 税込¥579.86
  • IMW120R350M1HXKSA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolSiC™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.7A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):455ミリオーム @ 2A、18V
    1,230.14 税込¥1,353.15
  • TPH5200FNH,L1Q
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVIII-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):26A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):52ミリオーム @ 13A
    712.50 税込¥783.75
  • TPH14006NH,L1Q
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:U-MOSVIII-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):14A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):14ミリオーム @
    342.86 税込¥377.14
  • NDS332P
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.7V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):300ミリオーム @ 1.1A、4.5V
    122.86 税込¥135.14
  • NVMFS5113PLWFT1G
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):10A(Ta)、64A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):14ミリオーム @ 1
    775.00 税込¥852.50
  • RQ5L020SNTL
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):170ミリオーム @ 2A、10V・Id印加
    172.86 税込¥190.14
  • EPC2050
    EPC
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):350 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.3A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 6A、5V・I
    1,337.18 税込¥1,470.89
  • TPH6400ENH,L1Q
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:U-MOSVIII-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):13A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):64ミリオーム @ 6.5A
    497.15 税込¥546.86
  • EPC2088
    EPC
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):60A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.2ミリオーム @ 25A、5V・Id印加時のVgs(th)(
    1,108.22 税込¥1,219.04
  • IRFS7430TRL7PP
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®, StrongIRFET™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):240A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):
    751.39 税込¥826.52
  • NTR4101PT1G
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.8A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 1.6A、4.
    80.00 税込¥88.00
  • SI4463CDY-T1-GE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):13.6A(Ta)、49A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):
    292.86 税込¥322.14
  • IRFB4227PBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):65A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):24ミリオーム @ 46A、10V・Id印加時の
    656.95 税込¥722.64
  • XP65SL190DI
    XSemi Corporation
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:XP65SL190D・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):190ミリオーム @ 6.2A、10V・I
    856.95 税込¥942.64
  • SSM3J338R,LF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVII・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):12 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、8V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):17.6ミリオーム @ 6A
    57.15 税込¥62.86
  • DN2530N8-G
    Microchip
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル、デプレッションモード・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):300 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):0V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):12オーム @ 150
    194.29 税込¥213.71
  • RZF020P01TL
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):12 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):105ミリオーム @ 2A、4.5V・
    184.29 税込¥202.71
  • AON7423
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):28A(Ta)、50A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5ミリオーム @ 2
    327.15 税込¥359.86
  • IRFU210PBF
    VISHAY
    確認する
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.5オーム @ 1.6A、10V・Id印加時のVgs(t
    110.00 税込¥121.00
  • SSM3J356R,LF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVI・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):300ミリオーム @ 1A、10
    88.58 税込¥97.43
  • AO3416
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    確認する
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 6.5A、4.
    111.43 税込¥122.57
  • DMN3033LSN-7
    Diodes Incorporated
    確認する
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):30ミリオーム @ 6A、10V・Id印
    130.00 税込¥143.00
  • NDT2955
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):300ミリオーム @ 2.5A、10V
    204.29 税込¥224.71
  • IRLR3410TRPBF
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):105ミリオーム @ 10A
    178.58 税込¥196.43
  • SSM6K824R,LF
    東芝
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):33ミリオーム @ 4A、4.5V・Id
    141.43 税込¥155.57
  • IRF520PBF
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9.2A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):270ミリオーム @ 5.5A、10V・Id印加時のVgs
    202.86 税込¥223.14
  • STD20NF20
    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:STripFET™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):18A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):125ミリオーム @ 10A、
    568.06 税込¥624.86
  • NTR4171PT1G
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):75ミリオーム @ 2.2A、10V
    141.43 税込¥155.57
  • CSD16406Q3
    TEXAS INSTRUMENTS
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:NexFET™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):19A(Ta)、60A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5.3ミリ
    415.72 税込¥457.29
  • RTF016N05FRATL
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):45 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.6A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):190ミリオーム @ 1.6A、4.5V・Id印加
    152.86 税込¥168.14
  • IRFP240PBF
    VISHAY
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 12A、10V・Id印加時のVgs(t
    550.00 税込¥605.00
  • IRLB8721PBF
    インフィニオン
    売り切れ
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):62A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8.7ミリオーム @ 31A、10V・I
  • IPD60R380P6ATMA1
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:CoolMOS™ P6・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):10.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):380ミリオーム @
    427.15 税込¥469.86
  • RQ1C075UNTR
    ROHM
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):16ミリオーム @ 7.5A、4.
    205.72 税込¥226.29
  • IRF8010PBF
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):80A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):15ミリオーム @ 45A、10V・Id印加時の
    332.86 税込¥366.14
  • SSM3J334R,LF
    東芝
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVI・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):71ミリオーム @ 3A、10V
    78.58 税込¥86.43
  • IRF630
    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:MESH OVERLAY™ II・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):400ミリオーム @ 4.5A、
    362.86 税込¥399.14
  • IRLZ44NPBF
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):47A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    294.29 税込¥323.71
  • NTTFS5C454NLTAG
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Ta)、85A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.8ミリオーム @
    111.43 税込¥122.57
  • STF13N60M2
    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:MDmesh™ II Plus・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):11A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):380ミリオーム @ 5.5A、
    370.00 税込¥407.00
  • RE1L002SNTL
    ROHM
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):250mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.4オーム @ 250mA、10V・Id印
    67.15 税込¥73.86
  • STW40N60M2
    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:MDmesh™ II Plus・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):34A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):88ミリオーム @ 17A、10
    1,230.14 税込¥1,353.15
  • RQ6E045SNTR
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):38ミリオーム @ 4.5A、10V・I
    181.43 税込¥199.57
  • 2N7002-7-F
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):115mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7.5オーム @ 50mA、5V・Id印
    32.86 税込¥36.14
  • PJA3436-AU_R1_000A1
    PANJIT
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):380ミリオーム @ 1.2A、4
    57.15 税込¥62.86
  • STP24NF10
    STマイクロエレクトロニクス
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:STripFET™ II・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):26A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):60ミリオーム @ 12A、10V・I
    410.00 税込¥451.00
  • BSS816NWH6327XTSA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、2.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):160ミリオーム @
    51.43 税込¥56.57
  • NX7002AK,215
    NEXPERIA
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):190mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4.5オーム @ 100mA、10V・
    28.58 税込¥31.43
  • 12N10
    UMW
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):15A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):114ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時
    168.58 税込¥185.43
  • IRFB4510PBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):62A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):13.5ミリオーム @ 37A、10V・Id印加
    282.86 税込¥311.14
  • PMV42ENER
    NEXPERIA
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):36ミリオーム @ 4.4A、10V
    88.58 税込¥97.43
  • SSM3K7002KFU,LF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVII-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):400mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.5オーム @
    37.15 税込¥40.86
  • AO3401A
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):44ミリオーム @ 4.3A、10V・I
    101.43 税込¥111.57
  • RUC002N05T116
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):50 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.2V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.2オーム @ 200mA、4
    55.72 税込¥61.29
  • 2N7000BU
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVg
    71.43 税込¥78.57
  • BS170
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):500mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5オーム @ 200mA、10V・Id印加時のVgs(th)
    67.15 税込¥73.86
  • AO3400A
    UMW
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:UMW・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.8A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):28ミリオーム @ 5.8A、1
    91.43 税込¥100.57
  • FDS5670
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:PowerTrench®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):10A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):14ミリオーム @ 1
    558.34 税込¥614.17
  • FQP45N15V2
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:QFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):45A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):40ミリオーム @ 22.5A、10V・Id印加時の
    648.62 税込¥713.48
  • STP36NF06L
    STマイクロエレクトロニクス
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:STripFET™ II・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):40ミリオーム @ 15A、10V
    381.43 税込¥419.57
  • IAUC41N06S5N102ATMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 5・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):47A(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):7V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):10.2ミリオーム @
    262.86 税込¥289.14
  • TK70D06J1(Q)
    東芝
    売り切れ
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):70A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):6.4ミリオーム @ 35A、10V・Id印加時のV
  • IRF640
    STマイクロエレクトロニクス
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    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:MESH OVERLAY™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):18A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 9A、10V・
    101.37 税込¥111.50
  • PJMB125N60FRC_R2_00201
    PANJIT
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgs(最大)
    1,183.57 税込¥1,301.92
  • IPD50R380CEAUMA1
    インフィニオン
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    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:CoolMOS™ CE・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):14.1A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):13V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):380ミリオーム @
    59.36 税込¥65.29
  • IPD50R380CEAUMA1
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:CoolMOS™ CE・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):14.1A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):13V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):380ミリオーム @
    294.29 税込¥323.71
  • IRFP9140PBF
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):21A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):200ミリオーム @ 13A、10V・Id印加時のVgs(t
    1,080.83 税込¥1,188.91
  • FDS4672A
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:PowerTrench®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):11A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):13ミリオーム @ 11A
    305.72 税込¥336.29
  • IAUCN04S7N004ATMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ 7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):175A・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):7V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):0.44ミリオーム @ 88A、
    687.50 税込¥756.25
  • STP55NF06L
    STマイクロエレクトロニクス
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:STripFET™ II・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):55A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):18ミリオーム @ 27.5A、1
    398.58 税込¥438.43
  • FDS3590
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:PowerTrench®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):39ミリオーム @
    302.86 税込¥333.14
  • SIJ186DP-T1-GE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET® Gen IV・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):23A(Ta)、79.4A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On
    218.58 税込¥240.43
  • FDC637BNZ
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:PowerTrench®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):24ミリオーム
    125.72 税込¥138.29
  • FDS8840NZ
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:PowerTrench®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):18.6A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4.5ミリオー
    274.29 税込¥301.71
  • FDC8878
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:PowerTrench®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8A(Ta)、8A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):16ミ
    164.29 税込¥180.71
  • NTGS3446T1G
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):45ミリオーム @ 5.1A、4.5
    110.00 税込¥121.00
  • TK18A30D,S5X
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):300 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):18A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):139ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時のVgs(th
    531.43 税込¥584.57
  • TSM9N90ECI C0G
    Taiwan Semiconductor
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    最小4,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):900 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.4オーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs(th)
    231.89 税込¥255.07
  • SI2301HE3-TP
    MCC (Micro Commercial Components)
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):100ミリオーム @ 2.4A、4.5V・I
    100.00 税込¥110.00
  • SI2302CDS-T1-E3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.6A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):57ミリオーム
    92.86 税込¥102.14
  • IAUCN04S7L028ATMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ 7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100A・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大)
    145.72 税込¥160.29
  • IAUCN04S7L028ATMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100A・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大
    145.72 税込¥160.29
  • IAUCN04S7L028ATMA1
    インフィニオン
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    最小5,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™ 7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100A・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大
    57.87 税込¥63.65
  • FDS6680A
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:PowerTrench®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):12.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9.5ミリオー
    215.72 税込¥237.29
  • FDS3580
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:PowerTrench®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7.6A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):29ミリオーム @
    268.58 税込¥295.43
  • IPB042N10N3GATMA1
    インフィニオン
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    最小1,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4.2ミリオーム @ 5
    130.81 税込¥143.89
  • STP36NF06
    STマイクロエレクトロニクス
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    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:STripFET™ II・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):40ミリオーム @ 15A、10V・Id
    72.25 税込¥79.47
  • PXN011-100QSJ
    NEXPERIA
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    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):56A・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加
    40.25 税込¥44.27
  • PXN011-100QSJ
    NEXPERIA
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):56A・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時
    218.58 税込¥240.43
  • STD9N60M2
    STマイクロエレクトロニクス
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:MDmesh™ II Plus・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):780ミリオーム
    314.29 税込¥345.71
  • NTR4101PT1G
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.8A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 1.6A、4.5
    80.00 税込¥88.00
  • SQM40020EL_GE3
    VISHAY
    売り切れ
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:TrenchFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.2ミリオーム
  • IPB50R140CPATMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:CoolMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):550 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):23A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):140ミリオーム @ 14A、10
    975.35 税込¥1,072.88
  • NTLJS5D0N03CTAG
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):11.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4.38ミリオーム @ 10A、1
    184.29 税込¥202.71
  • IMCQ120R007M2HXTMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:CoolSiC™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):257A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7.5ミリオーム @
    6,698.86 税込¥7,368.74
  • FQP27P06
    UMW
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:*・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgs(最大):-・Vds印
    362.86 税込¥399.14
  • RUM002N02T2L
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.2V、2.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.2オーム @ 200mA、2.
    71.43 税込¥78.57
  • IRLU3410PBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):105ミリオーム @ 10A、10V・Id
    302.86 税込¥333.14
  • IMZA120R007M1HXKSA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolSiC™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):225A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9.9ミリオーム @ 108A、1
    8,565.52 税込¥9,422.07
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