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トランジスタ - FET、MOSFET - シングルの定格表 該当製品数: 66,003 / 66,003 件

定格表の使い方
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ソート
全 4,000 件中 1 ～ 100 件目
写真 型番 メーカー データシート BOMに追加 品質ランク 単価 (税抜) 単価 (税込) カートに追加 在庫数量 最少購入数 納期 パッケージ シリーズ FETタイプ 技術 ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） Id、Vgs印加時のRds On（最大） Id印加時のVgs（th）（最大） Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） Vgsでのゲートチャージ（Qg）（最大）に結合された電圧 Vgs（最大） Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） Vdsでの入力静電容量（Ciss）（最大）に結合された電圧 FET機能 電力散逸（最大） 動作温度 グレード 認定 取り付けタイプ
C3M0021120K C3M0021120K Wolfspeed データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥5,375.87 /個
1個以上 ￥5,913.45 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ C3M™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 100A（Tc） 15V 28.8ミリオーム @ 50A、15V 3.6V @ 17.7mA 162 nC @ 15 V +15V、-4V 4818 pF @ 1000 V - 469W（Tc） -40°C～175°C（TJ） - - スルーホール TO-247-4L TO-247-4
C3M0160120K1 C3M0160120K1 Wolfspeed データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥1,735.72 /個
1個以上 ￥1,909.29 /個
 ★ 確認する 確認する バルク - Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 17.9A（Tc） 15V 208ミリオーム @ 8.5A、15V 3.8V @ 2.33mA 32 nC @ 15 V +19V、-8V 730 pF @ 1000 V - 103W（Tc） -40°C～175°C（TJ） - - スルーホール TO-247-4L TO-247-4
NSF080120L3A0Q NSF080120L3A0Q NEXPERIA データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥1,609.64 /個
1個以上 ￥1,770.60 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ - Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 35A（Tc） 15V、18V 120ミリオーム @ 20A、15V 2.9V @ 2mA 52 nC @ 15 V +22V、-10V 1335 pF @ 800 V - 183W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - スルーホール TO-247-3L TO-247-3
IAUT260N10S5N019ATMA1 IAUT260N10S5N019ATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥1,197.27 /個
1個以上 ￥1,316.99 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100 V 260A（Tc） 6V、10V 1.9ミリオーム @ 100A、10V 3.8V @ 210µA 166 nC @ 10 V ±20V 11830 pF @ 50 V - 300W（Tc） -55°C～175°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 面実装 PG-HSOF-8-1 8-PowerSFN
SCT3080KLHRC11 SCT3080KLHRC11 ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥4,164.71 /個
1個以上 ￥4,581.18 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ - Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 31A（Tc） 18V 104ミリオーム @ 10A、18V 5.6V @ 5mA 60 nC @ 18 V +22V、-4V 785 pF @ 800 V - 165W 175°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 スルーホール TO-247N TO-247-3
SIDR626LEP-T1-RE3 SIDR626LEP-T1-RE3 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥961.65 /個
1個以上 ￥1,057.81 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） TrenchFET® Gen IV Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 48.7A（Ta）、218A（Tc） 4.5V、10V 1.5ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±20V 5900 pF @ 30 V - 7.5W（Ta）、150W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - 面実装 PowerPAK® SO-8DC PowerPAK® SO-8
VS-FC420SA10 VS-FC420SA10 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥4,707.06 /個
1個以上 ￥5,177.76 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100 V 435A（Tc） 10V 2.15ミリオーム @ 200A、10V 3.8V @ 750µA 375 nC @ 10 V ±20V 17300 pF @ 25 V - 652W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - シャーシマウント SOT-227 SOT-227-4、miniBLOC
C3M0075120K C3M0075120K Wolfspeed データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥2,590.59 /個
1個以上 ￥2,849.64 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ C3M™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 30A（Tc） 15V 90ミリオーム @ 20A、15V 4V @ 5mA 51 nC @ 15 V +19V、-8V 1350 pF @ 1000 V - 113.6W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - スルーホール TO-247-4L TO-247-4
TK5R3A06PL,S4X TK5R3A06PL,S4X 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥488.58 /個
1個以上 ￥537.43 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 56A（Tc） 4.5V、10V 5.3ミリオーム @ 28A、10V 2.5V @ 300µA 36 nC @ 10 V ±20V 2380 pF @ 30 V - 36W（Tc） 175°C - - スルーホール TO-220SIS TO-220-3フルパッッケージ
IMZA65R015M2HXKSA1 IMZA65R015M2HXKSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥3,142.36 /個
1個以上 ￥3,456.59 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650 V 103A（Tc） 15V、20V 13.2ミリオーム @ 64.2A、20V 5.6V @ 13mA 79 nC @ 18 V +23V、-7V 2792 pF @ 400 V - 341W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - スルーホール PG-TO247-4-8 TO-247-4
IRFP9240PBF IRFP9240PBF VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥1,230.14 /個
1個以上 ￥1,353.15 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 200 V 12A（Tc） 10V 500ミリオーム @ 7.2A、10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 150W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - スルーホール TO-247AC TO-247-3
IRFP240PBF IRFP240PBF VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥1,186.31 /個
1個以上 ￥1,304.94 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 200 V 20A（Tc） 10V 180ミリオーム @ 12A、10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 150W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - スルーホール TO-247AC TO-247-3
IRFP260NPBF IRFP260NPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥1,075.35 /個
1個以上 ￥1,182.88 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 200 V 50A（Tc） 10V 40ミリオーム @ 28A、10V 4V @ 250µA 234 nC @ 10 V ±20V 4057 pF @ 25 V - 300W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - スルーホール TO-247AC TO-247-3
BSZ100N06LS3GATMA1 BSZ100N06LS3GATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥371.43 /個
1個以上 ￥408.57 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 11A（Ta）、20A（Tc） 4.5V、10V 10ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 23µA 45 nC @ 10 V ±20V 3500 pF @ 30 V - 2.1W（Ta）、50W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 PG-TSDSON-8 8-PowerVDFN
SI2314EDS-T1-E3 SI2314EDS-T1-E3 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥277.15 /個
1個以上 ￥304.86 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） TrenchFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 3.77A（Ta） 1.8V、4.5V 33ミリオーム @ 5A、4.5V 950mV @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±12V - - 750mW（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23-3（TO-236） TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
TPCC8105,L1Q TPCC8105,L1Q 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥277.15 /個
1個以上 ￥304.86 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） U-MOSVI Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 30 V 23A（Ta） 4.5V、10V 7.8ミリオーム @ 11.5A、10V 2V @ 500µA 76 nC @ 10 V +20V、-25V 3240 pF @ 10 V - 700mW（Ta）、30W（Tc） 150°C - - 面実装 8-TSON Advance（3.3x3.3） 8-VDFN露出パッド
XPH4R714MC,L1XHQ XPH4R714MC,L1XHQ 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥442.86 /個
1個以上 ￥487.14 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） U-MOSVI Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 60A（Ta） 4.5V、10V 4.7ミリオーム @ 30A、10V 2.1V @ 1mA 160 nC @ 10 V +10V、-20V 5640 pF @ 10 V - 960mW（Ta）、132W（Tc） 175°C 自動車 AEC-Q101 面実装 8-SOP Advance（5x5） 8-PowerVDFN
EPC2306 EPC2306 EPC データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥1,120.55 /個
1個以上 ￥1,232.60 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 100 V 48A（Ta） 5V 3.8ミリオーム @ 25A、5V 2.5V @ 7mA 16.3 nC @ 5 V +6V、-4V 2366 pF @ 50 V - - -40°C～150°C（TJ） - - 面実装 7-QFN（3x5） 7-PowerWQFN
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥201.43 /個
1個以上 ￥221.57 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 34 V 12A（Ta）、44A（Tc） 4.5V、10V 9.2ミリオーム @ 20A、10V 2V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 1110 pF @ 15 V - 2.5W（Ta）、27W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 PG-TDSON-8-5 8-PowerTDFN
XP161A1355PR-G XP161A1355PR-G Torex Semiconductor Ltd データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥238.58 /個
1個以上 ￥262.43 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 4A（Ta） 1.5V、4.5V 50ミリオーム @ 2A、4.5V - - ±8V 390 pF @ 10 V - 2W（Ta） 150°C（TJ） - - 面実装 SOT-89 TO-243AA
IRF540ZPBF IRF540ZPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥387.15 /個
1個以上 ￥425.86 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100 V 36A（Tc） 10V 26.5ミリオーム @ 22A、10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1770 pF @ 25 V - 92W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
TK15S04N1L,LQ TK15S04N1L,LQ 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥500.00 /個
1個以上 ￥550.00 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） U-MOSVIII-H Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 15A（Ta） 4.5V、10V 17.8ミリオーム @ 7.5A、10V 2.5V @ 100µA 10 nC @ 10 V ±20V 610 pF @ 10 V - 46W（Tc） 175°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 面実装 DPAK+ TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
RU1C002UNTCL RU1C002UNTCL ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥72.86 /個
1個以上 ￥80.14 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 200mA（Ta） 1.2V、2.5V 1.2オーム @ 200mA、2.5V 1V @ 1mA - ±8V 25 pF @ 10 V - 150mW（Ta） 150°C（TJ） - - 面実装 UMT3F SC-85
AON7400A AON7400A Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥154.29 /個
1個以上 ￥169.71 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 30 V 15A（Ta）、40A（Tc） 4.5V、10V 7.5ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V 1380 pF @ 15 V - 3.1W（Ta）、25W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 8-DFN-EP（3x3） 8-PowerVDFN
SI4825DDY-T1-GE3 SI4825DDY-T1-GE3 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥332.86 /個
1個以上 ￥366.14 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） TrenchFET® Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 30 V 14.9A（Tc） 4.5V、10V 12.5ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±25V 2550 pF @ 15 V - 2.7W（Ta）、5W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 8-SOIC 8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥387.15 /個
1個以上 ￥425.86 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 30 V 161A（Tc） 4.5V、10V 3.3ミリオーム @ 15A、10V 2.3V @ 250µA 50 nC @ 4.5 V ±20V 4380 pF @ 15 V - 140W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - 面実装 TO-252AA (DPAK) TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
AO3416 AO3416 Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥114.29 /個
1個以上 ￥125.71 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 6.5A（Ta） 1.8V、4.5V 22ミリオーム @ 6.5A、4.5V 1V @ 250µA 16 nC @ 4.5 V ±8V 1160 pF @ 10 V - 1.4W（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23-3 3-SMD、SOT-23-3可変
EPC2367ENGRT EPC2367ENGRT EPC データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥1,366.67 /個
1個以上 ￥1,503.33 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） eGaN® Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 100 V 78A（Tj） 5V 1.2ミリオーム @ 30A、5V 2.5V @ 10mA 17 nC @ 5 V +6V、-4V 2170 pF @ 50 V - - -40°C～150°C（TJ） - - 面実装、濡れ性フランク 5-QFN（3.3x3.3） 5-PowerWQFN
SCT3080ALHRC11 SCT3080ALHRC11 ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥2,696.48 /個
1個以上 ￥2,966.12 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ - Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650 V 30A（Tc） 18V 104ミリオーム @ 10A、18V 5.6V @ 5mA 48 nC @ 18 V +22V、-4V 571 pF @ 500 V - 134W 175°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 スルーホール TO-247N TO-247-3
IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥408.58 /個
1個以上 ￥449.43 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 55 V 47A（Tc） 4V、10V 22ミリオーム @ 25A、10V 2V @ 250µA 48 nC @ 5 V ±16V 1700 pF @ 25 V - 3.8W（Ta）、110W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥120.00 /個
1個以上 ￥132.00 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） TrenchFET® Gen IV Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 2.6A（Tc） 4.5V、10V 144ミリオーム @ 1.9A、10V 3V @ 250µA 4 nC @ 10 V ±20V 105 pF @ 30 V - 1.6W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23-3（TO-236） TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
TP0604N3-G TP0604N3-G Microchip データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥397.15 /個
1個以上 ￥436.86 /個
 ★ 確認する 確認する バッグ - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 430mA（Tj） 5V、10V 2オーム @ 1A、10V 2.4V @ 1mA - ±20V 150 pF @ 20 V - 740mW（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - スルーホール TO-92-3 TO-226-3、TO-92-3標準本体（TO-226AA）
FCPF20N60 FCPF20N60 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥1,283.34 /個
1個以上 ￥1,411.67 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ SuperFET™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600 V 20A（Tc） 10V 190ミリオーム @ 10A、10V 5V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±30V 3080 pF @ 25 V - 39W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - スルーホール TO-220F-3 TO-220-3フルパッッケージ
AO3400A AO3400A UMW データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥41.43 /個
1個以上 ￥45.57 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） UMW Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 30 V 5.8A（Ta） 2.5V、10V 28ミリオーム @ 5.8A、10V 1.4V @ 250µA 12 nC @ 4.5 V ±12V 1050 pF @ 15 V - 1.4W（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥769.45 /個
1個以上 ￥846.39 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100 V 120A（Tc） 10V 6ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V ±20V 6860 pF @ 50 V - 250W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
NDS355AN NDS355AN オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥188.58 /個
1個以上 ￥207.43 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 30 V 1.7A（Ta） 4.5V、10V 85ミリオーム @ 1.9A、10V 2V @ 250µA 5 nC @ 5 V ±20V 195 pF @ 15 V - 500mW（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
RJK0354DSP-00#J0 RJK0354DSP-00#J0 ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT) データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥487.15 /個
1個以上 ￥535.86 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 30 V 16A（Ta） 4.5V、10V 7ミリオーム @ 8A、10V - 12 nC @ 4.5 V ±20V 1740 pF @ 10 V - 2W（Ta） 150°C（TJ） - - 面実装 8-SOP 8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥95.72 /個
1個以上 ￥105.29 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） HEXFET® Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 3.7A（Ta） 2.5V、4.5V 65ミリオーム @ 3.7A、4.5V 1.2V @ 250µA 12 nC @ 5 V ±12V 633 pF @ 10 V - 1.3W（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 Micro3™/SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
TN0106N3-G TN0106N3-G Microchip データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥242.86 /個
1個以上 ￥267.14 /個
 ★ 確認する 確認する バッグ - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 350mA（Tj） 4.5V、10V 3オーム @ 500mA、10V 2V @ 500µA - ±20V 60 pF @ 25 V - 1W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - スルーホール TO-92-3 TO-226-3、TO-92-3標準本体（TO-226AA）
RSQ015P10HZGTR RSQ015P10HZGTR ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥275.72 /個
1個以上 ￥303.29 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100 V 1.5A（Ta） 4V、10V 470ミリオーム @ 1.5A、10V 2.5V @ 1mA 17 nC @ 5 V ±20V 950 pF @ 25 V - 950mW（Ta） 150°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 面実装 TSMT6（SC-95） SOT-23-6薄型、TSOT-23-6
TK7S10N1Z,LXHQ TK7S10N1Z,LXHQ 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥322.86 /個
1個以上 ￥355.14 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） U-MOSVIII-H Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100 V 7A（Ta） 10V 48ミリオーム @ 3.5A、10V 4V @ 100µA 7.1 nC @ 10 V ±20V 470 pF @ 10 V - 50W（Tc） 175°C 自動車 AEC-Q101 面実装 DPAK+ TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
FDS9435A FDS9435A UMW データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥125.72 /個
1個以上 ￥138.29 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） * - - - - - - - - - - - - - - - - -
AO3415A AO3415A UMW データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥45.72 /個
1個以上 ￥50.29 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） UMW Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 4A（Ta） 2.5V、4.5V 36ミリオーム @ 4A、4.5V 1V @ 250µA 17.2 nC @ 4.5 V ±8V 1450 pF @ 10 V - 350mW（Ta） 150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SSM3K339R,LF SSM3K339R,LF 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥84.29 /個
1個以上 ￥92.71 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） U-MOSVII-H Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 2A（Ta） 1.8V、8V 185ミリオーム @ 1A、8V 1.2V @ 1mA 1.1 nC @ 4.2 V ±12V 130 pF @ 10 V - 1W（Ta） 150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23F SOT-23-3フラットリード
IRF9Z10PBF IRF9Z10PBF VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥498.58 /個
1個以上 ￥548.43 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 6.7A（Tc） 10V 500ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 43W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
AOSS32136C AOSS32136C Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥107.15 /個
1個以上 ￥117.86 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 6.5A（Ta） 2.5V、4.5V 20ミリオーム @ 6.5A、4.5V 1.25V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±12V 660 pF @ 10 V - 1.3W（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23-3 3-SMD、SOT-23-3可変
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Microchip データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥155.72 /個
1個以上 ￥171.29 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル、デプレッションモード MOSFET（金属酸化物） 500 V 30mA（Tj） 0V 1000オーム @ 500µA、0V - - ±20V 10 pF @ 25 V - 740mW（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - スルーホール TO-92-3 TO-226-3、TO-92-3標準本体（TO-226AA）
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03_L2_00001 PANJIT データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥195.72 /個
1個以上 ￥215.29 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 30 V 8.4A（Ta）、35A（Tc） 4.5V、10V 19ミリオーム @ 8A、10V 2.5V @ 250µA 11 nC @ 4.5 V ±20V 1169 pF @ 15 V - 2W（Ta）、35W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 TO-252AA TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥310.00 /個
1個以上 ￥341.00 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ HEXFET® Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 55 V 19A（Tc） 10V 100ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 25 V - 68W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
RD3P06BBLHRBTL RD3P06BBLHRBTL ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥500.00 /個
1個以上 ￥550.00 /個
 ★ 確認する 確認する Digi-Reel® - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100 V 57A（Tc） 6V、10V 16.8ミリオーム @ 57A、10V 4V @ 2.9mA 17.3 nC @ 10 V ±20V 1110 pF @ 50 V - 76W（Tc） -55°C～175°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 面実装 TO-252 TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
IRF830PBF-BE3 IRF830PBF-BE3 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥558.34 /個
1個以上 ￥614.17 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 500 V 4.5A（Tc） 10V 1.5オーム @ 2.7A、10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 610 pF @ 25 V - 74W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
DMP2123L-7 DMP2123L-7 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥131.43 /個
1個以上 ￥144.57 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 3A（Ta） 2.5V、4.5V 72ミリオーム @ 3.5A、4.5V 1.25V @ 250µA 7.3 nC @ 4.5 V ±12V 443 pF @ 16 V - 1.4W（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
2N7002 2N7002 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥135.72 /個
1個以上 ￥149.29 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 115mA（Ta） 5V、10V 7.5オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA - ±20V 50 pF @ 25 V - 200mW（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ZVN4206GTA ZVN4206GTA Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥347.15 /個
1個以上 ￥381.86 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 1A（Ta） 5V、10V 1オーム @ 1.5A、10V 3V @ 1mA - ±20V 100 pF @ 25 V - 2W（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 SOT-223-3 TO-261-4、TO-261AA
DMG2301L-13 DMG2301L-13 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥60.00 /個
1個以上 ￥66.00 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 3A（Ta） 2.5V、4.5V 120ミリオーム @ 2.8A、4.5V 1.2V @ 250µA 5.5 nC @ 4.5 V ±8V 476 pF @ 10 V - 1.5W（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
AO3415A AO3415A Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥110.00 /個
1個以上 ￥121.00 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 5A（Ta） 1.5V、4.5V 45ミリオーム @ 4A、4.5V 900mV @ 250µA 11 nC @ 4.5 V ±8V 940 pF @ 10 V - 1.5W（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23-3 3-SMD、SOT-23-3可変
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥238.58 /個
1個以上 ￥262.43 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 55 V 17A（Tc） 10V 70ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 370 pF @ 25 V - 45W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
BSS138 BSS138 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥64.29 /個
1個以上 ￥70.71 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 50 V 170mA 4.5V、10V 3オーム @ 500mA、10V 1.6V @ 250µA 2.4 nC @ 10 V ±20V 27 pF @ 25 V - 350mW（Ta） -55°C～155°C（TJ） - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
AO3401A AO3401A Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥105.72 /個
1個以上 ￥116.29 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 30 V 4A（Ta） 2.5V、10V 44ミリオーム @ 4.3A、10V 1.3V @ 250µA 12.2 nC @ 4.5 V ±12V 1200 pF @ 15 V - 1.4W（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23-3 3-SMD、SOT-23-3可変
RU1J002YNTCL RU1J002YNTCL ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥50.00 /個
1個以上 ￥55.00 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 50 V 200mA（Ta） 0.9V、4.5V 2.2オーム @ 200mA、4.5V 800mV @ 1mA - ±8V 26 pF @ 10 V - 150mW（Ta） 150°C（TJ） - - 面実装 UMT3F SC-85
AO3400A AO3400A Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥105.72 /個
1個以上 ￥116.29 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 30 V 5.7A（Ta） 2.5V、10V 26.5ミリオーム @ 5.7A、10V 1.5V @ 250µA 7 nC @ 4.5 V ±12V 630 pF @ 15 V - 1.4W（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23-3 3-SMD、SOT-23-3可変
DMG2305UX-7 DMG2305UX-7 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥68.58 /個
1個以上 ￥75.43 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 4.2A（Ta） 1.8V、4.5V 52ミリオーム @ 4.2A、4.5V 900mV @ 250µA 10.2 nC @ 4.5 V ±8V 808 pF @ 15 V - 1.4W（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ISS55EP06LMXTSA1 ISS55EP06LMXTSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥55.72 /個
1個以上 ￥61.29 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） OptiMOS™ Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 180mA（Ta） 4.5V、10V 5.5オーム @ 180mA、10V 2V @ 11µA 0.59 nC @ 10 V ±20V 18 pF @ 30 V - 400mW（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 PG-SOT23-3-5 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
BSS84 BSS84 Good-Ark Semiconductor データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥22.86 /個
1個以上 ￥25.14 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 50 V 130mA（Ta） 5V、10V 10オーム @ 100mA、5V 2V @ 250µA - ±20V 30 pF @ 5 V - 225mW 150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
2N7002 2N7002 - データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥22.86 /個
1個以上 ￥25.14 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 115mA 5V、10V 7.5オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA - ±20V 50 pF @ 25 V - 225mW 150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥61.43 /個
1個以上 ￥67.57 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 200mA（Ta） 4.5V、10V 5オーム @ 500mA、10V 3V @ 1mA - ±20V 60 pF @ 25 V - 350mW（Ta） 150°C（TJ） - - スルーホール TO-92 TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形リード
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥140.00 /個
1個以上 ￥154.00 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） TrenchFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 2.9A（Tj） 2.5V、4.5V 57ミリオーム @ 3.6A、4.5V 850mV @ 250µA 5.5 nC @ 4.5 V ±8V - - 710mW（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23-3（TO-236） TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ISC052N03LF2SATMA1 ISC052N03LF2SATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥114.29 /個
1個以上 ￥125.71 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） StrongIRFET™ 2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 30 V 18A（Ta）、74A（Tc） 4.5V、10V 5.2ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 30µA 23 nC @ 10 V ±20V 1000 pF @ 15 V - 3W（Ta）、52W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - 面実装 PG-TDSON-8-62 8-PowerTDFN
IMZA75R016M1HXKSA1 IMZA75R016M1HXKSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥3,581.18 /個
1個以上 ￥3,939.29 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 89A（Tj） 15V、20V 15ミリオーム @ 41.5A、20V 5.6V @ 14.9mA 81 nC @ 18 V +23V、-5V 2869 pF @ 500 V - 319W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - スルーホール PG-TO247-4 TO-247-4
2V7002LT1G 2V7002LT1G オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥68.58 /個
1個以上 ￥75.43 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 115mA（Tc） 5V、10V 7.5オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA - ±20V 50 pF @ 25 V - 225mW（Ta） -55°C～150°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 面実装 SOT-23-3（TO-236） TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
AO4425 AO4425 Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥401.43 /個
1個以上 ￥441.57 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 38 V 14A（Ta） 10V、20V 10ミリオーム @ 14A、20V 3.5V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±25V 3800 pF @ 20 V - 3.1W（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 8-SOIC 8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）
IAUCN08S7N013ATMA1 IAUCN08S7N013ATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥952.78 /個
1個以上 ￥1,048.05 /個
 ★ 確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ 7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 80 V 274A（Tj） 7V、10V 1.3ミリオーム @ 88A、10V 3.2V @ 130µA 116 nC @ 10 V ±20V 8402 pF @ 40 V - 219W（Tc） -55°C～175°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 面実装 PG-TDSON-8-53 8-PowerTDFN
IAUCN08S7N013ATMA1 IAUCN08S7N013ATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥952.78 /個
1個以上 ￥1,048.05 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） OptiMOS™ 7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 80 V 274A（Tj） 7V、10V 1.3ミリオーム @ 88A、10V 3.2V @ 130µA 116 nC @ 10 V ±20V 8402 pF @ 40 V - 219W（Tc） -55°C～175°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 面実装 PG-TDSON-8-53 8-PowerTDFN
TQM2N7002KCX RFG TQM2N7002KCX RFG Taiwan Semiconductor データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥61.43 /個
1個以上 ￥67.57 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 370mA（Ta） 4.5V、10V 1.6オーム @ 370mA、10V 2.5V @ 250µA 1.7 nC @ 10 V ±20V 27.5 pF @ 30 V - 416mW（Ta） -55°C～150°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 面実装 SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ISC037N13NM6ATMA1 ISC037N13NM6ATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥1,124.66 /個
1個以上 ￥1,237.12 /個
 ★ 確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 135 V 19A（Ta）、172A（Tc） 8V、15V 3.5ミリオーム @ 50A、15V 3.5V @ 140µA 107 nC @ 10 V ±20V 7300 pF @ 68 V - 3W（Ta）、250W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - 面実装 PG-TSON-8-3 8-PowerTDFN
IMW120R014M1HXKSA1 IMW120R014M1HXKSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥4,977.65 /個
1個以上 ￥5,475.41 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 127A（Tc） 15V、18V 18.4ミリオーム @ 54.3A、18V 5.2V @ 23.4mA 145 nC @ 18 V +20V、-5V 4580 pF @ 800 V - 455W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - スルーホール PG-TO247-3 TO-247-3
RH6N040BHTB1 RH6N040BHTB1 ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥525.72 /個
1個以上 ￥578.29 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 80 V 65A（Ta）、40A（Tc） 6V、10V 8.3ミリオーム @ 40A、10V 4V @ 1mA 23 nC @ 10 V ±20V 1530 pF @ 40 V - 2W（Ta）、59W（Tc） 150°C（TJ） - - 面実装 8-HSMT（3.2x3） 8-PowerVDFN
NVJS4151PT1G NVJS4151PT1G オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
3000個以上 ￥36.92 /個
3000個以上 ￥40.61 /個
 ★ 確認する 3,000 個 確認する テープ＆リール（TR） - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 3.2A（Ta） 1.5V、4.5V 67ミリオーム @ 2.9A、4.5V 1.2V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±12V 850 pF @ 10 V - 1.2W（Ta） -55°C～150°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 面実装 SC-88/SC70-6/SOT-363 6-TSSOP、SC-88、SOT-363
IRF520 IRF520 STマイクロエレクトロニクス データシート BOMに追加 A(DigiKey)
2000個以上 ￥76.53 /個
2000個以上 ￥84.18 /個
 ★ 確認する 2,000 個 確認する チューブ STripFET™ II Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100 V 10A（Tc） 10V 270ミリオーム @ 7A、10V 4V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V 460 pF @ 25 V - 60W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - スルーホール TO-220 TO-220-3
DMP3098LQ-7 DMP3098LQ-7 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥117.15 /個
1個以上 ￥128.86 /個
 ★ 確認する 確認する Digi-Reel® - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 30 V 3.8A（Ta） 4.5V、10V 70ミリオーム @ 3.8A、10V 2.1V @ 250µA 8 nC @ 4.5 V ±20V 1008 pF @ 25 V - 1.08W（Ta） -55°C～150°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
DMP3098LQ-7 DMP3098LQ-7 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥117.15 /個
1個以上 ￥128.86 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 30 V 3.8A（Ta） 4.5V、10V 70ミリオーム @ 3.8A、10V 2.1V @ 250µA 8 nC @ 4.5 V ±20V 1008 pF @ 25 V - 1.08W（Ta） -55°C～150°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SQ2389CES-T1_GE3 SQ2389CES-T1_GE3 VISHAY BOMに追加 A(DigiKey)
3000個以上 ￥23.27 /個
3000個以上 ￥25.59 /個
 ★ 確認する 3,000 個 確認する テープ＆リール（TR） TrenchFET® Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 4.1A（Tc） 4.5V、10V 94ミリオーム @ 3A、10V 2.5V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 455 pF @ 20 V - 3W（Tc） -55°C～175°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 面実装 SOT-23-3（TO-236） TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
FDN5618P FDN5618P オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥155.72 /個
1個以上 ￥171.29 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） PowerTrench® Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 1.25A（Ta） 4.5V、10V 170ミリオーム @ 1.25A、10V 3V @ 250µA 13.8 nC @ 10 V ±20V 430 pF @ 30 V - 500mW（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SI2314EDS-T1-E3 SI2314EDS-T1-E3 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥277.15 /個
1個以上 ￥304.86 /個
 ★ 確認する 確認する Digi-Reel® TrenchFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 3.77A（Ta） 1.8V、4.5V 33ミリオーム @ 5A、4.5V 950mV @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±12V - - 750mW（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23-3（TO-236） TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
VN2106N3-G VN2106N3-G Microchip データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥114.29 /個
1個以上 ￥125.71 /個
 ★ 確認する 確認する バッグ - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 300mA（Tj） 5V、10V 4オーム @ 500mA、10V 2.4V @ 1mA - ±20V 50 pF @ 25 V - 1W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - スルーホール TO-92-3 TO-226-3、TO-92-3標準本体（TO-226AA）
IGLT65R035D2ATMA1 IGLT65R035D2ATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥1,889.42 /個
1個以上 ￥2,078.36 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） CoolGaN™ Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 650 V 47A（Tc） - - 1.6V @ 4.2mA 7.7 nC @ 3 V -10V 540 pF @ 400 V - 154W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 PG-HDSOP-16-8 16-PowerSOPモジュール
RK7002BMT116 RK7002BMT116 ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥41.43 /個
1個以上 ￥45.57 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 250mA（Ta） 2.5V、10V 2.4オーム @ 250mA、10V 2.3V @ 1mA - ±20V 15 pF @ 25 V - 200mW（Ta） 150°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 面実装 SST3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SCT3080KLGC11 SCT3080KLGC11 ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥3,740.00 /個
1個以上 ￥4,114.00 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ - Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 31A（Tc） 18V 104ミリオーム @ 10A、18V 5.6V @ 5mA 60 nC @ 18 V +22V、-4V 785 pF @ 800 V - 165W（Tc） 175°C（TJ） - - スルーホール TO-247N TO-247-3
RQ5L030ATTCL RQ5L030ATTCL ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥195.72 /個
1個以上 ￥215.29 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 3A（Ta） 4.5V、10V 99ミリオーム @ 3A、10V 2.5V @ 1mA 17.2 nC @ 10 V ±20V 800 pF @ 30 V - 700mW（Ta） 150°C（TJ） - - 面実装 TSMT3 SC-96
NX3008NBKW,115 NX3008NBKW,115 NEXPERIA データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥48.58 /個
1個以上 ￥53.43 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） TrenchMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 30 V 350mA（Ta） 1.8V、4.5V 1.4オーム @ 350mA、4.5V 1.1V @ 250µA 0.68 nC @ 4.5 V ±8V 50 pF @ 15 V - 260mW（Ta）、830mW（Tc） -55°C～150°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 面実装 SOT-323 SC-70、SOT-323
TPN11006PL,LQ TPN11006PL,LQ 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥284.29 /個
1個以上 ￥312.71 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） U-MOSIX-H Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 26A（Tc） 4.5V、10V 11.4ミリオーム @ 13A、10V 2.5V @ 200µA 17 nC @ 10 V ±20V 1625 pF @ 30 V - 610mW（Ta）、61W（Tc） 175°C - - 面実装 8-TSON Advance（3.1x3.1） 8-PowerVDFN
IRF630B_FP001 IRF630B_FP001 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
★ 確認する 売り切れ チューブ - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 200 V 9A（Tc） 10V 400ミリオーム @ 4.5A、10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±30V 720 pF @ 25 V - 72W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - スルーホール TO-220-3 TO-220-3
IXTA120P065T IXTA120P065T IXYS データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥1,508.54 /個
1個以上 ￥1,659.39 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ TrenchP™ Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 65 V 120A（Tc） 10V 10ミリオーム @ 500mA、10V 4V @ 250µA 185 nC @ 10 V ±15V 13200 pF @ 25 V - 298W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 TO-263AA TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
2SJ598-ZK-E1-AZ 2SJ598-ZK-E1-AZ ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT) データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥348.58 /個
1個以上 ￥383.43 /個
 ★ 確認する 確認する Digi-Reel® - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 12A（Tc） 4V、10V 130ミリオーム @ 6A、10V 2.5V @ 1mA 15 nC @ 10 V ±20V 720 pF @ 10 V - 1W（Ta）、23W（Tc） 150°C - - 面実装 TO-252（MP-3ZK） TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
STP55NF06L STP55NF06L STマイクロエレクトロニクス データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥488.58 /個
1個以上 ￥537.43 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ STripFET™ II Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 55A（Tc） 5V、10V 18ミリオーム @ 27.5A、10V 1.7V @ 250µA 37 nC @ 4.5 V ±16V 1700 pF @ 25 V - 95W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - スルーホール TO-220 TO-220-3
IMW120R045M1XKSA1 IMW120R045M1XKSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥2,530.59 /個
1個以上 ￥2,783.64 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 52A（Tc） 15V 59ミリオーム @ 20A、15V 5.7V @ 10mA 52 nC @ 15 V +20V、-10V 1900 pF @ 800 V - 228W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - スルーホール PG-TO247-3-41 TO-247-3
PJMB125N60FRC_R2_00201 PJMB125N60FRC_R2_00201 PANJIT データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥1,226.03 /個
1個以上 ￥1,348.63 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - - - - - - - - - - - - - - - - - -
RQ5L015SPTL RQ5L015SPTL ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥170.00 /個
1個以上 ￥187.00 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 1.5A（Ta） 4V、10V 280ミリオーム @ 1.5A、10V 3V @ 1mA 10 nC @ 10 V ±20V 500 pF @ 10 V - 1W（Ta） 150°C（TJ） - - 面実装 TSMT3 SC-96
SSM3J168F,LXHF SSM3J168F,LXHF 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥135.72 /個
1個以上 ￥149.29 /個
 ★ 確認する 確認する Digi-Reel® U-MOSVI Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 400mA（Ta） 4V、10V 1.55オーム @ 200mA、10V 2V @ 1mA 3 nC @ 10 V +10V、-20V 82 pF @ 10 V - 600mW（Ta） 150°C 自動車 AEC-Q101 面実装 Sミニ TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
IMW120R060M1HXKSA1 IMW120R060M1HXKSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ￥1,823.53 /個
1個以上 ￥2,005.88 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 36A（Tc） 15V、18V 78ミリオーム @ 13A、18V 5.7V @ 5.6mA 31 nC @ 18 V +23V、-7V 1060 pF @ 800 V - 150W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - スルーホール PG-TO247-3-41 TO-247-3
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  • 1

    【C3M0021120K】NチャンネルSiC MOSFET(1200V/100A)

    C3M0021120K
    Wolfspeed
    確認する
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：C3M™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28.8ミリオーム @ 50A、15V・Id印加時
    ￥5,375.87 税込￥5,913.45
  • 2

    【C3M0160120K1】車載用SiC NチャンネルパワーMOSFET(1200V/10.9A)

    C3M0160120K1
    Wolfspeed
    確認する
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17.9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：208ミリオーム @ 8.5A、15V・Id印加時のVg
    ￥1,735.72 税込￥1,909.29
  • 3

    【NSF080120L3A0Q】SiC NチャンネルパワーMOSFET(1200V)

    NSF080120L3A0Q
    NEXPERIA
    確認する
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：35A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：120ミリオーム @ 20A、15V・Id印加時の
    ￥1,609.64 税込￥1,770.60
  • 4

    【IAUT260N10S5N019ATMA1】MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF

    IAUT260N10S5N019ATMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：260A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.9ミリオーム @
    ￥1,197.27 税込￥1,316.99
  • 5

    【SCT3080KLHRC11】SICFET N-CH 1200V 31A TO247N

    SCT3080KLHRC11
    ROHM
    確認する
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：31A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：104ミリオーム @ 10A、18V・Id印加時のVgs（
    ￥4,164.71 税込￥4,581.18
  • 6

    【SIDR626LEP-T1-RE3】N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET

    SIDR626LEP-T1-RE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET® Gen IV・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：48.7A（Ta）、218A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds
    ￥961.65 税込￥1,057.81
  • 7

    【VS-FC420SA10】MOSFET N-CH 100V 435A SOT227

    VS-FC420SA10
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：435A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.15ミリオーム @ 200A、10V・Id印加時のVg
    ￥4,707.06 税込￥5,177.76
  • 8

    【C3M0075120K】車載用SiC NチャンネルパワーMOSFET(1200V/30A)

    C3M0075120K
    Wolfspeed
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：C3M™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：90ミリオーム @ 20A、15V・Id印加時のVg
    ￥2,590.59 税込￥2,849.64
  • 9

    【TK5R3A06PL,S4X】X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

    TK5R3A06PL,S4X
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：56A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.3ミリオーム @ 28A、10V・Id印加時のV
    ￥488.58 税込￥537.43
  • 10

    【IMZA65R015M2HXKSA1】SILICON CARBIDE MOSFET

    IMZA65R015M2HXKSA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolSiC™ Gen 2・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：103A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：13.2ミリオーム @
    ￥3,142.36 税込￥3,456.59
  • 11

    【IRFP9240PBF】MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3

    IRFP9240PBF
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：12A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500ミリオーム @ 7.2A、10V・Id印加時のVgs（
    ￥1,230.14 税込￥1,353.15
  • 12

    【IRFP240PBF】MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3

    IRFP240PBF
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 12A、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥1,186.31 税込￥1,304.94
  • 13

    【IRFP260NPBF】MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC

    IRFP260NPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40ミリオーム @ 28A、10V・Id印加時の
    ￥1,075.35 税込￥1,182.88
  • 14

    【BSZ100N06LS3GATMA1】MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON

    BSZ100N06LS3GATMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11A（Ta）、20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10ミリ
    ￥371.43 税込￥408.57
  • 15

    【SI2314EDS-T1-E3】MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

    SI2314EDS-T1-E3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.77A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：33ミリオーム
    ￥277.15 税込￥304.86
  • 16

    【TPCC8105,L1Q】PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO

    TPCC8105,L1Q
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVI・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：23A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.8ミリオーム @ 11
    ￥277.15 税込￥304.86
  • 17

    【XPH4R714MC,L1XHQ】MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP

    XPH4R714MC,L1XHQ
    東芝
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVI・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：60A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.7ミリオーム @ 30
    ￥442.86 税込￥487.14
  • 18

    【EPC2306】TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN

    EPC2306
    EPC
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：48A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.8ミリオーム @ 25A、5V・Id印加時
    ￥1,120.55 税込￥1,232.60
  • 19

    【BSC0909NSATMA1】MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON

    BSC0909NSATMA1
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：34 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：12A（Ta）、44A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.2ミ
    ￥201.43 税込￥221.57
  • 20

    【XP161A1355PR-G】MOSFET N-CH 20V 4A SOT89

    XP161A1355PR-G
    Torex Semiconductor Ltd
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 2A、4.5V・I
    ￥238.58 税込￥262.43
  • 21

    【IRF540ZPBF】MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB

    IRF540ZPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：36A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：26.5ミリオーム @ 22A、10V・Id印加
    ￥387.15 税込￥425.86
  • 22

    【TK15S04N1L,LQ】MOSFET N-CH 40V 15A DPAK

    TK15S04N1L,LQ
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVIII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17.8ミリオーム
    ￥500.00 税込￥550.00
  • 23

    【RU1C002UNTCL】MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F

    RU1C002UNTCL
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.2V、2.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.2オーム @ 200mA、2
    ￥72.86 税込￥80.14
  • 24

    【AON7400A】MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8DFN

    AON7400A
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Ta）、40A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5ミリオーム @
    ￥154.29 税込￥169.71
  • 25

    【SI4825DDY-T1-GE3】MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO

    SI4825DDY-T1-GE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：14.9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12.5ミリオー
    ￥332.86 税込￥366.14
  • 26

    【IRLR7843TRPBF】MOSFET N-CH 30V 161A DPAK

    IRLR7843TRPBF
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：161A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.3ミリオーム @ 1
    ￥387.15 税込￥425.86
  • 27

    【AO3416】MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L

    AO3416
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 6.5A、4.
    ￥114.29 税込￥125.71
  • 28

    【EPC2367ENGRT】TRANS GAN 100V .0012OHM 5QFN

    EPC2367ENGRT
    EPC
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：eGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：78A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.2ミリオーム @ 30A、5V・I
    ￥1,366.67 税込￥1,503.33
  • 29

    【SCT3080ALHRC11】SICFET N-CH 650V 30A TO247N

    SCT3080ALHRC11
    ROHM
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：104ミリオーム @ 10A、18V・Id印加時のVgs（t
    ￥2,696.48 税込￥2,966.12
  • 30

    【IRLZ44NPBF】MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB

    IRLZ44NPBF
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：47A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    ￥408.58 税込￥449.43
  • 31

    【SI2308CDS-T1-GE3】MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3

    SI2308CDS-T1-GE3
    VISHAY
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET® Gen IV・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14
    ￥120.00 税込￥132.00
  • 32

    【TP0604N3-G】MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3

    TP0604N3-G
    Microchip
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バッグ・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：430mA（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2オーム @ 1A、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥397.15 税込￥436.86
  • 33

    【FCPF20N60】MOSFET N-CH 600V 20A TO220F

    FCPF20N60
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：190ミリオーム @ 10A、10V・Id印
    ￥1,283.34 税込￥1,411.67
  • 34

    【AO3400A】30V 5.8A 35MR@10V,5.8A 1.4W 1.4V

    AO3400A
    UMW
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：UMW・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.8A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 5.8A、1
    ￥41.43 税込￥45.57
  • 35

    【IRFB4310ZPBF】MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

    IRFB4310ZPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：120A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6ミリオーム @ 75A、10V・Id印加時の
    ￥769.45 税込￥846.39
  • 36

    【NDS355AN】MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3

    NDS355AN
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.7A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 1.9A、10V
    ￥188.58 税込￥207.43
  • 37

    【RJK0354DSP-00#J0】MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP

    RJK0354DSP-00#J0
    ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7ミリオーム @ 8A、10V・Id印
    ￥487.15 税込￥535.86
  • 38

    【IRLML6402TRPBF】MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

    IRLML6402TRPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.7A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 3
    ￥95.72 税込￥105.29
  • 39

    【TN0106N3-G】MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3

    TN0106N3-G
    Microchip
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バッグ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：350mA（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVg
    ￥242.86 税込￥267.14
  • 40

    【RSQ015P10HZGTR】MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6

    RSQ015P10HZGTR
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：470ミリオーム @ 1.5A、10V
    ￥275.72 税込￥303.29
  • 41

    【TK7S10N1Z,LXHQ】MOSFET N-CH 100V 7A DPAK

    TK7S10N1Z,LXHQ
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVIII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：48ミリオーム @ 3.5A
    ￥322.86 税込￥355.14
  • 42

    【FDS9435A】MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC

    FDS9435A
    UMW
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：*・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgsでのゲー
    ￥125.72 税込￥138.29
  • 43

    【AO3415A】20V 4A 50MR@4.5V,4A 350MW 1V@250

    AO3415A
    UMW
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：UMW・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：36ミリオーム @ 4A、4.5V
    ￥45.72 税込￥50.29
  • 44

    【SSM3K339R,LF】MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F

    SSM3K339R,LF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、8V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：185ミリオーム @ 1
    ￥84.29 税込￥92.71
  • 45

    【IRF9Z10PBF】MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB

    IRF9Z10PBF
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.7A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500ミリオーム @ 4A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥498.58 税込￥548.43
  • 46

    【AOSS32136C】MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3

    AOSS32136C
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 6.5A、4.
    ￥107.15 税込￥117.86
  • 47

    【LND150N3-G-P002】MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

    LND150N3-G-P002
    Microchip
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル、デプレッションモード・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30mA（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：0V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1000オーム @ 50
    ￥155.72 税込￥171.29
  • 48

    【PJD35P03_L2_00001】30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    PJD35P03_L2_00001
    PANJIT
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8.4A（Ta）、35A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19ミリオーム @
    ￥195.72 税込￥215.29
  • 49

    【IRF9Z34NPBF】MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB

    IRF9Z34NPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：19A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時の
    ￥310.00 税込￥341.00
  • 50

    【RD3P06BBLHRBTL】NCH 100V 57A, TO-252 (DPAK), POW [digi-reel品]

    RD3P06BBLHRBTL
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：57A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16.8ミリオーム @ 57A、10V・I
    ￥500.00 税込￥550.00
  • 51

    【IRF830PBF-BE3】MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB

    IRF830PBF-BE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @ 2.7A、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥558.34 税込￥614.17
  • 52

    【DMP2123L-7】MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3

    DMP2123L-7
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：72ミリオーム @ 3.5A、4.5V
    ￥131.43 税込￥144.57
  • 53

    【2N7002】MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C

    2N7002
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・
    ￥135.72 税込￥149.29
  • 54

    【ZVN4206GTA】MOSFET N-CH 60V 1A SOT223

    ZVN4206GTA
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1オーム @ 1.5A、10V・Id印加時の
    ￥347.15 税込￥381.86
  • 55

    【DMG2301L-13】MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

    DMG2301L-13
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：120ミリオーム @ 2.8A、4.5
    ￥60.00 税込￥66.00
  • 56

    【AO3415A】MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-3L

    AO3415A
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：45ミリオーム @ 4A、4.5V・I
    ￥110.00 税込￥121.00
  • 57

    【IRFZ24NPBF】MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB

    IRFZ24NPBF
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のV
    ￥238.58 税込￥262.43
  • 58

    【BSS138】MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3

    BSS138
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：170mA・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3オーム @ 500mA、10V・Id印加
    ￥64.29 税込￥70.71
  • 59

    【AO3401A】MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3L

    AO3401A
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：44ミリオーム @ 4.3A、10V・I
    ￥105.72 税込￥116.29
  • 60

    【RU1J002YNTCL】MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F

    RU1J002YNTCL
    ROHM
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：0.9V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.2オーム @ 200mA、4
    ￥50.00 税込￥55.00
  • 61

    【AO3400A】MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L

    AO3400A
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.7A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：26.5ミリオーム @ 5.7A、1
    ￥105.72 税込￥116.29
  • 62

    【DMG2305UX-7】MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23

    DMG2305UX-7
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.2A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：52ミリオーム @ 4.2A、4.
    ￥68.58 税込￥75.43
  • 63

    【ISS55EP06LMXTSA1】MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3

    ISS55EP06LMXTSA1
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：180mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.5オーム @ 1
    ￥55.72 税込￥61.29
  • 64

    【BSS84】MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5

    BSS84
    Good-Ark Semiconductor
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：130mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10オーム @ 100mA、5V・Id
    ￥22.86 税込￥25.14
  • 65

    【2N7002】60V 115MA 7.5@10V,500MA 225MW N

    2N7002
    -
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・Id印加
    ￥22.86 税込￥25.14
  • 66

    【2N7000】MOSFET TO-92 60V 0.2A

    2N7000
    Diotec Semiconductor
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 500mA、10V・
    ￥61.43 税込￥67.57
  • 67

    【SI2302DDS-T1-GE3】MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3

    SI2302DDS-T1-GE3
    VISHAY
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.9A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：57ミリオーム
    ￥140.00 税込￥154.00
  • 68

    【ISC052N03LF2SATMA1】ISC052N03LF2SATMA1

    ISC052N03LF2SATMA1
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：StrongIRFET™ 2・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18A（Ta）、74A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大
    ￥114.29 税込￥125.71
  • 69

    【IMZA75R016M1HXKSA1】SILICON CARBIDE MOSFET

    IMZA75R016M1HXKSA1
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：750 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：89A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：15ミリオーム @ 41.5A、20V
    ￥3,581.18 税込￥3,939.29
  • 70

    【2V7002LT1G】MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

    2V7002LT1G
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・
    ￥68.58 税込￥75.43
  • 71

    【AO4425】MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC

    AO4425
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：38 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：14A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V、20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10ミリオーム @ 14A、20V・Id
    ￥401.43 税込￥441.57
  • 72

    【IAUCN08S7N013ATMA1】MOSFET_(75V 120V( [digi-reel品]

    IAUCN08S7N013ATMA1
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    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：274A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：7V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.3ミリオーム @ 8
    ￥952.78 税込￥1,048.05
  • 73

    【IAUCN08S7N013ATMA1】MOSFET_(75V 120V(

    IAUCN08S7N013ATMA1
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：274A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：7V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.3ミリオーム @
    ￥952.78 税込￥1,048.05
  • 74

    【TQM2N7002KCX RFG】60V, 0.37A, SINGLE N-CHANNEL SMA

    TQM2N7002KCX RFG
    Taiwan Semiconductor
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：370mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 370mA、10
    ￥61.43 税込￥67.57
  • 75

    【ISC037N13NM6ATMA1】TRENCH >=100V [digi-reel品]

    ISC037N13NM6ATMA1
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    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ 6・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：135 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：19A（Ta）、172A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V、15V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.5
    ￥1,124.66 税込￥1,237.12
  • 76

    【IMW120R014M1HXKSA1】SIC DISCRETE

    IMW120R014M1HXKSA1
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：127A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18.4ミリオーム @ 54.3A
    ￥4,977.65 税込￥5,475.41
  • 77

    【RH6N040BHTB1】NCH 80V 40A, HSMT8, POWER MOSFET

    RH6N040BHTB1
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：65A（Ta）、40A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8.3ミリオーム @ 40
    ￥525.72 税込￥578.29
  • 78

    【NVJS4151PT1G】MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88

    NVJS4151PT1G
    オンセミコンダクター
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    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.2A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：67ミリオーム @ 2.9A、4.
    ￥36.92 税込￥40.61
  • 79

    【IRF520】MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB

    IRF520
    STマイクロエレクトロニクス
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    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：STripFET™ II・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：270ミリオーム @ 7A、10V・I
    ￥76.53 税込￥84.18
  • 80

    【DMP3098LQ-7】MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 [digi-reel品]

    DMP3098LQ-7
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.8A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 3.8A、10V・
    ￥117.15 税込￥128.86
  • 81

    【DMP3098LQ-7】MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3

    DMP3098LQ-7
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.8A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 3.8A、10V
    ￥117.15 税込￥128.86
  • 82

    【SQ2389CES-T1_GE3】P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF

    SQ2389CES-T1_GE3
    VISHAY
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    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：TrenchFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.1A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：94ミリオーム @
    ￥23.27 税込￥25.59
  • 83

    【FDN5618P】MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3

    FDN5618P
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.25A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：170ミリオ
    ￥155.72 税込￥171.29
  • 84

    【SI2314EDS-T1-E3】MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3 [digi-reel品]

    SI2314EDS-T1-E3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.77A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：33ミリオーム
    ￥277.15 税込￥304.86
  • 85

    【VN2106N3-G】MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3

    VN2106N3-G
    Microchip
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バッグ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（
    ￥114.29 税込￥125.71
  • 86

    【IGLT65R035D2ATMA1】IGLT65R035D2ATMA1

    IGLT65R035D2ATMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：CoolGaN™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：47A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最
    ￥1,889.42 税込￥2,078.36
  • 87

    【RK7002BMT116】MOSFET N-CH 60V 250MA SST3

    RK7002BMT116
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4オーム @ 250mA、10
    ￥41.43 税込￥45.57
  • 88

    【SCT3080KLGC11】SICFET N-CH 1200V 31A TO247N

    SCT3080KLGC11
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：31A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：104ミリオーム @ 10A、18V・Id印加時のVgs（
    ￥3,740.00 税込￥4,114.00
  • 89

    【RQ5L030ATTCL】PCH -60V -3.0A, SOT-346T, SMALL

    RQ5L030ATTCL
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：99ミリオーム @ 3A、10V・Id印
    ￥195.72 税込￥215.29
  • 90

    【NX3008NBKW,115】MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323

    NX3008NBKW,115
    NEXPERIA
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：350mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.4オーム
    ￥48.58 税込￥53.43
  • 91

    【TPN11006PL,LQ】MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON

    TPN11006PL,LQ
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSIX-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：26A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：11.4ミリオーム @
    ￥284.29 税込￥312.71
  • 92

    【IRF630B_FP001】MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3

    IRF630B_FP001
    オンセミコンダクター
    売り切れ
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：400ミリオーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs（t
  • 93

    【IXTA120P065T】MOSFET P-CH 65V 120A TO263

    IXTA120P065T
    IXYS
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：TrenchP™・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：65 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：120A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10ミリオーム @ 500mA、10V・Id印
    ￥1,508.54 税込￥1,659.39
  • 94

    【2SJ598-ZK-E1-AZ】MP-3ZK [digi-reel品]

    2SJ598-ZK-E1-AZ
    ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：12A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：130ミリオーム @ 6A、10V・Id印加
    ￥348.58 税込￥383.43
  • 95

    【STP55NF06L】MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB

    STP55NF06L
    STマイクロエレクトロニクス
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：STripFET™ II・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：55A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：18ミリオーム @ 27.5A、1
    ￥488.58 税込￥537.43
  • 96

    【IMW120R045M1XKSA1】SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3

    IMW120R045M1XKSA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：52A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：59ミリオーム @ 20A、15V・Id印加
    ￥2,530.59 税込￥2,783.64
  • 97

    【PJMB125N60FRC_R2_00201】600V 125mohm 30A SJ MOSFET

    PJMB125N60FRC_R2_00201
    PANJIT
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgsでのゲー
    ￥1,226.03 税込￥1,348.63
  • 98

    【RQ5L015SPTL】MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3

    RQ5L015SPTL
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：280ミリオーム @ 1.5A、10V・
    ￥170.00 税込￥187.00
  • 99

    【SSM3J168F,LXHF】SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/- [digi-reel品]

    SSM3J168F,LXHF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：U-MOSVI・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：400mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.55オーム @ 200m
    ￥135.72 税込￥149.29
  • 100

    【IMW120R060M1HXKSA1】SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3

    IMW120R060M1HXKSA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：36A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：78ミリオーム @ 13A、18V・
    ￥1,823.53 税込￥2,005.88
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