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トランジスタ - FET、MOSFET - シングルの定格表 該当製品数: 67,691 / 67,691 件

定格表の使い方
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ソート
全 4,000 件中 1 ～ 100 件目
写真 型番 メーカー データシート BOMに追加 品質ランク 単価 (税抜) 単価 (税込) カートに追加 在庫数量 最少購入数 納期 パッケージ シリーズ FETタイプ 技術 ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） Id、Vgs印加時のRds On（最大） Id印加時のVgs（th）（最大） Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） Vgs（最大） Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） FET機能 電力散逸（最大） 動作温度 グレード 認定 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
TK6P60W,RVQ TK6P60W,RVQ 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥734.73 /個
1個以上 ￥808.20 /個
 ★ 確認する 確認する Digi-Reel® DTMOSIV Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600 V 6.2A（Ta） 10V 820ミリオーム @ 3.1A、10V 3.7V @ 310µA 12 nC @ 10 V ±30V 390 pF @ 300 V - 60W（Tc） 150°C（TJ） - - 面実装 DPAK TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
GS-065-030-6-LL-MR GS-065-030-6-LL-MR インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥1,917.65 /個
1個以上 ￥2,109.41 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 700 V 40A（Tc） 6V 58ミリオーム @ 5.5A、6V 2.6V @ 7.5mA 6.7 nC @ 6 V +7V、-10V 235 pF @ 400 V - - -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 TOLL 8-PowerSFN
TK1R4S04PB,LXHQ TK1R4S04PB,LXHQ 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥551.43 /個
1個以上 ￥606.57 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） U-MOSIX-H Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 120A（Ta） 6V、10V 1.9ミリオーム @ 60A、6V 3V @ 500µA 103 nC @ 10 V ±20V 5500 pF @ 10 V - 180W（Tc） 175°C 自動車 AEC-Q101 面実装 DPAK+ TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥858.34 /個
1個以上 ￥944.17 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 195A（Tc） 4.5V、10V 2.4ミリオーム @ 165A、10V 2.5V @ 250µA 140 nC @ 4.5 V ±16V 11210 pF @ 50 V - 380W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - 面実装 D2PAK TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
TK4R1A10PL,S4X TK4R1A10PL,S4X 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥598.62 /個
1個以上 ￥658.48 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100 V 80A（Tc） 4.5V、10V 4.1ミリオーム @ 40A、10V 2.5V @ 1mA 104 nC @ 10 V ±20V 6320 pF @ 50 V - 54W（Tc） 175°C - - スルーホール TO-220SIS TO-220-3フルパッッケージ
IGB070S10S1XTMA1 IGB070S10S1XTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥474.29 /個
1個以上 ￥521.71 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） CoolGaN™ Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 100 V 21A（Ta）、76A（Tc） 5V 3.3ミリオーム @ 20A、5V 2.9V @ 8mA 14 nC @ 5 V ±6.5V 1400 pF @ 50 V - 3.3W（Ta）、45W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 PG-TSON-4-2 4-PowerTDFN
IRF9540STRLPBF IRF9540STRLPBF VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥558.58 /個
1個以上 ￥614.43 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100 V 19A（Tc） 10V 200ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 61 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 3.7W（Ta）、150W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - 面実装 TO-263（D2PAK） TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
IRF540SPBF IRF540SPBF VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥371.43 /個
1個以上 ￥408.57 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100 V 28A（Tc） 10V 77ミリオーム @ 17A、10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 25 V - 3.7W（Ta）、150W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - 面実装 TO-263（D2PAK） TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
UF4SC120030K4S UF4SC120030K4S オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥3,647.06 /個
1個以上 ￥4,011.76 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ - Nチャンネル SiCFET（Cascode SiCJFET） 1200 V 53A（Tc） 12V 39ミリオーム @ 20A、12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 800 V ±20V 1450 pF @ 15 V - 341W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - スルーホール TO-247-4 TO-247-4
SUP60020E-GE3 SUP60020E-GE3 VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥834.73 /個
1個以上 ￥918.20 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ TrenchFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 80 V 150A（Tc） 7.5V、10V 2.4ミリオーム @ 30A、10V 4V @ 250µA 227 nC @ 10 V ±20V 10680 pF @ 40 V - 375W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
EPC2216 EPC2216 EPC データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥447.15 /個
1個以上 ￥491.86 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） eGaN® Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 15 V 3.4A（Ta） 5V 26ミリオーム @ 1.5A、5V 2.5V @ 1mA 1.1 nC @ 5 V +6V、-4V 118 pF @ 7.5 V - - -40°C～150°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 面実装 ダイ ダイ
IRFP450PBF IRFP450PBF VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥848.62 /個
1個以上 ￥933.48 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 500 V 14A（Tc） 10V 400ミリオーム @ 8.4A、10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 2600 pF @ 25 V - 190W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - スルーホール TO-247AC TO-247-3
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥3,442.36 /個
1個以上 ￥3,786.59 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ G2R™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 3300 V 4A（Tc） 20V 1.2オーム @ 2A、20V 3.5V @ 2mA 21 nC @ 20 V +20V、-5V 238 pF @ 1000 V - 74W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - 面実装 TO-263-7 TO-263-8、D2PAK（7リード + タブ）、TO-263CA
TP65H070G4PS TP65H070G4PS Transphorm データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥1,810.59 /個
1個以上 ￥1,991.64 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ SuperGaN® Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 650 V 29A（Tc） 10V 85ミリオーム @ 18A、10V 4.7V @ 700µA 9 nC @ 10 V ±20V 638 pF @ 400 V - 96W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥94.29 /個
1個以上 ￥103.71 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） HEXFET® Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 3.7A（Ta） 2.5V、4.5V 65ミリオーム @ 3.7A、4.5V 1.2V @ 250µA 12 nC @ 5 V ±12V 633 pF @ 10 V - 1.3W（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 Micro3™/SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
IRFP240PBF IRFP240PBF VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥572.23 /個
1個以上 ￥629.45 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 200 V 20A（Tc） 10V 180ミリオーム @ 12A、10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 150W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - スルーホール TO-247AC TO-247-3
FCH165N60E FCH165N60E オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
★ 確認する 売り切れ チューブ SuperFET® II Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600 V 23A（Tc） 10V 165ミリオーム @ 11.5A、10V 3.5V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V 2434 pF @ 380 V - 227W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - スルーホール TO-247-3 TO-247-3
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥110.00 /個
1個以上 ￥121.00 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 4.2A（Ta） 2.5V、4.5V 45ミリオーム @ 4.2A、4.5V 1.2V @ 250µA 12 nC @ 5 V ±12V 740 pF @ 15 V - 1.25W（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 Micro3™/SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
STN1NK60ZL STN1NK60ZL STマイクロエレクトロニクス データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥208.58 /個
1個以上 ￥229.43 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） SuperMESH™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600 V 300mA（Tc） 10V 15オーム @ 400mA、10V 4.5V @ 50µA 6.9 nC @ 10 V ±30V 94 pF @ 25 V - 3.3W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 SOT-223 TO-261-4、TO-261AA
2SK3019TL 2SK3019TL ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥71.43 /個
1個以上 ￥78.57 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 30 V 100mA（Ta） 2.5V、4V 8オーム @ 10mA、4V 1.5V @ 100µA - ±20V 13 pF @ 5 V - 150mW（Ta） 150°C（TJ） - - 面実装 EMT3 SC-75、SOT-416
LND150N3-G LND150N3-G Microchip データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥134.29 /個
1個以上 ￥147.71 /個
 ★ 確認する 確認する バッグ - Nチャンネル、デプレッションモード MOSFET（金属酸化物） 500 V 30mA（Tj） 0V 1000オーム @ 500µA、0V - - ±20V 10 pF @ 25 V - 740mW（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - スルーホール TO-92-3 TO-226-3、TO-92-3標準本体（TO-226AA）
PJE8402_R1_00001 PJE8402_R1_00001 PANJIT データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥95.72 /個
1個以上 ￥105.29 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 700mA（Ta） 1.8V、4.5V 150ミリオーム @ 700mA、4、5V 1V @ 250µA 1.6 nC @ 4.5 V ±8V 92 pF @ 10 V - 300mW（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 SOT-523 SOT-523
SSM6J422TU,LF SSM6J422TU,LF 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥115.72 /個
1個以上 ￥127.29 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） U-MOSVI Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 4A（Ta） 1.5V、4.5V 42.7ミリオーム @ 3A、4.5V 1V @ 1mA 12.8 nC @ 4.5 V +6V、-8V 840 pF @ 10 V - 1W（Ta） 150°C - - 面実装 UF6 6-SMD、フラットリード
SSM3J133TU,LF SSM3J133TU,LF 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥100.00 /個
1個以上 ￥110.00 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） U-MOSVI Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 5.5A（Ta） 1.5V、4.5V 29.8ミリオーム @ 3A、4.5V 1V @ 1mA 12.8 nC @ 4.5 V ±8V 840 pF @ 10 V - 500mW（Ta） 150°C（TJ） - - 面実装 UFM 3-SMD、フラットリード
STL130N6F7 STL130N6F7 STマイクロエレクトロニクス データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥418.58 /個
1個以上 ￥460.43 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） STripFET™ F7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 130A（Tc） 10V 3.5ミリオーム @ 13A、10V 4V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V 2600 pF @ 25 V - 4.8W（Ta）、125W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - 面実装 PowerFlat™（5x6） 8-PowerVDFN
DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥360.00 /個
1個以上 ￥396.00 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100 V 8.3A（Ta） 4.5V、10V 16ミリオーム @ 20A、10V 3.5V @ 250µA 33.3 nC @ 10 V ±20V 1871 pF @ 50 V - 1.2W（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 8-SO 8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥145.72 /個
1個以上 ￥160.29 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） TrenchFET® Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 5.3A（Tc） 1.8V、4.5V 39ミリオーム @ 4.1A、4.5V 1V @ 250µA 36 nC @ 8 V ±8V 1160 pF @ 10 V - 960mW（Ta）、1.7W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥127.15 /個
1個以上 ￥139.86 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） TrenchFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 6A（Tc） 1.8V、4.5V 31.8ミリオーム @ 5A、4.5V 1V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±8V 865 pF @ 10 V - 1.25W（Ta）、2.1W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23-3（TO-236） TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥142.86 /個
1個以上 ￥157.14 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 55 V 17A（Tc） 10V 70ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 370 pF @ 25 V - 45W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) TJ8S06M3L(T6L1,NQ) 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥367.15 /個
1個以上 ￥403.86 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） U-MOSVI Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 8A（Ta） 6V、10V 104ミリオーム @ 4A、10V 3V @ 1mA 19 nC @ 10 V +10V、-20V 890 pF @ 10 V - 27W（Tc） 175°C（TJ） - - 面実装 DPAK+ TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
STP7NK40Z STP7NK40Z STマイクロエレクトロニクス データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥474.29 /個
1個以上 ￥521.71 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ SuperMESH™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 400 V 5.4A（Tc） 10V 1オーム @ 2.7A、10V 4.5V @ 50µA 26 nC @ 10 V ±30V 535 pF @ 25 V - 70W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - スルーホール TO-220 TO-220-3
IRFZ44N IRFZ44N UMW データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥270.00 /個
1個以上 ￥297.00 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ * - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRFB4227PBF IRFB4227PBF インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥485.72 /個
1個以上 ￥534.29 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 200 V 65A（Tc） 10V 24ミリオーム @ 46A、10V 5V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±30V 4600 pF @ 25 V - 330W（Tc） -40°C～175°C（TJ） - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
DMP65H9D0HSS-13 DMP65H9D0HSS-13 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥424.29 /個
1個以上 ￥466.71 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600 V 300mA（Ta） 10V 9オーム @ 300mA、10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±30V 740 pF @ 25 V - 1.25W（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 8-SO 8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）
IRF3205PBF IRF3205PBF インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥348.58 /個
1個以上 ￥383.43 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 55 V 110A（Tc） 10V 8ミリオーム @ 62A、10V 4V @ 250µA 146 nC @ 10 V ±20V 3247 pF @ 25 V - 200W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
2N7000TA 2N7000TA オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥95.72 /個
1個以上 ￥105.29 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 200mA（Tc） 4.5V、10V 5オーム @ 500mA、10V 3V @ 1mA - ±20V 50 pF @ 25 V - 400mW（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - スルーホール TO-92-3 TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形リード
SSM3K7002KF,LF SSM3K7002KF,LF 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥58.58 /個
1個以上 ￥64.43 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） U-MOSVII-H Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 400mA（Ta） 4.5V、10V 1.5オーム @ 100mA、10V 2.1V @ 250µA 0.6 nC @ 4.5 V ±20V 40 pF @ 10 V - 270mW（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 Sミニ TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
DMP3099L-7 DMP3099L-7 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥62.86 /個
1個以上 ￥69.14 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 30 V 3.8A（Ta） 4.5V、10V 65ミリオーム @ 3.8A、10V 2.1V @ 250µA 5.2 nC @ 4.5 V ±20V 563 pF @ 25 V - 1.08W（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
DMN3042L-7 DMN3042L-7 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥64.29 /個
1個以上 ￥70.71 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 30 V 5.8A（Ta） 2.5V、10V 26.5ミリオーム @ 5.8A、10V 1.4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±12V 860 pF @ 15 V - 720mW（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
FDN335N FDN335N オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥134.29 /個
1個以上 ￥147.71 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） PowerTrench® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 1.7A（Ta） 2.5V、4.5V 70ミリオーム @ 1.7A、4.5V 1.5V @ 250µA 5 nC @ 4.5 V ±8V 310 pF @ 10 V - 500mW（Ta） -55°C～155°C（TJ） - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
UPA2736GR-E1-AX UPA2736GR-E1-AX ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT) データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥431.43 /個
1個以上 ￥474.57 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 30 V 14A（Ta） 4.5V、10V 7ミリオーム @ 14A、10V - 80 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 10 V - 2.5W（Ta） 150°C - - 面実装 8-SOP 8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）
IRFP9240PBF IRFP9240PBF VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥758.34 /個
1個以上 ￥834.17 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 200 V 12A（Tc） 10V 500ミリオーム @ 7.2A、10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 150W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - スルーホール TO-247AC TO-247-3
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥80.00 /個
1個以上 ￥88.00 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 30 V 3.4A（Ta） 2.5V、4.5V 63ミリオーム @ 3.4A、4.5V 1.1V @ 10µA 2.9 nC @ 4.5 V ±12V 270 pF @ 24 V - 1.3W（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 Micro3™/SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
2N7002 2N7002 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥110.00 /個
1個以上 ￥121.00 /個
 ★ 確認する 確認する Digi-Reel® - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 115mA（Ta） 5V、10V 7.5オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA - ±20V 50 pF @ 25 V - 200mW（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
IRLU3410PBF IRLU3410PBF インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥292.86 /個
1個以上 ￥322.14 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100 V 17A（Tc） 4V、10V 105ミリオーム @ 10A、10V 2V @ 250µA 34 nC @ 5 V ±16V 800 pF @ 25 V - 79W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - スルーホール IPAK（TO-251AA） TO-251-3短いリード、IPAK、TO-251AA
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥317.15 /個
1個以上 ￥348.86 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 55 V 75A（Tc） 10V 6.5ミリオーム @ 66A、10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 3450 pF @ 25 V - 170W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
BS170 BS170 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥67.15 /個
1個以上 ￥73.86 /個
 ★ 確認する 確認する バルク - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 500mA（Ta） 10V 5オーム @ 200mA、10V 3V @ 1mA - ±20V 40 pF @ 10 V - 830mW（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - スルーホール TO-92-3 TO-226-3、TO-92-3標準本体（TO-226AA）
SSM3K122TU,LF SSM3K122TU,LF 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥105.72 /個
1個以上 ￥116.29 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 2A（Ta） 1.5V、4V 123ミリオーム @ 1A、4V 1V @ 1mA 3.4 nC @ 4 V ±10V 195 pF @ 10 V - 500mW（Ta） 150°C - - 面実装 UFM 3-SMD、フラットリード
IRFP9140PBF IRFP9140PBF VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥713.89 /個
1個以上 ￥785.27 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100 V 21A（Tc） 10V 200ミリオーム @ 13A、10V 4V @ 250µA 61 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 180W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - スルーホール TO-247AC TO-247-3
TK8A50D(STA4,Q,M) TK8A50D(STA4,Q,M) 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥442.86 /個
1個以上 ￥487.14 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ π-MOSVII Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 500 V 8A（Ta） 10V 850ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 1mA 16 nC @ 10 V ±30V 800 pF @ 25 V - 40W（Tc） 150°C（TJ） - - スルーホール TO-220SIS TO-220-3フルパッッケージ
TSM260P02CX RFG TSM260P02CX RFG Taiwan Semiconductor データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥150.00 /個
1個以上 ￥165.00 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 6.5A（Tc） 1.8V、2.5V、4.5V 26ミリオーム @ 5A、4.5V 1V @ 250µA 19.5 nC @ 4.5 V ±10V 1670 pF @ 15 V - 1.56W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23
IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥280.00 /個
1個以上 ￥308.00 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 55 V 47A（Tc） 4V、10V 22ミリオーム @ 25A、10V 2V @ 250µA 48 nC @ 5 V ±16V 1700 pF @ 25 V - 3.8W（Ta）、110W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
BSS138 BSS138 - データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥22.86 /個
1個以上 ￥25.14 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 50 V 220mA 4.5V、10V 3.5オーム @ 220mA、10V 1.6V @ 1mA - ±20V 50 pF @ 25 V - 225mW（Ta） 150°C（TJ） - - 面実装 SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
★ 確認する 売り切れ カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 200mA（Ta） 4.5V、10V 5オーム @ 500mA、10V 3V @ 1mA - ±20V 60 pF @ 25 V - 350mW（Ta） 150°C（TJ） - - スルーホール TO-92 TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形リード
TK110P10PL,RQ TK110P10PL,RQ 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥332.86 /個
1個以上 ￥366.14 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100 V 40A（Tc） 4.5V、10V 10.6ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 300µA 33 nC @ 10 V ±20V 2040 pF @ 50 V - 75W（Tc） 175°C - - 面実装 DPAK TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
AIMZH120R020M1TXKSA1 AIMZH120R020M1TXKSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥4,554.12 /個
1個以上 ￥5,009.53 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ - Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 100A（Tc） 18V、20V 25ミリオーム @ 43A、20V 5.1V @ 13.7mA 82 nC @ 20 V +23V、-5V 2667 pF @ 800 V - 429W（Tc） -55°C～175°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 スルーホール PG-TO247-4-11 TO-247-4
NTTFSS002N04HL NTTFSS002N04HL オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥569.45 /個
1個以上 ￥626.39 /個
 ★ 確認する 確認する Digi-Reel® - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 23A（Ta）、150A（Tc） 4.5V、10V 2.1ミリオーム @ 23A、10V 2V @ 120µA 20.3 nC @ 4.5 V ±20V 2760 pF @ 20 V - 2W（Ta）、84W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 9-WDFN（3.3x3.3） 9-PowerWDFN
SIR5607DP-T1-RE3 SIR5607DP-T1-RE3 VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥773.62 /個
1個以上 ￥850.98 /個
 ★ 確認する 確認する Digi-Reel® TrenchFET® Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 22.2A（Ta）、90.9A（Tc） 4.5V、10V 7ミリオーム @ 20A、10V 2.6V @ 250µA 112 nC @ 10 V ±20V 5020 pF @ 30 V - 6.25W（Ta）、104W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
DMTH6016LK3-13 DMTH6016LK3-13 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥130.00 /個
1個以上 ￥143.00 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 10.8A（Ta）、46.9A（Tc） 4.5V、10V 17ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 864 pF @ 30 V - 3.2W（Ta） -55°C～175°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 面実装 TO-252（DPAK） TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
NTMFS022N15MC NTMFS022N15MC オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥550.00 /個
1個以上 ￥605.00 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） PowerTrench® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 150 V 7.3A（Ta）、41.9A（Tc） 8V、10V 22ミリオーム @ 18A、10V 4.5V @ 100µA 17 nC @ 10 V ±20V 1315 pF @ 75 V - 2.5W（Ta）、80.6W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 8-PQFN（5x6） 8-PowerTDFN
NTMFS005N10MCLT1G NTMFS005N10MCLT1G オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥485.72 /個
1個以上 ￥534.29 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100 V 16A（Ta）、105A（Tc） 4.5V、10V 5.1ミリオーム @ 34A、10V 3V @ 192µA 55 nC @ 10 V ±20V 4100 pF @ 50 V - 3W（Ta）、125W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - 面実装 5-DFN（5x6）（8-SOFL） 8-PowerTDFN、5リード
IRF100B201 IRF100B201 UMW データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥669.45 /個
1個以上 ￥736.39 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ * - - - - - - - - - - - - - - - - -
AIMCQ120R040M1TXTMA1 AIMCQ120R040M1TXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥2,760.00 /個
1個以上 ￥3,036.00 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） CoolSiC™ Nチャンネル SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ） 1200 V 61A（Tc） 18V、20V 50ミリオーム @ 20A、20V 5.1V @ 6.4mA 43 nC @ 20 V +25V、-10V 1264 pF @ 800 V - 341W（Tc） -55°C～175°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 面実装 PG-HDSOP-22 22-PowerBSOPモジュール
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥591.67 /個
1個以上 ￥650.83 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 200 V 36A（Tc） 10V 32ミリオーム @ 36A、10V 4V @ 90µA 29 nC @ 10 V ±20V 2350 pF @ 100 V - 125W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 PG-TDSON-8-1 8-PowerTDFN
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥934.73 /個
1個以上 ￥1,028.20 /個
 ★ 確認する 確認する Digi-Reel® CoolGaN™ Pチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 100 V 21A（Ta）、76A（Tc） 5V 3.3ミリオーム @ 20A、5V 2.9V @ 8mA 14 nC @ 5 V ±6.5V 1400 pF @ 50 V - 3.3W（Ta）、45W（Tc） -40°C～150°C（TJ） - - 面実装 PG-VSON-6-3 6-PowerVDFN
SCT3160KW7HRTL SCT3160KW7HRTL ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥1,566.27 /個
1個以上 ￥1,722.89 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 17A（Tc） 18V 208ミリオーム @ 5A、18V 5.6V @ 2.5mA 42 nC @ 18 V +22V、-4V 398 pF @ 800 V - - 175°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 面実装 TO-263-7L TO-263-8、D2PAK（7リード + タブ）、TO-263CA
NTMFS034N15MC NTMFS034N15MC オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥394.29 /個
1個以上 ￥433.71 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） PowerTrench® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 150 V 6.1A（Ta）、31A（Tc） - 31ミリオーム @ 13A、10V 4.5V @ 70µA 12 nC @ 10 V ±20V 905 pF @ 75 V - 2.5W（Ta）、62.5W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 8-PQFN（5x6） 8-PowerTDFN
AIMCQ120R020M1TXTMA1 AIMCQ120R020M1TXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥4,414.12 /個
1個以上 ￥4,855.53 /個
 ★ 確認する 確認する Digi-Reel® CoolSiC™ Nチャンネル SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ） 1200 V 116A（Tc） 18V、20V 25ミリオーム @ 43A、20V 5.1V @ 13.7mA 82 nC @ 20 V +25V、-10V 2667 pF @ 800 V - 577W（Tc） -55°C～175°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 面実装 PG-HDSOP-22 22-PowerBSOPモジュール
IRF740LCPBF-BE3 IRF740LCPBF-BE3 VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥745.84 /個
1個以上 ￥820.42 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 400 V 10A（Tc） - 550ミリオーム @ 6A、10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 25 V - 125W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥324.29 /個
1個以上 ￥356.71 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 400 V 10A（Tc） 10V 550ミリオーム @ 5.3A、10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 125W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
SSM6J801R,LF SSM6J801R,LF 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥82.86 /個
1個以上 ￥91.14 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） U-MOSVI Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 6A（Ta） 1.5V、4.5V 32.5ミリオーム @ 3A、4.5V 1V @ 1mA 12.8 nC @ 4.5 V +6V、-8V 840 pF @ 10 V - 1.5W（Ta） 150°C（TJ） - - 面実装 6-TSOP-F 6-SMD、フラットリード
AIMCQ120R060M1TXTMA1 AIMCQ120R060M1TXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥2,210.59 /個
1個以上 ￥2,431.64 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） CoolSiC™ Nチャンネル SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ） 1200 V 44A（Tc） 18V、20V 75ミリオーム @ 13A、20V 5.1V @ 4.3mA 32 nC @ 20 V +25V、-10V 880 pF @ 800 V - 259W（Tc） -55°C～175°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 面実装 PG-HDSOP-22 22-PowerBSOPモジュール
NP100P06PDG-E1-AY NP100P06PDG-E1-AY ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT) データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥1,286.67 /個
1個以上 ￥1,415.33 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 100A（Tc） 4.5V、10V 6ミリオーム @ 50A、10V 2.5V @ 1mA 300 nC @ 10 V ±20V 15000 pF @ 10 V - 1.8W（Ta）、200W（Tc） 175°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 面実装 TO-263 TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥2,374.12 /個
1個以上 ￥2,611.53 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） CoolGaN™ G5 Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 650 V 70A（Tc） - - 1.6V @ 6.1mA 11 nC @ 3 V -10V 780 pF @ 400 V - 236W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 PG-HSOF-8 8-PowerSFN
AIMCQ120R030M1TXTMA1 AIMCQ120R030M1TXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥3,262.36 /個
1個以上 ￥3,588.59 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） CoolSiC™ Nチャンネル SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ） 1200 V 78A（Tc） 18V、20V 38ミリオーム @ 27A、20V 5.1V @ 8.6mA 57 nC @ 20 V +25V、-10V 1738 pF @ 800 V - 417W（Tc） -55°C～175°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 面実装 PG-HDSOP-22 22-PowerBSOPモジュール
AIMCQ120R080M1TXTMA1 AIMCQ120R080M1TXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
750個以上 ￥872.98 /個
750個以上 ￥960.27 /個
 ★ 確認する 750 個 確認する テープ＆リール（TR） CoolSiC™ Nチャンネル SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ） 1200 V 34A（Tc） 18V、20V 100ミリオーム @ 10A、20V 5.1V @ 3.3mA 24 nC @ 20 V +25V、-10V 671 pF @ 800 V - 211W（Tc） -55°C～175°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 面実装 PG-HDSOP-22 22-PowerBSOPモジュール
AIMCQ120R080M1TXTMA1 AIMCQ120R080M1TXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥1,956.48 /個
1個以上 ￥2,152.12 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） CoolSiC™ Nチャンネル SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ） 1200 V 34A（Tc） 18V、20V 100ミリオーム @ 10A、20V 5.1V @ 3.3mA 24 nC @ 20 V +25V、-10V 671 pF @ 800 V - 211W（Tc） -55°C～175°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 面実装 PG-HDSOP-22 22-PowerBSOPモジュール
AIMCQ120R030M1TXTMA1 AIMCQ120R030M1TXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
750個以上 ￥1,770.35 /個
750個以上 ￥1,947.38 /個
 ★ 確認する 750 個 確認する テープ＆リール（TR） CoolSiC™ Nチャンネル SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ） 1200 V 78A（Tc） 18V、20V 38ミリオーム @ 27A、20V 5.1V @ 8.6mA 57 nC @ 20 V +25V、-10V 1738 pF @ 800 V - 417W（Tc） -55°C～175°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 面実装 PG-HDSOP-22 22-PowerBSOPモジュール
AOD403 AOD403 Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥400.00 /個
1個以上 ￥440.00 /個
 ★ 確認する 確認する Digi-Reel® - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 30 V 15A（Ta）、70A（Tc） 10V、20V 6ミリオーム @ 20A、20V 3.5V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±25V 5300 pF @ 15 V - 2.5W（Ta）、90W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - 面実装 TO-252（DPAK） TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
R6520ENZ4C13 R6520ENZ4C13 ROHM データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥1,136.99 /個
1個以上 ￥1,250.68 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 650 V 20A（Tc） 10V 205ミリオーム @ 9.5A、10V 4V @ 630µA 61 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 231W（Tc） 150°C（TJ） - - スルーホール TO-247G TO-247-3
TK20A60W,S5VX TK20A60W,S5VX 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥834.73 /個
1個以上 ￥918.20 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ DTMOSIV Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600 V 20A（Ta） 10V 155ミリオーム @ 10A、10V 3.7V @ 1mA 48 nC @ 10 V ±30V 1680 pF @ 300 V - 45W（Tc） 150°C（TJ） - - スルーホール TO-220SIS TO-220-3フルパッッケージ
AOSP21357 AOSP21357 Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥394.29 /個
1個以上 ￥433.71 /個
 ★ 確認する 確認する Digi-Reel® - Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 30 V 16A（Ta） 4.5V、10V 8.5ミリオーム @ 16A、10V 2.3V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±25V 2830 pF @ 15 V - 3.1W（Ta） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 8-SOIC 8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）
GT055N06K GT055N06K Goford Semiconductor データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥250.00 /個
1個以上 ￥275.00 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） SGT Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 90A（Tc） 10V、4.5V 5ミリオーム @ 30A、10V 2.5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V 2160 pF @ 30 V - 78W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 TO-252（DPAK） TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
AIMCQ120R040M1TXTMA1 AIMCQ120R040M1TXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥2,760.00 /個
1個以上 ￥3,036.00 /個
 ★ 確認する 確認する Digi-Reel® CoolSiC™ Nチャンネル SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ） 1200 V 61A（Tc） 18V、20V 50ミリオーム @ 20A、20V 5.1V @ 6.4mA 43 nC @ 20 V +25V、-10V 1264 pF @ 800 V - 341W（Tc） -55°C～175°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 面実装 PG-HDSOP-22 22-PowerBSOPモジュール
IRLD024PBF IRLD024PBF VISHAY データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥584.73 /個
1個以上 ￥643.20 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 2.5A（Ta） 4V、5V 100ミリオーム @ 1.5A、5V 2V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±10V 870 pF @ 25 V - 1.3W（Ta） -55°C～175°C（TJ） - - スルーホール 4-HVMDIP 4-DIP（0.300インチ、7.62mm）
SSM6K824R,LF SSM6K824R,LF 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥142.86 /個
1個以上 ￥157.14 /個
 ★ 確認する 確認する Digi-Reel® - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 6A（Ta） 1.5V、4.5V 33ミリオーム @ 4A、4.5V 1V @ 1mA 3.6 nC @ 4.5 V ±8V 410 pF @ 10 V - 1.5W（Ta） 150°C - - 面実装 6-TSOP-F 6-SMD、フラットリード
FQP17P06 FQP17P06 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥332.86 /個
1個以上 ￥366.14 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ QFET® Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 17A（Tc） 10V 120ミリオーム @ 8.5A、10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±25V 900 pF @ 25 V - 79W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - スルーホール TO-220-3 TO-220-3
TK4R9E15Q5,S1X TK4R9E15Q5,S1X 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥989.05 /個
1個以上 ￥1,087.95 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ U-MOSX-H Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 150 V 120A（Tc） 8V、10V 4.9ミリオーム @ 50A、 10V 4.5V @ 2.2mA 96 nC @ 10 V ±20V 7820 pF @ 75 V - 300W（Tc） 175°C - - スルーホール TO-220 TO-220-3
XPN7R104NC,L1XHQ XPN7R104NC,L1XHQ 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥91.43 /個
1個以上 ￥100.57 /個
 ★ 確認する 確認する Digi-Reel® U-MOSIII Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 20A（Ta） 4.5V、10V 7.1ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 200µA 21 nC @ 10 V ±20V 1290 pF @ 10 V - 840mW（Ta）、65W（Tc） 175°C 自動車 AEC-Q101 面実装 8-TSONアドバンス-WF（3.1x3.1） 8-PowerVDFN
FQP27P06 FQP27P06 UMW データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥367.15 /個
1個以上 ￥403.86 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ * - - - - - - - - - - - - - - - - -
EPC2067 EPC2067 EPC データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥1,224.66 /個
1個以上 ￥1,347.12 /個
 ★ 確認する 確認する Digi-Reel® eGaN® Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 40 V 69A（Ta） 5V 1.55ミリオーム @ 37A、5V 2.5V @ 18mA 22.3 nC @ 5 V +6V、-4V 3267 pF @ 20 V - - -40°C～150°C（TJ） - - 面実装 ダイ ダイ
TPHR8504PL,L1Q TPHR8504PL,L1Q 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥467.15 /個
1個以上 ￥513.86 /個
 ★ 確認する 確認する Digi-Reel® U-MOSIX-H Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 150A（Tc） 4.5V、10V 0.85ミリオーム @ 50A、10V 2.4V @ 1mA 103 nC @ 10 V ±20V 9600 pF @ 20 V - 1W（Ta）、170W（Tc） 175°C（TJ） - - 面実装 8-SOPアドバンス（5x5） 8-PowerVDFN
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥591.67 /個
1個以上 ￥650.83 /個
 ★ 確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 200 V 36A（Tc） 10V 32ミリオーム @ 36A、10V 4V @ 90µA 29 nC @ 10 V ±20V 2350 pF @ 100 V - 125W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 PG-TDSON-8-1 8-PowerTDFN
FCPF190N60E-F154 FCPF190N60E-F154 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥869.45 /個
1個以上 ￥956.39 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ SuperFET® II Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600 V 20.6A（Tj） - 190ミリオーム @ 10A、10V 3.5V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±20V 3175 pF @ 25 V - 39W（Tc） -55°C～150°C（TJ） - - スルーホール TO-220F-3 TO-220-3フルパッッケージ
GCMS010B120S1-E1 GCMS010B120S1-E1 SemiQ データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥11,073.57 /個
1個以上 ￥12,180.92 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ QSiC™ Nチャンネル SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ） 1200 V 204A（Tc） 20V 14ミリオーム @ 100A、20V 4V @ 40mA 416 nC @ 20 V +25V、-10V 10878 pF @ 1000 V - 652W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - シャーシマウント SOT-227 SOT-227-4、miniBLOC
AIMZA75R040M1HXKSA1 AIMZA75R040M1HXKSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥1,998.83 /個
1個以上 ￥2,198.71 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 44A（Tj） 15V、20V 37ミリオーム @ 16.6A、20V 5.6V @ 6mA 34 nC @ 18 V +23V、-5V 1135 pF @ 500 V - 185W（Tc） -55°C～175°C（TJ） 自動車 AEC-Q101 スルーホール PG-TO247-4 TO-247-4
EPC7014UBC EPC7014UBC EPC データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥32,363.64 /個
1個以上 ￥35,600.00 /個
 ★ 確認する 確認する バルク e-GaN® Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 60 V 1A（Tc） 5V 580ミリオーム @ 1A、5V 2.5V @ 140µA - +7V、-4V 22 pF @ 30 V - - -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 4-SMD 4-SMD、リードなし
NTA4153NT1G NTA4153NT1G オンセミコンダクター データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥75.72 /個
1個以上 ￥83.29 /個
 ★ 確認する 確認する カット テープ（CT） - Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 20 V 915mA（Ta） 1.5V、4.5V 230ミリオーム @ 600mA、4.5V 1.1V @ 250µA 1.82 nC @ 4.5 V ±6V 110 pF @ 16 V - 300mW（Tj） -55°C～150°C（TJ） - - 面実装 SC-75、SOT-416 SC-75、SOT-416
TW030N120C,S1F TW030N120C,S1F 東芝 データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥6,855.18 /個
1個以上 ￥7,540.69 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ - Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 60A（Tc） 18V 40ミリオーム @ 30A、18V 5V @ 13mA 82 nC @ 18 V +25V、-10V 2925 pF @ 800 V - 249W （Tc） 175°C - - スルーホール TO-247 TO-247-3
S1M1000170D S1M1000170D SMC Diode Solutions データシート BOMに追加 S1(DigiKey)
1個以上 ￥980.83 /個
1個以上 ￥1,078.91 /個
 ★ 確認する 確認する チューブ - Nチャンネル SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ） 1700 V 5.2A（Tc） 20V 1.3オーム @ 2A、20V 4V @ 500µA 10 nC @ 20 V +25V、-10V 160 pF @ 1000 V - 81W（Tc） -55°C～175°C（TJ） - - スルーホール TO-247AD TO-247-3
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  • 1

    【TK6P60W,RVQ】MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK [digi-reel品]

    TK6P60W,RVQ
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：DTMOSIV・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.2A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：820ミリオーム @ 3.1A、1
    ￥734.73 税込￥808.20
  • 2

    【GS-065-030-6-LL-MR】GAN POWER TRANSISTOR

    GS-065-030-6-LL-MR
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：700 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：40A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：58ミリオーム @ 5.5A、6V・Id印加時
    ￥1,917.65 税込￥2,109.41
  • 3

    【TK1R4S04PB,LXHQ】MOSFET N-CH 40V 120A DPAK

    TK1R4S04PB,LXHQ
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSIX-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：120A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.9ミリオーム @ 6
    ￥551.43 税込￥606.57
  • 4

    【IRLS3036TRLPBF】MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK

    IRLS3036TRLPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：195A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4ミリオーム @ 1
    ￥858.34 税込￥944.17
  • 5

    【TK4R1A10PL,S4X】X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

    TK4R1A10PL,S4X
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：80A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.1ミリオーム @ 40A、10V・Id印加時の
    ￥598.62 税込￥658.48
  • 6

    【IGB070S10S1XTMA1】MV GAN DISCRETES

    IGB070S10S1XTMA1
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：CoolGaN™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：21A（Ta）、76A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.3ミリオーム
    ￥474.29 税込￥521.71
  • 7

    【IRF9540STRLPBF】MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK

    IRF9540STRLPBF
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：19A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：200ミリオーム @ 11A、10V・Id印加
    ￥558.58 税込￥614.43
  • 8

    【IRF540SPBF】MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

    IRF540SPBF
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：28A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：77ミリオーム @ 17A、10V・Id印加時のVgs（th
    ￥371.43 税込￥408.57
  • 9

    【UF4SC120030K4S】1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CA

    UF4SC120030K4S
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（Cascode SiCJFET）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：53A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：12V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：39ミリオーム @ 20A、12V・I
    ￥3,647.06 税込￥4,011.76
  • 10

    【SUP60020E-GE3】MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB

    SUP60020E-GE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：TrenchFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：150A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：7.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4ミリオーム @ 30A、1
    ￥834.73 税込￥918.20
  • 11

    【EPC2216】GANFET N-CH 15V 3.4A DIE

    EPC2216
    EPC
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：eGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：15 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.4A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：26ミリオーム @ 1.5A、5V・I
    ￥447.15 税込￥491.86
  • 12

    【IRFP450PBF】MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3

    IRFP450PBF
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：14A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：400ミリオーム @ 8.4A、10V・Id印加時のVgs（
    ￥848.62 税込￥933.48
  • 13

    【G2R1000MT33J】SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7

    G2R1000MT33J
    GeneSiC Semiconductor
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：G2R™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：3300 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.2オーム @ 2A、20V・Id印加時のVgs（t
    ￥3,442.36 税込￥3,786.59
  • 14

    【TP65H070G4PS】GANFET N-CH 650V 29A TO220

    TP65H070G4PS
    Transphorm
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 18A、10V・Id印
    ￥1,810.59 税込￥1,991.64
  • 15

    【IRLML6402TRPBF】MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

    IRLML6402TRPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.7A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 3
    ￥94.29 税込￥103.71
  • 16

    【IRFP240PBF】MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3

    IRFP240PBF
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 12A、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥572.23 税込￥629.45
  • 17

    【FCH165N60E】MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3

    FCH165N60E
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperFET® II・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：23A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：165ミリオーム @ 11.5A、10
  • 18

    【IRLML2502TRPBF】MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

    IRLML2502TRPBF
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.2A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：45ミリオーム @ 4
    ￥110.00 税込￥121.00
  • 19

    【STN1NK60ZL】MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223

    STN1NK60ZL
    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperMESH™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：15オーム @ 400m
    ￥208.58 税込￥229.43
  • 20

    【2SK3019TL】MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3

    2SK3019TL
    ROHM
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8オーム @ 10mA、4V・Id印
    ￥71.43 税込￥78.57
  • 21

    【LND150N3-G】MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

    LND150N3-G
    Microchip
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    【仕様】・パッケージ：バッグ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル、デプレッションモード・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30mA（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：0V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1000オーム @ 500µA、0V・I
    ￥134.29 税込￥147.71
  • 22

    【PJE8402_R1_00001】20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    PJE8402_R1_00001
    PANJIT
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：700mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：150ミリオーム @ 700mA
    ￥95.72 税込￥105.29
  • 23

    【SSM6J422TU,LF】MOSFET P-CH 20V 4A UF6

    SSM6J422TU,LF
    東芝
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVI・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：42.7ミリオーム @ 3
    ￥115.72 税込￥127.29
  • 24

    【SSM3J133TU,LF】MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM

    SSM3J133TU,LF
    東芝
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVI・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：29.8ミリオーム @
    ￥100.00 税込￥110.00
  • 25

    【STL130N6F7】MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT

    STL130N6F7
    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：STripFET™ F7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：130A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.5ミリオーム @ 1
    ￥418.58 税込￥460.43
  • 26

    【DMT10H015LSS-13】MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO

    DMT10H015LSS-13
    Diodes Incorporated
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8.3A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：16ミリオーム @ 20A、10V
    ￥360.00 税込￥396.00
  • 27

    【SI2323DDS-T1-GE3】MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23

    SI2323DDS-T1-GE3
    VISHAY
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.3A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：39ミリオーム
    ￥145.72 税込￥160.29
  • 28

    【SI2312CDS-T1-GE3】MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3

    SI2312CDS-T1-GE3
    VISHAY
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：31.8ミリオーム
    ￥127.15 税込￥139.86
  • 29

    【IRFZ24NPBF】MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB

    IRFZ24NPBF
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のV
    ￥142.86 税込￥157.14
  • 30

    【TJ8S06M3L(T6L1,NQ)】MOSFET P-CH 60V 8A DPAK

    TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
    東芝
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVI・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：104ミリオーム @ 4A、10
    ￥367.15 税込￥403.86
  • 31

    【STP7NK40Z】MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220AB

    STP7NK40Z
    STマイクロエレクトロニクス
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperMESH™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：400 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.4A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1オーム @ 2.7A、10V・Id印加
    ￥474.29 税込￥521.71
  • 32

    【IRFZ44N】MOSFET N-CH 60V 50A TO220

    IRFZ44N
    UMW
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：*・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：-・Vds印
    ￥270.00 税込￥297.00
  • 33

    【IRFB4227PBF】MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB

    IRFB4227PBF
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：65A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：24ミリオーム @ 46A、10V・Id印加時の
    ￥485.72 税込￥534.29
  • 34

    【DMP65H9D0HSS-13】MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R

    DMP65H9D0HSS-13
    Diodes Incorporated
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9オーム @ 300mA、10V・Id印加
    ￥424.29 税込￥466.71
  • 35

    【IRF3205PBF】MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB

    IRF3205PBF
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：110A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8ミリオーム @ 62A、10V・Id印加時のV
    ￥348.58 税込￥383.43
  • 36

    【2N7000TA】MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3

    2N7000TA
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 500mA、10V・
    ￥95.72 税込￥105.29
  • 37

    【SSM3K7002KF,LF】MOSFET N-CH 60V 400MA S-MINI

    SSM3K7002KF,LF
    東芝
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：400mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @
    ￥58.58 税込￥64.43
  • 38

    【DMP3099L-7】MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23

    DMP3099L-7
    Diodes Incorporated
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.8A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 3.8A、10V
    ￥62.86 税込￥69.14
  • 39

    【DMN3042L-7】MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

    DMN3042L-7
    Diodes Incorporated
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.8A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：26.5ミリオーム @ 5.8A、1
    ￥64.29 税込￥70.71
  • 40

    【FDN335N】MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3

    FDN335N
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.7A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオー
    ￥134.29 税込￥147.71
  • 41

    【UPA2736GR-E1-AX】MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP

    UPA2736GR-E1-AX
    ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：14A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7ミリオーム @ 14A、10V・Id
    ￥431.43 税込￥474.57
  • 42

    【IRFP9240PBF】MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3

    IRFP9240PBF
    VISHAY
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：12A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500ミリオーム @ 7.2A、10V・Id印加時のVgs（
    ￥758.34 税込￥834.17
  • 43

    【IRLML6346TRPBF】MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23

    IRLML6346TRPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.4A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：63ミリオーム @ 3
    ￥80.00 税込￥88.00
  • 44

    【2N7002】MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C [digi-reel品]

    2N7002
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・I
    ￥110.00 税込￥121.00
  • 45

    【IRLU3410PBF】MOSFET N-CH 100V 17A IPAK

    IRLU3410PBF
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：105ミリオーム @ 10A、10V・Id
    ￥292.86 税込￥322.14
  • 46

    【IRF3205ZPBF】MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

    IRF3205ZPBF
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：75A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6.5ミリオーム @ 66A、10V・Id印加時の
    ￥317.15 税込￥348.86
  • 47

    【BS170】MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3

    BS170
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 200mA、10V・Id印加時のVgs（th）
    ￥67.15 税込￥73.86
  • 48

    【SSM3K122TU,LF】MOSFET N-CH 20V 2A UFM

    SSM3K122TU,LF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.5V、4V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：123ミリオーム @ 1A、4V・Id印加
    ￥105.72 税込￥116.29
  • 49

    【IRFP9140PBF】MOSFET P-CH 100V 21A TO247-3

    IRFP9140PBF
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：21A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：200ミリオーム @ 13A、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥713.89 税込￥785.27
  • 50

    【TK8A50D(STA4,Q,M)】MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS

    TK8A50D(STA4,Q,M)
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：π-MOSVII・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：850ミリオーム @ 4A、10V・Id印加時の
    ￥442.86 税込￥487.14
  • 51

    【TSM260P02CX RFG】-20V, -6.5A, SINGLE P-CHANNEL PO

    TSM260P02CX RFG
    Taiwan Semiconductor
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：26ミリオーム @ 5A
    ￥150.00 税込￥165.00
  • 52

    【IRLZ44NPBF】MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB

    IRLZ44NPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：47A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    ￥280.00 税込￥308.00
  • 53

    【BSS138】50V 220MA 3.5@10V,220MA 225MW N

    BSS138
    -
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：220mA・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.5オーム @ 220mA、10V・Id
    ￥22.86 税込￥25.14
  • 54

    【2N7000】MOSFET TO-92 60V 0.2A

    2N7000
    Diotec Semiconductor
    売り切れ
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 500mA、10V・
  • 55

    【TK110P10PL,RQ】X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

    TK110P10PL,RQ
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：40A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10.6ミリオーム @ 20A、10
    ￥332.86 税込￥366.14
  • 56

    【AIMZH120R020M1TXKSA1】SIC_DISCRETE

    AIMZH120R020M1TXKSA1
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V、20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオーム @ 43A、20V・Id印加時の
    ￥4,554.12 税込￥5,009.53
  • 57

    【NTTFSS002N04HL】40V T8 IN 3X3 SD PACKAGE [digi-reel品]

    NTTFSS002N04HL
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：23A（Ta）、150A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.1ミリオーム @
    ￥569.45 税込￥626.39
  • 58

    【SIR5607DP-T1-RE3】P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE [digi-reel品]

    SIR5607DP-T1-RE3
    VISHAY
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    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：22.2A（Ta）、90.9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）
    ￥773.62 税込￥850.98
  • 59

    【DMTH6016LK3-13】MOSFET N-CH 60V 10.8 TO252 T&R

    DMTH6016LK3-13
    Diodes Incorporated
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10.8A（Ta）、46.9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム
    ￥130.00 税込￥143.00
  • 60

    【NTMFS022N15MC】POWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN

    NTMFS022N15MC
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.3A（Ta）、41.9A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大
    ￥550.00 税込￥605.00
  • 61

    【NTMFS005N10MCLT1G】SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10

    NTMFS005N10MCLT1G
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Ta）、105A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5.1ミリオーム
    ￥485.72 税込￥534.29
  • 62

    【IRF100B201】MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB

    IRF100B201
    UMW
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：*・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：-・Vds印
    ￥669.45 税込￥736.39
  • 63

    【AIMCQ120R040M1TXTMA1】SIC_DISCRETE

    AIMCQ120R040M1TXTMA1
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：61A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V、20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5
    ￥2,760.00 税込￥3,036.00
  • 64

    【BSC320N20NS3GATMA1】MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8

    BSC320N20NS3GATMA1
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：36A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 36A、10
    ￥591.67 税込￥650.83
  • 65

    【IGC033S101XTMA1】MV GAN DISCRETES [digi-reel品]

    IGC033S101XTMA1
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    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：CoolGaN™・FETタイプ：Pチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：21A（Ta）、76A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.3ミリオーム
    ￥934.73 税込￥1,028.20
  • 66

    【SCT3160KW7HRTL】1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

    SCT3160KW7HRTL
    ROHM
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：208ミリオーム @ 5A、18V・Id印加
    ￥1,566.27 税込￥1,722.89
  • 67

    【NTMFS034N15MC】MOSFET N-CH 150V 6.1A/31A 8PQFN

    NTMFS034N15MC
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.1A（Ta）、31A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：31ミリオ
    ￥394.29 税込￥433.71
  • 68

    【AIMCQ120R020M1TXTMA1】SIC_DISCRETE [digi-reel品]

    AIMCQ120R020M1TXTMA1
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    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：116A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V、20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2
    ￥4,414.12 税込￥4,855.53
  • 69

    【IRF740LCPBF-BE3】MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB

    IRF740LCPBF-BE3
    VISHAY
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：400 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：550ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs（th）（
    ￥745.84 税込￥820.42
  • 70

    【IRF740PBF-BE3】MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB

    IRF740PBF-BE3
    VISHAY
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    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：400 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：550ミリオーム @ 5.3A、10V・Id印加時のVgs（
    ￥324.29 税込￥356.71
  • 71

    【SSM6J801R,LF】SSM6J801R PチャンネルMOSFET

    SSM6J801R,LF
    東芝
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSVI・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32.5ミリオーム @ 3
    ￥82.86 税込￥91.14
  • 72

    【AIMCQ120R060M1TXTMA1】SIC_DISCRETE

    AIMCQ120R060M1TXTMA1
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：44A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V、20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7
    ￥2,210.59 税込￥2,431.64
  • 73

    【NP100P06PDG-E1-AY】MOSFET P-CH 60V 100A TO263

    NP100P06PDG-E1-AY
    ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6ミリオーム @ 50A、10V・I
    ￥1,286.67 税込￥1,415.33
  • 74

    【IGT65R025D2ATMA1】IGT65R025D2ATMA1

    IGT65R025D2ATMA1
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    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：CoolGaN™ G5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：70A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th
    ￥2,374.12 税込￥2,611.53
  • 75

    【AIMCQ120R030M1TXTMA1】SIC_DISCRETE

    AIMCQ120R030M1TXTMA1
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：78A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V、20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3
    ￥3,262.36 税込￥3,588.59
  • 76

    【AIMCQ120R080M1TXTMA1】SIC_DISCRETE

    AIMCQ120R080M1TXTMA1
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    最小750個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：34A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V、20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1
    ￥872.98 税込￥960.27
  • 77

    【AIMCQ120R080M1TXTMA1】SIC_DISCRETE

    AIMCQ120R080M1TXTMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：34A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V、20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1
    ￥1,956.48 税込￥2,152.12
  • 78

    【AIMCQ120R030M1TXTMA1】SIC_DISCRETE

    AIMCQ120R030M1TXTMA1
    インフィニオン
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    最小750個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：78A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V、20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3
    ￥1,770.35 税込￥1,947.38
  • 79

    【AOD403】MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO252 [digi-reel品]

    AOD403
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Ta）、70A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V、20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6ミリオーム @ 20A、
    ￥400.00 税込￥440.00
  • 80

    【R6520ENZ4C13】650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER

    R6520ENZ4C13
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：205ミリオーム @ 9.5A、10V・Id印加時のVgs（
    ￥1,136.99 税込￥1,250.68
  • 81

    【TK20A60W,S5VX】MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS

    TK20A60W,S5VX
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：DTMOSIV・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：155ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時
    ￥834.73 税込￥918.20
  • 82

    【AOSP21357】MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC [digi-reel品]

    AOSP21357
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8.5ミリオーム @ 16A、10V・I
    ￥394.29 税込￥433.71
  • 83

    【GT055N06K】MOSFET N-CH 60V 90A 78W TO-252

    GT055N06K
    Goford Semiconductor
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：SGT・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：90A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5ミリオーム @ 30A、10V・
    ￥250.00 税込￥275.00
  • 84

    【AIMCQ120R040M1TXTMA1】SIC_DISCRETE [digi-reel品]

    AIMCQ120R040M1TXTMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：61A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V、20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50
    ￥2,760.00 税込￥3,036.00
  • 85

    【IRLD024PBF】MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP

    IRLD024PBF
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 1.5A、5V・Id印加時のVgs
    ￥584.73 税込￥643.20
  • 86

    【SSM6K824R,LF】SSM6K824R NチャンネルMOSFET(digi-reel品)

    SSM6K824R,LF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：33ミリオーム @ 4A、4.5V・Id
    ￥142.86 税込￥157.14
  • 87

    【FQP17P06】MOSFET P-CH 60V 17A TO220-3

    FQP17P06
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：QFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：120ミリオーム @ 8.5A、10V・Id印加時のV
    ￥332.86 税込￥366.14
  • 88

    【TK4R9E15Q5,S1X】150V UMOS10-HSD TO-220 4.9MOHM

    TK4R9E15Q5,S1X
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：U-MOSX-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：120A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.9ミリオーム @ 50A、 10V
    ￥989.05 税込￥1,087.95
  • 89

    【XPN7R104NC,L1XHQ】MOSFET N-CH 40V 20A 8TSON [digi-reel品]

    XPN7R104NC,L1XHQ
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：U-MOSIII・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.1ミリオーム @ 10
    ￥91.43 税込￥100.57
  • 90

    【FQP27P06】MOSFET P-CH 60V 27A TO220

    FQP27P06
    UMW
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：*・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）：-・Vds印
    ￥367.15 税込￥403.86
  • 91

    【EPC2067】TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA [digi-reel品]

    EPC2067
    EPC
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：eGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：69A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.55ミリオーム @ 37A、5V・Id
    ￥1,224.66 税込￥1,347.12
  • 92

    【TPHR8504PL,L1Q】MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP [digi-reel品]

    TPHR8504PL,L1Q
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：U-MOSIX-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：150A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：0.85ミリオーム @
    ￥467.15 税込￥513.86
  • 93

    【BSC320N20NS3GATMA1】MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8 [digi-reel品]

    BSC320N20NS3GATMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：36A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：32ミリオーム @ 36A、10V
    ￥591.67 税込￥650.83
  • 94

    【FCPF190N60E-F154】MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220F-3

    FCPF190N60E-F154
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperFET® II・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20.6A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：190ミリオーム @ 10A、10V・
    ￥869.45 税込￥956.39
  • 95

    【GCMS010B120S1-E1】1700V, 15M SIC MOSFET MODULE, SO

    GCMS010B120S1-E1
    SemiQ
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：QSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：204A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14ミリオーム @ 100A
    ￥11,073.57 税込￥12,180.92
  • 96

    【AIMZA75R040M1HXKSA1】IGBT

    AIMZA75R040M1HXKSA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：750 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：44A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：37ミリオーム @ 16.6A、20V
    ￥1,998.83 税込￥2,198.71
  • 97

    【EPC7014UBC】GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB

    EPC7014UBC
    EPC
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：e-GaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：580ミリオーム @ 1A、5V・Id印加時のVgs（t
    ￥32,363.64 税込￥35,600.00
  • 98

    【NTA4153NT1G】MOSFET N-CH 20V 915MA SC75

    NTA4153NT1G
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：915mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：230ミリオーム @ 600mA
    ￥75.72 税込￥83.29
  • 99

    【TW030N120C,S1F】G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MO

    TW030N120C,S1F
    東芝
    確認する
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：60A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40ミリオーム @ 30A、18V・Id印加時のVgs（t
    ￥6,855.18 税込￥7,540.69
  • 100

    【S1M1000170D】MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V

    S1M1000170D
    SMC Diode Solutions
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1700 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.3オーム @ 2A、20V・Id
    ￥980.83 税込￥1,078.91
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