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トランジスタ - FET、MOSFET - シングルの定格表 該当製品数: 63,030 / 63,030

定格表の使い方
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4,000 件中 1100 件目
写真 型番 メーカー データシート BOMに追加 品質ランク 単価 (税抜) 単価 (税込) カートに追加 在庫数量 最少購入数 納期 パッケージ シリーズ FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgsでのゲートチャージ(Qg)(最大)に結合された電圧 Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) Vdsでの入力静電容量(Ciss)(最大)に結合された電圧 FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 グレード 認定 取り付けタイプ
TW045N120C,S1F TW045N120C,S1F 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥5,954.03 /個
1個以上 ¥6,549.43 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 40A(Tc) 18V 59ミリオーム @ 20A、18V 5V @ 6.7mA 57 nC @ 18 V +25V、-10V 1969 pF @ 800 V - 182W(Tc) 175°C - - スルーホール TO-247 TO-247-3
SSM3J355R,LF SSM3J355R,LF 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥114.29 /個
1個以上 ¥125.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSVII Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 6A(Ta) 1.8V、4.5V 30.1ミリオーム @ 4A、4.5V 1V @ 1mA 16.6 nC @ 4.5 V ±10V 1030 pF @ 10 V - 1W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23F SOT-23-3フラットリード
RJK005N03T146 RJK005N03T146 ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
3000個以上 ¥21.84 /個
3000個以上 ¥24.02 /個
確認する 3,000 確認する テープ&リール(TR) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 500mA(Ta) 2.5V、4.5V 580ミリオーム @ 500mA、4.5V 1.5V @ 1mA 4 nC @ 4 V ±12V 60 pF @ 10 V - 200mW(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 SMT3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
TK20N60W,S1VF TK20N60W,S1VF 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,754.77 /個
1個以上 ¥1,930.24 /個
確認する 確認する チューブ DTMOSIV Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 20A(Ta) 10V 155ミリオーム @ 10A、10V 3.7V @ 1mA 48 nC @ 10 V ±30V 1680 pF @ 300 V - 165W(Tc) 150°C(TJ) - - スルーホール TO-247 TO-247-3
BSC025N08LS5ATMA1 BSC025N08LS5ATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥634.73 /個
1個以上 ¥698.20 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80 V 100A(Tc) 4.5V、10V 2.5ミリオーム @ 50A、10V 2.3V @ 115µA 55 nC @ 4.5 V ±20V 7500 pF @ 40 V - 2.5W(Ta)、156W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 PG-TDSON-8-7 8-PowerTDFN
SSM3K15AFU,LF SSM3K15AFU,LF 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥52.86 /個
1個以上 ¥58.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSIII Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 100mA(Ta) 2.5V、4V 3.6オーム @ 10mA、4V 1.5V @ 100µA - ±20V 13.5 pF @ 3 V - 150mW(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 USM SC-70、SOT-323
RS6L120BHTB1 RS6L120BHTB1 ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥872.23 /個
1個以上 ¥959.45 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 120A(Tc) 6V、10V 2.7ミリオーム @ 90A、10V 4V @ 1mA 51 nC @ 10 V ±20V 4080 pF @ 30 V - 3W(Ta)、104W(Tc) 150°C(TJ) - - 面実装 8-HSOP 8-PowerTDFN
FDS6679AZ FDS6679AZ オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥380.00 /個
1個以上 ¥418.00 /個
確認する 確認する Digi-Reel® PowerTrench® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 13A(Ta) 4.5V、10V 9.3ミリオーム @ 13A、10V 3V @ 250µA 96 nC @ 10 V ±25V 3845 pF @ 15 V - 2.5W(Ta) -55°C~155°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)
IPB65R065C7ATMA2 IPB65R065C7ATMA2 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,727.39 /個
1個以上 ¥1,900.12 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) CoolMOS™ C7 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 650 V 33A(Tc) 10V 65ミリオーム @ 17.1A、10V 4.5V @ 200µA 64 nC @ 10 V ±20V 3020 pF @ 400 V - 171W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 PG-TO263-3 TO-263-3、D2PAK(2リード + タブ)、TO-263AB
UMWIRLML6344TR UMWIRLML6344TR UMW データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥111.43 /個
1個以上 ¥122.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) * Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 5A(Ta) 2.5V、4.5V 29ミリオーム @ 5A、4.5V 1.1V @ 10µA - ±12V - - 1.3W(Ta) -55°C~155°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
DMP6110SFDF-13 DMP6110SFDF-13 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥201.43 /個
1個以上 ¥221.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.2A(Ta) 4.5V、10V 110ミリオーム @ 4.5A、10V 3V @ 250µA 17.2 nC @ 10 V ±20V 969 pF @ 30 V - 1.97W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 U-DFN2020-6(タイプF) 6-UDFN露出パッド
RQ6C050UNTR RQ6C050UNTR ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥197.15 /個
1個以上 ¥216.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 5A(Ta) 1.5V、4.5V 30ミリオーム @ 5A、4.5V 1V @ 1mA 12 nC @ 4.5 V ±10V 900 pF @ 10 V - 1.25W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 TSMT6(SC-95) SOT-23-6薄型、TSOT-23-6
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥291.43 /個
1個以上 ¥320.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) SIPMOS® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 1.9A(Ta) 10V 300ミリオーム @ 1.9A、10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 410 pF @ 25 V - 1.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 PG-SOT223-4 TO-261-4、TO-261AA
DMG3402L-7 DMG3402L-7 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥121.43 /個
1個以上 ¥133.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4A(Ta) 2.5V、10V 52ミリオーム @ 4A、10V 1.4V @ 250µA 11.7 nC @ 10 V ±12V 464 pF @ 15 V - 1.4W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SCT4026DRC15 SCT4026DRC15 ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥4,068.24 /個
1個以上 ¥4,475.06 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 750 V 56A(Tc) 18V 34ミリオーム @ 29A、18V 4.8V @ 15.4mA 94 nC @ 18 V +21V、-4V 2320 pF @ 500 V - 176W 175°C(TJ) - - スルーホール TO-247-4L TO-247-4
IRFP9140NPBF IRFP9140NPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥701.39 /個
1個以上 ¥771.52 /個
確認する 確認する チューブ HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 23A(Tc) 10V 117ミリオーム @ 13A、10V 4V @ 250µA 97 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-247AC TO-247-3
IRF730APBF IRF730APBF VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥655.56 /個
1個以上 ¥721.11 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 400 V 5.5A(Tc) 10V 1オーム @ 3.3A、10V 4.5V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±30V 600 pF @ 25 V - 74W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
IPI086N10N3GXKSA1 IPI086N10N3GXKSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥558.34 /個
1個以上 ¥614.17 /個
確認する 確認する チューブ OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 80A(Tc) 6V、10V 8.6ミリオーム @ 73A、10V 3.5V @ 75µA 55 nC @ 10 V ±20V 3980 pF @ 50 V - 125W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール PG-TO262-3 TO-262-3長リード、I2PAK、TO-262AA
SQ3418EV-T1_GE3 SQ3418EV-T1_GE3 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥268.58 /個
1個以上 ¥295.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) TrenchFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 8A(Tc) 4.5V、10V 32ミリオーム @ 5A、10V 2.5V @ 250µA 12.7 nC @ 10 V ±20V 678 pF @ 20 V - 5W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 6-TSOP SOT-23-6薄型、TSOT-23-6
SI4103DY-T1-GE3 SI4103DY-T1-GE3 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥330.00 /個
1個以上 ¥363.00 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) TrenchFET® Gen III Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 14A(Ta)、16A(Tc) 4.5V、10V 7.9ミリオーム @ 10A、10V 2V @ 250µA 140 nC @ 10 V ±20V 5200 pF @ 15 V - 2.5W(Ta)、5.2W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SO 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)
2N7000-G 2N7000-G Microchip データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥118.58 /個
1個以上 ¥130.43 /個
確認する 確認する バッグ - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 200mA(Tj) 4.5V、10V 5オーム @ 500mA、10V 3V @ 1mA - ±30V 60 pF @ 25 V - 1W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-92-3 TO-226-3、TO-92-3標準本体(TO-226AA)
FDT86106LZ FDT86106LZ オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥515.72 /個
1個以上 ¥567.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) PowerTrench® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 3.2A(Ta) 4.5V、10V 108ミリオーム @ 3.2A、10V 2.2V @ 250µA 7 nC @ 10 V ±20V 315 pF @ 50 V - 2.2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-223-4 TO-261-4、TO-261AA
RE1C002ZPTL RE1C002ZPTL ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥87.15 /個
1個以上 ¥95.86 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 200mA(Ta) 4.5V 1.2オーム @ 200mA、4.5V 1V @ 100µA 1.4 nC @ 4.5 V ±10V 115 pF @ 10 V - 150mW(Ta) -40°C~150°C(TJ) - - 面実装 EMT3F(SOT-416FL) SC-89、SOT-490
AO3400A AO3400A Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥122.86 /個
1個以上 ¥135.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 5.7A(Ta) 2.5V、10V 26.5ミリオーム @ 5.7A、10V 1.5V @ 250µA 7 nC @ 4.5 V ±12V 630 pF @ 15 V - 1.4W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 3-SMD、SOT-23-3可変
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥132.86 /個
1個以上 ¥146.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 4.2A(Ta) 2.5V、4.5V 45ミリオーム @ 4.2A、4.5V 1.2V @ 250µA 12 nC @ 5 V ±12V 740 pF @ 15 V - 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 Micro3™/SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
IMW65R057M1HXKSA1 IMW65R057M1HXKSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,772.95 /個
1個以上 ¥1,950.24 /個
確認する 確認する チューブ CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 35A(Tc) 18V 74ミリオーム @ 16.7A、18V 5.7V @ 5mA 28 nC @ 18 V +20V、-2V 930 pF @ 400 V - 133W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール PG-TO247-3-41 TO-247-3
SQA600CEJW-T1_GE3 SQA600CEJW-T1_GE3 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥215.72 /個
1個以上 ¥237.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) TrenchFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80 V 9A(Tc) 4.5V、10V 54.6ミリオーム @ 3A、10V 2.5V @ 250µA 9 nC @ 10 V ±20V 540 pF @ 25 V - 13.6W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装、濡れ性フランク PowerPAK®SC-70W-6 6-PowerVDFN
RQ6C065BCTCR RQ6C065BCTCR ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥301.43 /個
1個以上 ¥331.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 6.5A(Tc) 4.5V 21ミリオーム @ 6.5A、4.5V 1.2V @ 1mA 22 nC @ 4.5 V ±8V 1520 pF @ 10 V - 1.25W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 TSMT6(SC-95) SOT-23-6薄型、TSOT-23-6
2SK3018-TP 2SK3018-TP MCC (Micro Commercial Components) データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥97.15 /個
1個以上 ¥106.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 100mA(Ta) 2.5V 8オーム @ 10mA、4V 1.5V @ 100µA - ±20V 13 pF @ 5 V - 200mW(Ta) -55°C~150°C - - 面実装 SOT-323 SC-70、SOT-323
BSS138 BSS138 - データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥25.72 /個
1個以上 ¥28.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 50 V 220mA 4.5V、10V 3.5オーム @ 220mA、10V 1.6V @ 1mA - ±20V 50 pF @ 25 V - 225mW(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
DMN6075S-13 DMN6075S-13 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥101.43 /個
1個以上 ¥111.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 2A(Ta) 4.5V、10V 85ミリオーム @ 3.2A、 10V 3V @ 250µA 12.3 nC @ 10 V ±20V 606 pF @ 20 V - 800mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
AOSP36326C AOSP36326C Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥194.29 /個
1個以上 ¥213.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 12A(Ta) 4.5V、10V 11ミリオーム @ 12A、10V 2.3V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 542 pF @ 15 V - 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)
R2P020N06HZGT100 R2P020N06HZGT100 ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥275.72 /個
1個以上 ¥303.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 2A(Ta) 2.5V、4.5V 240ミリオーム @ 2A、4.5V 1.5V @ 1mA 5 nC @ 4 V ±12V 160 pF @ 10 V - 500mW(Ta) 150°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 SOT-89 TO-243AA
AOD4184A AOD4184A Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥284.29 /個
1個以上 ¥312.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 13A(Ta)、50A(Tc) 4.5V、10V 7ミリオーム @ 20A、10V 2.6V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±20V 1800 pF @ 20 V - 2.3W(Ta)、50W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 TO-252(DPAK) TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
FDN336P FDN336P UMW データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥94.29 /個
1個以上 ¥103.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) * - - - - - - - - - - - - - - - - -
G18P03S G18P03S Goford Semiconductor データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥291.43 /個
1個以上 ¥320.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) TrenchFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 15A(Tc) 4.5V、10V 10ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±20V 3570 pF @ 15 V - 3.1W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOP 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)
DN2540N3-G DN2540N3-G Microchip データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥230.00 /個
1個以上 ¥253.00 /個
確認する 確認する バッグ - Nチャンネル、デプレッションモード MOSFET(金属酸化物) 400 V 120mA(Tj) 0V 25オーム @ 120mA、0V - - ±20V 300 pF @ 25 V - 1W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-92(TO-226) TO-226-3、TO-92-3標準本体(TO-226AA)
AONS21357 AONS21357 Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥284.29 /個
1個以上 ¥312.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 21A(Ta)、36A(Tc) 4.5V、10V 7.8ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±25V 2830 pF @ 15 V - 5W(Ta)、48W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-DFN(5x6) 8-PowerSMD、フラットリード
IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥100.00 /個
1個以上 ¥110.00 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 2.7A(Ta) 4.5V、10V 100ミリオーム @ 2.7A、10V 2.3V @ 25µA 1 nC @ 4.5 V ±20V 110 pF @ 15 V - 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 Micro3™/SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥368.58 /個
1個以上 ¥405.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) TrenchFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 13.6A(Ta)、49A(Tc) 2.5V、10V 8ミリオーム @ 13A、10V 1.4V @ 250µA 162 nC @ 10 V ±12V 4250 pF @ 15 V - 2.7W(Ta)、5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)
XPJR6604PB,LXHQ XPJR6604PB,LXHQ 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥586.12 /個
1個以上 ¥644.73 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSIX-H Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 200A(Ta) 6V、10V 0.66ミリオーム @ 100A、10V 3V @ 1mA 128 nC @ 10 V ±20V 11380 pF @ 10 V - 375W(Tc) 175°C 自動車 AEC-Q101 面実装 S-TOGL™ 5-PowerSFN
BSS138W-7-F BSS138W-7-F Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥64.29 /個
1個以上 ¥70.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 50 V 200mA(Ta) 10V 3.5オーム @ 220mA、10V 1.5V @ 250µA - ±20V 50 pF @ 10 V - 200mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-323 SC-70、SOT-323
IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥465.72 /個
1個以上 ¥512.29 /個
確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55 V 47A(Tc) 4V、10V 22ミリオーム @ 25A、10V 2V @ 250µA 48 nC @ 5 V ±16V 1700 pF @ 25 V - 3.8W(Ta)、110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
MCAC9D5N06YL-TP MCAC9D5N06YL-TP MCC (Micro Commercial Components) データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥244.29 /個
1個以上 ¥268.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 60A(Tc) 4.5V、10V 9.5ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 1390 pF @ 30 V - 69W(Tj) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 DFN5060 8-PowerTDFN
SSM3K56FS,LF SSM3K56FS,LF 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥87.15 /個
1個以上 ¥95.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSVII-H Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 800mA(Ta) 1.5V、4.5V 235ミリオーム @ 800mA、4.5V 1V @ 1mA 1 nC @ 4.5 V ±8V 55 pF @ 10 V - 150mW(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 SSM SC-75、SOT-416
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥427.15 /個
1個以上 ¥469.86 /個
確認する 確認する Digi-Reel® HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 161A(Tc) 4.5V、10V 3.3ミリオーム @ 15A、10V 2.3V @ 250µA 50 nC @ 4.5 V ±20V 4380 pF @ 15 V - 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 TO-252AA (DPAK) TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
STN1NK60ZL STN1NK60ZL STマイクロエレクトロニクス データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥235.72 /個
1個以上 ¥259.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) SuperMESH™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 300mA(Tc) 10V 15オーム @ 400mA、10V 4.5V @ 50µA 6.9 nC @ 10 V ±30V 94 pF @ 25 V - 3.3W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-223 TO-261-4、TO-261AA
RQ3E120GNTB RQ3E120GNTB ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥200.00 /個
1個以上 ¥220.00 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 12A(Ta) 4.5V、10V 8.8ミリオーム @ 12A、10V 2.5V @ 1mA 10 nC @ 10 V ±20V 590 pF @ 15 V - 2W(Ta)、16W(Tc) 150°C(TJ) - - 面実装 8-HSMT(3.2x3) 8-PowerVDFN
TK9J90E,S1E TK9J90E,S1E 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,000.00 /個
1個以上 ¥1,100.00 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 900 V 9A(Ta) 10V 1.3オーム @ 4.5A、10V 4V @ 900µA 46 nC @ 10 V ±30V 2000 pF @ 25 V - 250W(Tc) 150°C(TJ) - - スルーホール TO-3P(N) TO-3P-3、SC-65-3
IPA60R360P7SXKSA1 IPA60R360P7SXKSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥427.15 /個
1個以上 ¥469.86 /個
確認する 確認する チューブ CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 9A(Tc) 10V 360ミリオーム @ 2.7A、10V 4V @ 140µA 13 nC @ 10 V ±20V 555 pF @ 400 V - 22W(Tc) -40°C~150°C(TJ) - - スルーホール PG-TO220-FP TO-220-3フルパッッケージ
TK110E10PL,S1X TK110E10PL,S1X 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥560.00 /個
1個以上 ¥616.00 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 42A(Tc) 4.5V、10V 10.7ミリオーム @ 21A、10V 2.5V @ 300µA 33 nC @ 10 V ±20V 2040 pF @ 50 V - 87W(Tc) 175°C - - スルーホール TO-220 TO-220-3
IRLR7843TRLPBF IRLR7843TRLPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥355.72 /個
1個以上 ¥391.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 161A(Tc) 4.5V、10V 3.3ミリオーム @ 15A、10V 2.3V @ 250µA 50 nC @ 4.5 V ±20V 4380 pF @ 15 V - 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 TO-252AA (DPAK) TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
ISS55EP06LMXTSA1 ISS55EP06LMXTSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥61.43 /個
1個以上 ¥67.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 180mA(Ta) 4.5V、10V 5.5オーム @ 180mA、10V 2V @ 11µA 0.59 nC @ 10 V ±20V 18 pF @ 30 V - 400mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 PG-SOT23-3-5 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
TJ10S04M3L,LXHQ TJ10S04M3L,LXHQ 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥358.58 /個
1個以上 ¥394.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSVI Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 10A(Ta) 6V、10V 44ミリオーム @ 5A、10V 3V @ 1mA 19 nC @ 10 V +10V、-20V 930 pF @ 10 V - 27W(Tc) 175°C 自動車 AEC-Q101 面実装 DPAK+ TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
IPA70R600P7SXKSA1 IPA70R600P7SXKSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥362.86 /個
1個以上 ¥399.14 /個
確認する 確認する チューブ CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 700 V 8.5A(Tc) 10V 600ミリオーム @ 1.8A、10V 3.5V @ 90µA 10.5 nC @ 10 V ±16V 364 pF @ 400 V - 25W(Tc) -40°C~150°C(TJ) - - スルーホール PG-TO220-3-FP TO-220-3フルパッッケージ
SSM3J15FS,LF SSM3J15FS,LF 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥57.15 /個
1個以上 ¥62.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 100mA(Ta) 2.5V、4V 12オーム @ 10mA、4V 1.7V @ 100µA - ±20V 9.1 pF @ 3 V - 100mW(Ta) 150°C - - 面実装 SSM SC-75、SOT-416
TK2R9E10PL,S1X TK2R9E10PL,S1X 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,026.03 /個
1個以上 ¥1,128.63 /個
確認する 確認する チューブ U-MOSIX-H Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 100A(Ta) 4.5V、10V 2.9ミリオーム @ 50A、10V 2.5V @ 1mA 161 nC @ 10 V ±20V 9500 pF @ 50 V - 306W(Tc) 175°C - - スルーホール TO-220 TO-220-3
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥111.43 /個
1個以上 ¥122.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 3.4A(Ta) 2.5V、4.5V 63ミリオーム @ 3.4A、4.5V 1.1V @ 10µA 2.9 nC @ 4.5 V ±12V 270 pF @ 24 V - 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 Micro3™/SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
FDS9435A FDS9435A オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥272.86 /個
1個以上 ¥300.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) PowerTrench® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 5.3A(Ta) 4.5V、10V 50ミリオーム @ 5.3A、10V 3V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±25V 528 pF @ 15 V - 2.5W(Ta) -55°C~155°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)
DMP31D7L-7 DMP31D7L-7 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥82.86 /個
1個以上 ¥91.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 580mA(Ta) 4.5V、10V 900ミリオーム @ 420mA、10V 2.6V @ 250µA 0.36 nC @ 4.5 V ±20V 19 pF @ 15 V - 430mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
RUC002N05T116 RUC002N05T116 ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥64.29 /個
1個以上 ¥70.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 50 V 200mA(Ta) 1.2V、4.5V 2.2オーム @ 200mA、4.5V 1V @ 1mA - ±8V 25 pF @ 10 V - 200mW(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 SST3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SSM3J338R,LF SSM3J338R,LF 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥125.72 /個
1個以上 ¥138.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSVII Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 12 V 6A(Ta) 1.8V、8V 17.6ミリオーム @ 6A、8V 1V @ 1mA 19.5 nC @ 4.5 V ±10V 1400 pF @ 6 V - 1W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23F SOT-23-3フラットリード
BSS83IXUSA1 BSS83IXUSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥78.58 /個
1個以上 ¥86.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 320mA(Ta)、550mA(Tc) 4.5V、10V 1.7オーム @ 300mA、10V 2V @ 34µA 1.09 nC @ 4.5 V ±20V 72 pF @ 30 V - 400mW (Ta)、1.04W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 PG-SOT23-3-U03 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ISS17EP06LMXTSA1 ISS17EP06LMXTSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
確認する 売り切れ カット テープ(CT) OptiMOS™ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 300mA(Ta) 4.5V、10V 1.7オーム @ 300mA、10V 2V @ 34µA 1.79 nC @ 10 V ±20V 55 pF @ 30 V - 360mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 PG-SOT23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
BSS138 BSS138 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥74.29 /個
1個以上 ¥81.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 50 V 220mA(Ta) 4.5V、10V 3オーム @ 500mA、10V 1.6V @ 250µA 2.4 nC @ 10 V ±20V 27 pF @ 25 V - 350mW(Ta) -55°C~155°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥68.58 /個
1個以上 ¥75.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 200mA(Ta) 4.5V、10V 5オーム @ 500mA、10V 3V @ 1mA - ±20V 60 pF @ 25 V - 350mW(Ta) 150°C(TJ) - - スルーホール TO-92 TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形リード
BS170 BS170 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥107.15 /個
1個以上 ¥117.86 /個
確認する 確認する バルク - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 500mA(Ta) 10V 5オーム @ 200mA、10V 3V @ 1mA - ±20V 40 pF @ 10 V - 830mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-92-3 TO-226-3、TO-92-3標準本体(TO-226AA)
IRFB4227PBF IRFB4227PBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥637.50 /個
1個以上 ¥701.25 /個
確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 65A(Tc) 10V 24ミリオーム @ 46A、10V 5V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±30V 4600 pF @ 25 V - 330W(Tc) -40°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
AO3400A AO3400A UMW データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥42.86 /個
1個以上 ¥47.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) UMW Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 5.8A(Ta) 2.5V、10V 28ミリオーム @ 5.8A、10V 1.4V @ 250µA 12 nC @ 4.5 V ±12V 1050 pF @ 15 V - 1.4W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SSM3J332R SSM3J332R UMW データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥75.72 /個
1個以上 ¥83.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) * Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 6A(Ta) 1.8V、10V 42ミリオーム @ 5A、10V 1.2V @ 1mA - ±12V - - 1W(Ta) -55°C~155°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3(TO-236) SOT-23-3フラットリード
BSS84 BSS84 Good-Ark Semiconductor データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥24.29 /個
1個以上 ¥26.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 50 V 130mA(Ta) 5V、10V 10オーム @ 100mA、5V 2V @ 250µA - ±20V 30 pF @ 5 V - 225mW 150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
AO3407A AO3407A UMW データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥47.15 /個
1個以上 ¥51.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) UMW Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.2A(Ta) 4.5V、10V 52ミリオーム @ 4.1A、 10V 3V @ 250µA 14.3 nC @ 4.5 V ±20V 700 pF @ 15 V - 1.4W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
BSS138 BSS138 Good-Ark Semiconductor データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥24.29 /個
1個以上 ¥26.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 50 V 220mA(Tj) 4.5V、10V 3.5オーム @ 220mA、10V 1.5V @ 250µA 2.4 nC @ 10 V ±20V 30 pF @ 25 V - 430mW -55°C~175°C - - 面実装 SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
NVMFWS1D5N08XT1G NVMFWS1D5N08XT1G オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,042.47 /個
1個以上 ¥1,146.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80 V 253A(Tc) 10V 1.43ミリオーム @ 50A、10V 3.6V @ 330µA 83 nC @ 10 V ±20V 5880 pF @ 40 V - 194W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装、濡れ性フランク 5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF) 8-PowerTDFN、5リード
SIJH5100E-T1-GE3 SIJH5100E-T1-GE3 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,489.03 /個
1個以上 ¥1,637.93 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) TrenchFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 28A(Ta) 、277A(Tc) 7.5V、10V 1.89ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 128 nC @ 10 V ±20V 6900 pF @ 50 V - 3.3W(Ta)、333W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 PowerPAK® 8 x 8 PowerPAK® 8 x 8
IMBG120R350M1HXTMA1 IMBG120R350M1HXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,265.34 /個
1個以上 ¥1,391.87 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 4.7A(Tc) - 468ミリオーム @ 2A、18V 5.7V @ 1mA 5.9 nC @ 18 V +18V、-15V 196 pF @ 800 V - 65W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 PG-TO263-7-12 TO-263-8、D2PAK(7リード + タブ)、TO-263CA
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
2500個以上 ¥159.18 /個
2500個以上 ¥175.09 /個
確認する 2,500 確認する テープ&リール(TR) CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 950 V 14A(Tc) 10V 450ミリオーム @ 7.2A、10V 3.5V @ 360µA 35 nC @ 10 V ±20V 1053 pF @ 400 V - 104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 PG-TO252-3 TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
EPC2203 EPC2203 EPC データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥375.72 /個
1個以上 ¥413.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) eGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 80 V 1.7A(Ta) 5V 80ミリオーム @ 1A、5V 2.5V @ 600µA 0.83 nC @ 5 V +5.75V、 -4V 88 pF @ 50 V - - -40°C~150°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 ダイ ダイ
TSM2309CX RFG TSM2309CX RFG Taiwan Semiconductor データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥164.29 /個
1個以上 ¥180.71 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 3.1A(Tc) 4.5V、10V 190ミリオーム @ 3A、10V 2.5V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±20V 425 pF @ 30 V - 1.56W(Tc) 150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SUM70101EL-GE3 SUM70101EL-GE3 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,218.67 /個
1個以上 ¥1,340.53 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) TrenchFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 120A(Tc) 4.5V、10V 10.1ミリオーム @ 30A、 10V 2.5V @ 250µA 190 nC @ 10 V ±20V 7000 pF @ 50 V - 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 TO-263(D2PAK) TO-263-3、D2PAK(2リード + タブ)、TO-263AB
IRF1310NPBF IRF1310NPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥623.62 /個
1個以上 ¥685.98 /個
確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 42A(Tc) 10V 36ミリオーム @ 22A、10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 25 V - 160W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
IRFR1N60APBF IRFR1N60APBF VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥561.12 /個
1個以上 ¥617.23 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 1.4A(Tc) 10V 7オーム @ 840mA、10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±30V 229 pF @ 25 V - 36W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 DPAK TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
RSR020P05HZGTL RSR020P05HZGTL ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥258.58 /個
1個以上 ¥284.43 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 45 V 2A(Ta) 4V、10V 190ミリオーム @ 2A、10V 3V @ 1mA 4.5 nC @ 4.5 V ±20V 500 pF @ 10 V - 700mW(Ta) 150°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 TSMT3 SC-96
IMTA65R050M2HXTMA1 IMTA65R050M2HXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,422.23 /個
1個以上 ¥1,564.45 /個
確認する 確認する Digi-Reel® CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 43A(Tc) 15V、20V 46ミリオーム @ 18.2A、20V 5.6V @ 3.7mA 22 nC @ 18 V +23V、-7V 790 pF @ 400 V - 197W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - - -
IMTA65R050M2HXTMA1 IMTA65R050M2HXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,422.23 /個
1個以上 ¥1,564.45 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 43A(Tc) 15V、20V 46ミリオーム @ 18.2A、20V 5.6V @ 3.7mA 22 nC @ 18 V +23V、-7V 790 pF @ 400 V - 197W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - - -
TK3P50D,RQ(S TK3P50D,RQ(S 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥508.58 /個
1個以上 ¥559.43 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 500 V 3A(Ta) 10V 3オーム @ 1.5A、10V 4.4V @ 1mA 7 nC @ 10 V ±30V 280 pF @ 25 V - 60W(Tc) 150°C(TJ) - - 面実装 DPAK TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
RSR020P05HZGTL RSR020P05HZGTL ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥258.58 /個
1個以上 ¥284.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 45 V 2A(Ta) 4V、10V 190ミリオーム @ 2A、10V 3V @ 1mA 4.5 nC @ 4.5 V ±20V 500 pF @ 10 V - 700mW(Ta) 150°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 TSMT3 SC-96
RXH070N03TB1 RXH070N03TB1 ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥361.43 /個
1個以上 ¥397.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 7A(Ta) 4V、10V 28ミリオーム @ 7A、10V 2.5V @ 1mA 5.8 nC @ 5 V ±20V 390 pF @ 10 V - 1.4W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 8-SOP 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)
RQ5C030TPTL RQ5C030TPTL ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥244.29 /個
1個以上 ¥268.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 3A(Ta) 2.5V、4.5V 75ミリオーム @ 3A、4.5V 2V @ 1mA 9.3 nC @ 4.5 V ±12V 840 pF @ 10 V - 700mW(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 TSMT3 SC-96
NTMTS0D7N06CLTXG NTMTS0D7N06CLTXG オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,169.87 /個
1個以上 ¥1,286.85 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 62.2A(Ta)、477A(Tc) 4.5V、10V 0.68ミリオーム @ 50A、10V 2.5V @ 250µA 225 nC @ 10 V ±20V 16200 pF @ 25 V - 5W(Ta)、294.6W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 8-DFNW(8.3x8.4) 8-PowerTDFN
MMFTP5101K-AQ MMFTP5101K-AQ Diotec Semiconductor データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥24.29 /個
1個以上 ¥26.71 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 200mA(Ta) 4.5V、10V 6オーム @ 200mA、10V 2V @ 250µA 1.1 nC @ 4.5 V ±20V 38 pF @ 30 V - 500mW(Ta) -55°C~150°C 自動車 AEC-Q101 面実装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
TJ200F04M3L,LXHQ TJ200F04M3L,LXHQ 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,010.96 /個
1個以上 ¥1,112.05 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSVI Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 200A(Ta) 6V、10V 1.8ミリオーム @ 100A、10V 3V @ 1mA 460 nC @ 10 V +10V、-20V 1280 pF @ 10 V - 375W(Tc) 175°C 自動車 AEC-Q101 面実装 TO-220SM(W) TO-263-3、D2PAK(2リード + タブ)、TO-263AB
TK5R3E08QM,S1X TK5R3E08QM,S1X 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥662.50 /個
1個以上 ¥728.75 /個
確認する 確認する チューブ U-MOSX-H Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80 V 120A(Tc) 6V、10V 5.3ミリオーム @ 50A、10V 3.5V @ 700µA 55 nC @ 10 V ±20V 3980 pF @ 40 V - 150W(Tc) 175°C - - スルーホール TO-220 TO-220-3
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥290.00 /個
1個以上 ¥319.00 /個
確認する 確認する Digi-Reel® CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 700 V 8.5A(Tc) 10V 600ミリオーム @ 1.8A、10V 3.5V @ 90µA 10.5 nC @ 10 V ±16V 364 pF @ 400 V - 43W(Tc) -40°C~150°C(TJ) - - 面実装 PG-TO252-3 TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥290.00 /個
1個以上 ¥319.00 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 700 V 8.5A(Tc) 10V 600ミリオーム @ 1.8A、10V 3.5V @ 90µA 10.5 nC @ 10 V ±16V 364 pF @ 400 V - 43W(Tc) -40°C~150°C(TJ) - - 面実装 PG-TO252-3 TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
EPC2204A EPC2204A EPC データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥911.12 /個
1個以上 ¥1,002.23 /個
確認する 確認する Digi-Reel® eGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 80 V 29A(Ta) 5V 6ミリオーム @ 16A、5V 2.5V @ 4mA 7.4 nC @ 5 V +6V、-4V 851 pF @ 50 V - - -40°C~150°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 ダイ ダイ
IAUC120N06S5L011ATMA1 IAUC120N06S5L011ATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥904.17 /個
1個以上 ¥994.58 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 310A(Tj) 4.5V、10V 1.1ミリオーム @ 60A、10V 2.2V @ 130µA 160 nC @ 10 V ±20V 11400 pF @ 30 V - 188W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 PG-TDSON-8-53 8-PowerTDFN
EPC2054 EPC2054 EPC データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥616.67 /個
1個以上 ¥678.33 /個
確認する 確認する Digi-Reel® eGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 200 V 3A(Ta) 5V 43ミリオーム @ 1A、5V 2.5V @ 1mA 4.3 nC @ 5 V +6V、-4V 573 pF @ 100 V - - -40°C~150°C(TJ) - - 面実装 ダイ ダイ
IRF5210PBF IRF5210PBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥784.73 /個
1個以上 ¥863.20 /個
確認する 確認する チューブ HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 40A(Tc) 10V 60ミリオーム @ 24A、10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 2700 pF @ 25 V - 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
RTR025N05HZGTL RTR025N05HZGTL ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥240.00 /個
1個以上 ¥264.00 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 45 V 2.5A(Ta) 2.5V、4.5V 130ミリオーム @ 2.5A、4.5V 1.5V @ 1mA 3.2 nC @ 4.5 V ±12V 250 pF @ 10 V - 700mW(Ta) 150°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 TSMT3 SC-96
4,000 件中 1100 件目
検索結果:
1100 件 / 全 63,030
  • TW045N120C,S1F
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):40A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):18V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):59ミリオーム @ 20A、18V・Id印加時のVgs(t
    5,954.03 税込¥6,549.43
  • SSM3J355R,LF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVII・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):30.1ミリオーム @
    114.29 税込¥125.71
  • RJK005N03T146
    ROHM
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    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):500mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):580ミリオーム @ 500mA
    21.84 税込¥24.02
  • TK20N60W,S1VF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:DTMOSIV・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):155ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時
    1,754.77 税込¥1,930.24
  • BSC025N08LS5ATMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 5・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.5ミリオーム
    634.73 税込¥698.20
  • SSM3K15AFU,LF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSIII・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.6オーム @ 10
    52.86 税込¥58.14
  • RS6L120BHTB1
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):120A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.7ミリオーム @ 90A、10V・I
    872.23 税込¥959.45
  • FDS6679AZ
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:PowerTrench®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):13A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9.3ミリオーム
    380.00 税込¥418.00
  • IPB65R065C7ATMA2
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:CoolMOS™ C7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):33A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):65ミリオーム @ 17.
    1,727.39 税込¥1,900.12
  • UMWIRLML6344TR
    UMW
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:*・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):29ミリオーム @ 5A、4.5V・I
    111.43 税込¥122.57
  • DMP6110SFDF-13
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):110ミリオーム @ 4.5A、10
    201.43 税込¥221.57
  • RQ6C050UNTR
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):30ミリオーム @ 5A、4.5V・I
    197.15 税込¥216.86
  • BSP170PH6327XTSA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SIPMOS®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.9A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):300ミリオーム @ 1.9A、1
    291.43 税込¥320.57
  • DMG3402L-7
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):52ミリオーム @ 4A、10V・Id印
    121.43 税込¥133.57
  • SCT4026DRC15
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):750 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):56A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):18V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):34ミリオーム @ 29A、18V・Id印加時のVgs(th
    4,068.24 税込¥4,475.06
  • IRFP9140NPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):23A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):117ミリオーム @ 13A、10V・Id印加時
    701.39 税込¥771.52
  • IRF730APBF
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):400 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1オーム @ 3.3A、10V・Id印加時のVgs(th)
    655.56 税込¥721.11
  • IPI086N10N3GXKSA1
    インフィニオン
    確認する
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):80A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8.6ミリオーム @ 73A、10V・I
    558.34 税込¥614.17
  • SQ3418EV-T1_GE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):32ミリオーム @ 5
    268.58 税込¥295.43
  • SI4103DY-T1-GE3
    VISHAY
    確認する
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET® Gen III・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):14A(Ta)、16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds O
    330.00 税込¥363.00
  • 2N7000-G
    Microchip
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バッグ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVg
    118.58 税込¥130.43
  • FDT86106LZ
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:PowerTrench®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):108ミリオ
    515.72 税込¥567.29
  • RE1C002ZPTL
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.2オーム @ 200mA、4.5V・Id
    87.15 税込¥95.86
  • AO3400A
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):26.5ミリオーム @ 5.7A、1
    122.86 税込¥135.14
  • IRLML2502TRPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):45ミリオーム @ 4
    132.86 税込¥146.14
  • IMW65R057M1HXKSA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolSiC™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):35A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):18V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):74ミリオーム @ 16.7A、18V・Id印
    1,772.95 税込¥1,950.24
  • SQA600CEJW-T1_GE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):54.6ミリオーム @
    215.72 税込¥237.29
  • RQ6C065BCTCR
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):21ミリオーム @ 6.5A、4.5V・Id
    301.43 税込¥331.57
  • 2SK3018-TP
    MCC (Micro Commercial Components)
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8オーム @ 10mA、4V・Id印加時の
    97.15 税込¥106.86
  • BSS138
    -
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):50 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):220mA・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.5オーム @ 220mA、10V・Id
    25.72 税込¥28.29
  • DMN6075S-13
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 3.2A、 10V・
    101.43 税込¥111.57
  • AOSP36326C
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):12A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):11ミリオーム @ 12A、10V・I
    194.29 税込¥213.71
  • R2P020N06HZGT100
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):240ミリオーム @ 2A、4.5V・
    275.72 税込¥303.29
  • AOD4184A
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):13A(Ta)、50A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7ミリオーム @ 20
    284.29 税込¥312.71
  • FDN336P
    UMW
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:*・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgsでのゲー
    94.29 税込¥103.71
  • G18P03S
    Goford Semiconductor
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):15A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):10ミリオーム @
    291.43 税込¥320.57
  • DN2540N3-G
    Microchip
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バッグ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル、デプレッションモード・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):400 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):120mA(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):0V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):25オーム @ 120mA、0V・Id
    230.00 税込¥253.00
  • AONS21357
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):21A(Ta)、36A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7.8ミリオーム @
    284.29 税込¥312.71
  • IRLML2030TRPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):100ミリオーム @ 2
    100.00 税込¥110.00
  • SI4463CDY-T1-GE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):13.6A(Ta)、49A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):
    368.58 税込¥405.43
  • XPJR6604PB,LXHQ
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSIX-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):0.66ミリオーム @
    586.12 税込¥644.73
  • BSS138W-7-F
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):50 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.5オーム @ 220mA、10V・Id印
    64.29 税込¥70.71
  • IRLZ44NPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):47A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    465.72 税込¥512.29
  • MCAC9D5N06YL-TP
    MCC (Micro Commercial Components)
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):60A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9.5ミリオーム @ 20A、10V・
    244.29 税込¥268.71
  • SSM3K56FS,LF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVII-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):800mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):235ミリオー
    87.15 税込¥95.86
  • IRLR7843TRPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):161A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.3ミリオーム @ 15
    427.15 税込¥469.86
  • STN1NK60ZL
    STマイクロエレクトロニクス
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SuperMESH™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):300mA(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):15オーム @ 400m
    235.72 税込¥259.29
  • RQ3E120GNTB
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):12A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8.8ミリオーム @ 12A、10V・
    200.00 税込¥220.00
  • TK9J90E,S1E
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):900 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.3オーム @ 4.5A、10V・Id印加時のVgs(th)
    1,000.00 税込¥1,100.00
  • IPA60R360P7SXKSA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolMOS™ P7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):360ミリオーム @ 2.7A、10V・I
    427.15 税込¥469.86
  • TK110E10PL,S1X
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):42A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):10.7ミリオーム @ 21A、10V・Id印加時
    560.00 税込¥616.00
  • IRLR7843TRLPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):161A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.3ミリオーム @ 1
    355.72 税込¥391.29
  • ISS55EP06LMXTSA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):180mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5.5オーム @ 1
    61.43 税込¥67.57
  • TJ10S04M3L,LXHQ
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVI・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):10A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):44ミリオーム @ 5A、10
    358.58 税込¥394.43
  • IPA70R600P7SXKSA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolMOS™ P7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):700 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):600ミリオーム @ 1.8A、10V
    362.86 税込¥399.14
  • SSM3J15FS,LF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):12オーム @ 10mA、4V・Id
    57.15 税込¥62.86
  • TK2R9E10PL,S1X
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:U-MOSIX-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.9ミリオーム @ 50A、1
    1,026.03 税込¥1,128.63
  • IRLML6346TRPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):63ミリオーム @ 3
    111.43 税込¥122.57
  • FDS9435A
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:PowerTrench®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.3A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):50ミリオーム
    272.86 税込¥300.14
  • DMP31D7L-7
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):580mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):900ミリオーム @ 420mA、
    82.86 税込¥91.14
  • RUC002N05T116
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):50 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.2V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.2オーム @ 200mA、4
    64.29 税込¥70.71
  • SSM3J338R,LF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVII・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):12 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、8V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):17.6ミリオーム @ 6A
    125.72 税込¥138.29
  • BSS83IXUSA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):320mA(Ta)、550mA(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.7オーム
    78.58 税込¥86.43
  • ISS17EP06LMXTSA1
    インフィニオン
    売り切れ
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):300mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.7オーム @ 3
  • BSS138
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):50 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):220mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3オーム @ 500mA、10V・
    74.29 税込¥81.71
  • 2N7000
    Diotec Semiconductor
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5オーム @ 500mA、10V・
    68.58 税込¥75.43
  • BS170
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):500mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5オーム @ 200mA、10V・Id印加時のVgs(th)
    107.15 税込¥117.86
  • IRFB4227PBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):65A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):24ミリオーム @ 46A、10V・Id印加時の
    637.50 税込¥701.25
  • AO3400A
    UMW
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:UMW・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.8A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):28ミリオーム @ 5.8A、1
    42.86 税込¥47.14
  • SSM3J332R
    UMW
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:*・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):42ミリオーム @ 5A、10V・Id印
    75.72 税込¥83.29
  • BSS84
    Good-Ark Semiconductor
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):50 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):130mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):10オーム @ 100mA、5V・Id
    24.29 税込¥26.71
  • AO3407A
    UMW
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:UMW・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):52ミリオーム @ 4.1A、
    47.15 税込¥51.86
  • BSS138
    Good-Ark Semiconductor
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):50 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):220mA(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.5オーム @ 220mA、10
    24.29 税込¥26.71
  • NVMFWS1D5N08XT1G
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):253A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.43ミリオーム @ 50A、10V・Id印
    1,042.47 税込¥1,146.71
  • SIJH5100E-T1-GE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):28A(Ta) 、277A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):7.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大)
    1,489.03 税込¥1,637.93
  • IMBG120R350M1HXTMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:CoolSiC™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.7A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):468ミリオーム @ 2A、18
    1,265.34 税込¥1,391.87
  • IPD95R450P7ATMA1
    インフィニオン
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    最小2,500個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:CoolMOS™ P7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):950 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):14A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):450ミリオーム @ 7.
    159.18 税込¥175.09
  • EPC2203
    EPC
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):80ミリオーム @ 1A、5V・Id印
    375.72 税込¥413.29
  • TSM2309CX RFG
    Taiwan Semiconductor
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.1A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):190ミリオーム @ 3A、10V・I
    164.29 税込¥180.71
  • SUM70101EL-GE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):120A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):10.1ミリオー
    1,218.67 税込¥1,340.53
  • IRF1310NPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):42A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):36ミリオーム @ 22A、10V・Id印加時の
    623.62 税込¥685.98
  • IRFR1N60APBF
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.4A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7オーム @ 840mA、10V・Id印加時のVgs(th
    561.12 税込¥617.23
  • RSR020P05HZGTL
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):45 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):190ミリオーム @ 2A、10V・Id印加時
    258.58 税込¥284.43
  • IMTA65R050M2HXTMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:CoolSiC™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):43A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V、20V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):46ミリオーム @ 18.
    1,422.23 税込¥1,564.45
  • IMTA65R050M2HXTMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:CoolSiC™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):43A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V、20V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):46ミリオーム @ 18
    1,422.23 税込¥1,564.45
  • TK3P50D,RQ(S
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3オーム @ 1.5A、10V・Id印加時のVgs
    508.58 税込¥559.43
  • RSR020P05HZGTL
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):45 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):190ミリオーム @ 2A、10V・Id印加
    258.58 税込¥284.43
  • RXH070N03TB1
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):28ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時
    361.43 税込¥397.57
  • RQ5C030TPTL
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):75ミリオーム @ 3A、4.5V・I
    244.29 税込¥268.71
  • NTMTS0D7N06CLTXG
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):62.2A(Ta)、477A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):0.68ミリオー
    1,169.87 税込¥1,286.85
  • MMFTP5101K-AQ
    Diotec Semiconductor
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):6オーム @ 200mA、10V・I
    24.29 税込¥26.71
  • TJ200F04M3L,LXHQ
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVI・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.8ミリオーム @ 100
    1,010.96 税込¥1,112.05
  • TK5R3E08QM,S1X
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:U-MOSX-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):120A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5.3ミリオーム @ 50A、10V・I
    662.50 税込¥728.75
  • IPD70R600P7SAUMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:CoolMOS™ P7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):700 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):600ミリオーム @ 1.
    290.00 税込¥319.00
  • IPD70R600P7SAUMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:CoolMOS™ P7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):700 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):600ミリオーム @ 1
    290.00 税込¥319.00
  • EPC2204A
    EPC
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):6ミリオーム @ 16A、5V・Id印加時
    911.12 税込¥1,002.23
  • IAUC120N06S5L011ATMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 5・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):310A(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.1ミリオーム
    904.17 税込¥994.58
  • EPC2054
    EPC
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):43ミリオーム @ 1A、5V・Id印加時
    616.67 税込¥678.33
  • IRF5210PBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):40A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):60ミリオーム @ 24A、10V・Id印加時の
    784.73 税込¥863.20
  • RTR025N05HZGTL
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):45 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):130ミリオーム @ 2.5A、4
    240.00 税込¥264.00
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