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トランジスタ - FET、MOSFET - シングルの定格表 該当製品数: 65,091 / 65,091

定格表の使い方
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4,000 件中 1100 件目
写真 型番 メーカー データシート BOMに追加 品質ランク 単価 (税抜) 単価 (税込) カートに追加 在庫数量 最少購入数 納期 パッケージ シリーズ FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 グレード 認定 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
TPHR8504PL,L1Q TPHR8504PL,L1Q 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥534.29 /個
1個以上 ¥587.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSIX-H Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 150A(Tc) 4.5V、10V 0.85ミリオーム @ 50A、10V 2.4V @ 1mA 103 nC @ 10 V ±20V 9600 pF @ 20 V - 1W(Ta)、170W(Tc) 175°C(TJ) - - 面実装 8-SOP Advance(5x5) 8-PowerVDFN
C3M0021120K C3M0021120K Wolfspeed データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥6,575.87 /個
1個以上 ¥7,233.45 /個
確認する 確認する チューブ C3M™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 100A(Tc) 15V 28.8ミリオーム @ 50A、15V 3.6V @ 17.7mA 162 nC @ 15 V +15V、-4V 4818 pF @ 1000 V - 469W(Tc) -40°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-247-4L TO-247-4
IAUT260N10S5N019ATMA1 IAUT260N10S5N019ATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,006.85 /個
1個以上 ¥1,107.53 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 260A(Tc) 6V、10V 1.9ミリオーム @ 100A、10V 3.8V @ 210µA 166 nC @ 10 V ±20V 11830 pF @ 50 V - 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 PG-HSOF-8-1 8-PowerSFN
IMZA65R015M2HXKSA1 IMZA65R015M2HXKSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥3,111.77 /個
1個以上 ¥3,422.94 /個
確認する 確認する チューブ CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 103A(Tc) 15V、20V 13.2ミリオーム @ 64.2A、20V 5.6V @ 13mA 79 nC @ 18 V +23V、-7V 2792 pF @ 400 V - 341W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール PG-TO247-4-8 TO-247-4
TPH5200FNH,L1Q TPH5200FNH,L1Q 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥740.28 /個
1個以上 ¥814.30 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSVIII-H Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 250 V 26A(Tc) 10V 52ミリオーム @ 13A、10V 4V @ 1mA 22 nC @ 10 V ±20V 2200 pF @ 100 V - 78W(Tc) 150°C(TJ) - - 面実装 8-SOP Advance(5x5) 8-PowerVDFN
TPH14006NH,L1Q TPH14006NH,L1Q 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥370.00 /個
1個以上 ¥407.00 /個
確認する 確認する Digi-Reel® U-MOSVIII-H Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 14A(Ta) 6.5V、10V 14ミリオーム @ 7A、10V 4V @ 200µA 16 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 30 V - 1.6W(Ta)、32W(Tc) 150°C(TJ) - - 面実装 8-SOP Advance(5x5) 8-PowerVDFN
NDS332P NDS332P オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥127.15 /個
1個以上 ¥139.86 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1A(Ta) 2.7V、4.5V 300ミリオーム @ 1.1A、4.5V 1V @ 250µA 5 nC @ 4.5 V ±8V 195 pF @ 10 V - 500mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
EPC2088 EPC2088 EPC データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,136.99 /個
1個以上 ¥1,250.68 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) eGaN® Nチャンネル - 100 V 60A(Ta) 5V 3.2ミリオーム @ 25A、5V 2.5V @ 7mA 17.8 nC @ 5 V +6V、-4V 2703 pF @ 50 V - - -40°C~150°C(TJ) - - 面実装 ダイ ダイ
EPC2050 EPC2050 EPC データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,371.80 /個
1個以上 ¥1,508.98 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) eGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 350 V 6.3A(Ta) 5V 180ミリオーム @ 6A、5V 2.5V @ 1mA 4 nC @ 5 V +6V、-4V 628 pF @ 280 V - - -40°C~150°C(TJ) - - 面実装 ダイ ダイ
IRFP260NPBF IRFP260NPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,100.00 /個
1個以上 ¥1,210.00 /個
確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 50A(Tc) 10V 40ミリオーム @ 28A、10V 4V @ 250µA 234 nC @ 10 V ±20V 4057 pF @ 25 V - 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-247AC TO-247-3
TP0604N3-G TP0604N3-G Microchip データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥392.86 /個
1個以上 ¥432.14 /個
確認する 確認する バッグ - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 430mA(Tj) 5V、10V 2オーム @ 1A、10V 2.4V @ 1mA - ±20V 150 pF @ 20 V - 740mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-92-3 TO-226-3、TO-92-3標準本体(TO-226AA)
TPH6400ENH,L1Q TPH6400ENH,L1Q 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥515.72 /個
1個以上 ¥567.29 /個
確認する 確認する Digi-Reel® U-MOSVIII-H Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 13A(Ta) 10V 64ミリオーム @ 6.5A、10V 4V @ 300µA 11.2 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 100 V - 1.6W(Ta)、57W(Tc) 150°C(TJ) - - 面実装 8-SOP Advance(5x5) 8-PowerVDFN
TN0106N3-G TN0106N3-G Microchip データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥241.43 /個
1個以上 ¥265.57 /個
確認する 確認する バッグ - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 350mA(Tj) 4.5V、10V 3オーム @ 500mA、10V 2V @ 500µA - ±20V 60 pF @ 25 V - 1W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-92-3 TO-226-3、TO-92-3標準本体(TO-226AA)
EPC2306 EPC2306 EPC データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,109.59 /個
1個以上 ¥1,220.54 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 100 V 48A(Ta) 5V 3.8ミリオーム @ 25A、5V 2.5V @ 7mA 16.3 nC @ 5 V +6V、-4V 2366 pF @ 50 V - - -40°C~150°C(TJ) - - 面実装 7-QFN(3x5) 7-PowerWQFN
FCPF20N60 FCPF20N60 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,285.34 /個
1個以上 ¥1,413.87 /個
確認する 確認する チューブ SuperFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 20A(Tc) 10V 190ミリオーム @ 10A、10V 5V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±30V 3080 pF @ 25 V - 39W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-220F-3 TO-220-3フルパッッケージ
NTR4101PT1G NTR4101PT1G オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥81.43 /個
1個以上 ¥89.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8A(Ta) 1.8V、4.5V 85ミリオーム @ 1.6A、4.5V 1.2V @ 250µA 8.5 nC @ 4.5 V ±8V 675 pF @ 10 V - 420mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SI4825DDY-T1-GE3 SI4825DDY-T1-GE3 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥302.86 /個
1個以上 ¥333.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) TrenchFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 14.9A(Tc) 4.5V、10V 12.5ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±25V 2550 pF @ 15 V - 2.7W(Ta)、5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)
EPC2367ENGRT EPC2367ENGRT EPC データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,405.13 /個
1個以上 ¥1,545.64 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) eGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 100 V 78A(Tj) 5V 1.2ミリオーム @ 30A、5V 2.5V @ 10mA 17 nC @ 5 V +6V、-4V 2170 pF @ 50 V - - -40°C~150°C(TJ) - - 面実装、濡れ性フランク 5-QFN(3.3x3.3) 5-PowerWQFN
SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥315.72 /個
1個以上 ¥347.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) TrenchFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 13.6A(Ta)、49A(Tc) 2.5V、10V 8ミリオーム @ 13A、10V 1.4V @ 250µA 162 nC @ 10 V ±12V 4250 pF @ 15 V - 2.7W(Ta)、5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)
IRFP9240PBF IRFP9240PBF VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥684.73 /個
1個以上 ¥753.20 /個
確認する 確認する チューブ - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 12A(Tc) 10V 500ミリオーム @ 7.2A、10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 150W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-247AC TO-247-3
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥763.89 /個
1個以上 ¥840.27 /個
確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 120A(Tc) 10V 6ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V ±20V 6860 pF @ 50 V - 250W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
NDS355AN NDS355AN オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥147.15 /個
1個以上 ¥161.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 1.7A(Ta) 4.5V、10V 85ミリオーム @ 1.9A、10V 2V @ 250µA 5 nC @ 5 V ±20V 195 pF @ 15 V - 500mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥347.15 /個
1個以上 ¥381.86 /個
確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55 V 47A(Tc) 4V、10V 22ミリオーム @ 25A、10V 2V @ 250µA 48 nC @ 5 V ±16V 1700 pF @ 25 V - 3.8W(Ta)、110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
XP65SL190DI XP65SL190DI XSemi Corporation データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥879.17 /個
1個以上 ¥967.08 /個
確認する 確認する チューブ XP65SL190D Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 650 V 20A(Tc) 10V 190ミリオーム @ 6.2A、10V 5V @ 250µA 92.8 nC @ 10 V ±20V 3312 pF @ 100 V - 1.92W(Ta)、34.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-220CFM TO-220-3フルパッッケージ
IRF540ZPBF IRF540ZPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥174.29 /個
1個以上 ¥191.71 /個
確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 36A(Tc) 10V 26.5ミリオーム @ 22A、10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1770 pF @ 25 V - 92W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
TK7S10N1Z,LXHQ TK7S10N1Z,LXHQ 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥320.00 /個
1個以上 ¥352.00 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSVIII-H Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 7A(Ta) 10V 48ミリオーム @ 3.5A、10V 4V @ 100µA 7.1 nC @ 10 V ±20V 470 pF @ 10 V - 50W(Tc) 175°C 自動車 AEC-Q101 面実装 DPAK+ TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
IRFB4227PBF IRFB4227PBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥673.62 /個
1個以上 ¥740.98 /個
確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 65A(Tc) 10V 24ミリオーム @ 46A、10V 5V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±30V 4600 pF @ 25 V - 330W(Tc) -40°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
IRFP240PBF IRFP240PBF VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥563.89 /個
1個以上 ¥620.27 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 20A(Tc) 10V 180ミリオーム @ 12A、10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 150W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-247AC TO-247-3
AO3416 AO3416 Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥114.29 /個
1個以上 ¥125.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 6.5A(Ta) 1.8V、4.5V 22ミリオーム @ 6.5A、4.5V 1V @ 250µA 16 nC @ 4.5 V ±8V 1160 pF @ 10 V - 1.4W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 3-SMD、SOT-23-3可変
AO3415A AO3415A Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥108.58 /個
1個以上 ¥119.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 5A(Ta) 1.5V、4.5V 45ミリオーム @ 4A、4.5V 900mV @ 250µA 11 nC @ 4.5 V ±8V 940 pF @ 10 V - 1.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 3-SMD、SOT-23-3可変
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03_L2_00001 PANJIT データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥165.72 /個
1個以上 ¥182.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 8.4A(Ta)、35A(Tc) 4.5V、10V 19ミリオーム @ 8A、10V 2.5V @ 250µA 11 nC @ 4.5 V ±20V 1169 pF @ 15 V - 2W(Ta)、35W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 TO-252AA TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
RD3P06BBLHRBTL RD3P06BBLHRBTL ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥495.72 /個
1個以上 ¥545.29 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 57A(Tc) 6V、10V 16.8ミリオーム @ 57A、10V 4V @ 2.9mA 17.3 nC @ 10 V ±20V 1110 pF @ 50 V - 76W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 TO-252 TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
IRF830PBF-BE3 IRF830PBF-BE3 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥342.86 /個
1個以上 ¥377.14 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 500 V 4.5A(Tc) 10V 1.5オーム @ 2.7A、10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 610 pF @ 25 V - 74W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
TK8A50D(STA4,Q,M) TK8A50D(STA4,Q,M) 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥480.00 /個
1個以上 ¥528.00 /個
確認する 確認する チューブ π-MOSVII Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 500 V 8A(Ta) 10V 850ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 1mA 16 nC @ 10 V ±30V 800 pF @ 25 V - 40W(Tc) 150°C(TJ) - - スルーホール TO-220SIS TO-220-3フルパッッケージ
SSM3J334R,LF SSM3J334R,LF 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥81.43 /個
1個以上 ¥89.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSVI Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4A(Ta) 4V、10V 71ミリオーム @ 3A、10V 2V @ 100µA 5.9 nC @ 10 V ±20V 280 pF @ 15 V - 1W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23F SOT-23-3フラットリード
SUP60020E-GE3 SUP60020E-GE3 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥790.28 /個
1個以上 ¥869.30 /個
確認する 確認する チューブ TrenchFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80 V 150A(Tc) 7.5V、10V 2.4ミリオーム @ 30A、10V 4V @ 250µA 227 nC @ 10 V ±20V 10680 pF @ 40 V - 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
NTTFS5C454NLTAG NTTFS5C454NLTAG オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥114.29 /個
1個以上 ¥125.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 20A(Ta)、85A(Tc) 4.5V、10V 3.8ミリオーム @ 20A、10V 2V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 25 V - 3.2W(Ta)、55W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 8-WDFN(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥157.15 /個
1個以上 ¥172.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 17A(Tc) 4V、10V 105ミリオーム @ 10A、10V 2V @ 250µA 34 nC @ 5 V ±16V 800 pF @ 25 V - 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 TO-252AA (DPAK) TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
STF13N60M2 STF13N60M2 STマイクロエレクトロニクス データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥412.86 /個
1個以上 ¥454.14 /個
確認する 確認する チューブ MDmesh™ II Plus Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 11A(Tc) 10V 380ミリオーム @ 5.5A、10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±25V 580 pF @ 100 V - 25W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-220FP TO-220-3フルパッッケージ
AO3401A AO3401A Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥104.29 /個
1個以上 ¥114.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4A(Ta) 2.5V、10V 44ミリオーム @ 4.3A、10V 1.3V @ 250µA 12.2 nC @ 4.5 V ±12V 1200 pF @ 15 V - 1.4W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 3-SMD、SOT-23-3可変
RU1J002YNTCL RU1J002YNTCL ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥50.00 /個
1個以上 ¥55.00 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 50 V 200mA(Ta) 0.9V、4.5V 2.2オーム @ 200mA、4.5V 800mV @ 1mA - ±8V 26 pF @ 10 V - 150mW(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 UMT3F SC-85
BSS138 BSS138 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥64.29 /個
1個以上 ¥70.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 50 V 170mA 4.5V、10V 3オーム @ 500mA、10V 1.6V @ 250µA 2.4 nC @ 10 V ±20V 27 pF @ 25 V - 350mW(Ta) -55°C~155°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
IRF630 IRF630 STマイクロエレクトロニクス データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥392.86 /個
1個以上 ¥432.14 /個
確認する 確認する チューブ MESH OVERLAY™ II Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 9A(Tc) 10V 400ミリオーム @ 4.5A、10V 4V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 75W(Tc) -65°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-220 TO-220-3
SSM3K7002KFU,LF SSM3K7002KFU,LF 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥38.58 /個
1個以上 ¥42.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSVII-H Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 400mA(Ta) 4.5V、10V 1.5オーム @ 100mA、10V 2.1V @ 250µA 0.6 nC @ 4.5 V ±20V 40 pF @ 10 V - 150mW(Ta) 150°C - - 面実装 USM SC-70、SOT-323
STP24NF10 STP24NF10 STマイクロエレクトロニクス データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥442.86 /個
1個以上 ¥487.14 /個
確認する 確認する チューブ STripFET™ II Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 26A(Tc) 10V 60ミリオーム @ 12A、10V 4V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V 870 pF @ 25 V - 85W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220 TO-220-3
ISS55EP06LMXTSA1 ISS55EP06LMXTSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥54.29 /個
1個以上 ¥59.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 180mA(Ta) 4.5V、10V 5.5オーム @ 180mA、10V 2V @ 11µA 0.59 nC @ 10 V ±20V 18 pF @ 30 V - 400mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 PG-SOT23-3-5 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
12N10 12N10 UMW データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥172.86 /個
1個以上 ¥190.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 15A(Tc) 10V 114ミリオーム @ 3A、10V 2.5V @ 250µA - ±20V - - 3W(Ta) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 TO-252(DPAK) TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥91.43 /個
1個以上 ¥100.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) TrenchFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 2.9A(Tj) 2.5V、4.5V 57ミリオーム @ 3.6A、4.5V 850mV @ 250µA 5.5 nC @ 4.5 V ±8V - - 710mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
DMG2305UX-7 DMG2305UX-7 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥31.43 /個
1個以上 ¥34.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 4.2A(Ta) 1.8V、4.5V 52ミリオーム @ 4.2A、4.5V 900mV @ 250µA 10.2 nC @ 4.5 V ±8V 808 pF @ 15 V - 1.4W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥47.15 /個
1個以上 ¥51.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 200mA(Ta) 4.5V、10V 5オーム @ 500mA、10V 3V @ 1mA - ±20V 60 pF @ 25 V - 350mW(Ta) 150°C(TJ) - - スルーホール TO-92 TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形リード
BS170 BS170 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥57.15 /個
1個以上 ¥62.86 /個
確認する 確認する バルク - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 500mA(Ta) 10V 5オーム @ 200mA、10V 3V @ 1mA - ±20V 40 pF @ 10 V - 830mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-92-3 TO-226-3、TO-92-3標準本体(TO-226AA)
IRFS3806TRLPBF IRFS3806TRLPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥254.29 /個
1個以上 ¥279.71 /個
確認する 確認する Digi-Reel® HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 43A(Tc) 10V 15.8ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 50µA 30 nC @ 10 V ±20V 1150 pF @ 50 V - 71W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 D2PAK TO-263-3、D2PAK(2リード + タブ)、TO-263AB
IPW60R090CFD7XKSA1 IPW60R090CFD7XKSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,213.34 /個
1個以上 ¥1,334.67 /個
確認する 確認する チューブ OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 25A(Tc) 10V 90ミリオーム @ 11.4A、10V 4.5V @ 570µA 51 nC @ 10 V ±20V 2103 pF @ 400 V - 125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール PG-TO247-3 TO-247-3
ISZ080N10NM6ATMA1 ISZ080N10NM6ATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥495.72 /個
1個以上 ¥545.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 13A(Ta)、75A(Tc) 8V、10V 8.04ミリオーム @ 20A、10V 3.3V @ 36µA 24 nC @ 10 V ±20V 1800 pF @ 50 V - 3W(Ta)、100W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 PG-TSDSON-8 FL 8-PowerTDFN
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥122.86 /個
1個以上 ¥135.14 /個
確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 21A(Ta)、72A(Tc) 4.5V、10V 3.7ミリオーム @ 30A、10V 2V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 960 pF @ 15 V - 2.5W(Ta)、30W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 PG-TDSON-8-6 8-PowerTDFN
NTR5103NT1G NTR5103NT1G オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥38.58 /個
1個以上 ¥42.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 260mA(Ta) 4.5V、10V 2.5オーム @ 240mA、10V 2.6V @ 250µA 0.81 nC @ 5 V ±30V 40 pF @ 25 V - 300mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
FQP3P20 FQP3P20 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
確認する 売り切れ チューブ QFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 2.8A(Tc) 10V 2.7オーム @ 1.4A、10V 5V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±30V 250 pF @ 25 V - 52W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-220-3 TO-220-3
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥468.58 /個
1個以上 ¥515.43 /個
確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 37A(Ta)、100A(Tc) 4.5V、10V 1.1ミリオーム @ 30A、10V 2V @ 250µA 68 nC @ 10 V ±20V 4300 pF @ 15 V - 2.5W(Ta)、96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 PG-TDSON-8-7 8-PowerTDFN
NTB7D3N15MC NTB7D3N15MC オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥740.28 /個
1個以上 ¥814.30 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) PowerTrench® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150 V 15.2A(Ta)、101A(Tc) 8V、10V 7.3ミリオーム @ 62A、10V 4.5V @ 342µA 53 nC @ 10 V ±20V 4250 pF @ 75 V - 3.75W(Ta)、166W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 TO-263(D2PAK) TO-263-3、D2PAK(2リード + タブ)、TO-263AB
IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥530.00 /個
1個以上 ¥583.00 /個
確認する 確認する Digi-Reel® HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 23A(Tc) 10V 117ミリオーム @ 14A、10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 1450 pF @ 25 V - 3.1W(Ta)、110W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 D2PAK TO-263-3、D2PAK(2リード + タブ)、TO-263AB
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥327.15 /個
1個以上 ¥359.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 18A(Ta)、40A(Tc) 4.5V、10V 4ミリオーム @ 20A、10V 2V @ 36µA 64 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 20 V - 2.1W(Ta)、69W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 PG-TSDSON-8 8-PowerTDFN
IXFH21N50 IXFH21N50 IXYS BOMに追加 A(DigiKey)
30個以上 ¥1,151.98 /個
30個以上 ¥1,267.17 /個
確認する 30 確認する チューブ HiPerFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 500 V 21A(Tc) 10V 250ミリオーム @ 10.5A、10V 4V @ 4mA 160 nC @ 10 V ±20V 4200 pF @ 25 V - 300W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-247AD(IXFH) TO-247-3
BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥250.00 /個
1個以上 ¥275.00 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) SIPMOS® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 2.6A(Tj) 4.5V、10V 90ミリオーム @ 2.6A、10V 2V @ 20µA 20 nC @ 10 V ±20V 380 pF @ 25 V - 1.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 PG-SOT223-4 TO-261-4、TO-261AA
RUM001L02T2CL RUM001L02T2CL ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥68.58 /個
1個以上 ¥75.43 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 100mA(Ta) 1.2V、4.5V 3.5オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 100µA - ±8V 7.1 pF @ 10 V - 150mW(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 VMT3 SOT-723
DMT6012LSS-13 DMT6012LSS-13 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥122.86 /個
1個以上 ¥135.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 10.4A(Ta) 4.5V、10V 11ミリオーム @ 10A、10V 2V @ 250µA 22.2 nC @ 10 V ±20V 1522 pF @ 30 V - 1.2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SO 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)
DMN67D8L-7 DMN67D8L-7 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥35.72 /個
1個以上 ¥39.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 210mA(Ta) 5V、10V 5オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA 0.82 nC @ 10 V ±30V 22 pF @ 25 V - 340mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
FQP3P50 FQP3P50 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥545.72 /個
1個以上 ¥600.29 /個
確認する 確認する チューブ QFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 500 V 2.7A(Tc) 10V 4.9オーム @ 1.35A、10V 5V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±30V 660 pF @ 25 V - 85W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-220-3 TO-220-3
SI7818DN-T1-GE3 SI7818DN-T1-GE3 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥500.00 /個
1個以上 ¥550.00 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) TrenchFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150 V 2.2A(Ta) 6V、10V 135ミリオーム @ 3.4A、10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V - - 1.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥468.58 /個
1個以上 ¥515.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 37A(Ta)、100A(Tc) 4.5V、10V 1.1ミリオーム @ 30A、10V 2V @ 250µA 68 nC @ 10 V ±20V 4300 pF @ 15 V - 2.5W(Ta)、96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 PG-TDSON-8-7 8-PowerTDFN
PMPB55XNEAX PMPB55XNEAX NEXPERIA データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥197.15 /個
1個以上 ¥216.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 3.8A(Ta) 2.5V、4.5V 72ミリオーム @ 3.8A、4.5V 1.25V @ 250µA 5 nC @ 4.5 V ±12V 255 pF @ 15 V - 550mW(Ta) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 DFN2020MD-6 6-UDFN露出パッド
DMTH4008LFDFWQ-7 DMTH4008LFDFWQ-7 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥230.00 /個
1個以上 ¥253.00 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 11.6A(Ta) 4.5V、10V 11.5ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 250µA 14.2 nC @ 10 V ±20V 1030 pF @ 20 V - 990mW(Ta) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 U-DFN2020-6(SWP)(タイプF) 6-UDFN露出パッド
DMTH4008LFDFWQ-13 DMTH4008LFDFWQ-13 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥191.43 /個
1個以上 ¥210.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 11.6A(Ta) 4.5V、10V 11.5ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 250µA 14.2 nC @ 10 V ±20V 1030 pF @ 20 V - 990mW(Ta) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 U-DFN2020-6(SWP)(タイプF) 6-UDFN露出パッド
AOTF4N60L AOTF4N60L Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥335.72 /個
1個以上 ¥369.29 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 4A(Tc) 10V 2.2オーム @ 2A、10V 4.5V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±30V 615 pF @ 25 V - 35W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-220F TO-220-3フルパッッケージ
DMP65H9D0HSS-13 DMP65H9D0HSS-13 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥381.43 /個
1個以上 ¥419.57 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 300mA(Ta) 10V 9オーム @ 300mA、10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±30V 740 pF @ 25 V - 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SO 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)
FDV301N FDV301N - データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥57.15 /個
1個以上 ¥62.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 25 V 220mA(Ta) 2.7V、4.5V 4オーム @ 400mA、4.5V 1.5V @ 250µA 0.7 nC @ 4.5 V 8V 9.5 pF @ 10 V - 350mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
GSF3400 GSF3400 Good-Ark Semiconductor データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥22.86 /個
1個以上 ¥25.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 5.6A(Ta) 2.5V、10V 27ミリオーム @ 5.6A、10V 1.5V @ 250µA 4.8 nC @ 4.5 V ±12V 535 pF @ 15 V - 1.2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
EPC2007C EPC2007C EPC データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥680.56 /個
1個以上 ¥748.61 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) eGaN® Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 100 V 6A(Ta) 5V 30ミリオーム @ 6A、5V 2.5V @ 1.2mA 2.2 nC @ 5 V +6V、-4V 220 pF @ 50 V - - -40°C~150°C(TJ) - - 面実装 ダイ ダイ
IMW120R045M1XKSA1 IMW120R045M1XKSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥2,176.48 /個
1個以上 ¥2,394.12 /個
確認する 確認する チューブ CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 52A(Tc) 15V 59ミリオーム @ 20A、15V 5.7V @ 10mA 52 nC @ 15 V +20V、-10V 1900 pF @ 800 V - 228W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール PG-TO247-3-41 TO-247-3
RSM002N06T2L RSM002N06T2L ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥65.72 /個
1個以上 ¥72.29 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 250mA(Ta) 2.5V、10V 2.4オーム @ 250mA、10V 2.3V @ 1mA - ±20V 15 pF @ 25 V - 150mW(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 VMT3 SOT-723
2SK3020-TP 2SK3020-TP MCC (Micro Commercial Components) データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥52.86 /個
1個以上 ¥58.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 500mA 4.5V、10V 750ミリオーム @ 300mA、10V 1.5V @ 250µA 1.28 nC @ 10 V ±20V 29 pF @ 15 V - 200mW -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-723 SOT-723
RH6P040BHTB1 RH6P040BHTB1 ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥552.86 /個
1個以上 ¥608.14 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 40A(Tc) 6V、10V 15.6ミリオーム @ 40A、10V 4V @ 1mA 16.7 nC @ 10 V ±20V 1080 pF @ 50 V - 59W(Tc) 150°C(TJ) - - 面実装 8-HSMT(3.2x3) 8-PowerVDFN
NTTFS1D2N02P1E NTTFS1D2N02P1E オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥565.28 /個
1個以上 ¥621.80 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 25 V 23A(Ta)、180A(Tc) 4.5V、10V 1ミリオーム @ 38A、10V 2V @ 934µA 24 nC @ 4.5 V +16V、-12V 4040 pF @ 13 V - 820mW(Ta)、52W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-PQFN(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
BSC0702LSATMA1 BSC0702LSATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
5000個以上 ¥98.86 /個
5000個以上 ¥108.74 /個
確認する 5,000 確認する テープ&リール(TR) OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 100A(Tc) 4.5V、10V 2.3ミリオーム @ 50A、10V 2.3V @ 49µA 30 nC @ 4.5 V ±20V 4400 pF @ 30 V - 83W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 PG-TDSON-8 8-PowerTDFN
SSM6J507NU,LF SSM6J507NU,LF 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
3000個以上 ¥27.25 /個
3000個以上 ¥29.97 /個
確認する 3,000 確認する テープ&リール(TR) U-MOSVI Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 10A(Ta) 4V、10V 20ミリオーム @ 4A、10V 2.2V @ 250µA 20.4 nC @ 4.5 V +20V、-25V 1150 pF @ 15 V - 1.25W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 6-UDFNB(2x2) 6-WDFN露出パッド
AO3400A AO3400A Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥104.29 /個
1個以上 ¥114.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 5.7A(Ta) 2.5V、10V 26.5ミリオーム @ 5.7A、10V 1.5V @ 250µA 7 nC @ 4.5 V ±12V 630 pF @ 15 V - 1.4W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 3-SMD、SOT-23-3可変
AOTF4N60 AOTF4N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1000個以上 ¥75.31 /個
1000個以上 ¥82.84 /個
確認する 1,000 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 4A(Tc) 10V 2.2オーム @ 2A、10V 4.5V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±30V 615 pF @ 25 V - 35W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-220F TO-220-3フルパッッケージ
IRFI3205PBF IRFI3205PBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥759.73 /個
1個以上 ¥835.70 /個
確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55 V 64A(Tc) 10V 8ミリオーム @ 34A、10V 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 4000 pF @ 25 V - 63W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220ABフルパッッケージ TO-220-3フルパッッケージ
CSD18563Q5A CSD18563Q5A TEXAS INSTRUMENTS データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥434.29 /個
1個以上 ¥477.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) NexFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 100A(Ta) 4.5V、10V 6.8ミリオーム @ 18A、10V 2.4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 30 V - 3.2W(Ta)、116W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
2N7002-G 2N7002-G Microchip データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥145.72 /個
1個以上 ¥160.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 115mA(Tj) 5V、10V 7.5オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA - ±30V 50 pF @ 25 V - 360mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23(TO-236AB) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
IAUCN04S7L004ATMA1 IAUCN04S7L004ATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥775.00 /個
1個以上 ¥852.50 /個
確認する 確認する Digi-Reel® OptiMOS™ 7 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V - 10V - - 190 nC @ 10 V - - - - -55°C~175°C 自動車 AEC-Q101 面実装 PG-TDSON-8-53 8-PowerTDFN
IRF7403TRPBF IRF7403TRPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥362.86 /個
1個以上 ¥399.14 /個
確認する 確認する Digi-Reel® HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 8.5A(Ta) 4.5V、10V 22ミリオーム @ 4A、10V 1V @ 250µA 57 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SO 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)
RS7P200BMTB1 RS7P200BMTB1 ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,093.16 /個
1個以上 ¥1,202.47 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 200A(Tc) 10V 4ミリオーム @ 50A、10V 4V @ 1mA 105 nC @ 10 V ±20V 7800 pF @ 50 V - 3.6W(Ta)、217W(Tc) 175°C(TJ) - - 面実装 DFN5060-8S 8-PowerTDFN
C3M0280090D C3M0280090D Wolfspeed データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,753.58 /個
1個以上 ¥1,928.93 /個
確認する 確認する チューブ C3M™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 900 V 11.5A(Tc) 15V 360ミリオーム @ 7.5A、15V 3.5V @ 1.2mA 9.5 nC @ 15 V +18V、-8V 150 pF @ 600 V - 54W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-247-3 TO-247-3
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥502.86 /個
1個以上 ¥553.14 /個
確認する 確認する Digi-Reel® HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 42A(Tc) 10V 18ミリオーム @ 33A、10V 4V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 2930 pF @ 25 V - 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 TO-252AA (DPAK) TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
TJ15P04M3,RQ(S TJ15P04M3,RQ(S 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥368.58 /個
1個以上 ¥405.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSVI Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 15A(Ta) 4.5V、10V 36ミリオーム @ 7.5A、10V 2V @ 100µA 26 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 10 V - 29W(Tc) 150°C(TJ) - - 面実装 DPAK TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
MCACLF320N04Y-TP MCACLF320N04Y-TP MCC (Micro Commercial Components) データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥625.00 /個
1個以上 ¥687.50 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 320A(Tc) 6V、10V 0.62ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V 6485 pF @ 20 V - 230W(Tj) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 LFPAK56E SOT-1023、4-LFPAK
MCACLF320N04Y-TP MCACLF320N04Y-TP MCC (Micro Commercial Components) データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥625.00 /個
1個以上 ¥687.50 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 320A(Tc) 6V、10V 0.62ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V 6485 pF @ 20 V - 230W(Tj) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 LFPAK56E SOT-1023、4-LFPAK
SQD07N25-350H_GE3 SQD07N25-350H_GE3 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
2000個以上 ¥109.28 /個
2000個以上 ¥120.20 /個
確認する 2,000 確認する テープ&リール(TR) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 250 V 7A(Tc) 10V 350ミリオーム @ 10A、10V 3.5V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±30V 1205 pF @ 25 V - 71W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 TO-252AA TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
IMZA120R007M1HXKSA1 IMZA120R007M1HXKSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥8,429.89 /個
1個以上 ¥9,272.87 /個
確認する 確認する チューブ CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 225A(Tc) 15V、18V 9.9ミリオーム @ 108A、18V 5.2V @ 47mA 289 nC @ 18 V +20V、-5V 9170 pF @ 800 V - 750W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール PG-TO247-4-8 TO-247-4
RF7G120BLFRATCR RF7G120BLFRATCR ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥352.86 /個
1個以上 ¥388.14 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 12A(Tc) 6V、10V 19ミリオーム @ 3A、10V 4V @ 171µA 8.5 nC @ 10 V ±20V 470 pF @ 20 V - 23W(Tc) 150°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装、濡れ性フランク DFN2020Y8LSAA 6-PowerUDFN
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  • TPHR8504PL,L1Q
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSIX-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):150A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):0.85ミリオーム
    534.29 税込¥587.71
  • C3M0021120K
    Wolfspeed
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:C3M™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):28.8ミリオーム @ 50A、15V・Id印加時
    6,575.87 税込¥7,233.45
  • IAUT260N10S5N019ATMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 5・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):260A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.9ミリオーム @
    1,006.85 税込¥1,107.53
  • IMZA65R015M2HXKSA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolSiC™ Gen 2・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):103A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V、20V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):13.2ミリオーム @
    3,111.77 税込¥3,422.94
  • TPH5200FNH,L1Q
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVIII-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):26A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):52ミリオーム @ 13A
    740.28 税込¥814.30
  • TPH14006NH,L1Q
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:U-MOSVIII-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):14A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):14ミリオーム @
    370.00 税込¥407.00
  • NDS332P
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.7V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):300ミリオーム @ 1.1A、4.5V
    127.15 税込¥139.86
  • EPC2088
    EPC
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):60A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.2ミリオーム @ 25A、5V・Id印加時のVgs(th)(
    1,136.99 税込¥1,250.68
  • EPC2050
    EPC
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):350 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.3A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 6A、5V・I
    1,371.80 税込¥1,508.98
  • IRFP260NPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):50A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):40ミリオーム @ 28A、10V・Id印加時の
    1,100.00 税込¥1,210.00
  • TP0604N3-G
    Microchip
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バッグ・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):430mA(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2オーム @ 1A、10V・Id印加時のVgs(th)
    392.86 税込¥432.14
  • TPH6400ENH,L1Q
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:U-MOSVIII-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):13A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):64ミリオーム @ 6.5A
    515.72 税込¥567.29
  • TN0106N3-G
    Microchip
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バッグ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):350mA(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVg
    241.43 税込¥265.57
  • EPC2306
    EPC
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):48A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.8ミリオーム @ 25A、5V・Id印加時
    1,109.59 税込¥1,220.54
  • FCPF20N60
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:SuperFET™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):190ミリオーム @ 10A、10V・Id印
    1,285.34 税込¥1,413.87
  • NTR4101PT1G
    オンセミコンダクター
    確認する
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.8A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 1.6A、4.
    81.43 税込¥89.57
  • SI4825DDY-T1-GE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):14.9A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):12.5ミリオー
    302.86 税込¥333.14
  • EPC2367ENGRT
    EPC
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):78A(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.2ミリオーム @ 30A、5V・I
    1,405.13 税込¥1,545.64
  • SI4463CDY-T1-GE3
    VISHAY
    確認する
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):13.6A(Ta)、49A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):
    315.72 税込¥347.29
  • IRFP9240PBF
    VISHAY
    確認する
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):12A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):500ミリオーム @ 7.2A、10V・Id印加時のVgs(
    684.73 税込¥753.20
  • IRFB4310ZPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):120A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):6ミリオーム @ 75A、10V・Id印加時の
    763.89 税込¥840.27
  • NDS355AN
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):85ミリオーム @ 1.9A、10V
    147.15 税込¥161.86
  • IRLZ44NPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):47A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    347.15 税込¥381.86
  • XP65SL190DI
    XSemi Corporation
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:XP65SL190D・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):190ミリオーム @ 6.2A、10V・I
    879.17 税込¥967.08
  • IRF540ZPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):36A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):26.5ミリオーム @ 22A、10V・Id印加
    174.29 税込¥191.71
  • TK7S10N1Z,LXHQ
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVIII-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):48ミリオーム @ 3.5A
    320.00 税込¥352.00
  • IRFB4227PBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):65A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):24ミリオーム @ 46A、10V・Id印加時の
    673.62 税込¥740.98
  • IRFP240PBF
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 12A、10V・Id印加時のVgs(t
    563.89 税込¥620.27
  • AO3416
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 6.5A、4.
    114.29 税込¥125.71
  • AO3415A
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):45ミリオーム @ 4A、4.5V・I
    108.58 税込¥119.43
  • PJD35P03_L2_00001
    PANJIT
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8.4A(Ta)、35A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):19ミリオーム @
    165.72 税込¥182.29
  • RD3P06BBLHRBTL
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):57A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):16.8ミリオーム @ 57A、10V・I
    495.72 税込¥545.29
  • IRF830PBF-BE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.5オーム @ 2.7A、10V・Id印加時のVgs(t
    342.86 税込¥377.14
  • TK8A50D(STA4,Q,M)
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:π-MOSVII・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):850ミリオーム @ 4A、10V・Id印加時の
    480.00 税込¥528.00
  • SSM3J334R,LF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVI・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):71ミリオーム @ 3A、10V
    81.43 税込¥89.57
  • SUP60020E-GE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:TrenchFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):150A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):7.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.4ミリオーム @ 30A、1
    790.28 税込¥869.30
  • NTTFS5C454NLTAG
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Ta)、85A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.8ミリオーム @
    114.29 税込¥125.71
  • IRLR3410TRPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):105ミリオーム @ 10A
    157.15 税込¥172.86
  • STF13N60M2
    STマイクロエレクトロニクス
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:MDmesh™ II Plus・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):11A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):380ミリオーム @ 5.5A、
    412.86 税込¥454.14
  • AO3401A
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):44ミリオーム @ 4.3A、10V・I
    104.29 税込¥114.71
  • RU1J002YNTCL
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):50 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):0.9V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.2オーム @ 200mA、4
    50.00 税込¥55.00
  • BSS138
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):50 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):170mA・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3オーム @ 500mA、10V・Id印加
    64.29 税込¥70.71
  • IRF630
    STマイクロエレクトロニクス
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:MESH OVERLAY™ II・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):400ミリオーム @ 4.5A、
    392.86 税込¥432.14
  • SSM3K7002KFU,LF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVII-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):400mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.5オーム @
    38.58 税込¥42.43
  • STP24NF10
    STマイクロエレクトロニクス
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:STripFET™ II・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):26A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):60ミリオーム @ 12A、10V・I
    442.86 税込¥487.14
  • ISS55EP06LMXTSA1
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):180mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5.5オーム @ 1
    54.29 税込¥59.71
  • 12N10
    UMW
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):15A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):114ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時
    172.86 税込¥190.14
  • SI2302DDS-T1-GE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.9A(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):57ミリオーム
    91.43 税込¥100.57
  • DMG2305UX-7
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):52ミリオーム @ 4.2A、4.
    31.43 税込¥34.57
  • 2N7000
    Diotec Semiconductor
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5オーム @ 500mA、10V・
    47.15 税込¥51.86
  • BS170
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):500mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5オーム @ 200mA、10V・Id印加時のVgs(th)
    57.15 税込¥62.86
  • IRFS3806TRLPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):43A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):15.8ミリオーム @ 25A、10V
    254.29 税込¥279.71
  • IPW60R090CFD7XKSA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):25A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):90ミリオーム @ 11.4A、10V・Id印
    1,213.34 税込¥1,334.67
  • ISZ080N10NM6ATMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 6・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):13A(Ta)、75A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):8V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8.0
    495.72 税込¥545.29
  • BSC0504NSIATMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):21A(Ta)、72A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.7ミリ
    122.86 税込¥135.14
  • NTR5103NT1G
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):260mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.5オーム @ 240mA、10
    38.58 税込¥42.43
  • FQP3P20
    オンセミコンダクター
    売り切れ
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:QFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.8A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.7オーム @ 1.4A、10V・Id印加時のV
  • BSC011N03LSIATMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):37A(Ta)、100A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.1ミ
    468.58 税込¥515.43
  • NTB7D3N15MC
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:PowerTrench®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):15.2A(Ta)、101A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):8V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大
    740.28 税込¥814.30
  • IRF9540NSTRLPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):23A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):117ミリオーム @ 14A、10V
    530.00 税込¥583.00
  • BSZ040N04LSGATMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):18A(Ta)、40A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4ミリオ
    327.15 税込¥359.86
  • IXFH21N50
    IXYS
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    最小30個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HiPerFET™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):21A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):250ミリオーム @ 10.5A、10V・I
    1,151.98 税込¥1,267.17
  • BSP318SH6327XTSA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:SIPMOS®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.6A(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):90ミリオーム @ 2.
    250.00 税込¥275.00
  • RUM001L02T2CL
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.2V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.5オーム @ 100mA、4.
    68.58 税込¥75.43
  • DMT6012LSS-13
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):10.4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):11ミリオーム @ 10A、10V
    122.86 税込¥135.14
  • DMN67D8L-7
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):210mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5オーム @ 500mA、10V・Id
    35.72 税込¥39.29
  • FQP3P50
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:QFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.7A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4.9オーム @ 1.35A、10V・Id印加時の
    545.72 税込¥600.29
  • SI7818DN-T1-GE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):135ミリオーム @
    500.00 税込¥550.00
  • BSC011N03LSIATMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):37A(Ta)、100A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.1
    468.58 税込¥515.43
  • PMPB55XNEAX
    NEXPERIA
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.8A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):72ミリオーム @ 3.8A、4.
    197.15 税込¥216.86
  • DMTH4008LFDFWQ-7
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):11.6A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):11.5ミリオーム @ 10A、10
    230.00 税込¥253.00
  • DMTH4008LFDFWQ-13
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):11.6A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):11.5ミリオーム @ 10A、1
    191.43 税込¥210.57
  • AOTF4N60L
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.2オーム @ 2A、10V・Id印加時のVgs(th)(最
    335.72 税込¥369.29
  • DMP65H9D0HSS-13
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):300mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9オーム @ 300mA、10V・Id印加時
    381.43 税込¥419.57
  • FDV301N
    -
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):220mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.7V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4オーム @ 400mA、4.5
    57.15 税込¥62.86
  • GSF3400
    Good-Ark Semiconductor
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.6A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):27ミリオーム @ 5.6A、10V
    22.86 税込¥25.14
  • EPC2007C
    EPC
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:eGaN®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):30ミリオーム @ 6A、5V・Id印加
    680.56 税込¥748.61
  • IMW120R045M1XKSA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolSiC™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):52A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):59ミリオーム @ 20A、15V・Id印加
    2,176.48 税込¥2,394.12
  • RSM002N06T2L
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):250mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.4オーム @ 250mA、10V
    65.72 税込¥72.29
  • 2SK3020-TP
    MCC (Micro Commercial Components)
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):500mA・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):750ミリオーム @ 300mA、10V・
    52.86 税込¥58.14
  • RH6P040BHTB1
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):40A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):15.6ミリオーム @ 40A、10V・I
    552.86 税込¥608.14
  • NTTFS1D2N02P1E
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):23A(Ta)、180A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1ミリオーム @ 38
    565.28 税込¥621.80
  • BSC0702LSATMA1
    インフィニオン
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    最小5,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.3ミリオーム @
    98.86 税込¥108.74
  • SSM6J507NU,LF
    東芝
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    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:U-MOSVI・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):10A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):20ミリオーム @ 4A、10
    27.25 税込¥29.97
  • AO3400A
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):26.5ミリオーム @ 5.7A、1
    104.29 税込¥114.71
  • AOTF4N60
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    確認する
    最小1,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.2オーム @ 2A、10V・Id印加時のVgs(th)(最
    75.31 税込¥82.84
  • IRFI3205PBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):64A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8ミリオーム @ 34A、10V・Id印加時のVg
    759.73 税込¥835.70
  • CSD18563Q5A
    TEXAS INSTRUMENTS
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:NexFET™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):6.8ミリオーム @ 1
    434.29 税込¥477.71
  • 2N7002-G
    Microchip
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):115mA(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7.5オーム @ 500mA、10V・
    145.72 税込¥160.29
  • IAUCN04S7L004ATMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™ 7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・
    775.00 税込¥852.50
  • IRF7403TRPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):8.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 4A、
    362.86 税込¥399.14
  • RS7P200BMTB1
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4ミリオーム @ 50A、10V・Id印加時
    1,093.16 税込¥1,202.47
  • C3M0280090D
    Wolfspeed
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:C3M™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):900 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):11.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):360ミリオーム @ 7.5A、15V・Id印加時
    1,753.58 税込¥1,928.93
  • IRFR3710ZTRPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):42A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):18ミリオーム @ 33A、10V・
    502.86 税込¥553.14
  • TJ15P04M3,RQ(S
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVI・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):15A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):36ミリオーム @ 7.5
    368.58 税込¥405.43
  • MCACLF320N04Y-TP
    MCC (Micro Commercial Components)
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):320A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):0.62ミリオーム @ 75A、10V・I
    625.00 税込¥687.50
  • MCACLF320N04Y-TP
    MCC (Micro Commercial Components)
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):320A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):0.62ミリオーム @ 75A、10V・
    625.00 税込¥687.50
  • SQD07N25-350H_GE3
    VISHAY
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    最小2,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):350ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時
    109.28 税込¥120.20
  • IMZA120R007M1HXKSA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolSiC™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):225A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9.9ミリオーム @ 108A、1
    8,429.89 税込¥9,272.87
  • RF7G120BLFRATCR
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):12A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):19ミリオーム @ 3A、10V・Id印加時
    352.86 税込¥388.14
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