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トランジスタ - FET、MOSFET - シングルの定格表 該当製品数: 66,429 / 66,429

定格表の使い方
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4,000 件中 1100 件目
写真 型番 メーカー データシート BOMに追加 品質ランク 単価 (税抜) 単価 (税込) カートに追加 在庫数量 最少購入数 納期 パッケージ シリーズ FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgsでのゲートチャージ(Qg)(最大)に結合された電圧 Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) Vdsでの入力静電容量(Ciss)(最大)に結合された電圧 FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 グレード 認定 取り付けタイプ
IAUMN10S5N017GAUMA1 IAUMN10S5N017GAUMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥948.62 /個
1個以上 ¥1,043.48 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 200A(Tj) 6V、10V 1.7ミリオーム @ 100A、10V 3.8V @ 215µA 170 nC @ 10 V ±20V 12514 pF @ 50 V - 307W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 PG-HSOG-4-1 4-PowerSFN
TW045N120C,S1F TW045N120C,S1F 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥5,304.60 /個
1個以上 ¥5,835.06 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 40A(Tc) 18V 59ミリオーム @ 20A、18V 5V @ 6.7mA 57 nC @ 18 V +25V、-10V 1969 pF @ 800 V - 182W(Tc) 175°C - - スルーホール TO-247 TO-247-3
NVMFS3D0P04M8LT1G NVMFS3D0P04M8LT1G オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥823.62 /個
1個以上 ¥905.98 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 28A(Ta)、183A(Tc) 4.5V、10V 2.7ミリオーム @ 30A、10V 2.4V @ 2mA 124 nC @ 10 V ±20V 5827 pF @ 20 V - 3.9W(Ta)、171W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 5-DFN(5x6)(8-SOFL) 8-PowerTDFN、5リード
TPH1R403NL,L1Q TPH1R403NL,L1Q 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥490.00 /個
1個以上 ¥539.00 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSVIII-H Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 60A(Ta) 4.5V、10V 1.4ミリオーム @ 30A、10V 2.3V @ 500µA 46 nC @ 10 V ±20V 4400 pF @ 15 V - 1.6W(Ta)、64W(Tc) 150°C(TJ) - - 面実装 8-SOP Advance(5x5) 8-PowerVDFN
SSM6J808R,LF SSM6J808R,LF 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥214.29 /個
1個以上 ¥235.71 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 7A(Ta) 4V、10V 35ミリオーム @ 2.5A、10V 2V @ 100µA 24.2 nC @ 10 V +10V、-20V 1020 pF @ 10 V - 1.5W(Ta) 150°C 自動車 AEC-Q101 面実装 6-TSOP-F 6-SMD、フラットリード
DMN1017UCP3-7 DMN1017UCP3-7 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥202.86 /個
1個以上 ¥223.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 12 V 7.5A(Ta) 1.8V、3.3V 17ミリオーム @ 5A、3.3V 1V @ 250µA 16 nC @ 3.3 V ±8V 1503 pF @ 6 V - 1.47W -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 X3-DSN1010-3 3-XDFN
BSS138BWAHZGT106 BSS138BWAHZGT106 ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥121.43 /個
1個以上 ¥133.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 380mA(Ta) 2.5V、10V 680ミリオーム @ 380mA、10V 2V @ 10µA - ±20V 47 pF @ 30 V - 200mW 150°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 SOT-323 SC-70、SOT-323
RD3L07BATTL1 RD3L07BATTL1 ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥702.78 /個
1個以上 ¥773.05 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 70A(Tc) 4.5V、10V 12.7ミリオーム @ 70A、10V 2.5V @ 1mA 105 nC @ 10 V ±20V 6700 pF @ 30 V - 101W(Tc) 150°C(TJ) - - 面実装 TO-252 TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
RD3L03BBGTL1 RD3L03BBGTL1 ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥544.29 /個
1個以上 ¥598.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 35A(Tc) 4.5V、10V 11.3ミリオーム @ 35A、10V 2.5V @ 1mA 14 nC @ 10 V ±20V 970 pF @ 30 V - 50W(Tc) 150°C(TJ) - - 面実装 TO-252 TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
TK5R3A06PL,S4X TK5R3A06PL,S4X 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥497.15 /個
1個以上 ¥546.86 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 56A(Tc) 4.5V、10V 5.3ミリオーム @ 28A、10V 2.5V @ 300µA 36 nC @ 10 V ±20V 2380 pF @ 30 V - 36W(Tc) 175°C - - スルーホール TO-220SIS TO-220-3フルパッッケージ
C3M0075120K C3M0075120K Wolfspeed データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,871.77 /個
1個以上 ¥2,058.94 /個
確認する 確認する チューブ C3M™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 30A(Tc) 15V 90ミリオーム @ 20A、15V 4V @ 5mA 51 nC @ 15 V +19V、-8V 1350 pF @ 1000 V - 113.6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-247-4L TO-247-4
SCT3080KLHRC11 SCT3080KLHRC11 ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥5,241.18 /個
1個以上 ¥5,765.29 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 31A(Tc) 18V 104ミリオーム @ 10A、18V 5.6V @ 5mA 60 nC @ 18 V +22V、-4V 785 pF @ 800 V - 165W 175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 スルーホール TO-247N TO-247-3
IRFB4615PBF IRFB4615PBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥487.15 /個
1個以上 ¥535.86 /個
確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150 V 35A(Tc) 10V 39ミリオーム @ 21A、10V 5V @ 100µA 26 nC @ 10 V ±20V 1750 pF @ 50 V - 144W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3GXKSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥776.39 /個
1個以上 ¥854.02 /個
確認する 確認する チューブ OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 250 V 25A(Tc) 10V 60ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 90µA 29 nC @ 10 V ±20V 2350 pF @ 100 V - 136W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール PG-TO220-3-1 TO-220-3
RD3L04BBKHRBTL RD3L04BBKHRBTL ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥445.72 /個
1個以上 ¥490.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 40A(Tc) 4.5V、10V 13.5ミリオーム @ 40A、10V 2.5V @ 348µA 13 nC @ 10 V ±20V 760 pF @ 30 V - 53W(Tc) 175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 TO-252 TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
SSM3K361R,LF SSM3K361R,LF 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥177.15 /個
1個以上 ¥194.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSVIII-H Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 3.5A(Ta) 4.5V、10V 69ミリオーム @ 2A、10V 2.5V @ 100µA 3.2 nC @ 4.5 V ±20V 430 pF @ 15 V - 1.2W(Ta) 175°C - - 面実装 SOT-23F SOT-23-3フラットリード
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥205.72 /個
1個以上 ¥226.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 34 V 12A(Ta)、44A(Tc) 4.5V、10V 9.2ミリオーム @ 20A、10V 2V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 1110 pF @ 15 V - 2.5W(Ta)、27W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 PG-TDSON-8-5 8-PowerTDFN
TK15S04N1L,LQ TK15S04N1L,LQ 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥508.58 /個
1個以上 ¥559.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSVIII-H Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 15A(Ta) 4.5V、10V 17.8ミリオーム @ 7.5A、10V 2.5V @ 100µA 10 nC @ 10 V ±20V 610 pF @ 10 V - 46W(Tc) 175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 DPAK+ TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
SI2314EDS-T1-E3 SI2314EDS-T1-E3 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥282.86 /個
1個以上 ¥311.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) TrenchFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 3.77A(Ta) 1.8V、4.5V 33ミリオーム @ 5A、4.5V 950mV @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±12V - - 750mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
TPCC8105,L1Q TPCC8105,L1Q 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥282.86 /個
1個以上 ¥311.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSVI Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 23A(Ta) 4.5V、10V 7.8ミリオーム @ 11.5A、10V 2V @ 500µA 76 nC @ 10 V +20V、-25V 3240 pF @ 10 V - 700mW(Ta)、30W(Tc) 150°C - - 面実装 8-TSON Advance(3.3x3.3) 8-VDFN露出パッド
RQ5L030ATTCL RQ5L030ATTCL ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥198.58 /個
1個以上 ¥218.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 3A(Ta) 4.5V、10V 99ミリオーム @ 3A、10V 2.5V @ 1mA 17.2 nC @ 10 V ±20V 800 pF @ 30 V - 700mW(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 TSMT3 SC-96
VS-FC420SA10 VS-FC420SA10 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥4,785.89 /個
1個以上 ¥5,264.47 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 435A(Tc) 10V 2.15ミリオーム @ 200A、10V 3.8V @ 750µA 375 nC @ 10 V ±20V 17300 pF @ 25 V - 652W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - シャーシマウント SOT-227 SOT-227-4、miniBLOC
XPH4R714MC,L1XHQ XPH4R714MC,L1XHQ 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥451.43 /個
1個以上 ¥496.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSVI Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 60A(Ta) 4.5V、10V 4.7ミリオーム @ 30A、10V 2.1V @ 1mA 160 nC @ 10 V +10V、-20V 5640 pF @ 10 V - 960mW(Ta)、132W(Tc) 175°C 自動車 AEC-Q101 面実装 8-SOP Advance(5x5) 8-PowerVDFN
AO3400A AO3400A UMW データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥41.43 /個
1個以上 ¥45.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) UMW Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 5.8A(Ta) 2.5V、10V 28ミリオーム @ 5.8A、10V 1.4V @ 250µA 12 nC @ 4.5 V ±12V 1050 pF @ 15 V - 1.4W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
AON7400A AON7400A Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥155.72 /個
1個以上 ¥171.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 15A(Ta)、40A(Tc) 4.5V、10V 7.5ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V 1380 pF @ 15 V - 3.1W(Ta)、25W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-DFN-EP(3x3) 8-PowerVDFN
SSM3J327R,LF SSM3J327R,LF 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥82.86 /個
1個以上 ¥91.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSVI Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 3.9A(Ta) 1.5V、4.5V 93ミリオーム @ 1.5A、4.5V 1V @ 1mA 4.6 nC @ 4.5 V ±8V 290 pF @ 10 V - 1W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23F SOT-23-3フラットリード
AO3416 AO3416 Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥117.15 /個
1個以上 ¥128.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 6.5A(Ta) 1.8V、4.5V 22ミリオーム @ 6.5A、4.5V 1V @ 250µA 16 nC @ 4.5 V ±8V 1160 pF @ 10 V - 1.4W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 3-SMD、SOT-23-3可変
IRFP240PBF IRFP240PBF VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,205.48 /個
1個以上 ¥1,326.02 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 20A(Tc) 10V 180ミリオーム @ 12A、10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 150W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-247AC TO-247-3
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥121.43 /個
1個以上 ¥133.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) TrenchFET® Gen IV Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 2.6A(Tc) 4.5V、10V 144ミリオーム @ 1.9A、10V 3V @ 250µA 4 nC @ 10 V ±20V 105 pF @ 30 V - 1.6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
FDS9435A FDS9435A UMW データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥128.58 /個
1個以上 ¥141.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) * - - - - - - - - - - - - - - - - -
SSM6J414TU,LF SSM6J414TU,LF 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥142.86 /個
1個以上 ¥157.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSVI Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 6A(Ta) 1.5V、4.5V 22.5ミリオーム @ 6A、4.5V 1V @ 1mA 23.1 nC @ 4.5 V ±8V 1650 pF @ 10 V - 1W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 UF6 6-SMD、フラットリード
DMP10H400SE-13 DMP10H400SE-13 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥224.29 /個
1個以上 ¥246.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 2.3A(Ta)、6A(Tc) 4.5V、10V 250ミリオーム @ 5A、10V 3V @ 250µA 17.5 nC @ 10 V ±20V 1239 pF @ 25 V - 2W(Ta)、13.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-223-3 TO-261-4、TO-261AA
SSM3J15FV,L3F SSM3J15FV,L3F 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥48.58 /個
1個以上 ¥53.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) π-MOSVI Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 100mA(Ta) 2.5V、4V 12オーム @ 10mA、4V 1.7V @ 100µA - ±20V 9.1 pF @ 3 V - 150mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 VESM SOT-723
DMP2040USS-13 DMP2040USS-13 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥144.29 /個
1個以上 ¥158.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 7A(Ta)、15A(Tc) 2.5V、4.5V 33ミリオーム @ 8.9A、4.5V 1.5V @ 250µA 19 nC @ 8 V ±12V 834 pF @ 10 V - 800mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SO 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)
BSS123L BSS123L オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥58.58 /個
1個以上 ¥64.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 170mA(Ta) 4.5V、10V 6オーム @ 170mA、10V 2V @ 1mA 2.5 nC @ 10 V ±20V 21.5 pF @ 25 V - 360mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
RZM002P02T2L RZM002P02T2L ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥74.29 /個
1個以上 ¥81.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 200mA(Ta) 1.2V、4.5V 1.2オーム @ 200mA、4.5V 1V @ 100µA 1.4 nC @ 4.5 V ±10V 115 pF @ 10 V - 150mW(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 VMT3 SOT-723
R6004JNXC7G R6004JNXC7G ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥397.15 /個
1個以上 ¥436.86 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 4A(Tc) 15V 1.43オーム @ 2A、15V 7V @ 450µA 10.5 nC @ 15 V ±30V 260 pF @ 100 V - 35W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-220FM TO-220-3フルパッッケージ
AO3401A AO3401A Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥107.15 /個
1個以上 ¥117.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4A(Ta) 2.5V、10V 44ミリオーム @ 4.3A、10V 1.3V @ 250µA 12.2 nC @ 4.5 V ±12V 1200 pF @ 15 V - 1.4W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 3-SMD、SOT-23-3可変
IRF640NPBF IRF640NPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥391.43 /個
1個以上 ¥430.57 /個
確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 18A(Tc) 10V 150ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V 1160 pF @ 25 V - 150W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
SI1308EDL-T1-BE3 SI1308EDL-T1-BE3 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥135.72 /個
1個以上 ¥149.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) TrenchFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 1.4A(Tc) - 132ミリオーム @ 1.4A、10V 1.5V @ 250µA 4.1 nC @ 10 V ±12V 105 pF @ 15 V - 400mW(Ta)、500mW(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SC-70-3 SC-70、SOT-323
IRFP9240PBF IRFP9240PBF VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,217.34 /個
1個以上 ¥1,339.07 /個
確認する 確認する チューブ - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 12A(Tc) 10V 500ミリオーム @ 7.2A、10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 150W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-247AC TO-247-3
AOSS32136C AOSS32136C Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥110.00 /個
1個以上 ¥121.00 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 6.5A(Ta) 2.5V、4.5V 20ミリオーム @ 6.5A、4.5V 1.25V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±12V 660 pF @ 10 V - 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 3-SMD、SOT-23-3可変
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥314.29 /個
1個以上 ¥345.71 /個
確認する 確認する チューブ HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55 V 19A(Tc) 10V 100ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 25 V - 68W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
SSM3K56MFV,L3F SSM3K56MFV,L3F 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥90.00 /個
1個以上 ¥99.00 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSVII-H Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 800mA(Ta) 1.5V、4.5V 235ミリオーム @ 800mA、4.5V 1V @ 1mA 1 nC @ 4.5 V ±8V 55 pF @ 10 V - 150mW(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 VESM SOT-723
RU1C002UNTCL RU1C002UNTCL ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥74.29 /個
1個以上 ¥81.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 200mA(Ta) 1.2V、2.5V 1.2オーム @ 200mA、2.5V 1V @ 1mA - ±8V 25 pF @ 10 V - 150mW(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 UMT3F SC-85
AO3415A AO3415A UMW データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥47.15 /個
1個以上 ¥51.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) UMW Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 4A(Ta) 2.5V、4.5V 36ミリオーム @ 4A、4.5V 1V @ 250µA 17.2 nC @ 4.5 V ±8V 1450 pF @ 10 V - 350mW(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
2SK3700(F) 2SK3700(F) 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥708.34 /個
1個以上 ¥779.17 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 900 V 5A(Ta) - 2.5オーム @ 3A、10V 4V @ 1mA 28 nC @ 10 V - 1150 pF @ 25 V - 150W(Tc) 150°C(TJ) - - スルーホール TO-3P(N) TO-3P-3、SC-65-3
DMP2123L-7 DMP2123L-7 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥132.86 /個
1個以上 ¥146.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 3A(Ta) 2.5V、4.5V 72ミリオーム @ 3.5A、4.5V 1.25V @ 250µA 7.3 nC @ 4.5 V ±12V 443 pF @ 16 V - 1.4W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
TK5P60W5,RVQ TK5P60W5,RVQ 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥512.86 /個
1個以上 ¥564.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) DTMOSIV Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 4.5A(Ta) 10V 990ミリオーム @ 2.3A、10V 4.5V @ 230µA 11.5 nC @ 10 V ±30V 370 pF @ 300 V - 60W(Tc) 150°C - - 面実装 DPAK TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥394.29 /個
1個以上 ¥433.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 161A(Tc) 4.5V、10V 3.3ミリオーム @ 15A、10V 2.3V @ 250µA 50 nC @ 4.5 V ±20V 4380 pF @ 15 V - 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 TO-252AA (DPAK) TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
BSS138 BSS138 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥65.72 /個
1個以上 ¥72.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 50 V 220mA(Ta) 4.5V、10V 3オーム @ 500mA、10V 1.6V @ 250µA 2.4 nC @ 10 V ±20V 27 pF @ 25 V - 350mW(Ta) -55°C~155°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ZVN4206GTA ZVN4206GTA Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥352.86 /個
1個以上 ¥388.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 1A(Ta) 5V、10V 1オーム @ 1.5A、10V 3V @ 1mA - ±20V 100 pF @ 25 V - 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-223-3 TO-261-4、TO-261AA
DMN2310U-7 DMN2310U-7 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥47.15 /個
1個以上 ¥51.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.6A(Ta) 1.8V、4.5V 175ミリオーム @ 300mA、4.5V 950mV @ 250µA 0.7 nC @ 4.5 V ±8V 38 pF @ 10 V - 480mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Microchip データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥158.58 /個
1個以上 ¥174.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル、デプレッションモード MOSFET(金属酸化物) 500 V 30mA(Tj) 0V 1000オーム @ 500µA、0V - - ±20V 10 pF @ 25 V - 740mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-92-3 TO-226-3、TO-92-3標準本体(TO-226AA)
2N7002 2N7002 UMW データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥22.86 /個
1個以上 ¥25.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) UMW Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 115mA(Ta) 5V、10V 5オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA - ±20V 50 pF @ 25 V - 225mW(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
IRF9Z10PBF IRF9Z10PBF VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥505.72 /個
1個以上 ¥556.29 /個
確認する 確認する チューブ - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 6.7A(Tc) 10V 500ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 43W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
DMG2302UK-13 DMG2302UK-13 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥72.86 /個
1個以上 ¥80.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 2.8A(Ta) 2.5V、4.5V 90ミリオーム @ 3.6A、4.5V 1V @ 250µA 2.8 nC @ 10 V ±12V 130 pF @ 10 V - 660mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥242.86 /個
1個以上 ¥267.14 /個
確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55 V 17A(Tc) 10V 70ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 370 pF @ 25 V - 45W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
DMP2022LSSQ-13 DMP2022LSSQ-13 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥320.00 /個
1個以上 ¥352.00 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 9.3A(Ta) 2.5V、10V 13ミリオーム @ 10A、10V 1.1V @ 250µA 60.2 nC @ 10 V ±12V 2575 pF @ 10 V - 1.6W(Ta) -55°C~155°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 8-SO 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)
IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥415.72 /個
1個以上 ¥457.29 /個
確認する 確認する チューブ HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55 V 47A(Tc) 4V、10V 22ミリオーム @ 25A、10V 2V @ 250µA 48 nC @ 5 V ±16V 1700 pF @ 25 V - 3.8W(Ta)、110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
SSM3K339R,LF SSM3K339R,LF 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥85.72 /個
1個以上 ¥94.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSVII-H Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 2A(Ta) 1.8V、8V 185ミリオーム @ 1A、8V 1.2V @ 1mA 1.1 nC @ 4.2 V ±12V 130 pF @ 10 V - 1W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23F SOT-23-3フラットリード
SSM3K324R,LF SSM3K324R,LF 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥85.72 /個
1個以上 ¥94.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSVII-H Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4A(Ta) 1.8V、4.5V 55ミリオーム @ 4A、4.5V - - ±12V 190 pF @ 30 V - 1W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23F SOT-23-3フラットリード
FDV303N FDV303N オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥81.43 /個
1個以上 ¥89.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 25 V 680mA(Ta) 2.7V、4.5V 450ミリオーム @ 500mA、4.5V 1.5V @ 250µA 2.3 nC @ 4.5 V ±8V 50 pF @ 10 V - 350mW(Ta) -55°C~155°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥98.58 /個
1個以上 ¥108.43 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 3.7A(Ta) 2.5V、4.5V 65ミリオーム @ 3.7A、4.5V 1.2V @ 250µA 12 nC @ 5 V ±12V 633 pF @ 10 V - 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 Micro3™/SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SI2301ADS-EV SI2301ADS-EV EVVO Semi データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥44.29 /個
1個以上 ¥48.71 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 3.3A(Ta) 2.5V、4.5V 70ミリオーム @ 3A、4.5V 1V @ 250µA 4.1 nC @ 4.5 V ±12V 503 pF @ 10 V - 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
AO3400A AO3400A Alpha & Omega Semiconductor Inc データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥107.15 /個
1個以上 ¥117.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 5.7A(Ta) 2.5V、10V 26.5ミリオーム @ 5.7A、10V 1.5V @ 250µA 7 nC @ 4.5 V ±12V 630 pF @ 15 V - 1.4W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 3-SMD、SOT-23-3可変
BS170 BS170 オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥100.00 /個
1個以上 ¥110.00 /個
確認する 確認する バルク - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 500mA(Ta) 10V 5オーム @ 200mA、10V 3V @ 1mA - ±20V 40 pF @ 10 V - 830mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-92-3 TO-226-3、TO-92-3標準本体(TO-226AA)
BSS84 BSS84 Good-Ark Semiconductor データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥22.86 /個
1個以上 ¥25.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 50 V 130mA(Ta) 5V、10V 10オーム @ 100mA、5V 2V @ 250µA - ±20V 30 pF @ 5 V - 225mW 150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥62.86 /個
1個以上 ¥69.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 200mA(Ta) 4.5V、10V 5オーム @ 500mA、10V 3V @ 1mA - ±20V 60 pF @ 25 V - 350mW(Ta) 150°C(TJ) - - スルーホール TO-92 TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形リード
RSR010N10HZGTL RSR010N10HZGTL ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥254.29 /個
1個以上 ¥279.71 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 1A(Ta) 4V、10V 520ミリオーム @ 1A、10V 2.5V @ 1mA 3.5 nC @ 5 V ±20V 140 pF @ 25 V - 700mW(Ta) 150°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 TSMT3 SC-96
RZM001P02T2L RZM001P02T2L ROHM データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥51.43 /個
1個以上 ¥56.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 100mA(Ta) 1.2V、4.5V 3.8オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 100µA - ±10V 15 pF @ 10 V - 150mW(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 VMT3 SOT-723
IGLT65R045D2ATMA1 IGLT65R045D2ATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,575.91 /個
1個以上 ¥1,733.50 /個
確認する 確認する Digi-Reel® CoolGaN™ Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 38A(Tc) - - 1.6V @ 3.3mA 6 nC @ 3 V -10V 430 pF @ 400 V - 124W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 PG-HDSOP-16-8 16-PowerSOPモジュール
IGLT65R055D2ATMA1 IGLT65R055D2ATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,401.29 /個
1個以上 ¥1,541.41 /個
確認する 確認する Digi-Reel® CoolGaN™ Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 31A(Tc) - - 1.6V @ 2.6mA 4.7 nC @ 3 V -10V 340 pF @ 400 V - 102W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 PG-HDSOP-16-8 16-PowerSOPモジュール
IPF009N04NF2SATMA1 IPF009N04NF2SATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥941.67 /個
1個以上 ¥1,035.83 /個
確認する 確認する Digi-Reel® StrongIRFET™2 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 49A(Ta)、302A(Tc) 6V、10V 0.9ミリオーム @ 100A、10V 3.4V @ 249µA 315 nC @ 10 V ±20V 15000 pF @ 20 V - 3.8W(Ta)、375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 PG-TO263-7-U02 TO-263-7、D2PAK(6リード + タブ)
IPF009N04NF2SATMA1 IPF009N04NF2SATMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
800個以上 ¥252.81 /個
800個以上 ¥278.09 /個
確認する 800 確認する テープ&リール(TR) StrongIRFET™2 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 49A(Ta)、302A(Tc) 6V、10V 0.9ミリオーム @ 100A、10V 3.4V @ 249µA 315 nC @ 10 V ±20V 15000 pF @ 20 V - 3.8W(Ta)、375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 PG-TO263-7-U02 TO-263-7、D2PAK(6リード + タブ)
SSM3K345R,LF SSM3K345R,LF 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥107.15 /個
1個以上 ¥117.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) U-MOSVI Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 4A(Ta) 1.5V、4.5V 33ミリオーム @ 4A、4.5V 1V @ 1mA 3.6 nC @ 4.5 V ±8V 410 pF @ 10 V - 1W(Ta) 150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23F SOT-23-3フラットリード
IRF9530NPBF IRF9530NPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥342.86 /個
1個以上 ¥377.14 /個
確認する 確認する チューブ HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 14A(Tc) 10V 200ミリオーム @ 8.4A、10V 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±20V 760 pF @ 25 V - 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール TO-220AB TO-220-3
TK5A90E,S4X TK5A90E,S4X 東芝 データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥530.00 /個
1個以上 ¥583.00 /個
確認する 確認する チューブ - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 900 V 4.5A(Ta) 10V 3.1オーム @ 2.3A、10V 4V @ 450µA 20 nC @ 10 V ±30V 950 pF @ 25 V - 40W(Tc) 150°C - - スルーホール TO-220SIS TO-220-3フルパッッケージ
SQ2318CES-T1_GE3 SQ2318CES-T1_GE3 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥147.15 /個
1個以上 ¥161.86 /個
確認する 確認する Digi-Reel® TrenchFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 7A(Tc) 4.5V、10V 31ミリオーム @ 7.9A、10V 2.5V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V 553 pF @ 20 V - 3W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
IMLT65R020M2HXTMA1 IMLT65R020M2HXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥2,427.06 /個
1個以上 ¥2,669.76 /個
確認する 確認する Digi-Reel® CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 107A(Tc) 15V、18V 24ミリオーム @ 46.9A、18V 5.6V @ 9.5mA 57 nC @ 18 V +23V、-7V 2038 pF @ 400 V - 454W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 PG-HDSOP-16-6 16-PowerSOPモジュール
DMP2040USS-13 DMP2040USS-13 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥144.29 /個
1個以上 ¥158.71 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 7A(Ta)、15A(Tc) 2.5V、4.5V 33ミリオーム @ 8.9A、4.5V 1.5V @ 250µA 19 nC @ 8 V ±12V 834 pF @ 10 V - 800mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SO 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)
IXFP38N30X3M IXFP38N30X3M IXYS データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥1,381.49 /個
1個以上 ¥1,519.63 /個
確認する 確認する チューブ HiPerFET™, Ultra X3 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 300 V 38A(Tc) - - - 35 nC @ 10 V ±20V 2440 pF @ 25 V - 34W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - スルーホール TO-220絶縁タブ TO-220-3フルパック、絶縁タブ
SUM70040E-GE3 SUM70040E-GE3 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥916.67 /個
1個以上 ¥1,008.33 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) TrenchFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 120A(Tc) 7.5V、10V 4ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 50 V - 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 TO-263(D2PAK) TO-263-3、D2PAK(2リード + タブ)、TO-263AB
DMP4065S-7 DMP4065S-7 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥107.15 /個
1個以上 ¥117.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 2.4A(Ta) 4.5V、10V 80ミリオーム @ 4.2A、10V 3V @ 250µA 12.2 nC @ 10 V ±20V 587 pF @ 20 V - 720mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
IPD5N03LAG IPD5N03LAG インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥442.86 /個
1個以上 ¥487.14 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 25 V 50A(Tc) 4.5V、10V 5.2ミリオーム @ 50A、10V 2V @ 35µA 22 nC @ 5 V ±20V 2653 pF @ 15 V - - -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 PG-TO252-3-11 TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y6R0-60E,115 NEXPERIA データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥480.00 /個
1個以上 ¥528.00 /個
確認する 確認する Digi-Reel® TrenchMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 100A(Tc) 5V 5.2ミリオーム @ 25A、10V 2.1V @ 1mA 39.4 nC @ 5 V ±10V 6319 pF @ 25 V - 195W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 LFPAK56、Power-SO8 SC-100、SOT-669
IPDH4N03LAG IPDH4N03LAG インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥257.15 /個
1個以上 ¥282.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 25 V 90A(Tc) 4.5V、10V 4.2ミリオーム @ 60A、10V 2V @ 40µA 26 nC @ 5 V ±20V 3200 pF @ 15 V - 94W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 PG-TO252-3-11 TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥482.86 /個
1個以上 ¥531.14 /個
確認する 確認する Digi-Reel® HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 42A(Tc) 4.5V、10V 14ミリオーム @ 38A、10V 2.5V @ 100µA 48 nC @ 4.5 V ±16V 3980 pF @ 25 V - 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 TO-252AA (DPAK) TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
IGD70R270D2SAUMA1 IGD70R270D2SAUMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥471.43 /個
1個以上 ¥518.57 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) CoolGaN™ G5 Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 700 V 5.8A(Tc) - - 1.6V @ 560µA - -10V 74 pF @ 400 V - 18W(Tc) -40°C~150°C(TJ) - - 面実装 PG-TO252-3-U03 TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
IPFH6N03LA G IPFH6N03LA G インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
2500個以上 ¥97.74 /個
2500個以上 ¥107.51 /個
確認する 2,500 確認する テープ&リール(TR) OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 25 V 50A(Tc) 4.5V、10V 6.2ミリオーム @ 50A、10V 2V @ 30µA 19 nC @ 5 V ±20V 2390 pF @ 15 V - 71W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 PG-TO252-3-23 TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
FDS86267P FDS86267P オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥520.00 /個
1個以上 ¥572.00 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) PowerTrench® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150 V 2.2A(Ta) 6V、10V 255ミリオーム @ 2.2A、10V 4V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±25V 1130 pF @ 75 V - 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 8-SOIC 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)
SQ2318CES-T1_GE3 SQ2318CES-T1_GE3 VISHAY データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥147.15 /個
1個以上 ¥161.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) TrenchFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 7A(Tc) 4.5V、10V 31ミリオーム @ 7.9A、10V 2.5V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V 553 pF @ 20 V - 3W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
50N06 50N06 UMW データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥265.72 /個
1個以上 ¥292.29 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) UMW Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 50A(Tc) 4.5V、10V 17ミリオーム @ 30A、10V 2.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V 2928 pF @ 25 V - 105W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 TO-252(DPAK) TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
40N06 40N06 UMW データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥250.00 /個
1個以上 ¥275.00 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) UMW Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 50A(Tc) 4.5V、10V 18ミリオーム @ 30A、10V 2.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V 2928 pF @ 25 V - 105W(Tc) -55°C~150°C(TJ) - - 面実装 TO-252(DPAK) TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
IMW120R007M1HXKSA1 IMW120R007M1HXKSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥8,239.09 /個
1個以上 ¥9,062.99 /個
確認する 確認する チューブ CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 225A(Tc) 15V、18V 9.9ミリオーム @ 108A、18V 5.2V @ 47mA 289 nC @ 18 V +20V、-5V 9170 pF @ 800 V - 750W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール PG-TO247-3 TO-247-3
IMW120R020M1HXKSA1 IMW120R020M1HXKSA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥3,671.77 /個
1個以上 ¥4,038.94 /個
確認する 確認する チューブ CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 98A(Tc) 15V、18V 26.9ミリオーム @ 41A、18V 5.2V @ 17.6mA 109 nC @ 18 V +20V、-5V 3460 pF @ 800 V - 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - スルーホール PG-TO247-3 TO-247-3
DMN53D0LQ-13 DMN53D0LQ-13 Diodes Incorporated データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥67.15 /個
1個以上 ¥73.86 /個
確認する 確認する カット テープ(CT) - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 50 V 500mA(Ta) 2.5V、10V 1.6オーム @ 500mA、10V 1.5V @ 250µA 0.6 nC @ 4.5 V ±20V 46 pF @ 25 V - 370mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 自動車 AEC-Q101 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
IMLT65R020M2HXTMA1 IMLT65R020M2HXTMA1 インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1800個以上 ¥1,085.23 /個
1800個以上 ¥1,193.75 /個
確認する 1,800 確認する テープ&リール(TR) CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 107A(Tc) 15V、18V 24ミリオーム @ 46.9A、18V 5.6V @ 9.5mA 57 nC @ 18 V +23V、-7V 2038 pF @ 400 V - 454W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 PG-HDSOP-16-6 16-PowerSOPモジュール
IPF06N03LA G IPF06N03LA G インフィニオン データシート BOMに追加 A(DigiKey)
2500個以上 ¥97.74 /個
2500個以上 ¥107.51 /個
確認する 2,500 確認する テープ&リール(TR) OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 25 V 50A(Tc) 4.5V、10V 5.7ミリオーム @ 30A、10V 2V @ 40µA 22 nC @ 5 V ±20V 2653 pF @ 15 V - 83W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 PG-TO252-3-23 TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
NTD5C632NLT4G NTD5C632NLT4G オンセミコンダクター データシート BOMに追加 A(DigiKey)
1個以上 ¥482.86 /個
1個以上 ¥531.14 /個
確認する 確認する Digi-Reel® - Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 29A(Ta)、155A(Tc) 4.5V、10V 2.5ミリオーム @ 50A、10V 2.1V @ 250µA 34 nC @ 4.5 V ±20V 5700 pF @ 25 V - 4W(Ta)、115W(Tc) -55°C~175°C(TJ) - - 面実装 DPAK TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
4,000 件中 1100 件目
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1100 件 / 全 66,429
  • IAUMN10S5N017GAUMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™ 5・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200A(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.7ミリオーム @
    948.62 税込¥1,043.48
  • TW045N120C,S1F
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):40A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):18V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):59ミリオーム @ 20A、18V・Id印加時のVgs(t
    5,304.60 税込¥5,835.06
  • NVMFS3D0P04M8LT1G
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):28A(Ta)、183A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.7ミリオーム @
    823.62 税込¥905.98
  • TPH1R403NL,L1Q
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVIII-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):60A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.4ミリオーム
    490.00 税込¥539.00
  • SSM6J808R,LF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):35ミリオーム @ 2.5A、10V・Id印加
    214.29 税込¥235.71
  • DMN1017UCP3-7
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):12 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、3.3V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):17ミリオーム @ 5A、3.3V
    202.86 税込¥223.14
  • BSS138BWAHZGT106
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):380mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):680ミリオーム @ 380mA、
    121.43 税込¥133.57
  • RD3L07BATTL1
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):70A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):12.7ミリオーム @ 70A、10V
    702.78 税込¥773.05
  • RD3L03BBGTL1
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):35A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):11.3ミリオーム @ 35A、10V
    544.29 税込¥598.71
  • TK5R3A06PL,S4X
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):56A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5.3ミリオーム @ 28A、10V・Id印加時のV
    497.15 税込¥546.86
  • C3M0075120K
    Wolfspeed
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:C3M™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):90ミリオーム @ 20A、15V・Id印加時のVg
    1,871.77 税込¥2,058.94
  • SCT3080KLHRC11
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):31A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):18V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):104ミリオーム @ 10A、18V・Id印加時のVgs(
    5,241.18 税込¥5,765.29
  • IRFB4615PBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):35A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):39ミリオーム @ 21A、10V・Id印加時の
    487.15 税込¥535.86
  • IPP600N25N3GXKSA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):25A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):60ミリオーム @ 25A、10V・Id印加時
    776.39 税込¥854.02
  • RD3L04BBKHRBTL
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):40A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):13.5ミリオーム @ 40A、10V
    445.72 税込¥490.29
  • SSM3K361R,LF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVIII-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):69ミリオーム
    177.15 税込¥194.86
  • BSC0909NSATMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):34 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):12A(Ta)、44A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9.2ミ
    205.72 税込¥226.29
  • TK15S04N1L,LQ
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVIII-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):15A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):17.8ミリオーム
    508.58 税込¥559.43
  • SI2314EDS-T1-E3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.77A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):33ミリオーム
    282.86 税込¥311.14
  • TPCC8105,L1Q
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVI・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):23A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7.8ミリオーム @ 11
    282.86 税込¥311.14
  • RQ5L030ATTCL
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):99ミリオーム @ 3A、10V・Id印
    198.58 税込¥218.43
  • VS-FC420SA10
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):435A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.15ミリオーム @ 200A、10V・Id印加時のVg
    4,785.89 税込¥5,264.47
  • XPH4R714MC,L1XHQ
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVI・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):60A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4.7ミリオーム @ 30
    451.43 税込¥496.57
  • AO3400A
    UMW
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:UMW・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.8A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):28ミリオーム @ 5.8A、1
    41.43 税込¥45.57
  • AON7400A
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):15A(Ta)、40A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7.5ミリオーム @
    155.72 税込¥171.29
  • SSM3J327R,LF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVI・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.9A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):93ミリオーム @ 1
    82.86 税込¥91.14
  • AO3416
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 6.5A、4.
    117.15 税込¥128.86
  • IRFP240PBF
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 12A、10V・Id印加時のVgs(t
    1,205.48 税込¥1,326.02
  • SI2308CDS-T1-GE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET® Gen IV・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):14
    121.43 税込¥133.57
  • FDS9435A
    UMW
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:*・FETタイプ:-・技術:-・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):-・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):-・Vgsでのゲー
    128.58 税込¥141.43
  • SSM6J414TU,LF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVI・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22.5ミリオーム @ 6
    142.86 税込¥157.14
  • DMP10H400SE-13
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.3A(Ta)、6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):250ミリオーム @
    224.29 税込¥246.71
  • SSM3J15FV,L3F
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:π-MOSVI・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):12オーム @ 10mA
    48.58 税込¥53.43
  • DMP2040USS-13
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7A(Ta)、15A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):33ミリオーム @ 8
    144.29 税込¥158.71
  • BSS123L
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):170mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):6オーム @ 170mA、10V
    58.58 税込¥64.43
  • RZM002P02T2L
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.2V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.2オーム @ 200mA、4
    74.29 税込¥81.71
  • R6004JNXC7G
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.43オーム @ 2A、15V・Id印加時のVgs(th)(
    397.15 税込¥436.86
  • AO3401A
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):44ミリオーム @ 4.3A、10V・I
    107.15 税込¥117.86
  • IRF640NPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):18A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):150ミリオーム @ 11A、10V・Id印加時
    391.43 税込¥430.57
  • SI1308EDL-T1-BE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.4A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):132ミリオーム @ 1.4A、
    135.72 税込¥149.29
  • IRFP9240PBF
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):12A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):500ミリオーム @ 7.2A、10V・Id印加時のVgs(
    1,217.34 税込¥1,339.07
  • AOSS32136C
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):20ミリオーム @ 6.5A、4.
    110.00 税込¥121.00
  • IRF9Z34NPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):19A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):100ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時の
    314.29 税込¥345.71
  • SSM3K56MFV,L3F
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVII-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):800mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):235ミリオー
    90.00 税込¥99.00
  • RU1C002UNTCL
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.2V、2.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.2オーム @ 200mA、2
    74.29 税込¥81.71
  • AO3415A
    UMW
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:UMW・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):36ミリオーム @ 4A、4.5V
    47.15 税込¥51.86
  • 2SK3700(F)
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):900 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.5オーム @ 3A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大)
    708.34 税込¥779.17
  • DMP2123L-7
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):72ミリオーム @ 3.5A、4.5V
    132.86 税込¥146.14
  • TK5P60W5,RVQ
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:DTMOSIV・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):990ミリオーム @ 2.3A、
    512.86 税込¥564.14
  • IRLR7843TRPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):161A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.3ミリオーム @ 1
    394.29 税込¥433.71
  • BSS138
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):50 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):220mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3オーム @ 500mA、10V・
    65.72 税込¥72.29
  • ZVN4206GTA
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1オーム @ 1.5A、10V・Id印加時の
    352.86 税込¥388.14
  • DMN2310U-7
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.6A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):175ミリオーム @ 300mA、
    47.15 税込¥51.86
  • LND150N3-G-P002
    Microchip
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル、デプレッションモード・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):30mA(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):0V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1000オーム @ 50
    158.58 税込¥174.43
  • 2N7002
    UMW
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:UMW・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):115mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5オーム @ 500mA、10V・
    22.86 税込¥25.14
  • IRF9Z10PBF
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.7A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):500ミリオーム @ 4A、10V・Id印加時のVgs(th
    505.72 税込¥556.29
  • DMG2302UK-13
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.8A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):90ミリオーム @ 3.6A、4.
    72.86 税込¥80.14
  • IRFZ24NPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):70ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のV
    242.86 税込¥267.14
  • DMP2022LSSQ-13
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):9.3A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):13ミリオーム @ 10A、10V・
    320.00 税込¥352.00
  • IRLZ44NPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):47A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    415.72 税込¥457.29
  • SSM3K339R,LF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVII-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、8V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):185ミリオーム @ 1
    85.72 税込¥94.29
  • SSM3K324R,LF
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVII-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):55ミリオーム @
    85.72 税込¥94.29
  • FDV303N
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):680mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.7V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):450ミリオーム @ 500mA
    81.43 税込¥89.57
  • IRLML6402TRPBF
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):65ミリオーム @ 3
    98.58 税込¥108.43
  • SI2301ADS-EV
    EVVO Semi
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.3A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):70ミリオーム @ 3A、4.5V
    44.29 税込¥48.71
  • AO3400A
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):26.5ミリオーム @ 5.7A、1
    107.15 税込¥117.86
  • BS170
    オンセミコンダクター
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):500mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5オーム @ 200mA、10V・Id印加時のVgs(th)
    100.00 税込¥110.00
  • BSS84
    Good-Ark Semiconductor
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):50 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):130mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):10オーム @ 100mA、5V・Id
    22.86 税込¥25.14
  • 2N7000
    Diotec Semiconductor
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5オーム @ 500mA、10V・
    62.86 税込¥69.14
  • RSR010N10HZGTL
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):520ミリオーム @ 1A、10V・Id印加
    254.29 税込¥279.71
  • RZM001P02T2L
    ROHM
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.2V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.8オーム @ 100mA、4
    51.43 税込¥56.57
  • IGLT65R045D2ATMA1
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:CoolGaN™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):38A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大
    1,575.91 税込¥1,733.50
  • IGLT65R055D2ATMA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:CoolGaN™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):31A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大
    1,401.29 税込¥1,541.41
  • IPF009N04NF2SATMA1
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:StrongIRFET™2・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):49A(Ta)、302A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):0
    941.67 税込¥1,035.83
  • IPF009N04NF2SATMA1
    インフィニオン
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    最小800個から購入可能
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    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:StrongIRFET™2・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):49A(Ta)、302A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):
    252.81 税込¥278.09
  • SSM3K345R,LF
    東芝
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVI・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):33ミリオーム @ 4A、
    107.15 税込¥117.86
  • IRF9530NPBF
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):14A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):200ミリオーム @ 8.4A、10V・Id印加
    342.86 税込¥377.14
  • TK5A90E,S4X
    東芝
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):900 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.1オーム @ 2.3A、10V・Id印加時のVgs(t
    530.00 税込¥583.00
  • SQ2318CES-T1_GE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:TrenchFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):31ミリオーム @ 7.
    147.15 税込¥161.86
  • IMLT65R020M2HXTMA1
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:CoolSiC™ Gen 2・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):107A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):24ミリオー
    2,427.06 税込¥2,669.76
  • DMP2040USS-13
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7A(Ta)、15A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):33ミリオーム @ 8.
    144.29 税込¥158.71
  • IXFP38N30X3M
    IXYS
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:HiPerFET™, Ultra X3・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):300 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):38A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th
    1,381.49 税込¥1,519.63
  • SUM70040E-GE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):120A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):7.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4ミリオーム @
    916.67 税込¥1,008.33
  • DMP4065S-7
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):80ミリオーム @ 4.2A、10V
    107.15 税込¥117.86
  • IPD5N03LAG
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):50A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5.2ミリオーム @ 5
    442.86 税込¥487.14
  • BUK9Y6R0-60E,115
    NEXPERIA
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:TrenchMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5.2ミリオーム @ 25A、1
    480.00 税込¥528.00
  • IPDH4N03LAG
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):90A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):4.2ミリオーム @ 6
    257.15 税込¥282.86
  • IRLR3110ZTRPBF
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):42A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):14ミリオーム @ 38A
    482.86 税込¥531.14
  • IGD70R270D2SAUMA1
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:CoolGaN™ G5・FETタイプ:Nチャンネル・技術:GaNFET(窒化ガリウム)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):700 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.8A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(t
    471.43 税込¥518.57
  • IPFH6N03LA G
    インフィニオン
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    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):50A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):6.2ミリオーム @ 5
    97.74 税込¥107.51
  • FDS86267P
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:PowerTrench®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):255ミリオーム
    520.00 税込¥572.00
  • SQ2318CES-T1_GE3
    VISHAY
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):31ミリオーム @ 7
    147.15 税込¥161.86
  • 50N06
    UMW
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:UMW・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):50A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):17ミリオーム @ 30A、10V
    265.72 税込¥292.29
  • 40N06
    UMW
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:UMW・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):50A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):18ミリオーム @ 30A、10V
    250.00 税込¥275.00
  • IMW120R007M1HXKSA1
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolSiC™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):225A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9.9ミリオーム @ 108A、1
    8,239.09 税込¥9,062.99
  • IMW120R020M1HXKSA1
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:チューブ・シリーズ:CoolSiC™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):98A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):26.9ミリオーム @ 41A、18
    3,671.77 税込¥4,038.94
  • DMN53D0LQ-13
    Diodes Incorporated
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    商品説明
    【仕様】・パッケージ:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):50 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):500mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.6オーム @ 500mA、10
    67.15 税込¥73.86
  • IMLT65R020M2HXTMA1
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    最小1,800個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:CoolSiC™ Gen 2・FETタイプ:Nチャンネル・技術:SiCFET(炭化ケイ素)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):107A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):24ミリオ
    1,085.23 税込¥1,193.75
  • IPF06N03LA G
    インフィニオン
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    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):50A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5.7ミリオーム @ 3
    97.74 税込¥107.51
  • NTD5C632NLT4G
    オンセミコンダクター
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    【仕様】・パッケージ:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):29A(Ta)、155A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.5ミリオーム @
    482.86 税込¥531.14
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