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トランジスタ - FET、MOSFET - シングルの定格表該当製品数: 68,518 / 68,518 件

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ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

Id印加時のVgs（th）（最大）

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

Vgs（最大）

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

FET機能

電力散逸（最大）

動作温度

グレード

認定

取り付けタイプ

サプライヤデバイスパッケージ

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写真	型番	メーカー	品質ランク	単価 (税抜)	単価 (税込)		在庫数量	最少購入数	納期	パッケージ	シリーズ	FETタイプ	技術	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	Vgs（最大）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	FET機能	電力散逸（最大）	動作温度	グレード	認定	取り付けタイプ	サプライヤデバイスパッケージ	パッケージ/ケース
	IMW120R350M1HXKSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥1,189.05 /個	1個以上￥1,307.95 /個	★	確認する		確認する	チューブ	CoolSiC™	Nチャンネル	SiCFET（炭化ケイ素）	1200 V	4.7A（Tc）	15V、18V	455ミリオーム @ 2A、18V	5.7V @ 1mA	5.3 nC @ 18 V	+23V、-7V	182 pF @ 800 V	-	60W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	PG-TO247-3-41	TO-247-3
	RQ5E030AJTCL	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥112.86 /個	1個以上￥124.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30 V	3A（Ta）	4.5V	75ミリオーム @ 3A、4.5V	1.5V @ 1mA	2.1 nC @ 4.5 V	±12V	240 pF @ 15 V	-	1W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	TSMT3	SC-96
	RQ5E030AJTCL	ROHM	S1(DigiKey)	3000個以上￥26.70 /個	3000個以上￥29.37 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30 V	3A（Ta）	4.5V	75ミリオーム @ 3A、4.5V	1.5V @ 1mA	2.1 nC @ 4.5 V	±12V	240 pF @ 15 V	-	1W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	TSMT3	SC-96
	DMP45H4D9HK3-13	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	1個以上￥245.72 /個	1個以上￥270.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	450 V	4.7A（Tc）	10V	4.9オーム @ 1.05A、10V	5V @ 250µA	13.7 nC @ 10 V	±30V	564 pF @ 25 V	-	104W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	TO-252（DPAK）	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
	TK33S10N1Z,LXHQ	東芝	S1(DigiKey)	1個以上￥314.29 /個	1個以上￥345.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	U-MOSVIII-H	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	33A（Ta）	10V	9.7ミリオーム @ 16.5A、10V	4V @ 500µA	28 nC @ 10 V	±20V	2050 pF @ 10 V	-	125W（Tc）	175°C	自動車	AEC-Q101	面実装	DPAK+	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
	TJ15S06M3L(T6L1,NQ	東芝	S1(DigiKey)	1個以上￥400.00 /個	1個以上￥440.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	U-MOSVI	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	15A（Ta）	6V、10V	50ミリオーム @ 7.5A、10V	3V @ 1mA	36 nC @ 10 V	+10V、-20V	1770 pF @ 10 V	-	41W（Tc）	175°C（TJ）	-	-	面実装	DPAK+	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
	CSD15571Q2	TEXAS INSTRUMENTS	S1(DigiKey)	1個以上￥150.00 /個	1個以上￥165.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	NexFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	20 V	22A（Ta）	4.5V、10V	15ミリオーム @ 5A、10V	1.9V @ 250µA	6.7 nC @ 10 V	±20V	419 pF @ 10 V	-	2.5W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-SON（2x2）	6-WDFN露出パッド
	IRFI840GPBF	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥450.00 /個	1個以上￥495.00 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	500 V	4.6A（Tc）	10V	850ミリオーム @ 2.8A、10V	4V @ 250µA	67 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	40W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220-3	TO-220-3フルパック、絶縁タブ
	FDS2582	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	1個以上￥364.29 /個	1個以上￥400.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	PowerTrench®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	150 V	4.1A（Ta）	6V、10V	66ミリオーム @ 4.1A、10V	4V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	1290 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOIC	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）
	SUP60020E-GE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥812.50 /個	1個以上￥893.75 /個	★	確認する		確認する	チューブ	TrenchFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	80 V	150A（Tc）	7.5V、10V	2.4ミリオーム @ 30A、10V	4V @ 250µA	227 nC @ 10 V	±20V	10680 pF @ 40 V	-	375W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220AB	TO-220-3
	STFW3N150	STマイクロエレクトロニクス	S1(DigiKey)	1個以上￥804.17 /個	1個以上￥884.58 /個	★	確認する		確認する	チューブ	PowerMESH™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	1500 V	2.5A（Tc）	10V	9オーム @ 1.3A、10V	5V @ 250µA	29.3 nC @ 10 V	±30V	939 pF @ 25 V	-	63W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-3PF	TO-3P-3フルパッッケージ
	NTR4171PT1G	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	1個以上￥120.00 /個	1個以上￥132.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30 V	2.2A（Ta）	2.5V、10V	75ミリオーム @ 2.2A、10V	1.4V @ 250µA	15.6 nC @ 10 V	±12V	720 pF @ 15 V	-	480mW（Ta）	-55°C～155°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-3（TO-236）	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
	AON6414A	Alpha & Omega Semiconductor Inc	S1(DigiKey)	1個以上￥154.29 /個	1個以上￥169.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30 V	13A（Ta）、30A（Tc）	4.5V、10V	8ミリオーム @ 20A、10V	2.5V @ 250µA	24 nC @ 10 V	±20V	1380 pF @ 15 V	-	2.3W（Ta）、31W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-DFN（5x6）	8-PowerSMD、フラットリード
	IRF510PBF-BE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥207.15 /個	1個以上￥227.86 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	5.6A（Tc）	-	540ミリオーム @ 3.4A、10V	4V @ 250µA	8.3 nC @ 10 V	±20V	180 pF @ 25 V	-	43W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220AB	TO-220-3
	TK8S06K3L(T6L1,NQ)	東芝	S1(DigiKey)	1個以上￥364.29 /個	1個以上￥400.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	U-MOSIV	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	8A（Ta）	6V、10V	54ミリオーム @ 4A、10V	3V @ 1mA	10 nC @ 10 V	±20V	400 pF @ 10 V	-	25W（Tc）	175°C（TJ）	-	-	面実装	DPAK+	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
	UPA2736GR-E1-AX	ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)	S1(DigiKey)	1個以上￥412.86 /個	1個以上￥454.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30 V	14A（Ta）	4.5V、10V	7ミリオーム @ 14A、10V	-	80 nC @ 10 V	±20V	3400 pF @ 10 V	-	2.5W（Ta）	150°C	-	-	面実装	8-SOP	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）
	STN1NK60ZL	STマイクロエレクトロニクス	S1(DigiKey)	1個以上￥197.15 /個	1個以上￥216.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	SuperMESH™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	600 V	300mA（Tc）	10V	15オーム @ 400mA、10V	4.5V @ 50µA	6.9 nC @ 10 V	±30V	94 pF @ 25 V	-	3.3W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-223	TO-261-4、TO-261AA
	IRLZ44NPBF	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥278.58 /個	1個以上￥306.43 /個	★	確認する		確認する	チューブ	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	55 V	47A（Tc）	4V、10V	22ミリオーム @ 25A、10V	2V @ 250µA	48 nC @ 5 V	±16V	1700 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta）、110W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220AB	TO-220-3
	TP65H070G4PS	Transphorm	S1(DigiKey)	1個以上￥1,754.77 /個	1個以上￥1,930.24 /個	★	確認する		確認する	チューブ	SuperGaN®	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	29A（Tc）	10V	85ミリオーム @ 18A、10V	4.7V @ 700µA	9 nC @ 10 V	±20V	638 pF @ 400 V	-	96W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220AB	TO-220-3
	IRLB8743PBF	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥128.58 /個	1個以上￥141.43 /個	★	確認する		確認する	チューブ	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30 V	78A（Tc）	4.5V、10V	3.2ミリオーム @ 40A、10V	2.35V @ 100µA	54 nC @ 4.5 V	±20V	5110 pF @ 15 V	-	140W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220AB	TO-220-3
	IPA80R1K2P7XKSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	CoolMOS™ P7	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	800 V	4.5A（Tc）	10V	1.2オーム @ 1.7A、10V	3.5V @ 80µA	11 nC @ 10 V	±20V	300 pF @ 500 V	-	25W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	PG-TO220-3-FP	TO-220-3フルパッッケージ
	IPD90P03P4L04ATMA2	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥528.58 /個	1個以上￥581.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™ P2	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30 V	90A（Tc）	-	4.1ミリオーム @ 90A、10V	2V @ 253µA	160 nC @ 10 V	+5V、-16V	11300 pF @ 25 V	-	137W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-TO252-3-11	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
	SSM3K123TU,LF	東芝	S1(DigiKey)	1個以上￥102.86 /個	1個以上￥113.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	U-MOSIII	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	20 V	4.2A（Ta）	1.5V、4V	28ミリオーム @ 3A、4V	1V @ 1mA	13.6 nC @ 4 V	±10V	1010 pF @ 10 V	-	500mW（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	UFM	3-SMD、フラットリード
	NVD5C688NLT4G	UMW	S1(DigiKey)	1個以上￥222.86 /個	1個以上￥245.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	PJE8402_R1_00001	PANJIT	S1(DigiKey)	1個以上￥91.43 /個	1個以上￥100.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	20 V	700mA（Ta）	1.8V、4.5V	150ミリオーム @ 700mA、4、5V	1V @ 250µA	1.6 nC @ 4.5 V	±8V	92 pF @ 10 V	-	300mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-523	SOT-523
	STL130N6F7	STマイクロエレクトロニクス	S1(DigiKey)	1個以上￥370.00 /個	1個以上￥407.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	STripFET™ F7	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	130A（Tc）	10V	3.5ミリオーム @ 13A、10V	4V @ 250µA	42 nC @ 10 V	±20V	2600 pF @ 25 V	-	4.8W（Ta）、125W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PowerFlat™（5x6）	8-PowerVDFN
	IRF9540STRLPBF	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥559.73 /個	1個以上￥615.70 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	19A（Tc）	10V	200ミリオーム @ 11A、10V	4V @ 250µA	61 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 25 V	-	3.7W（Ta）、150W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	TO-263（D2PAK）	TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
	IGB070S10S1XTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥658.34 /個	1個以上￥724.17 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	CoolGaN™	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	100 V	21A（Ta）、76A（Tc）	5V	3.3ミリオーム @ 20A、5V	2.9V @ 8mA	14 nC @ 5 V	±6.5V	1400 pF @ 50 V	-	3.3W（Ta）、45W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PG-TSON-4-2	4-PowerTDFN
	IRFP450PBF	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥793.06 /個	1個以上￥872.36 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	500 V	14A（Tc）	10V	400ミリオーム @ 8.4A、10V	4V @ 250µA	150 nC @ 10 V	±20V	2600 pF @ 25 V	-	190W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-247AC	TO-247-3
	TK4R1A10PL,S4X	東芝	S1(DigiKey)	1個以上￥584.73 /個	1個以上￥643.20 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	80A（Tc）	4.5V、10V	4.1ミリオーム @ 40A、10V	2.5V @ 1mA	104 nC @ 10 V	±20V	6320 pF @ 50 V	-	54W（Tc）	175°C	-	-	スルーホール	TO-220SIS	TO-220-3フルパッッケージ
	IRLML2502TRPBF	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥94.29 /個	1個以上￥103.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	20 V	4.2A（Ta）	2.5V、4.5V	45ミリオーム @ 4.2A、4.5V	1.2V @ 250µA	12 nC @ 5 V	±12V	740 pF @ 15 V	-	1.25W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	Micro3™/SOT-23	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
	IRFML8244TRPBF	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥77.15 /個	1個以上￥84.86 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	25 V	5.8A（Ta）	4.5V、10V	24ミリオーム @ 5.8A、10V	2.35V @ 10µA	5.4 nC @ 10 V	±20V	430 pF @ 10 V	-	1.25W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
	2N7002	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	1個以上￥104.29 /個	1個以上￥114.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	115mA（Ta）	5V、10V	7.5オーム @ 500mA、10V	2.5V @ 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	200mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-3	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
	FQP27P06	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	1個以上￥567.15 /個	1個以上￥623.86 /個	★	確認する		確認する	チューブ	QFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	27A（Tc）	10V	70ミリオーム @ 13.5A、10V	4V @ 250µA	43 nC @ 10 V	±25V	1400 pF @ 25 V	-	120W（Tc）	-55°C～155°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220-3	TO-220-3
	AOSS21115C	Alpha & Omega Semiconductor Inc	S1(DigiKey)	1個以上￥102.86 /個	1個以上￥113.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	20 V	4.5A（Ta）	1.8V、4.5V	40ミリオーム @ 4.5A、4.5V	950mV @ 250µA	17 nC @ 4.5 V	±8V	930 pF @ 10 V	-	1.3W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-3	3-SMD、SOT-23-3可変
	IRLB3813PBF	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥342.86 /個	1個以上￥377.14 /個	★	確認する		確認する	チューブ	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30 V	260A（Tc）	4.5V、10V	1.95ミリオーム @ 60A、10V	2.35V @ 150µA	86 nC @ 4.5 V	±20V	8420 pF @ 15 V	-	230W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220AB	TO-220-3
	2SK3019TL	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥68.58 /個	1個以上￥75.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30 V	100mA（Ta）	2.5V、4V	8オーム @ 10mA、4V	1.5V @ 100µA	-	±20V	13 pF @ 5 V	-	150mW（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	EMT3	SC-75、SOT-416
	AOSS32136C	Alpha & Omega Semiconductor Inc	S1(DigiKey)	1個以上￥100.00 /個	1個以上￥110.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	20 V	6.5A（Ta）	2.5V、4.5V	20ミリオーム @ 6.5A、4.5V	1.25V @ 250µA	14 nC @ 4.5 V	±12V	660 pF @ 10 V	-	1.3W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-3	3-SMD、SOT-23-3可変
	IRLML6402TRPBF	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥85.72 /個	1個以上￥94.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	20 V	3.7A（Ta）	2.5V、4.5V	65ミリオーム @ 3.7A、4.5V	1.2V @ 250µA	12 nC @ 5 V	±12V	633 pF @ 10 V	-	1.3W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	Micro3™/SOT-23	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
	DMN3404L-7	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	1個以上￥68.58 /個	1個以上￥75.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30 V	5.8A（Ta）	3V、10V	28ミリオーム @ 5.8A、10V	2V @ 250µA	9.2 nC @ 10 V	±20V	386 pF @ 15 V	-	720mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-3	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
	ZVP2106A	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	1個以上￥192.86 /個	1個以上￥212.14 /個	★	確認する		確認する	バルク	-	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	280mA（Ta）	10V	5オーム @ 500mA、10V	3.5V @ 1mA	-	±20V	100 pF @ 18 V	-	700mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-92	TO-226-3、TO-92-3標準本体（TO-226AA）
	SI2333-TP	MCC (Micro Commercial Components)	S1(DigiKey)	1個以上￥90.00 /個	1個以上￥99.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	12 V	6A（Tc）	4.5V	15ミリオーム @ 500mA、1.5V	1V @ 250µA	2 nC @ 4.5 V	±8V	1275 pF @ 6 V	-	350mW（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
	IRFZ24NPBF	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥138.58 /個	1個以上￥152.43 /個	★	確認する		確認する	チューブ	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	55 V	17A（Tc）	10V	70ミリオーム @ 10A、10V	4V @ 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	370 pF @ 25 V	-	45W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220AB	TO-220-3
	DN2540N3-G	Microchip	S1(DigiKey)	1個以上￥207.15 /個	1個以上￥227.86 /個	★	確認する		確認する	バッグ	-	Nチャンネル、デプレッションモード	MOSFET（金属酸化物）	400 V	120mA（Tj）	0V	25オーム @ 120mA、0V	-	-	±20V	300 pF @ 25 V	-	1W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-92（TO-226）	TO-226-3、TO-92-3標準本体（TO-226AA）
	IRFP3206PBF	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥722.23 /個	1個以上￥794.45 /個	★	確認する		確認する	チューブ	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	120A（Tc）	10V	3ミリオーム @ 75A、10V	4V @ 150µA	170 nC @ 10 V	±20V	6540 pF @ 50 V	-	280W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-247AC	TO-247-3
	BSS816NWH6327XTSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥48.58 /個	1個以上￥53.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	20 V	1.4A（Ta）	1.8V、2.5V	160ミリオーム @ 1.4A、2.5V	750mV @ 3.7µA	0.6 nC @ 2.5 V	±8V	180 pF @ 10 V	-	500mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-SOT323	SC-70、SOT-323
	SSM3J356R,LXHF	東芝	S1(DigiKey)	1個以上￥110.00 /個	1個以上￥121.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	U-MOSVI	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	2A（Ta）	4V、10V	300ミリオーム @ 1A、10V	2V @ 1mA	8.3 nC @ 10 V	+10V、-20V	330 pF @ 10 V	-	1W（Ta）	150°C	自動車	AEC-Q101	面実装	SOT-23F	SOT-23-3フラットリード
	IRFB4227PBF	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥634.73 /個	1個以上￥698.20 /個	★	確認する		確認する	チューブ	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	200 V	65A（Tc）	10V	24ミリオーム @ 46A、10V	5V @ 250µA	98 nC @ 10 V	±30V	4600 pF @ 25 V	-	330W（Tc）	-40°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220AB	TO-220-3
	IRFR3910TRPBF	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥190.00 /個	1個以上￥209.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	16A（Tc）	10V	115ミリオーム @ 10A、10V	4V @ 250µA	44 nC @ 10 V	±20V	640 pF @ 25 V	-	79W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
	2N7002KA-TP	MCC (Micro Commercial Components)	S1(DigiKey)	1個以上￥42.86 /個	1個以上￥47.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	340mA（Tj）	4.5V、10V	5オーム @ 500mA、10V	2.5V @ 250µA	-	±20V	40 pF @ 10 V	-	350mW	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
	IRLU3410PBF	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥287.15 /個	1個以上￥315.86 /個	★	確認する		確認する	チューブ	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	17A（Tc）	4V、10V	105ミリオーム @ 10A、10V	2V @ 250µA	34 nC @ 5 V	±16V	800 pF @ 25 V	-	79W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	IPAK（TO-251AA）	TO-251-3短いリード、IPAK、TO-251AA
	2N7002	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	1個以上￥104.29 /個	1個以上￥114.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	115mA（Ta）	5V、10V	7.5オーム @ 500mA、10V	2.5V @ 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	200mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-3	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
	IAUMN10S5N016GAUMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥938.89 /個	1個以上￥1,032.77 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ 5	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	220A（Tj）	6V、10V	1.6ミリオーム @ 100A、10V	3.8V @ 230µA	190 nC @ 10 V	±20V	13570 pF @ 50 V	-	325W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-HSOG-4-1	4-PowerSFN
	ISS17EP06LMXTSA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥70.00 /個	1個以上￥77.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	300mA（Ta）	4.5V、10V	1.7オーム @ 300mA、10V	2V @ 34µA	1.79 nC @ 10 V	±20V	55 pF @ 30 V	-	360mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PG-SOT23	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
	SQM120P10_10M1LGE3	VISHAY	S1(DigiKey)	1個以上￥979.46 /個	1個以上￥1,077.40 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	TrenchFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	120A（Tc）	4.5V、10V	10.1ミリオーム @ 30A、 10V	2.5V @ 250µA	190 nC @ 10 V	±20V	9000 pF @ 25 V	-	375W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	TO-263（D2PAK）	TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
	ISC240P06LMATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥601.39 /個	1個以上￥661.52 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	59A（Tc）	4.5V、10V	24ミリオーム @ 40A、10V	2V @ 2.34A	136 nC @ 10 V	±20V	4400 pF @ 30 V	-	188W（Ta）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	面実装	PG-TDSON-8 FL	8-PowerTDFN
	XP232P0501TR-G	Torex Semiconductor Ltd	S1(DigiKey)	1個以上￥60.00 /個	1個以上￥66.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30 V	450mA（Ta）	2.5V、4.5V	1.25オーム @ 200mA、4.5V	1.1V @ 250µA	-	±8V	56 pF @ 10 V	-	400mW（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
	BSH103BKR	NEXPERIA	S1(DigiKey)	1個以上￥72.86 /個	1個以上￥80.14 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchMOS™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30 V	1A（Ta）	1.8V、4.5V	270ミリオーム @ 1A、4.5V	1.25V @ 250µA	1.2 nC @ 4.5 V	±12V	79.3 pF @ 15 V	-	330mW（Ta）、2.1W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	TO-236AB	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
	IRLML2060TRPBF	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥91.43 /個	1個以上￥100.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	1.2A（Ta）	4.5V、10V	480ミリオーム @ 1.2A、10V	2.5V @ 25µA	0.67 nC @ 4.5 V	±16V	64 pF @ 25 V	-	1.25W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	Micro3™/SOT-23	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
	DMN31D5L-13	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	1個以上￥52.86 /個	1個以上￥58.14 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30 V	500mA（Ta）	2.5V、4V	1.5オーム @ 10mA、4V	1.6V @ 250µA	1.2 nC @ 10 V	±20V	50 pF @ 15 V	-	350mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-23-3	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
	GSFU60R360	Good-Ark Semiconductor	S1(DigiKey)	1個以上￥382.86 /個	1個以上￥421.14 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	600 V	11A（Tc）	10V	360ミリオーム @ 5.5A、10V	4V @ 250µA	30 nC @ 10 V	±30V	925 pF @ 100 V	-	40W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220F	TO-220-3フルパッッケージ
	IPT60R125G7XTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥854.17 /個	1個以上￥939.58 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	CoolMOS™ G7	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	600 V	20A（Tc）	10V	125ミリオーム @ 6.4A、10V	4V @ 320µA	27 nC @ 10 V	±20V	1080 pF @ 400 V	-	120W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PG-HSOF-8-2	8-PowerSFN
	FDPF33N25T	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	1個以上￥566.67 /個	1個以上￥623.33 /個	★	確認する		確認する	チューブ	UniFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	250 V	33A（Tc）	10V	94ミリオーム @ 16.5A、10V	5V @ 250µA	48 nC @ 10 V	±30V	2135 pF @ 25 V	-	37W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220F-3	TO-220-3フルパッッケージ
	FDB33N25TM	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	800個以上￥154.55 /個	800個以上￥170.00 /個	★	確認する	800 個	確認する	テープ＆リール（TR）	UniFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	250 V	33A（Tc）	10V	94ミリオーム @ 16.5A、10V	5V @ 250µA	48 nC @ 10 V	±30V	2135 pF @ 25 V	-	235W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	TO-263（D2PAK）	TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
	IAUC60N06S5L073ATMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥325.72 /個	1個以上￥358.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	OptiMOS™ 5	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	60A（Tj）	4.5V、10V	7.3ミリオーム @ 30A、10V	2.2V @ 19µA	22.6 nC @ 10 V	±16V	1655 pF @ 30 V	-	52W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-TDSON-8-33	8-PowerTDFN
	TK6P53D(T6RSS-Q)	東芝	S1(DigiKey)	1個以上￥494.29 /個	1個以上￥543.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	π-MOSVII	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	525 V	6A（Ta）	10V	1.3オーム @ 3A、10V	4.4V @ 1mA	12 nC @ 10 V	±30V	600 pF @ 25 V	-	100W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	面実装	DPAK	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
	IPT60R055CFD7XTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥1,341.03 /個	1個以上￥1,475.13 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	CoolMOS™ CFD7	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	600 V	44A（Tc）	10V	55ミリオーム @ 15.1A、10V	4.5V @ 760µA	67 nC @ 10 V	±20V	2721 pF @ 400 V	-	236W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PG-HSOF-8-2	8-PowerSFN
	IPLU300N04S4R8XTMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥1,167.13 /個	1個以上￥1,283.84 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	OptiMOS™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40 V	300A（Tc）	10V	0.77ミリオーム @ 100A、10V	4V @ 230µA	287 nC @ 10 V	±20V	22945 pF @ 25 V	-	429W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	PG-HSOF-8-1	8-PowerSFN
	GSJH60R360	Good-Ark Semiconductor	S1(DigiKey)	1個以上￥407.15 /個	1個以上￥447.86 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	600 V	11A（Tc）	10V	360ミリオーム @ 5.5A、10V	4V @ 250µA	30 nC @ 10 V	±30V	925 pF @ 100 V	-	89W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220-3	TO-220-3
	TK6P53D(T6RSS-Q)	東芝	S1(DigiKey)	1個以上￥494.29 /個	1個以上￥543.71 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	π-MOSVII	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	525 V	6A（Ta）	10V	1.3オーム @ 3A、10V	4.4V @ 1mA	12 nC @ 10 V	±30V	600 pF @ 25 V	-	100W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	面実装	DPAK	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
	LND150N3-G-P002	Microchip	S1(DigiKey)	1個以上￥145.72 /個	1個以上￥160.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Nチャンネル、デプレッションモード	MOSFET（金属酸化物）	500 V	30mA（Tj）	0V	1000オーム @ 500µA、0V	-	-	±20V	10 pF @ 25 V	-	740mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-92-3	TO-226-3、TO-92-3標準本体（TO-226AA）
	AG096FPD3HRBTL	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥507.15 /個	1個以上￥557.86 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	59A（Tc）	4.5V、10V	15.8ミリオーム @ 59A、10V	2.5V @ 2.9mA	17.3 nC @ 10 V	±20V	1110 pF @ 50 V	-	76W（Tc）	175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	TO-252	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
	DMN3010LSS-13	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	1個以上￥190.00 /個	1個以上￥209.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30 V	16A（Ta）	4.5V、10V	9ミリオーム @ 16A、10V	2V @ 250µA	43.7 nC @ 10 V	±20V	2096 pF @ 15 V	-	2.5W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	8-SOP	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）
	RQ5P010SNTL	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥108.58 /個	1個以上￥119.43 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	1A（Ta）	4V、10V	520ミリオーム @ 1A、10V	2.5V @ 1mA	3.5 nC @ 5 V	±20V	140 pF @ 25 V	-	700mW（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	TSMT3	SC-96
	BUK6E3R2-55C,127	NEXPERIA	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	チューブ	TrenchMOS™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	55 V	120A（Tc）	10V	3.2ミリオーム @ 25A、10V	2.8V @ 1mA	258 nC @ 10 V	±16V	15300 pF @ 25 V	-	306W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	スルーホール	I2PAK	TO-262-3長リード、I2PAK、TO-262AA
	BS250P	Diodes Incorporated	S1(DigiKey)	1個以上￥250.00 /個	1個以上￥275.00 /個	★	確認する		確認する	バルク	-	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	45 V	230mA（Ta）	10V	14オーム @ 200mA、10V	3.5V @ 1mA	-	±20V	60 pF @ 10 V	-	700mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-92	TO-226-3、TO-92-3標準本体（TO-226AA）
	TK6P53D(T6RSS-Q)	東芝	S1(DigiKey)	2000個以上￥106.20 /個	2000個以上￥116.82 /個	★	確認する	2,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	π-MOSVII	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	525 V	6A（Ta）	10V	1.3オーム @ 3A、10V	4.4V @ 1mA	12 nC @ 10 V	±30V	600 pF @ 25 V	-	100W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	面実装	DPAK	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
	NX5020UNBKR	NEXPERIA	S1(DigiKey)	3000個以上￥5.20 /個	3000個以上￥5.72 /個	★	確認する	3,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	50 V	330mA（Ta）、680mA（Tc）	1.5V、10V	1.8オーム @ 330mA、10V	950mV @ 250µA	1 nC @ 10 V	±20V	20.5 pF @ 25 V	-	310mW （Ta）、1.7W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	TO-236AB	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
	NX5020UNBKR	NEXPERIA	S1(DigiKey)	1個以上￥31.43 /個	1個以上￥34.57 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	50 V	330mA（Ta）、680mA（Tc）	1.5V、10V	1.8オーム @ 330mA、10V	950mV @ 250µA	1 nC @ 10 V	±20V	20.5 pF @ 25 V	-	310mW （Ta）、1.7W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	TO-236AB	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
	VP2106N3-G	Microchip	S1(DigiKey)	1個以上￥137.15 /個	1個以上￥150.86 /個	★	確認する		確認する	バッグ	-	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	250mA（Tj）	5V、10V	12オーム @ 500mA、10V	3.5V @ 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	1W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-92-3	TO-226-3、TO-92-3標準本体（TO-226AA）
	PMV280ENEAR	NEXPERIA	S1(DigiKey)	1個以上￥81.43 /個	1個以上￥89.57 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	TrenchMOS™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	1.1A（Ta）	4.5V、10V	385ミリオーム @ 1.1A、10V	2.7V @ 250µA	6.8 nC @ 10 V	±20V	190 pF @ 50 V	-	700mW (Ta), 6W (Tc)	-55°C～175°C（TJ）	自動車	AEC-Q101	面実装	TO-236AB	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
	IRF540ZPBF	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥228.58 /個	1個以上￥251.43 /個	★	確認する		確認する	チューブ	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	36A（Tc）	10V	26.5ミリオーム @ 22A、10V	4V @ 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1770 pF @ 25 V	-	92W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220AB	TO-220-3
	BSS110	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	2000個以上￥17.49 /個	2000個以上￥19.23 /個	★	確認する	2,000 個	確認する	バルク	-	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	50 V	170mA（Ta）	-	10オーム @ 170mA、10V	2V @ 1mA	-	-	40 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	スルーホール	TO-92-3	TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形リード
	VP0104N3-G	Microchip	S1(DigiKey)	1個以上￥218.58 /個	1個以上￥240.43 /個	★	確認する		確認する	バッグ	-	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40 V	250mA（Tj）	5V、10V	8オーム @ 500mA、10V	3.5V @ 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	1W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-92-3	TO-226-3、TO-92-3標準本体（TO-226AA）
	TP2104N3-G	Microchip	S1(DigiKey)	1個以上￥167.15 /個	1個以上￥183.86 /個	★	確認する		確認する	バッグ	-	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40 V	175mA（Tj）	4.5V、10V	6オーム @ 500mA、10V	2V @ 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	740mW（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-92-3	TO-226-3、TO-92-3標準本体（TO-226AA）
	TK080U60Z1,RQ	東芝	S1(DigiKey)	1個以上￥1,039.73 /個	1個以上￥1,143.70 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	DTMOSVI	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	600 V	30A（Ta）	10V	80ミリオーム @ 10.3A、10V	4V @ 1.17mA	43 nC @ 10 V	±30V	2510 pF @ 300 V	-	211W（Tc）	150°C	-	-	面実装	TOLL	8-PowerSFN
	IRF530	STマイクロエレクトロニクス	S1(DigiKey)	4000個以上￥53.16 /個	4000個以上￥58.47 /個	★	確認する	4,000 個	確認する	チューブ	STripFET™ II	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	14A（Tc）	10V	160ミリオーム @ 7A、10V	4V @ 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	458 pF @ 25 V	-	60W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220	TO-220-3
	2SK2463T100	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥258.58 /個	1個以上￥284.43 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	2A（Ta）	4V、10V	380ミリオーム @ 1A、10V	2.5V @ 1mA	-	±20V	200 pF @ 10 V	-	500mW（Ta）	150°C（TJ）	-	-	面実装	MPT3	TO-243AA
	2SK1516-E	ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)	S1(DigiKey)	325個以上￥1,852.26 /個	325個以上￥2,037.48 /個	★	確認する	325 個	確認する	トレイ	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	500 V	10A（Ta）	10V	900ミリオーム @ 5A、10V	3V @ 1mA	-	±30V	1100 pF @ 10 V	-	100W（Tc）	150°C	-	-	スルーホール	TO-3P	TO-3P-3、SC-65-3
	IGLT65R025D2AUMA1	インフィニオン	S1(DigiKey)	1個以上￥2,272.95 /個	1個以上￥2,500.24 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	CoolGaN™	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V	67A（Tc）	-	-	1.6V @ 6.1mA	11 nC @ 3 V	-10V	780 pF @ 400 V	-	219W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	PG-HDSOP-16-8	16-PowerSOPモジュール
	SSM6K819R,LXHF	東芝	S1(DigiKey)	1個以上￥335.72 /個	1個以上￥369.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	10A（Ta）	4.5V、10V	25.8ミリオーム @ 4A、10V	2.5V @ 100µA	8.5 nC @ 4.5 V	±20V	1110 pF @ 15 V	-	1.5W（Ta）	175°C	自動車	AEC-Q101	面実装	6-TSOP-F	6-SMD、フラットリード
	FQP30N06	オンセミコンダクター	S1(DigiKey)	1個以上￥442.86 /個	1個以上￥487.14 /個	★	確認する		確認する	チューブ	QFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	30A（Tc）	10V	40ミリオーム @ 15A、10V	4V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±25V	945 pF @ 25 V	-	79W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220-3	TO-220-3
	AO6402A	Alpha & Omega Semiconductor Inc	S1(DigiKey)	1個以上￥150.00 /個	1個以上￥165.00 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30 V	7.5A（Ta）	4.5V、10V	27ミリオーム @ 7A、10V	2.5V @ 250µA	17 nC @ 10 V	±20V	820 pF @ 15 V	-	2W（Ta）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	6-TSOP	SC-74、SOT-457
	PSMQC040N08NS2_R2_00201	PANJIT	S1(DigiKey)			★	確認する		売り切れ	カットテープ（CT）	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	R6004END3TL1	ROHM	S1(DigiKey)	1個以上￥330.00 /個	1個以上￥363.00 /個	★	確認する		確認する	Digi-Reel®	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	600 V	4A（Tc）	10V	980ミリオーム @ 1.5A、10V	4V @ 1mA	15 nC @ 10 V	±20V	250 pF @ 25 V	-	59W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	面実装	TO-252	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
	S1M1000170D	SMC Diode Solutions	S1(DigiKey)	1個以上￥951.39 /個	1個以上￥1,046.52 /個	★	確認する		確認する	チューブ	-	Nチャンネル	SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）	1700 V	5.2A（Tc）	20V	1.3オーム @ 2A、20V	4V @ 500µA	10 nC @ 20 V	+25V、-10V	160 pF @ 1000 V	-	81W（Tc）	-55°C～175°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-247AD	TO-247-3
	SSM6K819R,LF	東芝	S1(DigiKey)	1個以上￥235.72 /個	1個以上￥259.29 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	10A（Ta）	4.5V、10V	25.8ミリオーム @ 4A、10V	2.5V @ 100µA	8.5 nC @ 4.5 V	±20V	1110 pF @ 15 V	-	1.5W（Ta）	175°C	自動車	AEC-Q101	面実装	6-TSOP-F	6-SMD、フラットリード
	TK090U65Z,RQ	東芝	S1(DigiKey)	2000個以上￥490.03 /個	2000個以上￥539.03 /個	★	確認する	2,000 個	確認する	テープ＆リール（TR）	DTMOSVI	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	650 V	30A（Ta）	10V	90ミリオーム @ 15A、10V	4V @ 1.27mA	47 nC @ 10 V	±30V	2780 pF @ 300 V	-	230W（Tc）	150°C	-	-	面実装	TOLL	8-PowerSFN
	TN2425N8-G	Microchip	S1(DigiKey)	1個以上￥364.29 /個	1個以上￥400.71 /個	★	確認する		確認する	カットテープ（CT）	-	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	250 V	480mA（Tj）	3V、10V	3.5オーム @ 500mA、10V	2.5V @ 1mA	-	±20V	200 pF @ 25 V	-	1.6W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	面実装	SOT-89-3	TO-243AA
	STP6NK60ZFP	STマイクロエレクトロニクス	S1(DigiKey)	1個以上￥455.72 /個	1個以上￥501.29 /個	★	確認する		確認する	チューブ	SuperMESH™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	600 V	6A（Tc）	10V	1.2オーム @ 3A、10V	4.5V @ 100µA	46 nC @ 10 V	±30V	905 pF @ 25 V	-	30W（Tc）	-55°C～150°C（TJ）	-	-	スルーホール	TO-220FP	TO-220-3フルパッッケージ
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1

【IMW120R350M1HXKSA1】SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3

インフィニオン

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商品説明

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolSiC™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiCFET（炭化ケイ素）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.7A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、18V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：455ミリオーム @ 2A、18V

￥1,189.05 税込￥1,307.95
2

【RQ5E030AJTCL】MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3 [digi-reel品]

ROHM

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商品説明

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時のV

￥112.86 税込￥124.14
3

【RQ5E030AJTCL】MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3

ROHM

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最小3,000個から購入可能

商品説明

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時の

￥26.70 税込￥29.37
4

【DMP45H4D9HK3-13】MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：450 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.7A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.9オーム @ 1.05A、10V・Id印

￥245.72 税込￥270.29
5

【TK33S10N1Z,LXHQ】MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：U-MOSVIII-H・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：33A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.7ミリオーム @ 16

￥314.29 税込￥345.71
6

【TJ15S06M3L(T6L1,NQ】MOSFET P-CH 60V 15A DPAK [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：U-MOSVI・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：50ミリオーム @ 7.5A、1

￥400.00 税込￥440.00
7

【CSD15571Q2】MOSFET N-CH 20V 22A 6SON

TEXAS INSTRUMENTS

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：NexFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：22A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：15ミリオーム @ 5A、

￥150.00 税込￥165.00
8

【IRFI840GPBF】MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：850ミリオーム @ 2.8A、10V・Id印加時のVgs

￥450.00 税込￥495.00
9

【FDS2582】MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：PowerTrench®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：150 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.1A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：66ミリオーム

￥364.29 税込￥400.71
10

【SUP60020E-GE3】MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB

VISHAY

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商品説明

【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：TrenchFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：80 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：150A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：7.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.4ミリオーム @ 30A、1

￥812.50 税込￥893.75
11

【STFW3N150】MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOWATT

STマイクロエレクトロニクス

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：PowerMESH™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9オーム @ 1.3A、10V・Id印

￥804.17 税込￥884.58
12

【NTR4171PT1G】MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2.2A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：75ミリオーム @ 2.2A、10V

￥120.00 税込￥132.00
13

【AON6414A】MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8DFN

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：13A（Ta）、30A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8ミリオーム @ 20

￥154.29 税込￥169.71
14

【IRF510PBF-BE3】MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：540ミリオーム @ 3.4A、10V・Id印加時のVgs（t

￥207.15 税込￥227.86
15

【TK8S06K3L(T6L1,NQ)】MOSFET N-CH 60V 8A DPAK

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：U-MOSIV・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：8A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：54ミリオーム @ 4A、10V

￥364.29 税込￥400.71
16

【UPA2736GR-E1-AX】MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP

ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：14A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7ミリオーム @ 14A、10V・Id

￥412.86 税込￥454.14
17

【STN1NK60ZL】MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223

STマイクロエレクトロニクス

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：SuperMESH™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：15オーム @ 400m

￥197.15 税込￥216.86
18

【IRLZ44NPBF】MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：47A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 25A、10V・Id印加

￥278.58 税込￥306.43
19

【TP65H070G4PS】GANFET N-CH 650V 29A TO220

Transphorm

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperGaN®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：29A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：85ミリオーム @ 18A、10V・Id印

￥1,754.77 税込￥1,930.24
20

【IRLB8743PBF】MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：78A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.2ミリオーム @ 40A、10V・I

￥128.58 税込￥141.43
21

【IPA80R1K2P7XKSA1】MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：CoolMOS™ P7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：800 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.2オーム @ 1.7A、10V・I
22

【IPD90P03P4L04ATMA2】MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™ P2・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：90A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.1ミリオーム @ 90A、10

￥528.58 税込￥581.43
23

【SSM3K123TU,LF】MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：U-MOSIII・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.2A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.5V、4V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 3A

￥102.86 税込￥113.14
24

【NVD5C688NLT4G】MOSFET N-CH 60V 17A DPAK

UMW

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：*・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）

￥222.86 税込￥245.14
25

【PJE8402_R1_00001】20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

PANJIT

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：700mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：150ミリオーム @ 700mA

￥91.43 税込￥100.57
26

【STL130N6F7】MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT

STマイクロエレクトロニクス

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：STripFET™ F7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：130A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.5ミリオーム @ 1

￥370.00 税込￥407.00
27

【IRF9540STRLPBF】MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：19A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：200ミリオーム @ 11A、10V・Id印加

￥559.73 税込￥615.70
28

【IGB070S10S1XTMA1】MV GAN DISCRETES

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：CoolGaN™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：21A（Ta）、76A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.3ミリオーム

￥658.34 税込￥724.17
29

【IRFP450PBF】MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：14A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：400ミリオーム @ 8.4A、10V・Id印加時のVgs（

￥793.06 税込￥872.36
30

【TK4R1A10PL,S4X】X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

東芝

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：80A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：4.1ミリオーム @ 40A、10V・Id印加時の

￥584.73 税込￥643.20
31

【IRLML2502TRPBF】MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.2A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：45ミリオーム @ 4

￥94.29 税込￥103.71
32

【IRFML8244TRPBF】MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：25 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.8A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：24ミリオーム @ 5.

￥77.15 税込￥84.86
33

【2N7002】MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・

￥104.29 税込￥114.71
34

【FQP27P06】MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：QFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：27A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 13.5A、10V・Id印加時のV

￥567.15 税込￥623.86
35

【AOSS21115C】MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23-3

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40ミリオーム @ 4.5A、4.

￥102.86 税込￥113.14
36

【IRLB3813PBF】MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：260A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.95ミリオーム @ 60A、10V

￥342.86 税込￥377.14
37

【2SK3019TL】MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：100mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8オーム @ 10mA、4V・Id印

￥68.58 税込￥75.43
38

【AOSS32136C】MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：20ミリオーム @ 6.5A、4.

￥100.00 税込￥110.00
39

【IRLML6402TRPBF】MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.7A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @ 3

￥85.72 税込￥94.29
40

【DMN3404L-7】MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.8A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：3V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 5.8A、10V・I

￥68.58 税込￥75.43
41

【ZVP2106A】MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：280mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）

￥192.86 税込￥212.14
42

【SI2333-TP】MOSFET P-CH 12V 6A SOT23

MCC (Micro Commercial Components)

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：15ミリオーム @ 500mA、1.5V・Id印

￥90.00 税込￥99.00
43

【IRFZ24NPBF】MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のV

￥138.58 税込￥152.43
44

【DN2540N3-G】MOSFET N-CH 400V 120MA TO92

Microchip

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【仕様】・パッケージ：バッグ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル、デプレッションモード・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：400 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：120mA（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：0V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25オーム @ 120mA、0V・Id

￥207.15 税込￥227.86
45

【IRFP3206PBF】MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：120A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3ミリオーム @ 75A、10V・Id印加時のV

￥722.23 税込￥794.45
46

【BSS816NWH6327XTSA1】NチャンネルMOSFET(20V/1.4A)

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.4A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、2.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：160ミリオーム @

￥48.58 税込￥53.43
47

【SSM3J356R,LXHF】AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：U-MOSVI・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：300ミリオーム @ 1A、10

￥110.00 税込￥121.00
48

【IRFB4227PBF】MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：65A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：24ミリオーム @ 46A、10V・Id印加時の

￥634.73 税込￥698.20
49

【IRFR3910TRPBF】MOSFET N-CH 100V 16A DPAK

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：115ミリオーム @ 10A、10

￥190.00 税込￥209.00
50

【2N7002KA-TP】MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23

MCC (Micro Commercial Components)

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：340mA（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 500mA、10V・

￥42.86 税込￥47.14
51

【IRLU3410PBF】MOSFET N-CH 100V 17A IPAK

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：105ミリオーム @ 10A、10V・Id

￥287.15 税込￥315.86
52

【2N7002】MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C [digi-reel品]

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・I

￥104.29 税込￥114.71
53

【IAUMN10S5N016GAUMA1】MOSFET_(75V 120V(

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：220A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6ミリオーム @

￥938.89 税込￥1,032.77
54

【ISS17EP06LMXTSA1】MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.7オーム @ 30

￥70.00 税込￥77.00
55

【SQM120P10_10M1LGE3】MOSFET P-CH 100V 120A TO263 [digi-reel品]

VISHAY

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：TrenchFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：120A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10.1ミリオーム

￥979.46 税込￥1,077.40
56

【ISC240P06LMATMA1】MOSFET P-CH 60V 59A TDSON-8 FL

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：59A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：24ミリオーム @ 40

￥601.39 税込￥661.52
57

【XP232P0501TR-G】MOSFET P-CH 30V 450MA SOT23 [digi-reel品]

Torex Semiconductor Ltd

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：450mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.25オーム @ 200mA、4

￥60.00 税込￥66.00
58

【BSH103BKR】BSH103BK - 30 V, N-CHANNEL TRENC

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：270ミリオーム @

￥72.86 税込￥80.14
59

【IRLML2060TRPBF】MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.2A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：480ミリオーム @ 1.

￥91.43 税込￥100.57
60

【DMN31D5L-13】MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R [digi-reel品]

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：500mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @ 10mA、4V・Id

￥52.86 税込￥58.14
61

【GSFU60R360】MOSFET, N-CH, SINGLE, 11.00A, 60

Good-Ark Semiconductor

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：360ミリオーム @ 5.5A、10V・Id印加時のVgs（

￥382.86 税込￥421.14
62

【IPT60R125G7XTMA1】MOSFET N-CH 600V 20A 8HSOF

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：CoolMOS™ G7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：125ミリオーム @ 6.

￥854.17 税込￥939.58
63

【FDPF33N25T】MOSFET N-CH 250V 33A TO220F

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：UniFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：33A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：94ミリオーム @ 16.5A、10V・Id印加

￥566.67 税込￥623.33
64

【FDB33N25TM】MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK

オンセミコンダクター

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最小800個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：UniFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：33A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：94ミリオーム @ 16.5A、1

￥154.55 税込￥170.00
65

【IAUC60N06S5L073ATMA1】MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™ 5・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：60A（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.3ミリオーム @

￥325.72 税込￥358.29
66

【TK6P53D(T6RSS-Q)】MOSFET N-CH 525V 6A DPAK

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：π-MOSVII・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：525 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.3オーム @ 3A、10V・I

￥494.29 税込￥543.71
67

【IPT60R055CFD7XTMA1】MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：CoolMOS™ CFD7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：44A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：55ミリオーム @ 1

￥1,341.03 税込￥1,475.13
68

【IPLU300N04S4R8XTMA1】MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：0.77ミリオーム @ 100A、

￥1,167.13 税込￥1,283.84
69

【GSJH60R360】MOSFET, N-CH, SINGLE, 11.00A, 60

Good-Ark Semiconductor

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：360ミリオーム @ 5.5A、10V・Id印加時のVgs（

￥407.15 税込￥447.86
70

【TK6P53D(T6RSS-Q)】MOSFET N-CH 525V 6A DPAK [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：π-MOSVII・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：525 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.3オーム @ 3A、10V・Id

￥494.29 税込￥543.71
71

【LND150N3-G-P002】MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

Microchip

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル、デプレッションモード・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30mA（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：0V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1000オーム @ 50

￥145.72 税込￥160.29
72

【AG096FPD3HRBTL】NCH 100V 59A, TO-252 (DPAK), POW [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：59A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：15.8ミリオーム @ 59A、10V

￥507.15 税込￥557.86
73

【DMN3010LSS-13】MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：16A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9ミリオーム @ 16A、10V・Id

￥190.00 税込￥209.00
74

【RQ5P010SNTL】MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3

ROHM

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：520ミリオーム @ 1A、10V・Id印

￥108.58 税込￥119.43
75

【BUK6E3R2-55C,127】MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK

NEXPERIA

売り切れ

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：TrenchMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：120A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.2ミリオーム @ 25A、10V・Id
76

【BS250P】MOSFET P-CH 45V 230MA E-LINE

Diodes Incorporated

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：45 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：230mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14オーム @ 200mA、10V・Id印加時のVgs（th

￥250.00 税込￥275.00
77

【TK6P53D(T6RSS-Q)】MOSFET N-CH 525V 6A DPAK

東芝

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最小2,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：π-MOSVII・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：525 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.3オーム @ 3A、10V・I

￥106.20 税込￥116.82
78

【NX5020UNBKR】NX5020UNBK/SOT23/TO-236AB

NEXPERIA

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最小3,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：330mA（Ta）、680mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.8オーム

￥5.20 税込￥5.72
79

【NX5020UNBKR】NX5020UNBK/SOT23/TO-236AB [digi-reel品]

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：330mA（Ta）、680mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.8オーム @

￥31.43 税込￥34.57
80

【VP2106N3-G】MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3

Microchip

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【仕様】・パッケージ：バッグ・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250mA（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：12オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs

￥137.15 税込￥150.86
81

【PMV280ENEAR】MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB

NEXPERIA

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：TrenchMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.1A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：385ミリオーム

￥81.43 税込￥89.57
82

【IRF540ZPBF】MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB

インフィニオン

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：36A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：26.5ミリオーム @ 22A、10V・Id印加

￥228.58 税込￥251.43
83

【BSS110】MOSFET P-CH 50V 170MA TO92-3

オンセミコンダクター

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最小2,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：170mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10オーム @ 170mA、10V・Id印加時のVgs（th）（

￥17.49 税込￥19.23
84

【VP0104N3-G】MOSFET P-CH 40V 250MA TO92-3

Microchip

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【仕様】・パッケージ：バッグ・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：250mA（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：8オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（

￥218.58 税込￥240.43
85

【TP2104N3-G】MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3

Microchip

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【仕様】・パッケージ：バッグ・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：175mA（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVg

￥167.15 税込￥183.86
86

【TK080U60Z1,RQ】N-CH MOSFET, 600 V, 0.08 @10V, T [digi-reel品]

東芝

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：DTMOSVI・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 10.3A、10

￥1,039.73 税込￥1,143.70
87

【IRF530】MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB

STマイクロエレクトロニクス

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最小4,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：STripFET™ II・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：14A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：160ミリオーム @ 7A、10V・I

￥53.16 税込￥58.47
88

【2SK2463T100】MOSFET N-CH 60V 2A MPT3 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：2A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：380ミリオーム @ 1A、10V・Id印加時

￥258.58 税込￥284.43
89

【2SK1516-E】NCH POWER MOSFET 500V 10A 900MOH

ルネサスエレクトロニクス(Intersil・IDT)

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最小325個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：トレイ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：900ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）

￥1,852.26 税込￥2,037.48
90

【IGLT65R025D2AUMA1】IGLT65R025D2AUMA1 [digi-reel品]

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：CoolGaN™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：GaNFET（窒化ガリウム）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：67A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大

￥2,272.95 税込￥2,500.24
91

【SSM6K819R,LXHF】AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25.8ミリオーム @ 4A、10V

￥335.72 税込￥369.29
92

【FQP30N06】MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3

オンセミコンダクター

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：QFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40ミリオーム @ 15A、10V・Id印加時のVgs

￥442.86 税込￥487.14
93

【AO6402A】MOSFET N-CH 30V 7.5A 6TSOP

Alpha & Omega Semiconductor Inc

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：7.5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：27ミリオーム @ 7A、10V・I

￥150.00 税込￥165.00
94

【PSMQC040N08NS2_R2_00201】80V/ 4.4M/ BEST-IN-GLASS FOM MOS

PANJIT

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：-・技術：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：-・Vgs（最大）
95

【R6004END3TL1】MOSFET N-CH 600V 4A TO252 [digi-reel品]

ROHM

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【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：980ミリオーム @ 1.5A、10V・Id印加時

￥330.00 税込￥363.00
96

【S1M1000170D】MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V

SMC Diode Solutions

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1700 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.2A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：20V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.3オーム @ 2A、20V・Id

￥951.39 税込￥1,046.52
97

【SSM6K819R,LF】SSM6K819R NチャンネルMOSFET

東芝

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25.8ミリオーム @ 4A、10V

￥235.72 税込￥259.29
98

【TK090U65Z,RQ】DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ

東芝

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最小2,000個から購入可能

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【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：DTMOSVI・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：650 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：90ミリオーム @ 15A、10V

￥490.03 税込￥539.03
99

【TN2425N8-G】MOSFET N-CH 250V 480MA SOT89-3

Microchip

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【仕様】・パッケージ：カットテープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：250 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：480mA（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：3V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.5オーム @ 500mA、10V

￥364.29 税込￥400.71
100

【STP6NK60ZFP】MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP

STマイクロエレクトロニクス

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【仕様】・パッケージ：チューブ・シリーズ：SuperMESH™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：600 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.2オーム @ 3A、10V・Id印加時の

￥455.72 税込￥501.29

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トランジスタ - FET、MOSFET - シングルの定格表 該当製品数: 68,518 / 68,518 件

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