[2N7002]の検索結果: 601件

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：UMW・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 500mA、10V・I

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：280mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 500mA、10V・Id

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：280mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 500mA、10V・Id印

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：UMW・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 500mA、10V・

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：UMW・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 500mA、10V・

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：280mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 500mA、10V・Id

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・I

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：UMW・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 500mA、10V・

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：UMW・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 500mA、10V・

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：UMW・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 500mA、10V・I

提携先在庫数：600個（2024/04/22 9:00 現在）　●仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 115 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消

MOSFET N 60V SOT-23 Transistor Polarity:N Channel Continuous Drain Current Id:115mA Drain Source Voltage Vds:60V On Resistance Rds(on):1.2ohm Rds(on) Test Voltage Vgs:10V Threshold V

MOSFET N 60V SOT-23Transistor Polarity:N ChannelContinuous Drain Current Id:115mADrain Source Voltage Vds:60VOn Resistance Rds(on):1.2ohmRds(on) Test Voltage Vgs:10VThreshold Voltage

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：STripFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 500

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：STripFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 50

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：STripFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 50

【仕様】・パッケージ：箱・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・I

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：115mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 500mA、10V・I

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 500mA、10V・

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 500mA、10V・

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：292mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3オーム @ 250mA、10V・

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：310mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 500mA、10

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：310mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 500mA、10

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：380mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2オーム @ 500mA、10V・Id

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：170mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6オーム @ 170mA、10V

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：390mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2オーム @ 50mA、5V・Id印

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：440mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2オーム @ 50mA、5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @ 250µA・

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャネル・FET機能：-・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：440mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2オーム @ 50mA、5V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @ 250µA・

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：390mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2オーム @ 50mA、5V・Id印

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：206mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 100mA、10V・

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：206mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.5オーム @ 100mA、10V・

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：5オーム @ 500mA、10V・I

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：292mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3オーム @ 250mA、10V・

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：310mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2オーム @ 500mA、10V・Id

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：310mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2オーム @ 500mA、10V・Id

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・技術：MOSFET（金属酸化物）・構成：2 Nチャネル・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：300mA（Ta）・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 500mA、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2

【仕様】・パッケージ：Digi-Reel®・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：310mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.6オーム @ 500mA、10V

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：720mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：850ミリオーム @ 720mA、

【仕様】・パッケージ：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：720mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：850ミリオーム @ 720mA、

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：356mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2オーム @ 200mA、10V・Id

【仕様】・パッケージ：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60 V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：356mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2オーム @ 200mA、10V・Id